KR20190080925A - 금속 인클로저 및 금속 인클로저 제조 방법 - Google Patents

금속 인클로저 및 금속 인클로저 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속 인클로저 및 금속 인클로저 제조 방법을 개시한다. 금속 박층은 금속 인클로저의 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되고, 금속 박층의 내마모성 및 내부식성은 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질의 것보다 우수하다. 따라서 실제 사용 과정에서, 전기 연결 접촉부 상에서 금속 박층이 노출되고, 금속 박층의 높은 내마모성 및 높은 내부식성 때문에, 전기 연결 접촉부와 전자 디바이스의 메인보드 상의 금속 스프링 플레이트 간 반복되는 마찰에서 입자의 발생이 피해질 수 있고, 따라서 산화 및 입자의 누적에 의해 전기 연결 접촉부의 전도율에 가해지는 영향이 피해질 수 있다. 종래 기술에서, 금속 슬라이스는 레이저 용접, 초음파 용접, 나사 고정 등에 의해 전기 연결 접촉부에 고정된다. 이와 달리, 본 발명의 실시예에서, 금속 박층의 증착이 하우징의 공동 공간에 의해 제한되지 않으며, 임의의 면적의 전기 연결 접촉부 상에서도 구현될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예에서, 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉부의 전도 문제가 완전히 해결될 수 있다.

Description

금속 인클로저 및 금속 인클로저 제조 방법
이 출원은 2016년 11월 14일에 중국 특허청에 출원된 중국 특허 출원 번호 201611029701.3, 발명의 명칭 "METAL ENCLOSURE AND METAL ENCLOSURE MANUFACTURING METHOD"의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에 그 전체가 참조로서 포함된다.
기술 분야
본 발명은 전자 디바이스 제조 기술 분야와 관련되며, 구체적으로 금속 인클로저 및 인클로저 제조 방법과 관련된다.
현재, 대부분의 전자 디바이스가 금속 인클로저(metal enclosure)를 이용하며, 전자 디바이스의 금속 인클로저를 전자 디바이스의 안테나 또는 안테나의 일부로서 이용해, 안테나가 차지하는 공간을 감소시킬 수 있다. 따라서 전자 디바이스는 소형화되고, 초박화되며, 사용자 휴대성이 더 높아진다.
도 1a는 기존 전자 디바이스의 금속 인클로저의 부분 공동 구조의 개략도이다. 도 1b는 전자 디바이스의 부분 메인보드 구조의 개략도이다. 도 1a를 참조하면, 보통 수십 개의 전기 연결 접촉부가 금속 인클로저의 공동 내에 배치되고, 공동은 도면 부호(111 내지 115)로 표시되는 영역을 포함한다. 따라서 도 1b를 참조하면, 도면 부호(121 및 122)로 도시되는 금속 스프링 플레이트가 메인보드 상에 배치된다. 금속 인클로저가 전자 디바이스 상에 설치된 후, 전기 연결 접촉부가 금속 스프링 플레이트와 접촉하여, 메인보드가 금속 인클로저로 전도 연결(conduct)되고, 금속 인클로저는 데이터를 전송 또는 수신하기 위한 안테나 또는 안테나의 일부로서 사용될 수 있다.
안테나 성능을 보장하기 위해, 금속 인클로저 및 메인보드는 전도 상태가 될 필요가 있는데, 즉, 전기 연결 접촉부와 금속 스프링 플레이트의 저항이 가능한 작을 필요가 있다(일반적으로 200mΩ 미만). 실제 적용예에서, 일반적으로 알루미늄 합금 물질이 금속 인클로저를 위해 사용된다. 알루미늄 합금 하우징 상의 전기 연결 접촉부가 메인보드 상의 금속 스프링 플레이트와 반복적으로 마찰되고, 결과적으로, 전기 연결 접촉부의 표면 상에서 알루미늄 합금 입자가 발생된다. 알루미늄 합금 입자는 극도로 쉽게 산화되고 전기 연결 접촉부의 표면 또는 상기 전기 연결 접촉부와 접촉하는 금속 스프링 플레이트의 표면에 부착된다. 결과적으로, 전기 연결 접촉부 및 금속 스프링 플레이트의 저항이 증가되고, 안테나 성능이 저하된다.
상기의 기술적 문제로, 현재, 일부 제조업체는 레이저 용접 기술 또는 초음파 용접 기술을 이용해 전기 연결 접촉부로 금속 슬라이스를 용접하거나, 나사를 이용해, 금속 슬라이스를 전기 연결 접촉부에 고정한다. 금속 슬라이스가 메인보드 상의 금속 스프링 플레이트와 직접 접촉함으로써, 전기 연결 접촉부의 산화에 의해 야기되는 저항 증가가 피해진다. 그러나 이들 모든 세 가지 기술에서, 전기 연결 접촉부의 면적이 제한적이다. 전기 연결 접촉부의 면적이 과도하게 작은 경우, 금속 슬라이스를 전기 연결 접촉부에 고정하는 것이 매우 어렵다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 전기 연결 접촉부(111) 및 전기 연결 접촉부(112)는 비교적 큰 면적을 가져, 금속 슬라이스가 전기 연결 접촉부에 고정될 수 있지만, 전기 연결 접촉부(113), 전기 연결 접촉부(114), 및 전기 연결 접촉부(115)는 비교적 작은 면적을 가져, 금속 슬라이스를 고정하기에 적합하지 않다. 실제 동작으로부터, 레이저 용접 기술이 사용되는 경우 전기 연결 접촉부의 면적이 3㎜×3㎜ 이상일 필요가 있고, 초음파 용접 기술이 사용되는 경우 전기 연결 접촉부의 면적이 2㎜×2㎜ 이상일 필요가 있음을 알 수 있다. 따라서, 금속 인클로저의 공동 공간이 제한적일 때, 각각의 전기 연결 접촉부에 대해 비교적 큰 면적을 설정하는 것은 매우 어렵다. 사용 과정에서의 각각의 전기 연결 접촉부의 저항 증가 문제는 상기의 세 가지 기법을 이용해서는 해결하기 힘들다.
본 발명은 사용 과정에서의 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉부의 저항 증가의 문제를 해결하기 위해 그리고 안테나로서 사용되는 금속 인클로저의 전도 성능을 개선하기 위한 금속 인클로저 및 금속 인클로저 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
제1 양태에 따르면, 본 발명의 실시예는 금속 인클로저 제조 방법을 제공하며, 상기 방법은:
금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계, 및
상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계를 포함하며,
가공-예정 영역은 하우징 상에서 전기 연결 접촉부로서 사용되는 영역이고, 금속 박층의 내마모성과 내부식성 모두 금속 기저 물질의 것보다 우수하다.
