KR20190099144A - 발광 소자 및 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공한다.
[해결 수단] 발광 소자는, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)을 갖는 제1 반도체층(120n), 및 제2 영역의 상방의 제2 반도체층(120p)을 포함하는 반도체 구조(112A)로서, 제1 영역은, 각각이 외주부(Pp)로부터 제2 영역으로 연장한 연출부(Ep)를 포함하는, 반도체 구조와, 각 연출부에 위치하는 제1 관통공(141) 및 제2 영역에 위치하는 제2 관통공(142)을 갖는 제1 절연층(140)과, 제3 관통공(163) 및 제4 관통공(164)을 갖는 제2 절연층(160)과, 제1 관통공 및 제3 관통공을 거쳐 제1 반도체층에 접속된 제1 외부 전극(170An)과, 제2 관통공 및 제4 관통공을 거쳐 제2 반도체층에 접속된 제2 외부 전극(170Ap)을 구비하며, 각 연출부는, 제1 반도체층의 상면 중 제1 외부 전극의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소 및 제2 외부 전극의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소에 배치되어 있다.

Description

발광 소자 및 발광 장치{LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시는, 발광 소자 및 발광 장치에 관한 것이다.
광이 취출되는 발광면이 장방형상인 발광 장치가 알려져 있다. 이와 같은 발광 장치는, 예를 들면, 상면도로 보았을 때 장방형상의 외형을 갖는 발광 소자를 포함하고, 전형적으로는, 전체적으로 직방체 형상의 외관을 갖는다. 직방체 형상의 외관을 갖는 발광 장치는, 예를 들면, 도광판과 조합되어 액정표시장치의 백라이트 유닛에 사용된다. 하기 특허문헌 1은, 장방형상의 사파이어 기판상에 n형 반도체층 및 p형 반도체층이 적층된 구조를 갖는 III족 질화물 반도체 발광 소자를 개시하고 있다.
일본특허공개공보 제2016-143682호
본 개시는, 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공한다.
본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자는, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 내측에 위치하는 제2 영역을 갖는 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제2 영역상에 위치하는 활성층, 및, 상기 활성층상에 위치하는 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 반도체 구조로서, 상기 제1 영역은, 상면도로 보았을 때 상기 제2 영역의 외주에 위치하는 외주부와, 각각이 상기 외주부로부터 상기 제2 영역으로 연장한 복수의 연출(延出)부를 포함하는 반도체 구조와, 상기 제2 반도체층의 상면을 덮는 광반사성 전극과, 상기 반도체 구조 및 상기 광반사성 전극을 덮고, 상기 제1 영역의 각 연출부에 위치하는 제1 관통공 및 상기 제2 영역에 위치하는 제2 관통공을 갖는 제1 절연층과, 상기 제1 절연층상에 위치하고, 상기 제1 관통공을 거쳐 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 내부 전극과, 상기 제1 절연층상에 위치하고, 상기 제2 관통공을 거쳐 상기 광반사성 전극에 전기적으로 접속된 제2 내부 전극과, 상기 제1 내부 전극 및 상기 제2 내부 전극을 덮고, 상기 제1 내부 전극 및 상기 제2 내부 전극을 서로 전기적으로 절연하는 제2 절연층으로서, 상기 제1 내부 전극상에 위치하는 제3 관통공 및 상기 제2 내부 전극상에 위치하는 제4 관통공을 갖는 제2 절연층과, 상기 제3 관통공을 거쳐 상기 제1 내부 전극에 전기적으로 접속된 복수의 각부(角部)를 갖는 제1 외부 전극과, 상기 제4 관통공을 거쳐 상기 제2 내부 전극에 전기적으로 접속된 복수의 각부를 갖는 제2 외부 전극을 구비하며, 상기 제1 영역의 상기 복수의 연출부 각각은, 상면도로 보았을 때 상기 제1 반도체층의 상면 중 상기 제1 외부 전극의 상기 복수의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소 및 상기 제2 외부 전극의 상기 복수의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소에 배치되어 있다.
본 개시의 실시형태에 따르면, 신뢰성이 향상된 발광 소자가 제공된다.
[도 1] 본 개시의 일 실시형태에 따른 발광 장치의 외관의 일례를 나타내는 사시도이다.
[도 2] 도 1의 II-II 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
[도 3] 본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자를 하면측으로부터 본 모식적인 투시도이다.
[도 4] 도 3의 IV-IV 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
[도 5] 도 3의 V-V 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
[도 6] p형 반도체층(120p) 및 n형 반도체층(120n)의 배치 관계를 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
[도 7] 광반사성 전극(130) 상에 제1 절연층(140)을 형성한 상태를 나타내는 모식적인 평면도이다.
[도 8] 제1 절연층(140) 상에 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p)을 형성한 상태를 나타내는 모식적인 평면도이다.
[도 9] 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p) 상에 제2 절연층(160)을 더 형성한 상태를 나타내는 모식적인 평면도이다.
[도 10] 발광 소자(100A) 내의 반도체 구조(112A)와, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 취출하여 모식적으로 나타내는 평면도이다.
[도 11] 본 개시의 일 실시형태에 따른 발광 장치의 외관의 다른 일례를 나타내는 사시도이다.
[도 12] 도 11의 XII-XII 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
[도 13] 외부 전극의 각부와 겹치는 위치에, 복수의 연출부와, 절연층에 설치된 복수의 관통공이 배치된 발광 소자를 비교예로서 나타내는 모식적인 투시도이다.
[도 14] 도 13의 XIV-XIV 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
[도 15] 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 형상과 복수의 연출부(Ep)의 배치 사이의 관계의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
[도 16] 본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자의 다른 일례를 나타내는 모식적인 투시도이다.
[도 17a] 도 16에 나타낸 발광 소자(100B) 내의 반도체 구조와, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)을 취출하여 나타내는 모식적인 평면도이다.
[도 17b] 본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자의 또 다른 일례를 나타내는 모식적인 투시도이다.
[도 18] 참고예 1의 샘플에 관한, 전단 응력의 절대치의 계산 결과를 나타내는 도면이다.
[도 19] 참고예 2의 샘플에 관한, 전단 응력의 절대치의 계산 결과를 나타내는 도면이다.
[도 20] 참고예 3의 샘플에 관한, 전단 응력의 절대치의 계산 결과를 나타내는 도면이다.
[도 21] 참고예 4의 샘플에 관한, 전단 응력의 절대치의 계산 결과를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 개시의 실시형태를 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는, 예시이며, 본 개시에 의한 발광 장치는, 이하의 실시형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 이하의 실시형태에 나타내는 수치, 형상, 재료, 스텝, 그 스텝의 순서 등은, 어디까지나 일례이며, 기술적으로 모순이 생기지 않는 한 여러 가지 개변이 가능하다.
도면이 나타내는 구성요소의 치수, 형상 등은, 알기 쉽게 하기 위해 과장되어 있는 경우가 있으며, 실제의 발광 장치에 있어서의 치수, 형상 및 구성요소 사이의 대소 관계를 반영하고 있지 않는 경우가 있다. 또한, 도면이 과도하게 복잡하게 되는 것을 피하기 위해, 일부 요소의 도시를 생략하는 경우가 있다.
이하의 설명에서, 실질적으로 같은 기능을 갖는 구성요소는 공통의 참조 부호로 나타내고, 설명을 생략하는 경우가 있다. 이하의 설명에서는, 특정의 방향 또는 위치를 나타내는 용어(예를 들면, 「상」, 「하」, 「우」, 「좌」 및 그러한 용어를 포함하는 다른 용어)를 사용하는 경우가 있다. 그러나, 그러한 용어는, 참조한 도면에 있어서의 상대적인 방향 또는 위치를 알기 쉽게 하기 위해 사용하는 것에 지나지 않는다. 참조한 도면에 있어서의 「상」, 「하」 등의 용어에 의한 상대적인 방향 또는 위치의 관계가 동일하다면, 본 개시 이외의 도면, 실제의 제품, 제조 장치 등에 있어, 참조한 도면과 동일한 배치가 아니여도 된다. 본 개시에서 「평행」이란, 특별히 다른 언급이 없는 한, 2개의 직선, 변, 면 등이 0°에서 ±5° 정도의 범위에 있는 경우를 포함한다. 또한, 본 개시에서 「수직」 또는 「직교」란, 특별히 다른 언급이 없는 한, 2개의 직선, 변, 면 등이 90°에서 ±5° 정도의 범위에 있는 경우를 포함한다.
(발광 소자 및 발광 장치의 실시형태)
도 1은, 본 개시의 일 실시형태에 따른 발광 장치의 외관의 일례를 나타내고, 도 2는, 도 1의 II-II 단면을 모식적으로 나타낸다. 참고를 위해, 도 1 및 도 2에는, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축이 나타내어져 있다. 본 개시의 다른 도면에서도, X축, Y축 및 Z축을 나타내는 경우가 있다.
