KR100566402B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판의 세정 및 건조를 위한 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판들이 수용되는 처리조, 상기 처리조의 하부에서 세정액을 공급하기 위한 하부 공급부, 상기 처리조의 상부에서 세정액을 공급하기 위한 상부 공급부 그리고 기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 가스 공급부를 포함한다.

Description

기판 처리 방법{METHOD FOR WAFER TRANSACTION}

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측면도;

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면도;

도 3은 노즐들이 제1분배관과 제2분배관에 서로 엇갈리게 설치된 예를 보여주는 도면;

도 4는 노즐들이 기판의 표면과 경사진 분사 각도를 갖는 예를 보여주는 도면;

도 5 내지 도 11은 본 발명에 따른 기판 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.

도 12는 본 발명에 따른 기판 세정 과정에 대한 플로우 챠트이다.

도 13은 기판 표면에서의 건조 작용을 설명하기 위한 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

110 : 챔버

111 : 처리조

112 : 내조

116 : 커버

120 : 기판 가이드

130 : 기체 분배기

140 : 하부 공급부

142 : 공급관

150 : 상부 공급부

152a : 제1분배관

152b : 제2분배관

154 : 노즐

본 발명은 기판의 세정공정에서 사용되는 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 구체적으로는 기판의 세정 및 건조를 위한 기판 처리 방법에 관한 것이다.

반도체소자의 고집적화에 따라 반도체 제조공정에서 기판의 세정기술은 더욱 다양화되고, 그리고 그의 중요성은 증대되어가고 있다. 특히 미세구조를 갖는 반도체소자의 제조공정에 있어서는 기판의 세정공정후 기판에 부착된 파티클(particles)뿐만 아니라, 정전기, 워터마크(water mark), 라인성 파티클 등은 후속공정에 커다란 영향을 미치게 되기 때문에, 기판의 세정 및 건조 공정의 필 요성이 더욱 증대된다.

일반적으로 기판세정처리장치에서는 기판에 부착된 파티클, 유기물, 금속 오염물 혹은 산화막을 제거함과 동시에 건조 등의 처리가 이루어진다.

이 기판세정처리공정은 기판들에 처리액(약액)과, 세정액(린스액)을 순차적으로 공급하여, 기판에 부착된 파티클, 유기물, 금속 오염물 혹은 산화막을 제거함과 동시에 건조 등의 처리가 이루어진다.

이러한 처리 장치의 공정을 간략히 살펴보면, 먼저 처리액(DHF(묽은 불소산계) 등의 산성 세정제)을 공급하여 기판을 세정하는 화학적 세정단계, 세정액(린스액-DIW)을 공급하여 기판을 수세하는 린스(세정) 단계, 세정액을 베스 하부의 배출구를 통하여 일정한 속도로 배수하는 동시에, 베스 상부에서 건조가스를 공급하는 건조 단계를 갖는다. 상기 베스로 공급된 건조가스는 배수에 따라 노출되는 기판과 세정액의 경계면에서 건조작용을 한다. 이 건조 단계는 배수가 진행되어 기판이 세정액에서 완전히 노출될 때까지 계속된다.

하지만, 기존 건조 장치는 기판 표면을 지나는 세정액의 유속이 작아 세정효과가 매우 낮다는 단점이 있다. 그렇게 때문에, 기존 건조 장치에서는 기판 세정 공정을 위한 린스 처리 시간이 길어질 수 밖에 없고, 따라서 소모되는 세정액의 양이 많아지는 단점이 있다.

