JP2013166999A - 半導体装置の製造方法及び遮蔽板 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び遮蔽板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013166999A JP2013166999A JP2012031452A JP2012031452A JP2013166999A JP 2013166999 A JP2013166999 A JP 2013166999A JP 2012031452 A JP2012031452 A JP 2012031452A JP 2012031452 A JP2012031452 A JP 2012031452A JP 2013166999 A JP2013166999 A JP 2013166999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- semiconductor wafer
- jig
- shielding plate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【課題】メッキ膜の膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及びその製造方法において用いられる遮蔽板を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1及び第2領域を有する半導体ウエハー100を用意する工程と、第1及び第2領域に第1導電層を形成する工程と、電気的接続部を有する治具に第1導電層を電気的接続部に接触させた状態で半導体ウエハーを搭載する工程と、半導体ウエハーの第1導電層側の面を陽極板と正対させ且つ開口部を有する遮蔽板90aを半導体ウエハーと陽極板との間に介在させて半導体ウエハーを搭載した治具をメッキ液中に浸漬する工程と、第1導電層上に第2導電層を形成する工程とを有し、遮蔽板90aは開口部内に延びる凸部を備え、凸部は半導体ウエハーにおいて電気的接続部が第1導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向している。
【選択図】図7
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1及び第2領域を有する半導体ウエハー100を用意する工程と、第1及び第2領域に第1導電層を形成する工程と、電気的接続部を有する治具に第1導電層を電気的接続部に接触させた状態で半導体ウエハーを搭載する工程と、半導体ウエハーの第1導電層側の面を陽極板と正対させ且つ開口部を有する遮蔽板90aを半導体ウエハーと陽極板との間に介在させて半導体ウエハーを搭載した治具をメッキ液中に浸漬する工程と、第1導電層上に第2導電層を形成する工程とを有し、遮蔽板90aは開口部内に延びる凸部を備え、凸部は半導体ウエハーにおいて電気的接続部が第1導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向している。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び遮蔽板に関する。
供給部であるリング状電極を有し、その電極とメッキ液とを遮断するためのシーリング部材を有した半導体ウエハー用のメッキ治具が知られている(特許文献1)。このメッキ治具には外部端子が設けられており、その外部端子から供給された電流はメッキ治具内に埋め込まれた配線を経由してリング状電極に給電される。
例えば、WCSP(Wafer Level Chip Size Package)構造を有する半導体装置の製造工程で、上記のメッキ治具を用いて半導体ウエハーに電解メッキ処理を行う場合、メッキ治具のリング状電極と半導体ウエハーの上に形成された導電層とを接触させて給電を行うことが必要である(特許文献1)。
例えば、WCSP(Wafer Level Chip Size Package)構造を有する半導体装置の製造工程で、上記のメッキ治具を用いて半導体ウエハーに電解メッキ処理を行う場合、メッキ治具のリング状電極と半導体ウエハーの上に形成された導電層とを接触させて給電を行うことが必要である(特許文献1)。
しかしながら、上述のリング状電極には配線を経由して電流が給電されるため、このリング状電極と配線との接続部(以下、「電気的接続部」ともいう。)に電界が集中しやすくなる。この結果、電気的接続部周辺ではメッキの成長が促進される場合がある。このため、メッキ膜厚が部分的に厚くなってしまい、メッキ膜厚の均一性を担保することが難しいという課題があった。