KR20190055678A - 탄화물계 전자화물과 유기구리화합물을 이용한 구리 나노입자 합성 및 전도성 잉크 제조 - Google Patents

탄화물계 전자화물과 유기구리화합물을 이용한 구리 나노입자 합성 및 전도성 잉크 제조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 구리의 산화가 억제되고, 평균 입자 직경이 10nm 내외로, 융점의 강하를 일으킬 수 있으며, 분산성이 높고, 간단한 초음파처리 공정으로서 전자화물을 제거할 수 있어, 전도성 구리 나노 잉크 재료에 적합하게 사용할 수 있는 구리 나노입자를 제공하며, 산화방지을 위한 보호체로서의 역할을 하는 전자화물의 용도를 발명한 것을 주요 과제로 한다.
본 발명에 의해 제조된 구리나노 입자는 입자 크기가 작고 분산성이 높아 전도성 구리잉크 재료로서 유용하게 사용될 수 있다.

Description

탄화물계 전자화물과 유기구리화합물을 이용한 구리 나노입자 합성 및 전도성 잉크 제조{Synthesis of copper nanoparticles manufactured by using carbide-cased electride and organic copper compounds and manufacturing conductive ink by using the copper nanoparticles}
본 발명은 구리 나노입자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄화물계 전자화물과 유기구리화합물을 이용하여 제조한 구리 나노입자 및 그 제조 방법, 그리고 상기 구리 나노입자를 이용하여 제조한 전도성 잉크에 관한 것이다.
입자의 직경이 100 nm 이하인 금속 나노 입자는 열적, 자기적, 전기적 특성에서 벌크 금속과는 다른 성질을 나타낸다. 따라서 다양한 기술 분야로의 응용이 기대된다. 예를 들면, 입자의 크기가 작아질수록 표면적과 부피의 비가 증가하여, 융점의 저하가 발생한다. 낮은 융점은 기판에 미세 배선용 전도성 잉크 제작에 나노입자를 이용할 수 있도록 한다.
미세 배선 잉크 재료로는 주로 은나노 입자가 이용되고 있으나, 은나노 입자를 이용하면 미세 배선중의 은이 산화되어 마이그레이션 현상이 발생하기 쉽다는 단점이 있다. 금은 마이그레이션 현상이 적어 적합하지만, 가격측면에서 비싸다는 문제가 있다. 따라서 미세 배선 인쇄용 잉크에 사용되는 금속으로는 은 보다 마이그레이션 현상 발생이 어렵고, 비교적 저비용인 구리가 주목 받고 있다.
기존 금속 배선으로 사용되는 벌크 구리는 산화되기 쉬워 전도성이 저하 될 수 있고 소성온도가 높은 것 등의 결점이 있다. 이에 대해 구리 나노 입자는 벌크 구리보다 소결 온도가 낮고, 열에 약한 종이나 플라스틱 등의 기판 상에 금속 미세 배선을 형성할 수 있는 재료로서 기대되고 있다.
그러나 구리 나노입자는 다른 금속 나노입자에 비해 응집하기 쉽고 다양한 입자의 크기를 갖기 때문에, 잉크재료로서 균일한 크기의 입자 제조, 특히 유용한 입자 직경인 10nm 이하의 균일한 구리 나노입자의 합성은 곤란하다.
최근, 히드라진을 이용하여 10nm 이하의 구리 나노 입자를 균질하게 합성하는데 성공하였다. 그러나 히드라진은 피부, 점막, 효소제, 호흡기 등을 크게 침식하여 극히 유독한 물질로 알려져 있다. 아직까지 인체와 환경에 유해하지 않으며 균일한 분산을 가지는 구리 나노입자 제조 공정은 제시되지 않았다.
또한, 평균 입자 직경이 10 nm 이하의 구리 나노입자는 표면적이 크고 쉽게 산화되는 것으로 알려져 있다. 기존 나노입자 제조에 대한 다수의 연구와 그에 대한 특허가 출원되었으나, 구리 나노입자의 산화 억제에 대해서는 충분하지 못하다.