본 발명의 이 실시예에서의 금속 인클로저 제조 방법에 따르면, 금속 박층은 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되고, 금속 박층의 내마모성과 내부식성은 모두 하우징으로는 사용되는 금속 기저 물질의 것보다 우수하다. 종래 기술에서, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질이 직접 노출된다. 이와 달리, 본 발명의 이 실시예에서 제조되는 금속 인클로저를 이용하는 실제 공정에서, 금속 기저 물질을 덮는 금속 박층이 전기 연결 접촉부 상에서 노출된다. 금속 박층의 내마모성과 내부식성은 금속 기저 물질의 것보다 우수하다. 따라서 종래 기술에 비교할 때, 본 발명의 이 실시예에서, 전기 연결 접촉부는 마모 및 산화될 가능성이 더 낮아서, 금속 인클로저를 이용하는 과정에서 전기 연결 접촉부의 전도율 감소를 피할 수 있고, 금속 인클로저와 메인보드 간 전도 성능이 항상 우수한 상태임을 보장할 수 있다. 덧붙여, 종래 기술에서, 금속 슬라이스가, 레이저 용접, 초음파 용접, 나사고정 등에 의해 전기 연결 접촉부에 고정된다. 이와 달리, 본 발명의 이 실시예에서, 금속 박층의 증착은 하우징의 공동 공간에 의해 제한되지 않고, 어떠한 면적의 전기 연결 접촉부 상에서도 구현될 수 있다. 따라서 본 발명의 이 실시예에서, 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉부의 전도 문제가 완전히 해결될 수 있다.
가능한 설계에서, 상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계는,
지정 증착 방식으로 상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계를 포함하며,
지정 증착 방식은 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 전기도금, 또는 물리 기상 증착(PVD) 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되지는 않는다.
가능한 설계에서, 상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계는
가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 니켈 층을 증착하는 단계, 또는
가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 구리 층을 증착하는 단계, 또는
가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 니켈 층과 구리 층을 잇따라 증착하는 단계, 또는
가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 구리 층과 니켈 층을 잇따라 증착하는 단계, 또는
가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 니켈 층과 금 층을 잇따라 증착하는 단계를 포함한다.
이 구현예는 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 단일 금속 박층을 증착하기 위한 방법 및 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 이중 금속 박층을 증착하기 위한 방법을 제공한다. 전기 연결 접촉 영역 내에 단일 금속 박층이 증착되는 경우, 실제 테스트로부터, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 내부식성이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 내부식성보다 우수하지만, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 저항률이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 저항률보다 높음, 즉, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 전도율이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 전도율보다 약간 낮음을 알 수 있다. 따라서 이중 금속 박층이 증착되는 경우, 상부 층이 니켈 층일 때, 전기 연결 접촉부의 내부식성이 상부 층이 구리 층인 경우 및 단일 구리 층이 증착되는 경우에서의 전기 연결 접촉부의 내부식성보다 우수하고, 저항률은 단일 니켈 층의 경우 및 단일 구리 층의 경우보다 높다. 금 층이 이중 금속 박층 구조에서 사용될 때, 금 층은 상부 층에 증착되어, 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역이 훌륭한 전도율 및 내부식성을 가짐을 보장할 수 있다. 니켈 층은 하부 층으로 선택되어, 전기 연결 접촉 영역이 우수한 내마모성을 가짐을 보장하는 것이 바람직하다. 상기의 테스트 결과 및 분석을 기초로, 실제 적용 시나리오에서의 전기 연결 접촉부의 내부식성 및 전도율의 요건에 따라 금속 박층의 물질이 선택될 수 있다.
가능한 설계에서, 니켈 층의 두께와 구리 층의 두께는 모두 10 ㎛ 내지 500 ㎛이고, 금 층의 두께는 200 ㎚를 초과한다.
가능한 설계에서, 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계는
제1 형성 기술을 이용함으로써 제1 금속 기저 물질을 하우징으로 가공하는 단계를 포함하며,
상기 제1 형성 기술은 스탬핑, 단조, 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니며:
제1 금속 기저 물질은 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
가능한 설계에서, 상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계 전에, 방법은
양극 산화 공정에 의해 상기 하우징의 표면 상에 양극산화된 필름을 형성하는 단계, 및
레이저 조각 기술 또는 수치 제어 가공 기술을 이용해 상기 가공-예정 영역 내에서 양극산화된 필름을 제거해, 상기 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질을 노출시키는 단계를 더 포함한다.
이 구현예에서, 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질은 알루미늄 합금 또는 마그네슘 합금이고, 양극산화된 필름은 양극산화 공정에 의해 하우징의 표면 상에 형성될 수 있다. 양극산화된 필름은 하우징을 보기 좋게 하고 상이한 외관 색상을 제공할 뿐만 아니라, 하우징을 부식으로부터 보호할 수도 있다.
가능한 설계에서, 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계는
다이 캐스팅 기술 및 수치 제어 가공 기술을 이용해 제2 금속 기저 물질을 상기 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계를 포함하며,
상기 제2 금속 기저 물질은 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
가능한 설계에서, 상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계 전에, 상기 방법은
화학 변환 필름 가공에 의해 상기 하우징의 표면 상에 화학 변환 필름을 형성하는 단계, 및
레이저 조각 기술 또는 수치 제어 가공 기술을 이용해 상기 가공-예정 영역 내 화학 변환 필름을 제거하여, 상기 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질을 노출시키는 단계를 더 포함한다.
이 구현예에서, 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질은 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금이고, 화학 변환 필름은 화학 변환 필름 가공에 의해 하우징의 표면 상에 형성될 수 있다. 화학 변환 필름은 하우징을 산화와 부식으로부터 보호할 수 있다.
산화, 부식, 마모 등을 피하기 위해, 하우징을 사용하는 과정에서, 본 발명의 이 실시예에서, 보호 필름이 하우징 상에서 가공-예정 영역이 아닌 다른 영역의 표면 상에 배치된다. 실제 처리의 편의를 위해, 본 발명의 이 실시예에서, 보호 필름은 우선 전체 하우징 상에 배치되고, 그 후, 가공-예정 영역 상에서 필름 파열 처리를 수행함으로써, 가공-예정 영역 내 보호 필름이 제거되어, 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질이 노출되고, 이로써 금속 박층이 금속 기저 물질의 표면 상에 증착될 수 있다.
제2 양태에 따라, 본 발명의 실시예는 하우징을 포함하는 금속 인클로저를 제공하고, 여기서
상기 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층이 증착되고, 상기 금속 박층의 내마모성 및 내부식성이 상기 금속 기저 물질의 내마모성 및 내부식성보다 우수하다.
본 발명의 이 실시예에서의 금속 인클로저에 따라, 금속 박층이 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되며 금속 박층의 내마모성과 내부식성 모두 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질의 것보다 우수하다. 종래 기술에서, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질이 직접 노출된다. 이와 달리, 본 발명의 이 실시예에서 제조되는 금속 인클로저를 이용하는 실제 공정에서, 금속 기저 물질을 덮는 금속 박층이 전기 연결 접촉부 상에서 노출된다. 금속 박층의 내마모성과 내부식성은 금속 기저 물질의 것보다 우수하다. 따라서 종래 기술에 비교할 때, 본 발명의 이 실시예에서, 전기 연결 접촉부는 마모 및 산화될 가능성이 더 낮아서, 금속 인클로저를 이용하는 과정에서 전기 연결 접촉부의 전도율 감소를 피할 수 있고, 금속 인클로저와 메인보드 간 전도 성능이 항상 우수한 상태임을 보장할 수 있다. 덧붙여, 종래 기술에서, 금속 슬라이스가, 레이저 용접, 초음파 용접, 나사고정 등에 의해 전기 연결 접촉부에 고정된다. 이와 달리, 본 발명의 이 실시예에서, 금속 박층의 증착은 하우징의 공동 공간에 의해 제한되지 않고, 어떠한 면적의 전기 연결 접촉부 상에서도 구현될 수 있다. 따라서 본 발명의 이 실시예에서, 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉부의 전도 문제가 완전히 해결될 수 있다.
