KR20190050886A - 표시 장치 및 이를 이용한 제조 방법 - Google Patents

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KR20190050886A
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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치에 따른 컬러필터부재는, 각각이 상기 복수의 화소들 중 적어도 어느 하나와 중첩하는 복수의 개구부들이 정의된 격벽부재 상기 격벽부재를 커버하는 발액코팅층, 및 상기 개구부들 각각에 배치되며, 서로 다른 광을 제공하는 제1 색변환패턴, 및 제2 색변환패턴을 포함하는 색변 환부재를 포함하고, 상기 제1 색변환패턴은 서로 동일한 물질을 포함하며 서로 접촉하여 경계를 형성하는 제1 굴곡부 및 제1 색변환부를 포함하고, 상기 제2 색변환패턴은 서로 동일한 물질을 포함하며 서로 접촉하여 경계를 형성하는 제2 굴곡부 및 제2 색변환부를 포함한다.

Description

표시 장치 및 이를 이용한 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 제조방법에 관한 것으로 상세하게는 양자점들 또는 형광체들을 포함하는 컬러필터부재를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두개의 기판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다. 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통해 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시 한다
액정 표시 장치는 컬러 형성을 위해 컬러 필터를 사용하는데, 백라이트 광원으로부터 출사된 광이 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 청색 컬러필터를 통과한다. 이때, 각각의 컬러필터 또는 편광판에 의해 광 손실이 발생한다.
이러한 광손실을 보완하고 높은 색재현성을 위해 컬러필터 대신 색 변환 재료를 적용한 포토-루미네센트 액정 표시 장치(Photo-Luminescent Liquid Crystal Display Apparatus; PL-LCD)가 제안되고 있다. 포토-루미네센트 액정 표시 장치 는 기존의 액정 표시 장치에 사용되는 컬러필터를 양자점 색전환층(quantum dot color conversion layer)으로 대체한 액정 표시 장치이다. 포토-루미네센트 액정 표시 장치는 광원으로부터 발생되어 액정층에 의해 제어된 자외선 또는 청색광 등 저파장대역의 광이 색전환층(Color Conversion Layer; CCL)에 조사될 때 발생하는 가시광을 이용하여 컬러 영상을 표시한다.
이러한 포토-루미네센트 액정 표시 장치의 공정 과정은 양자점을 잉크젯 공정으로 증착함으로써 형성될 수 있다. 이 과정에서 과도포에 의해 오버플로우(Overflow)현상이 발생하여 다른 픽셀 부위와 혼색이 발생할 수 있으며, 적은 양을 도포하는 경우 미채움(Not-fill) 현상이 발생하여 광학적 특성이 저하될 수 있는 문제가 발생 한다.
본 발명은 색재현성이 개선된 표시 장치를 제공한다. 또한, 공정 시 발행하는 불량률을 개선하여 제조 공정의 비용 및 시간이 절감될 수 있는 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소들 을 포함하는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치 배치며, 상기 복수의 화소들로부터 제공된 광을 받는 컬러필터부재를 포함하고, 상기 컬러필터부재는, 각각이 상기 복수의 화소들 중 적어도 어느 하나와 평면상에서 중첩하는 복수의 개구부들이 정의된 격벽부재, 상기 격벽부재를 커버하는 발액코팅층, 및 상기 개구부들 각각에 배치되며, 서로 다른 광을 제공하는 제1 색변환패턴, 및 제2 색변환패턴을 포함하는 색변환부재를 포함하고, 상기 제1 색변환패턴은 서로 동일한 물질을 포함하며 서로 접촉하여 경계를 형성하는 제1 굴곡부 및 제1 색변환부를 포함하고, 상기 제2 색변환패턴은 서로 동일한 물질을 포함하며 서로 접촉하여 경계를 형성하는 제2 굴곡부 및 제2 색변환부를 포함한다.
상기 색변환부재는 상기 서로 다른 광에 대응되는 복수의 양자점들 및 복수의 형광 체들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컬러필터부재는, 상기 제2 기판과 상기 색변환부재 사이에 배치되고, 청색광을 차단하는 차단패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컬러필터부재는, 상기 격벽부재의 적어도 일부와 중첩하며, 광을 차단하는 차광부재를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 차광부재는 상기 격벽부재와 동일한 형상을 가지며, 상기 격벽부재는 광을 차단하는 차광물질로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴곡부는 상기 복수의 개구부들 중 일 개구부에 중첩하고, 서로 이격되어 복수로 배치되며, 상기 복수의 제1 굴곡부들은 상기 제1 색변환부에 의해 커버된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 굴곡부는 상기 복수의 개구부들 중 일 개구부에 중첩하여 복수로 구비되고, 상기 복수의 제1 굴곡부들은 두께방향으로 적층되어 배치되며, 상기 경계는 상기 제1 굴곡부들 중 상기 제1 색변환부와 접촉하는 제1 굴곡부와의 사이에서 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 경계는 곡면 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 컬러필터부재는, 상기 개구부들에 배치되며, 상기 제1 색변환패턴 및 상기 제2 색변환패턴과 서로 다른 광을 제공하는 제3 색변환패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제3 색변환패턴이 상기 격벽부재와 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제3 색변환층은 상기 제2 기판과 중첩하며 상기 발액코팅층에 의해 커버되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 색변환패턴은 상기 화소들 중 적어도 두 개의 화소들에 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복수의 화소들 각각은 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터에 연결되고 액정 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복수의 화소들 각각은 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터에 연결된 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 광은 청색광인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은 베이스 기판 상에 초기막을 형성하고 상기 초기막에 복수의 개구부들을 형성하여 격벽부재를 형성하는 단계, 발액 물질로 상기 개구부들 및 상기 격벽부재를 커버하여 발액코팅층을 형성하는 단계, 상기 개구부들 중 서로 다른 제1 개구부 및 제2 개구부 각각에서 제1 양자점들을 드로핑(dropping)하여 제1 패턴 및 제2 양자점들을 드로핑하여 제2 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴 각각에 충진된 제1 양자점들 및 제2 양자점들을 건조하여 제1 굴곡부 및 제2 굴곡부를 형성하는 단계, 상기 제1 개구부에 상기 제1 양자점들을 충진하고 상기 제2 개구부에 상기 제2 양자점들을 충진하여 제3 패턴 및 제4 패턴을 각각 형성하는 단계, 상기 제3 패턴 및 상기 제4 패턴을 건조하여 제1 색변환부 및 제2 색변환부를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 개구부에서 상기 제1 양자점들을 일 방향을 따라서 복수 회 드로핑하여 복수의 상기 제1 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 개구부에서 상기 제1 양자점들을 고정된 동일 위치에서 복수 회 드로핑하여 두께방향으로 적층된 복수의 상기 제1 패턴을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 양자점들은 상기 두께방향으로 드로핑하여 적층될 때 마다 개별적으로 건조하여 경계를 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
베이스 기판 상에 초기막을 형성하는 단계에서, 상기 초기막과 동일한 물질을 포함하며 상기 초기막과 동일한 두께로 이루어진 제3 색변환부를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 컬러필터부재의 양자점들 또는 형광체들 재료로 이루어진 색변환패턴을 발액코팅층 상에 직접 충진하는 경우 표면의 발액화로 인한 표면 장력의 증가에 따른 미채움(Not-fill) 현상 또는 미채움(Not-fill) 현상을 극복하기 위해 재 도포 시 발생하는 오버플로우(Overflow) 현상이 일어난다. 이를 방지하기 위하여 색변환패턴들과 동일 재료로 이루어진 굴곡부들을 먼저 형성함으로써 색변환패턴들을 충진 시 발생하는 미채움(Not-fill) 또는 오버플로우(Overflow) 현상을 방지하여 표시장치의 색재현성을 개선시킬 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도 이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도 이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 이다.
도 3a 내지 도 3c들은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재의 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 이다.
도 7a 내지 도 7h들은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법을 도시한 것이다.
도 8a 내지 8d들은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법을 도시한 것이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예 들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들 의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
서술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 대하여 이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도 이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치를 상세하게 설명한다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 표시 패널(DP), 신호 제어부(TC), 게이트 구동부(GC), 데이터 구동부(DC), 및 백라이트 유닛(BLU)을 포함한다.
표시 패널(DP)은 복수 개의 신호배선들 및 복수 개의 신호배선들에 연결된 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다. 복수 개의 신호배선들은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함한다. 복수개의 게이트 라이들(GL1~GLn)은 표시 패널(DP)의 일 방향으로 배열된다. 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 복수개의 게이트 라인들(GL1~GLn)과 절연되게 교차한다. 별도로 도시되지는 않았으나, 상기 복수 개의 신호배선들은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 대응하게 구비된 복수 개의 공통 라인을 더 포함할 수 있다.
