KR20190070507A - Substrate processing chamber - Google Patents
Substrate processing chamber Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190070507A KR20190070507A KR1020170171074A KR20170171074A KR20190070507A KR 20190070507 A KR20190070507 A KR 20190070507A KR 1020170171074 A KR1020170171074 A KR 1020170171074A KR 20170171074 A KR20170171074 A KR 20170171074A KR 20190070507 A KR20190070507 A KR 20190070507A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- housing
- frame
- driving
- substrate
- elevating
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 초임계유체를 사용하여 기판의 세정 또는 건조가 수행되는 기판 처리용 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고압 상태의 챔버 내부 압력을 견고하게 지지함과 아울러 챔버의 전체 높이를 줄이고, 이물이 기판으로 유입되는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리용 챔버에 관한 것이다. The present invention relates to a chamber for processing a substrate, in which cleaning or drying of a substrate is carried out using a supercritical fluid, and more particularly to a chamber for supporting a high pressure chamber interior pressure, reducing the overall height of the chamber, To a substrate processing chamber capable of minimizing the inflow of the substrate into the substrate.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.In general, cleaning is classified into wet cleaning and dry cleaning, among which wet cleaning is widely used in the field of semiconductor manufacturing. Wet scrubbing is a continuous way to remove contaminants using chemicals that match the contaminants at each stage, and a large amount of acid and alkali solutions are used to remove contaminants that remain on the substrate.
그러나, 이러한 습식세정에 이용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 이용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.However, the chemicals used for the wet cleaning not only adversely affect the environment but also cause a significant increase in the production cost of the product due to complicated processes, and when used for cleaning a precise part such as a highly integrated circuit, There is a problem in that the contaminant removal can not be effectively performed due to the collapse of the microstructured pattern due to the tensile force.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.Recently, a dry cleaning method using carbon dioxide, which is a non-toxic, non-combustible material and a cheap and environmentally friendly substance, as a solvent has been developed as a solution to solve such a problem. Since carbon dioxide has a low critical temperature and a critical pressure, it can easily reach the supercritical state, the interfacial tension is close to zero, and the density or the solvent strength is changed according to the pressure change due to the high compressibility in the supercritical state And it is easy to separate the solvent from the solute because the gas state is changed by the decompression.
도 1을 참조하면, 종래 초임계유체를 사용한 기판 처리용 챔버(1)는, 기판을 챔버(1) 내부에 투입하거나 챔버(1)로부터 외부로 반출하는 경우에 챔버(1)를 개폐하기 위한 구성으로서, 기판이 안착되는 하부 챔버(10)와, 상기 하부 챔버(10)의 상부에 결합되어 기판을 처리하기 위한 밀폐 공간을 형성하는 상부 챔버(20), 및 상기 상부 챔버(20) 또는 하부 챔버(10)의 승강 이동을 위한 실린더(30)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a
상기 초임계유체를 사용하여 기판을 처리하는 경우, 기판 처리 공정이 수행되는 챔버(1)의 내부 공간 또한 초임계 상태인 고압 상태가 되는데, 이러한 고압에 충분히 견디기 위해서는 하부 챔버(10)와 상부 챔버(20)가 초기에 세팅된 결합 상태를 유지할 수 있는 견고함이 요구된다. 이를 위해 종래에는 유압 실린더(30)를 이용하여 하부 챔버(10)를 승강 이동시키고, 그 이동된 상태를 유압 실린더(30)의 유압에 의해 유지될 수 있도록 하였다. 그러나, 이와 같이 유압 실린더(30)를 이용할 경우에는 오일의 누설에 의해 기판 처리용 챔버(1)의 주변 환경이 오염되어 기판의 품질 저하를 유발하는 문제점이 있었다.When the substrate is processed using the supercritical fluid, the inner space of the
또한, 종래의 기판 처리용 챔버(1)는, 유압 실린더(30)가 하부 챔버(10)의 하부 중앙부에서 바닥면까지 연장되도록 설치되어 있어 기판 처리용 챔버(1)의 전체 높이가 높아져 챔버(1)의 설치 공간의 제약이 따를 수 있는 문제점이 있고, 하부 챔버(10)의 하측 공간에 유압 실린더(30)가 설치되어 있어 다른 구조물을 설치할 수 없게 됨에 따라 공간 활용도가 낮은 문제점이 있었다.In the conventional
이러한 초임계유체를 이용한 기판 처리용 챔버와 관련된 선행기술은 등록특허 제10-1099592호에 개시되어 있다.Prior art relating to a chamber for processing substrates using such a supercritical fluid is disclosed in Patent No. 10-1099592.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 초임계유체를 사용하여 기판을 처리하는 경우 고압 상태의 챔버 내부 압력을 견고하게 지지함과 아울러 챔버의 전체 높이를 줄이고, 이물이 기판으로 유입되는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리용 챔버를 제공함에 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for supporting a substrate using a supercritical fluid, And a chamber for treating the substrate, which can minimize the inflow of the substrate.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 기판이 안착되는 제1하우징; 상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징; 상기 제1하우징이 고정되는 제1프레임; 상기 제2하우징이 고정되는 제2프레임; 상기 제1프레임 또는 제2프레임에 고정되며 승강부를 회전구동하는 구동부; 및 상기 승강부가 승강되도록 지지하는 지지프레임을 포함하여 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber comprising: a first housing on which a substrate is placed; A second housing coupled to the first housing to form a substrate processing space; A first frame to which the first housing is fixed; A second frame to which the second housing is fixed; A driving unit fixed to the first frame or the second frame and rotationally driving the elevating unit; And a support frame for supporting the elevating and lowering part to be elevated and lowered.
