KR102653995B1 - 수용 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제조 방법 - Google Patents

수용 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 출원은 수용 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다. 상기 수용 기판은 마이크로 발광 다이오드 칩과 솔더링하여 고정되기 위한 복수의 솔더 조인트를 포함하고, 상기 솔더 조인트는 상기 수용 기판의 표면에 설치된 제1 지지 보스와 솔더층을 포함하고, 상기 제1 지지 보스는 전도성 보스이고, 상기 제1 지지 보스는 상기 수용 기판과 연결된 제1 면과 상기 수용 기판에 멀리 이격된 제2 면을 포함하고, 상기 솔더층은 상기 제2 면 상에 설치된다. 본 출원은 마이크로 발광 다이오드 칩의 지나친 가압에 의해 솔더층이 지나치게 확장되는 문제점을 방지할 수 있으며, 즉 마이크로 발광 다이오드 칩의 인접한 전극 사이에 단락이 발생하는 문제점을 방지하고, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 정상적인 디스플레이를 확보한다.

Description

수용 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제조 방법
본 출원은 디스플레이 기술분야에 관한 것으로서, 특히 수용 기판, 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
마이크로 발광 다이오드(Micro Light Emitting Diode; Micro LED) 디스플레이는 디스플레이 픽셀로서 하나의 기판 상에 백미크론 이하의 사이즈의 LED 칩을 집적하여, 이미지 디스플레이를 구현하는 디스플레이로서, 자발광 디스플레이에 속한다.
마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 제조는 일반적으로 우선 마이크로 발광 다이오드 칩과 공정 기판에 대해 일시적 본딩과 디본딩을 수행하고, 디본딩 후 트랜스퍼 프린트 헤드를 이용하여 마이크로 발광 다이오드 칩을 파지하고 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판에 대해 본딩을 수행하여야 한다. 이러한 과정에서, 마이크로 발광 다이오드 칩의 두 인접한 전극이 도통되기 쉬우며, 단락 등의 문제점이 야기되고, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 정상적인 디스플레이에 영향을 미치게 된다.
상술한 흠결을 해소하기 위하여, 본 출원의 목적은 수용 기판 및 디스플레이 패널을 제공하는 것으로서, 본 출원의 수용 기판을 사용할 경우, 마이크로 발광 다이오드 칩의 인접한 전극 사이에 단락이 발생하는 문제점을 해결하여, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 정상적인 디스플레이를 확보할 수 있다.
본 출원의 일 실시예에 따르면, 마이크로 발광 다이오드 칩과 솔더링하여 고정되기 위한 복수의 솔더 조인트를 포함하고, 상기 솔더 조인트는 상기 수용 기판의 표면에 설치된 제1 지지 보스와 솔더층을 포함하고, 상기 제1 지지 보스는 전도성 보스이고, 상기 제1 지지 보스는 상기 수용 기판과 연결된 제1 면과 상기 수용 기판에 멀리 이격된 제2 면을 포함하고, 상기 솔더층은 상기 제2 면 상에 설치된 수용 기판을 제공한다.
본 실시예에서 제공하는 수용 기판은 아래와 같은 이점을 구비한다.
본 실시예에서 제공하는 수용 기판은, 솔더 조인트를 제1 지지 보스와 솔더층의 구조로 구성하고, 전도성 보스로 제1 지지 보스를 구성함으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판의 정상적인 전기적 연결을 확보하고, 솔더층이 제1 지지 보스에서 수용 기판과 멀리 떨어진 제2 면에 설치된다. 이에 따라, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판을 본딩할 때, 제1 지지 보스의 지지 작용에 의해 마이크로 발광 다이오드 칩의 가압 거리를 제한하고, 마이크로 발광 다이오드 칩의 지나친 가압에 의해 솔더층이 지나치게 확장되는 문제점을 방지하는 바, 즉 마이크로 발광 다이오드 칩의 인접한 전극 사이에 단락되는 문제점을 방지하고, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 정상적인 디스플레이를 확보한다.