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、電解メッキ工程において、メッキ膜の膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及びその製造方法において用いられる遮蔽板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の一態様は、少なくとも第1の領域及び前記第1の領域を囲む第2の領域に集積回路が形成された半導体ウエハーを用意する工程と、前記第1の領域及び前記第2の領域に形成された前記集積回路の上に第1の導電層を形成する工程と、前記第1の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有する治具に対し、前記第2の領域に形成した前記第1の導電層を前記電気的接続部に接触させた状態で、前記半導体ウエハーを設置する工程と、前記治具に対し設置された前記半導体ウエハーの前記第1の導電層側の面を、電圧が印加された陽極板と正対させ、且つ電流を通過させる開口部を有する電流の遮蔽板を前記半導体ウエハーと前記陽極板との間に介在させて、前記半導体ウエハーを設置した前記治具をメッキ液中に浸漬する工程と、前記治具をメッキ液中に浸漬する工程後、前記電極に前記電流を供給して前記第1の導電層の上に第2の導電層を形成する工程と、を有し、前記遮蔽板は、前記開口部内に延びる凸部を備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第1の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
上記態様の半導体装置の製造方法であれば、電解メッキ処理をする際に、電気的接続部周辺(つまり、電気的接続部が第1の導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分)は遮蔽板の凸部で遮蔽されるので、電気的接続部周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。よって、半導体ウエハーの上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
なお、「陽極板」とは、後述する実施形態における「アノード電極115」を指すものである。また、「電気的接続部が第1の導電層と接触した部分及びこれに続く半導体ウエハーの中心側に張り出した部分」とは、後述する実施形態における「領域43」を指すものである。また、「治具」とは、後述する実施形態における「マスク治具70」を指すものである。
また、本発明の別の態様は、半導体ウエハーに形成された第1の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有し、且つ前記電気的接続部を前記第1の導電層と接触させた状態で前記半導体ウエハーを設置した治具と、電圧が印加された陽極板と、を用いて前記第1の導電層の上に第2の導電層を電解メッキで形成する際に、前記半導体ウエハーの前記第1の導電層側の面と前記陽極板との間に介在させる遮蔽板であって、前記遮蔽板は、電流を通過させる開口部と前記開口部内に延びる凸部とを備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第1の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする遮蔽板である。
上記態様の遮蔽板であれば、電解メッキ処理をする際に、電気的接続部周辺を遮蔽板の凸部で遮蔽することができるので、電気的接続部周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。よって、半導体ウエハーの上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
以下、本発明の実施形態に係る半導体ウエハー、メッキ治具、遮蔽板、陽極板、及びその遮蔽板を用いた半導体装置の製造方法について、順次説明する。
(1)半導体ウエハー
図1(a)は半導体ウエハー10の正面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A′線断面図である。半導体ウエハー10は、シリコンウエハーからなる半導体基板であり、半導体ウエハー10の平面形状は、図1(a)に示すように、一部が切り欠かれた円形である。なお、半導体ウエハー10は、例えば、複数に分割されてなる分割基板であってもよい(図示せず)。
(1)半導体ウエハー
図1(a)は半導体ウエハー10の正面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A′線断面図である。半導体ウエハー10は、シリコンウエハーからなる半導体基板であり、半導体ウエハー10の平面形状は、図1(a)に示すように、一部が切り欠かれた円形である。なお、半導体ウエハー10は、例えば、複数に分割されてなる分割基板であってもよい(図示せず)。
半導体ウエハー10は、図1(a)に示すように、有効チップ領域である第1の領域20(図1(a)の灰色で示された領域)と、第1の領域20を囲む第2の領域30(図1(a)の白色で示された領域)と、を有している。
第1の領域20は、有効チップ領域であって、製品となる半導体チップを含む領域である。また、図1(b)に示すように、第1の領域20は半導体ウエハー10の中央部に形成されており、第1の領域20には複数の集積回路5が形成されている。図1(a)に示すように、切断ラインLは隣り合った半導体チップとなる部分の境界線を示すものである。この切断ラインLによって区画された1つの個別チップ領域11は、切断されて半導体チップとなる領域である。それぞれの個別チップ領域11には、一つの集積回路5及び図示されない保護膜(いわゆるパッシベーション膜)、集積回路5に接続される電極等の構造体が形成されている。