가능한 설계에서, 금속 인클로저는 전자 디바이스의 중간 프레임, 후면 커버, 또는 스크린 지지 기판 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
가능한 설계에서, 금속 박층은
전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 증착되는 니켈 층, 또는
전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 증착되는 구리 층, 또는
전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 잇따라 증착되는 니켈 층과 구리 층, 또는
전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 잇따라 증착되는 구리 층과 니켈 층, 또는
전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 잇따라 증착되는 니켈 층과 구리 층을 포함한다.
이 구현예는 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 단일 금속 박층 도는 이중 금속 박층을 증착하기 위한 방법을 개시한다. 전기 연결 접촉 영역 내에 단일 금속 박층이 증착되는 경우, 실제 테스트로부터, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 내부식성이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 내부식성보다 우수하지만, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 저항률이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 저항률보다 높음, 즉, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 전도율이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 전도율보다 약간 낮음을 알 수 있다. 따라서 이중 금속 박층이 증착되는 경우, 상부 층이 니켈 층일 때, 전기 연결 접촉부의 내부식성이 상부 층이 구리 층인 경우 및 단일 구리 층이 증착되는 경우에서의 전기 연결 접촉부의 내부식성보다 우수하고, 저항률은 단일 니켈 층의 경우 및 단일 구리 층의 경우보다 높다. 금 층이 이중 금속 박층 구조에서 사용될 때, 금 층은 상부 층에 증착되어, 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역이 훌륭한 전도율 및 내부식성을 가짐을 보장할 수 있다. 니켈 층은 하부 층으로 선택되어, 전기 연결 접촉 영역이 우수한 내마모성을 가짐을 보장하는 것이 바람직하다. 상기의 테스트 결과 및 분석을 기초로, 금속 인클로저의 제조 과정에서, 금속 인클로저의 실제 적용 시나리오에서의 전기 연결 접촉부의 내부식성 및 전도율의 요건에 따라 금속 박층의 물질이 선택될 수 있다.
가능한 설계에서, 니켈 증의 두께와 구리 층의 두께는 모두 10 ㎛ 내지 500 ㎛이고, 금 층의 두께는 200 ㎚를 초과한다.
가능한 설계에서, 상기 하우징은 제1 형성 기술을 이용해 제1 금속 기저 물질을 가공함으로써 획득되며,
상기 제1 형성 기술은 스탬핑, 단조, 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되지 않고,
상기 제1 금속 기저 물질은 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
가능한 설계에서, 양극산화된 필름이 상기 하우징 상의 비(non)-전기 연결 접촉 영역 상에 배치된다.
가능한 설계에서, 하우징은 다이 캐스팅 기술을 이용해 제2 금속 기저 물질을 가공함으로써 획득되고,
상기 제2 금속 기저 물질은 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금을 포함하나, 이에 한정되지는 않는다.
가능한 설계에서, 화학 변환 박막이 상기 하우징 상의 비-전기 연결 접촉 영역 상에 배치된다.
하우징 사용 과정에서 산화, 부식 마모 등을 피하기 위해, 본 발명의 이 실시예에서, 보호 필름이 하우징 상에서 가공-예정 영역이 아닌 다른 영역의 표면 상에 배치된다. 상이한 금속 기저 물질에 대해, 상이한 유형의 보호 필름이 사용될 수 있다. 금속 기저 물질이 알루미늄 합금 또는 마그네슘 합금일 때 양극산화된 필름이 양극산화 공정에 의해 하우징의 표면 상에 형성될 수 있다. 양극산화된 필름은 하우징을 보기 좋게 하고 상이한 외관 색상을 제공할 뿐만 아니라, 하우징을 부식으로부터 보호할 수도 있다. 금속 기저 물질이 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금일 때, 화학 변환 필름이 화학 변환 필름 가공에 의해 하우징의 표면 상에 형성될 수 있다. 화학 변환 필름은 산화 및 부식으로부터 하우징을 보호할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 기술적 해결 수단을 설명하기 위해, 하기에서 실시예에 대해 요구되는 도면이 간략히 기재된다.
도 1a는 기존 전자 디바이스의 금속 인클로저의 부분 공동 구조의 개략도이다.
도 1b는 기존 전자 디바이스의 부분 메인보드 구조의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저 제조 방법의 흐름도이다.
도 3은 알루미늄 합금이 기저 물질로서 사용되고 단일 니켈 층이 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 4는 알루미늄 합금이 기저 물질로서 사용되고 이중 금속 박층이 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 5는 알루미늄 합금이 기저 물질로서 사용되고 단일 구리 층이 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 6은 알루미늄 합금이 기저 물질로서 사용되고 이중 금속 박층이 또 다른 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 7은 다이 캐스팅 알루미늄/마그네슘 합금이 기저 물질로서 사용되고 단일 니켈 층이 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 8은 다이 캐스팅 알루미늄/마그네슘 합금이 기저 물질로서 사용되고 이중 금속 박층이 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 9는 다이 캐스팅 알루미늄/마그네슘 합금이 기저 물질로서 사용되고 단일 구리 층이 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 10은 다이 캐스팅 알루미늄/마그네슘 합금이 기저 물질로서 사용되고 이중 금속 박층이 증착되는 또 다른 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
도 11은 니켈 층과 금 층이 전기 도금 방식으로 증착되는 금속 인클로저 제조 방법을 구현하는 과정에서 본 발명의 실시예에 따르는 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도이다.
이하에서, 본 발명의 실시예의 도면을 참조하여 본 발명의 실시예로 기술적 해결 수단이 명료하고 완전하게 기재된다. 기재된 실시예는 본 발명의 모든 실시예가 아닌 일부에 불과함이 자명하다. 해당 분야의 통상의 기술자가 창의력 없이 본 발명의 실시예를 기초로 얻은 모든 다른 실시예가 본 발명의 보호 범위 내에 있을 것이다.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따르는 금속 인클로저 제조 방법의 흐름도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 방법은 하기의 단계를 포함한다.
S1. 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계.
상기 하우징의 지정 구조는 금속 인클로저의 유형에 의해 결정된다. 본 발명의 이 실시예에서의 금속 인클로저는 전기 연결 접촉부가 배치될 필요가 있는 임의의 전자 디바이스를 갖는 임의의 유형의 하우징, 가령, 휴대 전화기의 중간 프레임, 후면 커버, 또는 스크린 지지 기판, 또는 태블릿 컴퓨터의 후면 커버 또는 스크린 지지 기판일 수 있다.
