KR101613246B1 - LED Surface Light and manufacturing method for the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED 면광원 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은 전기적 신호를 제공하는 배선이 형성된 하부판, 상기 하부판 상에 제공되고, 서로 이격된 복수의 수용부가 형성된 도광판 및 상기 도광판에 형성된 복수의 수용부에 각각 수용되는 복수의 측면 발광다이오드를 포함하는 면광원 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광다이오드의 측면으로 빛이 방출되는 측면 발광다이오드를 사용하여 광 추출효율을 증가시키고, 측면 발광다이오드의 렌즈도 제거하여 두께를 현저히 줄일 수 있어서 두께가 얇고 유연성을 가진 LED 면광원 및 그 제조방법을 제공할 수 있게 된다.The present invention relates to an LED surface light source and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an LED surface light source and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an LED surface light source and a method of manufacturing the same, And a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a planar light source including a plurality of side light emitting diodes housed in a plurality of receiving portions formed in the light emitting diodes, The lens of the side light emitting diode can be removed to remarkably reduce the thickness, so that the LED surface light source having a thin thickness and flexibility and a manufacturing method thereof can be provided.

Description

LED 면광원 및 그 제조방법 {LED Surface Light and manufacturing method for the same}[0001] The present invention relates to an LED surface light source and a manufacturing method thereof,

본 발명은 LED 면광원 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 측면 발광다이오드를 이용하여 두께가 얇으면서 유연성을 가지는 LED 면광원 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LED surface light source and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an LED surface light source having a thin thickness and flexibility by using a side light emitting diode and a method of manufacturing the same.

일반적으로 점광원인 발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 이용한 면광원은 조명용이나 평판 디스플레이의 백라이트 유닛(Backlight Unit: BLU)을 위한 면광원으로 이용된다.In general, a surface light source using a light emitting diode (LED), which is a point light source, is used as a surface light source for a backlight unit (BLU) of a lighting or flat panel display.

면광원을 구현하기 위한 구조로써, 한국등록특허 제10-0835063호(2008.05.28) 등에서 점광원을 평면상에 다수개를 배열하고 발광된 빛을 발광면에 직접 조사하는 기술이 개시되어 있다.As a structure for implementing a planar light source, Korean Patent No. 10-0835063 (May 28, 2008) discloses a technique of arranging a plurality of point light sources on a plane and directly irradiating the emitted light onto a light emitting surface.

그러나, 상기한 종래의 기술은 발광원이 발광면 바로 아래에 배치되므로 광원의 바로 위에 해당하는 위치와 그렇지 않은 위치에서 휘도차가 생기기 쉬워 휘도 분포 불균일을 초래할 우려가 있다. 이에 발광원으로부터 발산된 광이 균일하게 섞일 수 있도록 빛이 섞이는데 필요한 최소한의 거리만큼 발광원과 발광면 사이의 간격을 이격시킬 필요가 있어 면광원의 전체 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.However, in the above-described conventional technique, since the light emitting source is disposed directly below the light emitting surface, a luminance difference may easily occur at a position immediately above the light source and at a position other than the light source, which may cause unevenness in luminance distribution. It is necessary to separate the distance between the light emitting surface and the light emitting surface by a minimum distance necessary for mixing the light so that the light emitted from the light emitting source can be uniformly mixed, thereby increasing the overall thickness of the surface light source.

이를 개선하여 얇은 두께의 면광원을 구현하는 방법으로 한국등록특허 제10-0911463호(2009.08.03) 등에는 도광판을 활용하는 기술이 개시되어 있는데, 이러한 기술은 도광판 측면에 점광원을 배열하여 도광판의 측면을 통해 빛이 입사된 후 도광판에서 굴절 및 반사되어 간접적으로 발광면에 빛이 조사되는 방식으로, 발광면 바로 아래에서 직접 조사하는 방식보다 발광원의 수가 적어 상대적으로 휘도가 낮고, 도광판의 측면에서 중앙으로 갈수록 점발원에서 발광된 빛이 도달하는 거리가 멀어지기 때문에 밝기 차이가 발생하며, 서로 이웃한 발광원에서 발광된 빛들의 섞임도 용이하지 않아 색감차도 발생하므로 대형 면광원이나 색상이 균일한 면광원을 구현하는데 문제가 있다.A technique of using a light guide plate is disclosed in Korean Patent No. 10-0911463 (2009.08.03) and the like as a method of realizing a thin-walled surface light source by improving the above. In this technique, point light sources are arranged on the side of the light guide plate, The light is incident on the side surface of the light guide plate and then reflected and reflected by the light guide plate to indirectly irradiate light to the light emitting surface. Since the distance from the point source to the center of the point source is farther from the side, the difference in brightness occurs, and since the light emitted from the neighboring light source is not easily mixed, a color difference occurs. There is a problem in implementing a uniform surface light source.

따라서, 당 기술분야에서는 넓은 디스플레이 면적에 대해 광 이용률이 높고 고휘도이면서 박형화 및 경량화가 가능한 면광원의 개발이 요구되고 있고, 더 나아가 매우 얇은 초박형에 잘 휘어지는 유연성을 갖는 면광원에 대한 요구도 점차 증대되고 있다.Accordingly, there is a need in the art to develop a planar light source that has a high light utilization factor, a high brightness, a thinness, and a light weight with respect to a wide display area. Further, the demand for a planar light source having a very thin, .

(등록특허) 한국등록특허 제10-0835063호(Registered patent) Korean Patent No. 10-0835063 (등록특허) 한국등록특허 제10-0911463호(Registered Patent) Korean Patent No. 10-0911463

본 발명은 발광다이오드의 측면으로 빛이 방출되는 측면 발광다이오드를 사용하여 광 추출효율을 높이고, 측면 발광다이오드의 두께를 현저히 줄여 두께가 얇으면서 플렉시블(flexible)한 LED 면광원 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a flexible LED surface light source with a thin thickness by significantly reducing the thickness of the side light emitting diode by increasing the light extraction efficiency by using a side light emitting diode emitting light to the side surface of the light emitting diode and a manufacturing method thereof It has its purpose.

본 발명의 일 실시예에 따른 면광원은 전기적 신호를 제공하는 배선이 형성된 하부판; 상기 하부판 상에 제공되고, 서로 이격된 복수의 수용부가 형성된 도광판; 및 상기 도광판에 형성된 복수의 수용부에 각각 수용되는 복수의 측면 발광다이오드를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a planar light source including: a lower plate on which wiring lines for providing electrical signals are formed; A light guide plate provided on the lower plate and having a plurality of spaced apart receiving portions; And a plurality of side light emitting diodes accommodated in a plurality of receiving portions formed on the light guide plate.

상기 복수의 측면 발광다이오드로부터 방출된 빛을 균일하게 방사하는 확산판을 더 포함할 수 있고,And a diffusion plate uniformly emitting light emitted from the plurality of side-surface light-emitting diodes,

상기 하부판은 입사하는 빛을 상부로 반사하는 반사면을 포함할 수 있으며, 투광성 재료로 형성될 수 있고,The bottom plate may include a reflecting surface for reflecting incident light upward, and may be formed of a light transmitting material,

상기 도광판은 상기 측면 발광다이오드와 두께가 같거나 두꺼울 수 있고,The light guide plate may have a thickness equal to or thicker than that of the side light emitting diode,

상기 도광판과 상기 수용부에 수용된 측면 발광다이오드 사이에 형광체가 제공되될 수 있고,A phosphor may be provided between the light guide plate and the side light emitting diodes housed in the receiving portion,

상기 측면 발광다이오드는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물을 포함하고, 상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 제1 반사층 및 제 2 반사층을 각각 형성하여 상기 활성층에서 발광된 빛이 상기 측면 발광다이오드의 측면을 통하여 방출될 수 있고,Wherein the side light emitting diode includes a semiconductor stacked structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, wherein a first reflective layer and a second reflective layer are formed on upper and lower sides of the semiconductor stacked structure, Light can be emitted through the side surface of the side light emitting diode,

상기 제1 반사층은 상기 반도체 적층구조물이 형성되는 기판의 일면에 형성될 수 있고,The first reflective layer may be formed on one surface of the substrate on which the semiconductor laminated structure is formed,

상기 제2 반사층은 상기 반도체 적층구조물 상에 형성될 수 있고,The second reflective layer may be formed on the semiconductor stacked structure,

상기 기판의 상부면 또는 하부면 중에서 적어도 어느 하나의 면 측에는 광추출 구조를 포함할 수 있고,At least one of the upper surface and the lower surface of the substrate may include a light extracting structure,

상기 제1 반사층 또는 제2 반사층 중에서 적어도 어느 하나의 반사층은 상기 활성층에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 포함할 수 있고,At least one of the first reflective layer and the second reflective layer may include a light exit port for emitting light emitted from the active layer to the outside,

상기 광출사구를 포함하는 반사층 상에 형광체가 제공될 수 있고,The phosphor may be provided on the reflection layer including the light exit port,

상기 하부판 및 도광판은 적층되고, 유연성을 갖을 수 있고,The lower plate and the light guide plate may be laminated, have flexibility,

상기 면광원은 조명 장치 또는 백라이트 유닛(BLU)일 수 있다.The surface light source may be a lighting device or a backlight unit (BLU).

본 발명의 다른 실시예에 따른 면광원의 제조방법은 하부판에 전기적 배선을 형성하는 단계; 상기 전기적 배선에 복수의 측면 발광다이오드를 접속하는 단계; 및 도광판에 형성된 서로 이격된 복수의 수용부가 상기 복수의 측면 발광다이오드에 대응되도록 상기 도광판을 상기 하부판 상에 적층하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a planar light source, including: forming an electrical wiring on a bottom plate; Connecting a plurality of side light emitting diodes to the electrical wiring; And stacking the light guide plate on the lower plate such that a plurality of spaced apart receiving portions formed on the light guide plate correspond to the plurality of side light emitting diodes.

