KR100992651B1 - Apparatus of treating a substrate in a single wafer type and method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 매엽식 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공한다. 매엽식 기판 처리 장치는 상기 기판을 세정하는 세정챔버, 상기 세정챔버의 일측에 구비되어 세정이 완료된 상기 기판을 건조하는 건조챔버, 상기 기판이 놓여지며 상기 세정챔버 또는 상기 건조챔버 내에서 회전 및 직선 운동을 하는 스핀척 및 상기 세정챔버와 상기 건조챔버의 사이에 형성되어 상기 스핀척이 직선 운동하도록 개폐되거나 상기 기판을 건조하는 동안 상기 건조챔버를 밀폐시키는 도어를 포함한다. 이로 인해 기판의 건조 효율을 높일 수 있다.The present invention provides a sheet type substrate processing apparatus and a method thereof. The single wafer type substrate processing apparatus includes a cleaning chamber for cleaning the substrate, a drying chamber provided at one side of the cleaning chamber to dry the substrate on which the cleaning is completed, the substrate being placed, and rotating and linearly in the cleaning chamber or the drying chamber. A spin chuck for movement and a door formed between the cleaning chamber and the drying chamber to open and close the spin chuck in a linear motion or to seal the drying chamber while the substrate is dried. This can increase the drying efficiency of the substrate.

세정챔버, 건조챔버, 스테인레스 스틸 Cleaning chamber, drying chamber, stainless steel

Description

매엽식 기판 처리 장치 및 그 방법{APPARATUS OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE AND METHOD OF THE SAME}Sheet type substrate processing apparatus and its method {APPARATUS OF TREATING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE AND METHOD OF THE SAME}

본 발명은 매엽식 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 기판을 세정하는 챔버와 기판을 건조하는 챔버를 분리하여 건조 효율을 개선한 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sheet type substrate processing apparatus and a method thereof. The present invention relates to a sheet type substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a chamber for cleaning a substrate and a chamber for drying the substrate are separated to improve drying efficiency.

일반적으로, 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 공정이 수행된다.In general, a semiconductor device may be manufactured by repeatedly performing deposition, photography, and etching processes using a substrate, for example, a silicon wafer. Contaminants such as various particles, metal impurities, organic impurities, and the like may remain on the substrate during the processes. Since the contaminants adversely affect the yield and reliability of the semiconductor device, a process for removing contaminants remaining on the substrate is performed during semiconductor manufacturing.

상기 공정을 위한 기판 처리 방식은 크게 건식 처리 방식 및 습식(Wet) 처리 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 처리 방식은 여러 가지 약액을 이용한 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 처리하는 배치식(batch type) 장치와 낱장 단위로 기판을 처리하는 매엽식(single wafer type) 장치로 구분된다.Substrate processing method for the process can be largely divided into a dry processing method and a wet (Wet) processing method, the wet processing method is a method using a variety of chemical solutions, batch processing (batch) to process a plurality of substrates at the same time type) It is divided into device and single wafer type device that processes the substrate by sheet.

배치식 처리장치는 세정액이 수용된 세정조에 복수의 기판을 한꺼번에 침지시켜서 오염원을 제거한다. 그러나, 기존의 배치식 처리장치는 기판의 대형화 추세에 대한 대응이 용이하지 않고, 세정액의 사용이 많다는 단점이 있다. 또한 배치식 처리장치에서 공정 중에 기판이 파손되는 경우에는 세정조 내에 있는 기판 전체에 영향을 미치게 되므로 다량의 기판 불량이 발생할 수 있는 위험이 있었다.The batch processing apparatus removes contaminants by immersing a plurality of substrates at once in a cleaning tank containing a cleaning liquid. However, the conventional batch processing apparatus has a disadvantage in that it is not easy to cope with the trend of increasing the size of the substrate, and the use of the cleaning solution is large. In addition, when the substrate is broken during the process in the batch type processing apparatus, since the entire substrate in the cleaning tank is affected, a large amount of substrate defects may occur.

상기와 같은 이유들로 인해 최근에는 매엽식 처리장치가 선호되고 있다.For these reasons, sheetfed processing devices have been preferred in recent years.

매엽식 처리장치는 낱장의 기판 단위로 처리하는 방식으로서, 고속으로 회전시킨 기판 표면에 세정액 또는 건조가스를 분사함으로써, 기판의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.Single wafer processing apparatus is a method of processing by a single substrate unit, by spraying the cleaning liquid or dry gas on the surface of the substrate rotated at high speed, by using the centrifugal force by the rotation of the substrate and the pressure according to the injection of the cleaning liquid to remove the contamination source Cleaning is performed by the spinning method.

통상적으로 매엽식 처리장치는 기판이 수용되어 세정 공정이 수행되는 챔버와 기판을 고정시킨 상태로 회전하는 스핀척 및 기판에 약액과 린스액 및 건조가스 등을 포함하는 세정액을 공급하기 위한 노즐 어셈블리를 포함한다.In general, the sheet processing apparatus includes a spin chuck rotating in a state in which a substrate is accommodated and a substrate in which a cleaning process is performed, and a nozzle assembly for supplying a cleaning liquid including chemical liquid, rinse liquid and dry gas to the substrate. Include.

그런데, 기존의 매엽식 처리장치는 상부가 개방된 공정 챔버 내부에서 기판의 세정 및 건조가 모두 이루어지기 때문에 건조 효율이 좋지 않은 문제점이 있었다.By the way, the conventional sheet processing apparatus has a problem that the drying efficiency is not good because both the cleaning and drying of the substrate is made in the upper process chamber.

즉, 종래의 매엽식 처리장치는 상부가 개방된 공정 챔버 내에서 세정 공정의 마지막 단계인 건조 공정이 수행되기 때문에 공정 챔버의 개방된 상부를 통해 유입되는 기체에 의해 건조가스가 초순수에 골고루 형성되지 못하고, 이로 인해 건조 성능이 저하되는 문제점이 있었다.That is, in the conventional sheet type processing apparatus, since the drying process, which is the final stage of the cleaning process, is performed in the process chamber in which the upper part is opened, dry gas is not uniformly formed in the ultrapure water by the gas introduced through the open upper part of the process chamber. There was a problem in which the drying performance was deteriorated.

또한, 공정 챔버가 수지물로 형성되었기 때문에 기판이 고속 회전하는 경우에 정전기가 발생하여 화재가 발생하거나 게이트 패턴(gate pattern)이 나빠지고 구리 배선을 사용하지 못하는 문제도 있었으며, 이를 방지하기 위해 기판을 저속으로 회전시키는 경우에는 건조가스가 잘못된 곳으로 회수되는 문제점도 있었다.In addition, since the process chamber is formed of a resin material, when the substrate is rotated at a high speed, static electricity may occur, resulting in a fire, a gate pattern deteriorating, and a problem in that the copper wiring may not be used. When rotating at a low speed there was also a problem that the dry gas is recovered to the wrong place.

뿐만 아니라, 세정 공정에 필요한 부분 또는 건조 공정에 필요한 부분 중 어느 한 부분에 작동 오류가 발생하는 경우에는 기판 처리 장치 전체를 교체하거나 유지 보수해야 하는 불편함이 있었다.In addition, when an operation error occurs in any of a portion required for the cleaning process or a portion required for the drying process, there is an inconvenience in that the entire substrate processing apparatus needs to be replaced or maintained.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술에 의한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 세정공정을 수행하는 챔버와 건조공정을 수행하는 챔버를 분리하여 초순수 표면에 이소프로필 알코올 등 건조물질의 계면이 골고루 형성되게 하여 기판의 건조 성능을 향상시킬 수 있는 매엽식 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the problems according to the prior art as described above, by separating the chamber for performing the cleaning process and the chamber for performing the drying process so that the interface of the dry material such as isopropyl alcohol on the surface of the ultrapure water evenly It is an object of the present invention to provide a sheet type substrate processing apparatus and method for improving the drying performance of a substrate.