도 1 및 도 2에 나타내는 발광 장치(300)는, 개략적으로는, 투광성의 제1 기판 및 제1 기판 상의 반도체 구조를 포함하는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)를 지지하는 제2 기판으로서의 지지체(200)를 갖는다. 도 1에 예시하는 구성에 있어서, 발광 소자(100)는, 광반사성 부재(190)로 덮여 있다. 발광 소자(100)로부터의 광은, 발광 소자(100)의 전면(前面)에 배치된 투광부재(182)를 통해 대체로 도면의 Z방향으로 출사된다.
도 1 및 도 2에 나타낸 것처럼, 지지체(200)는, 절연성의 기대(基台)(230)와, 기대(230) 상의 제1 배선(210) 및 제2 배선(220)을 포함한다. 또한, 도 2에 나타낸 것처럼, 발광 소자(100)는, 개략적으로는, 상술한 제1 기판 및 반도체 구조를 그 일부에 포함하는 발광 구조(110)와, 발광 구조(110)에 전류를 공급하기 위한 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 갖는다. 도 2에서 모식적으로 나타낸 것처럼, 지지체(200)의 제1 배선(210) 및 제2 배선(220)은, 기대(230)의 상면(230a)으로부터 하면(230b)을 덮도록 설치되어 있다. 제1 배선(210)은, 발광 소자(100)의 제1 외부 전극(170An)에 접속되며, 제2 배선(220)은, 제2 외부 전극(170Ap)에 접속되어 있다. 제1 배선(210) 및 제2 배선(220)은, 각각, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 통해, 발광 소자(100)의 발광 구조(110)에 전기적 및 물리적으로 접속된다. 발광 구조(110)의 상세 내용은, 후술한다.
도 2에 예시하는 구성에서, 발광 장치(300)는, 발광 소자(100)의 상방에 파장 변환 부재(180) 및 투광부재(182)를 갖는다. 파장 변환 부재(180)는, 예를 들면, 실리콘 수지 중에 YAG계 형광체 등의 입자가 분산된 판상의 부재이며, 투광부재(182)는, 예를 들면, 주로 실리콘 수지로 형성된 판상 부재이다. 파장 변환 부재(180)와 발광 소자(100) 사이에는, 도광 부재(174)가 배치되어 있다. 도광 부재(174)는, 예를 들면 실리콘 수지로 형성된 투광성의 부재이다. 도시한 것처럼, 도광 부재(174)의 일부는, 발광 구조(110)의 측면(110c)을 덮는다. 상술한 광반사성 부재(190)는, 지지체(200) 상의 구조를 둘러싸며, 도 2에 모식적으로 나타낸 것처럼, 광반사성 부재(190)로부터는 투광부재(182)의 상면(182a)이 노출되고 있다. 투광부재(182)의 상면(182a)은, 발광 장치(300)의 상면(300a)의 일부를 형성하고 있다. 광반사성 부재(190)는, 예를 들면, 실리콘 수지를 포함하는 수지 재료를 모재로 하며, 광산란성의 필러가 분산된 부재이다.
이하, 도면을 참조하면서, 발광 소자(100)의 상세 내용을 설명한다. 도 3은, 본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자를 하면측으로부터 본 모식적인 투시도이며, 도 4 및 도 5는, 각각, 도 3의 IV-IV 단면 및 V-V 단면을 모식적으로 나타낸다.
도 3 내지 도 5에 나타내는 발광 소자(100A)는, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 발광 소자(100)의 일례이다. 도 3 내지 도 5에 예시하는 구성에 있어서, 발광 소자(100A)는, 상면도로 보았을 때, X방향과 비교하여 Y방향으로 긴 장방형상을 갖는다. 발광 소자(100A)의 X방향에 있어서의 길이는, 예를 들면 100㎛ 내지 300㎛ 정도이다. 또한, 발광 소자(100A)의 Y방향에 있어서의 길이는, 예를 들면 700㎛ 내지 1400㎛ 정도, 바람직하게는 900㎛ 내지 1200㎛ 정도이다.
도 4 및 도 5에 나타낸 것처럼, 발광 소자(100A)의 발광 구조(110A)는, 투광성의 제1 기판(111)과, 제1 기판(111)에 지지된 반도체 구조(112A)를 포함한다. 제1 기판(111)의 전형예는, 사파이어 기판이며, 반도체 구조(112A)는, 전형적으로는, 자외역에서 가시역의 발광이 가능한 질화물 반도체(InxAlyGa1-x-yN, 0≤x, 0≤y, x＋y≤1)를 포함한다.
반도체 구조(112A)는, 제1 도전형을 갖는 제1 반도체층으로서의 n형 반도체층(120n), 제2 도전형을 갖는 제2 반도체층으로서의 p형 반도체층(120p), 및, n형 반도체층(120n)과 p형 반도체층(120p) 사이에 위치하는 활성층(120a)을 포함한다. 발광 소자(100A)의 발광 구조(110A)는, 반도체 구조(112A)에 더하여, 복수의 절연층과, 복수의 전극을 포함한다. 도 4 및 도 5에 나타낸 것처럼, 발광 구조(110A)는, 제1 절연층(140), 제2 절연층(160), p형 반도체층(120p)과 제1 절연층(140) 사이에 위치하는 광반사성 전극(130), 제1 내부 전극(150n), 및, 제2 내부 전극(150p)을 포함한다.
반도체 구조(112A) 중, n형 반도체층(120n)은, 제1 기판(111) 상에 위치하고, 제1 기판(111)의 상면(111a)의 대체로 전면(全面)을 덮는다. n형 반도체층(120n)은, 도 3에 나타낸 것처럼, 제1 영역(R1)과, 제1 영역(R1)의 내측에 위치하는 제2 영역(R2)을 갖고 있다. 환언하면, n형 반도체층(120n)의 상면은, 제1 영역(R1)과, 제1 영역(R1)의 내측에 위치하는 제2 영역(R2)을 포함하고 있다. 활성층(120a)은, n형 반도체층(120n)의 제2 영역(R2) 상에 선택적으로 형성되어 있다. 활성층(120a) 상에 위치하는 p형 반도체층(120p)도, 제2 영역(R2)의 대체로 바로 위에 위치한다. 환언하면, n형 반도체층(120n) 중 제1 영역(R1)에 위치하는 부분은, 활성층(120a) 및 p형 반도체층(120p)으로 덮여있지 않고, 이러한 층으로부터 노출되어 있다.
도 6은, p형 반도체층(120p) 및 n형 반도체층(120n)의 배치 관계를 나타낸다. 도 6은, 발광 구조(110A) 중, n형 반도체층(120n), 활성층(120a) 및 p형 반도체층(120p)을 취출하여 나타내는 도면에 상당한다. 상술한 것처럼, 활성층(120a) 및 p형 반도체층(120p)은, n형 반도체층(120n) 중 제2 영역(R2)을 덮는다. 활성층(120a)은, 도 6에 있어서 명시적으로 나타내고 있지 않지만, p형 반도체층(120p)과 거의 같은 영역을 차지한다고 생각해도 된다.
도 6에 나타낸 것처럼, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)은, 상면도로 보았을 때 제2 영역(R2)의 외측에 위치하는 외주부(Pp)와, 복수의 연출부(Ep)를 포함한다. 도 6에서는, 알기 쉽게 나타내기 위해, 망점(網點)을 넣어, 제1 영역(R1) 중 연출부(Ep)에 상당하는 부분을 나타내고 있다. 도시한 것처럼, 복수의 연출부(Ep)의 각각은, 제1 영역(R1) 중, 외주부(Pp)로부터 제2 영역(R2)으로 연장하는 부분이며, 다른 관점에서는, 제2 영역(R2)이 상면도로 보았을 때 복수의 오목부를 갖고, 제1 영역(R1)의, 이러한 오목부에 대응하는 위치에 연출부(Ep)가 형성되어 있다고 할 수 있다. 또한, 활성층(120a) 및 p형 반도체층(120p)이, 상면도로 보았을 때 제1 영역(R1)의 각 연출부(Ep)에 대응하는 위치에 복수의 오목부를 갖고 있다고 할 수도 있다.
이 예에서는, n형 반도체층(120n)은, 상면도로 보았을 때, 서로 대향하는 제1 장변(LS1) 및 제2 장변(LS2)을 포함하는 장방형상의 외형을 갖고, 제1 장변(LS1)보다 제2 장변(LS2)의 근처에 4개의 연출부(Ep1 내지 Ep4)가 설치되어 있다. 또한, 여기서는, 제1 장변(LS1) 및 제2 장변(LS2)은, Y방향으로 평행이다.