쉽게 산화 되는 구리 나노입자의 보호 방법으로는 유기 아민의 사용 등이 있었으나, 저온(10도 미만)에서 저장하여야 하여 간편성 및 운송의 편리성 측면에서서 한계가 있었다.
이상의 관점에서 저온 소결 가능한 전도성 구리 잉크 재료에 사용되는 구리 나노 입자는, (1) 융점 강하가 현저한 평균 입자직경 10 nm 이하의 나노 입자인 것, (2) 구리입자의 보호제가 쉽게 제거 가능한 것, (3) 공정에서 유해 물질이 없는 것, (4) 구리 나노입자의 산화가 억제 되어 있는 것, (5) 산업화를 위한 비용 측면에서 저렴한 것, (6) 구리 나노입자를 상온에서 보호할 수 있을 것 등의 요건을 갖추어야 한다. 그러한 이러한 요구사항을 충족하는 구리 나노입자 및 그 합성 공정은 아직 제시되고 있지 않다.
본 발명자들은 높은 전자농도와 낮은 일함수를 가지는 탄화물계 전자화물의 환원력을 연구하던 중, 2가 유기구리화합물의 열처리를 통한 탄화물계 전자화물의 표면에서의 환원반응으로부터 10 nm 내외의 크기를 가지는 금속 구리 나노입자를 개발하였다. 또한 전자화물의 전자로부터 구리의 산화를 막아 상온 보관이 가능함을 밝였다.
따라서 본 발명은 상기 탄화물계 전자화물 물질을 이용해 제조한 구리 나노 입자 및 그 제조방법, 그리고 합성된 구리나노 입자를 이용한 전도성잉크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1에 기재된 하나 또는 둘 이상의 전화화물을 포함하는, 유기구리화합물을 나노구리 입자로 환원시키기 위한 환원제를 제공한다.
<화학식 1>
M2C (M: Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막일 수 있다.
상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나가 사용될 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 전자화물을 사용하여, 유기구리화합물을 환원시켜 구리 나노입자를 제조하는 방법을 제공한다.
<화학식 1>
M2C (M: Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막인일 수 있다.
상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나가 사용될 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 유기구리화합물 및 하기 화학식 1로 표현되는 전자화물을 혼합하여 혼합물을 제조하는 제 1 단계; 상기 혼합물을 열처리하는 제 2 단계;를 포함하는 유기구리화합물의 환원에 의한 구리 나노입자의 제조방법을 제공한다.
<화학식 1>
M2C (M: Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막일 수 있다.
상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나가 사용될 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 단계에서 유기구리화합물 및 상기 화학식 1로 표현되는 전자화물은 그 자체를 섞어 줄 수도 있으나, 비극성 용매와 함께 혼합할 수 있다.
상기 비극성 용매는 사슬계 알칸(Alkane) 또는 고리계 알칸(Alkane)을 포함할 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다. 비극성 용매는 전자화물의 표면에 유기구리화합물을 균질하게 분포시키기 위하여 사용된다.
상기 제 2 단계에서 열처리된 혼합물을 비극성 용매 내에서 초음파 처리하여 선택적으로 구리입자를 분리하는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다.
상기 초음파 처리시에 사용되는 비극성 유기용매는 사슬계 알칸(Alkane) 또는 고리계 알칸(Alkane)을 포함할 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 2 단계에서, 열처리는 100 내지 200℃의 온도에서 10시간 내지 30시간 동안 열처리하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 구리 나노입자를 제공한다.
상기 구리 나노입자는 직경 1 내지 10 nm의 크기로 둥근 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 구리 나노입자는 평균입자 직경이 10 nm 내외이기 때문에, 융점 저하가 현저하고, 소결 온도가 낮아, 열에 약한 종이나 플라스틱 등의 기판 상에 금속 미세 배선을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 구리는 전자화물로부터 전자를 제공받아 안정하게 보호되고 있어 산화를 막는 효과가 있다. 또한 이 보호물질 작용을 하는 전자화물은 물이나 알코올계 유기 용매로 쉽게 제거 후 사용할 수 있기 때문에 구리 나노입자 잉크 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 의해 제조된 금속 구리 나노입자는 제조 공정에서부터 분산되어 제조되기 때문에, 분산성이 뛰어나며 크기가 10 nm 내외이기 때문에 더욱 저온에서 금속 미세 배선을 형성하는 것이 가능하다.