상기 승강부와 상기 지지프레임은 기어결합되거나 나사결합될 수 있다. 따라서, 구동부의 구동에 의해 승강부가 일방향 또는 반대방향으로 회전되면, 회전하는 승강부는 지지프레임에 의해 지지되어 승강될 수 있으며, 승강부와 구동부에 결합된 제1프레임과 제1하우징 또한 일체로 승강될 수 있다. 따라서, 제1하우징의 승강 이동을 위한 장치의 구조를 간소화 함과 동시에 장치의 높이를 낮출 수 있으며, 제1하우징 하측의 챔버 내부 공간에 다른 구조물을 설치할 수 있는 여유공간이 확보되어 챔버 내부의 공간 활용도를 높일 수 있다.The elevating portion and the support frame may be gear-engaged or screw-engaged. Therefore, when the elevating portion is rotated in one direction or the opposite direction by driving the driving portion, the rotating elevating portion can be supported by the supporting frame and can be elevated and lowered. Also, the first frame and the first housing coupled to the elevating portion and the driving portion, . Therefore, it is possible to simplify the structure of the apparatus for lifting and moving the first housing and to reduce the height of the apparatus, to secure a free space for installing another structure in the space below the first housing, It can increase utilization.
상기 구동부 및 승강부는 상기 제1프레임의 하측 공간에 구비되고, 상기 제1하우징 및 제2하우징은 상기 제1프레임의 상측 공간에 구비되어, 상기 제1프레임을 기준으로 상기 구동부 및 승강부는 상기 제1하우징 및 제2하우징과 공간적으로 분리된 위치에 구비된다. 따라서, 구동부의 구동에 따라 발생하는 이물이 제1프레임의 상측으로 유입되는 것을 차단시켜 제1하우징과 제2하우징 내부에 안착되는 기판의 오염을 방지할 수 있다.Wherein the driving unit and the elevating unit are provided in a lower space of the first frame, the first housing and the second housing are provided in an upper space of the first frame, and the driving unit and the elevating unit, 1 < / RTI > housing and the second housing. Therefore, it is possible to prevent contamination of the substrate, which is seated in the first housing and the second housing, by preventing the foreign matter generated by the driving unit from flowing into the upper side of the first frame.
또한, 상기 제1하우징의 외측부에는 제1플랜지부가 형성되고, 상기 제2하우징의 외측부에는 상기 제1플랜지부에 맞닿는 제2플랜지부가 형성되며, 상기 제1플랜지부와 제2플랜지부를 고정지지하기 위해 왕복 이동 가능한 클램프를 더 포함하여 구성될 수 있다. A first flange portion is formed on an outer side portion of the first housing, a second flange portion abutting on the first flange portion is formed on an outer side portion of the second housing, and the first flange portion and the second flange portion are fixed And a clamp capable of being reciprocated in order to be able to reciprocate.