중간 프레임 및 후면 커버는 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board) 및 다양한 칩 및 배터리가 위치하는 기계적 지지 부분이다. 스크린 지지 기판은 전자 디바이스의 스크린을 지지하는 기계적 지지 부분이다.
S2. 하우징 상의 가공-예정 영역(to-be-processed region) 내 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계.
가공-예정 영역은 하우징 상에서 전기 연결 접촉부로서 사용되는 영역이다.
본 발명의 이 실시예에서, 금속 인클로저의 제조 동안, 금속 박층이 하우징 상에 있고 전기 연결 접촉부로서 사용되는 영역, 즉, 가공-예정 영역에 증착된다. 금속 박층에 대해 사용되는 물질의 내마모성과 내부식성 모두 금속 기저 물질의 것보다 우수하다. 물론, 외부 힘에 의해 초래되는 마모 또는 부식은 고려되지 않을 때, 금속 박층의 전도율이 또한 금속 인클로저와 메인보드 간 전도율에 대한 성능 요건을 충족할 필요가 있다. 구체적으로, 금속 박층을 제조하기 위해 130 nΩ·m 미만의 저항률을 갖는 금속 물질이 선택될 수 있다.
종래 기술에서, 전기 연결 접촉부 상의 금속 기저 물질이 직접 노출되고, 금속 기저 물질이 메인보드 상의 금속 스프링 플레이트와 직접 접촉한다. 따라서 사용 과정에서 금속 기저 물질과 금속 스프링 플레이트 간 반복되는 가벼운 마찰 시, 금속 입자가 발생되고, 금속 입자의 산화 및 누적에 의해 전기 연결 접촉부의 전도율 저하가 초래된다. 그러나 본 발명의 이 실시예에서, 금속 박층이 전기 연결 접촉 영역 내에 금속 기저 물질의 표면 상에 증착됨으로써, 사용 과정에서, 전기 연결 접촉 영역에서 금속 기저 물질이 노출되지 않고, 대신 금속 박층이 노출되며 금속 스프링 플레이트와 접촉된다. 금속 박층은 높은 내마모성 및 높은 내부식성을 가지며, 금속 박층과 금속 스프링 플레이트 간 반복된 가벼운 마찰 후 어떠한 금속 입자도 발생되지 않는다. 이러한 방식으로, 금속 인클로저 사용 과정에서의 전기 연결 접촉부의 전도율 감소가 피해질 수 있고, 금속 인클로저와 메인보드 간 전도 성능이 항상 우수한 상태임이 보장되며, 금속 인클로저가 안테나로서 사용될 때 상기 금속 인클로저의 성능이 우수하게 유지된다.
덧붙여, 종래 기술에서, 레이저 용접, 초음파 용접, 나사 등을 이용해, 금속 슬라이스는 전기 연결 접촉부에 고정된다. 이와 달리, 본 발명의 이 실시예에서, 금속 박층의 증착이 하우징의 공동 공간에 의해 제한되지 않으며, 임의의 면적 크기의 전기 연결 접촉부 상에 구현될 수 있다. 따라서 본 발명의 이 실시예에서, 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉부의 전도 문제가 완전히 해결될 수 있다.
선택사항으로서, 금속 박층을 위해 사용되는 금속 물질이 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 등일 수 있다. 더 낮은 가격을 갖는 니켈 및 구리가 선택되는 것이 선호된다.
선택사항으로서, 단계 S2에서, 금속 박층을 증착하기 위해 사용되는 방식은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다: 전기도금(electroplating), 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 또는 물리 기상 증착(PVD: Physical Vapor Deposition).
덧붙여, 증착 동작이 수행되기 전에 차단 기술(가령, 잉크-젯 차단 기술)을 이용함으로써 비-전기 연결 접촉 영역이 차단되어, 비-전기 연결 접촉부의 표면 상에 금속 박층을 실수로 분사하는 것을 피할 수 있고, 이웃하는 전기 연결 접촉부들 간 단락을 피할 수 있다.
본 발명의 구현 가능한 실시예에서, 상기 단계 S1이 수행된 후 S2가 수행되기 전, 금속 인클로저 제조 방법이 다음의 단계를 더 포함할 수 있다:
하우징의 표면 상에 보호 필름을 배치하고 가공-예정 영역 상의 필름 파열 처리를 수행하는 단계.
하우징 사용 과정에서의 산화, 부식, 마모 등을 피하기 위해, 본 발명의 이 실시예에서, 보호 필름이 하우징 상에서 가공-예정 영역이 아닌 다른 영역의 표면 상에 배치된다. 실제 처리의 편의를 위해, 본 발명의 이 실시예에서, 우선, 보호 필름이 전체 하우징 상에 배치되고, 그 후 가공-예정 영역 상에서 필름 파열 처리를 수행함으로써 가공-예정 영역 내 보호 필름이 제거되어, 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질이 노출되고, 이로써 금속 박층이 금속 기저 물질의 표면 상에 증착될 수 있다(단계 S2).
선택사항으로서, 가공-예정 영역 내 보호 필름은 레이저 조각 기술 또는 수치 제어(CNC: Computer numerical control) 가공 기술을 이용함으로써 제거될 수 있다.
선택사항으로서, 상이한 유형의 보호 필름이 상이한 금속 기저 물질을 위해 사용될 수 있다.
예를 들어, 금속 기저 물질이 알루미늄 합금 또는 마그네슘 합금인 때, 양극산화된 필름이 양극산화 공정에 의해 하우징의 표면 상에 형성될 수 있다. 양극산화된 필름은 하우징을 보기 좋게 하고 상이한 외관 색상을 제공할 뿐만 아니라, 하우징을 부식으로부터 보호할 수도 있다. 금속 기저 물질이 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금일 때, 화학 변환 필름이 화학 변환 필름 가공에 의해 하우징의 표면 상에 형성될 수 있다. 화학 변환 필름은 산화 및 부식으로부터 하우징을 보호할 수 있다.
본 발명의 구현 가능 실시예에서, 상기의 단계 S2에서의 금속 박층이 단일 금속 박층, 가령, 니켈 층, 구리 층, 또는 구리 합금 층일 수 있다. 선택사항으로서, 구리 합금 층은 구체적으로 인청동 증착에 의해 형성될 수 있다.
선택사항으로서, 단일 금속 박층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛이다.
본 발명의 구현 가능 실시예에서, 상기의 단계 S2에서의 금속 박층이 이중 금속 박층일 수 있다. 예를 들어, (금속 기저 물질과 직접 접촉하는) 하부 층이 니켈 층이고 상부 층이 구리 층이거나, 하부 층이 구리 층이고 상부 층이 니켈 층이거나, 하부 층이 니켈 층이고 상부 층이 금 층이다.
선택사항으로서, 이중 금속 박층에서, 니켈 층의 두께와 구리 층의 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 값으로 설정될 수 있다. 금 층의 두께는 더 작다, 아마도 나노미터(㎚) 수준으로 값이 설정될 수 있으며, 구체적으로 200 ㎚를 초과하는 값으로 설정될 수 있다.
