KR20190079904A - 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 - Google Patents

전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 Download PDF

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KR20190079904A
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Abstract

본 발명의 일실시예는 휘어질 뿐만 아니라 길이방향 및 폭방향으로 신축이 가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공한다. 여기서, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 제1탄성계수를 가지는 베이스기판의 상부에 소자를 형성하고, 베이스기판의 하부에 전사필름을 부착하고, 소자에 대응되도록 베이스기판을 커팅하여 커팅된 베이스기판과 소자를 가지는 소자모듈을 마련하고, 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부에 배선을 마련하고, 소자를 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선에 대응되는 위치에 소자모듈을 각각 위치시키고, 소자가 해당 배선과 전기적으로 연결되도록 소자모듈을 타겟기판의 상부에 전사하며, 전사필름을 소자모듈에서 박리하는 단계를 포함한다.

Description

전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스{METHOD OF MANUFACTURING STRETCHABLE DEVICE USING TRANSFER PROCESS AND STRETCHABLE DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME}
본 발명은 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 휘어질 뿐만 아니라 길이방향 및 폭방향으로 신축이 가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스에 관한 것이다.
전자 기술의 발달과 더불어 TV, 노트북 PC, 태블릿 PC, 휴대폰 등과 같은 다양한 표시 장치가 일반화되어 사용되고 있다.
최근, 휘어지는 전자장치, 즉, 플렉서블(flexible) 전자장치에 대한 관심이 높아지고 있다. 플렉서블 일렉트로닉스(flexible electronics)는 플라스틱과 같이 휘어지는 기판에 전자소자를 실장하여 구부리거나 접을 수 있는 전자회로/장치를 구현하는 기술이다. 특히, 플렉서블 일렉트로닉스는 디스플레이(display) 분야에서 차세대 기술로 주목받고 있다.
플렉서블 전자장치와 더불어 늘어나는 전자장치, 즉, 신축가능한 전자장치(stretchable electronic device)에 대한 필요성이 대두되고 있다. 플렉서블 전자장치는 전체 길이는 그대로 유지하면서 휘어지는 장치인데 반해, 신축가능한 전자장치는 휘어질 뿐 아니라 길이가 늘어나는 장치이다.
스트레처블 일렉트로닉스(stretchable electronics)는 전자기기의 새로운 적용분야를 가능하게 하는 기술로 기대되고 있다. 잠재적인 적용분야로는 움직이는 로보틱(robotic) 장치를 위한 전자 스킨(electronic skins) 및 스킨 센서(skin sensors), 웨어러블 전자장치, 생체융합(bio-integrated) 소자 등이 있다. 또한, 디스플레이나 센서 어레이 등을 포함한 다양한 분야에서 스트레처블 소자는 유용하게 활용될 수 있다.
이러한 신축가능한 디바이스를 대량 생산할 수 있는 제조방법이 아직까지 개발되지 못하고 있는 실정이다.
대한민국 공개특허공보 제2016-0088489호(2016.07.26 공개)
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 휘어질 뿐만 아니라 길이방향 및 폭방향으로 신축이 가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 제1탄성계수를 가지는 베이스기판의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계; 상기 베이스기판의 하부에 전사필름을 부착하는 전사필름부착단계; 상기 소자에 대응되도록 상기 베이스기판을 커팅하여 커팅된 베이스기판과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계; 상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부에 배선을 마련하는 배선마련단계; 상기 소자를 상기 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선 사이의 타겟영역에 상기 소자모듈을 각각 위치시키는 포지셔닝단계; 상기 소자가 상기 해당 배선과 전기적으로 연결되도록 상기 소자모듈을 상기 타겟기판의 상부의 상기 타겟영역에 전사하는 소자모듈전사단계; 그리고 상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 타겟영역으로 상기 소자모듈을 위치시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 타겟영역에 전사되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리함으로써 상기 해당 타겟영역에 전사될 소자모듈만 남겨 상기 해당 타겟영역에 대응되는 위치로 위치시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계 전, 후 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 타겟영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 타겟영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 배선 및 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 마련하는 전도성소재 마련단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 전도성소재 마련단계 후에, 상기 전도성 접착소재가 내측에 포함되도록 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 비전도성 접착소재를 마련하는 비전도성소재 마련단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재 및 상기 비전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공한다.