또한, 본 발명은 상부의 개방된 세정 챔버와는 별도로 세정 챔버의 하부에 밀폐된 건조챔버를 구비하고 건조챔버를 스테인레스 스틸 재질로 형성함으로써 안정성을 높일 수 있는 매엽식 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a sheet-fed substrate processing apparatus and a method for improving stability by forming a drying chamber made of stainless steel and having a drying chamber closed at a lower portion of the cleaning chamber separately from an open cleaning chamber at an upper portion thereof. do.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판의 불순물을 제거하는 매엽식 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판이 출입되도록 상부와 하부가 개구되고 상기 기판을 세정하는 세정챔버; 상기 세정챔버의 하측에 구비되고 상기 기판이 출입되도록 상부가 개구되며 세정이 완료된 상기 기판을 건조하는 건조챔버; 상기 기판이 놓여지며 상기 세정챔버 또는 상기 건조챔버 내에서 회전 및 승강 운동을 하는 스핀척; 및 상기 세정챔버와 상기 건조챔버의 사이에 형성되어 상기 스핀척이 승강 운동하도록 개폐되고 상기 기판을 건조하는 동안 상기 건조챔버를 밀폐시키는 도어;를 포함하는 매엽식 기판 처리 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a sheet type substrate processing apparatus for removing impurities in a substrate, the apparatus comprising: a cleaning chamber configured to open an upper portion and a lower portion thereof so as to enter and exit the substrate; A drying chamber provided at a lower side of the cleaning chamber, the top of which is opened to allow the substrate to enter and exit, and a drying chamber for drying the substrate having been cleaned; A spin chuck on which the substrate is placed and which rotates and lifts in the cleaning chamber or the drying chamber; And a door formed between the cleaning chamber and the drying chamber to open and close the spin chuck to move up and down, and to close the drying chamber while the substrate is dried.

여기서, 상기 도어는, 상기 기판의 세정시 상기 세정챔버의 개구된 하부를 폐쇄하도록 상기 세정챔버의 개구된 하부에 형성된 제1도어; 및 상기 기판의 출입시 상기 건조챔버의 개구된 상부를 개방하도록 상기 건조챔버의 개구된 상부에 형성된 제2도어;를 구비할 수 있다.Here, the door may include a first door formed at an opened lower portion of the cleaning chamber to close the opened lower portion of the cleaning chamber when the substrate is cleaned; And a second door formed in the opened upper portion of the drying chamber to open the opened upper portion of the drying chamber when the substrate is moved in and out.

상기와 같이 구성함으로써, 상기 세정챔버에 존재하는 기체에 의해 상기 건조챔버 내에 존재하는 상기 기판의 처리면에 건조 물질이 골고루 형성될 수 있고, 건조 효율을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 세정챔버와 상기 건조챔버 사이에 도어를 제공함으로써 기판의 유무에 따라 상기 건조챔버를 밀폐하거나 개방할 수 있다.By configuring as described above, a dry material can be evenly formed on the processing surface of the substrate existing in the drying chamber by the gas present in the cleaning chamber, it is possible to improve the drying efficiency. In addition, by providing a door between the cleaning chamber and the drying chamber it is possible to seal or open the drying chamber depending on the presence or absence of a substrate.

또한, 상기 세정챔버에는 세정물질을 공급하는 세정물질 공급부가 연결되고, 상기 건조챔버에는 건조물질을 공급하는 건조물질 공급부가 연결될 수 있다. 즉, 상기 세정챔버에 공급되는 세정물질과 상기 건조챔버로 공급되는 건조물질을 독립적인 공간으로 공급함으로써, 건조물질이 세정챔버를 통과한 후 건조챔버로 공급되는 것을 방지할 수 있으며, 이 과정에서 세정챔버 내에 존재하는 외부 기체가 건조물질에 혼합되는 것도 방지할 수 있다.In addition, the cleaning chamber may be connected to a cleaning material supply unit for supplying a cleaning material, the drying chamber may be connected to a dry material supply unit for supplying a dry material. That is, by supplying the cleaning material supplied to the cleaning chamber and the drying material supplied to the drying chamber into an independent space, it is possible to prevent the dry material from being supplied to the drying chamber after passing through the cleaning chamber, in this process It is also possible to prevent the external gas present in the cleaning chamber from mixing with the dry matter.

한편, 상기 세정물질 공급부는 상기 세정챔버의 개구된 상부를 통해 직선 및 회전운동 하며, 상기 건조물질 공급부는 상기 건조챔버의 중심을 향하여 전진 또는 후퇴 운동이 가능한 것이 바람직하다. 즉, 상기 세정챔버 내에서 승강하는 기판 내지 스핀척의 위치에 따라 상기 세정물질 공급부도 승강함으로써 세정물질이 정확하게 기판의 처리면에 공급될 수 있다. 그리고, 상기 건조물질 공급부가 건조챔버의 중심을 향하여 전진/후퇴함으로써, 기판이 세정챔버에서 건조챔버로 전달될 때 기판 또는 스핀척이 건조물질 공급부에 충돌하는 것을 방지할 수도 있다.On the other hand, the cleaning material supply unit is a linear and rotational movement through the open upper portion of the cleaning chamber, it is preferable that the dry material supply unit is capable of moving forward or backward toward the center of the drying chamber. In other words, the cleaning material supply unit is also lifted in accordance with the position of the substrate or the spin chuck to be lifted in the cleaning chamber so that the cleaning material can be accurately supplied to the processing surface of the substrate. In addition, by advancing / retracting toward the center of the drying chamber, the dry matter supply unit may prevent the substrate or spin chuck from colliding with the dry matter supply unit when the substrate is transferred from the cleaning chamber to the drying chamber.

또한, 상기 매엽식 기판 처리 장치는, 상기 세정챔버에 형성되어 상기 제1도어를 개폐하는 제1도어개폐수단; 및 상기 건조챔버에 형성되어 상기 제2도어를 개폐하는 제2도어개폐수단;을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1도어개폐수단 및 상기 제2도어개폐수단은 서로 연동하여 작동하는 것이 바람직하다.In addition, the sheet type substrate processing apparatus includes: first door opening and closing means formed in the cleaning chamber to open and close the first door; And a second door opening and closing means formed in the drying chamber to open and close the second door. Here, the first door opening and closing means and the second door opening and closing means are preferably operated in conjunction with each other.

한편, 상기 세정챔버 및 상기 건조챔버는 일체로 형성될 수도 있다. 즉, 개방된 상기 세정챔버와 별개의 부품으로 상기 건조챔버를 형성하고 세정챔버와 건조챔버 사이에 도어 수단을 구비하여 양자를 분리할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 부품으로 된 공정 챔버 내의 공간을 분리하하여 세정 및 건조챔버를 형성할 수도 있다. 이 때, 상기 세정챔버와 상기 건조챔버 사이에는 상기 스핀척이 상기 세정챔버 또는 상기 건조챔버 내에서 직선 운동할 수 있도록 상기 도어가 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 세정챔버와 건조챔버를 하나의 부품으로 일체 형성함으로써 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 단순화할 수 있으며, 생산성을 높일 수도 있다.On the other hand, the cleaning chamber and the drying chamber may be formed integrally. That is, the drying chamber is formed as a separate part from the opened cleaning chamber, and a door means is provided between the cleaning chamber and the drying chamber to separate the two chambers, and to separate the space in the one-part process chamber. It is also possible to form a cleaning and drying chamber. At this time, it is preferable that the door is formed between the cleaning chamber and the drying chamber so that the spin chuck can linearly move within the cleaning chamber or the drying chamber. In this way, by integrally forming the cleaning chamber and the drying chamber into one component, the configuration of the sheet type substrate processing apparatus can be simplified, and the productivity can be increased.

