KR20190101097A

KR20190101097A - 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법

Info

Publication number: KR20190101097A
Application number: KR1020180021042A
Authority: KR
Inventors: 정동진
Original assignee: 주식회사 케이씨텍
Priority date: 2018-02-22
Filing date: 2018-02-22
Publication date: 2019-08-30
Also published as: KR102578296B1

Abstract

본 발명은 마스크 처리 장치 및 이를 이용하는 마스크 처리 방법에 관한 것으로, 배스 내부의 오염물질, 특히 비중이 큰 금속성 오염물질을 원활하게 배출하기 위한 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 관한 것이다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리가 수행되는 배스와, 상기 배스 내부에 공정유체를 공급하는 복수의 공급포트와, 상기 배스 내부의 오염물질을 배출하는 드레인라인을 포함하여 이루어진다.

Description

마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법{Apparatus for Treating Mask and the Method Thereof}

본 발명은 마스크 처리 장치 및 이를 이용하는 마스크 처리 방법에 관한 것으로서, 배스 내부의 오염물질, 특히 비중이 큰 금속성 오염물질을 원활하게 배출하기 위한 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 관한 것이다.

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다.

일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(lithography), 증착(Deposition) 및 식각(etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.

리소그래피는 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 형성하는 단계로, 사진 기술을 응용했다 하여 포토리소그래피(photo lithography)라고도 한다. 쿼츠(quartz)라 불리는 석영 유리기판 위에 실제 크기의 수배로 확대된 크롬 회로 패턴이 형성되는 마스크가 필름 역할을 하며, 포토 레지스트(photo resist)와 같은 감광물질이 코팅된 반도체 기판에 마스크를 통해 빛을 조사하여 마스크에 새겨진 회로 패턴이 반도체 기판상에 구현된다.

이러한 리소그래피 공정에 있어서, 마스크에 불량이 있는 경우 반도체 기판의 회로 형성에 직접적인 영향을 미치게 된다. 마스크의 불량에는 여러 원인이 있을 수 있으며, 특히 마스크에 부착된 금속 불순물, 유기물 등의 오염물질로 인해 불량이 발생하는 경우가 많다.

따라서 마스크에 부착된 오염물질을 제거하기 위한 세정공정이 중요하게 다뤄지고 있다.

마스크의 세정은 다양한 오염물질에 맞는 공정유체를 수용하는 적어도 하나의 배스에 마스크를 침지시켜 오염물질을 제거하는 방식으로 이루어지는 것이 일반적이다.

도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치에 대해 서술한다.

종래 기술에 의한 마스크 처리 장치는, 마스크를 수용하여 처리하는 배스(1)와, 상기 배스(1) 내부에 공정유체를 공급하는 공급포트(10)를 포함한다.

상기 배스(1)는 밑면과 측면이 막히고 상단이 개방된 형태로 이루어진다.

상기 공급포트(10)는 상기 배스(1)의 하부에 구비되며, 공급라인(31)을 통해 공정유체 공급부(50)에 연결되어, 상기 공정유체 공급부(50)로부터 공급되는 상기 공정유체를 상기 배스(1) 내부에서 상향분사하도록 이루어진다.

상기 공정유체는 상기 배스(1)의 하부로부터 상부로 유동하여 상기 마스크로부터 오염물질을 분리시킨다.

상기 오염물질 중 상기 공정유체에 섞여 상기 배스(1) 내부를 부유하는 것을 부유물이라 하고, 상기 배스(1)의 하부에 가라앉는 것을 침전물이라 한다.

상기 침전물은 비중이 큰 오염물질로 구성되며, 주로 금속성 물질로 이루어진다.

상기 부유물을 포함한 공정유체는 상기 배스(1)의 상단을 넘어 오버플로우되어 상기 배스(1)의 둘레에 구비되는 오버플로우부(20)에 수용된다.

상기 오버플로우부(20)는 순환라인(41)을 통해 상기 공정유체 공급부(50)에 연결되며, 상기 오버플로우부(20) 또는 상기 순환라인(41)에는 상기 공정유체로부터 상기 부유물을 걸러내는 여과부(미도시)가 구비된다.

즉, 상기 여과부를 통해 상기 부유물이 제거된 상기 공정유체가 상기 순환라인(41)을 통해 상기 공정유체 공급부(50)로 회수된 후 다시 상기 공급라인(31)을 통해 상기 배스(1)에 공급되는 시스템을 이룬다.

그러나 상기와 같은 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치에 있어 상기 침전물에 대한 배출 시스템이 따로 구비되어 있지 않아, 상기 침전물은 마스크 처리 공정이 완료된 후 인적 투입에 의해 수동으로 제거가 이루어져 왔다.