본 발명의 제조공정에는 유해 물질인 히드라진 등을 사용하지 않기 때문에 환경적 측면 및 공정의 안전성 측면에도 크게 기여 가능하다. 또한, 제조공정이 간단하기 때문에 비용절감 측면에도 크게 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
또한, 본 발명의 구리 나노입자는 상온에서 안정하기 때문에 이동 및 보관이 안정적으로 이루어질 수 있다.
도 1은 탄화물계 전자화물(Y2C)을 이용하여 합성한 평균직경 10 nm 내외의 구리입자(실시예 1)의 HRTEM 사진이다. 도 1에서는 원자간 간격이 0.21nm로 구리가 산화되지 않은 금속 상태임을 보여준다(구리 산화물 원자간 거리 : 0.25nm).
도 2는 Y2C 전자화물과 Gd2C 전자화물 위에 합성된 나노입자(실시예 1, 실시예 2)의 SEM 사진이다.
도 3은 Gd2C의 표면에 제조된 나노구리 입자(실시예2)의 TEM-EDS분석으로 표면에 제조된 입자가 구리임을 증명한다.
도 4는 Gd2C의 표면에 제조된 나노구리 입자(실시예2)의 STEM 이미지이다. Gd2C의 전자전달 능력에 의해 산화가 방지되고 있는 구리나노입자로, EELS 스펙트럼에 의해 0가의 구리 금속임을 증명하고 있다.
도 5는 저온소결을 하여도 전구체 유기구리가 완전히 분해되었음을 XRD측정을 통하여 확인하였다.
도 6은 히드라진을 이용해 제조한 구리 나노입자의 TEM이미지이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 명세서에서 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 구성 요소, 잘 알려진 동작 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적 설명이 생략될 수 있다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함하며, '포함(또는, 구비)한다'로 언급된 구성 요소 및 동작은 하나 이상의 다른 구성요소 및 동작의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적 으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 전자화물과 유리구리 화합물을 이용한 구리나노입자 제조방법을 제공한다.
<화학식 1>
M2C(M:Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
상기 전자화물은 고밀도의 국소화된 전자층을 포함하고, 낮은 일함수 특성에 의해 환원제로서 큰 효과를 발현한다. 유기구리의 양과 열처리 조건을 조절하여, 직경 10 nm 내외의 균일한 구리 나노입자를 제조할 수 있다.
상기 나노구리 입자 제작에 사용한 전자화물 물질은 분말 또는 벌크상일 수 있다. 상기 벌크상 전자화물 물질은 단결정 또는 소결에 의하여 제조되는 소결물일 수 있다.
유리구리 화합물로는 (Cu(CH2COO)2), CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4 등이 사용될 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
유기구리 화합물과 전자화물의 혼합시, 전자화물 질량 기준으로 1~30wt%의 Cu가 첨가되도록 유기구리화합물을 전자화물과 혼합한다. 구리의 양이 위 범위에 미달할 경우 나노 구리 입자를 충분히 생성되지 않아 수득이 어렵고, 위 범위를 초과할 경우 유기구리가 분해되지 않아 바람직하지 못하다.
상기 화학식 1로 표시되는 전자화물과 유리구리 화합물을 이용한 구리나노입자 제조방법을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 구리나노입자 제조방법은, 상기 화학식 1로 표시되는 전자화물과 전구체 물질(유기구리계 화합물)을 혼합물을 제조하는 제1 단계; 상기 혼합물을 진공분위기의 열처리에서 유기구리계 화합물을 환원시켜 구리 나노입자를 제조하는 제2 단계를 포함한다.
제1 단계는 열처리 공정 이전에 유기구리와 전자화물의 균질한 혼합물 제조를 위한 각 원료 물질을 혼합하는 단계이다.
상기 제1 단계에서, 상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막일 수 있다.
