KR20220136961A - Back light unit - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit.
자체 발광원이 없는 수광형 소자인 디스플레이 장치는 화면 전체를 후면에서 조명할 수 있는 별도의 광원 장치가 필요하다. 이러한 디스플레이 장치를 위한 조명 장치를 일반적으로 백라이트 유닛(Back Light Unit)이라 한다.A display device, which is a light-receiving device without a self-luminous source, requires a separate light source device capable of illuminating the entire screen from the rear side. A lighting device for such a display device is generally referred to as a backlight unit.
일반적으로 백라이트 유닛은 LED 칩과 같이 광을 방출하는 광원이 배치되는 방식에 따라 에지형과 직하형으로 구분한다.In general, the backlight unit is classified into an edge type and a direct type according to a method in which a light source emitting light, such as an LED chip, is arranged.
에지형 백라이트 유닛은 광을 안내하는 도광판의 측면에 광원이 배치되는 방식이다. 그러나 에지형 백라이트 유닛은 발광 다이오드 칩이 도광판의 측면을 따라 배치되기 때문에 디스플레이 장치의 베젤을 얇게 하는데 한계가 있었다. 또한, 에지형 백라이트 유닛은 일반적으로 회로 기판에 실장된 복수의 발광 다이오드 칩이 직렬 연결되어 있어 개별적으로 동작시킬 수 없다는 문제점이 있다.The edge type backlight unit is a method in which a light source is disposed on a side surface of a light guide plate for guiding light. However, the edge type backlight unit has a limitation in thinning the bezel of the display device because the light emitting diode chip is disposed along the side surface of the light guide plate. In addition, the edge type backlight unit generally has a problem in that a plurality of light emitting diode chips mounted on a circuit board are connected in series and thus cannot be operated individually.
직하형 백라이트 유닛은 도광판의 하부에 광원을 배열시켜 디스플레이 패널 전면을 조명하는 방식이다. 그러나 직하형 백라이트 유닛은 도광판 하부에 발광 다이오드 칩이 배치되기 때문에, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치의 두께를 감소시키는데 한계가 있다.The direct backlight unit illuminates the entire surface of the display panel by arranging a light source under the light guide plate. However, in the direct backlight unit, since the light emitting diode chip is disposed under the light guide plate, there is a limitation in reducing the thickness of the backlight unit and the display device.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 디스플레이 장치의 두께를 감소시킬 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a backlight unit capable of reducing the thickness of a display device.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 로컬 디밍(Local Dimming)이 가능하면서 디스플레이 장치의 두께 감소도 가능한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit capable of reducing the thickness of a display device while enabling local dimming.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 하는 광 제어가 용이한 백라이트 유닛을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit with easy light control so that the light uniformity is 90% or more.
본 발명의 실시 예에 따르면, 도광판, 회로 기판, 발광 다이오드 칩, 반사 부재 및 밀봉 부재를 포함하는 백라이트 유닛이 제공된다. 도광판은 상부면에서 하부면까지 관통하는 적어도 하나의 개구부가 형성된다. 회로 기판은 도광판 하부에 배치된다. 발광 다이오드 칩은 회로 기판에 실장되어 도광판의 개구부에 배치된다. 반사 부재는 발광 다이오드 칩의 상면에 형성된다. 밀봉 부재는 발광 다이오드 칩의 적어도 측면과 도광판의 개구부의 내벽 사이에 위치한다. 여기서, 반사 부재는 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 도광판의 입사면인 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시킨다. 또한, 백라이트 유닛은 도광판의 상면에서 방출되는 광과 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이다.According to an embodiment of the present invention, a backlight unit including a light guide plate, a circuit board, a light emitting diode chip, a reflective member, and a sealing member is provided. The light guide plate has at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface. The circuit board is disposed under the light guide plate. The light emitting diode chip is mounted on a circuit board and disposed in an opening of the light guide plate. The reflective member is formed on the upper surface of the light emitting diode chip. The sealing member is positioned between at least a side surface of the light emitting diode chip and an inner wall of the opening of the light guide plate. Here, the reflective member reflects a portion of the light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip toward the inner wall of the opening, which is the incident surface of the light guide plate. Also, in the backlight unit, the uniformity of light emitted from the upper surface of the light guide plate and light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate is 90% or more.
본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 도광판에 개구부를 형성하여, 발광 다이오드 칩을 도광판의 개구부에 배치하여 두께 감소가 가능하다.In the backlight unit according to an embodiment of the present invention, an opening is formed in the light guide plate, and the light emitting diode chip is disposed in the opening of the light guide plate, so that the thickness can be reduced.
본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 발광 다이오드 칩이 도광판 전체에 고르게 배치될 수 있어, 두께 감소와 더불어 로컬 디밍이 가능하다.In the backlight unit according to an embodiment of the present invention, the light emitting diode chip may be evenly disposed on the entire light guide plate, so that the thickness can be reduced and local dimming is possible.
본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 도광판의 상면에서 방출되는 광과 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 하는 광 제어가 용이하다. 백라이트 유닛이 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 제어 가능하므로, 백라이트 유닛을 적용한 디스플레이 장치의 얼룩 현상도 최소화할 수 있다.In the backlight unit according to an embodiment of the present invention, it is easy to control the light so that the uniformity of the light emitted from the upper surface of the light guide plate and the light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate is 90% or more. Since the backlight unit can be controlled so that the light uniformity is 90% or more, it is possible to minimize the unevenness of the display device to which the backlight unit is applied.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.1 and 2 are exemplary views illustrating a backlight unit according to a first embodiment of the present invention.
3 is an exemplary view illustrating a light emitting diode chip and a reflective member according to the first embodiment.
4 is an exemplary view illustrating a light emitting diode chip and a reflective member according to a second embodiment.
5 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a second embodiment of the present invention.
6 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a third embodiment of the present invention.
7 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a sixth embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예시로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참고번호들은 동일한 구성요소들을 나타내고 유사한 참고번호는 대응하는 유사한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Throughout the specification, like reference numbers refer to like elements and like reference numbers refer to corresponding like elements.