또한, 상기 건조챔버의 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하다. 세정 공정 보다 상대적으로 기판이 고속으로 회전하는 건조챔버의 재질을 스테인레스 스틸로 함으로써, 기판 내지 스핀척이 고속회전하는 경우에도 정전기 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, the material of the drying chamber is preferably stainless steel. By using stainless steel as the material of the drying chamber in which the substrate rotates at a higher speed than the cleaning process, static electricity or the like can be prevented even when the substrate or the spin chuck rotates at a high speed.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은 상기한 바와 같은 과제를 달성하기 위하여, 기판의 불순물을 제거하기 위한 매엽식 기판 처리 방법에 있어서, 상부가 개방된 세정챔버로 기판을 로딩하는 단계; 상기 세정챔버에서 상기 기판을 세정하는 단계; 상기 세정챔버의 하부에 제공된 제1 도어를 개방하는 단계; 상기 세정챔버의 하부에 구비된 건조챔버의 상부에 제공된 제2 도어를 개방하는 단계; 상기 세정챔버에서부터 상기 건조챔버로 상기 기판을 하강시켜 상기 건조챔버에 상기 기판을 전달하는 단계; 상기 제2도어를 폐쇄시켜 상기 건조챔버를 밀폐하는 단계; 상기 건조챔버에서 상기 기판을 건조하는 단계; 상기 제2 도어를 개방시키는 단계; 및 상기 건조챔버에서부터 상기 세정챔버의 상측으로 상기 기판을 언로딩하는 단계;를 포함하는 매엽식 기판 처리 방법을 제공한다.On the other hand, according to another field of the invention, in order to achieve the above object, the present invention, a single-sheet substrate processing method for removing impurities in the substrate, comprising the steps of: loading the substrate into the cleaning chamber of the upper opening; Cleaning the substrate in the cleaning chamber; Opening a first door provided under the cleaning chamber; Opening a second door provided at an upper portion of the drying chamber provided at the lower portion of the cleaning chamber; Transferring the substrate to the drying chamber by lowering the substrate from the cleaning chamber to the drying chamber; Closing the second door to seal the drying chamber; Drying the substrate in the drying chamber; Opening the second door; And unloading the substrate from the drying chamber to an upper side of the cleaning chamber.

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이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 세정물질인 약액 및 초순수가 분사되는 세정챔버와 이소프로필 알코올 등의 건조물질이 분사되는 건조챔버를 별도로 구비하고 건조챔버를 밀폐형으로 구성함으로써, 기판의 처리면에 묻어 있는 초순수 표면에 이소프로필 알코올이 고르게 입혀질 수 있고, 이로 인해 건조 효율이 향상될 수 있다.As described above, the present invention is provided with a cleaning chamber in which a chemical liquid and ultrapure water are sprayed, and a drying chamber in which dry materials such as isopropyl alcohol are sprayed, and the drying chamber is formed in a sealed type, so as to bury the processing surface of the substrate. The isopropyl alcohol may be evenly coated on the surface of the ultrapure water, thereby improving the drying efficiency.

또한, 본 발명은 밀폐형 건조챔버인 건조챔버의 재질을 스테인레스 스틸로 함으로써 기판 내지 스핀척이 고속회전하는 경우에도 정전기에 의한 악영향을 방지할 수 있고, 저속 회전하는 경우에도 이소프로필 알코올 등의 건조물질이 잘못 회수되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent the adverse effects of static electricity even when the substrate or spin chuck is rotated at high speed by the material of the drying chamber of the hermetic drying chamber, stainless steel, dry matter such as isopropyl alcohol even at low speed rotation This wrong recovery can be prevented.

뿐만 아니라, 본 발명은 세정을 위한 챔버와 건조를 위한 챔버를 별도로 구비함으로써, 어느 하나의 챔버만을 교환하더라도 전체 시스템을 유지할 수 있기 때문에, 매엽식 기판 처리 장치의 유지 보수 편의성을 높일 수도 있다.In addition, the present invention can provide a separate chamber for cleaning and a chamber for drying, so that the entire system can be maintained even if only one chamber is replaced, thereby improving maintenance convenience of the sheet type substrate processing apparatus.

또한, 본 발명은 건조물질이 잘못 회수되는 것을 방지할 수 있기 때문에 건조물질의 사용 기간을 늘일 수 있으며, 유지 보수에 필요한 비용을 절감할 수도 있다.In addition, the present invention can prevent the wrong recovery of the dry material can extend the service life of the dry material, it is possible to reduce the cost required for maintenance.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 구성 및 작용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with respect to the configuration and operation according to an embodiment of the present invention. The following description is one of several aspects of the patentable invention and the following description forms part of the detailed description of the invention.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.However, in describing the present invention, a detailed description of known functions or configurations will be omitted for clarity of the gist of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 세정챔버 및 건조챔버가 분리된 상태를 도시한 사시도이며, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면으로서, 도 3은 기판이 세정챔버에 있는 상태를 도시한 개략 단면도이고, 도 4는 기판이 건조챔버에 있는 상태를 도시한 개략 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a sheet type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a state in which a cleaning chamber and a drying chamber of the sheet type substrate processing apparatus according to FIG. 1 are separated. 3 and 4 are schematic cross-sectional views of a sheet type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a substrate is in a cleaning chamber. Is a schematic cross sectional view showing a state in which the substrate is in a drying chamber.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치(100)는 상부에 형성된 세정챔버(130)와 세정챔버의 일측에 형성된 건조챔버(150)를 포함한다. 이 때, 세정챔버(130) 및 건조챔버(150)는 대략 원통 형상을 가지며, 세정챔버(130)와 건조챔버(150)는 공간적으로 분리되어 있다. 세정 챔버(130)의 상부는 개방되어 있으며, 이로 인해 세정챔버(130)는 오픈 챔버의 형태를 가진다. 또한, 세정챔버(130) 및 건조챔버(150)는 상하 또는 좌우로 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 세정챔버(130) 및 건조챔버(150)가 상하로 배치된 경우에 대해서 설명하지만, 이에 국한된 것은 아님을 밝혀 둔다.As shown in FIG. 1, the sheet type substrate processing apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a cleaning chamber 130 formed at an upper portion thereof and a drying chamber 150 formed at one side of the cleaning chamber. At this time, the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 has a substantially cylindrical shape, the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 is spatially separated. The upper part of the cleaning chamber 130 is open, so that the cleaning chamber 130 has the form of an open chamber. In addition, the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 may be disposed vertically or horizontally. Hereinafter, a case in which the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 are disposed up and down for convenience of description will be described, but is not limited thereto.

세정챔버(130)의 개구부를 통해서는 세정물질이 공급되는데, 이를 위해 세정챔버(130)의 일측에는 세정물질 공급부(170)가 제공된다. 세정물질 공급부(170)는 제1약액을 공급하는 제1약액 공급부(171), 제2약액을 공급하는 제2약액 공급부(173) 및 초순수를 공급하는 초순수 공급부(175)를 포함할 수 있다.The cleaning material is supplied through the opening of the cleaning chamber 130. To this end, the cleaning material supply unit 170 is provided at one side of the cleaning chamber 130. The cleaning material supply unit 170 may include a first chemical supply unit 171 for supplying a first chemical solution, a second chemical supply unit 173 for supplying a second chemical solution, and an ultrapure water supply unit 175 for supplying ultrapure water.