즉 마스크 처리 공정 후 상기 침전물을 제거하는 시간이 별도로 소요되었으며, 마스크 처리 공정 시간 단축을 위해 상기 오염물질 제거 방법을 개선할 필요가 있었다.

또한, 복수의 공정유체를 이용하는 상기 마스크 처리 공정에서, 상기 배스(1)에 공급되는 공정유체의 종류가 달라질 때마다 적절한 공정 환경 조성을 위해 상기 침전물을 제거해야 하는 불편함이 있었다.

또한, 상기 침전물로 인해 상기 배스의 내벽이 부식되는 것을 방지하기 위해 상기 침전물의 제거가 빈번히 이루어져야 하는 불편함이 있었다.

또한, 상기 침전물로 인한 부식으로 상기 배스의 노화 속도가 빨라 상기 배스의 보수 또는 교체가 빈번히 이루어지게 되는 문제점이 있었다.

상기한 바와 같은 마스크 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 10-2011-0082730호가 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 오염물질을 수동으로 제거하는 번거로움을 해결할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.

또한. 오염물질 처리에 소요되는 시간을 절약하고 마스크 처리 공정 시간을 단축할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.

또한, 배스에 공급되는 공정유체의 종류가 달라질 때마다 오염물질을 처리하는 번거로움을 해결할 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.

또한, 오염물질로 인해 부식되는 상기 배스의 내벽의 노화 속도를 늦출 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.

또한, 오염물질이 제거된 공정유체를 재사용하여 마스크 처리 효율성을 높일 수 있는 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법을 제공하고자 한다.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리가 수행되는 배스와, 상기 배스 내부에 공정유체를 공급하는 복수의 공급포트와, 상기 배스 내부의 오염물질을 배출하는 드레인라인을 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 드레인라인은 상기 배스의 하부에 연결되어 상기 배스 하부에 침전되는 오염물질을 배출하도록 할 수 있으며, 이를 위해 상기 배스의 하단면이 상기 드레인라인이 연결된 연결부를 향해 기울어진 형태로 이루어질 수 있다.

상기 배스의 상부에는 상기 배스 내부로부터 오버플로우된 상기 공정유체를 수용하는 오버플로우부가 더 구비되며, 상기 오버플로우부에는 순환라인이 연결되어, 상기 공정유체를 공정유체 공급부에 회수하여 재사용하도록 이루어질 수 있다.

상기 드레인라인과 상기 순환라인을 연결하는 연결라인이 더 구비되어, 상기 드레인라인을 통해 배출되는 상기 공정유체 또한 회수하여 재사용하도록 이루어질 수 있다.

또한, 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리가 수행되는 배스와, 상기 배스의 상부로부터 공정유체를 하향 분사하는 하나의 공급포트를 포함하여 이루어질 수 있다.

또한, 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리가 수행되는 배스와, 상기 배스의 중앙부에 회전 가능하게 구비되어 공정유체를 선택적으로 상향 또는 하향 분사할 수 있는 하나의 공급포트를 포함하여 이루어질 수 있다.

본 발명에 따른 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 의하면, 오염물질을 제거하는 시스템을 구비하여 오염물질을 수동으로 제거하는 번거로움을 해결할 수 있다.

또한. 오염물질의 처리에 소요되는 시간을 절약하고 마스크 처리 공정 시간을 단축할 수 있다.

또한, 배스에 공급되는 공정유체의 종류가 달라질 때마다 오염물질을 처리하는 번거로움을 해결할 수 있다.

또한, 오염물질로 인해 부식되는 배스 내벽의 노화속도를 늦추고 수리 및 교체 주기를 연장할 수 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 마스크 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의해 제1공급포트의 가동으로 상향류가 형성된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의해 제2공급포트의 가동으로 하향류가 형성된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 의해 제2공급포트의 가동으로 하향류가 형성된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 의해 회전 가능한 공급포트의 분사부가 상측으로 향하여 상향류가 형성된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 의해 회전 가능한 공급포트의 분사부가 하측으로 향하여 하향류가 형성된 마스크 처리 장치를 보여주는 도면.
도 7은 본 발명에 의한 마스크 처리 방법을 나타내는 순서도.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2와 도 3을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 의해 복수의 공급포트(210,220)가 구비되는 마스크 처리 장치에 대해 설명한다.

본 발명의 제1실시예에 의한 마스크 처리 장치는, 마스크의 처리가 수행되는 배스(100)와, 상기 배스(100) 내부에 공정유체를 공급하는 복수의 공급포트(210,220)와, 상기 배스(100) 내부의 오염물질을 배출하는 드레인라인(400)을 포함한다.