복수 개의 화소들(PX)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 게이트 라인(GLi) 및 데이터 라인(DLj)에 연결 된다.
신호 제어부(TC)는 입력 영상신호들(RGB)을 수신하고, 입력 영상신호들(RGB)을 표시 패널(DP)에 부합하는 영상데이터들(R'G'B')로 변환 한다. 또한, 신호 제어부(TC)는 각종 제어신호(CS), 예를 들어, 수직동기신호, 수평동기신호, 메인 클럭신호, 및 데이터 인에이블신호 등을 입력받고, 제1 및 제2 제어신호들(CONT1, CONT2)을 출력한다.
게이트 구동부(GC)는 제1 제어신호(CONT1)에 응답하여 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 게이트 신호들을 출력한다. 제1 제어신호(CONT1)는 상기 게이트 구동부(GC)의 동작을 개시하는 수직개시신호, 게이트 전압의 출력 시기를 결정하는 게이트 클럭신호 및 상기 게이트 전압의 온 펄스폭을 결정하는 출력 인에이블 신호 등을 포함한다.
데이터 구동부(DC)는 제2 제어신호(CONT2) 및 영상데이터들(R'G'B')을 데이터 전압들로 변환하여 복수개의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 제공 한다.
제2 제어신호(CONT2)는 데이터 구동부(DC)의 동작을 개시하는 수평개시신호, 상기 데이터 전압들의 극성을 반전시키는 반전신호 및 상기 데이터 구동부(DC)로부터 상기 데이터 전압들이 출력되는 시기를 결정하는 출력지시신호 등을 포함한다.
복수 개의 화소들(PX) 중 일 화소(PXij)의 회로도를 표시하였다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 트랜지스터(TFT), 액정 커패시터(Cap)를 포함한다. 본 발명의 트랜지스터(TFT)는 박막 트랜지스터를 의미한다.
트랜지스터(TFT)는 i번째 게이트 라인(GLi)과 j번째 데이터 라인(DLj)에 전기적으로 연결 된다. 트랜지스터(TFT)는 i번째 게이트 라인(GLi)으로부터 수신한 데이터 신호에 응답하여 j번째 데이터 라인(DLj)으로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 화소 전압을 출력 한다.
액정 커패시터(Cap)는 트랜지스터(TFT)로부터 출력된 화소 전압을 충전한다. 액정 커패시터(Cap)에 충전된 전하량에 따라 액정층(CL: 도 1b참조)에 포함된 액정 분자의 배열이 변화한다. 액정 분자의 배열에 따라 액정층(CL)으로 입사된 광은 투과되거나 차단된다.
백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널에 광을 제공한다. 백라이트 유닛(BLU)이 출사하는 광(LS)은 일정한 파장대역을 갖는다. 예를 들어, 광(LS)은 자외선(Ultra-Violet: UV) 또는 청색광일 수 있다. 미 도시 되었으나, 백라이트 유닛(BLU)의 측면에서 광(LS)이 출사되는 경우 제1 기판(SUB1)의 일면으로 광(LS)을 안내하는 도광판을 더 포함할 수 있다.
도 1b는 표시 장치(1000)의 일부 구성만을 도시한 것이다. 표시 장치(1000)는 표시 패널(DP), 컬러필터부재(CZ), 및 백라이트 유닛(BLU)을 포함한다. 표시 패널(DP)은 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2), 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다.
제1 기판(SUB1)은 투명한 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1)은 유리 기판, 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)이 출사한 광(LS)는 제1 기판(SUB1)의 일 면으로 입사된다.
제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2)은 서로 대향하여 배치되며, 제1 기판(SUB1) 과 제2 기판(SUB2) 사이에 배치된다. 복수 개의 화소들(PX) 각각은 트랜지스터(TFT), 액정 커패시터(Cap)를 포함한다. 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 반도체 패턴(SM)을 포함한다.
액정 커패시터(Cap)는 트랜지스터(TFT)에 연결된 화소 전극(PE), 화소 전극(PE)에 대향하는 공통 전극(CE), 및 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 배치되는 유전층을 포함한다. 본 발명의 실시예에서 유전층은 액정층(CL)에 대응된다.
트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)를 포함한다. 게이트 전극(GE)은 대응되는 게이트 라인(GLi)에 연결 된다. 게이트 전극(GE)는 도전 물질을 포함한다. 예를 들어, 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 및 텅스텐(W)과 같은 금속, 또는 금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 단일막 또는 다중막일 수 있다. 게이트 전극(GE)은 게이트 라인들(GL1~GLn)과 동일한 물질로 구성되고, 동일한 층 구조를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널(DP)은 제1 절연막(INS1)을 더 포함할 수 있다. 제1 절연막(INS1)은 제1 기판(SUB1) 상에 배치되고, 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인들(GL1~GLn: 도 1 참조)을 커버 한다. 제1 절연막(INS1)은 무기물을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 및 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
반도체 패턴(SM)은 제1 절연막(INS1) 상에 배치된다. 반도체 패턴(SM)의 적어도 일부는 게이트 전극(GE)에 중첩한다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 제1 절연막(INS1) 상에 배치 된다. 소스 전극(SE)의 일 측은 대응되는 데이터 라인(DLj)에 연결되고, 소스 전극(SE)의 타 측은 반도체 패턴(SM)에 중첩한다. 드레인 전극(DE)의 일측은 반도체 패턴(SM)에 중첩하고, 드레인 전극(DE)의 타 측은 화소 전극(PE)과 중첩한다. 소스 전극(SE)의 타 측 및 드레인 전극(DE)의 일 측은 서로 이격된다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 각각 도전성 물질을 포함한다. 예를 들어, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 각각 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 텅스텐(W), 및 이들 각각의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각은 단일막 또는 다중막일 수 있다. 데이터 라인(DLj)은 소스 전극(SE)과 동일한 물질로 구성되고, 동일한 층 구조를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널(DP)은 제2 절연막(INS2)을 더 포함할 수 있다. 제2 절연막(INS2)은 제1 절연막(INS1) 상에 배치된다. 제2 절연막(INS2)은 트랜지스터(TFT)를 커버한다. 제2 절연막(INS2)은 유기막 및/또는 무기막을 포함 한다. 제2 절연막(INS2)은 단일막 또는 다중막일 수 있다. 예를 들어, 제2 절연막(INS2)은 트랜지스터(TFT) 상에 배치된 무기막 및 무기막 상에 배치되고, 평탄한 상면을 제공하는 유기막을 포함할 수 있다.
화소 전극(PE)은 제2 절연막(INS2) 상에 배치된다. 화소 전극(PE)은 제2 절연막(INS2)을 관통하여 형성된 컨택홀(CH)을 통해 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(PE)은 투명한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 티타늄 산화물, 및 아연 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
컨택홀(CH)을 통해 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된 화소 전극(PE)은 데이터 신호에 대응하는 전압을 전달 받는다.
액정층(CL)은 방향성을 가진 액정 분자를 포함한다. 액정 분자는 공통 전극(CE) 및 화소 전극(PE) 사이의 전압 차이에 따라 형성된 전계에 따라 다양한 배열을 가진다. 액정 분자의 배열에 따라 액정층(CL)을 투과하는 광량이 조절될 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널(DP)은 제1 배향막(AL1) 및 제2 배향막(AL2)을 더 포함할 수 있다. 제1 배향막(AL1)은 화소 전극(PE) 및 액정층(CL) 사이에 배치되며, 제2 배향막(AL2)은 액정층(CL) 및 공통 전극(CE) 사이에 배치되어 액정층(CL)의 액정 분자를 배향한다. 제1 배향막(AL1)과 제2 배향막(AL2)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2)은 제1 기판(SUB1)에 대향하여 컬러필터부재(CZ) 상에 배치된다. 제2 기판(SUB2)은 제1 기판(SUB1)과 동일한 물질로 구성될 수 있다.