본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛은 도광판, 회로 기판, 발광 다이오드 칩, 반사 부재 및 밀봉 부재를 포함한다. 상기 도광판은 상부면에서 하부면까지 관통하는 적어도 하나의 개구부가 형성된다. 상기 회로 기판은 상기 도광판 하부에 배치된다. 상기 발광 다이오드 칩은 상기 회로 기판에 실장되어 상기 도광판의 상기 개구부에 배치된다. 상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에 형성된다. 상기 밀봉 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 적어도 측면과 상기 도광판의 상기 개구부의 내벽 사이에 위치한다. 여기서, 상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 상기 도광판의 입사면인 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시킨다. 또한, 백라이트 유닛은 상기 도광판의 상면에서 방출되는 광과 상기 도광판의 개구부의 상부에서 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이다.A backlight unit according to an embodiment of the present invention includes a light guide plate, a circuit board, a light emitting diode chip, a reflective member, and a sealing member. The light guide plate has at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface. The circuit board is disposed under the light guide plate. The light emitting diode chip is mounted on the circuit board and disposed in the opening of the light guide plate. The reflective member is formed on the upper surface of the light emitting diode chip. The sealing member is positioned between at least a side surface of the light emitting diode chip and an inner wall of the opening of the light guide plate. Here, the reflective member reflects a portion of the light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip toward the inner wall of the opening, which is the incident surface of the light guide plate. Also, in the backlight unit, the uniformity of light emitted from the upper surface of the light guide plate and light emitted from the upper portion of the opening of the light guide plate is 90% or more.
일 실시 예에 따르면, 상기 반사 부재는 서로 다른 면적을 갖는 복수의 반사 부재로 구성될 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 멀어질수록 면적이 작은 반사 부재가 위치한다.According to an embodiment, the reflective member may include a plurality of reflective members having different areas. In addition, the reflective member having a smaller area is positioned as it moves away from the upper surface of the light emitting diode chip.
상기 반사 부재는 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 부재는 SiO2, TiO2, SiN, TiN 중 적어도 하나로 이루어진다.The reflective member may be formed of a distributed Bragg reflector (DBR). For example, the reflective member is made of at least one of SiO2, TiO2, SiN, and TiN.
또는 상기 반사 부재는 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 부재는 Al 및 Ag 중 적어도 하나로 이루어진다.Alternatively, the reflective member may be made of metal. For example, the reflective member is made of at least one of Al and Ag.
상기 복수의 반사 부재 중 적어도 하나의 반사 부재는 다른 반사 부재와 상이한 재질로 이루어질 수 있다.At least one of the plurality of reflective members may be made of a material different from that of the other reflective members.
상기 복수의 반사 부재 중 적어도 하나의 반사 부재는 다른 반사 부재와 상이한 두께를 가질 수 있다.At least one reflective member of the plurality of reflective members may have a thickness different from that of other reflective members.
상기 밀봉 부재는 상기 도광판과 굴절률 차이가 10% 이하일 수 있다.The sealing member may have a refractive index difference of 10% or less from the light guide plate.
상기 밀봉 부재는 형광체를 더 함유할 수 있다.The sealing member may further contain a phosphor.
다른 실시 예에 따르면, 상기 반사 부재는 반사 물질을 함유한 투광성 수지일 수 있다.According to another embodiment, the reflective member may be a light-transmitting resin containing a reflective material.
상기 밀봉 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상기 도광판의 개구부의 내벽 사이를 채울 수 있다. 이때, 상기 반사 부재는 상기 도광판의 개구부에서 상기 발광 다이오드 칩의 상부 및 상기 밀봉 부재의 상부를 채울 수 있다.The sealing member may fill a gap between a side surface of the light emitting diode chip and an inner wall of the opening of the light guide plate. In this case, the reflective member may fill an upper portion of the light emitting diode chip and an upper portion of the sealing member in the opening of the light guide plate.
또한, 상기 반사 부재는 형광체를 더 함유할 수 있다.In addition, the reflective member may further contain a phosphor.
상기 반사 부재의 상기 투광성 수지는 상기 도광판과 굴절률 차이가 10% 이하일 수 있다.A difference in refractive index between the light-transmitting resin of the reflective member and the light guide plate may be 10% or less.
상기 백라이트 유닛은 상기 발광 다이오드 칩의 측면 및 상면을 둘러싸도록 형성된 파장 변환 부재를 더 포함할 수 있다. 이때, 반사 부재는 상기 파장 변환 부재 상부에 위치할 수 있다. The backlight unit may further include a wavelength conversion member formed to surround side surfaces and upper surfaces of the light emitting diode chip. In this case, the reflective member may be positioned above the wavelength conversion member.
또는 상기 백라이트 유닛은 상기 발광 다이오드 칩의 측면, 상기 반사 부재의 측면 및 상기 반사 부재의 상면을 둘러싸도록 형성된 파장 변환 부재를 더 포함할 수 있다.Alternatively, the backlight unit may further include a wavelength conversion member formed to surround a side surface of the light emitting diode chip, a side surface of the reflection member, and an upper surface of the reflection member.
상기 도광판의 상기 입사면은 상기 개구부가 하부에서 상부로 갈수록 폭이 좁아지도록 기울기를 갖는다.The incident surface of the light guide plate has an inclination such that the width of the opening becomes narrower from the lower part to the upper part.
상기 도광판의 상면은 상기 반사 부재의 상면과 동일선상에 위치하거나 더 높게 위치한다.The upper surface of the light guide plate is positioned on the same line as or higher than the upper surface of the reflective member.
이하 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다.It will be described in detail with reference to the drawings below.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.1 and 2 are exemplary views illustrating a backlight unit according to a first embodiment of the present invention.