한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 기본기판의 상부에 제1탄성계수를 가지는 베이스층을 마련하고, 상기 베이스층의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계; 상기 소자에 대응되도록 상기 베이스층을 커팅하여 커팅된 베이스층과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계; 상기 소자모듈의 상부에 전사필름을 부착하여 상기 기본기판으로부터 상기 소자모듈을 박리하는 소자모듈박리단계; 상기 베이스층을 상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 전사될 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시키는 포지셔닝단계; 상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 전사하는 소자모듈전사단계; 상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계; 그리고 상기 소자와 상기 타겟기판을 배선으로 연결하는 배선마련단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계 이전에, 상기 타겟기판의 상부에 상기 베이스층에 대응되는 높이의 절연층을 마련하는 절연층마련단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계에서, 상기 배선은 상기 베이스층 및 상기 절연층의 상부에 마련될 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 해당 전사영역에 대응되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리하여 상기 해당 전사영역에 대응되는 소자모듈만 남길 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 포지셔닝단계 전 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 전사영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 전사영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배선마련단계에서, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 더 마련할 수 있다.
한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 소자모듈이 신축성을 가지는 전사필름에 점착되기 때문에, 타겟기판에 전사되기 전 상태의 소자모듈이 타겟기판에 전사될 위치와 맞지 않더라도, 전사필름을 신장시키거나, 타겟기판을 신장시키거나, 또는 소자모듈을 선택적으로 전사시켜 소자모듈을 타겟기판에 전사될 위치로 포지셔닝할 수 있으며, 이를 통해, 소자모듈의 전사공정이 용이하게 진행될 수 있으며, 신축가능한 디바이스를 대량으로 생산할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 베이스기판이 상측을 향하도록 한 상태에서 소자모듈이 타겟기판에 전사되기 때문에, 소자모듈을 외부 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 베이스기판의 탄성계수가 타겟기판의 탄성계수보다 높기 때문에 타겟기판의 신축 시에 베이스기판이 소자모듈에 가해지는 스트레인을 감소킬 수 있어 소자모듈의 파손이 방지될 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이다.
도 5는 도 2의 A부 및 B부를 확대한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이고, 도 5는 도 2의 A부 및 B부를 확대한 확대도이다.
먼저, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 소자형성단계(S110), 전사필름부착단계(S120), 소자모듈마련단계(S130), 배선마련단계(S140), 포지셔닝단계(S150), 소자모듈전사단계(S160) 그리고 전사필름박리단계(S170)를 포함할 수 있다.
본 명세서 디바이스는 디스플레이 장치, 전자 스킨(electronic skins), 센서 어레이 등을 포함할 수 있다.
소자형성단계(S110)는 제1탄성계수를 가지는 베이스기판(210)의 상부에 소자(220)를 형성하는 단계일 수 있다.
베이스기판(210)은 투명성을 가질 수 있으며, 소다라임 유리기판, 무알칼리 유리기판 또는 강화유리기판 등 각종의 유리기판이 적용될 수 있다. 나아가, 베이스기판(210)은 사파이어, 투명 수지 재질로 이루어질 수도 있다.
베이스기판(210)은 포지셔닝단계(S150)에서 후술할 타겟기판(250)의 배선(260) 및 타겟영역(251)의 위치를 확인 할 수 있을 정도의 투명성을 가지면 충분하다. 베이스기판(210)이 투명성을 가지는 경우, 후술한 타겟기판(250)은 불투명성을 가질 수도 있다.
베이스기판(210)은 20~30㎛의 두께를 가질 수 있다. 그리고 베이스기판(210)은 제1탄성계수를 가질 수 있다.
그리고, 소자(220)는 발광소자일 수 있으며, 예를 들면, OLED나 마이크로 LED 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
소자(220)는 박막트랜지스터(TFT)(221)와 함께 마련될 수 있다. 일례로, 박막트랜지스터(221)는 베이스기판(210)의 상부에 마련되고, 소자(220)는 박막트랜지스터(221)의 상부에 마련될 수 있다.
전사필름부착단계(S120)는 베이스기판(210)의 하부에 전사필름(230)을 부착하는 단계일 수 있다.
소자모듈마련단계(S130)는 소자(220)에 대응되도록 베이스기판(210)을 커팅하여 커팅된 베이스기판(211)과 소자(220)를 가지는 소자모듈(240)을 마련하는 단계일 수 있다.
여기서, 소자모듈(240)은 커팅된 베이스기판(211)과 소자(220)를 가진다고 설명하였으나, 소자모듈(240)이 박막트랜지스터(221)를 더 포함할 수 있음은 물론이다.