상기 마스크는 기판 위에 회로 패턴이 형성된 회로 원판으로, 쿼츠(quartz)라 불리는 석영 유리기판 위에 크롬 회로 패턴이 형성되어 이루어질 수 있다. 상기 마스크는 반도체 기판의 수배 크기로 형성될 수 있으며, 상기 반도체 기판의 형상과 크기에 따라 원형 및 사각 형 등 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 마스크는 리소그래피(lithography) 공정의 익스포저(Exposure) 단계에서 빛이 조사되면 상기 반도체 기판에 상을 형성하는 필름 역할을 한다. 상기 반도체 기판에는 포토 레지스트(photo resist) 등의 감광물질이 코팅되며, 상기 마스크를 통해 상기 반도체 기판에 조사되는 빛이 상기 포토 레지스트와 반응하여 화학변화를 일으켜 상기 반도체 기판상에 회로 패턴을 형성한다.

상기 배스(100)는 상기 마스크를 수용하여 마스크 처리 환경을 제공한다. 상기 배스(100)는 마스크 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 재질로 구성되며, 온도의 변화를 견디기 위한 높은 내열성을 가지고 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 마스크 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 구성된다.

상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 배스(100)를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.

상기 마스크에는 세정 대상물을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 세정제가 공급된다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, SiO를 제거하기 위해서는 물, 불화수소 HF, IPA 및 N2 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산 HCl, 오존 O3, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 O3, N2 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水) APM, N2 가스, 또는 N2 가스 혹은 아르곤 Ar을 사용할 수 있다. 또한, 불소 F, 염소 Cl, 암모니아 NH4의 이온을 제거하기 위해서는 물, IPA 및 N2 가스를 사용할 수 있다. 이러한 세정제 등을 통틀어 공정유체라 한다.

상기 공급포트(210,220)는 공급라인(311,312)을 통해 공정유체 공급부(300)에 연결되며, 상기 공급라인(311,312)에는 상기 공정유체 공급부(300)로부터 상기 공정유체를 내보내는 공급펌프(610)가 구비된다.

상기 공정유체는 상기 공정유체공급부(300)로부터 상기 공급라인(311,312)을 따라 유동하여 상기 공급포트(210,220)에서 상기 배스(100) 내부에 분사된다.

상기 복수의 공급포트(210,220)에는, 상기 배스(100)의 하부에 구비되어 상기 공정유체를 상향으로 분사하는 제1공급포트(210)와, 상기 배스(100)의 상부에 구비되어 상기 공정유체를 하향으로 분사하는 제2공급포트(220)가 포함될 수 있다.

상기 제1공급포트(210)는 제1공급라인(311)을 통해 상기 공정유체 공급부(300)에 연결되며, 상기 제2공급포트(220)는 제2공급라인(312)을 통해 상기 공정유체 공급부(300)에 연결된다.

상기 제1공급라인(311)상에 구비되는 제1공급밸브(511)는 상기 제1공급라인(311)을 개폐하여 제1공급포트(210)를 통한 상기 공정유체의 공급을 조절하고 상기 배스(100) 내부의 상향류(A) 형성을 조절한다.

상기 제2공급라인(312)상에 구비되는 제2공급밸브(512)는 상기 제2공급라인(312)을 개폐하여 제2공급포트(220)를 통한 상기 공정유체의 공급을 조절하고 상기 배스(100) 내부의 하향류(B) 형성을 조절한다.

상기 공정유체는 상기 배스(100)의 내부를 유동하여 상기 배스(100)에 침지된 마스크로부터 오염물질을 분리시키며, 상기 오염물질 중 비중이 작은 일부는 상기 배스(100) 내부를 부유하고, 금속물질 등 비중이 큰 일부는 상기 배스(100)의 하부에 침전된다.

상기 공정유체와 섞여 배스(100) 내부를 부유하는 상기 오염물질을 부유물이라 하고, 상기 배스(100) 하부에 침전되는 상기 오염물질을 침전물이라 한다.

상기 배스(100)의 상부 외측 둘레에는 상기 배스(100)로부터 오버플로우되는 상기 부유물을 포함하는 상기 공정유체를 수용하는 오버플로우부(120)가 구비된다.

상기 오버플로우부(120)와 상기 공정유체 공급부(300)는 순환라인(410)을 통해 연결되며, 상기 오버플로우부(120)에 수용되는 상기 공정유체가 상기 순환라인(410)을 통해 상기 공정유체 공급부(300)에 회수되어 재사용된다.

상기 회수는 상기 순환라인(410)에 구비되는 순환펌프(620)에 의해 이루어질 수 있다.