금속 기저 물질 및 금속 박층에 대해 선택된 상이한 물질과, 상이한 가공 기술에 따라, 본 발명의 이 실시예에서의 금속 인클로저 제조 방법이 복수의 상이한 구현예를 가질 수 있다. 도 3 내지 도 11은 본 발명의 특정 실시예에서 제공되는 금속 인클로저 제조 방법을 이행하는 과정에서 금속 인클로저의 단면 구조의 변화의 개략도를 개별적으로 도시한다. 본 발명의 이 실시예에서 제공되는 금속 인클로저 제조 방법의 특정 단계들이 단면 구조의 변화의 개략도를 참조하여 이하에서 기재된다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 가능한 구현예에서, 상기의 금속 인클로저 제조 방법이 다음의 단계를 포함한다.
S31. 제1 형성 기술을 이용하여, 제1 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계.
제1 형성 기술은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 스탬핑(stamping), 단조(forging), 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅. 제1 금속 기저 물질은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금.
S32. 양극산화 공정을 이용해 하우징의 표면 상에 양극산화된 필름을 형성하는 단계.
S33. 전기 연결 접촉부가 배치될 필요가 있는 하우징 상의 가공-예정 영역 상에 필름 파열 처리를 수행하여, 상기 가공-예정 영역 내에서 양극산화된 필름을 제거하는 단계.
구체적으로, 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용해, 가공-예정 영역 내 산화 필름이 제거될 수 있다.
S341. 가공-예정 영역 내에 니켈 층을 증착하는 단계.
니켈 층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛에서 제어된다. 구체적으로, 니켈 층은 증착 방식, 가령, 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 또는 PVD에 의해 형성될 수 있다.
상기의 구현예에서, 니켈 층은 금속 인클로저의 공동 내 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 알루미늄 합금 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트에서, 상기 구현예에서 얻어지는 니켈 층이 위에 증착된 알루미늄 합금 인클로저에 있어서, 실제 측정 시 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 50 mΩ 미만이며, 8시간, 12시간 및 24시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 니켈 층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교할 때, 상기 구현예에서 제조된 알루미늄 합금 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 4를 참조하며, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 도 3에 도시된 단계 S31 내지 단계 S341을 기초로, 상기의 금속 인클로저 제조 방법은 다음의 단계를 더 포함할 수 있다:
S342: 니켈 층 상에 구리 층을 증착하는 단계.
단계 S342가 수행된 후, 이중 금속 박층이 전기 연결 접촉부에 대응하는 가공-예정 영역 내에 잇따라 증착된다. 제1 층에서의 니켈 층의 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어되고, 제2 층에서의 구리 층의 두께가 또한 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어된다.
상기의 구현예에서, 이중 금속 박층이 금속 인클로저의 공동 내 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 알루미늄 합금 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기의 구현예에서 얻어진 이중 금속 박층이 증착된 알루미늄 합금 인클로저에 대해서, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 60 mΩ 미만이며, 8-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 이중 금속 박층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교할 때, 상기 구현예에서 제조된 알루미늄 합금 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 5를 참조하여, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 상기의 금속 인클로저 제조 방법이 하기의 단계를 포함한다.
S51. 제1 형성 기술을 이용해 제1 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계.
상기 제1 형성 기술은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 스탬핑, 단조, 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅. 제1 금속 기저 물질은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금.
S52. 양극산화 공정에 의해 하우징의 표면 상에 양극산화된 필름을 형성하는 단계.
S53. 전기 연결 접촉부가 배치될 필요가 있는 하우징 상의 가공-예정 영역 상에 필름 파열 처리를 수행하여, 상기 가공-예정 영역 내 양극산화된 필름을 제거하는 단계.
구체적으로, 가공-예정 영역 내 양극산화된 필름은 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용함으로써 제거될 수 있다.
S541. 가공-예정 영역 내에 구리 층을 증착하는 단계.
구리 층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어된다. 구체적으로, 구리 층은 증착 방식, 가령, 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 또는 PVD에 의해 형성될 수 있다.
선택사항으로서, 단계 S541에서 증착된 구리 층은 구리 합금 층으로 또한 대체될 수 있다.
상기 구현예에서, 구리 층은 금속 인클로저의 공동 내 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 알루미늄 합금 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기 구현에서 얻어지는 구리 층이 위에 증착된 알루미늄 합금 인클로저에 대해, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 30 mΩ 미만이고, 8-시간 중성염 분산 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 구리 층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교해서, 상기 구현예에서 제조되는 알루미늄 합금 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 도 5에 도시된 단계 S51 내지 단계 S541을 기초로, 상기의 금속 인클로저 제조 방법은 다음의 단계를 더 포함할 수 있다:
S542. 구리 층 상에 니켈 층을 증착하는 단계.
단계 S542가 수행된 후, 이중 금속 박층이 전기 연결 접촉부에 대응하는 가공-예정 영역 내에 잇따라 증착된다. 제1 층에서의 구리 층의 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어되고, 제2 층에서의 니켈 층의 두께가 또한 10 ㎛ 내지 500 ㎛으로 제어된다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 상기의 금속 인클로저 제조 방법이 하기의 단계를 포함한다.
S71. 다이 캐스팅 기술 및 수치 제어 가공 기술을 이용함으로써 제2 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계.
제2 금속 기저 물질은 다음 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다: 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금. 구체적으로, 다이 캐스팅 알루미늄 합금의 명칭은 ADC12, DX19 등일 수 있고, 다이 캐스팅 마그네슘 합금의 명칭은 AZ31, AZ91 등일 수 있다. 공정 동안, 우선 다이 캐스팅 기술을 이용함으로써 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금이 외곽 구조의 하우징으로 가공되고, 그 후 수치 제어 가공 기술을 이용함으로써 다이 캐스팅을 이용해 형성되는 하우징이 상세 구조의 하우징으로 가공된다.
S72. 화학 변환 필름 가공을 이용해 하우징의 표면 상에 화학 변환 박막을 형성하는 단계.
S73. 전기 연결 접촉부가 배치될 필요가 있는 하우징 상의 가공-예정 영역 상에 필름 파열 처리를 수행하여, 가공-예정 영역 내 화학 변환 박막을 제거하는 단계.
구체적으로, 가공-예정 영역 내 화학 변환 박막이 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용함으로써 제거될 수 있다.
S741. 가공-예정 영역 내에 니켈 층을 증착하는 단계.
니켈 층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어된다. 구체적으로, 니켈 층은 증착 방식, 가령, 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 또는 PVD을 이용해 형성될 수 있다.
상기 구현예에서, 니켈 층은 금속 인클로저의 공동 내 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 다이 캐스팅 금속(다시 캐스팅 알루미늄 합금/다이 캐스팅 마그네슘 합금) 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기 구현예에서 얻어진 니켈 층이 위에 증착된 다이 캐스팅 금속 인클로저에 대하여, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 50 mΩ 미만이고, 8-시간, 12-시간, 및 24-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 니켈 층이 명백히 부식되지 않으며, Z-저항이 명백히 증가하지 않고, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술에 비교할 때, 상기 구현예에서 제작된 다이 캐스팅 금속 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 도 7에 도시된 단계 S71 내지 단계 S741를 기초로, 상기의 금속 인클로저 제조 방법이 하기의 단계를 더 포함할 수 있다:
S742. 니켈 층 상에 구리 층을 증착하는 단계.