본 발명에 따른 기판 처리용 챔버에 의하면, 고압 상태의 챔버 내부 압력을 견고하게 지지함과 동시에 제1하우징과 제2하우징을 승강시키기 위한 구조를 개선시켜 챔버의 전체 높이를 줄일 수 있고, 챔버 내부의 공간 활용도를 높임과 아울러 이물이 기판으로 유입되는 것을 방지함으로써 기판 처리 품질을 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing chamber of the present invention, it is possible to firmly support the pressure inside the chamber in a high-pressure state while improving the structure for lifting and lowering the first and second housings, thereby reducing the overall height of the chamber, It is possible to improve the space utilization of the substrate and prevent the foreign matter from flowing into the substrate, thereby improving the quality of the substrate processing.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리용 챔버의 단면도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 단면도,
도 3은 도 2의 A-A 선을 따르는 단면도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버가 개방된 모습을 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버에서 구동부의 상향 구동에 의해 승강부와 제1프레임 및 제1하우징이 상승 이동된 모습을 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버에서 클램프에 의해 제1하우징과 제2하우징이 결합된 상태를 유지하도록 고정 지지되는 모습을 나타낸 단면도,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 단면도,
도 8은 도 7의 B-B 선을 따르는 단면도. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing chamber according to the prior art,
2 is a cross-sectional view of a substrate processing chamber according to an embodiment of the present invention,
3 is a sectional view taken along the line AA in Fig. 2,
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing chamber according to an embodiment of the present invention,
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a state where the elevating unit, the first frame, and the first housing are moved upward by the upward driving of the driving unit in the substrate processing chamber according to the embodiment of the present invention,
6 is a cross-sectional view illustrating a state in which a first housing and a second housing are fixedly coupled to each other by a clamp in a substrate processing chamber according to an embodiment of the present invention,
7 is a cross-sectional view of a substrate processing chamber according to another embodiment of the present invention,
8 is a sectional view taken along the line BB in Fig. 7; Fig.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100)는, 초임계유체를 사용하여 기판의 세정 또는 건조 처리 공정이 수행되는 장치이다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100)는, 기판(W)이 안착되는 제1하우징(110), 상기 제1하우징(110)과 결합되어 기판처리공간(S1)을 형성하는 제2하우징(120), 상기 제1하우징(110)이 고정되는 제1프레임(130), 상기 제2하우징(120)이 고정되는 제2프레임(140), 상기 제1프레임(130) 또는 제2프레임(140)에 고정되며 승강부(160;160-1,160-2,160-3,160-4)를 회전구동하는 구동부(150), 및 상기 승강부(160)가 승강되도록 지지하는 지지프레임(170;170-1,170-2,170-3,170-4)을 포함하여 구성된다. 2 to 6, a
또한, 상기 기판처리공간(S1)이 밀폐된 상태를 유지하도록 상기 제1하우징(110)과 제2하우징(120)을 고정 지지하는 클램프(180;180-1,180-2)와, 상기 제1프레임(130) 상에 구비되어 상기 클램프(180;180-1,180-2)가 슬라이딩되도록 지지하는 가이드프레임(190;190-1,190-2)을 더 포함하여 구성된다.In addition, a clamp 180 (180-1, 180-2) for fixedly supporting the
상기 제1하우징(110)은 기판처리공간(S1)의 하부를 밀폐하기 위한 구성이다. 상기 제1하우징(110)의 상부 외측부에는 제1플랜지부(111)가 구비된다. 상기 제1하우징(110)의 상면 가장자리부에는 제2하우징(120)과의 결합시 제1하우징(110)의 상면과 제2하우징(120)의 하면 사이의 틈새를 통하여 챔버(100) 내부의 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하여 기판처리공간(S)을 밀폐된 상태로 유지하기 위한 실링부재(112)가 구비된다. 그리고, 상기 제1하우징(110)의 상면에는 기판(W)을 지지하기 위한 스테이지(113)가 구비된다.The