제1 지지 보스가 솔더층의 확장 범위를 감소시키므로, 수용 기판 상의 인접한 솔더 조인트의 간격을 더욱 축소시켜, 동일한 면적의 수용 기판이 더욱 많은 마이크로 발광 다이오드 칩을 수용할 수 있도록 하며, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 스크린의 PPI를 향상시키거나 마이크로 발광 다이오드 칩의 사이즈를 축소시킬 수 있다.
상술한 수용 기판은, 선택적으로, 상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제2 면의 면적이 솔더링될 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극의 면적보다 크다. 제2 면의 면적을 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극의 면적보다 크게 설치하여, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판을 본딩할 때, 제2 면이 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극에 대해 안정적인 지지력을 제공할 수 있도록 하고, 동시에 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극과 제2 면이 충분히 접촉되도록 함으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판의 본딩 품질을 확보한다.
상술한 수용 기판은, 선택적으로, 상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제1 지지 보스의 횡단면 면적이 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 갈수록 점차적으로 감소된다.
제1 지지 보스를 횡단면 면적이 제1 면으로부터 제2 면으로 갈수록 점차적으로 감소되는 구조로 설치함으로써, 안정적인 지지력을 제공하기에 유리하다.
상술한 수용 기판에 있어서, 선택적으로, 상기 솔더층은 상기 제1 지지 보스의 외면에 피복된다.
솔더층을 제1 지지 보스의 외면에 피복시킴으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극과 솔더층의 충분한 접촉을 확보할 수 있으므로, 솔더링 품질을 확보한다.
상술한 수용 기판은, 선택적으로, 상기 수용 기판에 수직되는 방향 상에서, 상기 솔더층의 수직 단면 프로파일과 상기 제1 지지 보스의 수직 단면 프로파일이 유사하다.
솔더층의 수직 단면 프로파일과 제1 지지 보스의 수직 단면 프로파일을 유사한 구조로 설치함으로써, 솔더층의 균일한 분포를 확보할 수 있으므로, 솔더링 품질을 향상시킨다.
상술한 수용 기판은, 선택적으로, 복수의 제2 지지 보스가 더 설치되고, 상기 솔더 조인트는 상기 제2 지지 보스의 둘레를 따라 설치되고, 상기 수용 기판에 수직되는 방향 상에서, 상기 제2 지지 보스의 높이는 상기 제1 지지 보스의 높이보다 크며 상기 제1 지지 보스와 상기 솔더층의 높이를 합한 것보다 작다.
본딩할 때, 트랜스퍼 프린트 헤드에 의해 마이크로 발광 다이오드 칩을 가압하여, 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극이 우선 솔더층과 접촉하고; 계속하여 가압하는 과정에서, 트랜스퍼 프린트 헤드가 제2 지지 보스 상에 접하게 되며, 제2 지지 보스를 설치함으로써, 트랜스퍼 프린트 헤드의 가압 변위량을 제한하기에 유리하며, 트랜스퍼 프린트 헤드가 지나치게 가압함에 따른 솔더 조인트에 대한 손상을 방지한다.
상술한 수용 기판은, 선택적으로, 상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제2 지지 보스의 상기 수용 기판 상에서의 투영 면적이 상기 제1 지지 보스의 상기 수용 기판 상에서의 투영 면적보다 크고, 상기 제2 지지 보스의 횡단면 면적은 상기 수용 기판으로부터 멀어지는 방향을 따라 점차적으로 감소된다. 상술한 구성을 통해 제2 지지 보스가 제1 지지 보스보다 더욱 큰 지지력을 제공하도록 할 수 있다.
상술한 수용 기판에 있어서, 선택적으로, 상기 솔더층 재질은 인듐, 주석, 금 주석 합금 중 하나 또는 복수를 포함한다. 솔더층으로서 저온 솔더층을 선택함으로써, 솔더링 시의 온도를 낮추어, 온도가 지나치게 높음에 따른 마이크로 발광 다이오드 칩에 대한 손상을 방지하고, 생산 수율을 향상시킬 수 있다. 본 출원의 다른 실시예는 상술한 어느 하나에 따른 수용 기판을 포함하는 디스플레이 패널을 제공한다.
본 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널은, 상술한 수용 기판이 설치되어 있으므로, 보다 낮은 고장율 및 보다 우수한 디스플레이 효과를 구비한다.