공통 전극(CE)은 제2 배향막(AL2) 상에 배치된다. 상술한 바와 같이, 공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)과 함께 액정 커패시터(Cap)를 구성한다. 공통 전극(CE)은 투명한 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(CE)은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 인듐 갈륨 아연 산화물 플루오르 아연 산화물, 갈륨 아연 산화물, 또는 주석 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 공통 전극(CE)은 제1 기판(SUB1)에 배치될 수도 있다. 이때, 공통 전극(CE)은 화소 전극(PE)과 동일한 층상에 배치되거나, 절연막들을 사이에 두고 서로 다른 층상에 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널(DP)은 적어도 하나의 편광판(POL1, POL2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 편광판(POL1) 및 제2 편광판(POL2) 백라이트 유닛(BLU)에서 입사되는 광을 편광 시킨다. 제1 편광판(POL1)은 백라이트 유닛(BLU)과 마주할 수 있다. 제2 편광판(POL2) 공통 전극(CE) 및 컬러필터부재(CZ) 사이에 배치될 수 있다. 편광판들은 입사되는 광을 편광시키기 위한 복수의 패턴들을 포함하거나, 무기막이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 편광판은 와이어 그리드 편광판(Wire Grid Polarizer) 또는 분산 브레그 반사막(Distributed Bragg Reflector), 및 편광 필름을 포함할 수 있다.
컬러필터부재(CZ)는 차단패턴부재(CC), 격벽부재(WA), 발액코팅층(WX), 색변환부재(CP), 차광부재(BM), 무기막층(IL), 유기막층(OL)을 포함한다.
격벽부재(WA)는 복수개의 화소들(PX) 중 적어도 어느 하나와 중첩하는 복수의 개구부들로 정의 될 수 있다. 복수의 개구부들에 대응하여 차단패턴부재(CC)가 배치된다. 격벽부재(WA) 및 차단패턴부재(CC)의 적어도 일부를 커버하며 발액코팅층(WX)이 배치된다. 대응되는 차단패턴부재(CC) 상에 서로 다른 광을 제공하는 색변환부재(CP)가 각각 배치된다. 즉, 대응되는 화소들(PX1, PX2, PX3) 각각에 중첩하여 색변환부재(CP)가 배치된다. 발액코팅층(WX) 상에 무기막층(IL) 및 유기막층(OL)이 적층된다. 컬러필터부재(CZ) 관한 상세한 설명은 후술하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도 이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 서술한 컬러필터부재는 유기발광 표시 장치에 이용될 수 있는바, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치를 상세하게 설명한다. 도 1a 및 도 1b와 유사한 참조 부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
도 2a에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000-1)는 표시 패널(DP-1), 신호 제어부(TC-1), 게이트 구동부(GC-1), 데이터 구동부(DC-1)를 포함한다.
신호 제어부(TC-1)는 입력 영상신호들을 수신하고, 표시패널(DP-1)의 동작모드에 부합하게 변환된 영상데이터들(IDATA)과 각종 제어신호들(SCS, DCS)을 출력한다.
게이트 구동부(GC-1)는 신호 제어부(TC-1)로부터 게이트 구동제어신호(SCS)를 수신한다. 게이트 구동제어신호(SCS)를 공급받은 게이트 구동부(GC-1)는 복수 개의 게이트 신호들을 생성한다. 복수 개의 게이트 신호들은 표시패널(DP-1)에 순차적으로 공급된다.
데이터 구동부(DC-1)는 신호 제어부(TC-1)로부터 데이터 구동제어신호(DCS) 및 변환된 영상데이터들(IDATA)을 수신한다. 데이터 구동부(DC-1)는 데이터 구동제어신호(DCS)와 변환된 영상데이터들(IDATA)에 근거하여 복수 개의 데이터 신호들을 생성한다. 복수 개의 데이터 신호들은 표시패널(DP-1)에 공급된다.
표시패널(DP-1)은 외부로부터 제1 전원전압(ELVDD) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 공급받는다. 복수의 화소들(PX-1) 각각은 대응하는 게이트 신호에 응답하여 턴-온된다.
복수의 화소들(PX-1) 각각은 제1 전원전압(ELVDD) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 수신하고, 대응하는 데이터 신호에 응답하여 광을 생성한다. 제1 전원전압(ELVDD)은 제2 전원전압(ELVSS) 보다 높은 레벨의 전압이다.
복수의 화소들(PX-1) 각각은 적어도 하나의 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시터, 및 유기발광소자를 포함한다. 도 2a에는 복수의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 i번째 게이트 라인(Gi)과 복수의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 j번째 데이터 라인(DLj)에 연결된 일 화소(PX-1ij)의 회로도를 예시적으로 표시하였다.
화소(PX-1ij)는 제1 박막 트랜지스터(TFT1), 제2 박막 트랜지스터(TFT2), 커패시터(Cap), 및 유기발광소자(OLEDij)를 포함한다. 제1 박막 트랜지스터(TFT1)는 i번째 게이트 라인(GLi)에 연결된 제어전극, j번째 데이터 라인(DLj)에 연결된 입력전극, 및 출력전극을 포함한다. 제1 박막 트랜지스터(TFT1)는 i번째 게이트 라인(GLi)에 인가된 게이트 신호에 응답하여 j번째 데이터 라인(DLj)에 인가된 데이터 신호를 출력한다.
커패시터(Cap)는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)에 연결된 제1 커패시터 전극 및 제1 전원전압(ELVDD)을 수신하는 제2 커패시터 전극을 포함한다. 커패시터(Cap)는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압과 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 대응하는 전하량을 충전한다.
제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 출력 전극 및 커패시터(Cap)의 제1 커패시터 전극에 연결된 제어전극, 제1 전원전압(ELVDD)을 수신하는 입력전극, 및 출력전극을 포함한다. 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력전극은 유기발광소자(OLEDij)에 연결된다.
제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 커패시터(Cap)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광소자(OLEDij)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 커패시터(Cap)에 충전된 전하량에 따라 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 턴-온 시간이 결정된다. 실질적으로 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력전극은 유기발광소자(OLEDij)에 제1 전원전압(ELVDD)보다 낮은 레벨의 전압을 공급한다.
유기발광소자(OLEDij)는 제2 박막 트랜지스터(TFT2)에 연결된 제1 전극 및 제2 전원전압(ELVSS)을 수신하는 제2 전극을 포함한다. 유기발광소자(OLEDij)는 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴을 포함할 수 있다.
유기발광소자(OLEDij)는 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 턴-온 구간동안 발광된다. 유기발광소자(OLEDij)에서 생성된 광의 컬러는 발광 패턴을 이루는 물질에 의해 결정된다. 예컨대, 유기발광소자(OLEDij)에서 생성된 광의 컬러는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면 유기발광소자(OLEDij)에서 생성된 광의 컬러는 청색광일 수 있다.
도 2b는 표시 장치(1000-1)의 일부 구성만을 도시한 것이다. 용이한 설명을 위해 일 화소(PX-1, 이하 화소)만을 예시적으로 도시하였고, 도 2a에 도시된 화소(PX-1) 구성 중 제2 박막 트랜지스터(TFT2) 및 유기발광소자만(OLED)을 예시적으로 도시하였다. 표시 패널(DP-1)은 제1 기판(SUB1-1), 제2 기판(SUB2-1), 복수 개의 화소들(PX-1)을 포함한다.
복수 개의 화소들(PX-1)은 제2 박막 트랜지스터(TFT2) 및 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 드레인 전극(DE)은 컨택홀(CH-1)을 통해 제2 박막 트랜지스터(TFT2)와 전기적으로 연결된다.
유기발광소자(OLED)는 제1 전극층(ED1), 유기층(EL), 및 제2 전극층(ED2)을 포함한다. 제1 전극층(ED1)은 제2 절연막(INS2) 상에 배치된다.
제1 전극층(ED1)은 애노드 전극(anode electrode)일 수 있다. 제1 전극층(ED1)은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 가진 물질로 구성될 수 있다.
제1 전극층(ED1)은 도전성 물질을 포함한다. 제1 전극층(ED1)은 반사형 전극, 반투과형 전극, 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1 전극층(ED1)은 단일층 또는 다중층일 수 있다.
제2 절연막(INS2) 상에 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극층(ED1)은 격벽부재(WA)과 평면상에서 중첩하여 배치될 수 있다.
제1 전극층(ED1) 상에 유기층(EL)이 배치된다. 유기층(EL)은 발광 패턴들, 정공 수송 영역(FL1, 또는 정공 제어층), 및 전자 수송 영역(FL2, 또는 전자 제어층)을 포함한다. 도 2b에는 일 영역에 배치된 발광 패턴(EML)을 도시하였다. 발광 패턴(EML)은 색변환부재(CP-1)와 중첩하여 배치된다.
발광 패턴(EML)은 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있으며, 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 패턴(EML)은 청색을 발광하는 물질로 구성될 수 있다.