우선 제1 및 제2약액 공급부(171,173)는 세정챔버(130)에 대해 어느 한 곳에 고정된 상태로 피벗 내지 회전 운동할 수 있으며, 제1 및 제2약액 공급부(171,173)의 끝단에 형성된 노즐부(미도시)는 세정챔버(130)의 내부를 향해 하강 또는 상승할 수 있다. 제1 및 제2약액 공급부(171,173)가 이와 같이 움직이기 위해서는 별도의 약액 공급부 구동수단(미도시)을 각각 구비할 수 있다.First, the first and second chemical liquid supply parts 171 and 173 may pivot or rotate in a fixed state with respect to the cleaning chamber 130, and the nozzle parts formed at the ends of the first and second chemical liquid supply parts 171 and 173. (Not shown) may be lowered or raised toward the inside of the cleaning chamber 130. In order for the first and second chemical liquid supply parts 171 and 173 to move in this manner, separate chemical liquid supply part driving means (not shown) may be provided.

또한, 초순수 공급부(175)는 세정챔버(130)의 외부 한 지점에 장착되고, 끝부분에 형성된 노즐부(미도시)는 세정챔버(130)의 개부된 부분을 향하여 전진 또는 후퇴할 수 있으며, 이를 위해 별도의 초순수 공급부 구동수단(미도시)을 구비할 수 있다.In addition, the ultrapure water supply unit 175 is mounted at an external point of the cleaning chamber 130, the nozzle portion (not shown) formed at the end may be moved forward or backward toward the open portion of the cleaning chamber 130, To this end, a separate ultrapure water supply unit driving means (not shown) may be provided.

한편, 약액 및 초순수의 공급은 일정한 순서에 의해서 이루어지며 공급하지 않는 나머지 공급부는 대기 위치에서 대기하게 된다. 예를 들면, 도 1에서 제1약액 공급부(171)는 세정챔버(130) 내부로 제1약액을 공급하는 위치에 있으며, 제2약 액 공급부(173)는 제2약액을 공급하지 않는 대기 위치에 있다.On the other hand, the supply of the chemical liquid and ultrapure water is made in a certain order and the remaining supply portion that does not supply is waiting in the standby position. For example, in FIG. 1, the first chemical solution supply unit 171 is in a position to supply the first chemical solution into the cleaning chamber 130, and the second chemical solution supply unit 173 is in a standby position where the second chemical solution is not supplied. Is in.

여기서, 제1 및 제2약액 공급부(171,173), 초순수 공급부(175)는 제1 및 제2약액 공급소스(미도시), 초순수 공급소스(미도시)에 각각 연결된다.Here, the first and second chemical liquid supply parts 171 and 173 and the ultrapure water supply part 175 are connected to the first and second chemical liquid supply sources (not shown) and the ultrapure water supply source (not shown), respectively.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 세정챔버(130)의 상단부는 개구(131)되어있고, 세정챔버(130)의 측벽에는 약액 및 초순수를 회수하기 위한 회수라인(148,149)이 연결되어 있다. 세정챔버(130)의 하부에는 건조챔버(150)가 위치하며, 세정챔버(130)와 달리 건조챔버(150)는 밀폐된 상태에서 건조 공정을 수행하는데, 이를 위해 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에는 도어(151)가 제공되는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 2, the upper end of the cleaning chamber 130 has an opening 131, and recovery lines 148 and 149 for recovering chemical liquid and ultrapure water are connected to the side wall of the cleaning chamber 130. The drying chamber 150 is positioned below the cleaning chamber 130, and unlike the cleaning chamber 130, the drying chamber 150 performs a drying process in a sealed state. For this, the cleaning chamber 130 and the drying chamber are provided. Preferably, the door 151 is provided between the 150.

도어(151)는 기판이 통과할 수 있도록 충분히 개방될 수 있어야 하며 이를 위해 도어(151)는 두 부분으로 형성되는 것이 바람직하다. 도어(151)의 개폐를 위해 도어(151)의 두 부분은 각각 도어개폐수단(153)에 연결되며, 도어개폐수단(153)은 도어프레임(155)에 장착된다.The door 151 should be able to be opened enough to allow the substrate to pass through. The door 151 is preferably formed in two parts. Two parts of the door 151 are connected to the door opening and closing means 153 for opening and closing of the door 151, and the door opening and closing means 153 is mounted to the door frame 155.

여기서, 도어개폐수단(153)은 리드 스크류(미도시), 이를 구동하기 위한 모터(미도시), 도어(151)의 움직임을 안내하기 위한 가이드부(미도시)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 리드 스크류가 도어(151)를 관통하도록 설치하고, 상기 모터를 구동함으로써 도어(151)를 움직일 수 있다. 도어(151)의 개폐를 자동으로 제어하기 위해서는 상기 모터에 공급되는 전류를 제어하기 위한 제어부(미도시)를 더 구비할 수 있다. 다만, 도어개폐수단(153)은 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 다양하게 구성될 수 있음은 물론이다.Here, the door opening and closing means 153 may include a lead screw (not shown), a motor (not shown) for driving it, and a guide part (not shown) for guiding the movement of the door 151. That is, the lead screw is installed to penetrate the door 151, and the door 151 can be moved by driving the motor. In order to automatically control the opening and closing of the door 151, a control unit (not shown) for controlling the current supplied to the motor may be further provided. However, the door opening and closing means 153 is not necessarily limited thereto, and may be variously configured.

이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치(100)에 대해서 좀더 자세히 설명한다.Hereinafter, the sheet type substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4.

우선 도 3은 세정공정을 위해 기판(W)이 세정챔버(130) 내에 있는 상태를 보인 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate W is in the cleaning chamber 130 for the cleaning process.

도 3을 참조하면, 기판(W)에 존재하는 불순물을 제거하기 위해 기판(W)은 세정챔버(130)의 내부에 로딩된다. 여기서, 기판(W)은 세정챔버(130)의 높이 방향을 따라 위에서부터 아래로 내려오면서 세정된다. Referring to FIG. 3, the substrate W is loaded inside the cleaning chamber 130 to remove impurities present in the substrate W. Referring to FIG. Here, the substrate W is cleaned while descending from the top along the height direction of the cleaning chamber 130.

기판(W)의 세정 공정을 위해 제1개구부(131)에는 제1 또는 제2약액 공급부(171,175)가 위치하거나, 초순수 공급부(173)가 위치할 수 있다. 설명의 편의를 위해 도 3 및 도 4에는 제1약액 공급부(171)만 도시하였다.The first or second chemical liquid supply parts 171 and 175 may be located or the ultrapure water supply part 173 may be positioned in the first opening 131 to clean the substrate W. For convenience of description, only the first chemical supply unit 171 is shown in FIGS. 3 and 4.

이 때, 제1약액이 공급되는 상태의 기판(W) 위치, 제2약액이 공급되는 상태의 기판(W) 위치 및 초순수가 공급되는 상태의 기판(W) 위치는 서로 다르다. 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치(100)에서는 제1약액 공급시 기판(W)이 가장 높은 위치에 있으며, 제2약액 공급시 기판(W)은 가운데 정도의 높이에 위치하고, 초순수 공급시 기판(W)은 최하부에 위치하는 것이 바람직하다.At this time, the position of the substrate W in the state where the first chemical is supplied, the position of the substrate W in the state where the second chemical is supplied, and the position of the substrate W in the state where ultrapure water is supplied are different from each other. In the sheet type substrate processing apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, the substrate W is at the highest position when the first chemical is supplied, and the substrate W is positioned at the height of the middle when the second chemical is supplied. When ultrapure water is supplied, the substrate W is preferably located at the bottom.

이와 같이, 기판(W)이 하강함에 따라 제1공급부(171)의 노즐부(172)도 기판(W)을 따라 하강하면서 세정물질을 기판(W)의 처리면으로 공급하게 된다.As described above, as the substrate W descends, the nozzle 172 of the first supply unit 171 also descends along the substrate W to supply the cleaning material to the processing surface of the substrate W. As shown in FIG.

한편, 사용된 제1 및 제2약액 그리고 초순수는 재사용 등을 위해 회수되는데 이를 위해 세정챔버(130)의 측벽 내면에는 세정물질 회수부(140)가 형성되어 있다. Meanwhile, the used first and second chemical liquids and ultrapure water are recovered for reuse, for which the cleaning material recovery unit 140 is formed on the inner surface of the side wall of the cleaning chamber 130.