또한, DHF 치환이 비효율적이며, 기판의 패턴이 요철이 심한 트랜치 구조일 경우 건조 불량이 발생된다. 그리고 기판이 대구경화가 될 수록 건조시간(슬로우 드레이)이 비례적으로 증가된다. 그 뿐만 아니라, 린스 단계(상기 베스 하부에서 공급된 세정액이 베스 상부로 오버플로우 되는 과정)에서 건조 단계(베스 하부의 배출구로 세정액을 배수하는 과정)로 전환될 때, 세정액 수면위에 부유중인 파티클들이 다시 기판 표면에 달라붙게 되는 역오염 가능성이 매우 높은 단점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 린스 및 DHF 치환 효율을 높여 세정 처리 시간을 단축시킬 수 있는 새로운 형태의 건조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 IPA 증기를 공급하여 기판을 건조할 때 기판 표면에 존재하는 DIW 층의 두께를 최소화하여 건조 효율 및 처리 시간을 단축할 수 있는 새로운 형태의 건조 방법을 제공하는데 있다. 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 처리조의 내벽을 세정할 수 있는 건조 방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명의 기판 처리 장치는 처리조의 하부에서 세정액을 공급하기 위한 하부 공급부; 처리조의 상부에서 세정액을 공급하기 위한 상부 공급부; 기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 가스 공급부를 포함한다.

본 발명의 실시예에서, 상기 상부 공급부는 상기 처리조 상부에 설치되는 분배관; 상기 분배관에 설치되는 그리고 기판들에 세정액을 분사하기 위한 노즐들 그리고 상기 노즐들의 분사 범위가 넓어지도록 상기 분배관을 일정각도 범위내에서 회전시키는 구동부를 포함한다.

본 발명의 기판 처리 방법은 처리조에 1차 세정액을 채우는 단계; 기판들을 상기 처리조 내부에 수용하여 세정하는 단계; 상기 처리조 내의 세정액을 배수하면서 상기 기판들 상부로 건조가스와 세정액을 분사하는 단계; 상기 세정액 배수가 완료되면, 상기 처리조 상부로부터 분사하던 세정액은 중단하고, 건조가스만 분사하는 건조 단계를 갖는다.

본 발명의 실시예에서 상기 세정액 배수 단계는 상기 기판들이 상기 세정액의 수면위로 서서히 노출되도록 세정액을 서서히 배수될 수 있다.

본 발명의 실시예에서 상기 건조 단계 후에 고온의 질소가스를 분사하여 상기 건조가스를 제거하는 단계를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에서 상기 처리조의 상부는 커버에 의해 밀폐되고, 그 내부에는 불활성 기체가 공급된다.

본 발명의 실시예에서 상기 기판 세정 단계는 기판들이 상기 처리조의 제1세정액에 수용되는 단계( 이 단계에서 기판들은 제1세정액에 의해 화학적으로 세정된다), 상기 처리조의 하부로부터 제2세정액을 공급하여 기판들을 린스하는 1차 세정 단계; 상기 처리조에 채워진 제2세정액을 배수하면서, 제2세정액의 수면위로 노출되는 기판들 표면으로 제2세정액을 분사하는 2차 세정 단계; 상기 처리조의 하부로부터 제2세정액을 재공급함과 동시에, 상기 처리조 상부에서 기판들 표면으로 제2세정액을 분사하는 3차 세정 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에서 상기 3차 세정 단계는 상기 세정액의 수면이 기판의 상부에 위치될 때까지 세정액이 공급된다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 측면도 및 평면도를 보여주는 도면이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 액체 유동 시스템 그리고 기체 분배기(130)를 포함한다.

상기 챔버(110)는 처리조(111)와 커버(116)를 갖는다. 상기 처리조(111)는 기판(W)를 침지시켜 세정하기 위한 내조(112)와 상기 내조를 둘러싸는 외조(114)로 구성된다. 상기 처리조(111)의 내조(112)는 바닥(112a) 및 측벽(112b)들을 갖으며, 이들에 의해 둘러싸여진 공간을 제공한다. 상기 처리조(111)는 상기 내조의 바닥으로부터 연장된 배출 포트(exhaust port;113)를 갖는다. 상기 처리조(111)는 상부를 향하여 개구된 형태를 갖으며, 상기 처리조(111)의 개구는 상기 커버(116)에 의해 개폐된다. 상기 커버(116)와 상기 처리조(111)의 접촉부에는 밀봉을 위한 오-링이 설치된다.