또한, 발광 패턴(EML)은 호스트(host material) 및 도펀트(dopant material)를 포함할 수 있다. 호스트 및 도펀트 각각은 공지된 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(FL1)은 제1 전극층(ED1)으로부터 주입된 정공이 발광 패턴(EML)에 도달하기 위하여 경유하는 영역이다. 정공 수송 영역(FL1)은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 단일층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(FL1)은 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질 중 적어도 어느 하나로 구성될 수 있다. 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질은 각각 공지된 물질들일 수 있다.
한편, 정공 수송 영역(FL1)은 정공 저지층을 더 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(FL1)이 정공 저지층을 포함하는 경우, 정공 수송 영역(FL1)은 공지의 정공 저지 재료를 포함할 수 있다.
한편, 정공 수송 영역(FL1)은 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(FL1) 내에 균일하게 분산되어 하나의 단일 영역을 형성하거나, 불균일하게 분산되어 정공 수송 영역(FL1)을 복수의 영역으로 구분할 수 있다.
전자 수송 영역(FL2)은 발광 패턴(EML)과 제2 전극층(ED2) 사이에 정의된다. 전자 수송 영역(FL2)은 제2 전극층(ED2)으로부터 주입된 전자가 발광 패턴(EML)에 도달하기 위하여 경유하는 영역이다.
전자 수송 영역(FL2)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전자 수송 영역(FL2)은, 발광 패턴(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층 또는 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지거나, 층 중 둘 이상의 층이 혼합된 단일층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(FL2)은 전자 수송 물질 및 전자 주입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 주입 물질 및 전자 수송 물질은 각각 공지된 물질들일 수 있다.
제2 전극층(ED2)은 제1 전극층(ED1) 상에 배치된다. 제2 전극층(ED2)은 제2 전원전압(ELVSS)을 수신한다. 제2 전극층(ED2)은 제1 전극층(ED1)과 대향한다. 예를 들어, 제1 전극층(ED1)이 애노드 전극일 경우, 제2 전극층(ED2)은 캐소드 전극일 수 있다. 이에 따라, 제2 전극층(ED2)은 전자 주입이 용이하도록 낮은 일함수를 가진 물질로 구성될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 제2 전극층(ED2)은 제1 전극층(ED1)보다 높은 일함수를 가진 물질을 포함하고, 제1 전극층(ED1)에 대향하는 애노드 전극일 수도 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제2 전극층(ED2)은 도전성 물질을 포함한다. 도전성 물질은 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물일 수 있다. 제2 전극층(ED2)은 반사형 물질 및 투과형 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 전극층(ED2)은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 다중층은 반사형 물질로 구성된 층 및 투과형 물질로 구성된 층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 전극층(ED2)은 반사형, 반투과형, 또는 투과형 전극일 수 있다. 제2 전극층(ED2)은 어느 하나의 실시예에 한정되지 않으며, 유기발광소자(OLED)의 구조에 따라 다양한 물질로 구성될 수 있다. 제2 전극층(ED2)은 제1 전극층(ED1) 및 화소 정의막(PDL)에 각각 중첩한다.
제2 전극층(ED2) 상에는 제3 절연막(INS3)이 배치된다. 제3 절연막(INS3)은 제2 전극층(ED2) 상에 배치되어 제2 전극층(ED2)과 제2 전극층(ED2) 상에 배치되는 다른 구성들을 절연시킨다. 또한, 3 절연막(INS3)은 유기발광소자(OLED)로 수분 및 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제3 절연막(INS3) 상에는 평탄화층(LL)이 배치된다 평탄화층(LL)의 일면은 제3 절연막(INS3)과 접촉하며, 타면은 컬러필터부재(CZ-1)의 유기막층(OL)과 접촉하며 평탄면을 제공한다.
컬러필터부재(CZ-1)는 평탄화층(LL)을 상에 배치되어 유기발광소자(OLED)와 중첩한다. 즉, 발광 패턴(EML)과 색변환부재(CP-1)가 대응되도록 중첩하여 배치될 수 있다. 본 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 패턴(EML)은 청색을 발광하는 물질로 구성될 수 있는바, 유기발광소자(OLED)에서 생성된 청색광은 컬러필터부재(CZ-1)에 제공된다. 컬러필터부재(CZ-1)는 청색광을 받아 적색광 또는 녹색광을 방출 할 수 있다. 컬러필터부재(CZ-1)는 도 1b에서 서술한 구성과 동일하며 상세한 설명은 후술한다.
도 3a 및 도 3c들은 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재의 단면도들이다. 설명의 편의를 위하여 본 발명의 특징적 구성인 컬러필터부재(CZ)에 관한 구성만을 별도로 설명하도록 한다.
도 3a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재(CZ)는 차단패턴부재(CC), 격벽부재(WA), 발액코팅층(WX), 색변환부재(CP), 차광부재(BM), 무기막층(IL), 유기막층(OL)을 포함한다.
색변환부재(CP)는 제1 색변환패턴(100), 제2 색변환패턴(200), 및 제3 색변환패턴(300)를 포함할 수 있다.
차단패턴부재(CC)는 제2 기판(SUB2) 상에 배치된다. 차단패턴부재(CC)는 제1 색변환패턴(100)과 중첩하는 제1 색차단패턴(CC1) 및 제2 색변환패턴(200)과 중첩하는 제2 색차단패턴(CC2)을 포함한다.
차단패턴부재(CC)는 백라이트 유닛(BLU)으로부터 출사되는 광, 예를 들어, 청색광이 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200)을 통과하여 적색 혹은 녹색의 컬러를 구현하는 과정에서 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 차단패턴부재(CC)는 청색광 파장대(400nm 내지 500nm)의 빛을 흡수하여 청색광을 차단할 수 있다. 차단패턴부재(CC)는 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물을 단일층에 포함할 수 있고, 미 미 도시 되었으나, 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물이 반복적으로 적층된 복수층으로 형성될 수 있다. 차단패턴부재(CC)의 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 무기물로서 실리콘 옥사이드(SiOx) 및 실리콘 나이트라이드(SiNx)를 포함할 수 있다. 이러한 차단패턴부재(CC)는 내부로부터 출사되는 광을 선택적으로 투과시킨다는 점에서, 컬러필터부재(CZ)의 색재현성을 향상 시킬 수 있다.
격벽부재(WA)는 제2 기판(SUB2) 상에 배치되어 복수 개의 개구부들을 정의한다. 격벽부재(WA)는 절연성을 가진다. 또한, 복수 개의 화소(PX) 간의 혼색을 방지하기 위해 광 흡수 물질을 포함할 수 있다.
발액코팅층(WX)은 격벽부재(WA)를 커버한다. 발액코팅층(WX)은 차단패턴부재(CC) 상에 배치되어 격벽부재(WA) 및 차단패턴부재(CC) 중 격벽부재(WA)에 의해 노출된 부분들을 커버한다. 발액코팅층(WX)은 후술하는 색변환부재(CP)가 배치되는 표면에 발액성을 부여한다. 발액코팅층(WX)은 실리콘 또는 불소 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 불소가 함유된 코팅제, 실란 커플링제(silane coupling agent), 겔화제, 실리카 계열의 코팅제일 수 있으며 일반적인 발수코팅 방법이면 이에 한정하는 것은 아니다.
색변환부재(CP)는 제2 기판(SUB2) 상에서 격벽부재(WA)에 의해 구획 개구부(OP) 내에 배치된다. 색변환부재(CP)는 복수 개의 화소들(PX) 중 적어도 하나의 화소와 중첩하며, 발액코팅층(WX) 상에 직접적으로 배치된다. 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200) 각각은 대응되는 차단패턴부재(CC) 상에서 대응하여 배치된다.
제1 색변환패턴(100)은 제1 굴곡부(CV1) 및 제1 색변환부(CF1)를 포함한다. 제1 굴곡부(CV1)와 제1 색변환부(CF1)가 직접적으로 중첩하는 부위는 제1 경계면(BL1)으로 정의된다.
제2 색변환패턴(200)은 제2 굴국부(CV2) 및 제2 색변환부(CF2)를 포함한다. 제2 굴곡부(CV2) 제2 색변환부(CF2)이 직접적으로 중첩하는 부위는 제2 경계면(BL2)으로 정의된다.
경계면들은 곡면 형상을 가진다. 예를 들어, 발액코팅층(WX)의 발액화로 인해 단면상에서 반구형, 또는 구형의 적어도 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200) 각각은 서로 다른 광으로 변환하는 복수 개의 형광체 또는 복수 개의 양자점들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 색변환패턴(100)은 백라이트 유닛(BLU: 도 1b 참조)에서 출사되는 청색광을 흡수하고 적색광을 방출하는 복수 개의 형광체들을 포함할 수 있다. 적색광 형광체들은 예를 들어, (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 적어도 하나의 물질일 수 있다. 제2 색변환패턴(200)은 백라이트 유닛(BLU)에서 출사되는 청색광을 흡수하고 녹색광을 방출하는 형광체들을 포함할 수 있다. 녹색광 형광체들은 예를 들어, 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, BAM, 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나의 물질일 수 있다.