즉, 세정챔버(130)의 내측벽면에 상하로 중첩되도록 세정물질 회수부(140)가 형성된다. 예를 들면, 세정물질 회수부(140)는 가장 상부에 형성되어 제1약액을 회수하는 제1회수부(142), 제1회수부(142)의 아래에 형성되어 제2약액을 회수하는 제2회수부(144) 및 제2회수부(144)의 아래 즉, 가장 하부에 형성되어 초순수를 회수하는 제3회수부(146)를 포함할 수 있다. 여기서, 세정물질 회수부(140)에는 앞서 언급한 회수 라인(148,149)이 연결되고, 회수 라인(148,149)은 처리액 재생부(미도시)에 연결될 수 있다.That is, the cleaning material recovery unit 140 is formed to overlap the inner wall surface of the cleaning chamber 130 vertically. For example, the cleaning material recovery unit 140 may be formed at the top of the first recovery unit 142 for recovering the first chemical solution, and the first recovery unit 142 may be formed under the first recovery unit 142 to recover the second chemical solution. It may include a third recovery unit 146 formed below the second recovery unit 144 and the second recovery unit 144, that is, the bottom of the second recovery unit 144 to recover the ultrapure water. Here, the aforementioned recovery lines 148 and 149 may be connected to the cleaning material recovery unit 140, and the recovery lines 148 and 149 may be connected to the treatment liquid regeneration unit (not shown).

세정 공정시, 기판(W)은 각각의 회수부(142,144,146)에 상응하는 위치에서 각각의 세정물질을 공급받게 된다. 즉, 제1약액이 공급되는 경우에 기판(W)은 제1회수부(142)가 형성된 높이와 거의 동일한 높이에서 제1약액을 공급받게 된다. 제2약액이 공급되는 경우에 기판(W)은 제2회수부(144)가 형성된 높이와 거의 동일한 높이에서 제2약액을 공급받게 된다. 초순수가 공급되는 경우에 기판(W)은 제3회수부(146)가 형성된 높이와 거의 동일한 높이에서 초순수를 공급받게 된다. 이와 같이, 각각의 회수부(142,144,146)에 상응하는 위치에 기판(W)이 있는 상태에서 세정물질을 공급함으로써, 각각의 세정물질을 분리하여 회수하는 것이 가능하고 세정물질을 재사용할 수 있다. 이 때, 회수부의 수는 회수하고자 하는 세정물질의 수에 따라 적절하게 변경할 수 있다.In the cleaning process, the substrate W is supplied with each cleaning material at positions corresponding to the recovery parts 142, 144, and 146. That is, when the first chemical is supplied, the substrate W is supplied with the first chemical at substantially the same height as the height at which the first recovery part 142 is formed. When the second chemical liquid is supplied, the substrate W is supplied with the second chemical liquid at substantially the same height as the height at which the second recovery part 144 is formed. When ultrapure water is supplied, the substrate W is supplied with ultrapure water at almost the same height as the height at which the third recovery portion 146 is formed. As such, by supplying the cleaning material in a state where the substrate W is located at the position corresponding to each of the recovery parts 142, 144, and 146, the cleaning material may be separated and recovered, and the cleaning material may be reused. At this time, the number of recovery portions may be appropriately changed depending on the number of cleaning substances to be recovered.

여기서, 제3회수부(146)가 가장 하부에 제공되는 것이 바람직한데, 이와 같이 구성함으로써 초순수가 다른 회수부로 흘러 들어 가는 것을 확실히 방지할 수 있다.Here, although it is preferable that the 3rd collection part 146 is provided in the lowest part, it can be surely prevented that ultrapure water flows into another collection part by this structure.

한편, 기판(W)은 세정챔버(130) 내부의 높이 방향을 따라 직선 운동하며, 세정 공정 중에는 고속으로 회전하게 되는데 이를 위해, 세정챔버(130)의 가운데 부분을 관통하여 지지부재(120)가 제공된다.Meanwhile, the substrate W moves linearly along the height direction inside the cleaning chamber 130, and rotates at a high speed during the cleaning process. For this purpose, the support member 120 penetrates through the center portion of the cleaning chamber 130. Is provided.

지지부재(120)는 기판(W)이 안착되는 스핀척(121), 스핀척(121)을 회전시키는 구동축(123)을 포함하며, 구동축(123)의 하단에는 구동축(123)을 회전시키고 직선으로 움직이게 하는 구동부(125)가 구비된다. 스핀척(121)에는 기판(W)을 고정하기 위한 척킹핀(미도시)이 구비된다.The support member 120 includes a spin chuck 121 on which the substrate W is seated, a drive shaft 123 for rotating the spin chuck 121, and at the lower end of the drive shaft 123, the drive shaft 123 is rotated and straightened. The driving unit 125 is provided to move. The spin chuck 121 is provided with a chucking pin (not shown) for fixing the substrate (W).

기판(W)의 세정은 세정챔버(130)의 제1개구부(131)가 개방된 상태로 진행되며, 세정이 완료된 기판(130)은 세정챔버(130)의 하부에 별도로 제공된 건조챔버(150)로 전달된다. 즉, 스핀척(121) 및 구동축(122)이 아래쪽으로 하강함으로써 기판(W)이 건조챔버(150) 내부에 로딩될 수 있다. 세정챔버(130) 및 건조챔버(150)는 스핀척(121)을 감싸는 형태를 가진다.The cleaning of the substrate W proceeds with the first opening 131 of the cleaning chamber 130 opened, and the substrate 130 having been cleaned is a drying chamber 150 provided separately under the cleaning chamber 130. Is passed to. That is, the substrate W may be loaded into the drying chamber 150 by lowering the spin chuck 121 and the driving shaft 122 downward. The cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 may have a form surrounding the spin chuck 121.

한편, 세정챔버(130)의 하부에는 세정챔버(130)로부터 기판(W)을 언로딩하기 위한 제2개구부(133)가 형성되어 있으며, 제2개구부(133)에는 제2개구부(133)를 개폐하기 위한 제1 도어(135)가 구비된다.On the other hand, a second opening 133 is formed in the lower portion of the cleaning chamber 130 to unload the substrate W from the cleaning chamber 130, and the second opening 133 is formed in the second opening 133. A first door 135 for opening and closing is provided.

세정챔버(130)의 하부에는 밀폐형 건조 챔버인 건조챔버(150)가 구비된다. 이 때, 제1도어(135)와 마주 보는 건조챔버(150)의 상부에는 제3개구부(152)가 구비되고, 이는 제2도어(151)에 의해 개폐된다. 이와 같이, 세정챔버(130)와 건조챔버(150)를 분리하는 도어가 2개(135,151) 구비될 수 있다. 이 경우에, 앞서 도 2에서 설명한 제2도어(151)는 건조챔버(150) 측에 구비되어 있다.The lower portion of the cleaning chamber 130 is provided with a drying chamber 150 which is a hermetic drying chamber. In this case, a third opening 152 is provided at an upper portion of the drying chamber 150 facing the first door 135, which is opened and closed by the second door 151. As such, two doors 135 and 151 may be provided to separate the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150. In this case, the second door 151 described above with reference to FIG. 2 is provided on the drying chamber 150 side.

이와 같이, 세정챔버(130)와 건조챔버(150)에 각각 도어(135,151)를 형성함으로써, 건조챔버(150)의 밀폐성능을 높일 수 있다. 즉, 세정 공정이 완료된 기판(W)이 세정챔버(130)에서 건조챔버(150)로 전달되는 과정에 세정챔버(130) 내부에 존재하는 외부 기체 등이 건조챔버(150)로 유입되는 것을 보다 확실이 막을 수 있다.Thus, by forming the doors 135 and 151 in the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150, respectively, the sealing performance of the drying chamber 150 can be improved. That is, in the process in which the substrate W, which has been cleaned, is transferred from the cleaning chamber 130 to the drying chamber 150, an external gas or the like present in the cleaning chamber 130 flows into the drying chamber 150. You can stop it for sure.