상기 처리조(111) 내의 기판(w)들은 기판 가이드(120)에 의해 지지된다. 상 기 기판 가이드(120)는 상기 기판들(w)을 가로지르는 방향과 평행하게 배치된 적어도 3개의 바들(bars; 122a 및 122b)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 가이드(120)는 하나의 중심 바(122a) 및 상기 중심 바(122a)의 양 옆에 위치하는 두개의 측 바들(122b)로 구성된다. 도시하지는 않았지만, 상기 기판 가이드(120)는 상기 기판들(W)을 상승시키거나 하강시키는 리프트(lift;도시하지 않음)와 접속될 수 있다.

상기 기체 분배기(130)는 상기 커버(116)에 설치된다. 이 기체 분배기(130)는 기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 복수의 노즐(132)들을 포함한다. 상기 기체 분배기(130)는, IPA와, 상온 또는 가열된 질소가스 등의 불활성 가스를 상기 처리조(111)의 상부로부터 상기 처리조(111)의 내부로 균일하게 공급한다.

상기 액체 유동 시스템은 액체를 상기 처리조(111) 내로 지속적으로 공급하는 수단과, 상기 액체를 상기 처리조(111)로부터 지속적으로 배출하는 수단을 갖는다. 이들 수단들에 의해 상기 처리조(111) 내의 액체의 수위 및 배출이 조절된다.

상기 공급 수단은 상기 처리조(111) 하단에 상기 기판 가이드(120)의 길이 방향으로 설치되는 그리고 다수의 분사공들(144)이 형성된 공급관(142)을 갖는 하부 공급부(140)를 갖는다. 그리고, 상기 커버(116)에 상기 기판 가이드(120)의 길이 방향으로 설치되는 상부 공급부(150)를 갖는다. 이 상부 공급부(150)는 다수의 분사노즐(154)이 설치된 제1 및 제2분배관(152a,152b)을 포함한다. 상기 하부 공급부(140)와 상부 공급부(150)는 배관(156)을 통해 외부의 세정액 공급원(미도시 됨)으로부터 세정액을 공급받는다. 상기 배관(156)에는 차단밸브(158)가 설치된다. 도 2를 참조하면, 상기 노즐(154)들은 상기 제1분배관(152a)과 제2분배관(152b)에 일정한 간격으로 서로 대응되게 배치되다. 도 2에서처럼, 상기 노즐(154)들은 상기 기판의 표면과 평행하게 세정액을 분사할 수 있다. 상기 하부 공급부는 1차 세정액(예컨대 희석된 불화수소(DHF), 암모니아과수, 염산과수 등의 화학적 세정액)과 2차 세정액(린스액, 예컨대 초순수)을 상기 처리조에 선택적으로 공급하게 된다. 그리고 상기 상부 공급부는 2차 세정액만 공급하게 된다.

상기 노즐(154)들로부터 분사되는 세정액은 도 2에서처럼 기판의 표면과 평행하거나 또는 도 4에서처럼 기판의 표면과 경사지게 분사될 수 있다. 도면에서 세정액의 분사방향은 점선으로 표시되어 있음. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 노즐(154)들은 제1분배관(152a)과 제2분배관(152b)에 서로 엇갈리게 배치될 수 있다.

한편, 상기 상부 공급부(150)는 상기 제1분배관(152a)과 제2분배관(152b)에 각각 설치되는 구동부(159)를 더 포함한다. 도 1을 참조하면, 이 구동부(159)는 상기 제1,2분배관(152a,152b)을 그 길이방향을 축(z)으로 하여 일정각도 범위(x)내에서 회전시킨다. 상기 상부 공급부(150)는 상기 분배관들이 일정범위 내에서 회전됨으로써 세정액의 분사 범위를 넓힐 수 있으며 또한 분사 각도를 조절할 수 있다. 도 1에서는 상기 구동부(159)에 의해 상기 제1,2분배관(152a,152b)이 회전되고, 따라서 상기 분사노즐(154)들의 분사 범위가 넓어지는 상태를 보여주고 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 배관(156)은 상기 분배관들(152a,152b)과 연결 되는 부분이 상기 분배관들의 회전에 영향을 받지 않도록 벨로우즈 타입으로 이루어질 수 있다.