또한, 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200) 각각은 광을 변환시키는 복수 개의 양자점들을 포함하는 경우 양자점들은 II-VI족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼 합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로 는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. 또한, 양자점들의 형태는 해당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
제1 굴곡부(CV1)는 제1 색차단패턴(CC1)에 대응하는 발액코팅층(WX) 상에 배치된다. 제1 굴곡부(CV1)는 상기 설명한 양자점들 또는 형광체들로 이루어진다. 제1 굴곡부(CV1)는 발액코팅층(WX)에 의해 젖음성이 저하되며 발액코팅층(WX)과 제1 굴곡부(CV1)이 이루는 접촉각이 커지게 된다. 즉, 제1 굴곡부(CV1)는 발액코팅층(WX)에 의해 표면 장력이 증가하게 되어 발액코팅층(WX) 상에서 곡면 형상을 가질 수 있다. 제1 굴곡부(CV1)는 발액코팅층(WX)과 낮은 접촉 면적을 형성하는 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 굴곡부(CV1)는 반구형, 또는 구형의 적어도 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1 굴곡부(CV1)와 제1 색변환부(CF1)가 접촉하는 제1 경계면(BL1)은 제1 기판을 향해 볼록한 곡면을 가질 수 있다.
제1 색변환부(CF1)는 제1 굴곡부(CV1)를 커버하며 대응되는 개구부(OP)에 배치될 수 있다. 제1 색변환부(CF1)는 제1 굴곡부(CV1)와 동일한 재료로 이루어진다. 따라서, 제1 색변환부(CF1)는 발액코팅층(WX) 상에 형성되는 것보다 제1 굴곡부(CV1) 상에 형성될 때 더 낮은 표면 장력을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 색변환부를 개구부(OP)에 용이하게 충진할 수 있으며, 목적하는 형상을 가질 수 있다.
제1 경계면(BL1)은 후술할 공정과정에서 제1 굴곡부(CV1)를 드로핑 후 경화 시킨 뒤 제1 색변환부(CF1)를 형성하는 과정에서 충진되는 시간 차이로 인해 형성되는 면을 의미한다. 제1 경계면(BL1)의 형상은 제1 굴국부(CV1)의 겉 표면 형상과 동일한 곡면 형상을 가진다.
상기 설명한 제1 색변환패턴(100)의 제1 색변환부(CF1), 제1 굴곡부(CV1), 및 제1 경계면(BL1)에 관한 설명은 제2 색변환패턴(200)의 제2 색변환부(CF2), 제2 굴곡부(CV2), 및 제2 경계면(BL2)와 동일하게 적용될 수 있으며 동일한 효과를 가지는바 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 각각 대응하는 개구부(OP)에 대해 백라이트 유닛(BLU)서 출사된 광을 서로 다른 광으로 변환시키는 양자점들 또는 형광체들을 충진하는 과정에서 색변환부들과 동일한 재료를 가지는 굴곡부들이 먼저 배치된다. 이로써, 단일 공정으로 양자점들 또는 형광체들을 발액코팅층(WX)상에 충진 시키는 경우 표면 장력의 증가로 양자점들 또는 형광체들의 뭉침으로 인해 발생하는 미채움(Not-fill)현상 또는 미채움(Not-fill)현상을 극복하기 위해 복수 회 충진 시킨 경우 발생하는 오버플로우(Overflow)현상을 방지하여 표시 장치(1000) 색재현성을 향상시킬 수 있다.
제3 색변환패턴(300)은 백라이트 유닛(BLU) 으로부터 공급되는 청색광이 그대로 투과하여 청색을 나타낸다. 청색광을 방출하는 영역에 해당하는 제3 색변환패턴(300)은 별도의 형광체들 또는 양자점들 없이 입사된 청색광을 출광하는 물질을 포함할 수 있다. 제3 색변환패턴(300)은 산란체 예를 들어, 산화 티타늄(TiO2) 및 감광성 수지 등의 폴리머 또는 청색 염료 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 청색광을 변환시키지 않고 산란시키는 재질이라면 이에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
무기막층(IL)은 컬러필터부재(CZ) 및 격벽부재(WA)를 커버한다. 무기막층(IL)은 규소 산화물(SiOx) 및 질화 규소(SiNx)중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 무기막층(IL)은 컬러필터부재(CZ)에 산소/수분 유입을 방지한다.
유기막층(OL)은 무기막층(IL) 상에 배치된다. 유기막층(OL)은 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 단일막 또는 적층막일 수 있다. 유기막층(OL)의 일면은 무기막층(IL)과 중첩하며 배면은 공통 전극(CE)과 중첩하여 배치되며 컬러필터부재(CZ)의 평탄화를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재(CZ)는 차광부재(BM)를 터 포함할 수 있다.
차광부재(BM)는 제2 기판(SUB2) 상에 배치될 수 있다. 차광부재(BM)는 평면상에서 격벽부재(WA)의 적어도 일부가 동일한 형상으로 배치될 수 있다. 차광부재(BM)는 차광부재(BM)에 입사되는 광을 흡수한다. 따라서, 차광부재(BM)는 빛을 투과시키지 않는 물질, 예를 들어 크롬(Cr), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 입자, 상기 금속 입자의 산화물, 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 차광부재(BM)는 표시 장치(1000)의 빛 샘 현상을 방지하고, 콘트라스트(contrast)를 향상시킨다.
도 3b를 참조하면, 단일의 개구부(OP)에 복수의 굴곡부들(CV1-S)이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제1 색변환패턴(100-1)은 복수로 제공되어 평면상에서 배열된 복수의 굴곡부들(CV1-S)을 포함할 수 있다. 복수의 굴곡부들(CV1-S)은 서로 접촉하여 배치된다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 복수의 굴곡부들(CV1-S)은 소정의 간격으로 단일의 개구부(OP) 내에서 서로 이격되어 배치될 수도 있다.
또한, 복수의 굴곡부들(CV1-S)은 서로 동일한 양자점들 또는 형광체들로 이루어질 수 있다. 복수의 굴곡부들(CV1-S)은 제1 색변환부(CF1-S)에 의해 커버된다. 복수의 굴곡부들(CV1-S)과 제1 색변환부(CF1-S)가 직접적으로 중첩하는 부위는 제1 경계면(BL1-S)으로 정의된다. 제1 색변환부(CF1-S)는 복수의 굴곡부들(CV1-S)과 동일한 양자점들 또는 형광체들로 이루어질 수 있다.