상기 오버플로우부(120) 또는 상기 순환라인(410)에는 상기 공정유체로부터 상기 오염물질을 걸러내는 여과부(미도시)가 구비되어, 상기 오염물질이 제거된 순수한 상기 공정유체가 상기 공정유체 공급부(300)에 회수되도록 이루어진다.

상기 여과부는 상기 오염물질을 걸러낼 수 있는 필터(미도시)로 이루어질 수 있다.

상기 드레인라인(400)은 상기 배스(100)의 하부에 연결되어 상기 배스(100)의 하부로부터 상기 침전물을 배출할 수 있도록 이루어진다.

상기 드레인라인(400)에는 상기 배스(100) 하부의 침전물을 흡입하는 드레인펌프(630)가 구비될 수 있다.

상기 배스(100)의 하단면(110)은 상기 드레인라인(400)이 연결된 연결부를 향해 기울어진 형태로 이루어져, 상기 침전물이 상기 배스(100)의 하단면(110)의 기울기를 따라 미끌어져 상기 드레인라인(400)에 유입되어 원활하게 배출되도록 할 수 있다.

상기 드레인라인(400)상에는 상기 드레인라인(400)으로부터 분기되어 상기 순환라인(410)상에 연결되는 연결라인(420)이 구비될 수 있다.

싱기 연결라인(420)은 상기 드레인라인(400)에 유입되는 상기 공정유체가 상기 순환라인(410)을 통해 상기 공정유체 공급부(300)로 회수되어 재사용되도록 한다.

상기 드레인라인(400)과 상기 연결라인(420)의 분기점에는 상기 오염물질을 걸러내는 필터(미도시)로 이루어지는 여과부(미도시)가 구비되어, 상기 오염물질이 제거된 순수한 공정유체가 상기 공정유체 공급부(300)에 회수되도록 이루어질 수 있다.

상기 드레인라인(400)에는 드레인밸브(530)가 구비되고, 상기 연결라인(420)에는 순환밸브(540)가 구비될 수 있다.

상기 배스(100) 하단에 일정 이상의 침전물이 침전된 경우 상기 드레인밸브(530)를 개방하고 상기 순환밸브(540)를 닫아 상기 드레인라인(400)을 통해 상기 침전물이 배출되도록 이루어지고, 상기 배스(100) 하단에 일정 이하의 침전물이 침전된 경우 상기 순환밸브(540)를 개방하고 상기 드레인밸브(530)를 닫아 상기 연결라인(420)과 상기 순환라인(410)을 통해 상기 공정유체가 상기 공정유체 공급부(300)로 회수되도록 이루어질 수 있다.

도 2는 상기 제1공급밸브(511)가 개방되고 상기 공정유체가 상기 제1공급라인(311)을 유동하여 상기 제1공급포트(210)를 통해 상기 배스(100) 내부에 유입됨으로써 상기 상향류(A)를 형성하는 것을 보여주는 도면이다.

이때 상기 부유물을 포함한 공정유체는 상기 배스(100)로부터 오버플로우되어 상기 오버플로우부(120)에 수용되며, 상기 여과부를 통해 상기 부유물을 걸러낸 후 상기 순환라인(410)을 유동하여 상기 공정유체 공급부(300)에 회수된다.

도 3은 상기 제2공급밸브(512)가 개방되고 상기 공정유체가 상기 제2공급라인(312)을 유동하여 상기 제2공급포트(220)를 통해 상기 배스(100) 내부에 유입됨으로써 상기 하향류(B)를 형성하는 것을 보여주는 도면이다.

이때 상기 드레인밸브(530)가 개방되어 상기 배스(100) 하단에 침전된 상기 침전물을 상기 드레인라인(400)을 통해 배출할 수 있다.

또한, 상기 침전물이 충분히 배출된 후 상기 드레인밸브(530)가 닫히고 상기 순환밸브(540)가 개방되어 상기 여과부를 통해 상기 침전물을 걸러낸 상기 공정유체가 상기 연결밸브(420)를 통해 상기 순환라인(410)으로 유동하여 상기 공정유체 공급부(300)로 회수되도록 할 수 있다.

또한, 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리 중에는 상기 도 2에 나타난 바와 같이 상기 제1공급포트(210)를 가동하고, 마스크 처리 완료 후에는 상기 도 3에 나타난 바와 같이 상기 제2공급포트(210)를 가동하도록 이루어질 수 있다.