도 1은 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)을 간략하게 나타낸 평면도이다. 또한, 도 2는 도 1의 단면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a
도 1을 참고하면, 제1 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , the
도광판(110)은 투명한 재질로 이루어진다. 예를 들어, 도광판(110)은 PMMA(polymethyl naphthalate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.The
본 발명의 실시 예에 따르면, 도광판(110)은 상면과 하면을 관통하는 적어도 하나의 개구부(111)가 형성되어 있다. 복수의 개구부(111)는 도광판(110)의 전체에 일정한 간격을 갖도록 배열된다. According to an embodiment of the present invention, the
도광판(110)의 개구부(111)에는 발광 다이오드 칩(130) 및 발광 다이오드 칩(130)의 상면에 배치된 반사 부재(140)가 수용되어 있다. 즉, 도광판(110)의 상면의 높이는 반사 부재(140)의 상면과 동일선상에 위치하거나 더 높게 위치한다.The light emitting
본 발명의 실시 예에서는 미도시되었지만, 백라이트 유닛(100)은 도광판(110) 상에 위치되어 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들을 포함한다.Although not shown in the embodiment of the present invention, the
도광판(110) 하부에는 발광 다이오드 칩(130)이 실장된 회로 기판(120)이 배치된다. 회로 기판(120)은 발광 다이오드 칩(130)과 전기적으로 연결되어 발광 다이오드 칩(130)이 광을 방출하도록 전원을 공급한다. A
발광 다이오드 칩(130)은 회로 기판(120)에 실장된 상태로 도광판(110)의 개구부(111)에 위치하게 된다. 도광판(110)에 복수의 개구부(111)가 형성되어 있다면, 각각의 개구부(111)에 발광 다이오드 칩(130)이 배치될 수 있다. The light emitting
본 발명의 실시 예에 따르면, 발광 다이오드 칩(130)은 상면 및 측면을 통해서 광을 방출하는 구조를 갖는다. 발광 다이오드 칩(130)의 자세한 구조는 이후에 자세히 설명하도록 한다.According to an embodiment of the present invention, the light emitting
발광 다이오드 칩(130)의 측면은 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽과 마주한다. 따라서, 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광은 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽에 입사하게 된다. 즉, 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽은 광이 입사하는 입사면이다. 여기서, 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광은 발광 다이오드 칩(130)의 활성층(미도시)에서 생성되어 발광 다이오드 칩(130)의 측면을 통과한 광을 의미한다.The side surface of the light emitting
발광 다이오드 칩(130)의 상면에는 단층 또는 복수층으로 이루어진 반사 부재(140)가 형성된다. 예를 들어, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)가 차례로 적층되어 있다.A
본 실시 예에 따르면, 제1 반사 부재(141)의 상부에는 제1 반사 부재(141)보다 면적이 작은 제2 반사 부재(142)가 배치된다. 예를 들어, 제1 반사 부재(141)는 발광 다이오드 칩(130)의 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 제2 반사 부재(142)는 제1 반사 부재(141)의 영역 내에 위치한다. 또한, 제2 반사 부재(142)의 상부에는 제2 반사 부재(142)보다 면적이 작은 제3 반사 부재(143)가 배치된다. 이때, 제3 반사 부재(143)는 제2 반사 부재(142)의 영역 내에 위치한다. According to the present exemplary embodiment, the second
이와 같이 형성된 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광의 일부가 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽을 향하도록 반사시킬 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광은 발광 다이오드 칩(130)의 활성층(미도시)에서 생성되어 발광 다이오드 칩(130)의 상면을 통과한 광을 의미한다. 이에 따라 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽은 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광과 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)에 의해서 반사된 광이 입사된다.The first
제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 재질, 두께, 면적 등에 따라 광 반사율이 달라질 수 있다. 따라서, 제1 반사 부재(141) 및 제3 반사 부재(143)의 광 반사율을 조절하여, 도광판(110)의 개구부(111)의 내벽을 향하는 광량을 조절할 수 있다. 더 나아가 제1 반사 부재(141) 및 제3 반사 부재(143)의 광 반사율을 조절하여 도광판(110)의 내부를 거쳐 도광판(110)의 상면에서 방출되는 광과 도광판(110)의 개구부를 통해 방출되는 광의 비율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 백라이트 유닛(100)은 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)를 통해 도광판(110)의 상면을 통해 방출된 광과 도광판(110)의 개구부(111)를 통해 방출된 광의 균일도가 90% 이상될 수 있다.The light reflectance of the first
제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 적어도 일부의 광을 반사시킬 수 있는 어떠한 재질로도 형성될 수 있다. 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 DBR(Distributed Bragg Reflector)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, DBR은 SiO2, TiO2, SiN, TiN 중 하나로 이루어진 층이 한층으로 이루어질 수 있다. 또는 DBR은 SiO2, TiO2, SiN, TiN로 이루어진 각각의 층 중 적어도 2개가 한번 또는 반복적으로 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 또는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 Ag, Al 등의 금속으로 이루어질 수 있다. 또는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143) 중 일부 반사 부재는 금속으로 이루어지며, 다른 반사 부재는 DBR로 이루어질 수도 있다. 본 발명의 실시 예에서, 반사 부재가 3층으로 이루어진 구조를 예시로 하여 설명하고 있지만, 반사 부재의 층수는 반사 부재의 두께, 재질 및 광량 제어에 따라 변경될 수 있다.The first
밀봉 부재(150)는 도광판(110)의 개구부(111)를 채워 발광 다이오드 칩(130)을 덮는다. 이때, 밀봉 부재(150)의 상면과 도광판(110)의 상면은 동일 선상에 위치할 수 있다.The sealing
밀봉 부재(150)는 발광 다이오드 칩(130)을 감싸고 있기 때문에, 수분, 먼지 등과 같은 외부 물질로부터 발광 다이오드 칩(130)을 보호할 수 있다. 또한, 밀봉 부재(150)는 발광 다이오드 칩(130)을 외부 충격으로부터 보호할 수 있다. 밀봉 부재(150)는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등과 같은 이미 공지된 투광성 재질로 형성될 수 있다. 더 나아가서 밀봉 부재(150)는 그 중에서 도광판(110)과 굴절률이 유사한 재질로 형성될 수 있다. 즉, 밀봉 부재(150)는 투광성이며, 도광판(110)과 10% 이하의 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도광판(110)이 PMMA로 이루어질 수 있으며, PMMA의 굴절률은 약 1.49이다. 이때, 밀봉 부재(150)는 투광성이며, 굴절률이 약 1.4~1.6인 실리콘 수지로 이루어질 수 있다. 밀봉 부재(150)가 도광판(110)과 유사한 굴절률을 갖는다면, 도광판(110)을 향하는 광이 도광판(110)과 밀봉 부재(150)의 계면에서 반사되는 것을 최소화할 수 있다.Since the sealing
예를 들어, 도광판(110)은 사출 성형 방식으로 형성될 수 있다. 도광판(110)은 관통하는 개구부(111)를 갖도록 설계된 금형에 도광판 재료를 주입한 후 가압하여 형성될 수 있다. 이렇게 사출 성형된 도광판(110)은 발광 다이오드 칩(130)이 개구부(111)에 위치하도록 회로 기판(110) 상에 배치된다. 이후, 개구부(111)에 밀봉 부재(150)를 채워 백라이트 유닛(100)이 형성될 수 있다. 이와 같은 백라이트 유닛(100)의 제조 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 방식으로 형성될 수 있다.For example, the
종래의 에지형 백라이트 유닛은 발광 다이오드 칩이 도광판의 측면을 따라 배치되기 때문에 디스플레이 장치의 베젤을 얇게 하는데 한계가 있었다. 또한, 에지형 백라이트 유닛은 일반적으로 회로 기판에 실장된 복수의 발광 다이오드 칩이 직렬 연결되어 있어 개별적으로 동작시킬 수 없다는 문제점이 있다.The conventional edge type backlight unit has a limitation in thinning the bezel of the display device because the light emitting diode chip is disposed along the side surface of the light guide plate. In addition, the edge type backlight unit generally has a problem in that a plurality of light emitting diode chips mounted on a circuit board are connected in series and thus cannot be operated individually.