第1の領域20は、有効チップ領域であって、製品となる半導体チップを含む領域である。また、図1(b)に示すように、第1の領域20は半導体ウエハー10の中央部に形成されており、第1の領域20には複数の集積回路5が形成されている。図1(a)に示すように、切断ラインLは隣り合った半導体チップとなる部分の境界線を示すものである。この切断ラインLによって区画された1つの個別チップ領域11は、切断されて半導体チップとなる領域である。それぞれの個別チップ領域11には、一つの集積回路5及び図示されない保護膜(いわゆるパッシベーション膜)、集積回路5に接続される電極等の構造体が形成されている。
第2の領域30は、図1(a)及び(b)に示すように、第1の領域20を囲む領域である。ここで、第2の領域30は製品とならない半導体チップを含む領域である。図1(a)に示すように、第2の領域30においても、複数の個別チップ領域11が形成される。
なお、半導体ウエハー10の第1の領域20及び第2の領域30の配置は、半導体装置のデザインの際に適宜決定される設計事項である。
なお、半導体ウエハー10の第1の領域20及び第2の領域30の配置は、半導体装置のデザインの際に適宜決定される設計事項である。
(2)メッキ治具
本実施形態に係るメッキ治具は、大別すると図2に示されるマスク治具70と、図3に示される裏蓋治具80とにより構成されている。図2(a)はマスク治具70の正面図であり、図2(b)はマスク治具70の断面図である。また、図3(a)は裏蓋治具80の正面図であり、図3(b)は裏蓋治具80の断面図である。
図2(a)及び(b)に示すように、マスク治具70は、例えば四角形の板状部材からなり、基板71の中央部から外れた位置に開口部71aが形成されている。開口部71aの周辺部には、環状形状を有した弾性部材72が開口部71aに沿って配置されている。弾性部材72は、弾性を有する材料からなる部材であれば特に限定されず、例えばシリコンゴムであってもよい。弾性部材72は、リング状の給電用端子である電極73(以下、「リング状電極73」ともいう。)と基板71との間に配置された弾性層72aと、弾性層72aから突出し、リング状の形状を有するシーリング部72bとを有している。シーリング部72bは、液体のシーリング機能を有していればよく、シールゴムやOリングであってもよい。シーリング部72bの周囲であって、弾性層72aの上には、リング状電極73が配置されている。リング状電極73は、図2(a)に示すように、環状形状を有していてもよいし、不連続に複数配置されていてもよい(図示せず)。リング状電極73は、マスク治具70に配置された外部接続端子74と配線75とを介して電気的に接続されている。図2(a)に示すように、リング状電極73に配線75が接続する部分を電気的接続部73aとする。リング状電極73を囲むように、開口部71aと同心円の壁面76がリング状電極73と離間して形成されている。さらに、開口部71aの外周と離間した位置には、複数のネジ孔77が形成されている。ネジ孔77は、後述される裏蓋治具80をネジによって固定する際に用いる。
本実施形態に係るメッキ治具は、大別すると図2に示されるマスク治具70と、図3に示される裏蓋治具80とにより構成されている。図2(a)はマスク治具70の正面図であり、図2(b)はマスク治具70の断面図である。また、図3(a)は裏蓋治具80の正面図であり、図3(b)は裏蓋治具80の断面図である。
図2(a)及び(b)に示すように、マスク治具70は、例えば四角形の板状部材からなり、基板71の中央部から外れた位置に開口部71aが形成されている。開口部71aの周辺部には、環状形状を有した弾性部材72が開口部71aに沿って配置されている。弾性部材72は、弾性を有する材料からなる部材であれば特に限定されず、例えばシリコンゴムであってもよい。弾性部材72は、リング状の給電用端子である電極73(以下、「リング状電極73」ともいう。)と基板71との間に配置された弾性層72aと、弾性層72aから突出し、リング状の形状を有するシーリング部72bとを有している。シーリング部72bは、液体のシーリング機能を有していればよく、シールゴムやOリングであってもよい。シーリング部72bの周囲であって、弾性層72aの上には、リング状電極73が配置されている。リング状電極73は、図2(a)に示すように、環状形状を有していてもよいし、不連続に複数配置されていてもよい(図示せず)。リング状電極73は、マスク治具70に配置された外部接続端子74と配線75とを介して電気的に接続されている。図2(a)に示すように、リング状電極73に配線75が接続する部分を電気的接続部73aとする。リング状電極73を囲むように、開口部71aと同心円の壁面76がリング状電極73と離間して形成されている。さらに、開口部71aの外周と離間した位置には、複数のネジ孔77が形成されている。ネジ孔77は、後述される裏蓋治具80をネジによって固定する際に用いる。
なお、図2(a)には、一対の電気的接続部73aを有するマスク治具70が記載されているが、電気的接続部73aは一対に限定されるものではない。例えば、二対の電気的接続部73aを有するマスク治具であってもよい。
また、電気的接続部73aが配置される位置も、対向する位置に限定されるものではない。例えば、対向しない位置に2つの電気的接続部73aを配置してもよい。