본 출원의 또 다른 실시예는, 성장 기판 상에 마이크로 발광 다이오드 칩을 형성하는 단계; 트랜스퍼 프린트 헤드를 이용하여 상기 마이크로 발광 다이오드 칩을 상술한 수용 기판 상에 트랜스퍼 프린트하는 단계; 패키징하는 단계를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공한다. 선택적으로, 트랜스퍼 프린트를 수행하는 단계 전에, 상기 방법은, 상기 마이크로 발광 다이오드 칩과 일시적 기판을 일시적 본딩하는 단계, 및 상기 마이크로 발광 다이오드 칩과 상기 성장 기판을 분리시키는 단계를 더 포함한다.
본 실시예의 제조 방법에 의해 제조된 디스플레이 패널은 상술한 바와 같이 보다 낮은 고장율 및 보다 우수한 디스플레이 효과를 구비한다.
본 출원의 실시예 또는 종래기술에 따른 기술방안을 더욱 명확하게 설명하기 위하여, 아래에서는 실시예 또는 종래기술을 설명하기 위해 필요한 첨부 도면에 대해 간략하게 소개한다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에서 제공하는 수용 기판의 평면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에서 제공하는 수용 기판의 정면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 지지 보스의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 4는 도 1에 도시된 솔더층의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 5는 도 1에 도시된 솔더층의 또 다른 구조를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 출원의 다른 실시예에서 제공하는 수용 기판의 평면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 출원의 다른 실시예에서 제공하는 수용 기판의 정면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 출원의 일 실시예에서 제공하는 수용 기판의 정면 구조를 나타내는 개략도이다.
마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 제조는 일반적으로 우선 마이크로 발광 다이오드 칩과 공정 기판을 일시적으로 본딩 및 디본딩하고, 디본딩 후 트랜스퍼 프린트 헤드를 이용하여 마이크로 발광 다이오드 칩을 파지하고 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판을 본딩하여야 한다. 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판을 본딩할 때, 수용 기판 상에 각각의 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극과 대응되는 솔더 조인트가 설치되어 있고, 솔더 조인트 표면에 솔더가 설치되어 있으며, 솔더는 고온에서 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극과 솔더링으로 고정되어, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판 상의 전극층이 도통되도록 한 후, 패키징 공정을 통해 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 제조를 완성한다.
하지만, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판에 대해 본딩할 때, 솔더가 마이크로 발광 다이오드 칩의 가압력의 작용 하에 수용 기판에 평행되는 방향으로 늘어나고, 만약 지나치게 늘어나면, 인접한 솔더 조인트 표면의 솔더와 연결되어, 두 인접한 전극이 도통되도록 하므로, 단락 등의 문제점을 초래하며, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 정상적인 디스플레이에 영향을 미치게 된다. 상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 출원은 아래와 같은 기술방안을 제공한다.
본 출원의 실시예에 따르면, 본 분야의 통상적인 지식을 가진 자가 창조적인 노력을 거치지 않고도 얻어낸 모든 기타 실시예는 모두 본 출원의 보호 범위에 속한다. 충돌되지 않는 한, 후술하는 실시예 및 실시예에 따른 특징은 서로 조합될 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에서 제공하는 수용 기판의 평면 구조를 나타내는 개략도이다. 도 2는 본 출원의 일 실시예에서 제공하는 수용 기판의 정면 구조를 나타내는 개략도이다. 도 3은 도 1에 도시된 제1 지지 보스의 구조를 나타내는 개략도이다. 아래 도1 내지 도 3을 참조하기 바란다.
본 실시예는, 마이크로 발광 다이오드 칩과 솔더링하여 고정되기 위한 복수의 솔더 조인트를 포함하고, 솔더 조인트는 수용 기판(100)의 표면에 설치된 제1 지지 보스(110)와 솔더층(120)을 포함하고, 제1 지지 보스(110)는 전도성 보스이고, 제1 지지 보스(110)는 수용 기판(100)과 연결된 제1 면(111)과 수용 기판(100)에 멀리 떨어진 제2 면(112)을 포함하고, 솔더층(120)은 제2 면(112) 상에 설치되는 수용 기판(100)을 제공한다.