반도체 구조(112A)는, 공지의 반도체 프로세스를 적용하여 얻을 수 있다. 예를 들면, n형 반도체층(120n), 활성층(120a) 및 p형 반도체층(120p)은, 유기 금속 기상 성장법(MOCVD, MOVPE라고도 불림), 하이드라이드 기상 성장법(HVPE) 등에 의해 제1 기판(111)의 상면(111a) 상에 질화물 반도체 층을 형성한 후, 활성층 및 p형 반도체층 중 제1 영역(R1) 상에 위치하는 부분을 포토리소그래피법 및 에칭법에 의해 제거함으로써, 형성할 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조한다. 광반사성 전극(130)은, p형 반도체층(120p)의 상면(120pa)을 덮고, p형 반도체층(120p)에 전기적으로 접속되어 있다. 광반사성 전극(130)은, p형 반도체층(120p)의 보다 넓은 영역으로 전류를 흘리는 기능을 갖는다. 또한, p형 반도체층(120p)의 상면(120pa)의 거의 전체를 덮도록 광반사성 전극(130)을 설치함으로써, 도 4 및 도 5에서 발광 소자(100A)의 상면측, 환언하면, 제1 기판(111)과는 반대측을 향해 진행하는 광을 광반사성 전극(130)으로 발광 소자(100A)의 제1 기판(111) 측을 향해 반사시킬 수 있어, 광의 취출 효율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 광반사성 전극(130)으로서는, 예를 들면, Ag 또는 Al, 또는, 이들 중 적어도 일종을 포함하는 합금의 막을 사용할 수 있다. 광반사성 전극(130)은, 예를 들면 스퍼터링법에 의해 금속막 또는 합금막을 형성한 후, 에칭법에 의해 불필요한 부분을 제거함으로써 형성할 수 있다.
광반사성 전극(130) 상에는, 제1 절연층(140)이 설치된다. 제1 절연층(140)의 재료의 예는, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, Al, Hf를 포함하는 군에서 선택된 적어도 일종을 함유하는 산화물 또는 질화물이다. 제1 절연층(140)은, 전형적으로는, SiO2로부터 형성된 절연층이며, 반도체 구조(112A) 및 광반사성 전극(130)을 덮는다. 또한, 광반사성 전극(130)과 제1 절연층(140) 사이에, 광반사성 전극(130)의 재료의 마이그레이션(migration)을 억제하는 배리어층으로서의 SiN층이 배치될 수 있다.
도 7은, 광반사성 전극(130) 상에 제1 절연층(140)을 형성한 상태를 모식적으로 나타낸다. 도 7 중, 해칭이 부여된 부분이, 제1 절연층(140)의 재료가 설치된 부분이다. 도 7에 모식적으로 나타낸 것처럼, 제1 절연층(140)은, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)의 연출부(Ep1 내지 Ep4)의 각각에 대응하는 위치에 설치된 제1 관통공(141)과, n형 반도체층(120n)의 제2 영역(R2)의 상방에 설치된 제2 관통공(142)을 갖는다. 여기서는, n형 반도체층(120n)의 장방형상의 외형의 제2 장변(LS2)을 따라 4개의 제1 관통공(141)이 설치되어 있다. 장방형상의 외형의 일방의 장변(이 예에서는 제2 장변(LS2))을 따라 연출부(Ep)를 배치함으로써, 휘도 얼룩을 눈에 띄기 어렵게 할 수 있다.
4개의 제1 관통공(141)의 위치에 있어서, 제1 절연층(140)으로부터 연출부(Ep1 내지 Ep4)가 노출되어 있다. 또한, 제2 관통공(142)의 위치에 있어서, 제1 절연층(140)으로부터 광반사성 전극(130)의 표면이 노출되고 있다. 제1 관통공(141)의 형상은, 예를 들면, X방향보다 Y방향 쪽이 개구 직경이 큰 형상으로 할 수 있다. 이와 같은 형상으로 함으로써, 본 실시형태와 같이 n형 반도체층(120n)이 장척(長尺)형상의 외형을 갖고 있는 경우이어도, n형 반도체층(120n)의 상면 중 후술하는 제1 내부 전극(150n)에 접속되는 부분의 면적을 비교적 크게 할 수 있으며, 또한, 제1 관통공(141)을 설치함으로써 활성층(120a)의 면적이 저감되는 것을 억제할 수 있다. 말할 것도 없지만, 도 7에서 나타내는 제2 관통공(142)의 형상 및 수는, 어디까지나 예시이다. 제1 관통공(141)의 각각의 형상도, 도시하는 형상에 한정되지 않는다.
도 4에 나타낸 것처럼, 제1 절연층(140) 상에는, 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p)이 설치된다. 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p)의 재료의 예는, Ag 또는 Al, 또는, 이들 중 적어도 일종을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 특히, Al 및 Al 합금은, 높은 반사율이 얻어져, Ag에 비해 마이그레이션이 생기기 어렵기 때문에 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p)의 재료로서 유리하게 사용할 수 있다.
도 8은, 제1 절연층(140) 상에 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p)을 형성한 상태를 모식적으로 나타낸다. 제1 내부 전극(150n)은, 제1 관통공(141)을 거쳐, 연출부(Ep1 내지 Ep4)의 위치에서 n형 반도체층(120n)에 전기적으로 접속된다. 제2 내부 전극(150p)은, 제2 관통공(142)을 거쳐 광반사성 전극(130)에 전기적으로 접속된다. 즉, 제2 내부 전극(150p)은, p형 반도체층(120p)과의 전기적인 접속을 갖는다.
다시 도 4를 참조한다. 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p) 상에는, 이러한 전극을 덮는 제2 절연층(160)이 설치된다. 제2 절연층(160)은, 제1 절연층(140)과 마찬가지로 예를 들면 SiO2 등의 무기 재료로부터 형성되고, 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p)을 서로 전기적으로 분리한다.
도 9는, 제1 내부 전극(150n) 및 제2 내부 전극(150p) 상에 제2 절연층(160)을 더 형성한 상태를 나타낸다. 제2 절연층(160)은, 상면도로 보았을 때 제1 내부 전극(150n)과 겹치는 위치에 제3 관통공(163)을 갖고, 또한, 제2 내부 전극(150p)과 겹치는 위치에 제4 관통공(164)을 갖는다. 도 9에 모식적으로 나타낸 것처럼, 제3 관통공(163)의 위치에 있어서는 제1 내부 전극(150n)의 표면이, 제4 관통공(164)의 위치에 있어서는 제2 내부 전극(150p)의 표면이 각각 제2 절연층(160)으로부터 노출된다. 제3 관통공(163) 및 제4 관통공(164)의 각각에 대한 형상 및 수가 도 9의 예에 한정되지 않음은 말할 필요도 없다.
예를 들면 도 4에 나타낸 것처럼, 상술한 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)은, 제2 절연층(160) 상에 위치한다. 도 3 및 도 4로부터 알 수 있듯이, 제1 외부 전극(170An)은, 제2 절연층(160)의 제3 관통공(163)을 거쳐 제1 내부 전극(150n)에 전기적으로 접속되고 있다. 즉, 제1 외부 전극(170An)은, n형 반도체층(120n)의 연출부(Ep1 내지 Ep4)의 위치에서 n형 반도체층(120n)에 접속된 제1 내부 전극(150n)을 거쳐 n형 반도체층(120n)에 전기적으로 접속된다. 한편, 제2 외부 전극(170Ap)은, 제2 절연층(160)의 제4 관통공(164)을 거쳐 제2 내부 전극(150p)에 전기적으로 접속됨으로써, 제2 내부 전극(150p) 및 광반사성 전극(130)을 거쳐 p형 반도체층(120p)에 전기적으로 접속된다.
도 10은, 발광 소자(100A) 중의 반도체 구조(112A)와, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 취출하여 나타낸다. 또한, 도 10에서는, 점선에 의해, 제1 절연층(140)의 제1 관통공(141)의 위치도 아울러 나타내고 있다.
제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 외형은, 전형적으로는, 상면도로 보았을 때 복수의 각부를 갖는다. 도 10에 나타낸 것처럼, 여기서는, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 상면도로 보았을 때의 형상은, 4개의 각부를 포함하는 직사각형 형상이다. 도 10에 예시하는 구성에서, 제1 외부 전극(170An)을 상면도로 보았을 때의 형상은, 대체로 장방형상이며, 4개의 각부(CA1 내지 CA4)를 포함한다. 마찬가지로, 이 예에서는, 제2 외부 전극(170Ap)을 상면도로 보았을 때의 형상도, 대체로 장방형상이며, 4개의 각부(CA5 내지 CA8)를 포함한다.
제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 재료의 예는, Ti, Pt, Rh, Au, Ni, Ta, Zr 등이다. 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)은, 단층 구조로 해도 되고, 복수의 층이 적층된 적층 구조로 해도 된다. 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)은, 예를 들면, Ti층, Pt층, Au층이 이 순서로 적층된 적층 구조를 갖는 금속층이어도 된다.
도 10에 모식적으로 나타낸 것처럼, 본 개시의 실시형태에서는, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)에 설치되는 복수의 연출부(Ep) 각각은, 상면도로 보았을 때, n형 반도체층(120n)의 상면 중, 제1 외부 전극(170An)의 복수의 각부와 겹치는 위치에는 배치되지 않으며, 또한, n형 반도체층(120n)의 상면 중, 제2 외부 전극(170Ap)의 복수의 각부와 겹치는 위치에도 배치되어 있지 않다. 도 10에 나타내는 예에서는, n형 반도체층(120n)의 장방형상의 외형의 제2 장변(LS2)을 따라 늘어선 4개의 연출부(Ep1 내지 Ep4)의 각각은, 제1 외부 전극(170An)의 각부(CA1 내지 CA4) 중 어느 것과 겹치는 위치 이외의 개소 및 제2 외부 전극(170Ap)의 각부(CA5 내지 CA8)의 어느 것과 겹치는 위치 이외의 개소에 위치하고 있다.