또한, 종래의 직하형 백라이트 유닛은 도광판 하부에 발광 다이오드 칩이 배치되기 때문에, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치의 두께를 감소시키는데 한계가 있다.In addition, since the conventional direct backlight unit has a light emitting diode chip disposed under the light guide plate, there is a limitation in reducing the thickness of the backlight unit and the display device.
그러나 본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)은 발광 다이오드 칩(130)이 도광판(110)의 하부에 위치하는 것이 아니라 개구부(111)를 통해 도광판(110) 내부에 위치하므로, 백라이트 유닛(100) 및 디스플레이 장치의 두께를 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 백라이트 유닛(100)은 회로 기판(120)을 통해서 발광 다이오드 칩(130)을 개별적으로 제어하는 로컬 디밍(Local Dimming)을 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 백라이트 유닛(100)은 반사 부재(140)의 광 반사율을 반사 부재(140)의 크기, 층수, 재질 등을 이용하여 용이하게 제어할 수 있다. 따라서, 본 실시 예의 백라이트 유닛(100)은 도광판(110)의 상면을 통해 방출되는 광과 개구부(1110)의 상부로 방출되는 광의 균일도가 90% 이상이 되도록 하는데 필요한 광 제어가 용이하다. 더 나아가 백라이트 유닛(100)이 균일하게 광을 방출할 수 있으므로, 백라이트 유닛(100)이 적용된 디스플레이 장치(미도시)의 얼룩 현상을 최소화할 수 있다.However, in the
도 3은 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.3 is an exemplary view illustrating a light emitting diode chip and a reflective member according to the first embodiment.
본 실시 예의 발광 다이오드 칩(10)은 백라이트 유닛(도 1 및 도 2의 100)의 발광 다이오드 칩(도 2의 130)의 일 실시 예이다. 본 실시 예의 발광 다이오드 칩(10)은 하부에 양 극성의 전극이 모두 형성된 수평형 구조이다.The light emitting
도 3을 참고하면, 발광 다이오드 칩(10)은 기판(11), 발광 구조체(12), 투명 전극층(16), 제1 전극 패드(17), 제2 전극 패드(18) 및 반사층(19)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the light emitting
기판(11)은 투명 기판이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판(11)은 사파이어 또는 SiC 기판일 수 있다. 또한, 기판(11)은 패터닝된 사파이어 기판(PSS)처럼 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층들을 성장시키기에 적합한 성장기판일 수 있다. The
발광 구조체(12)는 기판(11) 하부에 배치된다. 발광 구조체(12)는 제1 도전형 반도체층(13), 제2 도전형 반도체층(15) 및 제1 도전형 반도체층(13)과 제2 도전형 반도체층(15) 사이에 개재된 활성층(14)을 포함한다. 여기서, 제1 도전형과 제2 도전형은 서로 반대의 도전형으로, 제1 도전형이 n형이고, 제2 도전형이 p형이거나 그 반대일 수 있다.The light emitting structure 12 is disposed under the
제1 도전형 반도체층(13), 활성층(14) 및 제2 도전형 반도체층(15)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(13) 및 제2 도전형 반도체층(15)은 도 3에 도시된 바와 같이 단일층으로 형성될 수 있다. 또는 제1 도전형 반도체층(13) 및 제2 도전형 반도체층(15) 중 적어도 하나는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 활성층(14)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 도 3에는 미도시 되었으나, 기판(11)과 제1 도전형 반도체층(13) 사이에 버퍼층이 형성될 수도 있다.The first conductivity-
제1 도전형 반도체층(13), 제2 도전형 반도체층(15) 및 활성층(14)은 은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(15) 및 활성층(14)은 사진 및 식각 공정으로 제1 도전형 반도체층(13)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝 될 수 있다. 이때, 제1 도전형 반도체층(13)의 일부도 같이 패터닝 될 수 있다.The first conductivity
투명 전극층(16)은 제2 도전형 반도체층(15) 하면에 배치된다. 예를 들어, 투명 전극층(16)은 ITO, ZnO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있다. 투명 전극층(16)은 제2 도전형 반도체층(15)에 비해 비저항이 낮아 전류를 분산시킬 수 있다. The
제1 전극 패드(17)는 제1 도전형 반도체층(13) 하부에 배치되고, 제2 전극 패드(18)는 투명 전극층(16) 하부에 배치된다. 제2 전극 패드(18)는 투명 전극층(16)을 통해서 제2 도전형 반도체층(15)과 전기적으로 연결된다. The
반사층(19)은 제1 전극 패드(17) 및 제2 전극 패드(18)를 제외한 발광 구조체(12)의 하부를 덮도록 형성된다. 또한, 반사층(19)은 제1 도전형 반도체층(13)을 노출시키기 위한 패터닝으로 노출된 활성층(14) 및 제2 도전형 반도체층(15)의 측면을 덮도록 형성된다.The
이와 같이 형성된 반사층(19)은 활성층(14)에서 생성되어 제2 전극 패드(18) 방향으로 진행하는 광을 반사시켜, 발광 다이오드 칩(10)의 상부 또는 측면을 향하도록 한다. 따라서, 발광 구조체(12)에서 생성된 광이 모두 발광면에서만 방출되도록 할 수 있다.The
반사층(19)은 단층 또는 다층의 DBR로 이루어진 절연층 또는 절연층에 둘러싸인 금속층일 수 있다. 반사층(19)이 형성되는 위치 및 구조가 도 3에 도시된 구조로 한정되는 것은 아니다. 반사층(19)은 제2 전극 패드(18)로 향하는 광을 반사시킬 수 있다면 위치 및 구조는 다양하게 변경될 수 있다.The
발광 다이오드 칩(10)의 상면에는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)가 배치된다.A first
제1 반사 부재(141)는 발광 다이오드 칩(10)의 기판(11)의 상면에 배치된다. 이때, 제1 반사 부재(141)는 기판(11)의 상면 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 만약, 제1 반사 부재(141)가 기판(11)보다 작은 면적을 갖도록 형성되면, 외부로 노출된 기판(11) 부분에서만 광이 직접 방출되어 다른 부분 또는 도광판을 통해 방출되는 광량과 크게 차이가 날 수 있다.The first