도 3c를 참조하면, 복수의 굴곡부들은 단면상에서 서로 적층되어 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제1 색변환패턴(100-2)는 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)를 포함한다. 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)는 대응되는 개구부(OP)에 서로 접촉한다. 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)는 컬러필터부재(CZ)의 두께방향으로 적층되어 배치된다. 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)는 서로 동일한 양자점들 또는 형광체들로 이루어질 수 있다. 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)는 제1 색변환부(CF1-P)에 의해 커버된다. 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)가 직접적으로 접촉하는 부위는 제1 경계면(BL1-P1)을 형성하며 제2 서브굴곡부(CV1-P2)와 제1 색변환부(CF1-P)가 직접적으로 중첩하는 부위는 제2 경계면(BL1-P2)을 형성한다. 제1 색변환부(CF1-P)는 제1 서브굴곡부(CV1-P1) 및 제2 서브굴곡부(CV1-P2)와 동일한 양자점들 또는 형광체들로 이루어질 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 색변환부(CF1-S, CF1-P)에 의해 커버되는 굴곡부들의 면적을 넓히거나 개수를 증가시킴으로써 제1 색변환부(CF1-S, CF1-P)와 굴곡부들의 접촉 면적이 증가하게 된다. 이로써, 단일 공정으로 양자점들 또는 형광체들을 발액코팅층(WX)상에 충진 시키는 경우 표면 장력의 증가로 양자점들 또는 형광체들의 뭉침으로 인해 발생하는 미채움(Not-fill)현상 또는 미채움(Not-fill)현상을 극복하기 위해 복수 회 충진 시킨 경우 발생하는 오버플로우(Overflow) 현상을 방지할 수 있으며, 이로 인해 표시 장치(1000)의 색재현성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재의 단면도이다. 도 3a에 도시된 컬러필터부재(CZ)와 유사한 참조부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
컬러필터부재(CZ-W)의 제3 색변환패턴(300-W)이 격벽부재(WA)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제3 색변환패턴(300-W)은 제3 화소(PX3: 도 1b 참조) 영역과 중첩되는 개구부(OP)를 정의하는 격벽부재(WA: 도2 참조)와 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제3 색변환패턴(300-W)은 도 3a의 격벽부재(WA: 도 3a 참조)와 제3 색변환패턴(300-1: 도 3a 참조)이 일체로 형성된 것과 대응될 수 있다. 제3 색변환패턴(300-W)의 일면은 제2 기판과 접촉될 수 있으며, 배면은 발액코팅층(WX)에 의해 커버될 수 있다. 제3 색변환패턴(300-W)은 산란체 예를 들어, 산화 티타늄(TiO2) 및 감광성 수지 등의 폴리머 또는 청색 염료 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 제3 색변환패턴(300-W)과 중첩하는 격벽부재(WA)를 일체로 형성함으로써 격벽부재(WA)의 개구부들을 형성하는데 필요한 공정시간 및 비용을 감축시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 컬러필터부재의 단면도이다. 도 3a에 도시된 컬러필터부재(CZ)와 유사한 참조부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
컬러필터부재(CZ-B)의 차광부재(BM)는 도 3a 격벽부재(WA: 도 3a 참조)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 따라서, 이에 따라, 차광부재(BM-1)는 도 3a의 격벽부재(WA) 와 차광부재(BM: 도 3a 참조)가 일체로 형성된 것과 대응될 수 있다. 차광부재(BM-1)는 서로 다른 개구부들의 혼색을 방지하며 차광부재(BM-1)로 입사되는 광을 흡수한다. 차광부재(BM-1)는 빛을 투과시키지 않는 물질, 예를 들어 크롬(Cr), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 입자, 상기 금속 입자의 산화물, 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 차광부재(BM-1)는 표시 장치(1000)의 빛 샘 현상을 방지하고, 콘트라스트(contrast)를 향상시킨다. 또한, 차광부재(BM-1)를 도 3a의 격벽부재(WA)로 대체함으로써 도 3a의 격벽부재(WA)를 형성하는 공정시간 및 비용을 감축시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도 이다. 도 3a에 도시된 컬러필터부재(CZ)와 유사한 참조부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
컬러필터부재(CZ-L) 중 제1 색변환패턴(100-3)은 복수 개의 화소들(PX) 중 적어도 두 개의 화소들(PX)에 중첩하여 배치될 수 있다. 따라서, 인접하는 화소들(PX) 중 제1 색변환패턴(100-3)과 대응되어 중첩하는 화소들(PX)은 제1 색변환패턴(100-3)을 통해 동일한 색의 광을 제공한다.
제1 색변환패턴(100-3)은 복수개의 굴곡부들(CV1-L)을 포함한다. 복수개의 굴곡부들(CV1-L)은 서로 이격되어 배치되며 동일한 양자점들 또는 형광체들을 가진다. 복수개의 굴곡부들(CV1-L)은 제1 색변환부(CF1-L)에 의해 커버된다. 복수개의 굴곡부들(CV1-L)은 제1 색변환부(CF1-L)와 직접적으로 중첩하는 부위에서 각각이 경계면들(BL1-L)을 형성한다. 본 발명의 실시예는 제1 색변환부(CF1-L)만을 도시하였으나, 인접한 색변환부들 또한 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 7a 내지 도 7h들은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법을 도시한 것이다. 이하 도 7a 내지 도 7h를 참조하여 상세하게 설명한다. 도 3a에 도시된 컬러필터부재(CZ)와 유사한 참조부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
도 7a에 도시된 것과 같이, 제2 기판(SUB2) 상면에 차광부재(BM)가 형성될 수 있다.
차광부재(BM)은 복수개의 개구부들을 형성 한다. 미 도시 되었으나, 차광부재(BM)는 크롬(Cr), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 입자, 상기 금속 입자의 산화물, 또는 유기물질을 제2 기판(SUB2) 전면에 도포한 뒤 소정의 마스크를 사용하여 포토리소그래피법을 통해 선택적으로 노광하여 개구부들을 정의하는 차광부재(BM)를 형성한다.
이후, 도 7b에 도시된 것과 같이 차광부재(BM)가 형성된 제2 기판(SUB2) 상에 차단패턴부재(CC)가 형성된다. 차광부재(BM)에 의해 정의된 복수개의 개구부들 중 대응되는 개구부(OP)에 형성되며 적어도 일부의 차광부재(BM)을 커버한다. 미 도시 되었으나, 차단패턴부재(CC)는 고굴절률 및 저굴절률을 가지는 규소 산화물(SiOx) 및 질화 규소(SiNx)을 전면에 인쇄한 후, 소정의 마스크를 사용하여 일정영역에 차단패턴부재(CC)를 프린팅하여 형성한다. 차단패턴부재(CC)는 청색광 파장대(400 nm 내지 500nm)의 빛을 흡수하여 청색광을 차단할 수 있다. 차단패턴부재(CC)는 이후 형성될 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200)에 대응되는 위치에만 형성하며, 제3 색변환패턴(300)과 대응되는 위치에는 형성하지 않는다.
이후, 도 7c에 도시된 것과 같이 차광부재(BM)와 대응되는 위치에 격벽부재(WA)가 형성 된다. 격벽부재(WA)는 화소의 배열과 대응되게 형성될 수 있다. 미 도시 되었으나, 격벽부재(WA)는 차광부재(BM) 및 차단패턴부재(CC)가 형성된 제2 기판(SUB2) 전면에 초기막을 형성한 뒤, 차광부재(BM)와 동일한 형상을 갖도록 포토리소그래피법을 통해 형성한다. 격벽부재(WA)는 제2 기판(SUB2) 상에 배치되어 복수 개의 개구부들을 정의한다. 격벽부재(WA)는 절연성을 가지며, 복수 개의 화소들(PX) 간의 혼색을 방지하기 위해 광 흡수 물질을 포함할 수 있다.
격벽부재(WA)의 복수 개의 개구부들은 평면상에서 적어도 하나 이상의 화소들(PX)과 중첩하는 매트릭스 형태로 제공 될 수 있다. 또한, 개구부(OP)는 평면상에 스트라이프 형태로 제공되어 일 방향으로 배열된 적어도 하나 이상의 화소들(PX)과 중첩될 수 있다. 격벽부재(WA)의 형상은 한정되지 않는다, 예를 들어, 미 도시 되었으나, 테이퍼 형상으로 형성될 수 있다.
이후, 도 7d에 도시된 것과 같이 발액코팅층(WX)은 격벽부재(WA)를 커버하며 형성된다. 발액코팅층(WX)은 차단패턴부재(CC) 상에 배치되어 격벽부재(WA) 및 차단패턴부재(CC) 중 격벽부재(WA)에 의해 노출된 부분들을 커버며 형성된다. 발액코팅층(WX)은 예를 들어, 실리콘 또는 불소 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발액코팅층(WX)은 불소가 함유된 코팅제, 실란 커플링제(silane coupling agent), 겔화제, 실리카 계열의 코팅제일 수 있으며 일반적인 발수코팅 방법이면 되고 어느 하나의 실시예로 한정하는 것은 아니다. 발액코팅층(WX)에 의해 발액성이 부여되며, 이후 발액코팅층(WX)상에 드로핑될 양자점들 또는 형광체들의 표면장력이 증가하게 된다.
이후, 도 7e에 도시된 것과 같이 굴곡부들은 대응되는 개구부(OP) 상에 형성된다. 최종적으로 형성될 제1 색변환패턴(100: 도 7g 참조) 부분에는 제1 굴곡부(CV1)이 형성되며, 제2 색변환패턴(200) 부분에는 제2 굴곡부(CV2: 도 7g 참조)가 형성된다. 제1 굴곡부(CV1) 및 제2 굴곡부(CV2)는 각각 대응되는 광을 방출하는 양자점들 또는 형광체들을 드로핑하여 건조시킴으로써 순차적으로 형성될 수 있다. 굴곡부들은 각각 대응하는 발액코팅층(WX) 상에 도포됨으로 발액화에 의해 드로핑되는 양자점들 또는 형광체들의 내부 표면 장력이 증가하여 단면상에서 반구형, 또는 구형의 적어도 일부가 제거된 형상을 가질 수 있다.
