KR20190068657A - Back light unit - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a backlight unit. The backlight unit according to an embodiment of the present invention comprises a light guide plate, a circuit board, a light emitting diode chip, a reflective member, and a sealing member. The light guide plate includes at least one opening penetrating from an upper surface to a lower surface. The circuit board is disposed on a lower part of the light guide plate. The light emitting diode chip is mounted on the circuit board and disposed in the opening of the light guide plate. The reflective member is formed on an upper surface of the light emitting diode chip. The sealing member is located between at least a side of the light emitting diode chip and an inner wall of the opening of the light guide plate. In addition, the reflective member reflects part of light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip toward the inner wall of the opening which is an incident surface of the light guide plate. Also, the backlight unit has a uniformity of light emitted from the upper surface of the light guide plate and light emitted from an upper part of the opening of the light guide plate, which is more than or equal to 90%.

Description

백라이트 유닛{BACK LIGHT UNIT}Backlight unit {BACK LIGHT UNIT}

본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit.

자체 발광원이 없는 수광형 소자인 디스플레이 장치는 화면 전체를 후면에서 조명할 수 있는 별도의 광원 장치가 필요하다. 이러한 디스플레이 장치를 위한 조명 장치를 일반적으로 백라이트 유닛(Back Light Unit)이라 한다.A display device that is a light-receiving device without a self-emitting source requires a separate light source device capable of illuminating the entire screen from the back. A lighting device for such a display device is generally referred to as a backlight unit.

일반적으로 백라이트 유닛은 LED 칩과 같이 광을 방출하는 광원이 배치되는 방식에 따라 에지형과 직하형으로 구분한다.Generally, the backlight unit is divided into an edge type and a direct type according to the manner in which a light source emitting light is arranged, such as an LED chip.

에지형 백라이트 유닛은 광을 안내하는 도광판의 측면에 광원이 배치되는 방식이다. 그러나 에지형 백라이트 유닛은 발광 다이오드 칩이 도광판의 측면을 따라 배치되기 때문에 디스플레이 장치의 베젤을 얇게 하는데 한계가 있었다. 또한, 에지형 백라이트 유닛은 일반적으로 회로 기판에 실장된 복수의 발광 다이오드 칩이 직렬 연결되어 있어 개별적으로 동작시킬 수 없다는 문제점이 있다.In the edge type backlight unit, a light source is disposed on a side surface of a light guide plate for guiding light. However, the edge type backlight unit has a limitation in thinning the bezel of the display device because the light emitting diode chip is disposed along the side surface of the light guide plate. Further, the edge type backlight unit generally has a problem that a plurality of light emitting diode chips mounted on a circuit board are connected in series and can not be individually operated.

직하형 백라이트 유닛은 도광판의 하부에 광원을 배열시켜 디스플레이 패널 전면을 조명하는 방식이다. 그러나 직하형 백라이트 유닛은 도광판 하부에 발광 다이오드 칩이 배치되기 때문에, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치의 두께를 감소시키는데 한계가 있다.The direct-type backlight unit is a method of illuminating the front of the display panel by arranging a light source at a lower portion of the light guide plate. However, since the direct-type backlight unit is disposed under the light guide plate, the thickness of the backlight unit and the display device is limited.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 디스플레이 장치의 두께를 감소시킬 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a backlight unit capable of reducing the thickness of a display device.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 로컬 디밍(Local Dimming)이 가능하면서 디스플레이 장치의 두께 감소도 가능한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit capable of local dimming and capable of reducing the thickness of a display device.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 하는 광 제어가 용이한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit which is easy to control light so that the uniformity of light is 90% or more.

본 발명의 실시 예에 따르면, 도광판, 회로 기판, 발광 다이오드 칩, 반사 부재 및 밀봉 부재를 포함하는 백라이트 유닛이 제공된다. 도광판은 상부면에서 하부면까지 관통하는 적어도 하나의 개구부가 형성된다. 회로 기판은 도광판 하부에 배치된다. 발광 다이오드 칩은 회로 기판에 실장되어 도광판의 개구부에 배치된다. 반사 부재는 발광 다이오드 칩의 상면에 형성된다. 밀봉 부재는 발광 다이오드 칩의 적어도 측면과 도광판의 개구부의 내벽 사이에 위치한다. 여기서, 반사 부재는 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 도광판의 입사면인 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시킨다. 또한, 백라이트 유닛은 도광판의 상면에서 방출되는 광과 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a backlight unit including a light guide plate, a circuit board, a light emitting diode chip, a reflecting member, and a sealing member. The light guide plate is formed with at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface. The circuit board is disposed under the light guide plate. The light emitting diode chip is mounted on the circuit board and disposed in the opening of the light guide plate. The reflecting member is formed on the upper surface of the light emitting diode chip. The sealing member is positioned between at least the side surface of the light emitting diode chip and the inner wall of the opening of the light guide plate. Here, the reflecting member reflects a part of the light emitted from the upper surface of the LED chip so as to face the inner wall of the opening, which is the incident surface of the light guide plate. In addition, the backlight unit has a uniformity of 90% or more of light emitted from the upper surface of the light guide plate and light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate.

본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 도광판에 개구부를 형성하여, 발광 다이오드 칩을 도광판의 개구부에 배치하여 두께 감소가 가능하다.The backlight unit according to the embodiment of the present invention can reduce the thickness by forming an opening in the light guide plate and arranging the light emitting diode chip in the opening of the light guide plate.

본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 발광 다이오드 칩이 도광판 전체에 고르게 배치될 수 있어, 두께 감소와 더불어 로컬 디밍이 가능하다.In the backlight unit according to the embodiment of the present invention, the light emitting diode chip can be evenly arranged over the light guide plate, and the local dimming is possible in addition to the thickness reduction.

본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 도광판의 상면에서 방출되는 광과 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 하는 광 제어가 용이하다. 백라이트 유닛이 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 제어 가능하므로, 백라이트 유닛을 적용한 디스플레이 장치의 얼룩 현상도 최소화할 수 있다.The backlight unit according to the embodiment of the present invention is easy to control light so that the uniformity of the light emitted from the upper surface of the light guide plate and the light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate is 90% or more. Since the backlight unit can be controlled so that the uniformity of light is 90% or more, the display device using the backlight unit can be minimized.

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.1 and 2 are views showing an example of a backlight unit according to a first embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view showing a light emitting diode chip and a reflecting member according to the first embodiment.
4 is an exemplary view illustrating a light emitting diode chip and a reflective member according to a second embodiment.
5 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a second embodiment of the present invention.
6 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a third embodiment of the present invention.
7 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a sixth embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예시로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참고번호들은 동일한 구성요소들을 나타내고 유사한 참고번호는 대응하는 유사한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout the specification and like reference numerals represent corresponding like elements.

본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 도광판, 회로 기판, 발광 다이오드 칩, 반사 부재 및 밀봉 부재를 포함한다. 상기 도광판은 상부면에서 하부면까지 관통하는 적어도 하나의 개구부가 형성된다. 상기 회로 기판은 상기 도광판 하부에 배치된다. 상기 발광 다이오드 칩은 상기 회로 기판에 실장되어 상기 도광판의 상기 개구부에 배치된다. 상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에 형성된다. 상기 밀봉 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 적어도 측면과 상기 도광판의 상기 개구부의 내벽 사이에 위치한다. 여기서, 상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 상기 도광판의 입사면인 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시킨다. 또한, 백라이트 유닛은 상기 도광판의 상면에서 방출되는 광과 상기 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이다.A backlight unit according to an embodiment of the present invention includes a light guide plate, a circuit board, a light emitting diode chip, a reflective member, and a sealing member. The light guide plate is formed with at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface. The circuit board is disposed below the light guide plate. The light emitting diode chip is mounted on the circuit board and disposed in the opening of the light guide plate. The reflective member is formed on an upper surface of the light emitting diode chip. The sealing member is positioned between at least a side surface of the light emitting diode chip and an inner wall of the opening portion of the light guide plate. Here, the reflective member reflects a part of the light emitted from the upper surface of the LED chip so as to face the inner wall of the opening, which is the incident surface of the light guide plate. In addition, the backlight unit has a uniformity of 90% or more of light emitted from the upper surface of the light guide plate and light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate.

일 실시 예에 따르면, 상기 반사 부재는 서로 다른 면적을 갖는 복수의 반사 부재로 구성될 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 멀어질수록 면적이 작은 반사 부재가 위치한다.According to one embodiment, the reflective member may be composed of a plurality of reflective members having different areas. In addition, a reflective member having a smaller area is located away from the upper surface of the LED chip.

상기 반사 부재는 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 부재는 SiO2, TiO2, SiN, TiN 중 적어도 하나로 이루어진다.The reflective member may be a DBR (Distributed Bragg Reflector). For example, the reflective member is made of at least one of SiO2, TiO2, SiN, and TiN.

또는 상기 반사 부재는 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 부재는 Al 및 Ag 중 적어도 하나로 이루어진다.Or the reflective member may be made of metal. For example, the reflective member is made of at least one of Al and Ag.

상기 복수의 반사 부재 중 적어도 하나의 반사 부재는 다른 반사 부재와 상이한 재질로 이루어질 수 있다.At least one of the plurality of reflection members may be made of a material different from the other reflection members.

상기 복수의 반사 부재 중 적어도 하나의 반사 부재는 다른 반사 부재와 상이한 두께를 가질 수 있다.At least one of the plurality of reflecting members may have a thickness different from that of the other reflecting member.

상기 밀봉 부재는 상기 도광판과 굴절률 차이가 10% 이하일 수 있다.The sealing member may have a refractive index difference of 10% or less with the light guide plate.

상기 밀봉 부재는 형광체를 더 함유할 수 있다.The sealing member may further contain a phosphor.

다른 실시 예에 따르면, 상기 반사 부재는 반사 물질을 함유한 투광성 수지일 수 있다.According to another embodiment, the reflecting member may be a light transmitting resin containing a reflecting material.

상기 밀봉 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 도광판의 개구부의 내벽 사이를 채울 수 있다. 이때, 상기 반사 부재는 상기 도광판의 개구부에서 상기 발광 다이오드 칩의 상부 및 상기 밀봉 부재의 상부를 채울 수 있다.The sealing member may fill the gap between the side surface of the light emitting diode chip and the inner wall of the opening of the light guide plate. At this time, the reflective member may fill the upper portion of the light emitting diode chip and the upper portion of the sealing member at the opening portion of the light guide plate.

또한, 상기 반사 부재는 형광체를 더 함유할 수 있다.Further, the reflective member may further contain a phosphor.

상기 반사 부재의 상기 투광성 수지는 상기 도광판과 굴절률 차이가 10% 이하일 수 있다.The refractive index of the light transmitting resin of the reflective member may be 10% or less of the refractive index of the light guide plate.

상기 백라이트 유닛은 상기 발광 다이오드 칩의 측면 및 상면을 둘러싸도록 형성된 파장 변환 부재를 더 포함할 수 있다. 이때, 반사 부재는 상기 파장 변환 부재 상부에 위치할 수 있다. The backlight unit may further include a wavelength conversion member formed to surround the side surface and the upper surface of the LED chip. At this time, the reflective member may be positioned above the wavelength converting member.

또는 상기 백라이트 유닛은 상기 발광 다이오드 칩의 측면, 상기 반사 부재의 측면 및 상기 반사 부재의 상면을 둘러싸도록 형성된 파장 변환 부재를 더 포함할 수 있다.Alternatively, the backlight unit may further include a wavelength conversion member configured to surround a side surface of the LED chip, a side surface of the reflective member, and an upper surface of the reflective member.

상기 도광판의 상기 입사면은 상기 개구부가 하부에서 상부로 갈수록 폭이 좁아지도록 기울기를 갖는다.The incident surface of the light guide plate has a slope such that the width of the opening decreases from the bottom to the top.

상기 도광판의 상면은 상기 반사 부재의 상면과 동일선상에 위치하거나 더 높게 위치한다.The upper surface of the light guide plate is located on the same line or higher than the upper surface of the reflective member.

이하 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.1 and 2 are views showing an example of a backlight unit according to a first embodiment of the present invention.

도 1은 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)을 간략하게 나타낸 평면도이다. 또한, 도 2는 도 1의 단면도이다.1 is a plan view schematically showing a backlight unit 100 according to the first embodiment. Fig. 2 is a sectional view of Fig. 1. Fig.

도 1을 참고하면, 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.1, the backlight unit 100 according to the first embodiment includes a light guide plate 110, a circuit board 120, a light emitting diode chip 130, a reflective member 140, and a sealing member 150 .

도광판(110)은 투명한 재질로 이루어진다. 예를 들어, 도광판(110)은 PMMA(polymethyl naphthalate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.The light guide plate 110 is made of a transparent material. For example, the light guide plate 110 may include one of acrylic resin such as polymethyl naphthalate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), and polyethylene naphthalate (PEN) resin.

본 발명의 실시 예에 따르면, 도광판(110)은 상면과 하면을 관통하는 적어도 하나의 개구부(111)가 형성되어 있다. 복수의 개구부(111)는 도광판(110)의 전체에 일정한 간격을 갖도록 배열된다. According to the embodiment of the present invention, the light guide plate 110 is formed with at least one opening 111 passing through the upper surface and the lower surface. The plurality of openings 111 are arranged so as to have a constant interval over the entire light guide plate 110.

도광판(110)의 개구부(111)에는 발광 다이오드 칩(130) 및 발광 다이오드 칩(130)의 상면에 배치된 반사 부재(140)가 수용되어 있다. 즉, 도광판(110)의 상면의 높이는 반사 부재(140)의 상면과 동일선상에 위치하거나 더 높게 위치한다.The light emitting diode chip 130 and the reflective member 140 disposed on the upper surface of the LED chip 130 are accommodated in the opening 111 of the light guide plate 110. That is, the height of the upper surface of the light guide plate 110 is located on the same line or higher than the upper surface of the reflective member 140.

본 발명의 실시 예에서는 미도시되었지만, 백라이트 유닛(100)은 도광판(110) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들을 포함한다.Although not shown in the embodiment of the present invention, the backlight unit 100 includes optical sheets positioned on the light guide plate 110 to diffuse and condense light.

도광판(110) 하부에는 발광 다이오드 칩(130)이 실장된 회로 기판(120)이 배치된다. 회로 기판(120)은 발광 다이오드 칩(130)과 전기적으로 연결되어 발광 다이오드 칩(130)이 광을 방출하도록 전원을 공급한다. A circuit board 120 on which the light emitting diode chip 130 is mounted is disposed under the light guide plate 110. The circuit board 120 is electrically connected to the light emitting diode chip 130 to supply power to the light emitting diode chip 130 to emit light.

발광 다이오드 칩(130)은 회로 기판(120)에 실장된 상태로 도광판(110)의 개구부(111)에 위치하게 된다. 도광판(110)에 복수의 개구부(111)가 형성되어 있다면, 각각의 개구부(111)에 발광 다이오드 칩(130)이 배치될 수 있다. The light emitting diode chip 130 is placed in the opening 111 of the light guide plate 110 while being mounted on the circuit board 120. If a plurality of openings 111 are formed in the light guide plate 110, the light emitting diode chips 130 may be disposed in the respective openings 111.

본 발명의 실시 예에 따르면, 발광 다이오드 칩(130)은 상면 및 측면을 통해서 광을 방출하는 구조를 갖는다. 발광 다이오드 칩(130)의 자세한 구조는 이후에 자세히 설명하도록 한다.According to the embodiment of the present invention, the light emitting diode chip 130 has a structure that emits light through the upper surface and the side surface. The detailed structure of the light emitting diode chip 130 will be described later in detail.

발광 다이오드 칩(130)의 측면은 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽과 마주한다. 따라서, 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광은 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽에 입사하게 된다. 즉, 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽은 광이 입사하는 입사면이다. 여기서, 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광은 발광 다이오드 칩(130)의 활성층(미도시)에서 생성되어 발광 다이오드 칩(130)의 측면을 통과한 광을 의미한다.The side surface of the light emitting diode chip 130 faces the inner wall of the opening 111 of the light guide plate 110. Therefore, the light emitted from the side surface of the LED chip 130 is incident on the inner wall of the opening 111 of the light guide plate 110. That is, the inner wall of the opening 111 of the light guide plate 110 is an incident surface on which light is incident. Here, the light emitted from the side surface of the light emitting diode chip 130 refers to light generated in the active layer (not shown) of the light emitting diode chip 130 and passing through the side surface of the light emitting diode chip 130.

발광 다이오드 칩(130)의 상면에는 단층 또는 복수층으로 이루어진 반사 부재(140)가 형성된다. 예를 들어, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)가 차례로 적층되어 있다.On the upper surface of the light emitting diode chip 130, a single layer or a plurality of reflective members 140 are formed. For example, a first reflective member 141 to a third reflective member 143 are sequentially stacked on the upper surface of the LED chip 130.

본 실시 예에 따르면, 제1 반사 부재(141)의 상부에는 제1 반사 부재(141)보다 면적이 작은 제2 반사 부재(142)가 배치된다. 예를 들어, 제1 반사 부재(141)는 발광 다이오드 칩(130)의 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 제2 반사 부재(142)는 제1 반사 부재(141)의 영역 내에 위치한다. 또한, 제2 반사 부재(142)의 상부에는 제2 반사 부재(142)보다 면적이 작은 제3 반사 부재(143)가 배치된다. 이때, 제3 반사 부재(143)는 제2 반사 부재(142)의 영역 내에 위치한다. According to the present embodiment, a second reflective member 142 having a smaller area than the first reflective member 141 is disposed on the first reflective member 141. For example, the first reflective member 141 may be formed to cover the entire surface of the LED chip 130. At this time, the second reflecting member 142 is located in the region of the first reflecting member 141. A third reflective member 143 having a smaller area than the second reflective member 142 is disposed on the second reflective member 142. At this time, the third reflecting member 143 is located in the region of the second reflecting member 142.

이와 같이 형성된 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광의 일부가 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽을 향하도록 반사시킬 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광은 발광 다이오드 칩(130)의 활성층(미도시)에서 생성되어 발광 다이오드 칩(130)의 상면을 통과한 광을 의미한다. 이에 따라 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽은 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광과 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)에 의해서 반사된 광이 입사된다.The first reflective member 141 to the third reflective member 143 may reflect the light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip 130 toward the inner wall of the opening 111 of the light guide plate 110 have. The light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip 130 refers to the light generated from the active layer (not shown) of the light emitting diode chip 130 and passed through the upper surface of the light emitting diode chip 130. The light emitted from the side surface of the light emitting diode chip 130 and the light reflected by the first to third reflective members 141 to 143 are incident on the inner wall of the opening 111 of the light guide plate 110 .

제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 재질, 두께, 면적 등에 따라 광 반사율이 달라질 수 있다. 따라서, 제1 반사 부재(141) 및 제3 반사 부재(143)의 광 반사율을 조절하여, 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽을 향하는 광량을 조절할 수 있다. 더 나아가 제1 반사 부재(141) 및 제3 반사 부재(143)의 광 반사율을 조절하여 도광판(110)의 내부를 거쳐 도광판(110)의 상면에서 방출되는 광과 도광판(110)의 개구부를 통해 방출되는 광의 비율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 백라이트 유닛(100)은 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)를 통해 도광판(110)의 상면을 통해 방출된 광과 도광판(110)의 개구부(111)를 통해 방출된 광의 균일도가 90% 이상될 수 있다.The light reflectance of the first to third reflective members 141 to 143 may vary depending on the material, thickness, area, and the like. The amount of light directed toward the inner wall of the opening 111 of the light guide plate 110 can be adjusted by adjusting the light reflectance of the first reflecting member 141 and the third reflecting member 143. [ The light reflected from the upper surface of the light guide plate 110 and the light guide plate 110 through the inside of the light guide plate 110 by controlling the light reflectance of the first reflecting member 141 and the third reflecting member 143 The ratio of the emitted light can be adjusted. For example, the backlight unit 100 of the present invention is configured such that the light emitted through the upper surface of the light guide plate 110 through the first reflection member 141 to the third reflection member 143 and the light emitted through the opening 111 of the light guide plate 110 ) Can be 90% or more.

제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 적어도 일부의 광을 반사시킬 수 있는 어떠한 재질로도 형성될 수 있다. 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, DBR은 SiO2, TiO2, SiN, TiN 중 하나로 이루어진 층이 한층으로 이루어질 수 있다. 또는 DBR은 SiO2, TiO2, SiN, TiN로 이루어진 각각의 층 중 적어도 2개가 한번 또는 반복적으로 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 또는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 Ag, Al 등의 금속으로 이루어질 수 있다. 또는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143) 중 일부 반사 부재는 금속으로 이루어지며, 다른 반사 부재는 DBR로 이루어질 수도 있다. 본 발명의 실시 예에서, 반사 부재가 3층으로 이루어진 구조를 예시로 하여 설명하고 있지만, 반사 부재의 층수는 반사 부재의 두께, 재질 및 광량 제어에 따라 변경될 수 있다.The first reflection member 141 to the third reflection member 143 may be formed of any material capable of reflecting at least a part of light. The first reflection member 141 to the third reflection member 143 may be DBR (Distributed Bragg Reflector). For example, the DBR may comprise a layer of one of SiO 2, TiO 2, SiN, or TiN. Alternatively, the DBR may have a structure in which at least two layers of SiO 2, TiO 2, SiN, and TiN are stacked once or repeatedly. Alternatively, the first reflection member 141 to the third reflection member 143 may be made of a metal such as Ag or Al. Or some of the first to third reflective members 141 to 143 may be made of metal, and the other reflective member may be made of DBR. In the embodiment of the present invention, the structure in which the reflecting member has three layers is described as an example, but the number of reflecting members can be changed depending on the thickness, material, and light amount control of the reflecting member.

밀봉 부재(150)는 도광판(110)의 개구부(111)를 채워 발광 다이오드 칩(130)을 덮는다. 이때, 밀봉 부재(150)의 상면과 도광판(110)의 상면은 동일 선상에 위치할 수 있다.The sealing member 150 fills the opening 111 of the light guide plate 110 to cover the light emitting diode chip 130. At this time, the upper surface of the sealing member 150 and the upper surface of the light guide plate 110 may be located on the same line.

밀봉 부재(150)는 발광 다이오드 칩(130)을 감싸고 있기 때문에, 수분, 먼지 등과 같은 외부 물질로부터 발광 다이오드 칩(130)을 보호할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(150)는 발광 다이오드 칩(130)을 외부 충격으로부터 보호할 수 있다. 밀봉 부재(150)는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등과 같은 이미 공지된 투광성 재질로 형성될 수 있다. 더 나아가서 밀봉 부재(150)는 그 중에서 도광판(110)과 굴절률이 유사한 재질로 형성될 수 있다. 즉, 밀봉 부재(150)는 투광성이며, 도광판(110)과 10% 이하의 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도광판(110)이 PMMA로 이루어질 수 있으며, PMMA의 굴절률은 약 1.49이다. 이때, 밀봉 부재(150)는 투광성이며, 굴절률이 약 1.4~1.6인 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 밀봉 부재(150)가 도광판(110)과 유사한 굴절률을 갖는다면, 도광판(110)을 향하는 광이 도광판(110)과 밀봉 부재(150)의 계면에서 반사되는 것을 최소화 할 수 있다.Since the sealing member 150 surrounds the light emitting diode chip 130, the light emitting diode chip 130 can be protected from external substances such as moisture, dust, and the like. In addition, the sealing member 150 can protect the light emitting diode chip 130 from an external impact. The sealing member 150 may be formed of an already known translucent material such as an epoxy resin, a silicone resin, or the like. Furthermore, the sealing member 150 may be formed of a material having a refractive index similar to that of the light guide plate 110, among them. That is, the sealing member 150 may be formed of a material having a light transmittance and a refractive index of 10% or less with the light guide plate 110. For example, the light guide plate 110 may be made of PMMA, and the refractive index of PMMA is about 1.49. At this time, the sealing member 150 may be made of a silicone resin that is transmissive and has a refractive index of about 1.4 to 1.6. The reflection toward the light guide plate 110 at the interface between the light guide plate 110 and the sealing member 150 can be minimized if the sealing member 150 has a refractive index similar to that of the light guide plate 110. [

예를 들어, 도광판(110)은 사출 성형 방식으로 형성될 수 있다. 도광판(110)은 관통하는 개구부(111)를 갖도록 설계된 금형에 도광판 재료를 주입한 후 가압하여 형성될 수 있다. 이렇게 사출 성형된 도광판(110)은 발광 다이오드 칩(130)이 개구부(111)에 위치하도록 회로 기판(110) 상에 배치된다. 이후, 개구부(111)에 밀봉 부재(150)를 채워 백라이트 유닛(100)이 형성될 수 있다. 이와 같은 백라이트 유닛(100)의 제조 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 방식으로 형성될 수 있다.For example, the light guide plate 110 may be formed by an injection molding method. The light guide plate 110 may be formed by injecting a light guide plate material into a mold designed to have an opening 111 passing therethrough, and then pressing the light guide plate material. The injection molded light guide plate 110 is disposed on the circuit board 110 such that the light emitting diode chip 130 is positioned in the opening 111. [ Then, the backlight unit 100 may be formed by filling the opening 111 with the sealing member 150. The method of manufacturing such a backlight unit 100 is not limited to this, and may be formed in various ways.

종래의 에지형 백라이트 유닛은 발광 다이오드 칩이 도광판의 측면을 따라 배치되기 때문에 디스플레이 장치의 베젤을 얇게 하는데 한계가 있었다. 또한, 에지형 백라이트 유닛은 일반적으로 회로 기판에 실장된 복수의 발광 다이오드 칩이 직렬 연결되어 있어 개별적으로 동작시킬 수 없다는 문제점이 있다.In the conventional edge type backlight unit, since the light emitting diode chip is disposed along the side surface of the light guide plate, there is a limitation in thinning the bezel of the display device. Further, the edge type backlight unit generally has a problem that a plurality of light emitting diode chips mounted on a circuit board are connected in series and can not be individually operated.

또한, 종래의 직하형 백라이트 유닛은 도광판 하부에 발광 다이오드 칩이 배치되기 때문에, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치의 두께를 감소시키는데 한계가 있다.In addition, since the conventional direct type backlight unit has a light emitting diode chip disposed under the light guide plate, there is a limit in reducing the thickness of the backlight unit and the display device.

그러나 본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)은 발광 다이오드 칩(130)이 도광판(110)의 하부에 위치하는 것이 아니라 개구부(111)를 통해 도광판(110) 내부에 위치하므로, 백라이트 유닛(100) 및 디스플레이 장치의 두께를 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)은 회로 기판(120)을 통해서 발광 다이오드 칩(130)을 개별적으로 제어하는 로컬 디밍(Local Dimming)을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 백라이트 유닛(100)은 반사 부재(140)의 광 반사율을 반사 부재(140)의 크기, 층수, 재질 등을 이용하여 용이하게 제어할 수 있다. 따라서, 본 실시 예의 백라이트 유닛(100)은 도광판(110)의 상면을 통해 방출되는 광과 개구부(1110)의 상부로 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 하는데 필요한 광 제어가 용이하다. 더 나아가 백라이트 유닛(100)이 균일하게 광을 방출할 수 있으므로, 백라이트 유닛(100)이 적용된 디스플레이 장치(미도시)의 얼룩 현상을 최소화할 수 있다.However, the backlight unit 100 according to the embodiment of the present invention is configured such that the light emitting diode chip 130 is not located below the light guide plate 110 but located inside the light guide plate 110 through the opening 111, 100) and the thickness of the display device. In addition, the backlight unit 100 according to the embodiment of the present invention can implement local dimming in which the light emitting diode chips 130 are individually controlled through the circuit board 120. In addition, according to the embodiment of the present invention, the backlight unit 100 can easily control the light reflectance of the reflective member 140 using the size, number of layers, material, etc. of the reflective member 140. Therefore, the backlight unit 100 of the present embodiment can easily control the light necessary for the uniformity of the light emitted through the upper surface of the light guide plate 110 and the upper portion of the opening 1110 to be 90% or more. Furthermore, since the backlight unit 100 can emit light uniformly, it is possible to minimize the smearing phenomenon of the display device (not shown) to which the backlight unit 100 is applied.

도 3은 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view showing a light emitting diode chip and a reflecting member according to the first embodiment.

본 실시 예의 발광 다이오드 칩(10)은 백라이트 유닛(도 1 및 도 2의 100)의 발광 다이오드 칩(도 2의 130)의 일 실시 예이다. 본 실시 예의 발광 다이오드 칩(10)은 하부에 양 극성의 전극이 모두 형성된 수평형 구조이다.The light emitting diode chip 10 of this embodiment is an embodiment of the light emitting diode chip (130 of FIG. 2) of the backlight unit (100 of FIGS. 1 and 2). The light emitting diode chip 10 of this embodiment is a horizontal structure in which both electrodes of both polarities are formed in the lower part.

도 3을 참고하면, 발광 다이오드 칩(10)은 기판(11), 발광 구조체(12), 투명 전극층(16), 제1 전극 패드(17), 제2 전극 패드(18) 및 반사층(19)을 포함할 수 있다.3, the light emitting diode chip 10 includes a substrate 11, a light emitting structure 12, a transparent electrode layer 16, a first electrode pad 17, a second electrode pad 18, and a reflective layer 19, . ≪ / RTI >

기판(11)은 투명 기판이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판(11)은 사파이어 또는 SiC 기판일 수 있다. 또한, 기판(11)은 패터닝된 사파이어 기판(PSS)처럼 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층들을 성장시키기에 적합한 성장기판일 수 있다. The substrate 11 is not particularly limited as long as it is a transparent substrate. For example, the substrate 11 may be a sapphire or SiC substrate. In addition, the substrate 11 may be a growth substrate suitable for growing gallium nitride-based compound semiconductor layers, such as a patterned sapphire substrate (PSS).

발광 구조체(12)는 기판(11) 하부에 배치된다. 발광 구조체(12)는 제1 도전형 반도체층(13), 제2 도전형 반도체층(15) 및 제1 도전형 반도체층(13)과 제2 도전형 반도체층(15) 사이에 개재된 활성층(14)을 포함한다. 여기서, 제1 도전형과 제2 도전형은 서로 반대의 도전형으로, 제1 도전형이 n형이고, 제2 도전형이 p형이거나 그 반대일 수 있다.The light emitting structure 12 is disposed under the substrate 11. The light emitting structure 12 includes an active layer 13 interposed between the first conductivity type semiconductor layer 13 and the second conductivity type semiconductor layer 15 and between the first conductivity type semiconductor layer 13 and the second conductivity type semiconductor layer 15, (14). Here, the first conductivity type and the second conductivity type may be opposite to each other, the first conductivity type may be n-type, the second conductivity type may be p-type, or vice versa.

제1 도전형 반도체층(13), 활성층(14) 및 제2 도전형 반도체층(15)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(13) 및 제2 도전형 반도체층(15)은 도 3에 도시된 바와 같이 단일층으로 형성될 수 있다. 또는 제1 도전형 반도체층(13) 및 제2 도전형 반도체층(15) 중 적어도 하나는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 활성층(14)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 도 3에는 미도시 되었으나, 기판(11)과 제1 도전형 반도체층(13) 사이에 버퍼층이 형성될 수도 있다.The first conductive semiconductor layer 13, the active layer 14, and the second conductive semiconductor layer 15 may be formed of a gallium nitride compound semiconductor material. The first conductive semiconductor layer 13 and the second conductive semiconductor layer 15 may be formed as a single layer as shown in FIG. Or at least one of the first conductivity type semiconductor layer 13 and the second conductivity type semiconductor layer 15 may have a multi-layer structure. The active layer 14 may be formed of a single quantum well or a multiple quantum well structure. Although not shown in FIG. 3, a buffer layer may be formed between the substrate 11 and the first conductivity type semiconductor layer 13.

제1 도전형 반도체층(13), 제2 도전형 반도체층(15) 및 활성층(14)은 은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(15) 및 활성층(14)은 사진 및 식각 공정으로 제1 도전형 반도체층(13)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝 될 수 있다. 이때, 제1 도전형 반도체층(13)의 일부도 같이 패터닝 될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 13, the second conductivity type semiconductor layer 15, and the active layer 14 may be formed using silver MOCVD or MBE techniques. The second conductivity type semiconductor layer 15 and the active layer 14 may be patterned to expose a part of the first conductivity type semiconductor layer 13 by a photolithography and etching process. At this time, a part of the first conductivity type semiconductor layer 13 may also be patterned.

투명 전극층(16)은 제2 도전형 반도체층(15) 하면에 배치된다. 예를 들어, 투명 전극층(16)은 ITO, ZnO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있다. 투명 전극층(16)은 제2 도전형 반도체층(15)에 비해 비저항이 낮아 전류를 분산시킬 수 있다. The transparent electrode layer 16 is disposed on the bottom surface of the second conductivity type semiconductor layer 15. For example, the transparent electrode layer 16 may be formed of ITO, ZnO, or Ni / Au. The transparent electrode layer 16 has a lower resistivity than the second conductivity type semiconductor layer 15 and can disperse the current.

제1 전극 패드(17)는 제1 도전형 반도체층(13) 하부에 배치되고, 제2 전극 패드(18)는 투명 전극층(16) 하부에 배치된다. 제2 전극 패드(18)는 투명 전극층(16)을 통해서 제2 도전형 반도체층(15)과 전기적으로 연결된다. The first electrode pad 17 is disposed under the first conductivity type semiconductor layer 13 and the second electrode pad 18 is disposed under the transparent electrode layer 16. The second electrode pad 18 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 15 through the transparent electrode layer 16.

반사층(19)은 제1 전극 패드(17) 및 제2 전극 패드(18)를 제외한 발광 구조체(12)의 하부를 덮도록 형성된다. 또한, 반사층(19)은 제1 도전형 반도체층(13)을 노출시키기 위한 패터닝으로 노출된 활성층(14) 및 제2 도전형 반도체층(15)의 측면을 덮도록 형성된다.The reflective layer 19 is formed to cover the lower portion of the light emitting structure 12 except for the first electrode pad 17 and the second electrode pad 18. The reflective layer 19 is formed to cover the side surfaces of the active layer 14 and the second conductivity type semiconductor layer 15 exposed by patterning to expose the first conductivity type semiconductor layer 13.

이와 같이 형성된 반사층(19)은 활성층(14)에서 생성되어 제2 전극 패드(18) 방향으로 진행하는 광을 반사시켜, 발광 다이오드 칩(10)의 상부 또는 측면을 향하도록 한다. 따라서, 발광 구조체(12)에서 생성된 광이 모두 발광면에서만 방출되도록 할 수 있다.The reflective layer 19 thus formed reflects light generated in the active layer 14 and proceeds toward the second electrode pad 18 so as to face the upper side or the side surface of the LED chip 10. Therefore, all the light generated in the light emitting structure 12 can be emitted only from the light emitting surface.

반사층(19)은 단층 또는 다층의 DBR로 이루어진 절연층 또는 절연층에 둘러싸인 금속층일 수 있다. 반사층(19)이 형성되는 위치 및 구조가 도 3에 도시된 구조로 한정되는 것은 아니다. 반사층(19)은 제2 전극 패드(18)로 향하는 광을 반사시킬 수 있다면 위치 및 구조는 다양하게 변경될 수 있다.The reflective layer 19 may be a metal layer surrounded by an insulating layer or insulating layer made of a single layer or a multi-layer DBR. The position and structure in which the reflective layer 19 is formed are not limited to the structure shown in FIG. The position and structure of the reflective layer 19 can be variously changed if the reflective layer 19 can reflect light toward the second electrode pad 18.

발광 다이오드 칩(10)의 상면에는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)가 배치된다.The first reflective member 141 to the third reflective member 143 are disposed on the upper surface of the LED chip 10.

제1 반사 부재(141)는 발광 다이오드 칩(10)의 기판(11)의 상면에 배치된다. 이때, 제1 반사 부재(141)는 기판(11)의 상면 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 만약, 제1 반사 부재(141)가 기판(11)보다 작은 면적을 갖도록 형성되면, 외부로 노출된 기판(11) 부분에서만 광이 직접 방출되어 다른 부분 또는 도광판을 통해 방출되는 광량과 크게 차이가 날 수 있다.The first reflecting member 141 is disposed on the upper surface of the substrate 11 of the light emitting diode chip 10. At this time, the first reflective member 141 may be formed to cover the entire upper surface of the substrate 11. If the first reflective member 141 is formed to have a smaller area than the substrate 11, the light is directly emitted only from the portion of the substrate 11 exposed to the outside, and is greatly different from the amount of light emitted through the other portion or the light guide plate You can fly.

제2 반사 부재(142)는 제1 반사 부재(141)의 상면에 배치된다. 제2 반사 부재(142)는 제1 반사 부재(141)보다 작은 면적을 갖는다.The second reflecting member 142 is disposed on the upper surface of the first reflecting member 141. The second reflective member 142 has an area smaller than that of the first reflective member 141.

또한, 제3 반사 부재(143)는 제2 반사 부재(142) 상면에 배치된다. 제3 반사 부재(143)는 제2 반사 부재(142)보다 작은 면적을 갖는다.The third reflecting member 143 is disposed on the upper surface of the second reflecting member 142. The third reflecting member 143 has an area smaller than that of the second reflecting member 142.

발광 다이오드 칩(10)의 상부로 향하는 광은 제1 반사 부재(141)에 의해 일부가 반사되고, 다른 일부는 제1 반사 부재(141)를 통과한다. 이때, 제1 반사 부재(141)를 통과한 광의 일부는 외부로 방출되고, 다른 일부는 제2 반사 부재(142)를 향한다. 제1 반사 부재(141)에서 제2 반사 부재(142)로 향한 광은 제2 반사 부재(142)에 의해서 일부는 반사되고, 다른 일부는 제2 반사 부재(142)를 통과한다. 이때, 제2 반사 부재(142)를 통과한 광의 일부는 외부로 방출되고, 다른 일부는 제3 반사 부재(143)를 향한다. 제2 반사 부재(142)에서 제3 반사 부재(143)로 향한 광은 제3 반사 부재(143)에 의해서 일부는 반사되고, 다른 일부는 제3 반사 부재(143)를 통과한다. 이와 같이, 서로 다른 면적을 갖는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)를 통해서 발광 다이오드 칩(10)의 상부에서 방출되는 광과 발광 다이오드 칩(10)의 측면을 통해서 방출되는 광의 광량을 조절할 수 있다.Light directed to the upper portion of the light emitting diode chip 10 is partially reflected by the first reflection member 141 and the other part is transmitted through the first reflection member 141. At this time, a part of the light having passed through the first reflection member 141 is emitted to the outside, and the other part is directed to the second reflection member 142. The light from the first reflecting member 141 toward the second reflecting member 142 is partially reflected by the second reflecting member 142 while the other portion passes through the second reflecting member 142. [ At this time, a part of the light passing through the second reflection member 142 is emitted to the outside, and the other part is directed to the third reflection member 143. The light from the second reflecting member 142 toward the third reflecting member 143 is partially reflected by the third reflecting member 143 and the other part passes through the third reflecting member 143. [ As described above, light emitted from the upper portion of the light emitting diode chip 10 through the first reflective member 141 to the third reflective member 143 having different areas is emitted through the side surface of the LED chip 10 The amount of light can be adjusted.

또한, 발광 다이오드 칩(10)의 상면에 배치된 반사 부재가 단층이 아니라 점점 면적이 작아지는 다층 구조로 형성되는 경우 각 층의 재질, 두께 등을 이용하여 반사율을 조절함으로써, 좀 더 세밀한 광량 조절이 가능하다.In addition, when the reflective member disposed on the upper surface of the LED chip 10 is formed as a multi-layer structure that does not have a single layer but has a gradually reduced area, the reflectance can be adjusted by using the material and thickness of each layer, This is possible.

본 발명의 실시 예에서는 생략하였지만, 제1 도전형 반도체층(13)과 제1 전극 패드(17) 사이 및 제2 도전형 반도체층(15)과 제2 전극 패드(18) 사이에는 오믹 컨택(Ohmic contact)을 위한 오믹 컨택층이 위치할 수 있다.Although not shown in the embodiment of the present invention, an ohmic contact (not shown) is formed between the first conductivity type semiconductor layer 13 and the first electrode pad 17 and between the second conductivity type semiconductor layer 15 and the second electrode pad 18 An ohmic contact layer for ohmic contact may be located.

도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.4 is an exemplary view illustrating a light emitting diode chip and a reflective member according to a second embodiment.

본 실시 예의 발광 다이오드 칩(20)은 백라이트 유닛(도 1 및 도 2의 100)의 발광 다이오드 칩(도 2의 130)의 다른 실시 예이다. 본 실시 예의 발광 다이오드 칩(20)은 상부와 하부에 각각 하나의 전극이 형성된 수직형 구조이다.The light emitting diode chip 20 of this embodiment is another embodiment of the light emitting diode chip (130 of FIG. 2) of the backlight unit (100 of FIGS. 1 and 2). The light emitting diode chip 20 of this embodiment is a vertical structure in which one electrode is formed on each of the upper and lower sides.

제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩(20)에 대한 설명 시, 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩(도 3의 10)과 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명은 도 3의 설명을 참고하도록 한다.In the description of the light emitting diode chip 20 according to the second embodiment, description of the same components as those of the light emitting diode chip 10 according to the first embodiment (10 in FIG. 3) will be omitted. The omitted description will be referred to the description of FIG.

도 4를 참고하면, 발광 다이오드 칩(20)은 도전성 기판(21), 발광 구조체(12), 제1 전극 패드(17) 및 반사층(22)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the light emitting diode chip 20 may include a conductive substrate 21, a light emitting structure 12, a first electrode pad 17, and a reflective layer 22.

도전성 기판(21)은 발광 구조체(12)를 지지하는 역할 뿐만 아니라 제2 도전형 반도체층(15)과 전기적으로 연결되어 제2 전극 패드의 역할도 할 수 있다.The conductive substrate 21 may serve not only to support the light emitting structure 12 but also to serve as a second electrode pad by being electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 15.

발광 구조체(12)는 도전성 기판(21)의 상부에 위치한다. 발광 구조체(12)는 도전성 기판(21)의 상부에 제2 도전형 반도체층(15), 활성층(14) 및 제1 도전형 반도체층(13)이 차례대로 적층된 구조를 갖는다.The light emitting structure 12 is located on the conductive substrate 21. The light emitting structure 12 has a structure in which the second conductivity type semiconductor layer 15, the active layer 14 and the first conductivity type semiconductor layer 13 are sequentially stacked on the conductive substrate 21.

도전성 기판(21)과 제2 도전형 반도체층(15) 사이에는 활성층(14)에서 생성되어 도전성 기판(21) 방향으로 방출되는 광을 반사시키는 반사층(22)이 형성될 수 있다. 반사층(22)은 도전성 기판(21)과 제2 도전형 반도체층(15)을 전기적으로 연결하도록 도전성 재질로 형성될 수 있다. 이 반사층(22)은 도전성 기판(21)과 제2 도전형 반도체층(15) 사이의 오믹 컨택층의 역할도 수행할 수 있다.A reflective layer 22 may be formed between the conductive substrate 21 and the second conductive type semiconductor layer 15 to reflect light emitted from the active layer 14 toward the conductive substrate 21. The reflective layer 22 may be formed of a conductive material to electrically connect the conductive substrate 21 and the second conductive type semiconductor layer 15. The reflective layer 22 may also serve as an ohmic contact layer between the conductive substrate 21 and the second conductivity type semiconductor layer 15.

제1 도전형 반도체층(13) 상부의 일부에는 제1 전극 패드(17)가 형성된다. 제1 도전형 반도체층(13)과 제1 전극 패드(17) 사이에도 오믹 컨택층이 형성되어 있을 수 있다.A first electrode pad 17 is formed on a portion of the first conductivity type semiconductor layer 13. An ohmic contact layer may also be formed between the first conductivity type semiconductor layer 13 and the first electrode pad 17.

제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 제1 전극 패드(17)가 형성된 부분을 제외한 제1 도전형 반도체층(13) 상부에 형성될 수 있다.The first reflective member 141 to the third reflective member 143 may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 13 except for the portion where the first electrode pad 17 is formed.

제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 DBR로 이루어질 수 있다. 만약, 제1 반사 부재(141)와 제3 반사 부재(143)가 금속으로 형성된다면, 제1 전극 패드(17) 및 제1 도전형 반도체층(13)과의 절연을 위한 절연층이 더 형성되어야 할 것이다. 또는 제1 전극 패드(17)가 생략되고, 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)가 제1 전극 패드(17)의 역할도 수행할 수 있다.The first reflection member 141 to the third reflection member 143 may be DBRs. If the first reflecting member 141 and the third reflecting member 143 are formed of a metal, an insulating layer for insulating the first electrode pad 17 and the first conductive type semiconductor layer 13 is further formed . Or the first electrode pad 17 may be omitted and the first to third reflective members 141 to 143 may also serve as the first electrode pad 17.

이와 같이, 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)에 의해서 발광 다이오드 칩(20)의 상부와 측면에서 방출되는 광량의 제어가 용이하다. 또한, 제1 반사 부재(141) 및 제3 반사 부재(143)가 제1 전극 패드(17)의 역할을 한다면, 제1 전극 패드(17)를 생략할 수도 있다. 따라서, 발광 다이오드 칩(20)의 광이 방출되는 위치 및 광량 제어가 가능하면서도 구조의 단순화가 가능해진다.As described above, it is easy to control the amount of light emitted from the top and side surfaces of the light emitting diode chip 20 by the first reflecting member 141 to the third reflecting member 143. If the first reflective member 141 and the third reflective member 143 serve as the first electrode pad 17, the first electrode pad 17 may be omitted. Therefore, it is possible to control the position and the amount of light emitted from the light emitting diode chip 20, while simplifying the structure.

도 3 및 도 4를 통해서 반사 부재(140)가 수평형 구조 및 수직형 구조의 발광 다이오드 칩에 형성되는 예시를 설명하였다. 그러나 본 발명의 실시 예에 적용되는 발광 다이오드 칩(도 2의 130)의 구조가 도 3 및 도 4로 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드 칩(도 2의 130)은 와이어 본딩 및 플립칩 본딩이 가능한 어떠한 구조의 발광 다이오드 칩도 가능하다. 또한, 반사 부재(140)도 발광 다이오드 칩(130) 중 광량 제어가 필요한 어떠한 부분에도 형성될 수 있다.3 and 4, an example in which the reflective member 140 is formed on the light emitting diode chip having the horizontal structure and the vertical structure has been described. However, the structure of the light emitting diode chip 130 (FIG. 2) applied to the embodiment of the present invention is not limited to FIG. 3 and FIG. The light emitting diode chip (130 in FIG. 2) can be a light emitting diode chip having any structure capable of wire bonding and flip chip bonding. Also, the reflective member 140 may be formed in any portion of the light emitting diode chip 130 where light amount control is required.

또한, 반사 부재(140)가 적용된 다양한 구조의 발광 다이오드 칩(도 2의 130)은 이후 백라이트 유닛의 다른 실시 예에서도 적용될 수 있다.Further, the light emitting diode chip (130 in FIG. 2) of various structures to which the reflecting member 140 is applied can be applied to other embodiments of the backlight unit thereafter.

도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.5 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a second embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면, 제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛(200)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140), 파장 변환 부재(210) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.5, the backlight unit 200 according to the second embodiment includes a light guide plate 110, a circuit board 120, a light emitting diode chip 130, a reflective member 140, a wavelength conversion member 210, Member (150).

제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛(200)의 구성부 중 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140) 및 밀봉 부재(150)에 대한 설명은 이전 실시 예들을 통해서 이미 설명하였다. 따라서, 본 실시 예를 포함한 이후 실시 예에 대한 설명에서 이전에 설명된 중복된 부분은 생략하도록 한다.The description of the circuit board 120, the LED chip 130, the reflection member 140 and the sealing member 150 in the constituent parts of the backlight unit 200 according to the second embodiment has already been explained Respectively. Therefore, the overlapping portions described previously in the description of the embodiment to be later including the present embodiment are omitted.

본 실시 예의 백라이트 유닛(200)은 발광 다이오드 칩(130) 및 반사 부재(140)를 둘러싸는 파장 변환 부재(210)를 포함한다. 밀봉 부재(150)는 파장 변환 부재(210)를 둘러싸도록 도광판(110)의 개구부(111)에 채워진다.The backlight unit 200 of this embodiment includes a light emitting diode chip 130 and a wavelength converting member 210 surrounding the reflecting member 140. The sealing member 150 is filled in the opening 111 of the light guide plate 110 so as to surround the wavelength converting member 210. [

파장 변환 부재(210)는 발광 다이오드 칩(130)에서 방출하는 광의 파장을 변환하여, 백색광 또는 특정 색의 광이 방출되도록 한다.The wavelength conversion member 210 converts the wavelength of light emitted from the LED chip 130 to emit white light or light of a specific color.

파장 변환 부재(210)는 투명 수지에 광의 파장을 변환시키는 형광체가 혼합된 것일 수 있다. 예를 들어, 투명 수지는 투명 실리콘(Silicone)일 수 있다. 형광체로는 황색 형광체, 적색 형광체, 녹색 형광체 등이 사용될 수 있다. The wavelength conversion member 210 may be a mixture of phosphors for converting the wavelength of light into a transparent resin. For example, the transparent resin may be a transparent silicone (Silicone). As the fluorescent material, a yellow fluorescent material, a red fluorescent material, a green fluorescent material, or the like can be used.

황색 형광체의 예로는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체나 실리케이트(silicate)계열의 형광체를 들 수 있다.Examples of the yellow phosphor include a YAG: Ce (T3Al5O12: Ce) -based phosphor or a silicate-based phosphor which is yttrium (Y) aluminum (Al) garnet doped with cerium (Ce) .

적색(R) 형광체의 예로는 611nm 파장을 주파장으로 하는 산화이트륨(Y2O3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y2O3:EU)계열의 형광체 또는 나이크라이드 형광체를 들 수 있다.Examples of the red (R) phosphors include YOX (Y2O3: EU) phosphors or Naclid phosphors composed of compounds of yttria (Y2O3) and europium (EU) having a main wavelength of 611 nm.

녹색(G) 형광체의 예로는 544nm 파장을 주파장으로 하는 인산(Po4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPo4:Ce,Tb)계열의 형광체를 들 수 있다. Examples of the green (G) phosphors include phosphors based on phosphorus (Po4) and lanthanum (La) and terbium (Tb), which have a main wavelength of 544 nm, and LAP (LaPo4: Ce, Tb).

청색(B) 형광체의 예로는 450nm 파장을 주파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM (BaMgAl10O17:EU)계열의 형광체를 들 수 있다.Examples of the blue (B) phosphors include phosphors of BAM (BaMgAl10O17: EU) series which is a compound of barium Ba, magnesium Mg and aluminum oxide based materials having a main wavelength of 450 nm and europium (EU) .

또한, 형광체는 고색재현에 유리한 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 KSF 형광체(K2SiF6)를 포함할 수 있다.Further, the phosphor may include a fluoride compound KSF phosphor (K2SiF6) which is an Mn4 + activator phosphor favorable for high color reproduction.

이와 같이, 발광 다이오드 칩(130)과 반사 부재(140)를 둘러싸는 파장 변환 부재(210)에 의해서 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출되는 광과 반사 부재(140)를 통과하는 광의 파장을 모두 변환할 수 있다.The wavelength converting member 210 surrounding the light emitting diode chip 130 and the reflecting member 140 can reflect the light emitted from the side surface of the light emitting diode chip 130 and the light passing through the reflecting member 140 All can be converted.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.6 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a third embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 제3 실시 예에 따른 백라이트 유닛(300)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140), 파장 변환 부재(210)를 포함한다.6, the backlight unit 300 according to the third embodiment includes a light guide plate 110, a circuit board 120, a light emitting diode chip 130, a reflective member 140, and a wavelength conversion member 210 do.

본 실시 예에서 파장 변환 부재(210)는 광의 파장을 변환하면서 동시에 발광 다이오드 칩(130)을 보호하는 밀봉 부재의 역할도 수행한다. 파장 변환 부재(210)는 밀봉 부재 역할을 하는 투명 수지에 광의 파장을 변환하는 형광체를 함유한 것이다.In this embodiment, the wavelength conversion member 210 also functions as a sealing member for protecting the light emitting diode chip 130 while changing the wavelength of light. The wavelength converting member 210 contains a fluorescent material that converts the wavelength of light into a transparent resin serving as a sealing member.

이와 같이 백라이트 유닛(300)은 밀봉 부재의 생략이 가능하므로, 구조가 단순화되며, 비용 절감이 가능하다.Since the sealing member can be omitted in the backlight unit 300, the structure is simplified and the cost can be reduced.

도 7은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.7 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7을 참고하면, 제4 실시 예에 따른 백라이트 유닛(400)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140), 파장 변환 부재(210) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.7, the backlight unit 400 according to the fourth embodiment includes a light guide plate 110, a circuit board 120, a light emitting diode chip 130, a reflective member 140, a wavelength conversion member 210, Member (150).

본 실시 예의 백라이트 유닛(400)은 발광 다이오드 칩(130)을 둘러싸는 파장 변환 부재(210)를 포함한다. The backlight unit 400 of the present embodiment includes the wavelength conversion member 210 surrounding the LED chip 130.

본 실시 예에서 파장 변환 부재(210)는 발광 다이오드 칩(130)의 측면 및 상면을 둘러싸도록 형성된다. 이때, 반사 부재(140)의 맨 아래층은 파장 변환 부재(210)의 상면 전체를 덮도록 형성될 수 있다.In this embodiment, the wavelength conversion member 210 is formed so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode chip 130. At this time, the bottom layer of the reflective member 140 may be formed to cover the entire upper surface of the wavelength conversion member 210.

발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광은 파장 변환되어 도광판(110)을 향하게 된다. 또한, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광은 파장 변환되어 반사 부재(140)로 향하게 된다. 즉, 반사 부재(140)에 의해서 반사되는 광은 이미 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 파장 변환이 이루어졌기 때문에, 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 파장 변환될 필요가 없다. 따라서, 발광 다이오드 칩(130)의 측면 부분에 위치한 파장 변환 부재(210)가 반사 부재(140)에 의해 반사된 광을 고려하지 않아도 되므로, 형광체 함유량을 늘리거나 더 두껍게 형성될 필요가 없다. 즉, 파장 변환 부재(210)는 발광 다이오드 칩(130)의 상부 및 측면에서 방출되는 광만을 고려하여 상부 두께 및 측면 두께를 조절하여도 전체적으로 균일한 광 파장 변환이 가능하다.The light emitted from the side surface of the light emitting diode chip 130 is wavelength-converted and directed to the light guide plate 110. The light emitted from the upper surface of the LED chip 130 is wavelength-converted and directed to the reflective member 140. That is, since the light reflected by the reflective member 140 has already been wavelength-converted on the upper surface of the light emitting diode chip 130, it is not necessary to perform wavelength conversion on the side surface of the light emitting diode chip 130. Therefore, since the wavelength converting member 210 located on the side surface of the LED chip 130 does not need to consider the light reflected by the reflecting member 140, it is not necessary to increase the phosphor content or to form a thicker layer. That is, the wavelength conversion member 210 can uniformly perform optical wavelength conversion even if the top and side thicknesses are adjusted in consideration of only the light emitted from the top and side surfaces of the LED chip 130.

도 8은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.8 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fifth embodiment of the present invention.

도 8을 참고하면, 제5 실시 예에 따른 백라이트 유닛(500)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(510) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.8, the backlight unit 500 according to the fifth embodiment includes a light guide plate 110, a circuit board 120, a light emitting diode chip 130, a reflective member 510, and a sealing member 150 .

본 실시 예에 따르면, 반사 부재(510)는 투광성 수지에 반사 물질(511)을 함유하는 것일 수 있다. 반사 부재(510)를 이루는 투광성 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지 등과 같이 이미 공지된 재질일 수 있다. 또는 반사 부재(510)를 구성하는 투광성 수지는 광이 도광판(110)의 계면에서 굴절률 차이로 반사되는 것을 최소화하기 위해서, 도광판(110)과 유사한 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 부재(510)의 투광성 수지는 도광판(110)과의 굴절률 차이가 10% 이하인 실리콘 수지일 수 있다.According to the present embodiment, the reflecting member 510 may be one containing a reflecting material 511 in the light-transmitting resin. The light transmitting resin constituting the reflecting member 510 may be a known material such as a silicone resin, an epoxy resin or the like. The light transmitting resin constituting the reflective member 510 may be formed of a material having a refractive index similar to that of the light guide plate 110 in order to minimize the reflection of light at the interface of the light guide plate 110 with a difference in refractive index. For example, the light-transmissive resin of the reflective member 510 may be a silicone resin having a refractive index difference with respect to the light guide plate 110 of 10% or less.

밀봉 부재(150)는 발광 다이오드 칩(130)의 측면과 도광판(110)의 내벽 사이에만 채워져 있다. 이때, 밀봉 부재(150)의 상면은 발광 다이오드 칩(130)의 상면과 동일선상에 위치한다.The sealing member 150 is filled only between the side surface of the light emitting diode chip 130 and the inner wall of the light guide plate 110. At this time, the upper surface of the sealing member 150 is positioned on the same line as the upper surface of the light emitting diode chip 130.

반사 부재(510)는 발광 다이오드 칩(130)의 상면과 밀봉 부재(150) 상면에 위치하며, 도광판(110)의 개구부(111)를 채우도록 형성된다. 따라서, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광이 투광성 수지를 통과하다 반사 물질(511)에 의해 반사되어, 도광판(110)의 내벽에 입사될 수 있다.The reflective member 510 is positioned on the upper surface of the light emitting diode chip 130 and the upper surface of the sealing member 150 and is formed to fill the opening 111 of the light guide plate 110. Accordingly, the light emitted from the upper surface of the LED chip 130 passes through the light-transmitting resin, is reflected by the reflective material 511, and can be incident on the inner wall of the light guide plate 110.

밀봉 부재(150)의 상면이 발광 다이오드 칩(130)의 상면과 동일선상에 위치하도록 형성되지만, 본 실시 예의 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 반사 부재(510)가 발광 다이오드 칩(130)의 상부에만 위치하도록 형성될 수 있다. 그리고 밀봉 부재(150)가 발광 다이오드 칩(130)의 측면 및 반사 부재(510)의 측면과 도광판(110) 사이를 채우도록 형성되는 것도 가능하다. 또한, 밀봉 부재(150)와 반사 부재(510)는 광의 파장 변환을 위한 형광체를 더 함유하는 것도 가능하다.The upper surface of the sealing member 150 is formed so as to be located on the same line as the upper surface of the LED chip 130, but the structure of the present embodiment is not limited thereto. For example, the reflective member 510 may be formed to be located only on the upper portion of the light emitting diode chip 130. It is also possible that the sealing member 150 is formed to fill the space between the side surface of the light emitting diode chip 130 and the side surface of the reflective member 510 and the light guide plate 110. The sealing member 150 and the reflecting member 510 may further contain a phosphor for wavelength conversion of light.

본 실시 예의 반사 부재(510)는 반사 물질(511) 함유량을 조절함으로써, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출되거나 측면으로 반사시키는 광량을 제어할 수 있다. 즉, 본 실시 예의 백라이트 유닛(500)은 반사 부재(510)의 반사 물질(511)의 함유량을 조절만으로도 도광판(110)의 상면을 통해 방출되는 광과 도광판(110)의 개구부(111)를 통해서 방출되는 광의 광량 제어가 용이하다.The reflective member 510 of this embodiment can control the amount of light emitted from the upper surface of the LED chip 130 or reflected to the side surface by adjusting the content of the reflective material 511. In other words, the backlight unit 500 of the present embodiment can adjust the amount of the reflective material 511 of the reflective member 510 to transmit the light emitted through the upper surface of the light guide plate 110 and the opening 111 of the light guide plate 110 It is easy to control the light amount of emitted light.

도 9는 본 발명의 제6 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.9 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a sixth embodiment of the present invention.

도 9를 참고하면, 제6 실시 예에 따른 백라이트 유닛(600)은 도광판(610), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(510) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.9, the backlight unit 600 according to the sixth embodiment includes a light guide plate 610, a circuit board 120, a light emitting diode chip 130, a reflective member 510, and a sealing member 150 .

본 실시 예에 따르면, 도광판(610)의 개구부(611)는 하부에서 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조로 형성되어 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 도광판(610)의 개구부(611)의 내벽이 하부에서 상부로 갈수록 발광 다이오드 칩(130) 방향으로 기울어진다. 이와 같이, 도광판(610)의 내벽이 기울어지게 형성되므로, 도광판(610)의 내벽의 면적이 증가한다. 즉, 광이 입사하는 입사면의 면적이 커진다. 따라서, 도광판(610)의 입사 면적이 증가하므로, 도광판(610)의 광의 입사 효율이 향상된다. According to the present embodiment, the opening 611 of the light guide plate 610 is formed to have a narrower width from the lower portion to the upper portion. That is, as shown in FIG. 9, the inner wall of the opening 611 of the light guide plate 610 is inclined toward the light emitting diode chip 130 as it goes from the lower part to the upper part. Since the inner wall of the light guide plate 610 is inclined in this manner, the area of the inner wall of the light guide plate 610 increases. That is, the area of the incident surface on which the light is incident becomes large. Accordingly, since the incidence area of the light guide plate 610 is increased, the incidence efficiency of light of the light guide plate 610 is improved.

본 실시 예에 따르면, 도광판(610)의 광의 입사 효율 향상으로, 백라이트 유닛(600)의 광 이용 효율이 향상될 수 있다.According to the present embodiment, the light utilization efficiency of the backlight unit 600 can be improved by improving the incidence efficiency of light of the light guide plate 610. [

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참고한 실시 예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 실시 예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가 개념으로 이해되어야 할 것이다.Although the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It should be understood that the scope of the present invention is to be understood as the scope of the following claims and their equivalents.

11: 기판
12: 발광 구조체
13: 제1 도전형 반도체층
14: 활성층
15: 제2 도전형 반도체층
16: 투명 전극층
17: 제1 전극 패드
18: 제2 전극 패드
19, 22: 반사층
21: 도전성 기판
100, 200, 300, 400, 500, 600: 백라이트 유닛
110, 610: 도광판
111, 611: 개구부
120: 회로 기판(
10, 20, 130: 발광 다이오드 칩
140, 510: 반사 부재
141: 제1 반사 부재
142: 제2 반사 부재
143: 제3 반사 부재
150: 밀봉 부재
210: 파장 변환 부재
511: 반사 물질11: substrate
12: light emitting structure
13: First conductive type semiconductor layer
14:
15: a second conductivity type semiconductor layer
16: transparent electrode layer
17: first electrode pad
18: second electrode pad
19, 22: Reflective layer
21: conductive substrate
100, 200, 300, 400, 500, 600: Backlight unit
110, 610: light guide plate
111, 611:
120: circuit board (
10, 20, 130: light emitting diode chip
140, 510: reflective member
141: first reflection member
142: a second reflection member
143: third reflection member
150: sealing member
210: wavelength conversion member
511: Reflective material

Claims (18)

상부면에서 하부면까지 관통하는 적어도 하나의 개구부가 형성된 도광판;
상기 도광판 하부에 배치된 회로 기판;
상기 회로 기판에 실장되어 상기 도광판의 상기 개구부에 배치되는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩의 상면에 형성되는 반사 부재; 및
상기 발광 다이오드 칩의 적어도 측면과 상기 도광판의 상기 개구부의 내벽 사이에 위치하는 밀봉 부재;
를 포함하며,
상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 상기 도광판의 입사면인 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시키고,
상기 도광판의 상면에서 방출되는 광과 상기 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상인 백라이트 유닛.
A light guide plate having at least one opening portion passing from an upper surface to a lower surface;
A circuit board disposed below the light guide plate;
A light emitting diode chip mounted on the circuit board and disposed in the opening of the light guide plate;
A reflective member formed on an upper surface of the light emitting diode chip; And
A sealing member positioned between at least a side surface of the light emitting diode chip and an inner wall of the opening portion of the light guide plate;
/ RTI >
Wherein the reflective member reflects a part of the light emitted from the upper surface of the LED chip so as to face the inner wall of the opening, which is the incident surface of the light guide plate,
Wherein the uniformity of the light emitted from the upper surface of the light guide plate and the light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate is 90% or more.
청구항 1에 있어서,
상기 반사 부재는 서로 다른 면적을 갖는 복수의 반사 부재로 구성되며,
상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 멀어질수록 면적이 작은 반사 부재가 위치하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective member is composed of a plurality of reflective members having different areas,
And a reflective member having a smaller area as the distance from the upper surface of the LED chip is larger.
청구항 1에 있어서,
상기 반사 부재는 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 이루어진 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective member is a DBR (Distributed Bragg Reflector).
청구항 3에 있어서,
상기 반사 부재는 SiO2, TiO2, SiN, TiN 중 적어도 하나로 이루어진 백라이트 유닛.
The method of claim 3,
Wherein the reflective member is made of at least one of SiO2, TiO2, SiN, and TiN.
청구항 2에 있어서,
상기 반사 부재는 금속으로 이루어진 백라이트 유닛.
The method of claim 2,
Wherein the reflective member is made of metal.
청구항 5에 있어서,
상기 반사 부재는 Al 및 Ag 중 적어도 하나로 이루어진 백라이트 유닛.
The method of claim 5,
Wherein the reflective member is made of at least one of Al and Ag.
청구항 2에 있어서,
상기 복수의 반사 부재 중 적어도 하나의 반사 부재는 다른 반사 부재와 상이한 재질로 이루어진 백라이트 유닛.
The method of claim 2,
Wherein at least one of the plurality of reflective members is made of a material different from that of the other reflective members.
청구항 2에 있어서,
상기 복수의 반사 부재 중 적어도 하나의 반사 부재는 다른 반사 부재와 상이한 두께를 갖는 백라이트 유닛.
The method of claim 2,
Wherein at least one of the plurality of reflective members has a thickness different from that of the other reflective member.
청구항 1에 있어서,
상기 밀봉 부재는 상기 도광판과 굴절률 차이가 10% 이하인 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the sealing member has a refractive index difference of 10% or less with respect to the light guide plate.
청구항 1에 있어서,
상기 밀봉 부재는 형광체를 더 함유하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the sealing member further comprises a phosphor.
청구항 1에 있어서,
상기 반사 부재는 반사 물질을 함유한 투광성 수지인 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective member is a translucent resin containing a reflective material.
청구항 11에 있어서,
상기 밀봉 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 도광판의 개구부의 내벽 사이를 채우고,
상기 반사 부재는 상기 도광판의 개구부에서 상기 발광 다이오드 칩의 상부 및 상기 밀봉 부재의 상부를 채우는 백라이트 유닛.
The method of claim 11,
The sealing member fills the space between the side surface of the light emitting diode chip and the inner wall of the opening of the light guide plate,
Wherein the reflective member fills an upper portion of the light emitting diode chip and an upper portion of the sealing member at an opening of the light guide plate.
청구항 12에 있어서,
상기 반사 부재는 형광체를 더 함유하는 백라이트 유닛.
The method of claim 12,
Wherein the reflective member further comprises a phosphor.
청구항 11에 있어서,
상기 반사 부재의 상기 투광성 수지는 상기 도광판과 굴절률 차이가 10% 이하인 백라이트 유닛.
The method of claim 11,
Wherein the light transmitting resin of the reflective member has a refractive index difference of 10% or less with respect to the light guide plate.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩의 측면 및 상면을 둘러싸도록 형성된 파장 변환 부재를 더 포함하며,
상기 반사 부재는 상기 파장 변환 부재 상부에 위치하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Further comprising a wavelength conversion member formed so as to surround the side surface and the upper surface of the light emitting diode chip,
And the reflective member is located on the wavelength converting member.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 칩의 측면, 상기 반사 부재의 측면 및 상기 반사 부재의 상면을 둘러싸도록 형성된 파장 변환 부재를 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Further comprising a wavelength conversion member formed to surround the side surface of the light emitting diode chip, the side surface of the reflecting member, and the top surface of the reflecting member.
청구항 1에 있어서,
상기 도광판의 상기 입사면은 상기 개구부가 하부에서 상부로 갈수록 폭이 좁아지도록 기울기를 갖는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the incidence surface of the light guide plate has a slope such that the width becomes narrower from the bottom toward the top.
청구항 1에 있어서,
상기 도광판의 상면은 상기 반사 부재의 상면과 동일선상에 위치하거나 더 높게 위치하는 백라이트 유닛The method according to claim 1,
The upper surface of the light guide plate is positioned on the same line as the upper surface of the reflective member,
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