즉, 마스크 처리 완료 후 다음 순서의 마스크 처리 공정이 진행되기 전에 상기 배스(100)로부터 상기 침전물이 제거되는 시스템을 구비하여 상기 침전물을 수동으로 제거하는 번거로움을 해결할 뿐 아니라 침전물 처리에 소요되는 시간을 절약하고 마스크 처리 공정 시간을 단축할 수 있다.

또한, 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리 중에 상기 도 2에 나타난 바와 같이 상기 제1공급포트(210)를 가동하는 과정과 상기 도 3에 나타난 바와 같이 상기 제2공급포트(210)를 가동하는 과정이 교대로 반복하여 진행되도록 이루어질 수 있다.

즉, 마스크 처리 중에 일정 시간 간격으로 상기 드레인라인(400)을 통해 상기 침전물이 배출되도록 하여, 침전물 처리에 소요되는 시간을 절약하고 마스크 처리 공정 시간을 단축할 뿐 아니라 침전물로 인한 배스의 내벽의 부식 속도를 늦추고 수리 및 교체 주기를 연장할 수 있다.

도 4를 참조하여 본 발명의 제2실시예에 의해 배스(100)의 상부에 구비되어 공정유체를 하향으로 분사하는 하나의 공급포트(220)를 포함하는 마스크 처리 장치에 대해 설명한다.

본 발명의 제2실시예에 의한 마스크 처리 장치는, 마스크의 처리가 수행되는 배스(100)와, 상기 배스(100)의 상부에 구비되어 공정유체를 하향으로 분사하는 제2공급포트(220)와, 상기 배스(100) 내의 오염물질을 배출하는 드레인라인(400)을 포함한다.

상기 제2공급포트(220)는 공급라인(310)을 통해 공정유체 공급부(300)에 연결되며, 상기 공급라인(310)상에는 상기 공급라인(310)을 개폐하는 공급밸브(510)와 상기 공정유체를 유동시키는 공급펌프(610)가 구비된다.

상기 배스(100)의 하단면(110)은 상기 드레인라인(400)이 연결된 연결부를 향해 기울어진 형태로 이루어져, 상기 침전물이 상기 배스(100)의 하단면(110)의 기울기를 따라 미끄러져 상기 드레인라인(400)에 유입되어 원활하게 배출되도록 할 수 있다.

상기 드레인라인(400)에는 드레인펌프(630)가 구비되어 상기 침전물을 흡입하도록 이루어질 수 있다.

상기 드레인라인(400)상에는 상기 드레인라인(400)으로부터 분기되어 상기 공정유체 공급부(300)에 연결되는 순환라인(410)이 구비된다.

상기 드레인라인(400)상에는 상기 드레인라인(400)을 개폐하는 드레인밸브(530)가 구비되며, 상기 순환라인(410)상에는 상기 순환라인(410)을 개폐하는 순환밸브(540)가 구비된다.

상기 공급밸브(510)가 개방되면, 상기 공정유체가 상기 공급라인(310)을 유동하여 상기 제2공급포트(220)를 통해 상기 배스(100) 내부에 유입되어 하향류(B)를 형성한다.

상기 공정유체는 상기 배스(100)의 상부로부터 하부로 유동하여 상기 배스(100)에 침지된 마스크로부터 오염물질을 분리킨 후 상기 드레인라인(400)에 유입된다.

상기 드레인라인(400)과 상기 순환라인(410) 사이에는 상기 오염물질을 걸러내는 필터로 이루어지는 여과부(미도시)가 구비된다.

상기 드레인밸브(530)와 상기 순환밸브(540)는 교대로 개방되도록 이루어질 수 있다.

즉, 일정 시간 동안 상기 드레인밸브(530)를 닫고 상기 순환밸브(540)를 개방하여 상기 여과부에 의해 상기 오염물질이 걸러진 상기 공정유체가 상기 순환라인(410)을 통해 상기 공정유체 공급부(300)에 회수되도록 한 후 상기 드레인밸브(530)를 개방하여 상기 드레인밸브(530)가 닫혀있는 동안 상기 여과부에 의해 걸러지고 쌓인 상기 오염물질이 상기 드레인라인(400)을 통해 배출되도록 할 수 있다.

도 5와 도 6을 참조하여 본 발명의 제3실시예에 의해 배스(100)의 중앙부에 구비되며 회전 가능한 하나의 공급포트(230)를 포함하는 마스크 처리 장치에 대해 설명한다.

본 발명의 제3실시예에 의한 마스크 처리 장치는, 마스크의 처리가 수행되는 배스(100)와, 상기 배스(100)의 중앙부에 구비되며 회전 가능하도록 이루어지는 공급포트(230)와, 상기 배스(100) 내의 오염물질을 배출하는 드레인라인(400)을 포함한다.