제2 반사 부재(142)는 제1 반사 부재(141)의 상면에 배치된다. 제2 반사 부재(142)는 제1 반사 부재(141)보다 작은 면적을 갖는다.The second
또한, 제3 반사 부재(143)는 제2 반사 부재(142) 상면에 배치된다. 제3 반사 부재(143)는 제2 반사 부재(142)보다 작은 면적을 갖는다.In addition, the third
발광 다이오드 칩(10)의 상부로 향하는 광은 제1 반사 부재(141)에 의해 일부가 반사되고, 다른 일부는 제1 반사 부재(141)를 통과한다. 이때, 제1 반사 부재(141)를 통과한 광의 일부는 외부로 방출되고, 다른 일부는 제2 반사 부재(142)를 향한다. 제1 반사 부재(141)에서 제2 반사 부재(142)로 향한 광은 제2 반사 부재(142)에 의해서 일부는 반사되고, 다른 일부는 제2 반사 부재(142)를 통과한다. 이때, 제2 반사 부재(142)를 통과한 광의 일부는 외부로 방출되고, 다른 일부는 제3 반사 부재(143)를 향한다. 제2 반사 부재(142)에서 제3 반사 부재(143)로 향한 광은 제3 반사 부재(143)에 의해서 일부는 반사되고, 다른 일부는 제3 반사 부재(143)를 통과한다. 이와 같이, 서로 다른 면적을 갖는 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)를 통해서 발광 다이오드 칩(10)의 상부에서 방출되는 광과 발광 다이오드 칩(10)의 측면을 통해서 방출되는 광의 광량을 조절할 수 있다.A portion of the light directed upward of the light emitting
또한, 발광 다이오드 칩(10)의 상면에 배치된 반사 부재가 단층이 아니라 점점 면적이 작아지는 다층 구조로 형성되는 경우 각 층의 재질, 두께 등을 이용하여 반사율을 조절함으로써, 좀 더 세밀한 광량 조절이 가능하다.In addition, when the reflective member disposed on the upper surface of the light emitting
본 발명의 실시 예에서는 생략하였지만, 제1 도전형 반도체층(13)과 제1 전극 패드(17) 사이 및 제2 도전형 반도체층(15)과 제2 전극 패드(18) 사이에는 오믹 컨택(Ohmic contact)을 위한 오믹 컨택층이 위치할 수 있다.Although omitted in the embodiment of the present invention, an ohmic contact ( An ohmic contact layer for ohmic contact may be located.
도 4는 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩과 반사 부재를 나타낸 예시도이다.4 is an exemplary view illustrating a light emitting diode chip and a reflective member according to a second embodiment.
본 실시 예의 발광 다이오드 칩(20)은 백라이트 유닛(도 1 및 도 2의 100)의 발광 다이오드 칩(도 2의 130)의 다른 실시 예이다. 본 실시 예의 발광 다이오드 칩(20)은 상부와 하부에 각각 하나의 전극이 형성된 수직형 구조이다.The light emitting
제2 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩(20)에 대한 설명 시, 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드 칩(도 3의 10)과 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명은 도 3의 설명을 참고하도록 한다.In the description of the light emitting
도 4를 참고하면, 발광 다이오드 칩(20)은 도전성 기판(21), 발광 구조체(12), 제1 전극 패드(17) 및 반사층(22)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the light emitting
도전성 기판(21)은 발광 구조체(12)를 지지하는 역할뿐만 아니라 제2 도전형 반도체층(15)과 전기적으로 연결되어 제2 전극 패드의 역할도 할 수 있다.The
발광 구조체(12)는 도전성 기판(21)의 상부에 위치한다. 발광 구조체(12)는 도전성 기판(21)의 상부에 제2 도전형 반도체층(15), 활성층(14) 및 제1 도전형 반도체층(13)이 차례대로 적층된 구조를 갖는다.The light emitting structure 12 is positioned on the
도전성 기판(21)과 제2 도전형 반도체층(15) 사이에는 활성층(14)에서 생성되어 도전성 기판(21) 방향으로 방출되는 광을 반사시키는 반사층(22)이 형성될 수 있다. 반사층(22)은 도전성 기판(21)과 제2 도전형 반도체층(15)을 전기적으로 연결하도록 도전성 재질로 형성될 수 있다. 이 반사층(22)은 도전성 기판(21)과 제2 도전형 반도체층(15) 사이의 오믹 컨택층의 역할도 수행할 수 있다.A
제1 도전형 반도체층(13) 상부의 일부에는 제1 전극 패드(17)가 형성된다. 제1 도전형 반도체층(13)과 제1 전극 패드(17) 사이에도 오믹 컨택층이 형성되어 있을 수 있다.A
제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 제1 전극 패드(17)가 형성된 부분을 제외한 제1 도전형 반도체층(13) 상부에 형성될 수 있다.The first
제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)는 DBR로 이루어질 수 있다. 만약, 제1 반사 부재(141)와 제3 반사 부재(143)가 금속으로 형성된다면, 제1 전극 패드(17) 및 제1 도전형 반도체층(13)과의 절연을 위한 절연층이 더 형성되어야 할 것이다. 또는 제1 전극 패드(17)가 생략되고, 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)가 제1 전극 패드(17)의 역할도 수행할 수 있다.The first
이와 같이, 제1 반사 부재(141) 내지 제3 반사 부재(143)에 의해서 발광 다이오드 칩(20)의 상부와 측면에서 방출되는 광량의 제어가 용이하다. 또한, 제1 반사 부재(141) 및 제3 반사 부재(143)가 제1 전극 패드(17)의 역할을 한다면, 제1 전극 패드(17)를 생략할 수도 있다. 따라서, 발광 다이오드 칩(20)의 광이 방출되는 위치 및 광량 제어가 가능하면서도 구조의 단순화가 가능해진다.In this way, it is easy to control the amount of light emitted from the top and side surfaces of the light emitting
도 3 및 도 4를 통해서 반사 부재(140)가 수평형 구조 및 수직형 구조의 발광 다이오드 칩에 형성되는 예시를 설명하였다. 그러나 본 발명의 실시 예에 적용되는 발광 다이오드 칩(도 2의 130)의 구조가 도 3 및 도 4로 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드 칩(도 2의 130)은 와이어 본딩 및 플립칩 본딩이 가능한 어떠한 구조의 발광 다이오드 칩도 가능하다. 또한, 반사 부재(140)도 발광 다이오드 칩(130) 중 광량 제어가 필요한 어떠한 부분에도 형성될 수 있다.An example in which the