また、電気的接続部73aが配置される位置も、対向する位置に限定されるものではない。例えば、対向しない位置に2つの電気的接続部73aを配置してもよい。
図3(a)に示すように、裏蓋治具80は、大別すると蓋体81と複数(本実施形態では2本)の固定フレーム82とにより構成されている。蓋体81は円板状の部材からなり、その大きさは上述の半導体ウエハー10の直径よりも大きな直径を有している。また、図3(b)に示すように、蓋体81の固定フレーム82が形成された反対の面の全てには、シールゴム84が配置されている。
(3)遮蔽板及び陽極板
図4は、本実施形態に係る遮蔽板90aの正面図である。図4に示すように、遮蔽板90aは、円板状の部材からなり、中心部に開口部91を備えた本体92と、この本体92の内側から開口部91内に突出して一体に形成された凸部93とからなる。本体92は内径Xを有し、凸部93の先端93aは曲率半径Y/2の円弧をなし、開口部91の中心94は前記円弧の中心と同一である。凸部93は、開口部91の中心94を介して対向する位置に一対設けられている。なお、円93bは、半径がY/2の円である。
図4は、本実施形態に係る遮蔽板90aの正面図である。図4に示すように、遮蔽板90aは、円板状の部材からなり、中心部に開口部91を備えた本体92と、この本体92の内側から開口部91内に突出して一体に形成された凸部93とからなる。本体92は内径Xを有し、凸部93の先端93aは曲率半径Y/2の円弧をなし、開口部91の中心94は前記円弧の中心と同一である。凸部93は、開口部91の中心94を介して対向する位置に一対設けられている。なお、円93bは、半径がY/2の円である。
ここで、凸部93の数については特に制限を受けないが、後述するように、半導体ウエハー10を電解メッキ処理する際、凸部93はマスク治具70に配置された電気的接続部73a周辺(つまり、接触部分42及びこれに続く半導体ウエハー10の中心側に張り出した部分)を覆うようにして配置されるものである。このため、凸部93の数は、電気的接続部73aの数と同数以上であることが望ましい。つまり、図4には一対の凸部93が示されているが、これは遮蔽板90aとともに用いられるマスク治具70に配置された電気的接続部73aが一対となっているからである。例えば、二対の電気的接続部73aを有するマスク治具を用いて電解メッキ処理する場合には、そのマスク治具とともに用いられる遮蔽板90bには二対の凸部93が配置されていることが望ましい(図9を参照)。
また、凸部93の配置位置は、電解メッキ処理する際に電気的接続部73a周辺を覆うことができる位置であれば、特に制限を受けない。
また、凸部93の形状は、電解メッキ処理する際に電気的接続部73a周辺を覆うことができる形状であれば、特に制限を受けない。
陽極板(以下、「アノード電極」ともいう。)115(図7を参照)は、例えば四角形の白金(Pt)メッキされたチタン(Ti)板である。
また、凸部93の形状は、電解メッキ処理する際に電気的接続部73a周辺を覆うことができる形状であれば、特に制限を受けない。
陽極板(以下、「アノード電極」ともいう。)115(図7を参照)は、例えば四角形の白金(Pt)メッキされたチタン(Ti)板である。
(4)半導体装置の製造方法
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、上述の半導体ウエハー10、メッキ治具(つまり、マスク治具70と裏蓋治具80)、遮蔽板90a、及び陽極板115を用いる。
まず、上述の半導体ウエハー10を用意する。次に、図5(a)に示すように、半導体ウエハー10の第1の領域20及び第2の領域30に第1の導電層40を形成する。第1の導電層40の成膜方法には、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第1の導電層40はスパッタリング法等を用いて形成される。第1の導電層40は、導電性の膜であればよく、例えば、銅(Cu)、チタンタングステン(TiW)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちいずれか1つ又は複数を積層することで、形成される。なお、この第1の導電層40は半導体ウエハー10の全面に形成されていてもよいし、所定の形状にパターニングされていてもよい(図示せず)。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、上述の半導体ウエハー10、メッキ治具(つまり、マスク治具70と裏蓋治具80)、遮蔽板90a、及び陽極板115を用いる。
まず、上述の半導体ウエハー10を用意する。次に、図5(a)に示すように、半導体ウエハー10の第1の領域20及び第2の領域30に第1の導電層40を形成する。第1の導電層40の成膜方法には、公知の成膜方法を用いることができる。例えば、第1の導電層40はスパッタリング法等を用いて形成される。第1の導電層40は、導電性の膜であればよく、例えば、銅(Cu)、チタンタングステン(TiW)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちいずれか1つ又は複数を積層することで、形成される。なお、この第1の導電層40は半導体ウエハー10の全面に形成されていてもよいし、所定の形状にパターニングされていてもよい(図示せず)。