구체적으로, 본 실시예의 수용 기판(100)은 일괄 트랜스퍼 기술을 사용하여 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널을 생산할 때, 최종적으로 트랜스퍼 프린트 헤드 상의 마이크로 발광 다이오드와 본딩되기 위한 기판을 가리키며, 본딩 후 패키징 작업을 통해 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널을 형성한다.
본 실시예에서, 수용 기판(100)의 재질은, 글라스 기판과 같은 경질 재질일 수 있고, 유연한 재질일 수도 있다. 수용 기판(100)이 플랙서블 기판일 때, 만곡 심지어 절곡과 같은 기능을 쉽게 구현할 수 있다. 여기서, 도 1에 도시된 수용 기판(100)은 수용 기판(100) 상에 형성되어 마이크로 발광 다이오드 칩이 발광하도록 구동하기 위한 백보드(101)및 그 보호 모듈(102)을 더 포함하고, 상기 보호 모듈(102)은 수용 기판(100)의 백보드(101)와 멀리 떨어진 일측에 설치되고, 도 8에 도시된 바와 같이, 여기서, 에시적으로, 백보드(101)는 저온 폴리실리콘(Low Temperature Poly-silicon; LTPS) 백보드, 산화물(Oxide) 백보드거나 유기 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT) 백보드 등일 수 있으며, 보호 모듈(102)은 감압 접착제 또는 광학 투명 접착제를 통해 수용 기판(100)과 접합될 수 있고, 보호 모듈(102)의 형성 재질은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리우레탄(PU), 폴리카보네이트(PC), 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
수용 기판(100) 상에 복수의 솔더 조인트가 설치되어 있으며, 솔더 조인트는 백보드(101)와 전기적으로 연결된다. 솔더 조인트는 제1 지지 보스(110)와 솔더층(120)을 포함하고, 제1 지지 보스(110)는 전도성 재질로 형성된 보스일 수 있으며, 정상적인 전기적 연결을 구현한다. 일 선택적인 실시형태에서, 제1 지지 보스(110)는 구리, 크롬, 티타늄, 알루미늄, 금, 니켈, 은, 텅스텐, 몰리브덴 중 하나 또는 복수의 조합으로 형성된 금속 보스이다. 한편, 본 실시예에서 제1 지지 보스(110)의 구조는, 예컨대 원기둥 보스, 각기둥 보스 등일 수 있다. 제1 지지 보스(110)는 수용 기판(100)과 연결되는 제1 면(111)과 수용 기판(100)에 멀리 떨어진 제2 면(112)을 포함하고, 솔더층(120)은 제2 면(112) 상에 설치된다. 솔더층(120)은 임의의 적합한 재질로 제조될 수 있으며, 일 선택적인 실시형태에서, 솔더층(120)은 인듐, 주석, 금 주석 합금 중 하나 또는 복수의 조합으로 형성된 저온 솔더층이다. 솔더층(120)으로서 저온 솔더층을 선택할 경우, 솔더링 시의 온도를 낮출 수 있으며, 온도가 지나치게 높아 마이크로 발광 다이오드 칩에 손상을 입히는 것을 방지하여, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판(100)을 본딩할 때, 수평 장착, 플립 장착 또는 수직 장착의 방식을 사용할 수 있다. 마이크로 발광 다이오드 칩이 수평 장착 또는 플립 장착의 방식을 사용하여 수용 기판(100)과 본딩될 때, 각각의 마이크로 발광 다이오드는 두 개의 전극을 수용 기판(100)과 본딩하여야 한다. 마이크로 발광 다이오드 칩이 수직 장착의 방식을 사용하여 수용 기판(100)과 본딩될 때, 각각의 마이크로 발광 다이오드는 하나의 전극만 수용 기판(100)과의 본딩이 필요하다.
본 실시예에서 제공하는 수용 기판(100)은 아래와 같은 이점을 구비한다.