또한, 반사 부재(140)가 적용된 다양한 구조의 발광 다이오드 칩(도 2의 130)은 이후 백라이트 유닛의 다른 실시 예에서도 적용될 수 있다.In addition, the light emitting diode chip ( 130 of FIG. 2 ) having various structures to which the
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.5 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a second embodiment of the present invention.
도 5를 참고하면, 제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛(200)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140), 파장 변환 부재(210) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.Referring to FIG. 5 , the
제2 실시 예에 따른 백라이트 유닛(200)의 구성부 중 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140) 및 밀봉 부재(150)에 대한 설명은 이전 실시 예들을 통해서 이미 설명하였다. 따라서, 본 실시 예를 포함한 이후 실시 예에 대한 설명에서 이전에 설명된 중복된 부분은 생략하도록 한다.The description of the
본 실시 예의 백라이트 유닛(200)은 발광 다이오드 칩(130) 및 반사 부재(140)를 둘러싸는 파장 변환 부재(210)를 포함한다. 밀봉 부재(150)는 파장 변환 부재(210)를 둘러싸도록 도광판(110)의 개구부(111)에 채워진다.The
파장 변환 부재(210)는 발광 다이오드 칩(130)에서 방출하는 광의 파장을 변환하여, 백색광 또는 특정 색의 광이 방출되도록 한다.The
파장 변환 부재(210)는 투명 수지에 광의 파장을 변환시키는 형광체가 혼합된 것일 수 있다. 예를 들어, 투명 수지는 투명 실리콘(Silicone)일 수 있다. 형광체로는 황색 형광체, 적색 형광체, 녹색 형광체 등이 사용될 수 있다. The
황색 형광체의 예로는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체나 실리케이트(silicate)계열의 형광체를 들 수 있다.Examples of the yellow phosphor include YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)-based phosphors or silicate-based phosphors, which are yttrium (Y) aluminum (Al) garnet, doped with cerium (Ce) having a wavelength of 530 to 570 nm. can be heard
적색(R) 형광체의 예로는 611nm 파장을 주파장으로 하는 산화이트륨(Y2O3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y2O3:EU)계열의 형광체 또는 나이크라이드 형광체를 들 수 있다.Examples of the red (R) phosphor include a YOX (Y2O3:EU)-series phosphor or a nitride phosphor composed of a compound of yttrium oxide (Y2O3) and europium (EU) having a wavelength of 611 nm as a dominant wavelength.
녹색(G) 형광체의 예로는 544nm 파장을 주파장으로 하는 인산(Po4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPo4:Ce,Tb)계열의 형광체를 들 수 있다. Examples of the green (G) phosphor include phosphoric acid (Po4), lanthanum (La), and terbium (Tb), which is a compound of phosphoric acid (Po4) having a wavelength of 544 nm, and LAP (LaPo4:Ce,Tb)-based phosphors.
청색(B) 형광체의 예로는 450nm 파장을 주파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM (BaMgAl10O17:EU)계열의 형광체를 들 수 있다.Examples of the blue (B) phosphor include a BAM (BaMgAl10O17:EU)-based phosphor, which is a compound of barium (Ba) and magnesium (Mg), aluminum oxide, and europium (EU), having a wavelength of 450 nm. can
또한, 형광체는 고색재현에 유리한 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 KSF 형광체(K2SiF6)를 포함할 수 있다.In addition, the phosphor may include a fluoride compound KSF phosphor (K2SiF6), which is an Mn4+ activator phosphor advantageous for high color reproduction.
이와 같이, 발광 다이오드 칩(130)과 반사 부재(140)를 둘러싸는 파장 변환 부재(210)에 의해서 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출되는 광과 반사 부재(140)를 통과하는 광의 파장을 모두 변환할 수 있다.In this way, the wavelength of the light emitted from the side surface of the light emitting
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.6 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a third embodiment of the present invention.
도 6을 참고하면, 제3 실시 예에 따른 백라이트 유닛(300)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140), 파장 변환 부재(210)를 포함한다.Referring to FIG. 6 , the
본 실시 예에서 파장 변환 부재(210)는 광의 파장을 변환하면서 동시에 발광 다이오드 칩(130)을 보호하는 밀봉 부재의 역할도 수행한다. 파장 변환 부재(210)는 밀봉 부재 역할을 하는 투명 수지에 광의 파장을 변환하는 형광체를 함유한 것이다.In the present embodiment, the
이와 같이 백라이트 유닛(300)은 밀봉 부재의 생략이 가능하므로, 구조가 단순화되며, 비용 절감이 가능하다.As such, the
도 7은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.7 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fourth embodiment of the present invention.