도 8에 도시된 구현예에서, 이중 금속 박층이 전기 연결 접촉부에 대응하는 가공-예정 영역 내에 잇따라 증착된다. 제1 층에서의 니켈 층의 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어되고, 제2 층에서의 구리 층의 두께가 또한 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어된다.
상기 구현예에서, 이중 금속 박층이 금속 인클로저의 공동 내 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 다이 캐스팅 금속(다이 캐스팅 알루미늄 합금/다이 캐스팅 마그네슘 합금) 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기 구현예에서 얻어지는 이중 금속 박층이 위에 증착된 다이 캐스팅 금속 인클로저에 대해, 실제 측정에서, 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 60 mΩ 미만이며, 8-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 이중 금속 박층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다.
전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교해서, 상기 구현예에서 제조된 다이 캐스팅 금속 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선될 수 있음을 알 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 상기의 금속 인클로저 제조 방법이 하기의 단계를 포함한다.
S91. 다이 캐스팅 기술을 이용함으로써, 제2 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계.
제2 금속 기저 물질은 다음 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다: 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금.
S92. 화학 변환 필름 가공을 이용해 하우징의 표면 상에 화학 변환 박막을 형성하는 단계.
S93. 가공-예정 영역 내 화학 변환 박막을 제거하도록, 전기 연결 접촉부가 배치될 필요가 있는 하우징 상의 가공-예정 영역 상에 필름 파열 처리를 수행하는 단계.
구체적으로, 가공-예정 영역 내 화학 변환 박막은 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용함으로써 제거될 수 있다.
S941. 가공-예정 영역 내에 구리 층을 증착하는 단계.
구리 층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어된다. 구체적으로, 구리 층은 증착 방식, 가령, 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 또는 PVD를 이용해 형성될 수 있다.
선택사항으로서, 단계 S941에서 증착되는 구리 층은 또한 구리 합금 층으로 대체될 수 있다.
상기 구현예에서, 구리 층은 금속 인클로저의 공동 내 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 다이 캐스팅 금속 (다이 캐스팅 알루미늄 합금/다이 캐스팅 마그네슘 합금) 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기 구현예에서 얻어지는 구리 층이 위에 증착된 다이 캐스팅 금속 인클로저에 대해서, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 50 mΩ 미만이고, 8-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 구리 층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교하여, 상기 구현예에서 제조되는 다이 캐스팅 금속 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선된다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 도 9에 도시된 단계 S91 내지 단계 S941를 기초로, 상기 금속 인클로저 제조 방법은 하기의 단계를 더 포함할 수 있다:
S942. 구리 층 상에 니켈 층을 증착하는 단계.
단계 S942가 수행된 후, 이중 금속 박층은 전기 연결 접촉부에 대응하는 가공-예정 영역 내에 잇따라 증착된다. 제1 층에서의 구리 층의 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어되고, 제2 층에서의 니켈 층의 두께가 또한 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어된다.
상기의 실시예에서, 단일 금속 박층이 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 증착되는 금속 인클로저 제조 방법과 이중 금속 박층이 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 증착되는 금속 인클로저 제조 방법이 별개로 기재된다. 실제 테스트 결과에 따르면, 단일 금속 박층이 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되는 경우, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 내부식성이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 내부식성보다 우수하지만, 니켈 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 저항률이 구리 층과 함께 증착된 전기 연결 접촉부의 저항률보다 높음, 즉, 니켈 층과 함께 증착된 전기 연결 접촉부의 전도율이 구리 층과 함께 증착되는 전기 연결 접촉부의 전도율보다 약간 나쁨을 알 수 있다. 따라서 이중 금속 박층이 증착되는 경우, 상부 층이 니켈 층인 때, 전기 연결 접촉부의 내부식성은, 상부 층이 구리 층인 경우 및 단일 구리 층이 증착되는 경우의 전기 연결 접촉부의 내부식성보다 우수하고, 저항률은 단일 니켈 층의 경우 및 단일 구리 층의 경우에서보다 높다.
도 11을 참조할 때, 본 발명의 구현 가능 실시예에서, 상기의 금속 인클로저 제조 방법이 하기의 단계를 포함한다.
S111. 지정 형성 기술을 이용함으로써 금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계.
선택사항으로서, 단계 S111에 대해, 상기 단계 S31이 특정하게 참조될 수 있으며, 제1 형성 기술을 이용함으로써 제1 금속 기저 물질이 지정 구조의 하우징으로 가공된다. 대안으로, 단계 S111에 대해, 상기 단계 S71가 특정하게 참조될 수 있으며, 다이 캐스팅 기술 및 수치 제어 가공 기술을 이용함으로써 제2 금속 기저 물질이 지정 구조의 하우징으로 가공된다. 특정 구현예에서, 상기 대응하는 실시예가 참조될 수 있으며, 본 명세서에서 세부사항은 기재되지 않는다.
S112. 금속 기저 물질에 따라 하우징의 표면 상에 보호 필름을 배치하는 단계.
S113. 가공-예정 영역 내 양극산화된 필름을 제거하기 위해, 전기 연결 접촉부가 배치될 필요가 있는 하우징 상의 가공-예정 영역 상에 필름 파열 처리를 수행하는 단계.
상기 실시예에 따라, 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질이 제1 금속 기저 물질인 때, 양극산화된 필름이 하우징의 표면 상에 배치될 수 있고, 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질이 제2 금속 기저 물질일 때, 화학 변환 필름이 하우징의 표면 상에 배치될 수 있다. 따라서 가공-예정 영역 내 양극산화된 필름 또는 화학 변환 필름이 구체적으로 단계 S113에서 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용함으로써 제거될 수 있다. 특정 구현예에서, 앞서 언급된 대응하는 실시예가 또한 참조될 수 있으며, 상세사항은 본 명세서에 기재되지 않는다.
S1141. 가공-예정 영역 내에 니켈 층을 증착하는 단계.
S1142. 니켈 층 상에 금 층을 증착하는 단계.
선택사항으로서, 본 발명의 이 실시예에서, 구체적으로, 니켈 층 및 금 층이 단계 S1141 및 단계 S1142에서 전기도금 방식으로 잇따라 증착된다. 하부 층에서의 니켈 층의 두께가 10 ㎛ 내지 500 ㎛로 제어되며, 상부 층에서의 금 층의 두께가 나노미터 수준으로 200 ㎚를 초과하는 값으로 제어된다.
도 11에 도시된 실시예에서, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 박층에 대해 이중-층 구조가 사용되는데, 금 층이 상부 층으로 사용되어, 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역의 훌륭한 전도율 및 내부식성을 보장할 수 있고, 니켈 층이 하부 층으로 사용되어, 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역의 우수한 내마모성을 보장할 수 있다.