본 실시예에서 제공하는 수용 기판(100)은, 솔더 조인트를 제1 지지 보스(110)와 솔더층(120)의 구조로 구성하고, 전도성 보스로 제1 지지 보스(110)를 구성함으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판(100)의 정상적인 전기적 연결을 확보하고, 솔더층(120)이 제1 지지 보스(110)에서 수용 기판(100)과 멀리 떨어진 제2 면(112)에 설치된다. 이에 따라, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판(100)을 본딩할 때, 제1 지지 보스(110)의 지지 작용에 의해 마이크로 발광 다이오드 칩의 가압 거리를 제한하고, 마이크로 발광 다이오드 칩의 지나친 가압에 의해 솔더층(120)이 지나치게 확장되는 문제점을 방지하는 바, 즉 마이크로 발광 다이오드 칩의 인접한 전극(수평 장착 또는 플립 장착 방식을 사용할 경우 동일한 마이크로 발광 다이오드 상의 두 전극이고, 수직 장착의 방식을 사용할 경우 인접한 두 마이크로 발광 다이오드의 전극) 사이에 단락되는 문제점을 방지하고, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널의 정상적인 디스플레이를 확보한다.
또한, 제1 지지 보스(110)는 솔더층(120)의 확장 범위를 감소시켜, 수용 기판(100) 상의 인접한 솔더 조인트의 간격을 더욱 축소시키기에 유리하며, 이에 따라 동일한 면적의 수용 기판(100)이 더욱 많은 마이크로 발광 다이오드 칩을 수용할 수 있도록 함으로써, 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 스크린의 PPI을 향상시키거나 마이크로 발광 다이오드 칩의 사이즈를 축소시키기에 유리하다.
제1 지지 보스(110)를 설치함으로써, 또한 수용 기판(100)의 평탄도를 향상시키고, 솔더링 후의 평탄성을 개선할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 또한, 수용 기판(100)에 평행되는 방향 상에서, 제2 면(112)의 면적은 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극의 면적보다 크다.
제2 면(112)의 면적을 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극의 면적보다 크게 설치함으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판(100)을 본딩할 때, 제2 면(112)은 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극에 대해 안정적인 지지력을 제공할 수 있으며, 동시에 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극과 제2 면(112)이 충분히 접촉하도록 함으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩과 수용 기판(100)의 본딩 품질을 확보한다.
또한, 일 실시예에서, 제1 면(111)과 제2 면(112)은 모두 평면이다. 선택적으로, 수용 기판(100)에 평행되는 방향 상에서, 제1 지지 보스(110)의 횡단면 면적은 제1 면(111)으로부터 제2 면(112)으로 갈수록 점차적으로 감소된다.
제1 면(111)과 제2 면(112)은 모두 평면으로서, 제1 지지 보스(110)와 수용 기판(100) 및 마이크로 발광 다이오드 칩의 연결에 유리하다. 제1 지지 보스(110)를 횡단면 면적이 제1 면(111)으로부터 제2 면(112)으로 갈수록 점차적으로 감소되는 구조로 설치함으로써, 안정적인 지지력을 제공하기에 유리하다.
도 4는 도 1에 도시된 솔더층의 구조를 나타내는 개략도이다. 도 5는 도 1에 도시된 솔더층의 또 다른 구조를 나타내는 개략도이다. 도 4 및 도 5를 참조하기 바란다. 또한, 본 실시예의 솔더층(120)은 제1 지지 보스(110)의 외면에 피복될 수 있다.
솔더층(120)을 제1 지지 보스(110)의 외면에 피복함으로써, 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극과 솔더층(120)의 충분한 접촉을 확보할 수 있으므로, 솔더링 품질을 확보한다.
선택적으로, 수용 기판(100)에 수직되는 방향 상에서, 솔더층(120)의 수직 단면 프로파일과 제1 지지 보스(110)의 수직 단면 프로파일은 동일하다.
솔더층(120)의 수직 단면 프로파일과 제1 지지 보스(110)의 수직 단면 프로파일을 동일한 구조로 설치함으로써, 솔더층(120)의 균일한 분포를 확보할 수 있으므로, 솔더링 품질을 향상시킨다.
선택적으로, 솔더층(120)의 수직 단면 프로파일은 반원형(도 4에 도시된 바와 같이) 또는 사다리꼴(도 5에 도시된 바와 같이) 형태를 이룰 수 있으며, 본 실시예는 이에 대해 한정하지 않는다.