상기 회전 가능한 공급포트(230)는 공급라인(310)을 통해 공정유체 공급부(300)에 연결되며, 상기 공급라인(310)상에는 상기 공급라인(310)을 개폐하는 공급밸브(510)가 구비된다.

본 실시예에는 오버플로우부(120)와 순환라인(410)과 연결라인(420)과 드레인밸브(530) 및 순환밸브(540)가 더 구비되며, 이에 대해 상기 제1실시예에 서술한 바를 참조한다.

도 5에 나타난 바와 같이, 상기 회전 가능한 공급포트(230)가 회전하여 상기 회전 가능한 공급포트(230)의 분사구(231)가 상측을 향하면, 상기 배스(100) 내부에 유입되는 상기 공정유체는 상향류(A)를 형성한다.

이때 상기 공정유체는 상기 배스(100)로부터 오버플로우되어 상기 오버플로우부(120)에 수용되며, 여과부를 통해 오염물질을 걸러낸 후 상기 순환라인(410)을 유동하여 상기 공정유체 공급부(300)에 회수된다.

도 6에 나타난 바와 같이, 상기 회전 가능한 공급포트(230)가 회전하여 상기 분사구(231)가 하측을 향하면, 상기 배스(100) 내부에 유입되는 상기 공정유체는 하향류(B)를 형성한다.

이때 상기 드레인밸브(530)를 개방하여 상기 배스(100) 하단에 침전되는 오염물질이 상기 드레인라인(400)을 통해 배출되도록 할 수 있다.

또한, 상기 침전물이 충분히 배출된 후 상기 드레인밸브(530)를 닫고 상기 순환밸브(540)를 개방하여 상기 공정유체가 상기 연결밸브(420)를 통해 상기 순환라인(410)으로 유동하여 상기 공정유체 공급부(300)로 회수되도록 할 수 있다.

이때 상기 공정유체는 여과부를 통해 오염물질을 걸러낸 후 상기 연결밸브(420)에 유입된다.

본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리 중에는 상기 도 5에 나타난 바와 같이 상기 회전 가능한 공급포트(230)가 회전하여 상기 분사구(231)가 상측을 향하고, 마스크 처리 완료 후에는 상기 도 6에 나타난 바와 같이 상기 회전 가능한 공급포트(230)가 회전하여 상기 분사구(231)가 하측을 향하도록 이루어질 수 있다.

또한, 본 발명의 마스크 처리 장치는, 마스크 처리 중에 상기 도 5에 나타난 바와 같이 상기 회전 가능한 공급포트(230)가 회전하여 상기 분사구(231)가 상측을 향하는 과정과 상기 도 6에 나타난 바와 같이 상기 회전 가능한 공급포트(230)가 회전하여 상기 분사구(231)가 하측을 향하는 과정이 교대로 반복하여 진행되도록 이루어질 수 있다.

도 7을 참조하여 본 발명의 마스크 처리 장치를 이용하는 마스크 처리 방법에 대해 서술한다.

단계 S10은, 마스크를 수용하는 배스(100)의 상부로부터 하부를 향해 공정유체를 상향 분사하는 단계이다.

상기 공정유체는 상기 배스(100)의 하부에 구비되어 상기 공정유체를 상향 분사하는 제1공급포트(210)로부터 분사될 수 있다.

또한, 상기 공정유체는 상기 배스(100)의 중앙부에 구비되는 회전 가능한 공급포트(230)가 분사구(231)가 상측을 향하도록 회전된 상태에서 분사될 수 있다.

단계 S20은, 상기 배스(100)의 상부로부터 연결되는 순환라인(410)을 통해 상기 배스(100) 내부의 상기 공정유체를 공정유체 공급부(300)에 회수하는 단계이다.

상기 배스(100)의 상부 외측에는 상기 배스(100)의 상부로부터 오버플로우되는 상기 공정유체를 수용하는 오버플로우부(120)가 구비되며, 상기 순환라인(410)은 상기 오버플로우부(120)와 상기 공정유체 공급부(300)를 연결하도록 구비될 수 있다.

상기 오버플로우부(120) 또는 상기 순환라인(410)에는 상기 공정유체에 포함된 오염물질을 걸러낼 수 있는 여과부(미도시)가 구비될 수 있다.

단계 S30은, 상기 배스(100)의 상부로부터 하부를 향해 상기 공정유체를 하향 분사하는 단계이다.

상기 공정유체는 상기 배스(100)의 상부에 구비되어 상기 공정유체를 하향 분사하는 제2공급포트(210)로부터 분사될 수 있다.