베이스기판(210)은 레이저 절단, 다이 소잉(Die Sawing) 등의 방법으로 커팅될 수 있으며, 이를 통해, 소자(220)는 아이솔레이션(Isolation)될 수 있다.
전사필름(230)은 신축성을 가질 수 있다. 따라서, 전사필름(230)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다.
배선마련단계(S140)는 베이스기판(210)의 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판(250)의 상부에 배선(260)을 마련하는 단계일 수 있다.
타겟기판(250)은 신축성을 가질 수 있으며, 베이스기판(210)보다 큰 신축성을 가질 수 있다. 타겟기판(250)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다. 또한, 타겟기판(250)은 투명성을 가질 수 있다.
배선(260)은 금속전극일 수 있으며, 타겟기판(250)의 상부에 소자모듈(240)이 전사될 위치에 마련될 수 있다.
배선(260)은 신축성을 가질 수 있으며, 따라서, 타겟기판(250)이 신축 시에 이에 대응하여 신축될 수 있다.
타겟기판(250)이 수축된 상태에서 배선(260)이 마련되는 경우, 배선(260)도 수축된 상태로 마련되는 것이 바람직하다. 반면에, 타겟기판(250)이 신장된 상태에서 배선(260)이 마련되는 경우, 배선(260)도 신장된 상태로 마련되는 것이 바람직하며, 이를 통해, 타겟기판(250)이 신축 시에 배선(260)은 단선이 방지되면서 타겟기판(250)의 신축에 대응하여 안전하게 신축될 수 있다.
포지셔닝단계(S150)는 소자(220)를 타겟기판(250)의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선(260) 사이의 타겟영역(251)에 소자모듈(240)을 각각 위치시키는 단계일 수 있다.
포지셔닝단계(S150)에서 소자모듈(240)은 해당 배선(260)의 수직 상방, 더욱 구체적으로는 해당 배선(260)의 사이에 형성되는 타겟영역(251)의 수직 상방에 위치될 수 있다.
본 실시예에서, 소자모듈(240)은 소자(220)가 타겟기판(250)의 방향, 더욱 구체적으로는 해당 배선(260)의 사이에 형성되는 타겟영역(251)을 향하도록 포지셔닝될 수 있다. 즉, 페이스다운(Face-down) 공정으로 진행될 수 있다.
소자모듈전사단계(S160)는 소자(220)가 해당 배선(260)과 전기적으로 연결되도록 소자모듈(240)을 타겟기판(250)의 상부의 타겟영역(251)에 전사하는 단계일 수 있다.
소자모듈(240)은 타겟기판(250) 상부의 타겟영역(251)에 전사됨과 동시에 배선(260)과 접속되어 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 소자모듈(240)의 전사 공정과 접속 공정은 함께 이루어질 수 있다.
전사필름박리단계(S170)는 전사필름(230)을 소자모듈(240)에서 박리하는 단계일 수 있다.
전사필름(230)과 소자모듈(240) 간의 점착력은 타겟기판(250)과 소자모듈(240) 간의 결합력보다 작을 수 있으며, 이에 따라, 소자모듈(240)이 타겟기판(250)에 결합된 상태에서 전사필름(230)은 소자모듈(240)로부터 박리될 수 있다.
본 발명에 따르면, 타겟기판(250)은 베이스기판(210)보다 낮은 탄성계수를 가지기 때문에 타겟기판(250)이 신축되는 정도는 베이스기판(210)이 신축되는 정도보다 클 수 있다.
따라서, 타겟기판(250)이 신장되면, 배선(260)도 대응하여 신장될 수 있는데, 배선(260)은 타겟기판(250)과 전체적으로 점착될 수 있기 때문에, 타겟기판(250)이 신장 시에, 배선(260)의 거의 대부분도 신장될 수 있다.
한편, 소자(220)는, 일면은 타겟기판(250)에 점착될 수 있으나, 타면은 베이스기판(210)에 점착되는 박막트랜지스터(221)에 점착된다. 그런데, 베이스기판(210)의 제1탄성계수는 타겟기판(250)의 제2탄성계수보다 높기 때문에, 베이스기판(210)은 타겟기판(250)이 신장되는 정도보다 작은 정도로 신장되게 된다.
특히, 베이스기판(210)이 유리기판인 경우, 베이스기판(210)은 거의 신장되지 않을 수 있다. 따라서, 타겟기판(250)이 신장되더라도 소자(220)는 베이스기판(210)에 점착되어 신장되지 않을 수 있으며, 이를 통해, 소자(220)에 가해지는 스트레인이 감소될 수 있어 소자(220)의 파손이 방지될 수 있다.