도 6은 본 출원의 다른 실시예에서 제공하는 수용 기판의 평면 구조를 나타내는 개략도이다. 도 7은 본 출원의 다른 실시예에서 제공하는 수용 기판의 정면 구조를 나타내는 개략도이다. 도 6 및 도 7을 참조하기 바란다. 본 실시예는 수용 기판(100)을 제공하며, 상술한 실시예 1과 다른 점은, 본 실시예의 수용 기판(100) 상에 복수의 제2 지지 보스(130)가 더 설치되고, 솔더 조인트는 제2 지지 보스(130)의 둘레를 따라 설치되고, 수용 기판에 수직되는 방향 상에서, 제2 지지 보스(130)의 높이는 제1 지지 보스(110)의 높이보다 크고 솔더층(120)과 제1 지지 보스(110)의 높이를 합한 것보다 작다.
구체적으로, 본 실시예는 제2 지지 보스(130)의 구조에 대해 한정하지 않으며, 임의의 적합한 구조를 사용할 수 있다. 제2 지지 보스(130)의 수량은 수요에 따라 선택할 수 있고, 이는 균일하게 수용 기판(100) 상에 설치될 수 있다. 제2 지지 보스(130)는 전도성 재질로 제조될 수 있고, 절연성 재질로 제조될 수도 있다. 일 선택적인 실시형태에서, 제2 지지 보스(130)는 절연성 재질로 제조될 수 있으며, 제2 지지 보스(130)의 구조는 제1 지지 보스(110)의 구조와 동일하다. 수용 기판(100)에 평행되는 방향 상에서, 제2 지지 보스(130)의 수용 기판(100) 상에서의 투영 면적이 제1 지지 보스(110)의 수용 기판(100) 상에서의 투영 면적보다 크고, 수용 기판(100)에 평행되는 방향 상에서, 제2 지지 보스(130)의 횡단면 면적은 수용 기판(100)과 멀어지는 방향으로 갈수록 점차적으로 감소된다. 상술한 구성을 통해 제2 지지 보스(130)는 제1 지지 보스(110)보다 더욱 큰 지지력을 제공할 수 있다.
본 실시예의 수용 기판(100)을 사용하여 본딩할 때, 트랜스퍼 프린트 헤드는 마이크로 발광 다이오드 칩을 가압시켜, 이에 의해 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극은 우선 솔더층(120)과 접촉하게 된다. 계속하여 가압하는 과정에서, 트랜스퍼 프린트 헤드는 제2 지지 보스(130) 상에 접하게 되고, 제2 지지 보스(130)를 설치함으로써, 트랜스퍼 프린트 헤드의 가압 변위량을 제한할 수 있으며, 트랜스퍼 프린트 헤드가 지나치게 가압함에 따른 솔더 조인트의 손상을 방지할 수 있다.
본 실시예의 기타 특징 및 이점은 상술한 실시예 1에 기재된 바와 동일하므로, 여기서는 반복되는 설명을 생략한다.
본 실시예는, 상술한 실시예 1 또는 실시예 2에 따른 수용 기판을 포함하는 디스플레이 패널을 제공한다.
구체적으로, 본 실시예의 디스플레이 패널은 일괄 트랜스퍼 기술을 사용하여 제조된 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 패널이다. 제조 시, 우선 성장 기판 상에 마이크로 발광 다이오드 칩을 제조한 후, 마이크로 발광 다이오드 칩과 일시적 기판을 일시적 본딩하고, 마이크로 발광 다이오드 칩과 성장 기판을 분리시키고, 트랜스퍼 프린트 헤드를 이용하여 마이크로 발광 다이오드 칩과 일시적 기판을 분리시키고, 필요한 수량의 마이크로 발광 다이오드 칩을 수용 기판 상에 트랜스퍼 프린트하고, 마지막으로 패키징을 수행한다.
본 실시예에서 제공하는 디스플레이 패널은, 상술한 수용 기판이 설치되므로, 보다 낮은 고장율 및 보다 우수한 디스플레이 효과를 구비한다.