상기 전기적 배선을 형성하는 단계는 전도성 물질을 상기 하부판 상에 인쇄하여 형성하는 것일 수 있고,The forming of the electrical wiring may be performed by printing a conductive material on the bottom plate,

상기 복수의 측면 발광다이오드를 접속하는 단계는 상기 복수의 측면 발광다이오드를 플립칩 본딩하여 상기 전기적 배선에 접속하는 것일 수 있고,The step of connecting the plurality of side light emitting diodes may be to flip-chip bond the plurality of side light emitting diodes to connect to the electric wiring,

상기 도광판과 상기 수용부에 수용된 측면 발광다이오드 사이에 형광체를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있고,The method may further include providing a phosphor between the light guide plate and the side light emitting diodes accommodated in the accommodating portion,

상기 복수의 측면 발광다이오드로부터 방출된 빛을 균일하게 방사하는 확산판을 상기 도광판 상에 적층하는 단계를 더 포함할 수 있고,And a step of laminating a diffusion plate uniformly emitting light emitted from the plurality of side light emitting diodes on the light guide plate,

상기 복수의 측면 발광다이오드는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 각각 형성된 제1 반사층; 및 제 2 반사층을 포함하고, 상기 제1 반사층 또는 제2 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층에 상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있고,The plurality of side light emitting diodes may include a semiconductor stacked structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer; A first reflective layer formed on upper and lower portions of the semiconductor stacked structure, respectively; And forming a light output port that emits light emitted from the semiconductor stacked structure to the outside in at least one of the first and second reflective layers,

상기 광출사구가 형성된 반사층 상에 형광체를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include the step of providing a phosphor on the reflective layer on which the light output port is formed.

본 발명에 따른 LED 면광원 및 그 제조방법에서는 발광하는 반도체 적층구조물의 상하부에 각각 반사층을 형성하여 빛을 발광다이오드의 측면으로 직접 방출하기 때문에 기존의 측면 방출 방식의 발광다이오드에서 필수적으로 사용되었던 렌즈를 제거할 수 있어 그 두께를 현저히 줄인 측면 발광다이오드를 사용하는데, 이러한 측면 발광다이오드를 사용하면 면광원의 두께를 효과적으로 줄일 수 있어 박형화가 가능하고, 발광면 바로 아래에 다수의 발광원을 배치하여도 직접 상부로 방출되는 것이 아니라 도광판을 거쳐 방출되기 때문에 광 균일도를 높일 수 있으며, 측면에 발광다이오드를 배치하는 것보다 많은 수의 발광다이오드를 사용할 수 있으므로 높은 휘도를 갖게 하는 효과가 있다.In the LED surface light source and the method of manufacturing the same according to the present invention, a reflective layer is formed on each of the upper and lower portions of the semiconductor stacked structure to emit light directly to the side of the light emitting diode. Therefore, The thickness of the planar light source can be effectively reduced by using such a side light emitting diode and it is possible to reduce the thickness of the planar light source and to arrange a plurality of light emitting sources directly below the light emitting surface Is emitted directly through the light guide plate rather than being directly emitted to the upper side. Therefore, it is possible to increase the light uniformity, and it is possible to use a larger number of light emitting diodes than to arrange the light emitting diode on the side.

또한, 본 발명에서는 면광원을 구성하는 판들을 적층하여 면광원의 두께를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 면광원을 모듈화 할 수 있어 이용이 편리하며 쉽게 패키지할 수 있고, 측면 발광다이오드에 광추출 구조물을 포함하여 광 추출효율을 향상시킬 수 있어서 면광원의 광 특성을 향상시키는 효과도 가진다.In addition, the present invention can reduce the thickness of the planar light source by stacking the planes constituting the planar light source, and can modularize the planar light source, so that the planar light source is convenient to use and can be easily packaged. So that the light extraction efficiency can be improved and the optical characteristics of the surface light source can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 면광원의 구조를 나타내는 분해사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 면광원에 사용되는 측면 발광다이오드를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 면광원의 도광판에 형성된 수용부와 측면 발광다이오드를 나타내는 개략도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 면광원의 도광판에 형성된 수용부와 측면 발광다이오드를 나타내는 단면도.1 is an exploded perspective view showing a structure of a planar light source according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view illustrating a side light emitting diode used in a planar light source according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic view showing a receiving portion and a side light emitting diode formed in a light guide plate of a planar light source according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a receiving portion and a side light emitting diode formed in a light guide plate of a planar light source according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. In the description, the same components are denoted by the same reference numerals, and the drawings are partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 면광원의 구조를 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a structure of a planar light source according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원(100)은 전기적 신호를 제공하는 배선이 형성된 하부판(110), 상기 하부판(110) 상에 제공되고, 서로 이격된 복수의 수용부(121)가 형성된 도광판(120) 및 상기 도광판에 형성된 복수의 수용부(121)에 각각 수용되는 복수의 측면 발광다이오드(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a planar light source 100 according to an embodiment of the present invention includes a bottom plate 110 on which wiring for providing an electrical signal is formed, a plurality of receiving portions provided on the bottom plate 110, And a plurality of side light emitting diodes 130 each accommodated in a plurality of receiving portions 121 formed in the light guide plate.

상기 하부판(110)은 상기 복수의 측면 발광다이오드(130)를 전기적으로 접속시키고, 외부전원(150)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 도광판(120)이 적층될 수 있는 기본 받침이 된다.The bottom plate 110 electrically connects the plurality of side light emitting diodes 130 and is electrically connected to the external power supply 150. In addition, the light guide plate 120 may be a base support.

상기 하부판(110)은 외부 소자와 전기적으로 접속이 가능한 접속부(111)를 포함할 수 있다. 상기 접속부(111)는 상기 측면 발광다이오드(130)와 전기적으로 접속되는 부분으로, 복잡한 구조나 추가적인 공정 없이도 상기 접속부(111)에 상기 측면 발광다이오드(130)를 전극에 맞추어 본딩시키는 것만으로 쉽게 전기적 연결을 가능하게 한다. 또한, 상기 접속부(111)는 접속패드 등의 형태로 형성될 수 있는데, 상기 측면 발광다이오드(130)를 전극에 맞추어 상기 접속부(111)에 본딩시키는 것만으로 전기적 연결이 가능하면 족하고, 그 형태나 형성방법에 제한은 없다.The lower plate 110 may include a connection portion 111 which can be electrically connected to an external device. The connection part 111 is a part electrically connected to the side light emitting diode 130 and can be easily electrically connected to the connection part 111 by fitting the side light emitting diode 130 to the electrode without complicated structure or additional process. Connection. The connection part 111 may be formed in the form of a connection pad or the like. The electrical connection can be achieved only by bonding the side light emitting diode 130 to the electrode and bonding the electrode to the connection part 111, There is no restriction on the formation method.

그리고 상기 하부판(110)은 전체적인 면광원(100)의 두께를 줄이기 위하여 얇게 제작될 수 있는데, 상기 하부판(110)의 두께를 줄이기 위해 상기 배선을 전도성 잉크를 사용하여 인쇄공정으로 형성할 수 있고, 금속 이온을 증착하여 형성할 수도 있으며, 두께를 줄이기 위한 배선 방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 또한, 상기 하부판(110)은 유연한 재료를 사용하여 연성을 갖도록 제작될 수도 있고, 빛을 반사시킬 수 있는 금속판으로 구성될 수도 있다.The lower plate 110 may be made thin to reduce the thickness of the entire surface light source 100. The wiring may be formed in a printing process using conductive ink to reduce the thickness of the lower plate 110, Metal ions may be deposited, and the wiring method for reducing the thickness is not particularly limited. Further, the lower plate 110 may be made of a flexible material to have ductility, or may be made of a metal plate capable of reflecting light.

한편, 상기 하부판(110)은 상기 측면 발광다이오드(130)에서 상기 도광판(120)을 경유하여 상기 하부판(110)으로 입사되는 빛이나 상기 도광판(120)으로 입사되지 않고 상기 측면 발광다이오드(130)에서 직접 상기 하부판(110)으로 입사하는 빛을 발광면 방향으로 반사시킬 수 있는 반사면을 포함할 수도 있다. 상기 반사면은 상기 도광판(120)의 저면으로부터 입사하는 빛을 반사시킴으로써, 반사된 빛이 상기 도광판(120)을 경유하여 발광면으로 방출될 수 있도록 하는 역할을 하며, 상기 하부판(110) 상에 반사층으로 형성되거나 빛을 반사할 수 있는 알루미늄 등의 금속판으로 상기 하부판(110)을 구성하여 형성될 수 있고, 상기 반사면을 상기 도광판(120)에 접하는 면에만 형성할 수 있을 뿐만 아니라 상기 하부판(110)의 타면에 형성하거나 모든 면에 형성할 수도 있는데, 그 재료와 형성방법에 있어서 특별한 제한은 없다.The bottom plate 110 may be formed of a material such as light incident on the bottom plate 110 via the light guide plate 120 and light incident on the side light emitting diodes 130 without being incident on the light guide plate 120. [ And a reflecting surface capable of reflecting light incident on the lower plate 110 directly in the direction of the light emitting surface. The reflective surface reflects light incident from the bottom surface of the light guide plate 120 so that the reflected light can be emitted to the light emitting surface via the light guide plate 120. On the bottom plate 110, The reflection plate may be formed of a metal plate such as aluminum or the like capable of reflecting light or may be formed by constructing the lower plate 110. The reflective surface may be formed only on a surface in contact with the light guide plate 120, 110, or may be formed on all the surfaces, but there is no particular limitation on the material and the forming method.