상기에서 언급된 실시예 및 대응하는 테스트 결과 및 성능 분석을 기초로, 금속 박층의 물질은 실제 응용 시나리오에서 전기 연결 접촉부의 내부식성 및 전도율에 대한 요건에 따라 선택될 수 있다.
본 발명의 실시예는 금속 인클로저를 더 제공하며, 금속 인클로저는 하우징을 포함하고, 하우징은 지정 형성 기술을 이용함으로써 금속 기저 물질을 가공함으로써 형성된다. 금속 박층이 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되며, 금속 박층의 내마모성 및 내부식성이 금속 기저 물질보다 우수하다.
본 발명의 이 실시예에서의 금속 인클로저에 대해, 금속 박층이 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되고, 금속 박층의 내부식성이 하우징으로 사용되는 금속 기저 물질보다 우수하여, 사용 과정에서, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질이 노출되지 않고, 대신, 금속 박층이 노출되고 금속 스프링 플레이트와 접촉됨이 자명할 수 있다. 금속 박층은 높은 내마모성 및 높은 내부식성을 가지며, 금속 박층과 금속 스프링 플레이트 간 반복되는 가벼운 마찰 후 어떠한 금속 입자도 발생되지 않는다. 이러한 방식으로, 금속 인클로저를 이용하는 공정에서 전기 연결 접촉부의 전도율 감소를 피할 수 있으며, 금속 인클로저와 메인보드 간 전도 성능의 우수한 상태가 보장되며, 금속 인클로저가 안테나로서 사용될 때 금속 인클로저의 성능이 우수하게 유지된다. 종래 기술에서, 레이저 용접, 초음파 용접, 나사 고정 등에 의해 금속 슬라이스가 전기 연결 접촉부에 고정된다. 이와 달리, 본 발명의 이 실시예에서 금속 인클로저를 제조하는 공정에서, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 박층의 증착은 하우징의 공동 공간에 의해 제한되지 않는다, 즉, 금속 박층은 임의의 면적 크기의 전기 연결 접촉부 상에 증착될 수 있다. 따라서 본 발명의 이 실시예에서, 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉부의 전도 문제가 완전히 해결될 수 있다.
선택사항으로서, 본 발명의 금속 인클로저는 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 전자 디바이스의 중간 프레임, 후면 커버, 또는 스크린 지지 기판.
구현 가능 실시예에서, 상기 금속 인클로저의 하우징은 제1 형성 기술을 이용해 제1 금속 기저 물질을 가공함으로써 형성되는 하우징일 수 있다.
상기 제1 형성 기술은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 스탬핑, 단조, 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅.
제1 금속 기저 물질은 다음 중 임의의 것을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다: 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금.
선택사항으로서, 제1 금속 기저 물질을 가공함으로써 형성된 하우징을 기초로, 양극산화 공정에 의해 형성된 양극산화된 필름이 하우징 상의 비-전기 연결 접촉 영역 내에 더 배치된다. 구체적으로, 앞서 언급된 방법 실시예의 단계 S32 및 단계 S33에서의 방법이 사용될 수 있다: 우선 양극산화된 필름이 전체 하우징 상에 형성되고, 그 후 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용함으로써 전기 연결 접촉 영역 내 양극산화된 필름이 제거된다.
구현 가능 실시예에서, 앞서 언급된 금속 인클로저의 하우징은 다이 캐스팅 기술을 이용해 제2 금속 기저 물질을 가공함으로써 형성된 하우징일 수 있다.
제2 금속 기저 물질은 다음 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다: 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금.
선택사항으로서, 제2 금속 기저 물질을 가공함으로써 형성된 앞서 언급된 하우징을 기초로, 화학 변환 필름 가공에 의해 형성된 화학 변환 박막이 하우징 상의 비-전기 연결 접촉 영역 내에 더 배치된다. 구체적으로, 앞서 언급된 방법 실시예에서의 단계 S72 및 단계 S73의 방법이 사용될 수 있다: 우선 화학 변환 박막이 전체 하우징 상에 형성될 수 있고, 그 후 레이저 조각 또는 CNC 가공 기술을 이용함으로써 전기 연결 접촉 영역 내 화학 변환 박막이 제거된다.
구현 가능 실시예에서, 앞서 언급된 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되는 금속 박층이 니켈 층일 수 있으며, 니켈 층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛이다. 따라서 금속 인클로저의 단면 구조에 대해, 도 3의 단계 S341에 대응하는 구조 또는 도 7의 단계 S741에 대응하는 구조를 참조할 수 있다.
앞서 언급된 실시예에서, 니켈 층이 금속 인클로저 상의 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기 구현예에서 얻어진 니켈 층이 위에 증착된 금속 인클로저에 대해, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 50 mΩ 미만이고, 8-시간, 12-시간, 및 24-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 니켈 층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교해서, 상기 구현예에서 제조된 금속 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
구현 가능 실시예에서, 상기 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되는 금속 박층이 구리 층일 수 있고, 구리 층의 두께는 10 ㎛ 내지 500 ㎛이다. 따라서, 금속 인클로저의 단면 구조에 대해, 도 5의 단계 S541에 대응하는 구조 또는 도 9의 단계 S941에 대응하는 구조가 참조될 수 있다.
선택사항으로서, 이 실시예에서 구리 층이 구리 합금 층으로 대체될 수 있다.
상기 실시예에서, 구리 층은 금속 인클로저 상의 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있다. 실제 테스트로부터, 상기 구현예에서 얻어진 구리 층이 위에 증착된 금속 인클로저에 대해, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 50 mΩ 미만이고, 8-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 구리 층이 명백히 부식되지 않으며, Z-저항이 명백히 증가하지 않고, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교해서, 상기 구현예에서 제조된 금속 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
구현 가능 실시예에서, 상기 금속 인클로저 상의 전기 연결 접촉 영역 내에 증착된 금속 박층이 이중 금속 박층일 수 있다. 이중 금속 박층의 특정 구조는 적어도 하기의 세 가지 경우를 포함한다.
(1) 하부 층이 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖는 니켈 층이며, 상부 층은 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖는 구리 층이다. 따라서 금속 인클로저의 단면 구조에 대해, 도 4의 단계 S342에 대응하는 구조 또는 도 8의 단계 S742에 대응하는 구조를 참조할 수 있다.
(2) 하부 층이 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖는 구리 층이고 상부 층이 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖는 니켈 층이다. 따라서 금속 인클로저의 단면 구조에 대해, 도 6의 단계 S542에 대응하는 구조 또는 도 10의 단계 S942에 대응하는 구조가 참조될 수 있다.
(3) 하부 층이 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께를 갖는 니켈 층이고, 상부 층이 200 ㎚를 초과하는 두께를 갖는 금 층이다. 따라서 금속 인클로저의 단면 구조에 대해, 도 11의 단계 S1142에 대응하는 구조가 참조될 수 있다.