상기 배출 수단은 상기 처리조(111)의 배출포트(113)에 연결된 제 1 및 제 2 배수관(drain pipe;172a,172b)과, 이들 각각의 배수관들에 설치되는 조절밸브(174)를 포함한다. 예컨대, 상기 제 2 배수관(172b)은 원하는 속도(1-2mm/s)로 배수하기 위한 밸브(유량조절밸브) 또는 정량 펌프등을 포함한다. 상기 처리조(111) 내의 액체 수위 조절은 상기 조절밸브(174)의 조절에 의해 이루어진다.

여기서, 상기 세정액은 기판들을 세정하는 공정에 사용된다. 이 세정 공정에는 기판들(w)을 세정하는 공정과 기판들(w)을 린스(헹굼)시키는 공정이 포함된다. 따라서, 상기 세정 공정에서 사용되는 세정액은 상기 기판들(w) 상에 잔존하는 파티클들 또는 자연산화막과 같은 오염물질을 제거하는 데 적합한 화학용액일 수 있다. 또한, 상기 린스 공정에서 사용되는 세정액은, 상기 기판들(w) 상에 남아있는 화학용액을 제거하는 데 적합한 탈이온수일 수 있다.

예컨대, 오버플로우 방식으로 만으로 세정을 하는 종래의 기술에 따르면, 기판들의 하부로부터 세정액가 공급되어 기판들의 하부 표면으로부터 이탈된 파티클들은 세정액의 수면에 부유된다. 이에 따라, 기판들이 세정액의 밖으로 벗어날지라도 상기 기판들의 표면에 파티클들이 다시 흡착될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 세정액이 처리조의 상부(기판 상부)로부터 기판에 분사됨으로써 기판들의 표면으로부터 이탈된 파티클들이 표면에 다시 흡착되기가 어렵다. 이에 따라, 파티클 제거효과 또한 극대화시킬 수 있다.

다음은, 도 12에는 본 발명에 따른 건조 방법에 대한 플로우 챠트가 도시되어 있다. 도5 내지 도 12를 참조하여 본 발명에 따른 건조 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 처리조의 내조(112)에 제1세정액(DHF,희석된 불화수소)이 채워진다(S110)(도 5참조). 기판들은 제1세정액이 채워진 상기 처리조의 내조(112)에 수용된 후 세정된다(s120). 이 세정 단계는 3단계로 이루어진다. 1차 세정단계는 제1세정액이 상기 처리조의 내조(112)에서 오버플로우되도록 제2세정액(DIW)공급하여 기판을 세정하게 된다.(도 6참조). 즉 상기 1차 세정단계에서는 상기 내조에 채워져 있는 제1세정액이 제2세정액으로 치환된다. 상기 1차 세정단계에서 상기 제2세정액은 상기 하부 공급부(140)를 통해 분당 50L로 공급된다. 통상적으로, 상기 내조(112)를 제2세정액으로 채우는 데에는 1분정도 소요되며, 제2세정액은 내조(112)에서 오버플로우되도록 일정 시간동안 공급된다.

2차 세정단계는 상기 내조(112)에 담겨져 있는 제2세정액(일부 제1세정액을 포함하고 있음)을 배출 포트(113)를 통해 배출시키고, 내조의 수면위로 노출되는 기판(w)들 표면으로 제2세정액을 분사한다(도 7참조). 이 2차 세정단계에서는 상기 상부 공급부(150)에서 내조의 수면위로 노출되는 기판들 표면으로 제2세정액을 직접 분사함으로써, 기판 표면에 묻어 있는 화학용액(DHF) 또는 파티클 등의 제거 효율을 높인다. 그리고, 이렇게 기판들 표면으로부터 씻겨져 나간 이물질들(화학용액, 파티클)은 세정액과 함께 배출 포트(113)를 통해 모두 배출되게 된다. 상기 2차 세정단계에서 제2세정액은 서서히 배출되는 것이 아니라 신속하게(빠르게) 배출 된다. 제2세정액을 배출하는데 소요되는 시간은 대략 10-20초 정도 소요된다.