또한, 베이스기판(210)은 소자(220)를 외부의 충격으로부터 보호할 수도 있다.
소자(220)가 발광소자인 경우, 소자(220)에서 발광되는 빛은 베이스기판(210)을 통해 발광될 수 있다. 그리고, 박막트랜지스터(221)는 소자(220)에서 발광되는 빛이 가려지지 않도록 중공 형태를 가질 수 있다.
더하여, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 패시베이션단계(S180)를 더 포함할 수 있다.
패시베이션단계(S180)는 신축가능한 디바이스의 표면이나 접합부를 패시베이션(Passivation)하는 단계일 수 있다.
한편, 도 3에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S150)에서는, 전사필름(230)을 신장시켜 연결될 타겟영역(251)로 소자모듈(240)을 위치시킬 수 있다.
즉, 타겟기판(250)에 마련되는 해당 타겟영역(251) 간의 제1간격(D1)보다 소자모듈(240) 간의 제2간격(D2)이 좁은 경우, 전사필름(230)의 측부에서 인장력(F)을 작용하여 전사필름(230)을 양측으로 잡아당김으로써 전사필름(230)을 신장시킬 수 있다. 그리고, 전사필름(230)을 신장시킴으로써, 소자모듈(240) 간의 제2간격(D2)이 해당 타겟영역(251) 간의 제1간격(D1)과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(240)을 타겟영역(251)로 전사함으로써 해당 타겟영역(251)에 소자모듈(240)이 전사되도록 할 수 있다.
한편, 도시되지는 않았지만, 타겟기판에 마련되는 해당 타겟영역 간의 간격보다 소자모듈 간의 간격이 더 넓은 경우, 타겟기판의 측부에서 인장력을 작용하여 타겟기판을 양측으로 잡아당김으로써 타겟기판을 신장시킬 수 있다. 그리고, 타겟기판을 신장시킴으로써, 타겟영역 간의 간격이 넓어지도록 하여 타겟영역 간의 간격이 소자모듈 간의 간격과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈을 타겟영역로 전사함으로써 해당 타겟영역에 소자모듈이 전사되도록 할 수 있다.
또한, 도 4에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S150)에서는, 전사필름(230)에 부착된 소자모듈 중에 해당 타겟영역(251)에 전사되지 않을 소자모듈(240a)을 전사필름(230)에서 분리함으로써 해당 타겟영역(251)에 전사될 소자모듈(240b)만 남겨 해당 타겟영역(251)에 대응되는 위치로 위치시킬 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(240b)을 타겟영역(251)로 전사함으로써 해당 타겟영역(251)에 소자모듈(240b)이 전사되도록 할 수 있다.
더하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 변화단계(S190), 표면처리단계(S191), 전도성소재 마련단계(S192), 비전도성소재 마련단계(S193) 그리고 리플로우단계(S194)를 더 포함할 수 있다.
변화단계(S190)은 타겟영역(251)에 열 또는 빛을 가하여 타겟영역(251)이 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 단계일 수 있다. 이에 따라, 신축가능한 디바이스가 신장될 때, 소자모듈(240)에 작용하는 스트레인이 감소될 있으며, 이를 통해, 소자(220)가 더 안전하게 보호될 수 있다.
변화단계(S190)은 배선마련단계(S140) 전, 후 또는 소자모듈전사단계(S160) 후에 진행될 수 있다.
표면처리단계(S191)은 소자모듈(240)과 배선(260) 간의 접착력이 증가되도록 배선(260) 및 소자모듈(240)을 플라즈마(P)로 표면처리하는 단계일 수 있다.
플라즈마(P) 표면처리는 배선(260) 및 소자모듈(240)이 서로 대향되는 면에 이루어질 수 있다. 표면처리단계(S191)은 소자모듈전사단계(S160) 전에 진행될 수 있다. 도 2에는 소자모듈(240) 및 배선(260)의 일부에만 플라즈마(P) 공정이 도시되었으나 이는 예시를 위한 것이며, 플라즈마(P) 공정은 전사가 이루어지는 소자모듈(240) 및 배선(260) 전체에 적용될 수 있다.
전도성소재 마련단계(S192)는 소자모듈(240)의 제1전극(222)과 배선(260)의 제2전극(261)의 사이에 전도성 접착소재(262)를 마련하는 단계일 수 있다.