상기 제1하우징(110)은 제1프레임(130) 상에 고정되어, 상기 제1프레임(130)과 일체로 승강 이동된다.The
상기 제2하우징(120)은, 기판처리공간(S1)의 상부를 밀폐하기 위한 구성으로, 하부는 개방되고 상부와 측면은 막힌 구조로 이루어지며, 상기 제2하우징(120)의 하부 외측부에는 상기 제1플랜지부(111)와 맞닿는 제2플랜부(121)가 구비된다.The
상기 제2하우징(120)은 제1프레임(140)에 고정되고, 상기 제2하우징(120)과 제1프레임(140)은 승강 이동 없이 제자리에 고정된 상태로 구비된다.The
상기 제1하우징(110)이 상승 이동하여 제2하우징(120)에 결합되면, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)으로 둘러싸인 내부에는 기판처리공간(S)이 마련된다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)에는 초임계유체가 유입되는 유입구와, 기판 처리 공정을 마친 초임계유체와 기판(W)으로부터 분리된 약액 등의 혼합유체가 배출되는 배출구가 형성된다.When the
상기 구동부(150)는, 상기 제1하우징(110)과 제1프레임(130)을 승강시키기 위한 구동력을 제공하기 위한 모터로 구성될 수 있다. 상기 구동부(150)는 제1프레임(130)의 저면에 고정되고, 상기 승강부(160)와 연결된다.The
상기 승강부(160)는, 상기 구동부(150)의 구동력에 의해 회전되며, 상기 구동부(150)의 구동방향에 따라서 일방향 또는 반대방향으로 회전하게 된다.The
상기 지지프레임(170)은 기판 처리용 챔버(100)의 외벽을 형성하는 측면프레임(141)의 내측면에 고정된다.The
상기 승강부(160)와 지지프레임(170) 간에는 기어방식으로 결합되거나, 나사방식으로 결합될 수 있다. 따라서, 상기 구동부(150)의 구동에 의해 상기 승강부(160)가 회전하게 되면, 상기 지지프레임(170)과 기어결합 또는 나사결합된 상기 승강부(160)는 위치 고정된 지지프레임(170)에 의해 지지되며 상승 또는 하강 이동하게 된다. The
상기 승강부(160)가 상승 또는 하강 이동하게 되면, 상기 승강부(160)에 연결된 구동부(150)와 제1프레임(130) 및 제1하우징(110)은 일체로 상승 또는 하강 이동하게 된다.When the
도 3을 참조하면, 상기 지지프레임(170;170-1,170-2,170-3,170-4)은 상기 제1프레임(130)의 둘레로 원주방향을 따라 이격된 위치에 복수로 구비된다. 상기 측면프레임(141)은 다각 형태로 구비될 수 있고, 상기 지지프레임(170;170-1,170-2,170-3,170-4)은 상기 측면프레임(141)의 모서리부에 복수로 구비될 수 있다. Referring to FIG. 3, the support frames 170-1, 170-2, 170-3, and 170-4 are provided at a plurality of positions spaced along the circumference of the
상기 구동부(150)와 승강부(160)는 상기 복수의 지지프레임(170)과 대응하는 복수로 구비될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 구동부(150)와 승강부(160) 및 지지프레임(170)은 각각 4개로 구성된다.The
상기 구동부(150) 및 승강부(160)는 상기 제1프레임(130)의 하측 공간에 구비되고, 상기 제1하우징(110) 및 제2하우징(120)은 상기 제1프레임(130)의 상측 공간에 구비되어, 상기 제1프레임(130)을 기준으로 상기 구동부(150) 및 승강부(160)는 상기 제1하우징(110) 및 제2하우징(120)과 공간적으로 분리된 위치에 구비된다. The
이 경우, 구동부(150)의 구동에 따른 승강부(160)와 지지프레임(170) 간의 접촉 및 회전에 따라 발생 가능한 이물이 제1프레임(130)에 의해 가로막혀 제1프레임(130)의 상측 공간에 구비되는 제1하우징(110)과 제2하우징(120)으로 유입되는 것을 차단함으로써, 이물의 유입에 따른 기판(W)의 오염을 방지할 수 있다.In this case, a foreign object which may be generated by the contact and rotation between the
상기 클램프(180;180-1,180-2)는, 제1하우징(110)의 제1플랜지부(111)와 제2하우징(120)의 제2플랜지부(121)를 고정 지지하거나 상호 분리되도록 왕복 이동 가능하게 구비된다. The clamps 180-1 and 180-2 are fixed to the
상기 가이드프레임(190;190-1,190-2)은, 상기 클램프(180;180-1,180-2)가 왕복 이동 가능하도록 지지하기 위한 구성으로, 상기 제1프레임(130) 상에 고정된다.The guide frame 190 (190-1, 190-2) is fixed on the
상기 클램프(180)와 가이드프레임(190)의 연결부는 슬라이드홈(미도시됨)과 이에 삽입되어 슬라이딩되는 슬라이드돌기(미도시됨)가 형성된 것으로 구성될 수 있다. 상기 클램프(180;180-1,180-2)와 가이드프레임(190;190-1,190-2)은, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)의 외측부의 대향하는 위치에 이중으로 구비될 수 있다. 상기 클램프(180)는 스텝모터 또는 솔레노이드의 구동에 의해 왕복 이동되는 것으로 구성될 수 있다.The connecting portion of the
다른 실시예로, 상기 클램프(180)와 가이드프레임(190)은 상기 제1하우징(110)과 제2하우징(120)의 외측부의 원주방향으로 이격된 위치에 복수로 구비될 수도 있다.The
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 작용을 설명한다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described with reference to Figs.