만약, 도어가 1개인 경우라면, 도어가 열려 있는 상태로 기판(W)이 세정챔버(130)에서 건조챔버(150)로 전달되기 때문에 열려 있는 도어를 통해 세정챔버(130) 내에 있던 외부 기체 등이 건조챔버(150)로 유입되어 건조효율을 떨어뜨릴 수 있다. If there is only one door, since the substrate W is transferred from the cleaning chamber 130 to the drying chamber 150 with the door open, external gas, etc., which were in the cleaning chamber 130 through the open door, etc. It is introduced into the drying chamber 150 can reduce the drying efficiency.

그러나 도어가 2개인 경우에는 건조챔버(150)로 외부 기체 등이 유입되는 것을 보다 확실히 막을 수 있다. 우선 기판(W)이 세정챔버(130)를 벗어났으나 건조챔버(150)로 유입되기 전에는 세정챔버(130) 측의 제1도어(135)만 열려 있고 건조챔버(150) 측의 제2도어(151)는 여전히 닫혀 있게 된다. 그 후 기판(W)이 대략 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에 있게 되면 제1도어(135)가 닫히고 그 다음으로 제2도어(151)가 열려 기판(W)이 건조챔버(150)로 로딩된다. 이러한 작동 순서에 따를 경우에는 세정챔버(130)의 외부 기체가 건조챔버(150)로 유입되는 것을 방지할 수 있다.However, when there are two doors, it is possible to more reliably prevent the inflow of external gas into the drying chamber 150. First, the substrate W is out of the cleaning chamber 130, but before flowing into the drying chamber 150, only the first door 135 of the cleaning chamber 130 is opened and the second door of the drying chamber 150 is opened. 151 is still closed. After that, when the substrate W is approximately between the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150, the first door 135 is closed, and then the second door 151 is opened to open the substrate W. 150). In this case, the external gas of the cleaning chamber 130 may be prevented from entering the drying chamber 150.

한편, 도어가 2개인 경우에 제1도어(135)를 개폐하기 위한 제1도어개폐수단(미도시)이 구비되며, 그 구성은 앞서 도 2에서 설명한 도어개폐수단(153)의 구성과 동일한 것이 바람직하다. 이 때, 제1 및 제2도어(135,151)는 동일한 제어부(미 도시)에 의해 서로 연동되도록 개폐될 수 있다. 이와 같이, 세정을 위한 챔버와 건조를 위한 챔버를 별도로 구비함으로써 어느 하나의 챔버만을 교환하더라도 전체 시스템을 유지할 수 있기 때문에 매엽식 기판 처리 장치의 유지 보수 편의성을 높일 수도 있다.On the other hand, when there are two doors are provided with a first door opening and closing means (not shown) for opening and closing the first door 135, the configuration is the same as the configuration of the door opening and closing means 153 described in FIG. desirable. In this case, the first and second doors 135 and 151 may be opened and closed to interlock with each other by the same controller (not shown). As such, by separately providing a chamber for cleaning and a chamber for drying, the whole system can be maintained even if only one chamber is replaced, thereby improving maintenance convenience of the sheet type substrate processing apparatus.

또한, 세정챔버(130) 및 건조챔버(150)가 일체로 형성될 수도 있는데, 이 경우에는 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에 1개의 도어만 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 상부가 개방된 세정챔버(130)와 별개의 부품으로 건조챔버(150)를 형성하고 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에 도어(135,151)를 구비하여 양자를 분리할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 부품으로 된 공정 챔버 또는 하우징 내에 공간을 구획하여 세정챔버(130) 및 건조챔버(150)를 형성할 수도 있다. 이 때, 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에는 스핀척(121)이 세정챔버(130) 또는 건조챔버(150) 내에서 직선 운동할 수 있도록 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에 하나의 도어를 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 세정챔버(130)와 건조챔버(150)를 하나의 부품으로 일체 형성함으로써 매엽식 기판 처리 장치의 구성을 단순화할 수 있으며, 생산성을 높일 수도 있다.In addition, the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 may be integrally formed. In this case, only one door may be formed between the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150. That is, the drying chamber 150 may be formed as a separate component from the cleaning chamber 130 having an open upper portion, and doors 135 and 151 may be provided between the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 to separate the two. In addition, the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 may be formed by partitioning a space in a process chamber or a housing having a single component. At this time, between the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150, the spin chuck 121 and the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 so as to linearly move in the cleaning chamber 130 or the drying chamber 150 It is preferable to form one door in between. As described above, by integrally forming the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 as one component, the configuration of the sheet type substrate processing apparatus may be simplified, and the productivity may be increased.

구동축(123)과 제1 및 제2도어(135,151)의 접촉면에는 밀봉을 위한 실링수단(미도시) 또는 베어링 수단(미도시)이 형성될 수도 있다.Sealing means (not shown) or bearing means (not shown) for sealing may be formed on the contact surfaces of the drive shaft 123 and the first and second doors 135 and 151.

한편, 건조챔버(150)의 측벽에는 이소프로필 알코올 등을 공급하는 건조물질 공급부(180)가 제공되는데, 건조물질 공급부(180)의 노즐부(181)는 기판(W)의 처리면으로 건조물질을 공급할 수 있도록 건조챔버(150)의 내부로 연장되어 있다. 이 때, 건조물질 공급부(180)의 노즐부(181)는 건조챔버(150)의 중심을 향하여 전진 또는 후퇴할 수 있다. 즉, 건조물질 공급부(180)의 노즐부(181)가 건조챔버(150)의 중심을 향하여 전진/후퇴함으로써, 기판(W)이 세정챔버(130)에서 건조챔버(150)로 전달될 때 기판(W) 또는 스핀척(121)과 노즐부(181)가 충돌하는 것을 방지할 수도 있다.On the other hand, the side wall of the drying chamber 150 is provided with a dry material supply unit 180 for supplying isopropyl alcohol, etc., the nozzle unit 181 of the dry material supply unit 180 is a dry material as the processing surface of the substrate (W) It extends into the drying chamber 150 to supply the. At this time, the nozzle unit 181 of the dry matter supply unit 180 may move forward or backward toward the center of the drying chamber 150. That is, when the nozzle portion 181 of the dry material supply unit 180 moves forward / reverse toward the center of the drying chamber 150, the substrate W is transferred from the cleaning chamber 130 to the drying chamber 150. (W) or the spin chuck 121 and the nozzle portion 181 may be prevented from colliding with each other.

또한, 건조챔버(150)의 하부에는 이소프로필 알코올 등 건조물질을 회수하기 위한 건조물질 회수부(190)가 제공된다. 여기서, 건조챔버(150)는 스테인레스 스틸(Stainless steel, SUS) 재질로 형성되며, 밀폐되어 있기 때문에 외부 기체가 건조 과정에 영향을 줄 수 없다.In addition, the lower portion of the drying chamber 150 is provided with a dry material recovery unit 190 for recovering a dry material such as isopropyl alcohol. Here, the drying chamber 150 is formed of a stainless steel (SUS) material, and since the drying chamber 150 is sealed, external gas cannot affect the drying process.

이와 같이 건조챔버(150)를 밀폐형으로 구성하고 세정챔버(130)와 별도로 구비함으로써 건조 공정시에 기판(W)의 처리면에 묻은 초순수(DIW) 표면에 이소프로필 알코올의 계면이 고르게 형성될 수 있기 때문에 건조 효율이 향상되며, 건조챔버(150)의 재질이 스테인레스 스틸이기 때문에 기판(W)이 고속 회전하더라도 정전기에 의한 악영향을 방지할 수 있다. As such, the drying chamber 150 is hermetically formed and provided separately from the cleaning chamber 130, so that an interface of isopropyl alcohol can be evenly formed on the surface of the ultrapure water (DIW) buried in the processing surface of the substrate W during the drying process. Since the drying efficiency is improved, and the material of the drying chamber 150 is made of stainless steel, even if the substrate W is rotated at high speed, adverse effects due to static electricity can be prevented.