도 7f 및 도 7g들에 도시된 것과 같이, 각각 대응되는 개구부(OP)의 발액코팅층(WX)상에 색변환패턴들을 형성한다. 색변환패턴들은 초기 색변환부들의 건조과정을 통해 형성될 수 있다. 보다 상세하게는, 각각 대응되는 개구부(OP)에 초기 색변환부들이 충진될 수 있다. 초기 색변환부들은 서로 다른 광을 형성하는 양자점들 또는 형광체들로 이루어진다. 또한, 최종적으로 형성될 제1 색변환패턴(100) 부분에는 제1 초기 색변환부(SCF1)가 충진되며, 제2 색변환패턴(200) 부분에는 제2 초기 색변환부(SCF2)가 충진되고, 제3 색변환패턴(300) 부분에는 제3 초기 색변환부(SCF3)가 충진된다.
제1 초기 색변환부(SCF1)는 제1 굴곡부(CV1)와 동일한 양자점들 또는 형광체들을 가지며, 제2 초기 색변환부(SCF2)는 제2 굴곡부(CV2)와 동일한 양자점들 또는 형광체들을 가진다. 제3 초기 색변환부(SCF3)은 산란체 예를 들어, 산화 티타늄(TiO2) 및 감광성 수지 등의 폴리머 또는 청색 염료 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 청색광을 변환시키지 않고 산란시키는 재질이라면 이에 한정되지 않고 다양하게 변형되어 충진될 수 있다.
제1 초기 색변환부(SCF1)는 제1 높이(H1)을 갖도록 대응되는 개구부(OP)에 충진될 수 있다. 제1 높이(H1)는 발액코칭층(WX) 상면으로부터 제1 초기 색변환부(SCF1)의 상면까지의 두께 방향에서의 직선 거리 중 가장 긴 거리로 정의될 수 있다.
제1 높이(H1)는 45um 내지 60um일 수 있다. 45um 이하로 색변환부들이 충진되는 경우 건조과정에서 높이가 줄어들어 미채움(Not-fill)현상이 발행할 수 있으며, 60um이상 색변환부들이 충진되는 경우 서로 다른 광을 방출하는 인접한 색변환부들과 혼색이 발행하는 오버플로우(Overflow) 현상이 발생하기 때문이다.
제1 색변환부는(CF1) 제2 높이(H2)를 가질 수 있다. 제2 높이(H2)는 실질적으로 제1 높이(H1)가 정의된 것과 대응되는 방식으로 정의될 수 있다. 즉 제1 초기 색변환부(SCF1)가 건조되어 제1 색변환부(CF1)로 형성됨에 따라, 제1 색변환부(CF1)는 제1 높이(H1) 감소된 제2 높이(H2)를 가진다. 이는 건조 공정에 의해 제1 초기 색변환부(SCF1)에 존재하던 용매 등의 액체가 건조됨에 따른 것일 수 있다.
한편, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 건조 공정에 의해 제2 색변환부(CF2) 및 제3 색변환패턴(300) 각각에도 제1 색변환부(CF1)와 대응되는 높이 변화가 발생될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
초기 색변환부들을 건조 시킴으로써 서로 다른 광을 제공하는 색변환패턴들이 형성된다. 예를 들어, 제1 색변환패턴(100)은 백라이트 유닛(BLU: 도 1b 참조)으로부터 청색광을 받아 적색광을 방출 할 수 있다. 제2 색변환패턴(200)은 백라이트 유닛(BLU)로부터 청색광을 받아 녹색광을 방출 할 수 있다. 제3 색변환패턴(300)은 백라이트 유닛(BLU)으로부터 받은 청색광을 그대로 투과하여 청색광을 방출할 수 있다. 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200)의 방출되는 광은 서로 변경될 수 있으며 이에 한정하는 것은 아니다.
제1 색변환패턴(100)은 제1 굴곡부(CV1)와 제1 색변환부(CF1)가 중첩되는 부위에 제1 경계면(BL1)이 형성된다. 제2 색변환패턴(200)은 제2 굴곡부(CV2)와 제2 색변환부(CF2)가 중첩되는 부위에 제2 경계면(BL2)이 형성된다. 각각의 경계면들은 굴곡부들의 경화과정 이후 대응되는 색변환부들이 충진되는 시간차이에 의해 형성되는 것이다.
대응되는 굴곡부들 및 색변환부들은 서로 동일한 양자점들 또는 형광체들로 이루어진다. 이에 따라, 단일 공정으로 양자점들 또는 형광체들을 발액코팅층(WX)상에 충진 시키는 경우 표면 장력의 증가로 양자점들 또는 형광체들의 뭉침으로 인해 발생하는 미채움(Not-fill)현상 또는 미채움(Not-fill)현상을 극복하기 위해 복수 회 충진 시킨 경우 발생하는 오버플로우(Overflow)현상을 방지하여 색재현성을 향상시킬 수 있다.
이후, 도 7h에 도시된 것과 같이 건조된 색변환패턴들 상에 무기막층(IL)이 증착될 수 있다. 무기막층(IL)은 규소 산화물(SiOx) 및 질화 규소(SiNx)중 적어도 어느 하나로 도포되어 형성될 수 있으며, 무기막층의 증착은 일반적인 방법으로 화학적/물리적 증착 방법에 한정하지 않는다. 무기막층(IL)은 색변환패턴들로의 산소/수분 유입을 방지한다.
유기막층(OL)은 무기막층(IL) 상에 코팅된다. 유기막층(OL)은 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 단일막 또는 적층막일 수 있다. 유기막층(OL)의 일면은 무기막층(IL)과 중첩하며 배면은 평탄화를 제공한다.
도 8a 내지 8d들은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법을 도시한 것이다. 도 7c 내지 도 7h들과 유사한 참조부호를 사용하며 중복된 설명은 생략한다.
본 발명에 있어서, 격벽부재(WA)와 제3 색변환패턴(300-W)이 동시에 형성될 수 있다. 제2 기판(SUB2) 상에 도포된 초기막(300-S)을 하나의 마스크를 통해 동시에 패터닝 함으로써 격벽부재(WA)와 제3 색변환패턴(300-W)를 동시에 패터닝 할 수 있따. 이에 따라, 공정 단순화 및 비용절감의 효과를 가질 수 있다.
도 8a를 참조하면, 초기막(300-S)은 차광부재(BM) 및 차단패턴부재(CC)가 형성된 제2 기판(SUB2) 상에 형성된다. 도 8b를 참조하면, 초기막(300-S)을 에칭하여 격벽부재(WA) 및 제3 색변환패턴(300-W)을 형성한다. 격벽부재(WA)는 차광부재(BM)와 중첩하여 형성되며, 제1 색차단패턴(CC1)의 적어도 일부 및 제2 색차단패턴(CC2)의 적어도 일부를 노출시킨다. 제3 색변환패턴(300-W)은 차광부재(BM) 및 대응되는 개구부(OP)와 중첩하도록 형성될 수 있다. 제3 색변환패턴(300-W)은 미 도시된 화소들(PX) 중 적어도 일 화소와 중첩하는 것과 동시에 인접하는 개구부들(OP)을 정의하는 격벽으로 기능할 수 있다. 따라서, 제3 색변환패턴(300-W)은 소정의 광을 투과시키고 인접하는 광들 사이의 혼색을 방지할 수 있다.
제3 색변환패턴(300-W)은 격벽부재(WA)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제3 색변환패턴(300-W)은 격벽부재(WA)와 하나의 마스크를 통해 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 비용 절감, 공정의 단순화, 및 공정시간을 단축시킬 수 있다.
초기막(300-S)은 산란체 예를 들어, 산화 티타늄(TiO2) 및 감광성 수지 등의 폴리머 또는 청색 염료 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으나, 청색광을 변환시키지 않고 산란시키는 재질이라면 이에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 따라서, 제3 색변환패턴(300-W)는 백라이트 유닛(BLU: 도 1b 참조)로부터 공급되는 청색광이 그대로 투과하여 청색을 나타낸다.
도 8c 및 8d를 참조하면, 제3 색변환패턴(300-W) 및 차단패턴부재(CC)와 제1 색변환패턴(100) 및 제2 색변환패턴(200) 사이에 형성된 격벽부재(WA) 상에 발액코팅층(WX)이 도포된다. 즉, 제3 색변환패턴(300-W)상에 발액코팅층(WX)가 도포된다.
발액코팅층(WX)의 경화 후 제1 색변환패턴(100)과 제2 색변환패턴(200)의 대응되는 개구부(OP)에 굴곡부들(CV)이 형성되며, 각각의 굴곡부들(CV)을 커버하는 색변환부들이 충진되어 서로 다른 광을 방출하는 색변환패턴들이 형성된다.