또한, 상기 하부판(110)은 빛을 투과시킬 수 있는 투광성 재료로 형성될 수도 있는데, 상기 투광성 재료로 형성되면 전후 양면에서 빛을 방출할 수 있는 양면발광형 면광원을 만들 수 있게 된다. 상기 투광성 재료는 예를 들어 유리 또는 투명 폴리머 등이 사용될 수 있는데, 그 재료에 있어서 특별히 제한되는 것은 아니다.In addition, the bottom plate 110 may be formed of a light-transmissive material capable of transmitting light. When the light-transmissive material is formed, a double-side emission type planar light source capable of emitting light from both the front and rear surfaces can be manufactured. The translucent material may be, for example, glass or a transparent polymer, but the material is not particularly limited.

그리고 상기 하부판(110)에 상기 도광판(120)이 제공된다. 상기 도광판(120)은 빛의 굴절 및 반사를 이용하여 일측면 또는 양측면에서 빛을 안내하면서 균일한 면광원을 형성하게 하는데, 선광원 또는 점광원을 균일한 면광원으로 만들어주기 위해서 사용된다. 상기 도광판(120)은 보통 PMMA나 PC 소재를 이용하고, 사출성형하거나 용융수지 조성물을 압출기로 압출하고 다시 연마 롤러를 통과시킨 후 냉각하여 원판을 형성한 다음 소정 크기로 컷팅하여 제작되는데, 그 재료와 방법에 있어서 특별한 제한이 있는 것은 아니다.The light guide plate 120 is provided on the lower plate 110. The light guide plate 120 forms a uniform surface light source while guiding light from one side or both sides by using refraction and reflection of light, and is used to make a linear light source or a point light source as a uniform surface light source. The light guide plate 120 is usually made of PMMA or PC material by injection molding or extruding a molten resin composition with an extruder, passing the same through a polishing roller, cooling it to form an original plate, and then cutting it into a predetermined size. And there is no particular limitation on the method.

또한, 상기 도광판(120)은 복수의 광원을 수용할 수 있는 서로 이격된 복수의 상기 수용부(121)가 형성될 수 있다. 상기 수용부(121)는 상하가 개방된 오픈부로 형성되거나, 상기 하부판(110)과의 전기적 접속을 위한 일측만 개방된 오목부로 형성될 수도 있는데, 그 형성방법에 있어서 제한은 없다. 그리고 상기 수용부(121)의 형상은 사각형, 원형, 삼각형, 다이아몬드형 등으로 다양하게 구성될 수 있는데, 광원을 수용할 수 있도록 광원의 크기와 같거나 광원의 크기보다 크면 족하고, 바람직하게는 백색광을 만들기 위한 형광체를 삽입하기 위해 광원의 크기보다 크게 형성되는 것이 좋다. 또한, 본 발명에 따른 면광원(또는 측면 발광다이오드)의 배광특성제어를 위해 상기 수용부(121)의 형상을 변화시킬 수도 있다.In addition, the light guide plate 120 may be formed with a plurality of spaced-apart receiving portions 121 capable of receiving a plurality of light sources. The receiving portion 121 may be formed as an open portion having an open top and bottom, or may be formed as a concave portion that is opened only on one side for electrical connection with the bottom plate 110. There is no limitation on the forming method. The receiving portion 121 may have various shapes such as a quadrangle, a circle, a triangle, a diamond, and the like. It may be the same as the size of the light source or larger than the size of the light source to accommodate the light source, It is preferable that the size of the light source is larger than that of the light source. Further, the shape of the receiving portion 121 may be changed for controlling the light distribution characteristic of the surface light source (or the side light emitting diode) according to the present invention.

상기 도광판(120)은 상기 측면 발광다이오드(130)와 두께가 같거나 상기 측면 발광다이오드(130)보다 두껍게 형성되는데, 상기 도광판(120)의 두께가 적어도 상기 측면 발광다이오드(130)의 두께보다 두껍거나 동일하게 유지되어야 상기 측면 발광다이오드(130)에서 발광된 빛의 대부분이 상기 도광판(120)으로 공급될 수 있게 되고, 상기 도광판(120)의 두께가 상기 측면 발광다이오드(130)의 두께보다 얇은 경우에는 상기 측면 발광다이오드(130)에서 발광된 빛이 상기 도광판(120)의 두께를 벗어난 부분으로 출사되어 상기 도광판(120)에 입사되지 못하고 외부공간으로 손실되기 때문이다. 또한, 상기 측면 발광다이오드(130)의 두께가 상기 도광판(120)의 두께보다 두꺼우면 상기 측면 발광다이오드(130)가 돌출되어 상기 도광판(120)의 상부면 또는 하부면이 평탄하지 않게 되므로 상기 도광판(120) 상에 다른 층들을 적층하기 어렵게 된다. 이처럼 상기 도광판(120)의 두께는 상기 측면 발광다이오드(130)의 두께에 의존적이므로 상기 도광판(120)의 두께를 줄이려면 상기 측면 발광다이오드(130)의 두께를 줄이는 일이 선행되어야 하고, 상기 면광원(100) 전체 두께의 대부분을 차지하는 상기 도광판(120)의 두께를 줄이게 되면 상기 면광원(100)의 두께를 얇게 할 수 있다.The light guide plate 120 is formed to have a thickness equal to or thicker than the side light emitting diodes 130. The thickness of the light guide plate 120 is at least thicker than the thickness of the side light emitting diodes 130 The light emitted from the side light emitting diodes 130 can be supplied to the light guide plate 120. The thickness of the light guide plate 120 may be less than the thickness of the side light emitting diodes 130 The light emitted from the side light emitting diode 130 is emitted to a portion of the light guide plate 120 that is outside the thickness of the light guide plate 120 and is not incident on the light guide plate 120 and is lost to the external space. If the thickness of the side light emitting diodes 130 is greater than the thickness of the light guide plate 120, the side light emitting diodes 130 protrude from the upper surface or the lower surface of the light guide plate 120, It becomes difficult to stack other layers on the substrate 120. Since the thickness of the light guide plate 120 depends on the thickness of the side light emitting diode 130, the thickness of the side light emitting diode 130 should be reduced in order to reduce the thickness of the light pipe 120, If the thickness of the light guide plate 120, which occupies most of the entire thickness of the light source 100, is reduced, the thickness of the planar light source 100 can be reduced.

본 발명에서는 내부에서 발광된 빛을 렌즈없이도 발광다이오드의 측면을 통하여 직접 방출시키므로 그 두께를 현저히 줄인 상기 측면 발광다이오드(130)를 사용하여 상기 도광판(120)의 두께를 효과적으로 줄일 수 있게 되었으며, 상세한 설명은 후술한다.In the present invention, since the light emitted from the inside is directly emitted through the side surface of the light emitting diode without the lens, the thickness of the light guide plate 120 can be effectively reduced by using the side light emitting diode 130 whose thickness is significantly reduced. The description will be given later.

그 다음 상기 도광판에 형성된 복수의 수용부(121)에 복수의 상기 측면 발광다이오드(130)가 각각 배치된다. 상기 측면 발광다이오드(130)는 내부에서 발광된 빛을 그 측면을 통하여 방출시키는데, 상기 측면 발광다이오드(130)는 상부와 하부에 각각 반사층을 형성하여 측면 방출 방식의 발광다이오드에서 빛이 측면으로 방출되도록 하는 렌즈 없이도 빛을 발광다이오드의 측면으로 방출하므로 발광다이오드의 두께를 현저히 줄일 수 있는 측면 발광다이오드일 수 있다. 또한, 상기 측면 발광다이오드(130)는 n형 및 p형 본딩메탈(131, 또는 본딩패드)을 포함하고, 상기 n형 및 p형 본딩메탈(131)을 상기 하부판의 접속부(111)에 본딩함으로 전기적으로 접속된다.A plurality of the side light emitting diodes 130 are disposed in the plurality of receiving portions 121 formed on the light guide plate. The side light emitting diodes 130 emit light emitted from the inside thereof through the side surfaces thereof. The side light emitting diodes 130 form a reflective layer on the upper and lower sides, respectively, The light emitting diode can emit light to the side of the light emitting diode without the need of a lens to make the thickness of the light emitting diode considerably reduced. The side light emitting diode 130 includes an n-type and a p-type bonding metal 131 and bonding the n-type and p-type bonding metal 131 to the connection portion 111 of the bottom plate. And is electrically connected.