次に、図5(b)に示すように、第1の導電層40の上にレジスト層50を形成する。このレジスト層50は、第1の領域20及び第2の領域30を覆うように形成される。
次に図5(c)に示すように、レジスト層50をパターニングする。レジスト層50をパターニングする方法は特に限定されず、例えば、露光処理及び現像処理によってエッチングされ、パターニングされる。ここで、図5(c)は、第1の導電層40の上に形成されたレジスト層50が所望の形状にパターニングされ、第1の領域20に第1レジスト層53が形成された様子を示している。
次に図5(c)に示すように、レジスト層50をパターニングする。レジスト層50をパターニングする方法は特に限定されず、例えば、露光処理及び現像処理によってエッチングされ、パターニングされる。ここで、図5(c)は、第1の導電層40の上に形成されたレジスト層50が所望の形状にパターニングされ、第1の領域20に第1レジスト層53が形成された様子を示している。
図6(a)及び(b)は、上述のパターニング工程を経た半導体ウエハー10をマスク治具70に装着する工程を模式的に説明する図である。図6(a)に示すように、半導体ウエハー10の第1の導電層40及び第1レジスト層53が形成された面をマスク治具70側に向けて位置合わせをし、半導体ウエハー10をマスク治具70に装着する。位置合わせでは、リング状電極73が第2の領域30に形成された第1の導電層40と接するように配置する。これにより、リング状電極73は半導体ウエハー10に対して給電を行うことができる。ここで、リング状電極73の電気的接続部73aと第2の領域30に形成された第1の導電層40とが接する部分を接触部分42とする。また、この接触部分42及びこれに続く半導体ウエハー10の中心側に張り出した部分を領域43とする(図6(a)を参照)。
半導体ウエハー10をマスク治具70に装着した後、図6(b)に示すように、半導体ウエハー10を裏蓋治具80で固定する。この際、例えば、ネジ(図示せず)を用いて固定してもよいし、マスク治具70本体に予め取り付けられたフック(図示せず)を用いて固定してもよい。例えば、上記ネジを用いる場合には、上記ネジを裏蓋治具80の貫通孔83に貫通させ、マスク治具70のネジ孔77にねじ込むことによって裏蓋治具80をマスク治具70に固定してもよい。なお、裏蓋治具80をマスク治具70に固定する方法については、特に限定されるものではない。
半導体ウエハー10をマスク治具70に裏蓋治具80で固定する際には、マスク治具70に半導体ウエハー10を押し当てるように押圧する。これにより、第2の領域30の第1の導電層40は、押圧されてリング状電極73と確実に接触する。例えば、ネジ孔77を所定のトルクで締め付けることによって、所定の押圧力を加えることができる。ここで、過剰な押圧力は、マスク治具70の弾性部材72や、裏蓋治具80のシールドゴム84によって吸収される。
以上の工程により、第1の導電層40とリング状電極73とが確実に接触して、半導体ウエハー10はマスク治具70と裏蓋治具80とに装着される。ここで、マスク治具70と裏蓋治具80とに装着された半導体ウエハー10を半導体ウエハー100とする。
次に、半導体ウエハー100をメッキ液中に浸漬し、電解メッキ処理を行う。この電解メッキ処理では、図7(a)及び(b)に示すメッキ装置110を用いる。図7(a)はメッキ装置110を上から見た図であり、図7(b)は図7(a)のB−B′線断面図である。図7(a)及び(b)に示すように、メッキ装置110は、メッキ液111と、メッキ槽112と、電源113と、カソード電極114と、アノード電極115と、遮蔽板90aと、遮蔽板ホルダー95と、メッキ液噴出口116、撹拌棒117と、オバーフロー槽118とを含んでいる。メッキ液111は、カソード電極114と遮蔽板90aとの間であってメッキ槽112の底部に配置されたメッキ液噴出口116から噴出しオバーフロー槽118へと流れ込むように、メッキ槽112内を循環している。撹拌棒117は、半導体ウエハー100と遮蔽板90aとの間に設置され、半導体ウエハー100に対して平行に動くことができる。このため、メッキ液111を撹拌することができる。また、遮蔽板90aには、開口部91を覆うようにしてメッキ液111の流れをコントロールする拡散板等を取り付けてもよい(図示せず)。
次に、半導体ウエハー100をメッキ液中に浸漬し、電解メッキ処理を行う。この電解メッキ処理では、図7(a)及び(b)に示すメッキ装置110を用いる。図7(a)はメッキ装置110を上から見た図であり、図7(b)は図7(a)のB−B′線断面図である。図7(a)及び(b)に示すように、メッキ装置110は、メッキ液111と、メッキ槽112と、電源113と、カソード電極114と、アノード電極115と、遮蔽板90aと、遮蔽板ホルダー95と、メッキ液噴出口116、撹拌棒117と、オバーフロー槽118とを含んでいる。メッキ液111は、カソード電極114と遮蔽板90aとの間であってメッキ槽112の底部に配置されたメッキ液噴出口116から噴出しオバーフロー槽118へと流れ込むように、メッキ槽112内を循環している。撹拌棒117は、半導体ウエハー100と遮蔽板90aとの間に設置され、半導体ウエハー100に対して平行に動くことができる。このため、メッキ液111を撹拌することができる。また、遮蔽板90aには、開口部91を覆うようにしてメッキ液111の流れをコントロールする拡散板等を取り付けてもよい(図示せず)。