또한, 상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나가 사용될 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기구리화합물 및 상기 화학식 1로 표현되는 전자화물은 그 자체를 섞어서 혼합할 수 있으나, 비극성 용매와 함께 혼합하는 것이 바람직하다. 비극성 용매는 전자화물의 표면에 전구체인 유기구리화합물을 보다 균질하게 분포시키기 위하여 사용된다.
상기 비극성 용매는 사슬계 알칸(Alkane) 또는 고리계 알칸(Alkane)을 포함할 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다. 비극성 용매는 전자화물의 표면에 유기구리화합물을 균질하게 분포시키기 위하여 사용된다.
상기 유기구리화합물 및 상기 화학식 1로 표현되는 전자화물은 비극성 용매와 함께 혼합시킨 후 비극성 용매가 모두 증발할 때까지 골고루 섞어 주는 것이 바람직하다.
상기 제2 단계는 진공분위기에서 열처리를 하여 탄화물계 전자화물의 환원 능력을 이용하여 유기구리 화합물에 화합된 2가의 구리를 금속구리로 환원하여 나노입자를 제작 단계이다.
구체적으로, 제1 단계에서 제조한 원료물질의 혼합물을 열처리 하는 동안 계속해서 진공을 뽑아 줄 수 있는 펌프설비가 연결된 silica tube에 넣고 열처리 공정을 걸쳐 구리 나노입자를 제조한다.
상기 제 2 단계에서, 열처리는 100 내지 200℃의 온도에서 10시간 내지 30시간 동안 열처리하는 것이 바람직하다. 열처리 시간이 상기 범위에 미달할 경우 유기구리 화합물이 잘 분해되지 않아 잔류하는 문제가 있으며, 상기 범위를 초과할 경우 전자화물의 산화를 촉진할 수 있으므로 바람직하지 못하다.
상기 열처리는 진공 분위기에서 진행하는 것이 바람직하다.
위 과정을 통해 제조되는 구리 나노입자의 직경은 1 내지 10 nm의 크기이며, 둥근 형태를 가질 수 있다. 제조된 구리 나노입자는 전도성 잉크의 제조에 사용될 수 있다.
상기 열처리 후 구리 나노입자를 분리하는 단계를 거칠 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 단계에서 열처리된 혼합물을 비극성 용매 내에서 초음파 처리하여 선택적으로 구리입자를 분리하거나, 전자화물의 표면에 있는 나노구리입자를 분리하기 위해 알코올류 또는 물을 이용하여 전자화물을 녹여내고 나노구리 입자만을 선택적으로 분리할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 보다 상세히 설명한다.
실시예 1. Y 2 C의 전자화물을 이용하여 제조한 나노구리 입자 및 TEM, SEM 분석
Copper acetate와 Y2C를 갈아서 혼합함 후 파우더상으로 silica tube에 넣고 진공관을 연결한다. 그 후 150oC의 진공 분위기에서 12시간 동안 열분해 시킨다. Copper acetate와 Y2C의 혼합시, Y2C 500mg과 Y2C 기준 10wt%의 Cu를 포함하도록 Copper acetate를 혼합하였다.
제조된 원료는 도 2에 나타낸 SEM 이미지에서 확인할 수 있듯이 구리 나노입자가 고른 크기로 잘 합성되었음을 알 수 있다.
Y2C의 표면에 합성된 나노구리 입자의 정밀한 분석을 위하여 heptane에 분산시켜 Si TEM 그리드를 이용하여 TEM 측정을 실시하였다. 도 1에 나타낸 HRTEM 이미지에서 알 수 있듯이, 평균직경 10nm의 크기로 고르게 둥근 형태로 표면에서 구리 나노입자가 잘 제조되었음을 알 수 있다.
실시예 2. Gd 2 C의 전자화물을 이용하여 제조한 나노구리 입자 및 TEM, SEM 분석
Copper acetate와 Gd2C를 갈아서 혼합함 후 파우더상으로 silica tube에 넣고 진공관을 연결한다. 그 후 150oC의 진공 분위기에서 12시간 동안 열분해 시킨다. Copper acetate와 Gd2C의 혼합시, Gd2C 500mg과 Gd2C 기준 10wt%의 Cu를 포함하도록 Copper acetate를 혼합하였다.