또한, 여기서는, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)은, 상면도로 보았을 때 제1 영역(R1)의 각 연출부(Ep)에 대응하는 위치에 오목부를 갖는다. 도시한 예에서, 제1 외부 전극(170An)을 상면도로 보았을 때의 외형은, 연출부(Ep1)에 대응하는 위치에, 제1 오목부로서의 오목부(CV1)를 갖고, 연출부(Ep2)에 대응하는 위치에, 제2 오목부로서의 오목부(CV2)를 갖고 있다. 마찬가지로, 제2 외부 전극(170Ap)을 상면도로 보았을 때의 외형은, 연출부(Ep3)에 대응하는 위치에, 제3 오목부로서의 오목부(CV3)를 갖고, 연출부(Ep4)에 대응하는 위치에, 제4 오목부로서의 오목부(CV4)를 갖는다. 즉, 이 예에서, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)은, 상면도로 보았을 때의, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)에 배치된 복수의 연출부(Ep)와 겹쳐지지 않는 형상을 갖고 있다. 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 상면도로 보았을 때의 외형으로서, 연출부(Ep)에 대응하는 위치에 오목부를 갖는 형상을 채용함으로써, 반도체 구조(112A) 중 p형 반도체층(120p)이 선택적으로 제거되고 n형 반도체층(120n)이 노출된 영역 부근에 열응력이 집중되어 절연층 또는 전극의 박리가 생길 우려를 저감할 수 있다.
발광 소자(100A)는, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 공정접합에 의해 각각 제1 배선(210) 및 제2 배선(220)에 전기적 및 물리적으로 접속함으로써, 지지체(200)에 실장될 수 있다. 지지체(200)의 기대(230)는, 예를 들면 BT 레진으로부터 형성되고, 지지체(200) 상의 제1 배선(210) 및 제2 배선(220)은, 전형적으로는, Cu 배선이다.
도 11은, 본 개시의 일 실시형태에 따른 발광 장치의 외관의 다른 일례를 나타낸다. 도 11에 나타낸 "300A"는, 개략적으로는, 발광 소자(100)와, 투광부재(182)와, 광반사성 부재(190A)를 갖는다. 도시한 것처럼, 광반사성 부재(190A)는, 도 1에 나타내는 발광 장치(300)에 있어서 광반사성 부재(190)와 마찬가지로, X방향보다 Y방향으로 긴 대체로 직방체 형상을 갖는다.
도 1을 참조하면서 설명한 발광 장치(300)와 비교하여, 도 11에 나타낸 발광 장치(300A)는, 발광 소자(100)를 지지하는 지지체(200)를 가지지 않는다. 다만, 발광 장치(300A)는, 상면(300a)과는 반대측에 위치하는, 광반사성 부재(190A)의 하면(190b) 상에 배치된 제1 배선(210A) 및 제2 배선(220A)의 조(組)를 갖는다.
도 12는, 도 11의 XII-XII 단면, 환언하면, 상술한 도 2에 대응하는 단면을 모식적으로 나타낸다. 도 12에 나타낸 것처럼, 제1 배선(210A)은, 발광 소자(100)의 제1 외부 전극(170An)에 접속되고, 제2 배선(220A)은, 제2 외부 전극(170Ap)에 접속되고 있다. 이 예와 같이, 발광 소자의 제1 외부 전극에 접속된 제1 배선과, 제2 외부 전극에 접속된 제2 배선을, 발광 장치의 상면(300a)의 반대측에 위치하는 하면 상에 설치해도 좋다. 본 개시의 실시형태에서 제1 배선 및 제2 배선을 지지하는 기대(230)는, 필수가 아니다.
(리크 발생의 억제)
후에 실시예를 참조하면서 설명하는 바와 같이, 본 발명자들의 검토에 의하면, 발광 소자를 프린트 기판 등의 지지체에 전기적 및 물리적으로 접속하기 위한 외부 전극이 상면도로 보았을 때 각부를 포함하는 외형을 가지면, 외부 전극을 프린트 기판 등의 배선에 공정 접합했을 때, 외부 전극의 각부의 위치에 열응력이 집중되기 쉽다. 여기서, n형 반도체층과, n형 반도체층의 상방 또한 발광 구조의 내부에 위치하는 전극을 서로 전기적으로 접속하기 위한 구조, 예를 들면 절연층에 설치한 관통공이, 상면도로 보았을 때의 외부 전극의 각부와 겹치는 위치에 겹쳐지고 있으면, 열응력에 기인하여 절연층에 크랙이 생겨, 외부 전극과, 발광 구조의 내부에 위치하는 전극과의 사이에 리크가 생길 가능성이 있다. 특히, 공정 접합에 사용되는 접합 부재의 재료로서 AuSn을 사용한 경우, AgSn 또는 CuSn 등을 사용하는 경우와 비교했을 때 보다 강고한 접합의 형성이 가능해지는 반면, AuSn이 보다 높은 융점을 가지므로 외부 전극에 생기는 열응력이 커지기 쉽다. 또한, 발광 소자가 접속되는 프린트 기판 상의 배선이, 금속 내에서 비교적 높은 열전도율과 열팽창 계수를 갖는 Cu로부터 형성된 배선이라면, 방열성을 확보하기 쉬운 반면, 발광 소자와의 열팽창 계수차로부터 보다 큰 열응력을 외부 전극에 생기게 하기 쉽다.
본 발명자들은, 외부 전극의 각부를 피한 위치에 관통공을 설치함으로써, 열응력에 기인한 리크의 발생을 억제할 수 있어, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있음을 발견하였다. 이하, 도면을 참조하면서 이 점을 설명한다.
도 13은, 외부 전극의 각부와 겹치는 위치에, 복수의 연출부와, 절연층에 설치된 복수의 관통공이 배치된 발광 소자를 비교예로서 나타낸다. 도 13에서 나타내는 발광 소자(500)와, 도 3 등에 나타내는 발광 소자(100A) 사이의 주된 차이점은, 발광 소자(500)가, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 대신하여, 각각, 제1 외부 전극(570n) 및 제2 외부 전극(570p)을 갖는 점이다.
도 13은, 도 3과 마찬가지로, 발광 소자(500)를 하면측으로부터 본 모식적인 투시도이며, 알기 쉽게 나타내기 위해, 제1 외부 전극(570n) 및 제2 외부 전극(570p)에 망점을 넣어 나타내고 있다. 도 13에 나타낸 것처럼, 이 비교예에서, 제1 외부 전극(570n)의 외형은, 대체로 장방형상을 갖고, 장방형상의 외형의 4개의 각부 중 지면(紙面)에서 좌측 아래에 위치하는 각부에 오목부(CV5)를 갖는다. 이 오목부(CV5)는, 상면도로 보았을 때 연출부(Ep2)와 겹치는 위치에 있다. 마찬가지로 제2 외부 전극(570p)의 외형도, 대체로 장방형상을 가지며, 장방형상의 외형의 4개의 각부 중 지면에서 우측 아래에 위치하는 각부에 오목부(CV6)를 갖는다. 오목부(CV6)는, 상면도로 보았을 때 연출부(Ep3)와 겹치는 위치에 있다.
도 14는, 도 13의 XIV-XIV 단면을 모식적으로 나타낸다. 또한, 도 13의 IV-IV선의 위치에서의 단면은, 도 4에 나타내는 단면과 거의 마찬가지일 수 있다. 그 때문에, 여기서는, 도 13의 IV-IV 단면의 도시 및 IV-IV 단면에 나타난 구조에 관한 설명을 생략한다.
이 비교예에서는, 제1 외부 전극(570n)에 설치된 오목부(CV5)의 거의 직하(直下)에 연출부(Ep2)가 위치하고, 제1 절연층(140)의 제1 관통공(141)도 오목부(CV5)의 거의 직하에 위치하고 있다. 도 14에 모식적으로 나타낸 것처럼, 제1 내부 전극(150n)의 일부는, 제1 관통공(141) 내에 충전됨으로써, 제1 내부 전극(150n)을 n형 반도체층(120n)에 전기적으로 접속하는 비어(150nｖ)를 구성한다.
도 14에 모식적으로 나타낸 것처럼, 제1 내부 전극(150n)은, 제1 관통공(141) 부근에서 제1 절연층(140)의 측부를 덮고, n형 반도체층(120n)과 접속되고 있다. 본 발명자들의 검토에 의하면, n형 반도체층(120n) 중 활성층(120a) 및 p형 반도체층(120p)으로 덮이지 않은 영역 및 그 주변에, 공정 접합에 기인하는 열응력이 집중되면, 제1 절연층(140)의 예를 들면 단차 부분에 크랙이 발생하는 경우가 있다. 제1 절연층(140)에 예를 들어 크랙이 생기면, 발광 구조의 내부에 배치된 전극의 재료의 마이그레이션에 의해, p측의 전극과 n측의 전극 사이(예를 들면, 광반사성 전극과 n측의 내부 전극과의 사이)의 단락이 생길 우려가 있다. 즉, 리크가 발생하여 발광 소자의 신뢰성이 저하할 수 있다.