상술한 각 실시예는 본 출원의 기술방안을 설명하기 위한 것일 뿐, 이에 대한 한정은 아니다. 전술한 각 실시예를 참조하여 본 출원에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 분야의 통상의 지식을 가진 자라면, 여전히 전술한 각 실시예에 기재된 기술방안에 대해 수정하거나, 기술특징의 일부 또는 전부에 대해 동등한 치환을 수행할 수 있으며, 이러한 수정 또는 치환에 의해 상응한 기술방안의 본질이 본 출원의 각 실시예의 기술방안의 범위를 벗어나는 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다.

Claims (19)

  1. 마이크로 발광 다이오드 칩과 솔더링되어 고정하기 위한 복수의 솔더 조인트를 포함하는 수용 기판으로서, 상기 솔더 조인트는 상기 수용 기판 표면에 설치된 제1 지지 보스와 솔더층을 포함하고, 상기 제1 지지 보스는 전도성 보스이고, 상기 제1 지지 보스는 상기 수용 기판과 연결된 제1 면과 상기 수용 기판에 멀리 이격된 제2 면을 포함하고, 상기 솔더층은 상기 제2 면 상에 설치되고,
    상기 수용 기판은 복수의 제2 지지 보스가 더 설치되어 있고, 상기 솔더 조인트는 상기 제2 지지 보스의 둘레를 따라 설치되고, 상기 수용 기판에 수직되는 방향 상에서, 상기 제2 지지 보스의 높이는 상기 제1 지지 보스의 높이보다 크며 상기 제1 지지 보스와 상기 솔더층의 높이를 합한 것보다 작은, 수용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제2 면의 면적은 솔더링될 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극의 면적보다 큰 것; 또는
    상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제1 지지 보스의 횡단면 면적은 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 갈수록 점차적으로 감소되는 것; 또는
    상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제2 면의 면적은 솔더링될 마이크로 발광 다이오드 칩의 전극의 면적보다 크고; 상기 제1 지지 보스의 횡단면 면적은 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 갈수록 점차적으로 감소되는 것인, 수용 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 면과 상기 제2 면은 모두 평면인 것; 또는
    상기 솔더층은 상기 제1 지지 보스의 외면에 피복되는 것; 또는
    상기 제1 면과 상기 제2 면은 모두 평면이고; 상기 솔더층은 상기 제1 지지 보스의 외면에 피복되는, 수용 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 수용 기판에 수직되는 방향 상에서, 상기 솔더층의 수직 단면 프로파일과 상기 제1 지지 보스의 수직 단면 프로파일은 동일한, 수용 기판.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 수용 기판에 평행되는 방향 상에서, 상기 제2 지지 보스의 상기 수용 기판 상에서의 투영 면적이 상기 제1 지지 보스의 상기 수용 기판 상에서의 투영 면적보다 크고, 상기 제2 지지 보스의 횡단면 면적은 상기 수용 기판으로부터 멀어지는 방향을 따라 점차적으로 감소되는, 수용 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수용 기판 상에 형성되어 상기 마이크로 발광 다이오드 칩이 발광하도록 구동하기 위한 백보드 및 그 보호 모듈을 더 포함하고, 상기 보호 모듈은 상기 수용 기판의 상기 백보드와 멀리 떨어진 일측에 구비되는, 수용 기판.
  8. 제1항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 수용 기판을 포함하는, 디스플레이 패널.
  9. 성장 기판 상에 마이크로 발광 다이오드 칩을 형성하는 단계;
    트랜스퍼 프린트 헤드를 이용하여 상기 마이크로 발광 다이오드 칩을 제1항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 수용 기판 상에 트랜스퍼 프린트하는 단계;
    수용 기판에 대해 패키징하는 단계를 포함하는, 디스플레이 패널의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    트랜스퍼 프린트를 수행하는 단계 전에,
    상기 마이크로 발광 다이오드 칩과 일시적 기판에 대해 일시적 본딩을 수행하는 단계; 및
    상기 마이크로 발광 다이오드 칩과 상기 성장 기판을 분리시키는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 패널의 제조 방법.
  11. 삭제
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