다음으로 상기 도광판(120) 상에 확산판(140)을 더 형성할 수도 있다. 상기 확산판(140)은 상기 복수의 측면 발광다이오드(130)에서 방출되어 상기 확산판(140)으로 입사하는 빛을 내부에서 산란 및 확산되도록 하여 균일하게 방사시키는 역할을 하고, 빛의 확산성과 균일성이 가능한 최대가 되도록 하여 빛의 휘도를 향상시킨다. 그리고 상기 확산판(140)의 재료는 PET(Poly Ethylene Terephthalate)나 PC(Poly Carbonate) 수지를 사용하며, 상기 확산판(140)의 상부에 확산 역할을 하는 입자 코팅층이 형성되어 있을 수 있는데, 그 재료와 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 또한, 상기 확산판(140)은 빛의 강도가 과도하여 광학특성이 나빠지거나 황색광이 도출되는 현상을 방지하기 위하여 일정부분 차광효과가 구현될 수 있도록 광학패턴을 형성할 수도 있다. 상기 광학패턴은 일반적으로 상기 확산판(140)의 하부면 또는 상부면에 인쇄되는 방식으로 구현될 수 있고, 빛의 집중이 이루어지지 않도록 차광잉크를 이용하여 차광패턴으로 인쇄할 수도 있으며, 상기 광학패턴은 빛을 완전차단하는 기능이 아니라 빛의 일부 차광 및 확산의 기능을 수행할 수 있는 하나의 광학패턴으로 광의 차광도나 확산도를 조절할 수 있도록 구현할 수도 있다.Next, a diffusion plate 140 may be further formed on the light guide plate 120. The diffusion plate 140 serves to uniformly radiate light emitted from the plurality of side light emitting diodes 130 and incident on the diffusion plate 140 by scattering and diffusing light therein, The brightness is maximized to improve the brightness of the light. The diffusion plate 140 may be made of PET (Poly Ethylene Terephthalate) or PC (Poly Carbonate) resin, and a diffusion coating layer may be formed on the diffusion plate 140. There is no particular limitation on the material and the form. In addition, the diffusion plate 140 may form an optical pattern so that a light blocking effect may be realized in order to prevent a phenomenon in which the intensity of light is excessively deteriorated or optical characteristics are deteriorated or yellow light is derived. The optical pattern may be printed on the lower surface or the upper surface of the diffusion plate 140. Alternatively, the optical pattern may be printed in a light shielding pattern using light shielding ink so that light is not concentrated. The pattern is not a function to completely block the light, but it can be implemented so as to adjust the light shielding degree or the diffusing degree of light with one optical pattern that can perform a function of shielding and diffusing part of light.

또한, 상기 면광원(100)은 프리즘 필름, 휘도 향상 필름(Brightness Enhancement Film: BEF), 보호필름, 마이크로렌즈 시트, 이중 휘도 향상 필름(Dual Brightness Enhancement Film: DBEF) 등의 광학 시트를 필요에 따라 더 포함할 수 있다.The planar light source 100 may further include an optical sheet such as a prism film, a brightness enhancement film (BEF), a protective film, a micro lens sheet, or a dual brightness enhancement film (DBEF) .

한편, 상기 하부판(110) 및 도광판(120)을 포함한 모든 층들은 상호 적층될 수 있다. 이렇게 모든 층들을 적층하게 되면 상기 면광원(100)의 전체두께를 줄일 수 있고, 두께가 얇아지므로 잘 휘어지는 유연한 면광원을 개발하는데 이점이 있으며, 모듈화된 면광원을 가능하게 하여 편리하게 이용할 수 있을 뿐만 아니라 모듈화된 면광원을 결합하여 간단하게 패키지함으로써, 백라이트 유닛(BLU) 또는 조명 장치에 적용할 수 있게 된다. 또한, 플렉시블(flexible)한 면광원을 위해 상기 구성요소들은 연성을 갖는 재료를 사용하여 형성될 수 있고, 상기 면광원(100)의 모든 층들이 유연성을 갖게 되므로 전체적으로 상기 면광원(100)이 플렉시블(flexible)하게 될 수 있다.On the other hand, all the layers including the lower plate 110 and the light guide plate 120 may be stacked. If all the layers are stacked, it is possible to reduce the total thickness of the planar light source 100 and to thin the planar light source 100, which is advantageous in developing a flexible planar light source that is bent and can be used conveniently by making a modular planar light source possible In addition, a modular surface light source can be combined and simply packaged to be applicable to a backlight unit (BLU) or a lighting device. In addition, for the flexible planar light source, the components can be formed using a soft material, and all the layers of the planar light source 100 have flexibility, so that the planar light source 100 as a whole is flexible and can be made flexible.

이처럼 두께가 얇으면서 플렉시블(flexible)하게 상기 면광원(100)을 제작하면 백라이트 유닛(BLU)으로 사용되는데 최적화할 수 있고, 이동성 및 휴대성이 뛰어나고 설치도 간단한 조명 장치로도 사용이 가능하다. 상기 백라이트 유닛(BLU)은 액정표시장치(LCD)의 후면에서 빛을 조사하는 면광원으로, 비발광형 전자 디스플레이 소자인 액정표시장치(LCD)에 빛을 공급하여 동화상의 선명하고 자연스러운 천연색상을 양질로 구현해낼 수 있도록 하기 때문에 액정표시장치(LCD)에 있어서 없어서는 안 되는 중요한 장치이다. 최근 액정표시장치(LCD)는 휴대폰에서부터 휴대용 컴퓨터, 컴퓨터용 모니터, 벽걸이형 텔레비전, 플렉시블(flexible) 디스플레이 등에까지 그 사용영역이 점차 넓어지고 있고, 넓은 디스플레이 면적을 가지면서 박형화, 경량화 및 유연화되는 것이 요구되고 있는데, 본 발명에 따른 상기 면광원(100)을 백라이트 유닛(BLU)으로 사용하면 그 요구를 충족할 수 있다.Such a planar light source 100 can be optimally used as a backlight unit (BLU) when it is thin and flexible and can be used as an illumination device having excellent mobility and portability and simple installation. The backlight unit (BLU) is a surface light source for irradiating light from the back side of a liquid crystal display (LCD), and supplies light to a liquid crystal display (LCD) as a non-light emitting type electronic display device to display clear, It is an indispensable device for a liquid crystal display (LCD) because it can be realized with good quality. Recently, liquid crystal displays (LCDs) have been widely used from mobile phones to portable computers, monitors for computers, wall-mounted televisions, flexible displays, and the like, and thinner, lighter, and flexible If the planar light source 100 according to the present invention is used as a backlight unit (BLU), the requirement can be satisfied.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 면광원에 사용되는 측면 발광다이오드를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a side light emitting diode used in a planar light source according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 측면 발광다이오드(200)는 기판(210), 상기 기판(210)의 일면에 형성되는 제1 반사층(220), n형 반도체층(231), 활성층(232) 및 p형 반도체층(233)을 포함하고, 상기 제1 반사층(220) 상에 위치하는 반도체 적층구조물(230) 및 상기 반도체 적층구조물(230) 상에 위치하는 제2 반사층(240)을 포함할 수 있다. 상기 기판(131)은 화합물 반도체를 단결정 혹은 에피택셜로 성장시키기에 적합한 기판으로 형성되며, 사파이어, 질화갈륨(GaN), 산화아연(ZnO), 탄화규소(SiC), 질화 알루미늄(AlN), 유리, 실리콘 또는 페트(Polyethylene terephthalate: PET) 등의 투광성 재료일 수 있으나 이들 재료에 특별히 한정되는 것은 아니다.2, the side light emitting diode 200 includes a substrate 210, a first reflective layer 220 formed on one surface of the substrate 210, an n-type semiconductor layer 231, an active layer 232, and a p- The semiconductor layered structure 230 may include a semiconductor layer 233 and may be disposed on the first reflective layer 220 and the second reflective layer 240 may be disposed on the semiconductor layered structure 230. The substrate 131 is formed of a substrate suitable for growing a compound semiconductor in a single crystal or an epitaxial manner and may be formed of a material such as sapphire, gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), silicon carbide (SiC) , Silicone or PET (polyethylene terephthalate: PET), but the material is not particularly limited.

상기 반도체 적층구조물(230)은 상기 n형 반도체층(231), 활성층(232) 및 p형 반도체층(233)으로 구성되는데, 상기 n형 반도체층(231), 활성층(232) 및 p형 반도체층(233)은 각 도전형 불순물이 도핑된 화합물 반도체 재료로 형성될 수 있고, 예를 들어 InxAlyGa1-x-yN 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 질화갈륨계 화합물 반도체 물질로 형성될 수 있으나, 이들 재료에 특별히 한정되는 것은 아니다.The semiconductor laminated structure 230 includes the n-type semiconductor layer 231, the active layer 232 and the p-type semiconductor layer 233. The n-type semiconductor layer 231, the active layer 232, The layer 233 may be formed of a compound semiconductor material doped with each conductive impurity, for example, an In x Al y Ga 1-xy N composition formula (where 0? X? 1, 0? Y? X + y ≤ 1). However, the material is not particularly limited to these materials.

상기 n형 반도체층(231)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 화합물 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용할 수 있고, 주로 Si를 사용한다. 상기 활성층(232)은 하나의 양자우물층 또는 더블 헤테로구조(Double heterostructure) 또는 InGaN/GaN층으로 구성된 다중양자우물층(Multi-Quantum-Well)으로 형성될 수 있다. 상기 p형 반도체층(233)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 형성될 수 있으며, 상기 p형 도전형 불순물 도핑으로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 주로 Mg를 사용한다. 한편, 반도체 적층구조물(230)은 기판(210) 상에 사파이어와 같은 물질로 형성된 기판과의 격자정합을 향상시키기 위한 GaN 완충층, n형/p형 클래드층, p형 캡층 등의 여러 가지 기능을 수행하는 기능성 층들을 추가적으로 더 포함할 수 있다. 그리고 식각 공정을 통하여 반도체 적층구조물(230)의 일부를 제거하여 노출된 n형 반도체층(231)과 p형 반도체층(233)에는 각각 n형 전극과 p형 전극이 전기적으로 오믹 접촉되도록 형성될 수 있다.The n-type semiconductor layer 231 may be formed of a compound semiconductor layer doped with an n-type conductivity-type impurity, and examples of the n-type conductivity-type impurity may include Si, Ge, Si. The active layer 232 may be formed of one quantum well layer or a multiple quantum well layer composed of a double heterostructure or an InGaN / GaN layer. The p-type semiconductor layer 233 may be formed of a GaN layer or a GaN / AlGaN layer doped with a p-type conductivity type impurity. For example, Mg, Zn, Be or the like may be used as the p- And Mg is mainly used. On the other hand, the semiconductor stacked structure 230 has various functions such as a GaN buffer layer, an n-type / p-type clad layer, and a p-type cap layer for improving lattice matching with a substrate formed of a material such as sapphire on the substrate 210 And may further include functional layers to perform. The n-type semiconductor layer 231 and the p-type semiconductor layer 233 are formed in such a manner that the n-type electrode and the p-type electrode are electrically in ohmic contact with each other by removing a part of the semiconductor stacked structure 230 through the etching process .