상기의 실시예가 금속 인클로저 상의 모든 전기 연결 접촉 영역 내에 이중 금속 박층이 증착되어, 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면이 산화로부터 보호될 수 있는 세 가지 구현예를 제공한다. 하부 층이 니켈 층이고 상부 층이 구리 층인 구조가 예시로서 사용된다. 실제 테스트로부터, 실제 측정에서 전기 연결 접촉 영역의 Z-저항이 60 mΩ 미만이고, 8-시간 중성염 분사 테스트 후, 각각의 전기 연결 접촉부의 이중 금속 박층이 명백히 부식되지 않고, Z-저항이 명백히 증가하지 않으며, 전도율 성능이 우수하게 유지됨을 알 수 있다.
금 층이 이중 금속 박층 구조에서 사용될 때, 금 층은 상부 층에 배치되어, 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역이 우수한 전도율 및 내부식성을 가짐을 보장할 수 있고, 니켈 층은 하부 층으로서 사용되어, 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역이 우수한 내마모성을 가짐을 보장할 수 있다.
전기 연결 접촉부를 형성하기 위해 하우징의 금속 기저 물질이 직접 노출되는 종래 기술과 비교할 때, 금속 박층을 가지며 상기의 구현예에서 제작된 금속 인클로저의 내산화성 및 내부식성이 크게 개선됨을 알 수 있다.
해당 분야의 통상의 기술자라면, 본 발명의 제공된 모든 실시예의 기재들 간에 상호 참조가 이뤄질 수 있음을 명백히 이해할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서 제공되는 각각의 장치 및 디바이스의 기능 및 실행 단계에 대한 기재의 편의와 간략화를 위해, 본 발명의 방법 실시예에서 대응하는 기재가 참조될 수 있다.
상기의 기재는 본 발명의 특정 실시예에 불과하고, 본 발명의 보호 범위를 한정하려는 의도를 갖지 않는다. 본 발명에서 개시된 기술적 범위 내에서 해당 분야의 통상의 기술자가 쉽게 발견한 임의의 변형 또는 개체가 본 발명의 보호 범위 내에 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호 범위는 청구항의 보호 범위에 속할 것이다.

Claims (16)

  1. 금속 인클로저 제조 방법으로서,
    금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계, 및
    상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계를 포함하며,
    상기 가공-예정 영역은 상기 하우징 상에 있고 전기 연결 접촉부로서 사용되는 영역이며, 상기 금속 박층의 내마모성과 내부식성 모두 상기 금속 기저 물질의 내마모성과 내부식성보다 우수한,
    금속 인클로저 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계는
    지정 증착 방식으로 상기 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 상기 금속 박층을 증착하는 단계를 포함하고,
    상기 지정 증착 방식은, 저온 금속 분사, 고온 금속 분사, 전기도금, 또는 물리 기상 증착(PVD) 중 임의의 것을 포함하나 이에 한정되지는 않는,
    금속 인클로저 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계는
    상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 니켈 층을 증착하는 단계, 또는
    상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 구리 층을 증착하는 단계, 또는
    상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 니켈 층과 구리 층을 잇따라 증착하는 단계, 또는
    상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 구리 층과 니켈 층을 잇따라 증착하는 단계, 또는
    상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 니켈 층과 금 층을 잇따라 증착하는 단계를 포함하는,
    금속 인클로저 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    니켈 층의 두께와 구리 층의 두께 모두 10 ㎛ 내지 500 ㎛이고, 금 층의 두께는 200 ㎚를 초과하는,
    금속 인클로저 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계는
    제1 형성 기술을 이용해, 제1 금속 기저 물질을 상기 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 형성 기술은 스탬핑, 단조, 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니고,
    제1 금속 기저 물질은 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아닌,
    금속 인클로저 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계 전에, 상기 방법은
    양극 산화 공정에 의해 상기 하우징의 표면 상에 양극산화된 필름을 형성하는 단계, 및
    레이저 조각 기술 또는 수치 제어 가공 기술을 이용해 상기 가공-예정 영역 내에서 양극산화된 필름을 제거해, 상기 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질을 노출시키는 단계를 더 포함하는,
    금속 인클로저 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    금속 기저 물질을 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계는
    다이 캐스팅 기술 및 수치 제어 가공 기술을 이용해 제2 금속 기저 물질을 상기 지정 구조의 하우징으로 가공하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 금속 기저 물질은 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금을 포함하나, 이에 한정되지 않는,
    금속 인클로저 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하우징 상의 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층을 증착하는 단계 전에, 상기 방법은
    화학 변환 필름 가공에 의해 상기 하우징의 표면 상에 화학 변환 필름을 형성하는 단계, 및
    레이저 조각 기술 또는 수치 제어 가공 기술을 이용해 상기 가공-예정 영역 내 화학 변환 필름을 제거하여, 상기 가공-예정 영역 내 금속 기저 물질을 노출시키는 단계를 더 포함하는,
    금속 인클로저 제조 방법.
  9. 하우징을 포함하는 금속 인클로저로서,
    상기 하우징 상의 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 금속 박층이 증착되고, 상기 금속 박층의 내마모성 및 내부식성이 상기 금속 기저 물질의 내마모성 및 내부식성보다 우수한,
    금속 인클로저.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속 박층은
    상기 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 증착되는 니켈 층, 또는
    상기 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 증착되는 구리 층, 또는
    상기 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 잇따라 증착되는 니켈 층과 구리 층, 또는
    상기 전기 연결 접촉 영역 내 금속 기저 물질의 표면 상에 잇따라 증착되는 구리 층과 니켈 층, 또는
    상기 가공-예정 영역 내 상기 금속 기저 물질의 표면 상에 잇따라 증착되는 니켈 층과 금 층을 포함하는,
    금속 인클로저.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    니켈 증의 두께와 구리 층의 두께는 모두 10 ㎛ 내지 500 ㎛이고, 금 층의 두께는 200 ㎚를 초과하는,
    금속 인클로저.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 하우징은 제1 형성 기술을 이용해 제1 금속 기저 물질을 가공함으로써 획득된 하우징이며,
    상기 제1 형성 기술은 스탬핑, 단조, 수치 제어 가공, 또는 다이 캐스팅 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되지 않고,
    상기 제1 금속 기저 물질은 5000-시리즈 알루미늄 합금, 6000-시리즈 알루미늄 합금, 또는 7000-시리즈 알루미늄 합금 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되지 않는,
    금속 인클로저.
  13. 제12항에 있어서,
    양극산화된 필름이 상기 하우징 상의 비(non)-전기 연결 접촉 영역 내에 배치되는,
    금속 인클로저.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 하우징은 다이 캐스팅 기술을 이용해 제2 금속 기저 물질을 가공함으로써 획득된 하우징이며,
    상기 제2 금속 기저 물질은 다이 캐스팅 알루미늄 합금 또는 다이 캐스팅 마그네슘 합금을 포함하나, 이에 한정되지는 않는,
    금속 인클로저.
  15. 제14항에 있어서,
    화학 변환 박막이 상기 하우징 상의 비-전기 연결 접촉 영역 내에 배치되는,
    금속 인클로저.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 금속 인클로저는 전자 디바이스의 중간 프레임, 후면 커버, 또는 스크린 지지 기판 중 임의의 것을 포함하나, 이에 한정되지는 않는,
    금속 인클로저.
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