또한, 상기 공정유체는 상기 배스(100)의 중앙부에 구비되는 회전 가능한 공급포트(230)가 분사구(231)가 하측을 향하도록 회전된 상태에서 분사될 수 있다.

단계 S40은, 상기 배스(100)의 하부에 구비되는 드레인라인(400)을 통해 침전된 오염물질을 배출하는 단계이다.

상기 드레인라인(400)을 통해 상기 배스(100) 내부의 침전물이 배출되며, 상기 드레인라인(400)과 상기 순환라인(410)을 연결하는 연결라인(420)을 통해 상기 드레인라인(400)을 통해 배출되는 상기 공정유체를 회수하여 재사용하도록 할 수 있다.

상기 단계 S10과 상기 단계 S20은 마스크 처리 중에 수행되고, 상기 단계 S30과 상기 단계 S40은 마스크 처리 완료 후에 수행되는 단계일 수 있다.

즉, 마스크 처리가 완료되면 상기 드레인라인(400)을 통해 상기 침전물이 배출되도록 하여 상기 침전물을 수동으로 제거하는 번거로움을 해결할 수 있다.

또한, 상기 단계 S10과 상기 단계 S20은, 상기 단계 S30과 상기 단계 S40과 마스크 처리 중에 번갈아 교대로 수행되는 단계일 수 있다.

즉, 마스크 처리 중에 일정 시간 간격으로 상기 드레인라인(400)을 통해 상기 침전물이 배출되도록 하여 상기 침전물이 상기 배스(100)에 침전되어 부식이 발생하는 것을 방지하고 상기 배스(100)의 노화 속도를 늦출 수 있다.

이상 서술한 바와 같이, 본 발명에 따른 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법에 의하면, 오염물질을 제거하는 시스템을 구비하여 오염물질을 수동으로 제거하는 번거로움을 해결할 수 있다.

또한. 상기 오염물질의 처리에 소요되는 시간을 절약하고 마스크 처리 공정 시간을 단축할 수 있다.

또한, 배스(100)에 공급되는 공정유체의 종류가 달라질 때마다 상기 오염물질을 처리하는 번거로움을 해결할 수 있다.

또한, 상기 오염물질로 인해 부식되는 상기 배스(100) 내벽의 노화속도를 늦추고 수리 및 교체 주기를 연장할 수 있다.

또한, 상기 오염물질이 제거된 공정유체를 재사용하여 마스크 처리 효율성을 높일 수 있다.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.

100 : 배스 110 : 배스 하단면
120 : 오버플로우부 310 : 공급라인
311 : 제1공급라인 312 : 제2공급라인
300 : 공정유체 공급부 210 : 제1공급포트
220 : 제2공급포트 230 : 회전 가능한 공급포트
231 : 분사구 400 : 드레인라인
410 : 순환라인 420 : 연결라인
511 : 제1공급밸브 512 : 제2공급밸브
510 : 공급밸브 530 : 드레인밸브
540 : 순환밸브