이에 대하여, 본 실시형태에서는, 열응력이 집중될 가능성이 있는, 제1 외부 전극(170An)의 각부(CA1 내지 CA4) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 각부(CA5 내지 CA8)의 어느 것에도 겹치지 않는 위치에, 제1 절연층(140)의 제1 관통공(141)이 설치되는 연출부(Ep)를 배치하고 있다. 이에 의해, 예를 들면 광반사성 전극(130)과 제1 내부 전극(150n) 사이의 단락에 기인하는 리크의 발생을 억제하는 효과를 얻을 수 있다. 이는, n형 반도체층(120n)과의 사이에 전기적인 접속을 형성하는 비어(150nｖ) 등의 도전 구조 및 그 주위에의 열응력의 집중이 회피되기 때문에 제1 절연층(140)으로의 크랙의 발생을 회피할 수 있기 때문이라 추측된다.
이와 같이, 본 개시의 실시형태에 의하면, 발광 소자 내부에서의 리크의 발생을 억제하여, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상면도로 보았을 때의 복수의 연출부(Ep)와 겹치는 위치 이외의 개소에 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 배치하거나, 도 10에 예시한 것처럼, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 외형으로서, 상면도로 보았을 때 복수의 연출부(Ep)와 겹쳐지지 않는 형상을 채용함으로써, 리크의 발생을 보다 유리하게 억제할 수 있다.
(외부 전극의 형상과 복수의 연출부의 배치 사이의 관계)
이하, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 형상과, 복수의 연출부(Ep)의 배치 사이의 관계를 보다 상세하게 설명한다.
도 15는, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 형상과 복수의 연출부(Ep)의 배치 사이의 관계의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 도 10과 마찬가지로, 발광 소자(100A) 중 반도체 구조(112A)와, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 취출하여 나타내는 도면이다.
도 15에 예시하는 구성에 있어서, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)은, 대체로 장방형상의 외형을 갖는다. 제1 외부 전극(170An)의 외형은, 서로 대향하는 제1 단변(SS1) 및 제2 단변(SS2)의 조를 갖는다. 마찬가지로, 여기서는, 제2 외부 전극(170Ap)의 외형은, 서로 대향하는 제3 단변(SS3) 및 제4 단변(SS4)의 조를 갖는다. 또한, 이 예에서, 제1 외부 전극(170An)을 상면도로 보았을 때의 외형, 및, 제2 외부 전극(170Ap)을 상면도로 보았을 때의 외형은, 어느쪽이든 대체로 장방형상이지만, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 상면도로 보았을 때의 형상이 일치하고 있을 필요는 없다.
도시한 예에 있어, 제1 단변(SS1) 내지 제4 단변(SS4)의 어느 것이든, n형 반도체층(120n)의 장방형상의 외형의 제2 장변(LS2)에 수직이다. 도시한 것처럼, 제1 단변(SS1)은, 제2 단변(SS2)보다 제2 외부 전극(170Ap)으로부터 멀리 위치하고, 제3 단변(SS3)은, 제4 단변(SS4)보다 제1 외부 전극(170An)의 가까이에 위치한다.
여기서는, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)은, 제1 내지 제4 연출부(Ep1 내지 Ep4)를 갖는다. 도 15에 모식적으로 나타낸 것처럼, 상면도로 보았을 때, n형 반도체층(120n)의 외형의 제2 장변(LS2)에 수직이며 또한 제1 외부 전극(170An)의 장방형상의 외형의 중심을 통과하는 가상적인 제1 선(L1)을 상정했을 때, 제1 연출부인 연출부(Ep1)는, 이 가상적인 제1 선(L1)과, 상술한 제1 단변(SS1)과의 사이에 위치한다. 제2 연출부인 연출부(Ep2)는, 이 가상적인 제1 선(L1)과, 상술한 제2 단변(SS2)과의 사이에 위치한다. 따라서, 이 예에서는, 연출부(Ep1) 상에 설치된 제1 관통공(141) 및 제1 외부 전극(170An)에 설치된 오목부(CV1)도 제1 선(L1)과 제1 단변(SS1)과의 사이에 위치하고 있다. 또한, 연출부(Ep2) 상에 설치된 제1 관통공(141) 및 제1 외부 전극(170An)에 설치된 오목부(CV2)도 제1 선(L1)과 제2 단변(SS2)과의 사이에 위치하고 있다.
마찬가지로, 상면도로 보았을 때, 제2 장변(LS2)에 수직이며 또한 제2 외부 전극(170Ap)의 장방형상의 외형의 중심을 통과하는 가상적인 제2 선(L2)을 상정했을 때, 제3 연출부인 연출부(Ep3)는, 이 가상적인 제2 선(L2)과, 제3 단변(SS3)과의 사이에 위치한다. 제4 연출부인 연출부(Ep4)는, 가상적인 제2 선(L2)과, 제4 단변(SS4)과의 사이에 위치한다. 연출부(Ep3) 상에 설치된 제1 관통공(141) 및 제2 외부 전극(170Ap)에 설치된 오목부(CV3)도 제2 선(L2)과 제3 단변(SS3)과의 사이에 위치한다. 또한, 연출부(Ep4) 상에 설치된 제1 관통공(141) 및 제2 외부 전극(170Ap)에 설치된 오목부(CV4)도 제2 선(L2)과 제4 단변(SS4)과의 사이에 위치한다.
도 15에 예시하는 구성에 있어서, 도 15에 양쪽 화살표(da1)로 나타내는, 연출부(Ep1)와 제1 선(L1) 사이의 거리는, 도 15에 양쪽 화살표(da2)로 나타내는, 연출부(Ep1)와 제1 단변(SS1) 사이의 거리보다 작다. 여기서, 어느 연출부와, 어느 가상선 또는 어느 변 사이의 거리란, 그 연출부의 중심으로부터 제2 장변(LS2)을 따라 측정했을 때의, 가상선 또는 변까지의 거리를 가리킨다. 이 예와 같이, 상면도로 보았을 때, 제1 외부 전극(170An)의 중심을 통과하는 제1 선(L1)을 기준으로 했을 때와 비교하여, 제1 외부 전극(170An)의 각부(CA2)가 위치하는 제1 단변(SS1)으로부터 보다 떨어진 위치에 연출부(Ep1)를 배치함으로써, 연출부(Ep1) 근방에의, 각부(CA2)에 생기는 열응력의 영향을 저감시킬 수 있다. 마찬가지로, 이 예에서는, 도 15에서 양쪽 화살표(da3)로 나타내는, 연출부(Ep2)와 제1 선(L1) 사이의 거리는, 도 15에 양쪽 화살표(da4)로 나타내는, 연출부(Ep2)와 제2 단변(SS2) 사이의 거리보다 작다. 즉, 연출부(Ep2)는, 제1 선(L1)을 기준으로 했을 때와 비교하여, 제1 외부 전극(170An)의 각부(CA3)가 위치하는 제2 단변(SS2)으로부터 보다 떨어진 위치에 있어, 각부(CA3)에 생기는 열응력에 기인하는 리크의 발생을 억제하는 효과를 기대할 수 있다.
이 예에서는, 연출부(Ep3) 및 연출부(Ep4)에 대해서도, 연출부(Ep1) 및 연출부(Ep2)를 닮은 배치가 채용되고 있다. 즉, 상면도로 보았을 때, 제2 장변(LS2)에 수직이며 또한 제2 외부 전극(170Ap)의 장방형상의 외형의 중심을 통과하는 가상적인 제2 선(L2)을 상정했을 때, 연출부(Ep3)는, 이 가상적인 제2 선(L2)과, 제3 단변(SS3)과의 사이에 위치한다. 도 15에 모식적으로 나타낸 것처럼, 도 15에 양쪽 화살표(db1)로 나타내는, 연출부(Ep3)와 제2 선(L2) 사이의 거리는, 도 15에 양쪽 화살표(db2)로 나타내는, 연출부(Ep3)와 제3 단변(SS3) 사이의 거리보다 작다. 연출부(Ep3)는, 제2 선(L2)을 기준으로 했을 때와 비교하여, 제2 외부 전극(170Ap)의 각부(CA6)가 위치하는 제3 단변(SS3)으로부터 보다 떨어진 위치에 배치되고 있다. 또한, 도 15에 양쪽 화살표(db3)로 나타내는, 연출부(Ep4)와 제2 선(L2) 사이의 거리는, 도 15에 양쪽 화살표(db4)로 나타내는, 연출부(Ep4)와 제4 단변(SS4) 사이의 거리보다 작다. 연출부(Ep4)는, 제2 선(L2)을 기준으로 했을 때와 비교하여, 제2 외부 전극(170Ap)의 각부(CA7)가 위치하는 제4 단변(SS4)으로부터 보다 떨어진 위치에 배치되고 있다. 따라서, 각부(CA6), 각부(CA7)에 생기는 열응력에 기인하는, 연출부(Ep3) 또는 연출부(Ep4)의 위치에서의 리크의 발생을 억제하는 효과를 기대할 수 있다.