또한, 이소프로필 알코올 등 건조물질을 회수하기 위한 건조물질 회수부(190,192)가 건조챔버(150)의 하부에 형성되어 있기 때문에 기판(W)이 저속으로 회전하더라도 이소프로필 알코올이 엉뚱한 곳으로 회수되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 기판(W)이 저속으로 회전하는 경우에 이소프로필 알코올이 척킹핀(미도시)을 타고 흘러 내릴 수 있는데, 이러한 경우에도 건조물질 회수부(190,192)를 통해 회수되기 때문에 이소프로필 알코올이 잘못된 회수부로 유입되는 것을 방지할 수 있 다.In addition, since dry material recovery units 190 and 192 for recovering dry materials such as isopropyl alcohol are formed under the drying chamber 150, the isopropyl alcohol is recovered to the wrong place even when the substrate W is rotated at a low speed. Can be prevented. That is, when the substrate W rotates at a low speed, isopropyl alcohol may flow down the chucking pin (not shown). In this case, isopropyl alcohol is incorrect because it is recovered through the dry matter recovery units 190 and 192. It can be prevented from entering the recovery part.

한편, 건조 공정을 마친 기판(W)은 다음 공정을 위해 건조챔버(150)로부터 언로딩되는데 이를 위해 건조챔버(150)에 기판 로딩/언로딩용 도어(미도시)를 구비하는 것이 바람직하다. 건조가 완료된 후에 다시 세정챔버(130)의 개구부(131)를 통해 기판(W)을 언로딩한다면, 세정챔버(130)에 존재하는 기체 등에 의해 기판(W)에 다시 습기가 생길 수 있다.On the other hand, the substrate W after the drying process is unloaded from the drying chamber 150 for the next process, for this purpose it is preferable that the drying chamber 150 is provided with a substrate loading / unloading door (not shown). If the substrate W is unloaded through the opening 131 of the cleaning chamber 130 again after the drying is completed, moisture may be generated in the substrate W again by the gas or the like present in the cleaning chamber 130.

따라서, 건조챔버(150)에 기판(W)의 출입을 위한 도어(미도시)를 형성하여 스루풋(throughput)을 높일 수도 있다.Therefore, a throughput (not shown) may be formed in the drying chamber 150 to allow the substrate W to enter and exit.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치(100)를 사용하여 기판을 처리하는 방법에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 순서도이고, 도 6은 도 5에 따른 방법 중 기판 전달 방법을 설명하는 순서도이다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the sheet type substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 5 is a flowchart illustrating a substrate processing method using a sheet type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a flowchart illustrating a substrate transfer method among the methods according to FIG. 5.

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 상부가 개방된 세정챔버(130)로 기판(W)을 로딩하는 단계(S110), 세정챔버(130)에서 기판(W)을 세정하는 단계(S120), 세정이 완료된 기판(W)을 세정챔버(130)의 하부에 구비된 건조챔버(150)로 전달하는 단계(S130), 건조챔버(150)를 밀폐하는 단계(S140), 건조챔버(150)에서 기판(W)을 건조하는 단계(S150) 및 건조챔버(150)로부터 기판(W)을 언로딩하는 단계(S160)를 포함하는 매엽식 기판 처리 방법을 제공한다.As shown in Figure 5 and 6, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention is a step (S110), the cleaning chamber 130 of loading the substrate (W) to the upper cleaning chamber 130 is open Cleaning the substrate (W) at step S120, transferring the cleaned substrate (W) to the drying chamber 150 provided at the lower portion of the cleaning chamber 130 (S130), and drying chamber 150. Single sheet processing including a sealing step (S140), drying the substrate (W) in the drying chamber 150 (S150) and unloading the substrate (W) from the drying chamber 150 (S160) Provide a method.

또한, 기판(W)을 건조챔버(150)로 전달하는 단계(S130)는 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에 제공된 도어(135,151)를 개폐하는 단계(S131,S133)를 더 포함할 수 있다.In addition, the step S130 of transferring the substrate W to the drying chamber 150 further includes opening and closing the doors 135 and 151 provided between the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150 (S131 and S133). can do.

한편, 기판(W)을 건조챔버(130)로 전달하는 단계(S130)는 세정챔버(130)와 건조챔버(150) 사이에 제공된 도어(S131)를 개방하는 단계, 세정챔버(130)에서부터 건조챔버(150)로 스핀척(121) 또는 기판(W)이 하강하는 단계(S132) 및 도어(135,151)를 폐쇄하는 단계(S133)를 포함할 수도 있다.Meanwhile, in the step S130 of transferring the substrate W to the drying chamber 130, opening the door S131 provided between the cleaning chamber 130 and the drying chamber 150, and drying the cleaning chamber 130 from the cleaning chamber 130. The spin chuck 121 or the substrate W may be lowered into the chamber 150 (S132) and the doors 135 and 151 may be closed (S133).

여기서, 기판(W)은 건조챔버(150)를 통해 로딩되고, 건조챔버(150)로부터 언로딩되는 것이 바람직하다. 즉, 먼저 건조챔버(150)에 기판(W)이 로딩되면 스핀척(121)이 세정챔버(130)까지 상승하여 기판(W)이 세정챔버(130)에 로딩되고, 세정챔버(130)에서 세정공정이 수행된다. 세정공정은 세정챔버(130)의 높이를 따라 하강하면서 약액 및 초순수를 분사하여 수행되는데, 초순수는 기판(W)이 세정챔버(130)의 하부에 있을 때 공급될 수 있다.Here, it is preferable that the substrate W is loaded through the drying chamber 150 and unloaded from the drying chamber 150. That is, when the substrate W is first loaded into the drying chamber 150, the spin chuck 121 is raised to the cleaning chamber 130 so that the substrate W is loaded into the cleaning chamber 130, and the cleaning chamber 130 is disposed in the cleaning chamber 130. The cleaning process is performed. The cleaning process is performed by spraying the chemical liquid and the ultrapure water while descending along the height of the cleaning chamber 130. The ultrapure water may be supplied when the substrate W is under the cleaning chamber 130.

세정 공정이 완료되면 제1도어(131) 및 제2도어(151)를 개방하여 기판(W)을 건조챔버(150)로 전달한다. 기판(W)이 건조챔버(150)에 들어오자 마자 제2도어(151)를 닫아 건조챔버(150)를 밀폐하는 것이 바람직하다. 밀폐된 건조챔버(150)에서 건조가 끝난 기판(W)은 다음 공정을 위해 건조챔버(150)로부터 언로딩된다.When the cleaning process is completed, the first door 131 and the second door 151 are opened to transfer the substrate W to the drying chamber 150. As soon as the substrate W enters the drying chamber 150, the second door 151 may be closed to seal the drying chamber 150. The substrate W, which has been dried in the sealed drying chamber 150, is unloaded from the drying chamber 150 for the next process.

이러한 방벙에 의해 기판을 세정 및 건조함으로써 건조 효율을 높일 수 있고 초순수 등이 잘못 회수되는 것을 방지할 수 있다.In this way, by cleaning and drying the substrate, the drying efficiency can be increased, and ultrapure water and the like can be prevented from being erroneously recovered.