먼저, 도 4를 참조하면, 피처리대상 기판(W)을 챔버(100) 내부로 반입하거나, 기판 처리 공정이 완료된 후에 기판(W)을 챔버(100)의 외부로 반출하는 경우, 클램프(180;180-1,180-2)는 화살표로 나타낸 바와 같이 반경방향 외측으로 이동되어 제1플랜지(111)와 제2플랜지(121)가 분리 가능한 상태가 되도록 하고, 구동부(150)의 일방향 구동에 의해 승강부(160)가 일방향으로 회전되면서 구동부(150), 승강부(160), 제1프레임(130), 제1하우징(110), 클램프(180) 및 가이드프레임(190)은 일체로 화살표로 나타낸 바와 같이 하강 이동하게 된다. 이 경우 제1하우징(110)의 상면과 제2하우징(120)의 하면 사이에는 상하로 이격된 공간(S3)이 마련되고, 이 공간(S3)을 통하여 기판(W)이 반입 또는 반출될 수 있다.4, when the substrate W to be processed is brought into the
도 4의 상태에서 기판(W)이 스테이지(111) 상으로 반입되면, 도 5에 도시된 바와 같이 구동부(150)의 반대방향 구동에 의해 승강부(160)가 반대방향으로 회전되면서 구동부(150), 승강부(160), 제1프레임(130), 제1하우징(110), 클램프(180) 및 가이드프레임(190)은 일체로 화살표로 나타낸 바와 같이 제1플랜지(111)와 제2플랜지(121)가 맞닿는 위치까지 상승 이동하게 된다. 5, when the substrate W is carried on the
도 5의 상태에서 클램프(180)는 제1플랜지(111)와 제2플랜지(121)를 고정시키는 위치로 도 2의 상태가 될 때까지 반경방향 내측으로 이동하게 된다.5, the
도 7과 도 8은 본 발명의 다른 실시예로서, 본 실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-1)는 기타의 구성은 전술한 일실시예와 동일하고, 상기 구동부(150)와 상기 승강부(160)는 각각 단수로 구비되어 상기 복수의 지지프레임(170)에 걸쳐서 연결되는 것으로 구성할 수 있다.7 and 8 illustrate another embodiment of the present invention. The substrate processing chamber 100-1 according to the present embodiment is otherwise the same as the above-described one embodiment, and the
상기와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 제1하우징(110)을 승강이동시키기 위한 구성으로, 구동부(150)를 제1프레임(130)의 하부에 장착하고, 구동부(150)에 연결되어 회전 구동되는 승강부(160)와, 상기 승강부(160)에 기어결합 또는 나사결합되는 지지프레임(170)을 측면프레임(141)의 내측에 구비함으로써, 종래기술에서 설명된 하부 챔버(10)의 하부 중앙에 하측으로 연결되는 실린더(30)를 구비한 경우와 비교할 때, 기판 처리용 챔버(100,100-1)의 전체 높이를 낮출 수 있어 설치 공간상의 제약을 줄일 수 있으며, 챔버(100,100-1)의 하부, 즉 바닥프레임(142)의 상측에 마련되는 공간(S2)에 다른 구조물을 설치할 수 있는 여유 공간을 확보할 수 있어, 공간 활용도를 높일 수 있는 이점이 있다.The driving
본 명세서에서는 제1하우징(110)이 승강되고 제2하우징(120)이 고정된 경우를 예로들었으나, 이에 제한되는 것은 아니며 상기 제1하우징(110)이 고정되고 제2하우징(120)이 승강 가능한 구조로 변형실시될 수도 있다.The present invention is not limited thereto and the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the appended claims. And such modifications are within the scope of the present invention.