그리고, 3차 세정단계는 제2세정액이 내조(112)에서 모두 배출되고 나면, 내조(112)에 제2세정액이 가득 채워질 때 까지(기판이 세정액에 잠길 때까지) 하부 공급부(140)에서 제2세정액을 재공급함과 동시에, 상부 공급부(150)의 노즐(154)들로부터 제2세정액을 기판 표면으로 분사하는 단계이다(도 8참조). 이 3차 세정단계는 하부 공급부(140)를 통해 제2세정액이 분당 50L로 공급됨과 동시에 상부 공급부(150)에서 제2세정액이 분사됨으로써, 처리조의 내조를 제2세정액으로 채우는 데에는 1분보다 적게 소요된다.

이처럼, 상기 세정 단계는 기존의 오버플로우를 통해 기판을 세정하는 것보다 세정 효율이 월등히 높다. 따라서, 세정 처리에 걸리는 시간을 단축시킬 수 있고, 린스 및 제1세정액 치환 효율이 높다. 예컨대, 1차 세정단계(1분 20초), 2차 세정단계(20초) 그리고 3차세정단계(1분)를 처리하는데 3분 미만이 소요된다. 하지만, 기존의 오버플로우 방식만을 진행하는 세정 단계에서는 7분 동안 지속적으로 세정액을 분당 50L로 공급하기 때문에 세정액 소비가 당연히 많을 수밖에 없었다. 예컨대, 상기 세정 단계는 선택적으로 1차 세정단계와 2차 세정단계만을 반복하여 실시할 수 있다.

상기 기판들(w)의 세정 공정을 마치면 드레인 공정을 실시한다(s130). 이 드레인 공정에서는 상기 내조(112)내의 제2세정액을 상기 제 2 배수관(172b)을 통해 배출시킨다. 그리고, 이와 동시에 상기 내조(112) 내로 IPA와 질소가스를 공급하면서 상기 상부 공급부를 통해 제2세정액을 분사한다(도 9참고). 기판들은 상기 상부 공급부를 통해 분사되는 제2세정액(DIW)에 의해 젖어있는 상태로 대기에 노출되지 않는다. 그리고 상기 기판 표면에 묻어있는 제2세정액(DIW)은 상기 건조가스(IPA+질소가스)에 의해 표면장력이 낮아지게 되어, 그 제2세정액(DIW) 층의 두께는 순수 DIW 일 때 보다 현저히 얇아지게 된다. 즉, 상기 IPA가 상기 기판 표면에 묻어 있는 제2세정액의 표면내에 스며들어 상기 제2세정액의 표면장력을 감소시킨다.

도 13을 참조하면, IPA와 물은 서로 잘 섞인다. IPA 증기는 기판 표면에서 IPA 방울이 되어 물과 섞이게 된다(a). 그리고, IPA 방울과 물이 섞이게 되면, 물+IPA 방울이 점점 커져서 미끌어져 아래로 떨어지게 된다(b,c). 이러한 현상에 의해 기판 표면이 건조된다. 최종적으로 기판 표면 온도 역시 상승되므로, IPA 증기만이 존재하게 되며, 기판을 자연 건조시킨다(d).

상기 드레인 공정이 완료되면 기판 건조 공정을 실시한다(s140). 이 건조 공정에서는, 제2세정액 분사는 중단하고, 건조가스(IPA,질소가스)만 공급하여 상기 내조 내의 분위기를 건조 분위기로 전환시킨다. 상기 내조 내부로 공급되는 건조가스는 기판 표면에 응축하여 DIW를 치환하여 기판을 건조시킨다.

이렇게, 기판 표면의 DIW가 제거되면, 상기 내조 내부로 고온의 질소가스를 공급하여 응축된 건조가스를 제거하게 된다(s150).