半導体ウエハー100をメッキ液中に浸漬する際には、半導体ウエハー10の第1の導電層40が形成された面をアノード電極115と正対させて配置する。また、半導体ウエハー100とアノード電極115との間に遮蔽板90aを配置する。遮蔽板90aを配置する際には、領域43の少なくとも一部を遮蔽板90aの凸部93で覆うようにして配置する。
その後、マスク治具70の外部接続端子74とカソード電極114とを電気的に接続し、電源113から、カソード電極114、外部接続端子74及びリング状電極73を介して、リング状電極73と接触している第1の導電層40に給電し、電解メッキ処理を行う。
電解メッキ処理により、図8(a)に示すように、第1の導電層40の上のレジスト層50が除去された部分(つまり、第1レジスト層53で覆われていない部分)に第2の導電層120が形成される。例えば、メッキ液111に銅イオンを含むメッキ液(例えば、硫酸銅五水和物溶液)を用いた場合には、第2の導電層120として銅メッキが形成される。また、銅イオン以外の金属イオンを含むメッキ液を用いることで、銅以外の金属をメッキすることができる。第2の電導層120は、導電性の膜であれば特に限定されない。第2の電導層120は、例えば、銅(Cu)、チタンタングステン(TiW)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちいずれか1つ又は複数を積層することで形成されてもよい。
電解メッキ処理により、図8(a)に示すように、第1の導電層40の上のレジスト層50が除去された部分(つまり、第1レジスト層53で覆われていない部分)に第2の導電層120が形成される。例えば、メッキ液111に銅イオンを含むメッキ液(例えば、硫酸銅五水和物溶液)を用いた場合には、第2の導電層120として銅メッキが形成される。また、銅イオン以外の金属イオンを含むメッキ液を用いることで、銅以外の金属をメッキすることができる。第2の電導層120は、導電性の膜であれば特に限定されない。第2の電導層120は、例えば、銅(Cu)、チタンタングステン(TiW)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちいずれか1つ又は複数を積層することで形成されてもよい。
また、図8(b)に示すように、第2の電導層120を形成した後、第1レジスト層53を除去してもよい。
なお、本実施形態では、アノード電極115にPtメッキされたTi板を用いる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、溶解性アノード電極を用いることもできる。また、遮蔽板ホルダー95は遮蔽板90aを保持するためのものであり、遮蔽板90aを安定的に保持することができれば、形状・材料は限定されない。
なお、本実施形態では、アノード電極115にPtメッキされたTi板を用いる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、溶解性アノード電極を用いることもできる。また、遮蔽板ホルダー95は遮蔽板90aを保持するためのものであり、遮蔽板90aを安定的に保持することができれば、形状・材料は限定されない。
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法及びこの製造方法に用いられる遮蔽板によれば、電気的接続部73周辺(つまり、電気的接続部73が第1の導電層40と接触した部分42及びこれに続く半導体ウエハー10の中心側に張り出した部分)を遮蔽板90aに備わる凸部93で電解メッキする際に流れる電流を遮蔽することができる。このため、電気的接続部73a周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。よって、半導体ウエハー10の上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
(変形例)
以下、本実施形態に係る半導体装置の変形例を説明する。図10は、いわゆる「カップ式」と呼ばれるメッキ装置210の断面図である。メッキ装置210と上述のメッキ装置110とは、概ねその構造は同じである。しかしながら、メッキ装置210では、陽極板215の中央部に開口部215aを有しており、その開口部215aから半導体ウエハー100に向かってメッキ液111が噴出し、メッキ装置210の両側から排出されている点が異なっている。なお、図中の矢印はメッキ液111の流れを示している。
以下、本実施形態に係る半導体装置の変形例を説明する。図10は、いわゆる「カップ式」と呼ばれるメッキ装置210の断面図である。メッキ装置210と上述のメッキ装置110とは、概ねその構造は同じである。しかしながら、メッキ装置210では、陽極板215の中央部に開口部215aを有しており、その開口部215aから半導体ウエハー100に向かってメッキ液111が噴出し、メッキ装置210の両側から排出されている点が異なっている。なお、図中の矢印はメッキ液111の流れを示している。