상기 측면 발광다이오드(200)에 포함되는 상기 제1 반사층(220)과 제2 반사층(240)은 상기 반도체 적층구조물의 활성층(232)에서 발광된 빛을 상부면이나 하부면으로 방출되지 않도록 하고, 내부로 반사하여 측면에서만 방출되도록 하는 층(Layer)으로서, 금속으로 이루어져 거울면을 형성하는 금속 반사층이나, 서로 다른 굴절율을 갖는 산화물층들(예를 들어, SiO2와 TiO2)을 교번 적층하여 형성하는 분산 브래그 반사(Distributed Bragg Reflecting: DBR)층일 수 있다. 상기 기판(210)과 접하여 형성되는 상기 제1 반사층(220)은 접합성을 향상시키기 위하여 금속 반사층과 기판 사이에 SiO2층을 더 포함하거나 분산 브래그 반사(DBR)층에서 SiO2층을 기판에 접하도록 형성할 수 있고, 상기 기판(210)의 상부면이나 하부면 중 어느 하나의 면에 형성될 수 있는데, 상기 반도체 적층구조물(230)의 하부에 위치하면 족하다.The first reflective layer 220 and the second reflective layer 240 included in the side light emitting diode 200 may prevent light emitted from the active layer 232 of the semiconductor stack structure from being emitted to the upper surface or the lower surface, (For example, SiO 2 and TiO 2 ) having different refractive indexes are alternately stacked on a metal reflection layer made of a metal and forming a mirror surface, Or a distributed Bragg Reflecting (DBR) layer. The substrate 210 and the first reflective layer 220 that is formed in contact with the ground the SiO 2 layer on the metal layer and further comprising a SiO 2 layer or a distributed Bragg reflection (DBR) layer between the substrate in order to improve the bondability to the substrate And may be formed on any one of the upper surface and the lower surface of the substrate 210, and it may be positioned below the semiconductor stacked structure 230.

또한, 상기 측면 발광다이오드(200)는 상기 기판(210)의 상부면 또는 하부면 중 적어도 어느 하나의 면에 상기 활성층(232)에서 발광된 빛을 산란시켜 상기 측면 발광다이오드(200)의 측면으로 빛을 더욱 효과적으로 방출할 수 있도록 광추출 구조(250)를 더 포함할 수 있다. 상기 광추출 구조(250)는 화합물 반도체 구조와 다른 굴절율을 갖고 있거나 반사면을 갖고 있어서 상기 활성층(232)에서 발광된 빛이 화합물 반도체 구조를 통과하여 도달하면 빛의 경로가 굴절되거나 반사면에서 광산란이 일어나게 되어 빛이 효과적으로 발광다이오드의 측면으로 방출되도록 하는 것으로, 그 형상은 반구형, 피라미드형, 콘형, 쐐기형, 삼각뿔형, 사각뿔형 또는 일방향으로 연장되는 형상 등으로 다양하게 구성될 수 있다.The side light emitting diode 200 scatters light emitted from the active layer 232 on at least one of the upper surface and the lower surface of the substrate 210, And may further include a light extraction structure 250 to more effectively emit light. The light extracting structure 250 has a refractive index different from that of the compound semiconductor structure or has a reflective surface so that light emitted from the active layer 232 passes through the compound semiconductor structure and is refracted when the path of light is refracted, And the light is effectively emitted to the side surface of the light emitting diode. The shape of the light emitting diode can be variously configured in a hemisphere shape, a pyramid shape, a cone shape, a wedge shape, a triangular shape, a square horn shape or a shape extending in one direction.

상기 기판(210)의 하부면에 상기 제1 반사층(220)이 형성된 경우에 상기 기판(210)의 상부면에 형성된 광추출 구조(250)는 상기 기판(210)의 상부면에서 상기 반도체 적층구조물(230)을 향하여 돌출된 돌출부(251)일 수 있는데, 상기 돌출부(251)는 식각 마스크를 이용하여 상기 기판(210)을 건식 또는 습식으로 패터닝하여 형성함으로 기판과 동일한 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어 사파이어 기판의 경우 광추출 구조인 돌출부도 사파이어로 이루어져 그 굴절율이 1.6이어서 굴절율이 2.4인 질화갈륨계 반도체 적층구조물을 빛이 통과하여 돌출부에 도달하면 굴절율 차이로 인하여 돌출부에서 빛의 경로가 굴절하게 된다. 한편, 상기 기판(210)의 상부면에 형성되는 광추출 구조인 돌출부(251)는 상기 기판(210) 상에 산화물층(예를 들어, 굴절율이 1.4인 SiO2층)을 형성하고, 상기 산화물층을 식각 마스크를 이용하여 패터닝하여 형성할 수도 있다. 한편, 상기 기판(210)의 상부면에 형성되는 광추출 구조인 돌출부(251)는 상기 기판(210) 상에 형성되는 반도체 적층구조물의 성장을 위한 핵생성 위치를 제공하기 위하여 서로 떨어져서 제공될 수 있다. 이와 같이 돌출부(251) 사이에 일부가 노출된 기판 상에 반도체 적층구조물을 형성하게 되면, 반도체 적층구조물이 돌출부 사이에 빈 공간을 형성하지 아니한 채 단결정으로 혹은 에피택셜로 성장할 수 있게 된다.The light extracting structure 250 formed on the upper surface of the substrate 210 when the first reflective layer 220 is formed on the lower surface of the substrate 210 may be formed on the upper surface of the substrate 210, The protrusions 251 may be formed of the same material as the substrate 210 by patterning the substrate 210 by dry or wet etching using an etching mask. For example, in the case of a sapphire substrate, the protrusion of the light extracting structure is made of sapphire so that the refractive index is 1.6, and when the light reaches the protruding portion of the gallium nitride semiconductor laminated structure having the refractive index of 2.4, Refraction. The protrusion 251 formed on the upper surface of the substrate 210 forms an oxide layer (for example, a SiO 2 layer having a refractive index of 1.4) on the substrate 210, Layer may be formed by patterning using an etching mask. Meanwhile, the protrusion 251, which is a light extraction structure formed on the upper surface of the substrate 210, may be provided apart from each other to provide a nucleation position for growth of the semiconductor stacked structure formed on the substrate 210 have. When the semiconductor stacked structure is formed on the substrate partially exposed between the protrusions 251, the semiconductor stacked structure can be grown as a single crystal or epitaxially without forming a void space between the protruded portions.

아울러, 상기 기판(210)의 상부면에 형성되는 광추출 구조(250)는 상기 기판(210)의 상부면에서 상기 기판(210) 내측으로 오목한 오목부(미도시)로 형성될 수도 있다. 상기 오목부에는 공기(굴절율 1), 산화물(예를 들어, 굴절율 1.4의 SiO2) 또는 반도체층 중의 적어도 하나로 채워질 수 있다. 상기 기판(210)의 상부면에 오목부를 형성한 경우에는 굴절율이 2.4인 질화갈륨계 반도체 적층구조물을 빛이 통과하여 오목부에 도달하면 공기/반도체, 산화물/반도체, 반도체/기판 사이의 굴절율 차이로 인하여 오목부에서 빛의 경로가 굴절하게 된다.The light extracting structure 250 formed on the upper surface of the substrate 210 may be formed as a concave portion (not shown) recessed inside the substrate 210 from the upper surface of the substrate 210. The concave portion may be filled with at least one of air (refractive index 1), oxide (for example, SiO 2 having a refractive index of 1.4) or a semiconductor layer. When the concave portion is formed on the upper surface of the substrate 210, the light is passed through the gallium nitride based semiconductor laminated structure having a refractive index of 2.4 to reach the concave portion, and the refractive index difference between air / semiconductor, oxide / semiconductor, The path of the light is refracted in the concave portion.