이를 통해, 제1전극(222) 및 제2전극(261) 간의 접착력이 향상될 수 있고, 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성이 확보될 수 있다. 전도성 접착소재(262)는 예를 들면, 솔더범프, 솔더페이스트, 비등방성 전도성 페이스트(ACP), 비등방성 전도성 필름(ACF) 등일 수 있다.
전도성소재 마련단계(S192)는 소자모듈전사단계(S160) 전에 진행될 수 있다.
비전도성소재 마련단계(S193)은 전도성소재 마련단계(S192) 후에, 전도성 접착소재(262)가 내측에 포함되도록 제1전극(222) 및 제2전극(261) 사이에 비전도성 접착소재(263)을 마련하는 단계일 수 있다.
비전도성 접착소재(263)는 예를 들면, 비전도성 필름(NCF) 등일 수 있다. 비전도성 접착소재(263)가 더 마련함으로써 제1전극(222) 및 제2전극(261) 간의 접착력이 향상될 수 있고, 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 높일 수 있다.
리플로우단계(S194)는 소자모듈전사단계(S160) 후, 또는 전사필름박리단계(S170) 후에 진행될 수 있다.
전도성소재 마련단계(S192)만 진행되는 경우, 리플로우 공정을 통해 전도성 접착소재(262)가 경화될 수 있다. 그리고, 전도성소재 마련단계(S192) 이후 비전도성소재 마련단계(S193)도 진행되는 경우, 리플로우 공정을 통해 전도성 접착소재(262) 및 비전도성 접착소재(263)가 모두 경화될 수 있으며, 이를 통해, 제1전극(222) 및 제2전극(261)의 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 일례를 나타낸 예시도이고, 도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법의 다른 예를 나타낸 예시도이다.
먼저, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 소자형성단계(S310), 소자모듈마련단계(S320), 소자모듈박리단계(S330), 포지셔닝단계(S340), 소자모듈전사단계(S350), 전사필름박리단계(S360) 그리고 배선마련단계(S370)를 포함할 수 있다.
소자형성단계(S310)는 기본기판(410)의 상부에 제1탄성계수를 가지는 베이스층(420)을 마련하고, 베이스층(420)의 상부에 소자(430)를 형성하는 단계일 수 있다.
기본기판(410)은 투명성을 가질 수 있으며, 소다라임 유리기판, 무알칼리 유리기판 또는 강화유리기판 등 각종의 유리기판이 적용될 수 있다. 나아가, 기본기판(410)은 사파이어, 투명 수지 재질로 이루어질 수도 있다. 또는, 기본기판(410)은 불투명성을 가질 수도 있다.
베이스층(420)은 기본기판(410)의 상부에 마련될 수 있으며, 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 베이스층(420)은 기본기판(410)의 상부에 스핀 코팅, 바 코팅, 블레이드 코팅 등의 방법에 의해 형성될 수 있다.
그리고 베이스층(420)은 제1탄성계수를 가질 수 있다. 베이스층(420)은 제1실시예에서 설명한 베이스기판(210, 도 2 참조)보다는 큰 신축성을 가질 수 있고, 따라서 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있으나, 신축율은 후술할 타겟기판(460)의 신축율보다 작을 수 있다.
소자(430)는 발광소자일 수 있으며, 예를 들면, OLED나 마이크로 LED일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
소자(430)는 박막트랜지스터(431)와 함께 마련될 수 있다. 일례로, 박막트랜지스터(431)는 베이스층(420)의 상부에 마련되고, 소자(430)는 박막트랜지스터(431)의 상부에 마련될 수 있다.
소자모듈마련단계(S320)는 소자(430)에 대응되도록 베이스층(420)을 커팅하여 커팅된 베이스층(421)과 소자(430)를 가지는 소자모듈(440)을 마련하는 단계일 수 있다.
여기서, 소자모듈(440)은 커팅된 베이스층(421)과 소자(430)를 가진다고 설명하였으나, 소자모듈(440)이 박막트랜지스터(431)를 더 포함할 수 있음은 물론이다.
베이스층(420)은 레이저 절단, 기계적 소잉(Sawing) 등의 방법으로 커팅될 수 있으며, 이를 통해, 소자(430)는 아이솔레이션될 수 있다.
소자모듈박리단계(S330)는 소자모듈(440)의 상부에 전사필름(450)을 부착하여 기본기판(410)부터 소자모듈(440)을 박리하는 단계일 수 있다.
전사필름(450)은 신축성을 가질 수 있다. 따라서, 전사필름(450)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다.