(변형예)
도 16은, 본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자의 다른 일례를 나타낸다. 도 16에 나타내는 발광 소자(100B)는, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 발광 소자(100)의 다른 일례이다. 도 16은, 도 3과 마찬가지로, 발광 소자(100B)를 하면측으로부터 본 모식적인 투시도이다. 도 16의 IV-IV선의 위치에서의 단면 및 V-V선의 위치에서의 단면은, 각각, 도 4 및 도 5에 나타내는 단면과 거의 같을 수 있다. 그 때문에, 여기서는, 도 16의 IV-IV 단면 및 V-V 단면의 도시와, 이러한 단면에 나타난 구조에 관한 설명을 생략한다.
도 3 등을 참조하여 설명한 발광 소자(100A)와 비교하여, 도 16에 나타내는 발광 소자(100B)는, 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)을 대신하여, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)을 갖는다. 도 16에 예시하는 구성에 있어서, 제1 외부 전극(170Bn)은, 서로 대향하는 제1 단변(SS1) 및 제2 단변(SS2)의 조를 포함하는, 대체로 장방형상의 외형을 갖는다. 마찬가지로, 제2 외부 전극(170Bp)도, 서로 대향하는 제3 단변(SS3) 및 제4 단변(SS4)의 조를 포함하는, 대체로 장방형상의 외형을 갖는다. 제1 단변(SS1) 내지 제4 단변(SS4) 모두, n형 반도체층(120n)의 장방형상의 외형의 제2 장변(LS2)에 수직이다.
도 17a는, 도 16에 나타내는 발광 소자(100B) 중의 반도체 구조와, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)을 취출하여 모식적으로 나타낸다. 도 17a에 나타내는 반도체 구조(112B)는, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)을 갖는 n형 반도체층(120n)과, n형 반도체층(120n)의 제2 영역(R2) 상에 위치하는, 도 17a에서 도시하지 않은 활성층(120a)과, 활성층(120a) 상의 p형 반도체층(120p)을 포함한다. 상술한 예와 마찬가지로, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)은, 상면도로 보았을 때 제2 영역(R2)의 외주에 위치하는 외주부(Pp)와, 외주부(Pp)로부터 제2 영역(R2)으로 연장한 복수의 연출부(Ep)를 포함한다.
다만, 여기서는, n형 반도체층(120n)의 제1 영역(R1)은, n형 반도체층(120n)의 제2 장변(LS2)을 따라 늘어선 3개의 연출부(Ep1 내지 Ep3)를 포함한다. 도 17a에서는, 도 6과 마찬가지로, 망점을 부여하여, 제1 영역(R1) 중 연출부(Ep1 내지 Ep3)에 상당하는 부분을 나타내고 있다. 연출부(Ep1 내지 Ep3) 중, 연출부(Ep3)는, 상면도로 보았을 때 제1 외부 전극(170Bn)과 제2 외부 전극(170Bp) 사이에 위치한다. 도 16 및 도 17a에 나타내는 예에서는, 도 3 내지 도 15를 참조하여 설명한 예와 비교하여, p형 반도체층(120p) 및 활성층(120a)의 제거된 부분의 면적이 작기 때문에, 발광에 관련된 부분의 면적이 저감되는 것을 억제하는 관점에서 유리하다.
도 17a에 예시하는 구성에서, 연출부(Ep1)는, n형 반도체층(120n)의 외형의 제2 장변(LS2)에 수직이며 또한 제1 외부 전극(170Bn)의 장방형상의 외형의 중심을 통과하는 가상적인 제1 선(L1) 상에 위치한다. 연출부(Ep2)는, 제2 장변(LS2)에 수직이며 또한 제2 외부 전극(170Bp)의 장방형상의 외형의 중심을 통과하는 가상적인 제2 선(L2) 상에 위치한다. 이와 같은 배치를 채용함으로써, 제1 외부 전극(170Bn)의 각부(CA2) 및 각부(CA3)로부터 떨어진 위치에 연출부(Ep1)를 배치하고, 제2 외부 전극(170Bp)의 각부(CA6) 및 각부(CA7)로부터 떨어진 위치에 연출부(Ep2)를 배치할 수 있다. 또한 이 예에서는, 연출부(Ep3)는, 제2 장변(LS2)에 수직이며 또한 제2 장변(LS2)의 중심을 통과하는 가상적인 제3 선(L3) 상에 위치하고 있다.
도 17a에 모식적으로 나타낸 것처럼, 여기서는, 제1 외부 전극(170Bn)의 장방형상의 외형은, 상면도로 보았을 때 연출부(Ep1)에 대응하는 위치에 제1 오목부로서의 오목부(CV1)를 갖고, 제2 외부 전극(170Bp)의 장방형상의 외형은, 상면도로 보았을 때 연출부(Ep2)에 대응하는 위치에 제2 오목부로서의 오목부(CV2)를 갖는다. 즉, 이 예에서도, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)은, 상면도로 보았을 때 연출부(Ep1 내지 Ep3) 중 어느 것에도 겹치지 않는 형상을 갖는다.
도 3 내지 도 15를 참조하여 설명한 예와 마찬가지로, 도 16 및 도 17a에 나타내는 예에서도, n형 반도체층(120n)과, 제1 내부 전극(150n)과의 사이의 전기적 접속을 형성하는 도전 구조가 배치될 수 있는 연출부(Ep)를, 제1 외부 전극(170Bn)의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소 및 제2 외부 전극(170Bp)의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소에 배치하고 있다. 이에 의해, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)에 생긴 열응력에 기인하여 예를 들면 광반사성 전극(130)과 제1 내부 전극(150n)과의 사이에서 단락이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
도 17b는, 본 개시의 실시형태에 따른 발광 소자의 또 다른 일례를 나타낸다. 도 17b에 나타낸 발광 소자(100C)는, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 발광 소자(100)의 또 다른 일례이다. 도 17b는, 도 3 및 도 16과 마찬가지로, 발광 소자(100)를 하면측으로부터 본 모식적인 투시도이다.
도 16을 참조하여 설명한 발광 소자(100B)와 비교하여, 도 17b에 나타낸 발광 소자(100C)는, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp) 대신에, 제1 외부 전극(170Cn) 및 제2 외부 전극(170Cp)을 갖는다. 제1 외부 전극(170Cn) 및 제2 외부 전극(170Cp)은, 외형이 다른 점 이외에는, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)과 각각 마찬가지의 구성을 갖는다. 도 17b에서는, 알기 쉽게 나타내기 위해, 해칭을 부여함으로써 제1 외부 전극(170Cn) 및 제2 외부 전극(170Cp)의 형상을 나타내고 있다.
도 17b에 예시한 구성에 있어서, n형 반도체층(120n)의 장방형상의 긴 길이방향을 따른, 광반사성 전극(130)의 외연(外緣)으로부터 외부 전극(제1 외부 전극(170Cn) 또는 제2 외부 전극(170Cp))의 외연까지의 거리는, n형 반도체층(120n)의 장방형상의 짧은 길이 방향을 따른, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리와 비교하여 크다. 예를 들면, 광반사성 전극(130)의, n형 반도체층(120n)의 단변측에 위치하는 외연으로부터 제2 외부 전극(170Cp)의 외연까지의 거리(도 17b 중에 양쪽 화살표(Lg)로 모식적으로 나타냄)는, 광반사성 전극(130)의, n형 반도체층(120n)의 장변측에 위치하는 외연으로부터 제2 외부 전극(170Cp)의 외연까지의 거리(도 17b 중에 양쪽 화살표(Sg)로 모식적으로 나타냄)보다 크다. 마찬가지로, 광반사성 전극(130)의, n형 반도체층(120n)의 단변측에 위치하는 외연으로부터 제1 외부 전극(170Cn)의 외연까지의 거리는, 광반사성 전극(130)의, n형 반도체층(120n)의 장변측에 위치하는 외연으로부터 제1 외부 전극(170Cn)의 외연까지의 거리보다 커도 된다.
상면도로 보았을 때 장방형상의 외형을 갖는 발광 소자는, 단부가 도면의 -Z방향을 향하는 듯한 휨을 갖는 경우가 있다. 이와 같은 휨을 가진 발광 소자를, 배선을 갖는 부재(예를 들면 상술한 지지체(200))에 공정 접합에 의해 실장하면, 배선과 발광 소자측의 전극이 접합되는 결과, 발광 소자의 단부에, 휨이 교정되는 방향의 응력이 가해지게 된다. 이 때, 공정 접합에 의해 배선에 접합되는 발광 소자측의 전극의 면적이 클수록, 보다 큰 접합 강도를 얻을 수 있는 반면, 발광 소자의 단부가 받는 부하도 증대된다. 본 발명자의 검토에 따르면, 이 응력은, 발광 소자의 중심으로부터 떨어질수록 커질 수 있다. 이 때문에, 공정 접합에 의해 생긴 응력에 기인하여, 발광 소자에 있어 장방형상의 외형의 특히 단변에 가까운 위치에 크랙이 발생하는 경우가 있을 수 있다.