상기 기판(210)의 하부면에 상기 기판(210)의 하부면 내측으로 삽입되는 삽입체(252)인 광추출 구조(250)를 형성할 수도 있다. 상기 기판(210)의 하부면 상에 원하는 형상의 개구부를 갖는 식각 마스크를 형성하고 습식 식각 또는 건식 식각방법으로 상기 기판(210)을 패터닝하여 오목부(미도시)를 형성한 후, 상기 오목부가 형성된 기판의 하부면 상에 상기 제1 반사층(220)을 형성하는 경우에 상기 제1 반사층(220)을 형성하는 과정에서 상기 제1 반사층(220)을 이루는 물질이 오목부의 적어도 일부를 채움으로써 상기 기판(210)의 하부면 내측으로 삽입되는 삽입체(252, 또는 제1 반사층에서 연장되는 돌출부)인 광추출 구조(250)를 형성하게 된다. 아울러, 상기 기판(210)의 하부면을 패터닝하여 돌출부(미도시)인 광추출 구조를 형성하는 것도 가능하다. 상기 삽입체(252)는 상기 기판(210)을 패터닝한 후에 상기 제1 반사층(220)을 형성하면서 제1 반사층을 형성하는 재료로 채워져서 형성되므로, 상기 삽입체(252)의 반사면에 의해 상기 활성층(232)으로부터 발광되는 빛이 반사되어 상기 측면 발광다이오드(200)의 측면을 통하여 효과적으로 광추출될 수 있게 된다.A light extracting structure 250 may be formed on the lower surface of the substrate 210. The light extracting structure 250 may be an insert 252 inserted into the lower surface of the substrate 210. An etch mask having an opening having a desired shape is formed on the lower surface of the substrate 210 and a recess (not shown) is formed by patterning the substrate 210 by a wet etching or a dry etching method, When the first reflective layer 220 is formed on the lower surface of the formed substrate, the material forming the first reflective layer 220 may fill at least a part of the concave portion in the process of forming the first reflective layer 220, (250), which is an insert (252, or a protrusion extending from the first reflective layer) inserted into the lower surface of the substrate (210). In addition, the lower surface of the substrate 210 may be patterned to form a light extracting structure (not shown). Since the insert 252 is formed by filling the first reflective layer 220 with the material forming the first reflective layer 220 after patterning the substrate 210, The light emitted from the active layer 232 is reflected and can be effectively extracted through the side surface of the side light emitting diode 200.

종래의 측면 발광다이오드(또는 측면 방출 방식의 발광다이오드)는 발광다이오드칩의 측면에서 직접 빛이 방출되는 것이 아니라 상부 또는 하부 방출방식의 일반적인 발광다이오드칩에서 상부 또는 하부로 방출되는 빛을 렌즈를 이용하여 측면방향으로 방출시키는 발광다이오드로 구현되었는데, 이러한 종래의 측면 발광다이오드는 빛의 방향을 변화시켜주는 렌즈가 반드시 필요하고, 이러한 렌즈는 발광다이오드칩의 높이에 비하여 매우 큰 높이를 갖기 때문에 렌즈의 두께에 따라 측면 발광다이오드의 전체 두께도 두꺼울 수 밖에 없었다. 그러나, 본 발명에 따른 측면 발광다이오드(200)는 렌즈없이도 발광다이오드칩의 측면에서 직접 빛이 방출될 수 있는 측면 발광다이오드칩으로, 종래의 측면 발광다이오드와 달리 렌즈를 제거할 수 있어 측면 발광다이오드의 두께를 현저히 낮출 수 있다.The conventional side light emitting diode (or the light emitting diode of the side emitting type) does not emit light directly from the side of the light emitting diode chip but uses light emitted from the upper or lower emitting type general LED chip Emitting diode in a lateral direction. In such a conventional side light-emitting diode, a lens for changing the direction of light is necessarily required. Since such a lens has a very large height compared with the height of the LED chip, The total thickness of the side light emitting diodes has to be thick depending on the thickness. However, the side light emitting diode 200 according to the present invention is a side light emitting diode chip that can emit light directly from the side of the light emitting diode chip without a lens. Unlike the conventional side light emitting diode, Can be significantly reduced.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 면광원의 도광판에 형성된 수용부와 측면 발광다이오드를 나타내는 개략도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 면광원의 도광판에 형성된 수용부와 측면 발광다이오드를 나타내는 단면도이다.FIG. 3 is a schematic view illustrating a receiving portion and a side light emitting diode formed on a light guide plate of a planar light source according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross- Fig.

도 3 및 도 4를 참조하면, 면광원의 도광판에 형성된 수용부(300)와 측면 발광다이오드(310)의 여유 부분에 형광체(320)가 제공된다. 상기 형광체(320)는 상기 측면 발광다이오드(310)에서 방출되는 빛을 백색광으로 만들어주는 역할을 하는데, 상기 측면 발광다이오드(310)에서 방출되는 빛의 색에 보색관계에 있는 색의 형광체를 사용하여 구현할 수 있다. 일 실시예로, 청색 측면 발광다이오드를 사용할 경우에는 황색 형광체를 사용하는데, 상기 청색 측면 발광다이오드에서 방출되는 350 내지 450㎚ 파장 영역의 청색광(B)과 상기 황색 형광체가 여기됨으로 방사되는 550 내지 650㎚ 파장 영역의 황색광(Y = R + G)이 혼합되어 480 내지 530㎚ 파장 영역의 백색광(W)이 출사된다. 그리고 상기 황색 형광체로는 InGaN, YAG:Ce, ZnS:Mn 등의 물질을 이용할 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, the phosphor 320 is provided in the accommodating portion 300 formed on the light guide plate of the surface light source and the margin portion of the side light emitting diode 310. The phosphor 320 serves to convert the light emitted from the side light emitting diode 310 into white light. A phosphor having a color complementary to the color of the light emitted from the side light emitting diode 310 is used Can be implemented. In one embodiment, a yellow phosphor is used when a blue side light emitting diode is used, and a blue light B having a wavelength of 350 to 450 nm emitted from the blue side light emitting diode and a blue light B having a wavelength of 550 to 650 (Y = R + G) in the wavelength range of 480 to 530 nm is mixed to emit the white light W in the wavelength range of 480 to 530 nm. As the yellow phosphor, materials such as InGaN, YAG: Ce, and ZnS: Mn can be used.

또한, 상기 형광체(320)는 액상의 에폭시(Epoxy)나 실리콘 또는 그 조합의 투명 수지(330)에 혼합하여 여유 공간을 채우는 방식으로 제공될 수 있고, 상기 형광체(320)가 포함된 투명 수지층인 형광층으로 형성될 수 있는데, 상기 형광층으로 형성되는 경우에는 도포, 인쇄, 분사, 증착하는 방법 등으로 형성할 수 있으며, 그 제공 방식에는 특별한 제한이 없다. 그리고 상기 형광체(320)가 제공될 때에는 상기 수용부(300)를 완전히 채워 상기 도광판(120)의 표면과 일치되도록 하는 것이 좋은데, 이렇게 되면 상기 도광판(120)의 상부면 또는 하부면이 평탄하게 되고 상기 도광판(120) 상에 다른 층들을 적층할 수 있게 된다.The phosphor 320 may be provided in such a manner that the phosphor 320 is mixed with a liquid epoxy or silicon or a combination of the transparent resin 330 to fill the clearance space, The fluorescent layer may be formed by applying, printing, spraying or vapor-depositing the fluorescent layer. The method of providing the fluorescent layer is not particularly limited. When the fluorescent material 320 is provided, it is preferable that the receiving portion 300 is completely filled with the surface of the light guide plate 120. In this case, the upper surface or the lower surface of the light guide plate 120 becomes flat So that other layers can be stacked on the light guide plate 120.

한편, 상기 측면 발광다이오드(310)는 제1 반사층(311) 또는 제2 반사층(312)에 광출사구(313)를 포함할 수 있다. 상기 광출사구(313)는 상기 면광원의 광 균일도를 향상시키기 위해 형성하는 것으로, 복수의 상기 측면 발광다이오드(310)가 직하형으로 배치되어 면광원이 되면 상기 측면 발광다이오드(310)에서 빛이 방출되지 않는 상기 측면 발광다이오드(310)의 상부 또는 하부는 그 휘도가 다른 부분보다 상대적으로 낮아지게 되는데, 이러한 문제를 상기 측면 발광다이오드(310)의 상기 제1 반사층(311) 또는 제2 반사층(312)에 상기 광출사구(313)를 형성하여 어느 정도의 빛을 상부 또는 하부로 출사시킴으로써 해결할 수 있게 된다. 또한, 상기 광출사구(313)는 상기 제1 반사층(311) 또는 제2 반사층(312) 중 적어도 어느 하나의 반사층에 하나 이상의 오픈부를 형성하여 제공될 수 있고, 둘 이상의 오픈부를 형성하는 경우에는 서로 이격되게 형성할 수 있는데, 그 형태나 형성방법에 특별히 제한되지 않는다. 그리고 상기 광출사구(313)는 빛을 완전방출하는 것이 아니라 빛의 일부를 출사시키는 것으로서, 복수로 형성되는 상기 광출사구(313)의 총 넓이는 상기 측면 발광다이오드(310)의 상부면 또는 하부면(즉, 제1 반사층 또는 제2 반사층) 전체면적의 10% 정도가 바람직할 것이나, 여러 가지를 고려하여 상기 광출사구(313)의 총 넓이를 정할 수 있다. 이때 상기 광출사구(313)에서 방출되는 빛은 상기 측면 발광다이오드(310)의 측면에서 방출되는 빛에 비하여 상당히 적은 양이다.The side light emitting diode 310 may include a light output port 313 in the first reflective layer 311 or the second reflective layer 312. The plurality of side light emitting diodes 310 are disposed directly under the light emitting diodes 310 so that light is emitted from the side light emitting diodes 310 to the light emitting diodes 310. [ The upper or lower portion of the side light emitting diode 310 that is not emitting light is relatively lower than the other portions of the light emitting diode 310. This problem can be solved by using the first reflective layer 311 or the second reflective layer 310 of the side light emitting diode 310, It is possible to solve this problem by forming the light emission port 313 in the light emitting portion 312 and emitting a certain amount of light to the upper or lower portion. The light output port 313 may be provided by forming one or more open portions in at least one of the first and second reflective layers 311 and 312. When two or more open portions are formed They may be formed to be spaced apart from each other, but the shape and formation method thereof are not particularly limited. The total width of the plurality of the light output ports 313 is not limited to the upper surface of the side light emitting diode 310, 10% of the total area of the lower surface (that is, the first reflection layer or the second reflection layer) is preferable, but the total width of the light output port 313 can be determined in consideration of various factors. At this time, the light emitted from the light output port 313 is much smaller than the light emitted from the side surface of the side light emitting diode 310.