도 7을 참고하면, 제4 실시 예에 따른 백라이트 유닛(400)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(140), 파장 변환 부재(210) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.Referring to FIG. 7 , the
본 실시 예의 백라이트 유닛(400)은 발광 다이오드 칩(130)을 둘러싸는 파장 변환 부재(210)를 포함한다. The
본 실시 예에서 파장 변환 부재(210)는 발광 다이오드 칩(130)의 측면 및 상면을 둘러싸도록 형성된다. 이때, 반사 부재(140)의 맨 아래층은 파장 변환 부재(210)의 상면 전체를 덮도록 형성될 수 있다.In the present embodiment, the
발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 방출된 광은 파장 변환되어 도광판(110)을 향하게 된다. 또한, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광은 파장 변환되어 반사 부재(140)로 향하게 된다. 즉, 반사 부재(140)에 의해서 반사되는 광은 이미 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 파장 변환이 이루어졌기 때문에, 발광 다이오드 칩(130)의 측면에서 파장 변환될 필요가 없다. 따라서, 발광 다이오드 칩(130)의 측면 부분에 위치한 파장 변환 부재(210)가 반사 부재(140)에 의해 반사된 광을 고려하지 않아도 되므로, 형광체 함유량을 늘리거나 더 두껍게 형성될 필요가 없다. 즉, 파장 변환 부재(210)는 발광 다이오드 칩(130)의 상부 및 측면에서 방출되는 광만을 고려하여 상부 두께 및 측면 두께를 조절하여도 전체적으로 균일한 광 파장 변환이 가능하다.The light emitted from the side of the light emitting
도 8은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.8 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a fifth embodiment of the present invention.
도 8을 참고하면, 제5 실시 예에 따른 백라이트 유닛(500)은 도광판(110), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(510) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.Referring to FIG. 8 , the
본 실시 예에 따르면, 반사 부재(510)는 투광성 수지에 반사 물질(511)을 함유하는 것일 수 있다. 반사 부재(510)를 이루는 투광성 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지 등과 같이 이미 공지된 재질일 수 있다. 또는 반사 부재(510)를 구성하는 투광성 수지는 광이 도광판(110)의 계면에서 굴절률 차이로 반사되는 것을 최소화하기 위해서, 도광판(110)과 유사한 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 부재(510)의 투광성 수지는 도광판(110)과의 굴절률 차이가 10% 이하인 실리콘 수지일 수 있다.According to this embodiment, the
밀봉 부재(150)는 발광 다이오드 칩(130)의 측면과 도광판(110)의 내벽 사이에만 채워져 있다. 이때, 밀봉 부재(150)의 상면은 발광 다이오드 칩(130)의 상면과 동일선상에 위치한다.The sealing
반사 부재(510)는 발광 다이오드 칩(130)의 상면과 밀봉 부재(150) 상면에 위치하며, 도광판(110)의 개구부(111)를 채우도록 형성된다. 따라서, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출된 광이 투광성 수지를 통과하다 반사 물질(511)에 의해 반사되어, 도광판(110)의 내벽에 입사될 수 있다.The
밀봉 부재(150)의 상면이 발광 다이오드 칩(130)의 상면과 동일선상에 위치하도록 형성되지만, 본 실시 예의 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 반사 부재(510)가 발광 다이오드 칩(130)의 상부에만 위치하도록 형성될 수 있다. 그리고 밀봉 부재(150)가 발광 다이오드 칩(130)의 측면 및 반사 부재(510)의 측면과 도광판(110) 사이를 채우도록 형성되는 것도 가능하다. 또한, 밀봉 부재(150)와 반사 부재(510)는 광의 파장 변환을 위한 형광체를 더 함유하는 것도 가능하다.Although the upper surface of the sealing
본 실시 예의 반사 부재(510)는 반사 물질(511) 함유량을 조절함으로써, 발광 다이오드 칩(130)의 상면에서 방출되거나 측면으로 반사시키는 광량을 제어할 수 있다. 즉, 본 실시 예의 백라이트 유닛(500)은 반사 부재(510)의 반사 물질(511)의 함유량을 조절만으로도 도광판(110)의 상면을 통해 방출되는 광과 도광판(110)의 개구부(111)를 통해서 방출되는 광의 광량 제어가 용이하다.The
도 9는 본 발명의 제6 실시 예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 예시도이다.9 is an exemplary view illustrating a backlight unit according to a sixth embodiment of the present invention.
도 9를 참고하면, 제6 실시 예에 따른 백라이트 유닛(600)은 도광판(610), 회로 기판(120), 발광 다이오드 칩(130), 반사 부재(510) 및 밀봉 부재(150)를 포함한다.Referring to FIG. 9 , the
본 실시 예에 따르면, 도광판(610)의 개구부(611)는 하부에서 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조로 형성되어 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 도광판(610)의 개구부(611)의 내벽이 하부에서 상부로 갈수록 발광 다이오드 칩(130) 방향으로 기울어진다. 이와 같이, 도광판(610)의 내벽이 기울어지게 형성되므로, 도광판(610)의 내벽의 면적이 증가한다. 즉, 광이 입사하는 입사면의 면적이 커진다. 따라서, 도광판(610)의 입사 면적이 증가하므로, 도광판(610)의 광의 입사 효율이 향상된다. According to the present embodiment, the
본 실시 예에 따르면, 도광판(610)의 광의 입사 효율 향상으로, 백라이트 유닛(600)의 광 이용 효율이 향상될 수 있다.According to the present embodiment, by improving the light incident efficiency of the
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참고한 실시 예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 실시 예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가 개념으로 이해되어야 할 것이다.As described above, the detailed description of the present invention has been made by the embodiments with reference to the accompanying drawings, but since the above-described embodiments have only been described with preferred examples of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments. It should not be understood, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and their equivalents.