Claims

마스크 처리가 수행되는 배스;
상기 배스 내부에 공정유체를 공급하는 복수의 공급포트;
상기 배스 내부의 오염물질을 배출하는 드레인라인;
을 포함하는 마스크 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 공급포트는 상기 공정유체를 하향으로 분사하는 공급포트를 적어도 하나 포함하는 마스크 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 공급포트에 상기 공정유체를 공급되는 공정유체 공급부;를 포함하고,
상기 드레인라인은 상기 배스의 하부에 연결되어 상기 배스 하부에 침전되는 오염물질을 배출하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 배스의 하단면은 상기 드레인라인이 연결된 연결부를 향해 기울어진 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 복수의 공급포트는,
상기 배스의 하부에 구비되어 상기 공정유체를 상향으로 분사하는 제1공급포트;와
상기 배스의 상부에 구비되어 상기 공정유체를 하향으로 분사하는 제2공급포트;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제5항에 있어서,
상기 제1공급포트와 상기 공정유체 공급부를 연결하는 제1공급라인;
상기 제2공급포트와 상기 공정유체 공급부를 연결하는 제2공급라인;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제6항에 있어서,
상기 제1공급라인을 개폐하는 제1공급밸브;와
상기 제2공급라인을 개폐하는 제2공급밸브;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 배스로부터 상기 공정유체 공급부로 상기 공정유체를 회수하는 순환라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제8항에 있어서,
상기 배스로부터 오버플로우되는 상기 공정유체를 수용하는 오버플로우부를 더 포함하고;
상기 순환라인은 상기 오버플로우부와 상기 공정유체 공급부에 연결되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제8항에 있어서,
상기 드레인라인으로부터 분기되어 상기 순환라인에 연결되는 연결라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제10항에 있어서,
상기 드레인라인을 개폐하는 드레인밸브;
상기 연결라인을 개폐하는 순환밸브;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제5항에 있어서,
마스크 처리 중에는 상기 제1공급포트가 가동하고;
마스크 처리 완료 후에는 상기 제2공급포트가 가동하며 상기 드레인라인을 통해 상기 침전물을 배출하는;
것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제5항에 있어서,
마스크 처리 중에 상기 제1공급포트와 상기 제2공급포트가 교대로 가동하고;
상기 제2공급포트가 가동될 때 상기 드레인라인을 통해 상기 침전물을 배출하는;
것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
마스크 처리가 수행되는 배스;
상기 배스의 상부에 구비되어 공정유체를 하향으로 분사하는 공급포트;
상기 배스 내의 오염물질을 배출하는 드레인라인;
을 포함하는 마스크 처리 장치.
제14항에 있어서,
상기 공급포트에 상기 공정유체를 공급되는 공정유체 공급부;를 포함하고,
상기 드레인라인은 상기 배스의 하부에 연결되어 상기 배스 하부에 침전되는 침전물을 배출하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제15항에 있어서,
상기 배스의 하단면은 상기 드레인라인이 연결된 연결부를 향해 기울어진 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제15항에 있어서,
상기 드레인라인으로부터 분기되어 상기 배스로부터 상기 공정유체 공급부로 상기 공정유체를 회수하는 순환라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제17항에 있어서,
상기 드레인라인을 개폐하는 드레인밸브;
상기 순환라인을 개폐하는 순환밸브;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제18항에 있어서,
상기 드레인밸브와 상기 순환밸브는 교대로 개방되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
마스크 처리가 수행되는 배스;
상기 배스의 중앙부에 구비되어 공정유체를 분사하는 공급포트;
상기 배스 내의 오염물질을 배출하는 드레인라인;을 포함하되,
상기 공급포트는 회전 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제20항에 있어서,
상기 공급포트에 상기 공정유체를 공급되는 공정유체 공급부;를 포함하고,
상기 드레인라인은 상기 배스의 하부에 연결되어 상기 배스 하부에 침전되는 침전물을 배출하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제21항에 있어서,
상기 배스의 하단면은 상기 드레인라인이 연결된 연결부를 향해 기울어진 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제21항에 있어서,
상기 배스로부터 상기 공정유체 공급부로 상기 공정유체를 회수하는 순환라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제23항에 있어서,
상기 배스로부터 오버플로우되는 상기 공정유체를 수용하는 오버플로우부를 더 포함하고;
상기 순환라인은 상기 오버플로우부와 상기 공정유체 공급부에 연결되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제24항에 있어서,
상기 드레인라인으로부터 분기되어 상기 순환라인에 연결되는 연결라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제25항에 있어서,
상기 드레인라인을 개폐하는 드레인밸브;
상기 연결라인을 개폐하는 순환밸브;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제20항에 있어서,
상기 공급포트는,
마스크 처리 중에는 상기 공급포트의 분사구가 상측을 향하도록 회전하여 상기 공정유체를 상향으로 분사하고;
마스크 처리 완료 후에는 상기 공급포트의 분사구가 하측을 향하도록 회전하여 상기 공정유체를 하향으로 분사하되, 상기 드레인라인을 통해 상기 침전물을 배출하는;
것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
제21항에 있어서,
상기 공급포트는,
마스크 처리 중에 상기 공급포트의 분사구가 상측과 하측을 번갈아 향하도록 회전하고;
상기 공급포트의 분사구가 하측을 향할 때 상기 드레인라인을 통해 상기 침전물이 배출되도록 이루어지는;
것을 특징으로 하는 마스크 처리 장치.
a) 마스크를 수용하는 배스의 상부로부터 하부를 향해 공정유체를 하향 분사하는 단계;
b) 상기 배스의 하부에 구비되는 드레인라인을 통해 오염물질을 배출하는 단계;
를 포함하여 이루어지는 마스크 처리 방법.
제29항에 있어서,
상기 배스의 하부로부터 상부를 향해 상기 공정유체를 상향 분사하는 단계가 더 포함되고;
상기 배스의 하부로부터 상부를 향해 상기 공정유체를 상향 분사하는 단계는, 상기 단계 a)에 선행하여 수행되거나, 상기 단계 b)이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 방법.
제30항에 있어서,
상기 배스의 하부로부터 상부를 향해 상기 공정유체의 상향 분사가 수행되면, 상기 공정유체가 오버플로우되어 순환라인을 통해 상기 공정유체 공급부에 회수되는 것을 특징으로 하는 마스크 처리 방법.