또한, 상기 측면 발광다이오드(310)의 상기 제1 반사층(311) 또는 제2 반사층(312)에 상기 광출사구(313)가 형성되는 경우에는 상기 수용부(300)의 깊이는 상기 측면 발광다이오드(310)의 두께보다 반드시 커야하며, 상기 광출사구(313)가 형성되어 빛이 방출되는 상부면 또는 하부면 상에 상기 형광체(320)가 제공되어야 한다. 이때 상기 형광체(320)는 도포, 인쇄, 분사, 증착하는 방법 등으로 제공될 수 있고, 상술한 제공 방법으로 제공될 수도 있는데, 그 제공 방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 그리고 상기 도광판(120)의 상면(또는 하면)을 평탄하게 하는 것이 중요한데, 상기 도광판(120)의 상면(또는 하면)이 평탄하게 되면 상기 도광판(120) 상에 다른 층들을 쉽게 적층할 수 있게 된다.When the light output port 313 is formed in the first reflective layer 311 or the second reflective layer 312 of the side light emitting diode 310, The phosphor 320 must be provided on the upper surface or the lower surface where the light exit port 313 is formed and light is emitted. At this time, the phosphor 320 may be provided by a method of applying, printing, spraying, or depositing, and may be provided by the above-described providing method. However, there is no particular limitation on the method of providing the phosphor 320. It is important to flatten the top surface (or the bottom surface) of the light guide plate 120. When the top surface (or bottom surface) of the light guide plate 120 is flattened, other layers can be easily stacked on the light guide plate 120 .

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 면광원(100)은 렌즈를 제거하여 현저하게 얇아진 측면 발광다이오드를 광원으로 사용함으로 상기 면광원 전체 두께의 대부분을 차지하는 도광판의 두께를 효과적으로 줄일 수 있고, 종래에는 상기 도광판의 두께로 인해 전체적인 상기 면광원(100)의 두께를 박형화하는데 한계를 나타내었지만 상기 도광판의 두께를 효과적으로 줄이므로 상기 면광원(100)의 두께를 얇게 할 수 있어서 플렉시블(flexible)한 면광원을 제작하는데에 이점이 있다. 자세히 살펴보면, 종래의 측면 발광다이오드는 발광다이오드칩의 높이에 비하여 매우 큰 높이를 갖는 렌즈를 반드시 필요로 하는 구조였기 때문에 측면 발광다이오드의 두께는 렌즈의 두께(약 1∼10㎜)에 따라 두꺼울 수 밖에 없었지만, 상기 측면 발광다이오드(200)는 발광다이오드칩의 상하부에 각각 반사층을 형성하여 빛을 발광다이오드칩의 측면으로 직접 방출하는 측면 발광다이오드칩 자체로서, 렌즈가 필요없기 때문에 측면 발광다이오드의 두께를 현저히 줄일 수 있고, 이에 따라 상기 도광판(120)의 두께도 측면 발광다이오드칩의 두께(약 100∼150㎛)까지 줄일 수 있다. 또한, 상기 면광원(100) 전체 두께의 대부분을 차지하는 상기 도광판(120)의 두께가 약 100∼150㎛까지 매우 얇아지므로 상기 면광원(100)의 전체 두께를 줄일 수 있어 플렉시블(flexible)한 면광원을 제작하는 것이 가능하게 된다.
As described above, the planar light source 100 according to the embodiment of the present invention can effectively reduce the thickness of the light guide plate which occupies most of the entire thickness of the planar light source by removing the lens and using the significantly thinned side light emitting diode, The thickness of the planar light source 100 can be reduced because the thickness of the planar light source 100 is reduced by the thickness of the light guide plate. However, the thickness of the planar light source 100 can be reduced, There is an advantage in producing a planar light source. In detail, since the conventional side light emitting diode requires a lens having a very large height compared with the height of the LED chip, the thickness of the side light emitting diode is thick according to the thickness of the lens (about 1 to 10 mm) The side light emitting diode 200 is a side light emitting diode chip itself that forms a reflective layer on the upper and lower portions of the light emitting diode chip to directly emit light to the side of the light emitting diode chip. The thickness of the light guide plate 120 can be reduced to the thickness of the side light emitting diode chip (about 100 to 150 mu m). Since the thickness of the light guide plate 120, which occupies most of the entire thickness of the planar light source 100, is reduced to about 100 to 150 占 퐉, the entire thickness of the planar light source 100 can be reduced, It becomes possible to manufacture a light source.

본 발명의 다른 실시예에 따른 면광원의 제조방법은 하부판에 전기적 배선을 형성하는 단계; 상기 전기적 배선에 복수의 측면 발광다이오드를 접속하는 단계; 및 도광판에 형성된 서로 이격된 복수의 수용부가 상기 복수의 측면 발광다이오드에 대응되도록 상기 도광판을 상기 하부판 상에 적층하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a planar light source, including: forming an electrical wiring on a bottom plate; Connecting a plurality of side light emitting diodes to the electrical wiring; And stacking the light guide plate on the lower plate such that a plurality of spaced apart receiving portions formed on the light guide plate correspond to the plurality of side light emitting diodes.

상기 전기적 배선은 전도성 물질을 상기 하부판 상에 인쇄하여 형성할 수 있는데, 그 방법에 있어서 제한되지 않고 상기 하부판의 두께를 얇게 할 수 있으면 족하다. 그리고 상기 복수의 측면 발광다이오드는 상기 전기적 배선에 플립칩 본딩함으로 접속시킬 수 있는데, 측면 발광다이오드칩을 본딩하는 것만으로 전기적 접속이 가능하면 족하고 특별히 제한되는 것은 아니다.The electrical interconnection may be formed by printing a conductive material on the bottom plate. The thickness of the bottom plate can be reduced without limitation. The plurality of side light emitting diodes may be connected by flip-chip bonding to the electrical wiring. However, the electrical connection can be achieved only by bonding the side light emitting diode chip.

또한, 상기 도광판과 상기 수용부에 수용된 측면 발광다이오드 사이에 형광체를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 형광체는 상기 측면 발광다이오드에서 방출되는 빛을 백색광으로 만들어주는 역할을 하며, 액상의 에폭시, 실리콘 등의 투명수지에 상기 형광체를 혼합한 다음 상기 도광판과 상기 수용부에 수용된 측면 발광다이오드 사이에 상기 형광체가 혼합된 투명수지를 충진함으로 제공될 수 있는데, 그 방법에 있어서 특별한 제한은 없다.The method may further include providing a phosphor between the light guide plate and the side light emitting diodes housed in the receiving portion. The phosphor plays a role of converting light emitted from the side light emitting diode into white light. The fluorescent material is mixed with a transparent resin such as a liquid epoxy or silicone, and then the fluorescent material is mixed with the side light emitting diodes The phosphor may be provided by filling a mixed transparent resin, but there is no particular limitation on the method.

그리고 상기 복수의 측면 발광다이오드로부터 방출된 빛을 균일하게 방사하는 확산판을 상기 도광판 상에 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 확산판은 PET나 PC 수지로 형성될 수 있고, 상기 확산판의 상부에 확산 역할을 하는 입자 코팅층이 형성되어 있을 수 있는데, 그 재료와 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.And stacking a diffusion plate uniformly emitting light emitted from the plurality of side light emitting diodes on the light guide plate. The diffusion plate may be formed of PET or PC resin, and a particle coating layer serving as a diffusion may be formed on the diffusion plate. The material and the shape of the diffusion coating plate are not particularly limited.

상기 복수의 측면 발광다이오드는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 각각 형성된 제1 반사층; 및 제 2 반사층을 포함할 수 있으며, 이때 상기 제1 반사층 또는 제2 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층에 상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛 중 일부의 빛이 상기 광출사구로 방출되면 상기 측면 발광다이오드의 상부 또는 하부에서는 빛이 방출되지 않아 그 휘도가 다른 부분보다 상대적으로 낮았던 문제를 해결할 수 있다.The plurality of side light emitting diodes may include a semiconductor stacked structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer; A first reflective layer formed on upper and lower portions of the semiconductor stacked structure, respectively; And forming a light output port that emits light emitted from the semiconductor stacked structure to the outside, on at least one of the first and second reflective layers, When a part of light emitted from the semiconductor stacked structure is emitted to the light output port, light is not emitted from the upper or lower part of the side light emitting diode, and thus the brightness is relatively lower than other parts.

또한, 상기 광출사구가 형성된 반사층 상에 형광체를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 상기 형광체로 인해 상기 광출사구로 나오는 소량의 빛까지도 백색광으로 변환시킬 수 있다.The method may further include the step of providing a phosphor on the reflective layer on which the light output port is formed. Even a small amount of light emitted from the light output port can be converted into white light due to the phosphor.

본 발명의 다른 실시예에 따른 면광원의 제조방법에서 이상의 설명 외에 면광원과 관련하여 앞서 설명된 부분들은 생략하였다.In the method of manufacturing the planar light source according to another embodiment of the present invention, the parts described above in connection with the planar light source are omitted in addition to the above description.