제조된 원료는 도 2에 나타낸 SEM 이미지에서 확인할 수 있듯이 구리 나노입자가 고른 크기로 잘 합성되었음을 알 수 있다.
Gd2C의 표면에 합성된 나노구리 입자의 정밀한 분석을 위하여 heptane에 분산시켜 Si TEM 그리드를 이용하여 TEM 측정을 실시하였다. 도 4에 나타낸 STEM 이미지에서 알 수 있듯이, 평균직경 10-20nm의 크기로 고르게 둥근 형태로 표면에서 구리 나노입자가 잘 제조되었음을 알 수 있다. 도 3의 TEM-EDS 분석은 Gd2C의 표면에 형성된 나노입자가 구리 나노입자임을 증명한다.
비교예 1. 히드라진을 이용한 나노구리 입자 제조
기존에 보고된 방법은 히드라진이라는 강력한 환원제를 이용하여, 나노구리 입자를 제조하고, 아민을 그 보호층으로 사용하였다.
도 6에 보이는 것처럼 고른 나노구리 입자가 제조되었으나, 제조공정에서 인체에 침투가능하여 매우 유해한 히드라진을 사용하였으며, 보관하는 데는 아민을 사용하였다. 아민류는 물과 만나 쉽게 염을 형성하고, 친수성이 강한 물질이므로 장기 보관시에는 아민류에 수분이 함유되어 산화될 우려가 있으며, 염이 침전될 우려가 있다.
실시예 3. Gd 2 C의 표면에서 산화방지성 평가
구리나노입자의 사이즈가 작아질수록 부피 대비 표면적의 크기가 커져, 쉽게 산화 되는 경향을 가지고 있다. 그러나 본 발명에서 개발한 나노구리 입자는 전자 제공능력과, 반응성이 뛰어나 산화반응에서의 경쟁 반응의 우위를 가진 전자화물 지지체에 의해 보호받아 쉽게 산화 되지 않는다.
도 4에서 확인할 수 있듯이 TEM-EELS로 확인한 구리는 0가의 금속으로 전자화물에 의해 산화가 방지되고 있었다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 하기 화학식 1에 기재된 하나 또는 둘 이상의 전화화물을 포함하는, 유기구리화합물을 나노구리 입자로 환원시키기 위한 환원제.
    <화학식 1>
    M2C (M: Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막인 것을 특징으로 하는 환원제.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 환원제.
  4. 하기 화학식 1로 표현되는 전자화물을 사용하여, 유기구리화합물을 환원시켜 구리 나노입자를 제조하는 방법.
    <화학식 1>
    M2C (M: Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막인 것을 특징으로 하는 구리 나노입자를 제조하는 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 나노입자를 제조하는 방법.
  7. 유기구리화합물 및 하기 화학식 1로 표현되는 전자화물을 혼합하여 혼합물을 제조하는 제 1 단계;
    상기 혼합물을 열처리하는 제 2 단계;를 포함하는,
    유기구리화합물의 환원에 의한 구리 나노입자의 제조방법.
    <화학식 1>
    M2C (M: Y, Gd, Tb, Dy, Ho)
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전자화물의 형태는 벌크, 단결정 또는 박막인 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 유기구리화합물은 Cu(CH2COO)2, CuCl2, Cu(NO3)2 및 CuSO4로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 유기구리화합물 및 상기 화학식 1로 표현되는 전자화물을 비극성 용매와 함께 혼합하는 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 비극성 용매는 사슬계 알칸(Alkane) 또는 고리계 알칸(Alkane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제 2 단계에서 열처리된 혼합물을 비극성 용매 내에서 초음파 처리하여 선택적으로 구리입자를 분리하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 비극성 유기용매는 사슬계 알칸(Alkane) 또는 고리계 알칸(Alkane)을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 제 2 단계에서, 열처리는 100 내지 200℃의 온도에서 10시간 내지 30시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 구리 나노입자의 제조방법.
  15. 제4항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 구리 나노입자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 구리 나노입자는 직경 1 내지 10 nm의 크기로 둥근 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 구리 나노입자.
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