1 : 기판 처리용 챔버
10 : 하부 챔버
20 : 상부 챔버
30 : 실린더
100,100-1 : 기판 처리용 챔버
110 : 제1하우징
111 : 제1플랜지부
112 : 실링부재
113 : 스테이지
120 : 제2하우징
121 : 제2플랜지부
130 : 제1프레임
140 : 제2프레임
141 : 측면프레임
142 : 바닥프레임
150 : 구동부
160,160-1,160-2,160-3,160-4 : 승강부
170,170-1,170-2,170-3,170-4 : 지지프레임
180,180-1,180-2 : 클램프
190,190-1,190-2 : 가이드프레임
S1 : 기판처리공간
S2 : 하부공간
S3 : 기판출입공간
W : 기판1: substrate processing chamber 10: lower chamber
20: upper chamber 30: cylinder
100, 100-1: substrate processing chamber 110: first housing
111: first flange portion 112: sealing member
113: stage 120: second housing
121: second flange portion 130: first frame
140: second frame 141: side frame
142: bottom frame 150:
160, 160-1, 160-2, 160-3, 160-4:
170,170-1,170-2,170-3,170-4: Support frame
180,180-1,180-2: Clamp 190,190-1,190-2: Guide frame
S1: Substrate processing space S2: Lower space
S3: Substrate entry space W: Substrate
Claims (15)
상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징;
상기 제1하우징이 고정되는 제1프레임;
상기 제2하우징이 고정되는 제2프레임;
상기 제1프레임 또는 제2프레임에 고정되며 승강부를 회전구동하는 구동부;
상기 승강부가 승강되도록 지지하는 지지프레임;
을 포함하는 기판 처리용 챔버.A first housing on which a substrate is seated;
A second housing coupled to the first housing to form a substrate processing space;
A first frame to which the first housing is fixed;
A second frame to which the second housing is fixed;
A driving unit fixed to the first frame or the second frame and rotationally driving the elevating unit;
A supporting frame for supporting the elevating and lowering part to be elevated and lowered;
And a substrate processing chamber.
상기 승강부와 상기 지지프레임은 기어결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the elevating portion and the supporting frame are gear-engaged.
상기 승강부와 상기 지지프레임은 나사결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the elevating portion and the supporting frame are screwed together.
상기 구동부는 상기 제1프레임에 고정되고,
상기 구동부의 구동에 의해 상기 구동부와 승강부와 제1프레임 및 제1하우징은 일체로 승강되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 2 or 3,
The driving unit is fixed to the first frame,
Wherein the driving part, the elevation part, the first frame, and the first housing are integrally raised and lowered by driving the driving part.
상기 구동부 및 승강부는 상기 제1프레임의 하측 공간에 구비되고, 상기 제1하우징 및 제2하우징은 상기 제1프레임의 상측 공간에 구비되어, 상기 제1프레임을 기준으로 상기 구동부 및 승강부는 상기 제1하우징 및 제2하우징과 공간적으로 분리된 위치에 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.5. The method of claim 4,
Wherein the driving unit and the elevating unit are provided in a lower space of the first frame, the first housing and the second housing are provided in an upper space of the first frame, and the driving unit and the elevating unit, Wherein the first housing and the second housing are spaced apart from each other.
상기 지지프레임은 상기 제1프레임의 둘레로 원주방향을 따라 이격된 위치에 복수로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.6. The method of claim 5,
Wherein the support frame is provided at a plurality of positions spaced apart in the circumferential direction around the first frame.
상기 기판 처리용 챔버의 외벽을 형성하는 다각 형상의 측면프레임을 더 포함하고, 상기 지지프레임은 상기 측면프레임의 모서리부에 복수로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 6,
Further comprising a side frame having a polygonal shape forming an outer wall of the chamber for processing a substrate, wherein the support frame is provided at a plurality of corners of the side frame.
상기 구동부와 상기 승강부는 상기 복수의 지지프레임과 대응하는 복수로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.8. The method of claim 7,
Wherein the driving portion and the elevating portion are provided in a plurality corresponding to the plurality of support frames.
상기 구동부와 상기 승강부는 각각 단수로 구비되어 상기 복수의 지지프레임에 걸쳐서 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.8. The method of claim 7,
Wherein the driving unit and the elevating unit are provided in a single unit, and are connected to the plurality of support frames.
상기 기판처리공간이 밀폐된 상태를 유지하도록 상기 제1하우징과 제2하우징을 고정 지지하는 클램프를 더 포함하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Further comprising a clamp for fixingly supporting the first housing and the second housing such that the substrate processing space remains in a sealed state.