이렇게 최종 건조 공정을 마친 기판들은 처리조 밖으로 옮겨지게 된다(s160). 그리고 다음 기판들이 처리조에 수용되기 전, 처리조 내벽을 세정하기 위해 상기 상부 공급부의 노즐들을 통해 세정액을 분사한다(도 11 참조)(s170).

여기서, 상기 기판은 포토레티클(reticlo: 회로 원판)용 기판, 액정 디스플 레이 패널용 기판이나 플라즈마 디스플레이 패널용 기판 등의 표시 패널 기판, 하드 디스크용 기판, 반도체 장치 등의 전자 디바이스용 웨이퍼 등을 뜻한다.

한편, 본 발명은 상기의 구성으로 이루어진 기판 처리 장치는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 그 방법의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 2차 세정단계에서 세정액 수면위로 노출되는 기판들 표면으로 세정액을 직접 분사함으로써, 기판 표면에 묻어 있는 화학용액 또는 파티클 등의 제거 효율이 매우 높다. 따라서 처리 시간을 단축시킬 수 있다. 특히, 기판들을 린스하는 세정액의 유속이 높고 정체 되지 않은 깨끗한 세정액으로 기판들을 세정함으로 파티클 제 오염 가능성이 적다. 따라서, 세정에 사용되는 세정액의 양을 줄일 수 있다. 또한, 상부 공급부에서 세정액을 분사함으로써 처리조 내벽의 세정이 가능하다.

Claims (21)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 삭제
12. 기판들을 세정 및 건조하기 위한 처리 방법에 있어서:

    처리조에 1차 세정액을 채우는 단계;

    기판들을 상기 처리조 내부에 수용하여 세정하는 단계;

    상기 처리조 내의 세정액을 배수하면서 상기 기판들 상부로 건조가스와 세정액을 분사하는 드레인 단계와;

    상기 세정액 배수가 완료되면, 상기 처리조 상부로부터 분사하던 세정액은 중단하고, 건조가스만 분사하는 건조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
13. 제12항에 있어서,

    상기 드레인 단계는 상기 기판들이 상기 세정액의 수면위로 서서히 노출되도록 세정액을 서서히 배수하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
14. 제12항에 있어서,

    상기 건조 단계 후에 고온의 질소가스를 분사하여 상기 건조가스를 제거하는 것을 하는 특징으로 하는 기판 처리 방법.
15. 제12항에 있어서,

    상기 처리조의 상부는 커버에 의해 밀폐되고, 그 내부에는 불활성 기체를 공급하여 처리중인 기판들이 대기중에 노출되지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 기판 세정 단계는

    제1세정액이 채워진 상기 처리조에 기판들이 수용된 상태에서 상기 처리조의 제1세정액이 제2세정액으로 치환되도록 상기 처리조의 하부로부터 제2세정액을 공급하여 기판들을 린스하는 1차 세정 단계; 및

    상기 처리조에 채워진 제2세정액을 배수하면서, 제2세정액의 수면위로 노출되는 기판들 표면으로 제2세정액을 분사하는 2차 세정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
17. 제16항에 있어서,

    상기 기판 세정 단계는

    상기 처리조의 하부로부터 제2세정액을 재공급함과 동시에, 상기 처리조 상부에서 기판들 표면으로 제2세정액을 분사하는 3차 세정 단계를 더 포함하는 특징으로 하는 기판 처리 방법.
18. 제17 항에 있어서,

    상기 3차 세정 단계는

    상기 세정액의 수면이 기판의 상부에 위치될 때까지 세정액이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
19. 제16항에 있어서,

    상기 2차 세정 단계에서 상기 제2세정액은 처리조 상부로부터 기판들 표면을 향해 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
20. 제16항에 있어서,

    상기 기판 세정 단계는

    상기 1차 세정 단계와 상기 2차 세정 단계를 반복하여 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
21. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 건조 공정을 마친 기판들이 처리조로부터 빠져나간 후, 처리조 상부에서 세정액을 분사하여 처리조 내벽을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

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