도 17b에 나타내는 예에서는, 광반사성 전극(130)의 외연의 위치를 기준으로 했을 때, 발광 소자의 장방형상의 긴 길이 방향에 관한, 외부 전극의 외연까지의 거리는, 발광 소자의 장방형상의 짧은 길이 방향과 비교하여 크게 되어있다. 이와 같은 구성에 의하면, 공정 접합에 기인하여 발광 소자의 장방형상의 단변에 가까운 부위에 걸리는 응력을 완화하는 효과가 얻어지며, 따라서, 크랙의 발생 가능성을 저감할 수 있다. 또한, 제1 외부 전극(170Cn)이, 상술한 제1 외부 전극(170Bn)보다 작은 면적을 갖고 있어도 된다. 마찬가지로, 제2 외부 전극(170Cp)이 상술한 제2 외부 전극(170Bp) 보다 작은 면적을 갖고 있어도 된다.
도시한 예에 있어서, n형 반도체층(120n)의 단변측에 위치하는, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리는, 발광 소자의 긴 길이 방향(도면의 X방향)에 있어서의 길이의 예를 들면 3% 이상 7% 이하의 범위이며, 보다 바람직하게는, 4% 이상 5% 이하의 범위이다. 도 17b 중에 양쪽 화살표(Lg)로 나타내는 거리는, 예를 들면 40㎛ 내지 50㎛ 정도가 될 수 있다. 한편, n형 반도체층(120n)의 장변(예를 들면, 제2 장변(LS2))측에 위치하는, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리는, 발광 소자의 짧은 길이 방향(도면의 Y방향)에 있어서의 길이의 예를 들면 10% 이상 15% 이하의 범위이고, 보다 바람직하게는, 12% 이상 15% 이하의 범위이다. 도 17b 중에 양쪽 화살표(Sg)로 나타내는 거리는, 예를 들면, 20㎛ 내지 30㎛ 정도가 될 수 있다. 또한, 제2 장변(LS2)측에 위치하는, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리와, 제1 장변(LS1)측에 위치하는, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리는, 동등하여도 된다.
발광 소자의 짧은 길이 방향(도면의 X방향)은, 발광 소자의 긴 길이 방향(도면의 Y방향)과 비교하여 휨의 크기가 일반적으로 작고, 따라서, 외부 전극의 외연의 위치를 광반사성 전극(130)의 외연에 가깝게 하여도 발광 소자에 크랙이 생기게 하기 어렵다. 발광 소자의 짧은 길이 방향(도면의 X방향)에 관해서 외부 전극의 외연의 위치를 광반사성 전극(130)의 외연에 가깝게 함으로써, 외부 전극의 면적이 너무 작아지는 것을 회피할 수 있고, 따라서, 접합 강도의 과도한 저하를 억제할 수 있다.
또한, n형 반도체층(120n)의 연출부(Ep)(연출부(Ep1), 연출부(Ep3))의 위치에 있어서의, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리(도 17b 중에 양쪽 화살표(Mg)로 모식적으로 나타냄)는, 상술한 거리(Sg)보다 작게 될 수 있다. 연출부(Ep)의 위치에 있어서의, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리는, 예를 들면 10㎛ 내지 20㎛ 정도가 될 수 있다. 상술한 것처럼, 발광 소자의 장변에 가까운 쪽의 단부에 걸리는 응력은, 단변에 가까운 쪽의 단부에 걸리는 응력과 비교하여 작은 경향이 있다. 그러므로, 발광 소자의 짧은 길이 방향(도면의 X방향)에 대해서는, 외부 전극의 외연을 광반사성 전극(130)의 외연에 가깝게 하기 쉽다. 이 예와 같이, 광반사성 전극(130)의 외연으로부터 외부 전극의 외연까지의 거리를, 예를 들면 연출부(Ep)의 위치에서 다른 부분과 비교하여 작게 함으로써, 발광 소자에의 응력에 의한 발광 소자의 단부에의 부하의 증대를 억제하면서, 외부 전극의 면적의 극단적인 감소를 회피할 수 있다. 즉, 외부 전극의 면적이 감소하는 것에 기인하여 접합 강도가 극단적으로 저하되어 버리는 것을 회피할 수 있다.
[실시예]
이하, 외부 전극에 걸리는 전단 응력의 크기를 시뮬레이션에 의해 평가함으로써, 외부 전극의 상면도로 보았을 때의 형상과, 열응력이 집중하기 쉬운 개소와의 관련을 조사하였다.
(참고예 1)
상면도로 보았을 때 외부 전극의 형상으로서, 도 10 등에 나타내는, 2개의 연출부에 대응하여 2개의 오목부를 갖는 제1 외부 전극(170An) 및 제2 외부 전극(170Ap)의 형상을 상정하고, 지지체에 발광 소자를 공정 접합에 의해 실장할 때, 리플로우 강온 시에 반도체층 표면에 발생하는 응력을 계산했다. 계산에 의해 얻어진 값은, XZ면 내의 X방향에 있어서의 전단 응력 τyx이며, 이후의 도면 중에서는
Figure pat00001
τyx의 절대치에 기초하여, 전단 응력의 강한 정도를 농담을 부여하여 도시하고 있다. τyx는, 응력 텐서(tensor)의 성분 중 하나이다. 또한, 이하의 참고예 1 내지 4 모두에 있어서 계산 조건을 통일하고 있고, 도 18 내지 도 21에 걸쳐, 같은 값의 전단 응력은, 같은 농담을 부여하여 도시하고 있다.
도 18은, 참고예 1의 샘플에 관한 계산 결과를 나타낸다. 도 18 중, 색이 진한 부분이, 전단 응력의 절대치가 큰 영역을 나타내며, 상대적으로 큰 열응력이 걸리는 영역에 상당한다. 도 18에 나타내는 결과로부터, 외부 전극의 외형으로서 예를 들면 직사각형 형상을 채용했을 경우, 지지체(200) 등에의 접합에 있어, 각부(CA1 내지 CA8)의 위치에 특히 응력이 집중될 가능성이 높음을 알 수 있다. 또한, 2개의 각부를 연결하는 변 상의 위치에 있어서의 열응력은, 비교적으로 작은 것도 알 수 있다.
(참고예 2)
상면도로 보았을 때의 외부 전극의 형상으로서, 도 17a 등에 나타내는, 1개의 연출부에 대응하여 1개의 오목부를 갖는, 제1 외부 전극(170Bn) 및 제2 외부 전극(170Bp)의 형상을 상정하고, 참고예 1의 샘플과 마찬가지로 하여, 전단 응력 τyx의 절대치를 계산했다.
도 19는, 참고예 2의 샘플에 관한 계산 결과를 나타낸다. 도 18에 나타내는 결과와 마찬가지로, 도 19에 나타내는 결과에서도, 외부 전극의 각부(CA1 내지 CA8)의 위치에 특히 응력이 집중될 가능성이 높음을 알 수 있다.
(참고예 3)
도 13을 참조하여 설명한 예와 마찬가지로, 직사각형 형상의 외부 전극의 각부와 겹치는 위치에 n형 반도체층의 연출부가 위치하는 배치를 상정하고, 참고예 1의 샘플과 마찬가지로, 전단 응력 τyx의 절대치를 계산했다.
도 20은, 참고예 3의 샘플에 관한 계산 결과를 나타낸다. 도 20에 나타내는 결과로부터, 외부 전극의 직사각형 형상의 변 상에 위치하는 연출부(Ep1), 연출부(Ep4)의 위치와 비교하여, 외부 전극의 각부(CA3)와 겹치는 위치에 있는 연출부(Ep2) 및 그 주변, 및, 외부 전극의 각부(CA6)와 겹치는 위치에 있는 연출부(Ep3) 및 그 주변에 열응력이 집중될 수 있음을 알 수 있다.
(참고예 4)
n형 반도체층에 연출부를 가지지 않는 반도체 구조를 상정하고, 참고예 1의 샘플과 마찬가지로 하여, 전단 응력 τyx의 절대치를 계산했다.
도 21은, 참고예 4의 샘플에 관한 계산 결과를 나타낸다. 도 21에 나타내는 결과로부터, 외부 전극의 직사각형 형상의 변 상의 위치보다 각부와 겹치는 위치에 열응력이 집중되기 쉬운 경향이 있음을 알 수 있다.
도 20 및 도 21에 나타내는 결과와, 도 18 및 도 19에 나타내는 결과로부터, 외부 전극의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소에 연출부를 배치함으로써, 연출부 및 그 주변의 전단 응력을 저감할 수 있고, 연출부 및 그 주변에의 열응력의 집중을 회피하여, 연출부의 위치에서의 절연층의 크랙 등을 억제할 수 있음을 알 수 있다. 본 개시의 실시형태에 의하면, 리크가 생기기 쉬운 개소를 피해 연출부(Ep)를 배치하고 있으므로, 발광 구조 내부에서의 리크의 발생을 억제할 수 있다.