지금까지 설명한 매엽식 기판 처리 장치 및 그 방법은 다양한 관점에서 파악 될 수 있는 본 발명의 기술 사상 또는 본 발명에 대한 최소한의 기술로서 이해되어야 하고, 본 발명을 제한하는 경계로서 이해되어서는 아니 된다.The sheet type substrate processing apparatus and method thereof described so far should be understood as the technical idea of the present invention or the minimum description of the present invention which can be grasped from various viewpoints, and should not be understood as the boundary limiting the present invention.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above by way of example, the scope of the present invention is not limited to these specific embodiments, and may be appropriately changed within the scope of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 사시도,1 is a perspective view schematically showing a sheet type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 세정챔버 및 건조챔버가 분리된 상태를 도시한 사시도,FIG. 2 is a perspective view illustrating a state in which a cleaning chamber and a drying chamber of the sheet type substrate processing apparatus of FIG. 1 are separated;

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치의 단면을 개략적으로 도시한 도면으로서,3 and 4 are cross-sectional views schematically showing a sheet type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 기판이 세정챔버에 있는 상태를 도시한 개략 단면도,3 is a schematic cross-sectional view showing a state where the substrate is in the cleaning chamber;

도 4는 기판이 건조챔버에 있는 상태를 도시한 개략 단면도,4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a substrate is in a drying chamber;

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 도시한 순서도,5 is a flowchart illustrating a substrate processing method using a sheet type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 6은 도 5에 따른 방법 중 기판 전달 방법을 설명하는 순서도이다.6 is a flow chart illustrating a substrate transfer method of the method according to FIG. 5.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100:매엽식 기판 처리 장치 120: 지지부재100: sheet type substrate processing apparatus 120: support member

130:세정챔버 135: 제1도어130: washing chamber 135: first door

140: 세정물질 회수부 150: 건조챔버140: cleaning material recovery unit 150: drying chamber

151: 제2도어 170: 세정물질 공급부151: second door 170: cleaning material supply unit

180: 건조물질 공급부 W: 기판180: dry matter supply portion W: substrate

Claims (13)

기판의 불순물을 제거하는 매엽식 기판 처리 장치에 있어서,In the sheet type substrate processing apparatus which removes the impurity of a board | substrate, 상기 기판이 출입되도록 상부와 하부가 개구되고, 상기 기판을 세정하는 세정챔버;An upper and lower openings to allow the substrate to enter and exit, and a cleaning chamber for cleaning the substrate; 상기 세정챔버의 하측에 구비되고, 상기 기판이 출입되도록 상부가 개구되며, 세정이 완료된 상기 기판을 건조하는 건조챔버;A drying chamber provided below the cleaning chamber, the upper portion of which is opened to allow the substrate to enter and exit, and a drying chamber for drying the substrate on which the cleaning is completed; 상기 기판이 놓여지며, 상기 세정챔버 또는 상기 건조챔버 내에서 회전 및 승강 운동을 하는 스핀척; 및A spin chuck on which the substrate is placed and which rotates and lifts in the cleaning chamber or the drying chamber; And 상기 세정챔버와 상기 건조챔버의 사이에 형성되어 상기 스핀척이 승강 운동하도록 개폐되고, 상기 기판을 건조하는 동안 상기 건조챔버를 밀폐시키는 도어;를 포함하고,And a door formed between the cleaning chamber and the drying chamber to open and close the spin chuck to move up and down, and to seal the drying chamber while the substrate is dried. 상기 도어는, 상기 기판의 세정시 상기 세정챔버의 개구된 하부를 폐쇄하도록 상기 세정챔버의 개구된 하부에 형성된 제1도어; 및 상기 기판의 출입시 상기 건조챔버의 개구된 상부를 개방하도록 상기 건조챔버의 개구된 상부에 형성된 제2도어;를 구비한 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.The door may include a first door formed at an opened lower portion of the cleaning chamber to close the opened lower portion of the cleaning chamber when the substrate is cleaned; And a second door formed on the opened upper portion of the drying chamber to open the opened upper portion of the drying chamber when the substrate is moved in and out of the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정챔버에는 세정물질을 공급하는 세정물질 공급부가 연결되고, 상기 건조챔버에는 건조물질을 공급하는 건조물질 공급부가 연결된 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.And a cleaning material supply unit supplying a cleaning material to the cleaning chamber, and a dry material supply unit supplying a dry material to the drying chamber. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 세정물질 공급부는 상기 세정챔버의 개구부를 통해 직선 및 회전운동 하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.And the cleaning material supply unit linearly and rotates through the opening of the cleaning chamber. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 건조물질 공급부는 상기 건조챔버의 중심을 향하여 전진 또는 후퇴 운동이 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.The sheet material processing apparatus of claim 1, wherein the dry material supply unit is capable of moving forward or backward toward the center of the drying chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 매엽식 기판 처리 장치는,The single wafer type substrate processing apparatus, 상기 세정챔버에 형성되어 상기 제1도어를 개폐하는 제1도어개폐수단; 및 First door opening and closing means formed in the cleaning chamber to open and close the first door; And 상기 건조챔버에 형성되어 상기 제2도어를 개폐하는 제2도어개폐수단;Second door opening and closing means formed in the drying chamber to open and close the second door; 을 더 포함하는 매엽식 기판 처리 장치.Sheet type substrate processing apparatus further comprising. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정챔버 및 상기 건조챔버는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.The single wafer type substrate processing apparatus of claim 1, wherein the cleaning chamber and the drying chamber are integrally formed. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 세정챔버와 상기 건조챔버는 공간적으로 분리된 것을 특징으로 하는 매 엽식 기판 처리 장치.The single wafer type substrate processing apparatus of claim 1, wherein the cleaning chamber and the drying chamber are spatially separated. 삭제delete 제1항 또는 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 or 3 to 8, 상기 건조챔버는 상기 스핀척의 고속 회전시 발생되는 정전기의 발생을 방지하기 위하여 스테인레스 스틸로 이루어진 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 처리 장치.The drying chamber is a sheet type substrate processing apparatus, characterized in that made of stainless steel to prevent the generation of static electricity generated during high speed rotation of the spin chuck. 기판의 불순물을 제거하기 위한 매엽식 기판 처리 방법에 있어서,In the single wafer processing method for removing impurities in a substrate, 상부가 개방된 세정챔버로 기판을 로딩하는 단계;Loading the substrate into the cleaning chamber with the top open; 상기 세정챔버에서 상기 기판을 세정하는 단계;Cleaning the substrate in the cleaning chamber; 상기 세정챔버의 하부에 제공된 제1 도어를 개방하는 단계;Opening a first door provided under the cleaning chamber; 상기 세정챔버의 하부에 구비된 건조챔버의 상부에 제공된 제2 도어를 개방하는 단계;Opening a second door provided at an upper portion of the drying chamber provided at the lower portion of the cleaning chamber; 상기 세정챔버에서부터 상기 건조챔버로 상기 기판을 하강시켜 상기 건조챔버에 상기 기판을 전달하는 단계;Transferring the substrate to the drying chamber by lowering the substrate from the cleaning chamber to the drying chamber; 상기 제2도어를 폐쇄시켜 상기 건조챔버를 밀폐하는 단계;Closing the second door to seal the drying chamber; 상기 건조챔버에서 상기 기판을 건조하는 단계; Drying the substrate in the drying chamber; 상기 제2 도어를 개방시키는 단계; 및Opening the second door; And 상기 건조챔버에서부터 상기 세정챔버의 상측으로 상기 기판을 언로딩하는 단계;Unloading the substrate from the drying chamber to an upper side of the cleaning chamber; 를 포함하는 매엽식 기판 처리 방법.Single substrate processing method comprising a. 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104079A (en) * 1996-06-18 1998-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104079A (en) * 1996-06-18 1998-01-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783538A (en) * 2016-12-01 2017-05-31 北京七星华创电子股份有限公司 A kind of washmarking for being applied to monolithic cleaning and particle removing method
CN106783538B (en) * 2016-12-01 2020-04-03 北京七星华创电子股份有限公司 Water mark and particle eliminating method applied to single-chip cleaning process

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