상기 제1하우징의 외측부에는 제1플랜지부가 형성되고,
상기 제2하우징의 외측부에는 상기 제1플랜지부에 맞닿는 제2플랜지부가 형성되며,
상기 클램프는 상기 제1플랜지부와 제2플랜지부를 고정 지지하거나 상호 분리되도록 왕복 이동 가능하게 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.11. The method of claim 10,
A first flange portion is formed on an outer side of the first housing,
A second flange portion abutting the first flange portion is formed on the outer side of the second housing,
Wherein the clamp is provided so as to be reciprocally movable so as to fixly support or separate the first flange portion and the second flange portion.
상기 제1프레임 상에는 상기 클램프가 슬라이딩되도록 지지하는 가이드프레임이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.12. The method of claim 11,
And a guide frame for supporting the clamp to slide on the first frame.
상기 클램프는 스텝모터 또는 솔레노이드의 구동에 의해 왕복 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.13. The method of claim 12,
And the clamp is reciprocated by driving of a step motor or a solenoid.
상기 클램프와 가이드프레임은 상기 제1하우징과 제2하우징의 외측부의 대향하는 위치에 이중으로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.13. The method of claim 12,
Wherein the clamp and the guide frame are provided at the opposite positions of the outer sides of the first housing and the second housing.
상기 클램프와 가이드프레임은 상기 제1하우징과 제2하우징의 외측부의 원주방향으로 이격된 위치에 복수로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.13. The method of claim 12,
Wherein the clamp and the guide frame are provided at a plurality of positions spaced from each other in the circumferential direction of the outer side of the first housing and the second housing.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170171074A KR20190070507A (en) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | Substrate processing chamber |
CN201820835248.3U CN208422871U (en) | 2017-12-13 | 2018-05-31 | For handling the chamber of substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170171074A KR20190070507A (en) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | Substrate processing chamber |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190070507A true KR20190070507A (en) | 2019-06-21 |
Family
ID=65113811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170171074A KR20190070507A (en) | 2017-12-13 | 2017-12-13 | Substrate processing chamber |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20190070507A (en) |
CN (1) | CN208422871U (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021112417A1 (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 주식회사 케이씨텍 | Substrate processing device comprising door unit having inclined surface |
KR20220097730A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-08 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
-
2017
- 2017-12-13 KR KR1020170171074A patent/KR20190070507A/en not_active Application Discontinuation
-
2018
- 2018-05-31 CN CN201820835248.3U patent/CN208422871U/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021112417A1 (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 주식회사 케이씨텍 | Substrate processing device comprising door unit having inclined surface |
US11701693B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-07-18 | Kctech Co., Ltd. | Substrate processing device comprising door unit having inclined surface |
KR20220097730A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-08 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN208422871U (en) | 2019-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102375985B1 (en) | Substrate processing chamber | |
CN106952844B (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102417011B1 (en) | Substrate processing chamber | |
KR102155175B1 (en) | Sealing member and substrate processing apparatus having the same | |
KR20190070507A (en) | Substrate processing chamber | |
KR20100124319A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2007502550A (en) | Method and apparatus for thin layer chemical processing of semiconductor wafers | |
KR100666894B1 (en) | Gate valve and vacuum gate valve | |
KR20190002935A (en) | Substrate processing chamber and Control method for lift position of the substrate processing chamber | |
KR20180125765A (en) | Substrate processing chamber | |
KR20210015056A (en) | Apparatus for Treating Substrate | |
KR20190003068A (en) | Substrate processing chamber | |
CA2444296A1 (en) | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features | |
KR101305139B1 (en) | Lift Pin Assembly and Vacuum Processing Apparatus having the Same | |
KR101295793B1 (en) | Apparatus and method for supplying isopropyl alcohol liquid | |
JP3836765B2 (en) | High pressure processing equipment | |
JPH09232266A (en) | Cleaner of semiconductor wafer | |
KR100837627B1 (en) | Substrate processing apparatus including upper and lower chamber | |
KR101053143B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2003347266A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101323215B1 (en) | Depositon chamber | |
KR100992651B1 (en) | Apparatus of treating a substrate in a single wafer type and method of the same | |
KR20200142673A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same | |
CN218241781U (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102138675B1 (en) | Apparatus for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |