KR102426861B1 - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
실시 예는 광 방출면을 용이하게 조절할 수 있는 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체를 감싸며 서로 분리된 제 1, 제 2 리드 프레임; 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 연결되도록 상기 몸체 상부에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자를 감싸는 파장 변환층; 상기 파장 변환층의 양 측면을 덮도록 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 상에 각각 배치된 제 1 광 투과층과 제 2 광 투과층; 및 상기 파장 변환층의 나머지 양 측면을 덮도록 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 상에 배치된 제 1 광 차단층과 제 2 광 차단층을 포함한다.The embodiment relates to a light emitting device package capable of easily adjusting a light emitting surface, the light emitting device package of the embodiment of the present invention includes a body; first and second lead frames wrapped around the body and separated from each other; a light emitting device disposed on the body to be electrically connected to the first and second lead frames; a wavelength conversion layer surrounding the light emitting device; a first light transmitting layer and a second light transmitting layer respectively disposed on the first and second lead frames to cover both sides of the wavelength conversion layer; and a first light blocking layer and a second light blocking layer disposed on the first and second lead frames so as to cover the remaining both sides of the wavelength conversion layer.
Description
본 발명 실시 예는 광 방출면이 조절된 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a light emitting device package in which a light emission surface is controlled.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다. A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when an electric current is applied thereto. Light-emitting diodes can emit high-efficiency light with low voltage, and thus have excellent energy-saving effects. Recently, the luminance problem of light emitting diodes has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit of a liquid crystal display device, an electric signboard, a display device, and a home appliance.
발광 다이오드는 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층으로 구성된 발광 구조물의 일 측에 제 1 전극과 제 2 전극이 배치된 구조일 수 있다. 그런데, 발광 다이오드의 제 1, 제 2 전극이 와이어(wire)를 통해 제 1, 제 2 리드 프레임에 각각 연결된 수평형(lateral) 구조의 발광 소자를 백라이트 유닛의 광원으로 사용하는 경우, 와이어에 의해 백라이트 유닛의 소형화가 어려우며, 방열에도 취약하다.The light emitting diode may have a structure in which the first electrode and the second electrode are disposed on one side of the light emitting structure including the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer. However, when a light emitting device having a lateral structure in which the first and second electrodes of the light emitting diode are respectively connected to the first and second lead frames through a wire is used as a light source of the backlight unit, the It is difficult to downsize the backlight unit, and it is also vulnerable to heat dissipation.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광 방출면을 용이하게 조절할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a light emitting device package capable of easily adjusting a light emitting surface.
본 발명의 실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체를 감싸며 서로 분리된 제 1, 제 2 리드 프레임; 상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 연결되도록 상기 몸체 상부에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자를 감싸는 파장 변환층; 상기 파장 변환층의 양 측면을 덮도록 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 상에 각각 배치된 제 1 광 투과층과 제 2 광 투과층; 및 상기 파장 변환층의 나머지 양 측면을 덮도록 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 상에 배치된 제 1 광 차단층과 제 2 광 차단층을 포함한다.The light emitting device package of an embodiment of the present invention includes a body; first and second lead frames wrapped around the body and separated from each other; a light emitting device disposed on the body to be electrically connected to the first and second lead frames; a wavelength conversion layer surrounding the light emitting device; a first light transmitting layer and a second light transmitting layer respectively disposed on the first and second lead frames to cover both sides of the wavelength conversion layer; and a first light blocking layer and a second light blocking layer disposed on the first and second lead frames to cover the other side surfaces of the wavelength conversion layer.
본 발명의 발광 소자 패키지는 파장 변환층을 감싸도록 광 차단부 및 광 투과부를 배치하여, 발광 소자에서 발생하는 광이 파장 변환층의 상부면 및 양 측면을 통해 방출되어 지향각을 증가시킬 수 있다. In the light emitting device package of the present invention, the light blocking unit and the light transmitting unit are disposed to surround the wavelength converting layer, so that light generated from the light emitting device is emitted through the upper surface and both sides of the wavelength converting layer to increase the beam angle. .
특히, 파장 변환 입자로 수분에 취약한 KSF(K2SiF6) 형광체를 사용하더라도, 파장 변환층의 측면을 완전히 감싸 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.In particular, even when a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor, which is vulnerable to moisture, is used as the wavelength conversion particle, the reliability of the light emitting device package may be improved by completely enclosing the side of the wavelength conversion layer.
도 1a는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 분해 사시도이다.
도 1b는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 제 1, 제 2 리드 프레임과 발광 소자의 연결 부분을 도시한 평면도이다.
도 3a는 도 1b의 A 방향의 평면도이다.
도 3b는 도 1b의 B 방향의 측면도이다.
도 3c는 도 1b의 C 방향의 측면도이다.
도 4는 도 1b의 광 차단층 및 광 투과층을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 6a는 도 5의 A 방향의 평면도이다.
도 6b는 도 5의 B 방향의 측면도이다.
도 6c는 도 5의 C 방향의 측면도이다.
도 7은 본 발명 발광 소자 패키지와 도광판의 배치를 도시한 평면도이다.1A is an exploded perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
1B is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating a connection portion between first and second lead frames and a light emitting device.
FIG. 3A is a plan view in the direction A of FIG. 1B .
FIG. 3B is a side view in the direction B of FIG. 1B .
Fig. 3C is a side view in the direction C of Fig. 1B;
4 is a plan view illustrating a light blocking layer and a light transmitting layer of FIG. 1B.
5 is a perspective view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6A is a plan view in the direction A of FIG. 5 .
FIG. 6B is a side view in the direction B of FIG. 5 .
6C is a side view in the direction C of FIG. 5 .
7 is a plan view illustrating the arrangement of the light emitting device package and the light guide plate of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Since the present invention may have various changes and may have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including an ordinal number, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it is understood that the other component may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예의 발광 소자 패키지를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the light emitting device package of the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
* 제 1 실시 예 ** First embodiment *
도 1a는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 분해 사시도이며, 도 1b는 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다.1A is an exploded perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 1a 및 도 1b와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체(100), 몸체(100)을 감싸며 서로 분리된 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b), 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)과 접속된 발광 소자(120), 발광 소자(120)를 감싸는 파장 변환층(130), 파장 변환층(130)의 양 측면을 덮도록 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b) 상에 각각 배치된 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b), 파장 변환층(130)의 나머지 양 측면을 덮도록 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b) 상에 배치된 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)을 포함한다.1A and 1B, the light emitting device package of the embodiment of the present invention includes a
구체적으로, 몸체(100)는 수지 계열의 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몸체(100)는 실리콘, 또는 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 또한, 몸체(100) 내에는 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 등이 선택적으로 더 첨가될 수 있다.Specifically, the
몸체(100)는 발광 소자에서 방출되는 광을 후술할 렌즈 방향으로 반사시키기 위해 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몸체(100)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 TiO2, SiO2, Al2O3 등과 같은 금속 산화물이 첨가된 구조일 수 있다. 또한, 몸체(100)의 표면에 반사 물질(미도시)이 코팅된 구조일 수도 있다. 몸체(100)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)은 서로 극성이 상이한 것으로, 발광 소자(120)의 제 1, 제 2 전극과 전기적으로 접속될 수 있다.The first and
도 2는 제 1, 제 2 리드 프레임과 발광 소자의 연결 부분을 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a connection portion between first and second lead frames and a light emitting device.
도 2와 같이, 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)은 몸체(100)의 상부면에서 서로 분리될 수 있으며, 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)은 서로 다른 제 1, 제 2 폭(W1, W2)을 가져, 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 제 1 폭(W1)은 몸체(100)의 폭(W3)과 동일하다. 그리고, 발광 소자(120)의 제 1, 제 2 전극(120a, 120b)과 접속되는 부분의 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 제 2 폭(W2)은 제 1 폭(W1)보다 좁고, 제 2 폭(W2)과 발광 소자(120)의 제 1, 제 2 전극(120a, 120b)의 폭(W4)이 동일하다.As shown in Figure 2, the first and second lead frames (110a, 110b) may be separated from each other on the upper surface of the
파장 변환층(130)은 발광 소자(100)에서 방출된 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환층(130)은 형광체, QD(Quantum Dot) 등과 같은 파장 변환 입자가 수지 물질에 분산된 구조이다. 이하에서는 파장 변환 입자를 형광체로 설명한다.The
형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광 물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 제한되지 않는다.The phosphor may include any one of YAG-based, TAG-based, Silicate-based, Sulfide-based, and Nitride-based phosphors, but embodiments are not limited to the type of phosphor.
YAG 및 TAG계 형광 물질은 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택될 수 있으며, Silicate계 형광 물질은 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:(Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다. 또한, Sulfide계 형광 물질은 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중 선택 가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16일 수 있다. 이 때, M은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3을 만족하는 형광체 성분 중에서 선택될 수 있다. 적색 형광체는 N(예, CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체거나 KSF(K2SiF6) 형광체일 수 있다.YAG and TAG-based fluorescent materials may be selected from (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12 :Ce, and Silicate The fluorescent material may be selected from (Sr, Ba, Ca, Mg) 2 SiO 4 :(Eu, F, Cl). In addition, the Sulfide-based fluorescent material can be selected from (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga) 2 S 4 :Eu, and the Nitride-based fluorescent material is (Sr, Ca, Si, Al , O)N:Eu (eg, CaAlSiN 4 :Eu β-SiAlON:Eu) or Ca-α SiAlON:Eu (Ca x ,M y )(Si,Al) 12 (O,N) 16 . In this case, M is at least one of Eu, Tb, Yb, and Er, and may be selected from phosphor components satisfying 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3. The red phosphor may be a nitride-based phosphor including N (eg, CaAlSiN 3 :Eu) or a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor.
특히, KSF(K2SiF6) 형광체는 7㎚의 좁은 반치폭을 가지며 청색 광의 파장대인 450㎚ 내지 455㎚에서 높은 여기 효율을 갖는다. 따라서, 이를 파장 변환 입자로 이용하는 경우, 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 색 재현율을 향상시킬 수 있다.In particular, the KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor has a narrow half maximum width of 7 nm and high excitation efficiency in the wavelength band of blue light, 450 nm to 455 nm. Therefore, when the wavelength conversion particles are used, the color reproducibility of light emitted from the light emitting device package can be improved.
이하, 단면도를 참조하여 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to a cross-sectional view.
도 3a는 도 1b의 A 방향의 평면도이다. 그리고, 도 3b는 도 1b의 B 방향의 측면도이며, 도 3c는 도 1b의 C 방향의 측면도이며, 도 4는 도 1b의 광 차단층 및 광 투과층을 도시한 평면도이다.FIG. 3A is a plan view in the direction A of FIG. 1B . And, FIG. 3B is a side view in the B direction of FIG. 1B , FIG. 3C is a side view in the C direction of FIG. 1B , and FIG. 4 is a plan view illustrating the light blocking layer and the light transmitting layer of FIG. 1B .
도 3a, 도 3b 및 도 3c와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 발광 소자(120)를 감싸는 파장 변환층(130)의 네 측면을 광 투과층(140) 및 광 차단층(150)이 선택적으로 덮어, 파장 변환층(130)은 상부면만 노출될 수 있다.3a, 3b and 3c, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes a
광 투과층(140)은 제 1 리드 프레임(110a) 상에 형성된 제 1 광 투과층(140a) 및 제 2 리드 프레임(110a, 110b) 상에 형성된 제 2 광 투과층(140b)을 포함한다. 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 몸체(100)의 길이 방향을 따라 서로 이격될 수 있다. 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 이격된 영역에서 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 분리 영역이 노출되고, 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)과 전기적으로 연결되도록 발광 소자(120)가 배치될 수 있다.The
제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 이격된 영역에는 발광 소자(120)를 덮는 파장 변환층(130)이 더 배치되며, 파장 변환층(130)의 양 측면은 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)과 중첩된다.A
이 때, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 발광 소자(120)에서 발생된 광이 파장 변환층(130)을 통해 변환된 백색광을 외부로 방출시키도록 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 발광 소자(120)의 동작에 의해 발생하는 발열에 의해 뒤틀리거나 손상되는 것을 방지하기 위해 열적 특성이 우수하며 변색에 우수한 물질로 형성될 수 있다.In this case, the first and second
이를 위해, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 실리콘, 에폭시 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 특히, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 파장 변환층(130)에서 방출되는 광이 전반사되지 않도록, 파장 변환층(130)의 수지 물질과 굴절률이 유사하거나 수지 물질보다 굴절률이 큰 물질에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 파장 변환층(130)의 수지 물질이 굴절률이 1.5인 실리콘인 경우, 제 1 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 굴절률이 1.5이상인 물질로 이루어질 수 있다.To this end, the first and second
광 차단층(150)은 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)을 포함하며, 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)은 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)과 모두 중첩된다. 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)은 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)과 중첩되지 않는 파장 변환층(130)의 나머지 양 측면과 중첩된다.The
광 차단층(150)은 발광 소자(120)에서 발생한 광이 파장 변환층(130)의 상부면 및 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)을 통해서만 방출되도록 불투명한 물질로 이루어질 수 있다. 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)은 투명한 실리콘 또는 에폭시에 TiO2, SiO2 등이 분산된 구조일 수 있다.The
또한, 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)은 블랙 에폭시몰딩컴파운드(black EMC) 등과 같은 차광성을 갖는 열 경화성 수지로 이루어지거나, 폴리부틸렌레테프탈레이트(PBT), 폴리 시크로헥실디메틸렌테레프탈레이트(PCT), 폴리프탈아미드(PPA) 등과 같은 열 가소성 수지로 이루어질 수 있다. 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 물질은 이에 한정하지 아니한다.In addition, the first and second
즉, 파장 변환층(130)의 네 측면 중 두 측면은 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)에 의해 감싸지며, 나머지 두 측면은 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)에 의해 감싸진다. 이 때, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 서로 마주보며, 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b) 역시 서로 마주보는 구조이다.That is, two of the four sides of the
그리고, 파장 변환층(130)의 양 측에 각각 배치된 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 네 측면 중, 제 1 측면은 파장 변환층(130) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)과 접한다. 그리고, 제 1 측면을 제외한 나머지 세 측면이 노출된다.In addition, the first and second
따라서, 도 4와 같이, 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b) 상에 측면이 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b) 및 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)으로 이루어지며, 바닥면이 몸체(100) 및 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 상부면으로 이루어진 캐비티(100a)가 형성되고, 캐비티(100a) 내에 파장 변환층(130)이 채워질 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 4 , the side surfaces of the first and second
이에 따라, 파장 변환층(130)의 네 측면이 모두 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b) 및 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)에 의해 감싸져, 파장 변환층(130)의 파장 변환 입자로 수분에 취약한 KSF(K2SiF6) 형광체를 사용하더라도, 파장 변환층(130)의 측면을 완전히 감싸 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, all four sides of the
다시, 도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 발광 소자(120)에서 발생한 광은 파장 변환층(130)을 통해 발광 소자 패키지의 상부로 바로 방출되거나, 파장 변환층(130) 및 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)을 통해 발광 소자 패키지의 양 측면으로 방출될 수 있다. 이에 따라, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 140° 내지 160°의 지향각을 가져, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지를 백라이트 유닛의 광원으로 이용할 때, 광원의 개수를 감소시킬 수 있다.Again, referring to FIGS. 3A, 3B and 3C , the light generated from the
한편, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)은 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 가장자리 일부를 노출시킬 수 있다. 이는, 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b) 상에 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)을 형성할 영역을 감싸는 몰드를 배치시킨 후, 광 투과층(140)을 형성할 영역에 물질을 채우고 이를 경화시켜 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)을 형성하기 때문이다. 그런데, 광 투과층(140)에 의해 노출된 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 가장자리의 간격(d)이 너무 좁은 경우, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b) 물질이 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 가장자리로 흐를 수 있다. 따라서, 간격(d)은 150㎛ 내지 250㎛일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.Meanwhile, the first and second
그러나, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)을 다른 방법으로 형성하는 경우, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)이 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b)의 가장자리까지 연장될 수도 있다.However, when the first and second
그리고, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)를 형성한 후, 몰드(미도시)를 용이하게 제거하기 위해, 파장 변환층(130) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)과 접하는 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 제 1 측면과 제 1, 제 2 리드 프레임(110a, 110b) 사이의 경사각(θ)은 0°를 초과하며 5°이하일 수 있다. 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)을 다른 방법으로 형성하는 경우, 상기 경사각(θ)은 0°일 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다.Then, after forming the first and second
제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 길이(L1)는 500㎛ 이상인 것이 바람직하다. 이는, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 길이(L1)가 너무 짧은 경우에는 광 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)이 파장 변환층(130) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 가장자리를 충분히 지지하지 못하기 때문이다.The length L1 of the first and second
그리고, 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 길이(L2)와 파장 변환층(130)의 길이(L2)와 일치할 수 있다. 이는, 파장 변환층(140)의 길이와 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 길이(L2)가 서로 상이하여, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)이 배치될 영역에서 파장 변환층(130) 또는 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)이 돌출될 수 있기 때문이다. 따라서, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체(100)의 길이 방향의 양 끝단에서 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)만 노출된다.In addition, the length L2 of the first and second
광 차단층(150)의 폭(W)이 너무 넓은 경우, 파장 변환층(130)이 충분히 형성되지 못하며, 광 차단층(150)의 폭(W)이 너무 좁은 경우, 광 차단층(150)의 물리적인 지지력이 감소한다. 따라서, 광 차단층(150)의 폭(W)은 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.When the width W of the
그리고, 파장 변환층(130), 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 상부면의 높이가 일치하여, 발광 소자 패키지의 상부면에서 파장 변환층(130), 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 단차가 없다.In addition, the
따라서, 발광 소자 패키지를 광원으로 사용할 때, 도광판(미도시)와 발광 파장 변환층(130)의 상부면을 인접하더라도 도광판과 같은 백라이트 유닛의 구성들과 파장 변환층(130), 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)이 부분적으로 접촉하는 문제를 방지할 수 있다.Therefore, when using the light emitting device package as a light source, even if the light guide plate (not shown) and the upper surface of the light emitting
* 제 2 실시 예 ** Second embodiment *
도 5는 본 발명 다른 실시 예의 발광 소자 패키지의 사시도이다. 도 6a는 도 5의 A 방향의 평면도이며, 도 6b는 도 5의 B 방향의 측면도이다. 그리고, 도 6c는 도 5의 C 방향의 측면도이다.5 is a perspective view of a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. FIG. 6A is a plan view in the A direction of FIG. 5 , and FIG. 6B is a side view in the B direction of FIG. 5 . And, FIG. 6C is a side view in the direction C of FIG. 5 .
도 5, 도 6a, 도 6b 및 도 6c와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자는 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)이 몸체(100)의 길이 방향을 따라 연장될 수 있다. 5, 6A, 6B and 6C , in the light emitting device of the embodiment of the present invention, the first and second
구체적으로, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 네 측면 중, 제 1 측면은 파장 변환층(130)과 접한다. 그리고, 제 1 측면을 제외한 나머지 세 측면 중, 서로 마주하는 제 2 및 제 3 측면은 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)이 감싸며, 나머지 제 4 측면만 노출된다. 그리고, 발광 소자(120)에서 발생한 광은 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b)의 제 4 측면을 통해 외부로 방출될 수 있다.Specifically, among the four side surfaces of the first and second
즉, 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 길이(L3)는 하기 수학식 1을 만족한다.That is, the length L3 of the first and second
이 경우, 몸체(100)의 길이 방향의 양 끝단에서 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)이 모두 노출되며, 제 1, 제 2 광 투과층(140a, 140b) 및 제 1, 제 2 광 차단층(150a, 150b)의 가장자리가 일치한다. 상기와 같은 제 2 실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체(100)의 길이 방향의 양 끝단의 광속이 향상될 수 있다.In this case, both the first and second
상술한 바와 같이, 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 파장 변환층(130)을 감싸도록 광 차단부(150) 및 광 투과부(140)를 배치하여, 발광 소자(120)에서 발생하는 광이 파장 변환층(130)의 상부면 및 양 측면을 통해 방출되어 지향각을 증가시킬 수 있다. 특히, 파장 변환 입자로 수분에 취약한 KSF(K2SiF6) 형광체를 사용하더라도, 광 투과부(140) 및 광 차단부(150)가 파장 변환층(130)의 측면을 완전히 감싸 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.As described above, in the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
상기와 같은 본 발명 실시 예의 발광 소자 패키지는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment of the present invention as described above may further include an optical member such as a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet to function as a backlight unit.
도 7은 본 발명 발광 소자 패키지와 도광판의 배치를 도시한 평면도이다.7 is a plan view illustrating the arrangement of the light emitting device package and the light guide plate of the present invention.
도 7과 같이, 본 발명 발광 소자 패키지는 파장 변환층(130)의 상부면이 도광판(200)과 마주하도록 배치되어, 파장 변환층(130)의 상부면에서 방출되는 광이 도광판(200)으로 바로 입사될 수 있다. 도광판(200)은 발광 소자 패키지에서 입사된 광을 액정 패널과 같은 표시 패널(미도시)로 진행시킬 수 있다.7 , in the light emitting device package of the present invention, the upper surface of the
또한, 실시 예의 발광 소자 패키지는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다. 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.In addition, the light emitting device package of the embodiment may be further applied to a display device, a lighting device, and an indicator device. The display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 소자에서 발산되는 광을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다. The reflector is disposed on the bottom cover, and the light emitting module emits light. The light guide plate is disposed in front of the reflection plate to guide the light emitted from the light emitting device forward, and the optical sheet includes a prism sheet and the like, and is disposed in front of the light guide plate. A display panel is disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit supplies an image signal to the display panel, and a color filter is disposed in front of the display panel.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.In addition, the lighting device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat dissipating unit for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside and providing it to the light source module have. Furthermore, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is conventional in the art to which the present invention pertains that various substitutions, modifications and changes are possible within the scope without departing from the technical spirit of the embodiments. It will be clear to those who have knowledge.
100: 몸체 100a: 캐비티
110a: 제 1 리드 프레임 110b: 제 2 리드 프레임
120: 발광 소자 120a: 제 1 전극
120b: 제 2 전극 130: 파장 변환층
140a: 제 1 광 투과층 140b: 제 2 광 투과층
150a: 제 2 광 차단층 150b: 제 2 광 차단층
200: 도광판100:
110a: first
120: light emitting
120b: second electrode 130: wavelength conversion layer
140a: first
150a: second
200: light guide plate
Claims (13)
상기 몸체를 감싸며 서로 분리된 제 1, 제 2 리드 프레임;
상기 제 1, 제 2 리드 프레임과 전기적으로 연결되도록 상기 몸체 상부에 배치된 발광 소자;
상기 발광 소자를 감싸는 파장 변환층;
상기 파장 변환층의 양 측면을 덮도록 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 상에 각각 배치된 제 1 광 투과층과 제 2 광 투과층; 및
상기 파장 변환층의 나머지 양 측면을 덮도록 상기 제 1, 제 2 리드 프레임 상에 배치된 제 1 광 차단층과 제 2 광 차단층을 포함하고,
상기 제 1, 제 2 광 투과층의 네 측면 중 제 1 측면은 상기 파장 변환층 및 상기 제 1, 제 2 광 차단층과 접하고, 상기 제 1 측면을 제외한 나머지 세 측면이 노출되 는 발광 소자 패키지.body;
first and second lead frames wrapped around the body and separated from each other;
a light emitting device disposed on the body to be electrically connected to the first and second lead frames;
a wavelength conversion layer surrounding the light emitting device;
a first light transmitting layer and a second light transmitting layer respectively disposed on the first and second lead frames to cover both sides of the wavelength conversion layer; and
and a first light blocking layer and a second light blocking layer disposed on the first and second lead frames to cover the other side surfaces of the wavelength conversion layer,
A light emitting device package in which a first side of the four side surfaces of the first and second light transmitting layers is in contact with the wavelength conversion layer and the first and second light blocking layers, and the remaining three side surfaces are exposed except for the first side .