이와 같이 격벽부재를 형성함과 동시에 제3 색변환패턴(300-W)를 생성함으로써 제3 색변환패턴(300-W)을 충진하기 위한 별도의 공정을 생략할 수 있는바 공정시간 단축하며 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1000: 표시 장치 100: 제1 색변환패턴
200: 제2 색변환패턴 300: 제3 색변환패턴
CZ: 컬러필터부재 CP: 색변환부재
DP: 표시 패널 WA: 격벽부재
BM: 차광부재 CC: 차단패턴부재
WX: 발액코팅층 IL: 무기막층
OL: 유기막층 BLU: 백라이트 유닛

Claims (20)

  1. 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치며, 상기 복수의 화소들로부터 제공된 광을 받는 컬러필터부재를 포함하고,
    상기 컬러필터부재는,
    각각이 상기 복수의 화소들 중 적어도 어느 하나와 평면상에서 중첩하는 복수의 개구부들이 정의된 격벽부재;
    상기 격벽부재를 커버하는 발액코팅층; 및
    상기 개구부들 각각에 배치되며, 서로 다른 광을 제공하는 제1 색변환패턴, 및 제2 색변환패턴을 포함하는 색변환부재를 포함하고,
    상기 제1 색변환패턴은 서로 동일한 물질을 포함하며 서로 접촉하여 경계를 형성하는 제1 굴곡부 및 제1 색변환부를 포함하고,
    상기 제2 색변환패턴은 서로 동일한 물질을 포함하며 서로 접촉하여 경계를 형성하는 제2 굴곡부 및 제2 색변환부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 색변환부재는 상기 서로 다른 광에 대응되는 복수의 양자점들 및 복수의 형광체들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 컬러필터부재는,
    상기 제2 기판과 상기 색변환부재 사이에 배치되고, 청색광을 차단하는 차단패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 컬러필터부재는,
    상기 격벽부재의 적어도 일부와 중첩하며, 광을 차단하는 차광부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 차광부재는 상기 격벽부재와 동일한 형상을 가지며, 상기 격벽부재는 광을 차단하는 차광물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴곡부는 상기 복수의 개구부들 중 일 개구부에 중첩하고, 서로 이격되어 복수로 배치되며, 상기 복수의 제1 굴곡부들은 상기 제1 색변환부에 의해 커버된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴곡부는 상기 복수의 개구부들 중 일 개구부에 중첩하여 복수로 구비되고, 상기 복수의 제1 굴곡부들은 두께방향으로 적층되어 배치되며, 상기 경계는 상기 제1 굴곡부들 중 상기 제1 색변환부와 접촉하는 제1 굴곡부와의 사이에서 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 경계는 곡면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 컬러필터부재는,
    상기 개구부들에 배치되며, 상기 제1 색변환패턴 및 상기 제2 색변환패턴과 서로 다른 광을 제공하는 제3 색변환패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제3 색변환패턴이 상기 격벽부재와 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 색변환층은 상기 제2 기판과 중첩하며 상기 발액코팅층에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색변환패턴은 상기 화소들 중 적어도 두 개의 화소들에 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들 각각은 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터에 연결되고 액정 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들 각각은 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터에 연결된 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 광은 청색광인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 베이스 기판 상에 초기막을 형성하고 상기 초기막에 복수의 개구부들을 형성하여 격벽부재를 형성하는 단계;
    발액 물질로 상기 개구부들 및 상기 격벽부재를 커버하여 발액코팅층을 형성하는 단계;
    상기 개구부들 중 서로 다른 제1 개구부 및 제2 개구부 각각에서 제1 양자점들을 드로핑(dropping)하여 제1 패턴 및 제2 양자점들을 드로핑하여 제2 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴 각각에 충진된 제1 양자점들 및 제2 양자점들을 건조하여 제1 굴곡부 및 제2 굴곡부를 형성하는 단계;
    상기 제1 개구부에 상기 제1 양자점들을 충진하고 상기 제2 개구부에 상기 제2 양자점들을 충진하여 제3 패턴 및 제4 패턴을 각각 형성하는 단계;
    상기 제3 패턴 및 상기 제4 패턴을 건조하여 제1 색변환부 및 제2 색변환부를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 개구부에서 상기 제1 양자점들을 일 방향을 따라서 복수 회 드로핑하여 복수의 상기 제1 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 개구부에서 상기 제1 양자점들을 고정된 동일 위치에서 복수 회 드로핑하여 두께방향으로 적층된 복수의 상기 제1 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 양자점들은 상기 두께방향으로 드로핑하여 적층될 때 마다 개별적으로 건조하여 경계를 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제16 항에 있어서,
    베이스 기판 상에 초기막을 형성하는 단계에서,
    상기 초기막과 동일한 물질을 포함하며 상기 초기막과 동일한 두께로 이루어진 제3 색변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102167515B1 (ko) * 2019-10-04 2020-10-19 동우 화인켐 주식회사 색변환 패널
WO2021137360A1 (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 색변환 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2022131568A1 (ko) * 2020-12-18 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11569308B2 (en) 2020-02-28 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Color-converting substrate and display device including the same
US11844259B2 (en) 2020-07-07 2023-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102523976B1 (ko) * 2017-11-21 2023-04-20 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR102619610B1 (ko) * 2018-09-28 2023-12-28 엘지디스플레이 주식회사 자체발광 표시장치
US11271141B2 (en) * 2018-11-26 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting device with wavelenght conversion layer having quantum dots
JP2020113437A (ja) * 2019-01-11 2020-07-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20200120845A (ko) * 2019-04-12 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200124372A (ko) * 2019-04-23 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 컬러제어부재 및 이를 적용한 표시장치
KR20210031586A (ko) * 2019-09-11 2021-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN116413950A (zh) * 2020-02-19 2023-07-11 群创光电股份有限公司 电子装置
KR20210127279A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210129309A (ko) * 2020-04-17 2021-10-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210129786A (ko) * 2020-04-20 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치, 그리고 그 제조 방법
CN111430444B (zh) * 2020-04-30 2023-06-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 量子点显示面板及其制备方法
KR20210138834A (ko) * 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치
KR20210142031A (ko) * 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210153170A (ko) * 2020-06-09 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2021251898A1 (en) * 2020-06-10 2021-12-16 Agency For Science, Technology And Research Spatial light modulator and method of forming the same
KR20220008995A (ko) * 2020-07-14 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN111785170B (zh) * 2020-07-16 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229260A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Dainippon Printing Co Ltd 色変換フィルタの製造方法
KR20070059971A (ko) * 2005-12-07 2007-06-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 디스플레이의 제조 방법, 디스플레이, 및 전자 기기
KR20070062646A (ko) * 2005-12-13 2007-06-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
JP2011075676A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Fujifilm Corp カラーフィルタ製造方法及びカラーフィルタ製造装置
KR20110075548A (ko) * 2009-12-28 2011-07-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2016225273A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 有機発光表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69739633D1 (de) * 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
JP2006098530A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ
JP2009244296A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタ
JP5343815B2 (ja) * 2009-11-11 2013-11-13 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
JP2014089281A (ja) 2012-10-30 2014-05-15 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法、電子機器
KR102139577B1 (ko) 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10067386B2 (en) * 2014-09-30 2018-09-04 Corning Incorporated Devices comprising convex color converting elements
KR102362620B1 (ko) 2014-12-09 2022-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR20170037703A (ko) 2015-09-25 2017-04-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102555322B1 (ko) 2015-09-30 2023-07-14 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US10712614B2 (en) * 2015-09-30 2020-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR102626853B1 (ko) 2015-10-30 2024-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102454192B1 (ko) 2017-07-19 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229260A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Dainippon Printing Co Ltd 色変換フィルタの製造方法
KR20070059971A (ko) * 2005-12-07 2007-06-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 디스플레이의 제조 방법, 디스플레이, 및 전자 기기
KR20070062646A (ko) * 2005-12-13 2007-06-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
JP2011075676A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Fujifilm Corp カラーフィルタ製造方法及びカラーフィルタ製造装置
KR20110075548A (ko) * 2009-12-28 2011-07-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2016225273A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 有機発光表示装置及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102167515B1 (ko) * 2019-10-04 2020-10-19 동우 화인켐 주식회사 색변환 패널
WO2021137360A1 (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 색변환 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
US11569308B2 (en) 2020-02-28 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Color-converting substrate and display device including the same
US11925093B2 (en) 2020-02-28 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Color-converting substrate and display device including the same
US11844259B2 (en) 2020-07-07 2023-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
WO2022131568A1 (ko) * 2020-12-18 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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