기본기판(410)부터 소자모듈(440)을 박리하기 위해서는 다양한 방법이 사용될 수 있는데, 예를 들면, 광 절연막 제거(LLO: Laser Lift Off)(10) 방법이 사용될 수 있다. 광 절연막 제거(10) 공정이 적용된 후, 기본기판(410)과 소자모듈(440) 간의 결합력은 전사필름(450)과 소자모듈(440) 간의 점착력보다 작을 수 있으며, 이에 따라, 소자모듈(440)이 전사필름(450)에 점착된 상태에서 소자모듈(440)은 기본기판(410)부터 박리될 수 있다.
포지셔닝단계(S340)는 베이스층(421)을 타겟기판(460)의 상부와 마주보게 배치하고, 전사될 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)을 위치시키는 단계일 수 있다.
타겟기판(460)은 베이스층(421)이 가지는 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가질 수 있다. 따라서, 타겟기판(460)은 신축성을 가질 수 있으며, 베이스층(420)보다 큰 신축율을 가질 수 있다. 타겟기판(460)은 길이방향 및 폭방향으로 신축될 수 있다.
타겟기판(460)의 상부에는 소자모듈이 전사될 전사영역(461)을 가질 수 있다. 여기서, 전사영역(461)은 타겟기판(460)에 마킹된 표시되거나, 타겟기판(460) 상에 표시되지는 않지만 소자모듈(440)을 타겟기판(460)에 포지셔닝하기 위해 사용되는 광학장치의 화면에 표시되는 것일 수도 있고, 또는 타겟기판(460) 상에 투사되는 영상일 수도 있으며, 그 외에 다양한 형태로 구현될 수 있다.
포지셔닝단계(S340)에서 소자모듈(440)은 전사영역(461)의 수직 상방에 위치될 수 있다.
본 실시예에서, 소자모듈(440)은 베이스층(421)이 타겟기판(460)의 상면을 향하도록 포지셔닝될 수 있다. 즉, 페이스업(Face-up) 공정으로 진행될 수 있다.
소자모듈전사단계(S350)는 전사영역(461)에 소자모듈(440)을 전사하는 단계일 수 있다.
그리고, 전사필름박리단계(S360)는 전사필름(450)을 소자모듈(440)에서 박리하는 단계일 수 있다.
전사필름(450)과 소자모듈(440) 간의 점착력은 타겟기판(460)과 소자모듈(440) 간의 결합력보다 작을 수 있으며, 이에 따라, 소자모듈(440)이 타겟기판(460)에 결합된 상태에서 전사필름(450)은 소자모듈(440)로부터 박리될 수 있다.
배선마련단계(S370)는 소자(430)와 타겟기판(460)을 배선(470)으로 연결하는 단계일 수 있다. 물론, 배선(470)은 소자(430) 및 박막트랜지스터(431) 중 어느 하나 이상에 연결될 수 있다. 즉, 배선(470)은 타겟기판(460)과 소자모듈(440)을 전기적으로 연결할 수 있다. 배선(470)은 금속전극일 수 있다.
배선(470)은 신축성을 가질 수 있으며, 따라서, 타겟기판(460)이 신축 시에 이에 대응하여 신축될 수 있다.
타겟기판(460)이 수축된 상태에서 배선(470)이 마련되는 경우, 배선(470)도 수축된 상태로 마련되는 것이 바람직하다. 반면에, 타겟기판(460)이 신장된 상태에서 배선(470)이 마련되는 경우, 배선(470)도 신장된 상태로 마련되는 것이 바람직하며, 이를 통해, 타겟기판(460)이 신축 시에 배선(470)은 단선이 방지되면서 타겟기판(460)의 신축에 대응하여 안전하게 신축될 수 있다.
더하여, 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 절연층마련단계(S365)를 더 포함할 수 있다.
절연층마련단계(S365)는 타겟기판(460)의 상부에 베이스층(420)에 대응되는 높이의 절연층(480)을 마련하는 단계일 수 있다. 절연층마련단계(S365)는 소자모듈(440)의 높이가 매우 낮은 경우에는 생략될 수도 있다. 그러나, 절연층마련단계(S365)가 필요한 경우에, 절연층마련단계(S365)는 배선마련단계(S370) 이전에 진행될 수 있으며, 배선(470)은 베이스층(420) 및 절연층(480)의 상부에 마련될 수 있다.
절연층(480)은 신축성을 가질 수 있으며, 이에 따라, 타겟기판(460)이 신축될 때, 대응하여 신축될 수 있다.