11: 기판
12: 발광 구조체
13: 제1 도전형 반도체층
14: 활성층
15: 제2 도전형 반도체층
16: 투명 전극층
17: 제1 전극 패드
18: 제2 전극 패드
19, 22: 반사층
21: 도전성 기판
100, 200, 300, 400, 500, 600: 백라이트 유닛
110, 610: 도광판
111, 611: 개구부
120: 회로 기판(
10, 20, 130: 발광 다이오드 칩
140, 510: 반사 부재
141: 제1 반사 부재
142: 제2 반사 부재
143: 제3 반사 부재
150: 밀봉 부재
210: 파장 변환 부재
511: 반사 물질11: Substrate
12: light emitting structure
13: first conductivity type semiconductor layer
14: active layer
15: second conductivity type semiconductor layer
16: transparent electrode layer
17: first electrode pad
18: second electrode pad
19, 22: reflective layer
21: conductive substrate
100, 200, 300, 400, 500, 600: backlight unit
110, 610: light guide plate
111, 611: opening
120: circuit board (
10, 20, 130: light emitting diode chip
140, 510: reflective member
141: first reflective member
142: second reflective member
143: third reflective member
150: sealing member
210: wavelength conversion member
511: reflective material
Claims (11)
상기 제1 수지부 하부에 배치된 회로 기판;
상기 회로 기판에 실장되어 상기 제1 수지부의 상기 개구부에 배치되며, 측면 및 상면에서 광을 방출하는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩의 상부에 형성되는 반사부재; 및
상기 발광 다이오드 칩의 적어도 일 측면과 접하고 상기 제1 수지부의 적어도 일면과 접하도록 형성된 제2 수지부;를 포함하며,
상기 발광 다이오드 칩의 하면은 상기 회로 기판과 마주하고,
상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시키고, 나머지 광을 투과시키는 백라이트 유닛.a first resin part having at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface;
a circuit board disposed under the first resin part;
a light emitting diode chip mounted on the circuit board, disposed in the opening of the first resin part, and emitting light from a side surface and an upper surface;
a reflective member formed on the light emitting diode chip; and
a second resin part formed to be in contact with at least one side of the light emitting diode chip and to be in contact with at least one surface of the first resin part;
A lower surface of the light emitting diode chip faces the circuit board,
The reflective member reflects a portion of the light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip toward the inner wall of the opening and transmits the remaining light.
상기 제2 수지부는 상기 제1 수지부와 굴절률 차이가 10% 이하인 백라이트 유닛.The method according to claim 1,
The second resin part has a refractive index difference of 10% or less from the first resin part.
상기 반사부재는 상기 발광 다이오드 칩으로부터 이격된 백라이트 유닛.The method according to claim 1,
The reflective member is a backlight unit spaced apart from the light emitting diode chip.
상기 제2 수지부의 굴절률은 1.4~1.6인 백라이트 유닛.3. The method of claim 2,
The second resin portion has a refractive index of 1.4 to 1.6 of the backlight unit.
상기 제1 수지부 하부에 배치된 회로 기판;
상기 회로 기판에 실장되어 상기 제1 수지부의 상기 개구부에 배치되며, 측면 및 상면에서 광을 방출하는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩의 일면에 형성되는 반사부재; 및
상기 발광 다이오드 칩의 적어도 일 측면과 접하고 상기 제1 수지부의 적어도 일면과 접하도록 형성된 제2 수지부;를 포함하며,
상기 발광 다이오드 칩의 하면은 상기 회로 기판과 마주하고,
상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시키고, 나머지 광을 투과시키는 백라이트 유닛.a first resin part having at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface;
a circuit board disposed under the first resin part;
a light emitting diode chip mounted on the circuit board, disposed in the opening of the first resin part, and emitting light from a side surface and an upper surface;
a reflective member formed on one surface of the light emitting diode chip; and
a second resin part formed to be in contact with at least one side of the light emitting diode chip and to be in contact with at least one surface of the first resin part;
A lower surface of the light emitting diode chip faces the circuit board,
The reflective member reflects a portion of the light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip toward the inner wall of the opening and transmits the remaining light.
상기 제2 수지부는 상기 제1 수지부와 굴절률 차이가 10% 이하인 백라이트 유닛.6. The method of claim 5,
The second resin part has a refractive index difference of 10% or less from the first resin part.
상기 제2 수지부의 굴절률은 1.4~1.6인 백라이트 유닛.7. The method of claim 6,
The second resin portion has a refractive index of 1.4 to 1.6 of the backlight unit.
상기 제1 수지부 하부에 배치된 회로 기판;
상기 회로 기판에 실장되어 상기 제1 수지부의 상기 개구부에 배치되며, 측면 및 상면에서 광을 방출하는 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩의 상부에 형성되는 반사부재; 및
상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 형성되고, 상기 제1 수지부의 적어도 일면과 접하도록 형성된 제2 수지부;를 포함하며,
상기 발광 다이오드 칩의 하면은 상기 회로 기판과 마주하고,
상기 반사 부재는 상기 발광 다이오드 칩의 상면에서 방출된 광의 일부를 상기 개구부의 내벽을 향하도록 반사시키고, 나머지 광을 투과시키는 백라이트 유닛.a first resin part having at least one opening penetrating from the upper surface to the lower surface;
a circuit board disposed under the first resin part;
a light emitting diode chip mounted on the circuit board, disposed in the opening of the first resin part, and emitting light from a side surface and an upper surface;
a reflective member formed on the light emitting diode chip; and
a second resin portion formed to cover an upper portion of the light emitting diode chip and formed to be in contact with at least one surface of the first resin portion;
A lower surface of the light emitting diode chip faces the circuit board,
The reflective member reflects a portion of the light emitted from the upper surface of the light emitting diode chip toward the inner wall of the opening and transmits the remaining light.
상기 제2 수지부는 상기 제1 수지부와 굴절률 차이가 10% 이하인 백라이트 유닛.9. The method of claim 8,
The second resin part has a refractive index difference of 10% or less from the first resin part.
상기 반사부재는 상기 발광 다이오드 칩으로부터 이격된 백라이트 유닛.9. The method of claim 8,
The reflective member is a backlight unit spaced apart from the light emitting diode chip.
제3 수지부를 더 포함하고,
상기 제3 수지부는 상기 발광 다이오드 칩의 상면과 상기 반사부재 사이에 배치되는 백라이트 유닛.9. The method of claim 8,
Further comprising a third resin part,
The third resin part is a backlight unit disposed between an upper surface of the light emitting diode chip and the reflective member.
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