メッキ装置210を用いた電解メッキ処理においても、メッキ装置110を用いた電解メッキ処理の場合と同様に、遮蔽板90aを保持した遮蔽板ホルダー95が半導体ウエハー100と陽極板215との間に配置されている。また、遮蔽板90aの開口部91に備わる凸部93は、電気的接続部73周辺を覆うようにして配置されている(図示せず)。このため、メッキ装置210を用いて電解メッキ処理した場合であっても、電気的接続部73周辺を遮蔽板90aに備わる凸部93で電解メッキする際に流れる電流を遮蔽することができる。よって、電気的接続部73a周辺での電流分布が疎になり、電界の集中を防ぐことができる。ゆえに、半導体ウエハー10の上にメッキ膜を均一の膜厚で形成することができる。
なお、メッキ装置210を用いて電解メッキ処理する場合の工程は、上述のメッキ装置110を用いて電解メッキ処理する場合と同様である。
5 集積回路、10 半導体ウエハー、11 個別チップ領域、20 第1の領域、30 第2の領域、40 第1の導電層、42 接触部分、43 領域、50 レジスト層、53 第1レジスト層、70 マスク治具、71 基板、71a 開口部、72 弾性部材、72a 弾性層、72b シーリング部、73 リング状電極、73a 電気的接続部、74 外部接続端子、75 配線、76 壁部、77 ネジ孔、80 裏蓋治具、81 蓋体、82 固定フレーム、83 貫通孔、84 シールゴム、90a 遮蔽板、90b 遮蔽板、91 開口部、92 本体、93 凸部、93a 凸部の先端、93b 半径Y/2の円、94 開口部の中心、95 遮蔽板ホルダー、100 半導体ウエハー、110 メッキ装置、111 メッキ液、112 メッキ槽、113 電源、114 カソード電極、115 アノード電極、116 メッキ液噴出口、117 撹拌棒、118 オーバーフロー槽、120 第2の導電層、210 メッキ装置、215 アノード電極、215a 開口部、L 切断ライン、X 開口部の内径、Y 凸部の先端部間の距離
Claims (2)
- 少なくとも第1の領域及び前記第1の領域を囲む第2の領域に集積回路が形成された半導体ウエハーを用意する工程と、
前記第1の領域及び前記第2の領域に形成された前記集積回路の上に第1の導電層を形成する工程と、
前記第1の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有する治具に対し、前記第2の領域に形成した前記第1の導電層を前記電気的接続部に接触させた状態で、前記半導体ウエハーを設置する工程と、
前記治具に対し設置された前記半導体ウエハーの前記第1の導電層側の面を、電圧が印加された陽極板と正対させ、且つ電流を通過させる開口部を有する電流の遮蔽板を前記半導体ウエハーと前記陽極板との間に介在させて、前記半導体ウエハーを設置した前記治具をメッキ液中に浸漬する工程と、
前記治具をメッキ液中に浸漬する工程後、前記電極に前記電流を供給して前記第1の導電層の上に第2の導電層を形成する工程と、を有し、
前記遮蔽板は、前記開口部内に延びる凸部を備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第1の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウエハーに形成された第1の導電層に電流を供給する電極及び前記電極の電気的接続部に接続され前記電極に電流を供給する配線を有し、且つ前記電気的接続部を前記第1の導電層と接触させた状態で前記半導体ウエハーを設置した治具と、電圧が印加された陽極板と、を用いて前記第1の導電層の上に第2の導電層を電解メッキで形成する際に、前記半導体ウエハーの前記第1の導電層側の面と前記陽極板との間に介在させる遮蔽板であって、
前記遮蔽板は、電流を通過させる開口部と前記開口部内に延びる凸部とを備え、前記凸部は、前記電気的接続部が前記第1の導電層と接触した部分及びこれに続く前記半導体ウエハーの中心側に張り出した部分と対向していることを特徴とする遮蔽板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012031452A JP2013166999A (ja) | 2012-02-16 | 2012-02-16 | 半導体装置の製造方法及び遮蔽板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012031452A JP2013166999A (ja) | 2012-02-16 | 2012-02-16 | 半導体装置の製造方法及び遮蔽板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013166999A true JP2013166999A (ja) | 2013-08-29 |
Family
ID=49177611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012031452A Pending JP2013166999A (ja) | 2012-02-16 | 2012-02-16 | 半導体装置の製造方法及び遮蔽板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013166999A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018066315A1 (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 電解処理治具及び電解処理方法 |