상기 설명에서 사용한 “~ 상”의 의미는 위치에 관계없이 표면에 직접 접촉하는 경우와 직접 접촉하지는 않지만 위치상 상부(위쪽)에 위치하는 경우를 포함하고, 그 면적에 관계없이 위치상 위쪽에 있거나 표면에 직접 접촉해 있다는 의미로 사용하였다. 또한, “~ 상부(하부)”의 의미는 직접 접촉하는 경우와 직접 접촉하지는 않지만 상부(하부)에 위치하는 경우를 포함하며, 그 면적에 관계없이 높이가 더 높은 곳(낮은 곳)에 위치하면 족하고, 위치상 위쪽(아래쪽)에 있거나 상부면(하부면)에 직접 접촉해 있다는 의미로 사용하였다.
The term " up to " as used in the above description refers to the case where the contact is directly in contact with the surface regardless of its position, but not in direct contact with the surface, It is used in the sense that it is in direct contact with the surface. The term " upper part (lower part) " means the case where the upper part (lower part) is not in direct contact with the case of direct contact but includes the case where the upper part (Bottom) or in direct contact with the top (lower) surface.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limited to the embodiments set forth herein. Those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments may be possible. Accordingly, the technical scope of the present invention should be defined by the following claims.

100 : 면광원 110 : 하부판
111 : 접속부 120 : 도광판
121, 300 : 수용부 130, 200, 310 : 측면 발광다이오드
131 : 본딩메탈(본딩패드) 140 : 확산판
150 : 외부전원 210 : 기판
220, 311 : 제1 반사층 230 : 반도체 적층구조물
231 : n형 반도체층 232 : 활성층
233 : p형 반도체층 240, 312 : 제2 반사층
250 : 광추출 구조 251 : 돌출부
252 : 삽입체 313 : 광출사구
320 : 형광체 330 : 투명 수지100: plane light source 110:
111: connecting part 120: light guide plate
121, 300: receiving part 130, 200, 310: side light emitting diode
131: Bonding metal (bonding pad) 140: Diffusion plate
150: external power source 210: substrate
220, 311: first reflection layer 230: semiconductor laminated structure
231: n-type semiconductor layer 232: active layer
233: p-type semiconductor layer 240, 312: second reflective layer
250: light extracting structure 251:
252: Insertion body 313:
320: phosphor 330: transparent resin

Claims (20)

전기적 신호를 제공하는 배선이 형성된 하부판;
상기 하부판 상에 적층되고, 상하가 개방된 오픈부 형상의 복수의 수용부가 서로 이격되어 형성된 도광판; 및
상기 도광판에 형성된 복수의 수용부에 각각 수용되는 복수의 측면 발광다이오드칩; 및
상기 도광판 상에 적층되는 확산판을 포함하고,
상기 측면 발광다이오드칩은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물을 포함하며,
상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 제1 반사층 및 제 2 반사층을 각각 형성하여 상기 활성층에서 발광된 빛이 상기 측면 발광다이오드칩의 측면을 통하여 방출되고,
상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층 중에서 적어도 어느 하나의 반사층은 상기 활성층에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 포함하며,
상기 복수의 수용부는 상기 복수의 측면 발광다이오드칩이 수용되고 남는 여유 공간에 형광체가 포함된 투명 수지가 채워지고,
상기 투명 수지는 상기 복수의 수용부를 완전히 채워 상기 도광판의 상부면 및 하부면과 평탄면을 형성하며,
상기 확산판은 상기 측면 발광다이오드칩의 측면으로 방출되어 상기 도광판을 지나 입사되는 빛과 상기 광출사구로 출사되어 직접 입사되는 빛을 내부에서 산란 또는 확산되도록 하여 균일하게 빛을 방사하는 면광원.
A bottom plate on which wiring for providing an electrical signal is formed;
A light guide plate laminated on the lower plate and having a plurality of openings in the upper and lower openings and spaced apart from each other; And
A plurality of side light emitting diode chips housed in a plurality of receiving portions formed in the light guide plate; And
And a diffusion plate laminated on the light guide plate,
The side light emitting diode chip includes a semiconductor stacked structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer,
A first reflective layer and a second reflective layer are formed on upper and lower sides of the semiconductor laminated structure, respectively, so that light emitted from the active layer is emitted through the side surface of the side-emitting LED chip,
Wherein at least one of the first reflective layer and the second reflective layer includes a light exit port for emitting light emitted from the active layer to the outside,
Wherein the plurality of receiving portions are filled with a transparent resin containing a fluorescent material in an empty space in which the plurality of side light emitting diode chips are accommodated,
Wherein the transparent resin completely fills the plurality of receiving portions to form a flat surface with the upper surface and the lower surface of the light guide plate,
Wherein the diffuser plate emits light to the side surface of the side light emitting diode chip and emits light uniformly through the light incident through the light guide plate and scattering or diffusing light directly incident on the light emitting aperture.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 하부판은 입사하는 빛을 상부로 반사하는 반사면을 포함하는 면광원.
The method according to claim 1,
Wherein the bottom plate includes a reflecting surface for reflecting incident light upward.
청구항 1에 있어서,
상기 하부판은 투광성 재료로 형성되는 면광원.
The method according to claim 1,
Wherein the bottom plate is made of a light-transmitting material.
청구항 1에 있어서,
상기 도광판은 상기 측면 발광다이오드칩과 두께가 같거나 두꺼운 면광원.
The method according to claim 1,
Wherein the light guide plate has a thickness equal to or thicker than that of the side light emitting diode chip.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1 반사층은 상기 반도체 적층구조물이 형성되는 기판의 일면에 형성되고,
상기 제2 반사층은 상기 반도체 적층구조물 상에 형성되는 면광원.
The method according to claim 1,
Wherein the first reflective layer is formed on one surface of a substrate on which the semiconductor laminated structure is formed,
And the second reflective layer is formed on the semiconductor laminated structure.
청구항 8에 있어서,
상기 기판의 상부면 또는 하부면 중에서 적어도 어느 하나의 면 측에는 광추출 구조를 포함하는 면광원.
The method of claim 8,
Wherein at least one of the upper surface and the lower surface of the substrate includes a light extracting structure.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 면광원은 유연성을 갖는 면광원.
The method according to claim 1,
The planar light source is flexible.
청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 5, 청구항 8 내지 청구항 9, 및 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 면광원은 조명 장치 또는 백라이트 유닛(BLU)인 면광원.
The method of any one of claims 1, 3, 4, 5, 8, 9, and 12,
Wherein the surface light source is an illumination device or a backlight unit (BLU).
하부판에 전기적 배선을 형성하는 단계;
상기 전기적 배선에 복수의 측면 발광다이오드칩을 접속하는 단계; 및
도광판에 상하가 개방된 오픈부 형상으로 서로 이격되어 형성된 복수의 수용부가 상기 복수의 측면 발광다이오드칩에 대응되도록 상기 도광판을 상기 하부판 상에 적층하는 단계; 및
상기 복수의 측면 발광다이오드칩으로부터 방출된 빛을 균일하게 방사하는 확산판을 상기 도광판 상에 적층하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 측면 발광다이오드칩은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 적층구조물; 상기 반도체 적층구조물의 상부와 하부에 각각 형성된 제1 반사층; 및 제 2 반사층;을 포함하며,
상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛은 상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층에서 반사되어 상기 측면 발광다이오드칩의 측면을 통하여 방출되고,
상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층 중에서 적어도 하나의 반사층에 상기 반도체 적층구조물에서 발광된 빛을 외부로 방출하는 광출사구를 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 도광판의 상부면 및 하부면과 평탄면을 형성하도록 형광체가 포함된 투명 수지를 상기 복수의 수용부 중 상기 복수의 측면 발광다이오드칩이 수용되고 남는 여유 공간에 완전히 채우는 단계를 더 포함하고,
상기 확산판은 상기 측면 발광다이오드칩의 측면으로 방출되어 상기 도광판을 지나 입사되는 빛과 상기 광출사구로 출사되어 직접 입사되는 빛을 내부에서 산란 또는 확산되도록 하여 균일하게 빛을 방사하는 면광원 제조방법.
Forming electrical wiring on the bottom plate;
Connecting a plurality of side light emitting diode chips to the electrical wiring; And
Stacking the light guide plate on the lower plate so that a plurality of storage portions formed in the open side of the light guide plate in an open form and spaced apart from each other correspond to the plurality of side light emitting diode chips; And
And stacking a diffusion plate uniformly emitting light emitted from the plurality of side-surface light-emitting diode chips on the light guide plate,
The plurality of side light emitting diode chips may include a semiconductor stacked structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer; A first reflective layer formed on upper and lower portions of the semiconductor stacked structure, respectively; And a second reflective layer,
The light emitted from the semiconductor laminated structure is reflected by the first reflective layer or the second reflective layer and is emitted through the side surface of the side light emitting diode chip,
Further comprising the step of forming a light outgoing port in at least one of the first reflective layer and the second reflective layer to emit light emitted from the semiconductor stacked structure to the outside,
Further comprising the steps of: completely filling a transparent resin containing a fluorescent material so as to form a flat surface with the upper surface and the lower surface of the light guide plate in an empty space in which the plurality of side light emitting diode chips are accommodated,
Wherein the diffuser plate is disposed on a side surface of the side light emitting diode chip, and the light emitted through the light guide plate and the light emitted directly to the light exit port are scattered or diffused inward to emit light uniformly, .
청구항 14에 있어서,
상기 전기적 배선을 형성하는 단계는 전도성 물질을 상기 하부판 상에 인쇄하여 형성하는 것인 면광원 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the step of forming the electrical wiring is performed by printing a conductive material on the bottom plate.
청구항 14에 있어서,
상기 복수의 측면 발광다이오드칩을 접속하는 단계는 상기 복수의 측면 발광다이오드칩을 플립칩 본딩하여 상기 전기적 배선에 접속하는 것인 면광원 제조방법.15. The method of claim 14,
Wherein the step of connecting the plurality of side light emitting diode chips comprises flip chip bonding the plurality of side light emitting diode chips and connecting the plurality of side light emitting diode chips to the electrical wiring. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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