본 실시예에서, 소자(430)는 베이스층(421)에 점착된다. 그런데, 베이스층(421)의 제1탄성계수는 타겟기판(460)의 제2탄성계수보다 높기 때문에, 베이스층(421)은 타겟기판(460)이 신장되는 정도보다 작은 정도로 신장되게 된다. 특히, 베이스층(421)의 신장정도는 베이스층(421)이 최대로 신장되더라도 소자(220)가 파손되지 않을 정도의 신장율을 가지는 것이 바람직하다. 이를 통해서, 타겟기판(460)이 신장되더라도 소자(430)의 파손은 방지될 수 있다.
그리고, 배선마련단계(S370) 이후에 패시베이션공정이 추가될 수 있다.
한편, 도 8에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S340)에서는, 전사필름(450)을 신장시켜 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)을 위치시킬 수 있다.
즉, 타겟기판(460)의 전사영역(461) 간의 제1간격(D1)보다 소자모듈(440) 간의 제2간격(D2)이 좁은 경우, 전사필름(450)의 측부에서 인장력(F)을 작용하여 전사필름(450)을 양측으로 잡아당김으로써 전사필름(450)을 신장시킬 수 있다. 그리고, 전사필름(450)을 신장시킴으로써, 소자모듈(440) 간의 제2간격(D2)이 전사영역(461) 간의 제1간격(D1)과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(440)을 타겟기판(460)으로 전사함으로써 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)이 전사되도록 할 수 있다.
더하여, 도시되지는 않았지만, 타겟기판에 마련되는 해당 전사영역 간의 간격보다 소자모듈 간의 간격이 더 넓은 경우, 타겟기판의 측부에서 인장력을 작용하여 타겟기판을 양측으로 잡아당김으로써 타겟기판을 신장시킬 수 있다. 그리고, 타겟기판을 신장시킴으로써, 전사영역 간의 간격이 넓어지도록 하여 전사영역 간의 간격이 소자모듈 간의 간격과 동일해지도록 할 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈을 전사영역로 전사함으로써 해당 전사영역에 소자모듈이 전사되도록 할 수 있다.
또한, 도 9에서 보는 바와 같이, 포지셔닝단계(S340)에서는, 전사필름(450)에 부착된 소자모듈 중에 해당 전사영역(461)에 대응되지 않는 소자모듈(440)을 전사필름(450)에서 분리하여 해당 전사영역(461)에 대응되는 소자모듈(440)만 남길 수 있다. 그리고 이 상태에서 소자모듈(440)을 타겟기판(460)으로 전사함으로써 해당 전사영역(461)에 소자모듈(440)이 전사되도록 할 수 있다.
더하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법은 변화단계(S390), 표면처리단계(S391) 그리고 리플로우단계(S380)를 더 포함할 수 있다.
변화단계(S390)는 전사영역(461)에 열 또는 빛을 가하여 전사영역(461)이 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 단계일 수 있다. 이에 따라, 신축가능한 디바이스가 신장될 때, 소자모듈(440)에 작용하는 스트레인이 감소될 있으며, 이를 통해, 소자(430)가 더 안전하게 보호될 수 있다.
변화단계(S390)는 포지셔닝단계(S340) 전 또는 소자모듈전사단계(S350) 후에 진행될 수 있다.
표면처리단계(S391)는 소자모듈(440)과 배선(470) 간의 접착력이 증가되도록 소자모듈(440)을 플라즈마(P)로 표면처리하는 단계일 수 있다. 도 7에는 일부에만 플라즈마(P) 공정이 도시되었으나, 이는 예시를 위한 것이며, 플라즈마(P) 공정은 배선(470)이 마련될 소자모듈(440) 전체에 적용될 수 있다. 플라즈마(P) 표면처리는 배선마련단계(S370) 전에 진행될 수 있다.
그리고, 배선마련단계(S370)에서는 소자모듈(440)의 제1전극(미도시)과 배선(470)의 제2전극(미도시) 사이에 전도성 접착소재(미도시)를 더 마련할 수 있다. 여기서, 전도성 접착소재는 제1실시예에서 설명한 전도성 접착소재(262)와 동일한 것일 수 있으며, 나아가, 비결정질 금속일 수도 있다. 전도성 접착소재는 도금 공정, 포토리소그래피 공정, 전도성 소재 프린팅 공정 등으로 마련될 수 있다.