CN108149293A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置 |
JP2020533792A (ja) * | 2017-09-07 | 2020-11-19 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | めっき用チャック装置 |
KR20210075474A (ko) | 2019-12-13 | 2021-06-23 | 현대자동차주식회사 | 전동식 동력 조향장치 보호를 위한 제어장치 및 방법 |
-
2012
- 2012-02-16 JP JP2012031452A patent/JP2013166999A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018066315A1 (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 電解処理治具及び電解処理方法 |
US11542627B2 (en) | 2016-10-07 | 2023-01-03 | Tokyo Electron Limited | Electrolytic processing jig and electrolytic processing method |
CN108149293A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置 |
JP2020533792A (ja) * | 2017-09-07 | 2020-11-19 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | めっき用チャック装置 |
JP6994273B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-01-14 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | めっき用チャック装置 |
KR20210075474A (ko) | 2019-12-13 | 2021-06-23 | 현대자동차주식회사 | 전동식 동력 조향장치 보호를 위한 제어장치 및 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6392681B2 (ja) | アノードユニットおよび該アノードユニットを備えためっき装置 | |
JP2013166999A (ja) | 半導体装置の製造方法及び遮蔽板 | |
TW201022481A (en) | Shield plate and electroplating apparatus | |
CN109137029A (zh) | 用于半导体电镀装置的唇状密封件和触头元件 | |
TW201333272A (zh) | 用於電化學處理器的接觸環 | |
JP2004225129A (ja) | めっき方法及びめっき装置 | |
JP4368543B2 (ja) | メッキ方法およびメッキ装置 | |
KR101860216B1 (ko) | 전기도금용 셀을 위한 고저항 가상 애노드 | |
JP6933963B2 (ja) | 電気めっき装置における給電点の配置の決定方法および矩形の基板をめっきするための電気めっき装置 | |
JP6093222B2 (ja) | 電気めっき方法およびそれに用いるマスク部材 | |
CN109075132B (zh) | 功率模块用基板、功率模块及功率模块用基板的制造方法 | |
JP2017137523A (ja) | 半導体ウェハ | |
JP6815817B2 (ja) | アノードユニットおよび該アノードユニットを備えためっき装置 | |
KR101451483B1 (ko) | 전해도금 장치 | |
JP2010287648A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007027477A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20110315547A1 (en) | Plating device | |
CN113388875A (zh) | 电镀设备和电镀晶圆的方法 | |
CN114351202B (zh) | 晶圆的电镀方法 | |
JP2016201493A (ja) | 導電性ボール定置用マスク、及びその製造方法 | |
JP2012007200A (ja) | めっき方法 | |
US10181436B2 (en) | Lead frame and method of manufacturing the same | |
CN114381789B (zh) | 电镀挂具和电镀装置 | |
KR102346708B1 (ko) | 리드 프레임, 리드 프레임의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP3386672B2 (ja) | ウェハメッキ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150107 |