본 개시의 실시형태는, 각종 조명용 광원, 차재용 광원, 디스플레이용 광원 등에 유용하다. 특히, 액정표시장치용 백라이트 유닛에 유리하게 적용할 수 있다.
100, 100A 내지 100C: 발광 소자
110, 110A: 발광 구조
111: 제1 기판
112A, 112B: 반도체 구조
120a: 활성층
120n: n형 반도체층
120p:　p형 반도체층
130: 광반사성 전극
140: 제1 절연층
141: 제1 관통공
142: 제2 관통공
150n: 제1 내부 전극
150nｖ: 비어
150p: 제2 내부 전극
160: 제2 절연층
163: 제3 관통공
164: 제4 관통공
170An 내지 170Cn, 570n: 제1 외부 전극
170Ap 내지 170Cp, 570p: 제2 외부 전극
174: 도광 부재
180: 파장 변환 부재
182: 투광 부재
190, 190A: 광반사성 부재
200: 지지체
210, 210A: 제1 배선
220, 220A: 제2 배선
230: 기대
300, 300A: 발광 장치
500: 발광 소자
CA1 내지 CA8: 외부 전극의 각부
CV1 내지 CV6: 외부 전극의 오목부
LS1: 제1 장변
LS2: 제2 장변
R1: 제1 영역
R2: 제2 영역
Ep, Ep1 내지 Ep4: 제1 영역의 연출부
Pp: 제1 영역의 외주부
SS1: 제1 단변
SS2: 제2 단변
SS3: 제3 단변
SS4: 제4 단변

Claims (13)

  1. 제1 영역 및 상기 제1 영역의 내측에 위치하는 제2 영역을 갖는 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제2 영역 상에 위치하는 활성층, 및, 상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 반도체 구조로서,
    상기 제1 영역은, 상면도로 보았을 때 상기 제2 영역의 외주에 위치하는 외주부와, 각각이 상기 외주부로부터 상기 제2 영역으로 연장한 복수의 연출(延出)부를 포함하는, 반도체 구조와,
    상기 제2 반도체층의 상면을 덮는 광반사성 전극과,
    상기 반도체 구조 및 상기 광반사성 전극을 덮고, 상기 제1 영역의 각 연출부에 위치하는 제1 관통공 및 상기 제2 영역에 위치하는 제2 관통공을 갖는 제1 절연층과,
    상기 제1 절연층 상에 위치하고, 상기 제1 관통공을 거쳐 상기 제1 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 내부 전극과,
    상기 제1 절연층 상에 위치하고, 상기 제2 관통공을 거쳐 상기 광반사성 전극에 전기적으로 접속된 제2 내부 전극과,
    상기 제1 내부 전극 및 상기 제2 내부 전극을 덮고, 상기 제1 내부 전극 및 상기 제2 내부 전극을 서로 전기적으로 절연하는 제2 절연층으로서, 상기 제1 내부 전극 상에 위치하는 제3 관통공 및 상기 제2 내부 전극 상에 위치하는 제4 관통공을 갖는 제2 절연층과,
    상기 제3 관통공을 거쳐 상기 제1 내부 전극에 전기적으로 접속된 복수의 각부(角部)를 갖는 제1 외부 전극과,
    상기 제4 관통공을 거쳐 상기 제2 내부 전극에 전기적으로 접속된 복수의 각부를 갖는 제2 외부 전극
    을 구비하며,
    상기 제1 영역의 상기 복수의 연출부의 각각은, 상면도로 보았을 때 상기 제1 반도체층의 상면 중 상기 제1 외부 전극의 상기 복수의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소 및 상기 제2 외부 전극의 상기 복수의 각부와 겹치는 위치 이외의 개소에 배치되어 있는, 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체층은, 상면도로 보았을 때 장방형상의 외형을 갖고,
    상기 장방형상의 외형은, 서로 대향하는 제1 장변 및 제2 장변을 포함하며,
    상기 복수의 연출부는, 상기 제1 장변보다 상기 제2 장변에 가까운 위치에 상기 제2 장변을 따라 늘어서 있는, 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 외부 전극 및 상기 제2 외부 전극은, 상면도로 보았을 때 상기 복수의 연출부와 겹쳐지지 않는 형상을 갖고 있는, 발광 소자.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 외부 전극의 외형은, 서로 대향하고, 또한, 상기 제2 장변과 수직인 제1 단변 및 제2 단변을 포함하는 장방형상이며,
    상기 제2 외부 전극의 외형은, 서로 대향하고, 또한, 상기 제2 장변과 수직인 제3 단변 및 제4 단변을 포함하는 장방형이며,
    상기 제1 단변은, 상기 제2 단변보다 상기 제2 외부 전극으로부터 멀리 위치하고,
    상기 제3 단변은, 상기 제4 단변보다 상기 제1 외부 전극의 가까이에 위치하며,
    상기 복수의 연출부는, 상기 제2 장변에 수직이며 또한 상기 제1 외부 전극의 상기 장방형상의 중심을 통과하는 가상적인 제1 선과 상기 제1 단변과의 사이에 위치하는 제1 연출부와, 상기 제1 선과 상기 제2 단변과의 사이에 위치하는 제2 연출부와, 상기 제2 장변에 수직이며 또한 상기 제2 외부 전극의 상기 장방형상의 중심을 통과하는 가상적인 제2 선과 상기 제3 단변과의 사이에 위치하는 제3 연출부와, 상기 제2 선과 상기 제4 단변과의 사이에 위치하는 제4 연출부를 포함하는, 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 연출부와 상기 제1 선 사이의 거리는, 상기 제1 연출부와 상기 제1 단변 사이의 거리보다 작고,
    상기 제2 연출부와 상기 제1 선 사이의 거리는, 상기 제2 연출부와 상기 제2 단변 사이의 거리보다 작은, 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 연출부와 상기 제2 선 사이의 거리는, 상기 제3 연출부와 상기 제3 단변 사이의 거리보다 작고,
    상기 제4 연출부와 상기 제2 선 사이의 거리는, 상기 제4 연출부와 상기 제4 단변 사이의 거리보다 작은, 발광 소자.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 외부 전극은, 상면도로 보았을 때 상기 제1 연출부 및 상기 제2 연출부에 대응하는 위치에 제1 오목부 및 제2 오목부를 각각 갖고,
    상기 제2 외부 전극은, 상면도로 보았을 때 상기 제3 연출부 및 상기 제4 연출부에 대응하는 위치에 제3 오목부 및 제4 오목부를 각각 갖는, 발광 소자.
  8. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 외부 전극의 외형은, 서로 대향하고, 또한, 상기 제2 장변과 수직인 제1 단변 및 제2 단변을 포함하는 장방형상이며,
    상기 제2 외부 전극의 외형은, 서로 대향하고, 또한, 상기 제2 장변과 수직인 제3 단변 및 제4 단변을 포함하는 장방형상이며,
    상기 복수의 연출부는, 상기 제2 장변에 수직이며 또한 상기 제1 외부 전극의 상기 장방형상의 중심을 통과하는 가상적인 제1 선 상에 위치하는 제1 연출부와, 상기 제2 장변에 수직이며 또한 상기 제2 외부 전극의 상기 장방형상의 중심을 통과하는 가상적인 제2 선 상에 위치하는 제2 연출부를 포함하는, 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 외부 전극은, 상면도로 보았을 때 상기 제1 연출부에 대응하는 위치에 제1 오목부를 갖고,
    상기 제2 외부 전극은, 상면도로 보았을 때 상기 제2 연출부에 대응하는 위치에 제2 오목부를 갖는, 발광 소자.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 복수의 연출부는, 상기 제1 외부 전극과 상기 제2 외부 전극과의 사이에 위치하는 제3 연출부로서, 상기 제2 장변에 수직이며 또한 상기 제2 장변의 중심을 통과하는 가상적인 제3 선 상에 위치하는 제3 연출부를 포함하는, 발광 소자.
  11. 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반도체층의 상기 장방형상의 외형은, 상기 제1 장변과 상기 제2 장변과의 사이에 위치하는 제5 단변을 포함하고,
    상기 제1 외부 전극 및 상기 제2 외부 전극 중 일방의, 상기 제5 단변측의 외연(外緣)으로부터, 상기 광반사성 전극의, 상기 제5 단변측의 외연까지의 거리는, 상기 제1 외부 전극 및 상기 제2 외부 전극 중 상기 일방의, 상기 제2 장변측의 외연으로부터, 상기 광반사성 전극의, 상기 제2 장변측의 외연까지의 거리보다 큰, 발광 소자.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 구조를 지지하는 투광성의 제1 기판을 더 구비하는, 발광 소자.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 발광 소자와,
    상기 제1 외부 전극을 거쳐 상기 발광 소자에 전기적으로 접속된 제1 배선, 및, 상기 제2 외부 전극을 거쳐 상기 발광 소자에게 전기적으로 접속된 제2 배선을 갖는 제2 기판
    을 포함하는, 발광 장치.
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