그리고, 제1전극 및 제2전극은 제1실시예에서 설명한 제1전극(222) 및 제2전극(261)과 동일한 것일 수 있다.
한편, 본 발명의 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 신축가능한 디바이스가 제조될 수 있으며, 신축가능한 디바이스는 디스플레이 장치, 전자 스킨(electronic skins), 센서 어레이 등을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
210,211: 베이스기판
220,430: 소자
221,431: 박막트랜지스터
230,450: 전사필름
240,440: 소자모듈
250,460: 타겟기판
251: 타겟영역
260,470: 배선
410: 기본기판
420,421: 베이스층
461: 전사영역
480: 절연층

Claims (19)

  1. 제1탄성계수를 가지는 베이스기판의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계;
    상기 베이스기판의 하부에 전사필름을 부착하는 전사필름부착단계;
    상기 소자에 대응되도록 상기 베이스기판을 커팅하여 커팅된 베이스기판과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계;
    상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부에 배선을 마련하는 배선마련단계;
    상기 소자를 상기 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 연결될 해당 배선 사이의 타겟영역에 상기 소자모듈을 각각 위치시키는 포지셔닝단계;
    상기 소자가 상기 해당 배선과 전기적으로 연결되도록 상기 소자모듈을 상기 타겟기판의 상부의 상기 타겟영역에 전사하는 소자모듈전사단계; 그리고
    상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 타겟영역으로 상기 소자모듈을 위치시키는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 타겟영역에 전사되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리함으로써 상기 해당 타겟영역에 전사될 소자모듈만 남겨 상기 해당 타겟영역에 대응되는 위치로 위치시키는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배선마련단계 전, 후 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 타겟영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 타겟영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 배선 및 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 소자모듈전사단계 전에, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 마련하는 전도성소재 마련단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전도성소재 마련단계 후에, 상기 전도성 접착소재가 내측에 포함되도록 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 비전도성 접착소재를 마련하는 비전도성소재 마련단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 소자모듈전사단계 후, 또는 상기 전사필름박리단계 후에, 상기 전도성 접착소재 및 상기 비전도성 접착소재를 경화시키는 리플로우단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 기재된 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 신축가능한 디바이스.
  11. 기본기판의 상부에 제1탄성계수를 가지는 베이스층을 마련하고, 상기 베이스층의 상부에 소자를 형성하는 소자형성단계;
    상기 소자에 대응되도록 상기 베이스층을 커팅하여 커팅된 베이스층과 상기 소자를 가지는 소자모듈을 마련하는 소자모듈마련단계;
    상기 소자모듈의 상부에 전사필름을 부착하여 상기 기본기판으로부터 상기 소자모듈을 박리하는 소자모듈박리단계;
    상기 베이스층을 상기 제1탄성계수보다 낮은 제2탄성계수를 가지는 타겟기판의 상부와 마주보게 배치하고, 전사될 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시키는 포지셔닝단계;
    상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 전사하는 소자모듈전사단계;
    상기 전사필름을 상기 소자모듈에서 박리하는 전사필름박리단계; 그리고
    상기 소자와 상기 타겟기판을 배선으로 연결하는 배선마련단계를 포함하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 배선마련단계 이전에, 상기 타겟기판의 상부에 상기 베이스층에 대응되는 높이의 절연층을 마련하는 절연층마련단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 배선마련단계에서, 상기 배선은 상기 베이스층 및 상기 절연층의 상부에 마련되는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름을 신장시켜 상기 해당 전사영역에 상기 소자모듈을 위치시키는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 포지셔닝단계에서는, 상기 전사필름에 부착된 상기 소자모듈 중에 상기 해당 전사영역에 대응되지 않을 소자모듈을 상기 전사필름에서 분리하여 상기 해당 전사영역에 대응되는 소자모듈만 남기는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 포지셔닝단계 전 또는 상기 소자모듈전사단계 후에, 상기 전사영역에 열 또는 빛을 가하여 상기 전사영역이 상기 제2탄성계수 보다 높은 제3탄성계수를 가지도록 변화시키는 변화단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 배선마련단계 전에, 상기 소자모듈과 상기 배선의 접착력이 증가되도록 상기 소자모듈을 플라즈마로 표면처리하는 표면처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 배선마련단계에서, 상기 소자모듈의 제1전극과 상기 배선의 제2전극의 사이에 전도성 접착소재를 더 마련하는 것을 특징으로 하는 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법.
  19. 제11항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 기재된 전사공정을 이용한 신축가능한 디바이스 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 신축가능한 디바이스.
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