상기 제 1, 제 2 광 투과층은 투명한 물질이고,
상기 제 1, 제 2 광 차단층은 투명한 실리콘 또는 에폭시에 TiO2, SiO2 중 선택된 하나 이상의 물질이 분산된 구조이며,
상기 제 1, 제 2 광 차단층의 폭은 50㎛ 내지 100㎛인 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The first and second light transmitting layers are transparent materials,
The first and second light blocking layers have a structure in which one or more materials selected from among TiO 2 and SiO 2 are dispersed in transparent silicon or epoxy,
The first and second light blocking layers each have a width of 50 μm to 100 μm.
상기 제 1, 제 2 리드 프레임은 상기 몸체의 상부면에서 서로 다른 제 1 폭과 제 2 폭을 가지며, 상기 제 1 폭은 상기 몸체의 폭과 동일하며, 상기 제 1, 제 2 리드 프레임의 끝단이 상기 제 1 폭보다 좁은 상기 제 2 폭을 갖고,
상기 제 2 폭은 상기 발광 소자의 제 1 전극 및 제 2 전극의 폭과 동일한 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The first and second lead frames have different first and second widths on the upper surface of the body, the first width is the same as the width of the body, and ends of the first and second lead frames having the second width narrower than the first width;
The second width is the same as the width of the first electrode and the second electrode of the light emitting device package.
측면이 상기 제 1, 제 2 광 차단층 및 상기 제 1, 제 2 광 투과층을 포함하며 바닥면이 상기 몸체 및 상기 제 1, 제 2 리드 프레임을 포함하는 캐비티에 상기 파장 변환층이 채워지고, 상기 파장 변환층은 KSF(K2SiF6) 형광체를 포함하며,
상기 제 1, 제 2 광 차단층의 길이와 상기 파장 변환층의 길이가 동일하고,
상기 파장 변환층, 상기 제 1, 제 2 광 투과층 및 상기 제 1, 제 2 광 차단층의 상부면의 높이가 일치하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The side surface includes the first and second light blocking layers and the first and second light transmitting layers, and the wavelength conversion layer is filled in a cavity having a bottom surface including the body and the first and second lead frames, , The wavelength conversion layer includes a KSF (K 2 SiF 6 ) phosphor,
The length of the first and second light blocking layers and the length of the wavelength conversion layer are the same,
The wavelength conversion layer, the first and second light-transmitting layers, and the first and second light-blocking layers have the same height as upper surfaces of the light-emitting device package.
상기 제 1, 제 2 광 차단층이 상기 몸체의 길이 방향을 따라 연장되어, 상기 제 1, 제 2 광 투과층의 네 측면 중, 제 1 측면은 상기 파장 변환층과 접하고, 상기 제 1 측면을 제외한 나머지 세 측면 중, 서로 마주하는 제 2 및 제 3 측면은 상기 제 1, 제 2 광 차단층이 감싸, 나머지 제 4 측면만 노출되며,
상기 제 1, 제 2 광 차단층의 길이는 하기 수학식 1을 만족하는 발광 소자 패키지
[수학식 1]
L3=2L1+L2(L3: 제 1, 제 2 광 차단층의 길이, L1: 제 1, 제 2 광 투과층의 길이, L2: 파장 변환층의 길이).
The method of claim 1,
The first and second light blocking layers extend in the longitudinal direction of the body, so that among the four sides of the first and second light transmitting layers, a first side is in contact with the wavelength conversion layer, and the first side is in contact with the first side Of the remaining three sides, the second and third sides facing each other are surrounded by the first and second light blocking layers, so that only the remaining fourth side is exposed,
The length of the first and second light blocking layers is a light emitting device package satisfying Equation 1 below
[Equation 1]
L3=2L1+L2 (L3: lengths of the first and second light blocking layers, L1: lengths of the first and second light transmitting layers, L2: lengths of the wavelength conversion layer).
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