KR20190021155A - Processing apparatus and processing method - Google Patents

Processing apparatus and processing method Download PDF

Info

Publication number
KR20190021155A
KR20190021155A KR1020180086321A KR20180086321A KR20190021155A KR 20190021155 A KR20190021155 A KR 20190021155A KR 1020180086321 A KR1020180086321 A KR 1020180086321A KR 20180086321 A KR20180086321 A KR 20180086321A KR 20190021155 A KR20190021155 A KR 20190021155A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
work
cutting
measuring
substrate
Prior art date
Application number
KR1020180086321A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102198458B1 (en
Inventor
나오미 후지와라
선하 황
Original Assignee
토와 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토와 가부시기가이샤 filed Critical 토와 가부시기가이샤
Publication of KR20190021155A publication Critical patent/KR20190021155A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102198458B1 publication Critical patent/KR102198458B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D1/00—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor
    • B26D1/01—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor involving a cutting member which does not travel with the work
    • B26D1/12—Cutting through work characterised by the nature or movement of the cutting member or particular materials not otherwise provided for; Apparatus or machines therefor; Cutting members therefor involving a cutting member which does not travel with the work having a cutting member moving about an axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

A processing apparatus, which processes a work (2), has: a table (4) loading the work (2); a grinding device (8) grinding the work (2); and a measuring device (19) measuring the position of at least a part of the work (2) in the direction of work thickness of the work (2), wherein the grinding device (8) has a grinding magnet (10), and the position of the grinding magnet in the direction of the work thickness is controlled based on a measurement value measured by the measuring device (19), thereby suppressing a change in the grinding amount of the work.

Description

가공 장치 및 가공 방법 {PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}{PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}

본 발명은, 가공 장치 및 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a machining apparatus and a machining method.

종래 기술로서, 예를 들어 특허문헌 1에는, 패키지 기판의 가공 방법이 개시되어 있다. 이 패키지 기판의 가공 방법은, 교차하는 복수의 분할 예정 라인(25)으로 구획된 기판(12) 상의 칩 영역에 배치된 복수의 디바이스 칩(20)과, 당해 디바이스 칩(20)의 외주에 형성된 복수의 주상 도체 전극(22)과, 복수의 당해 디바이스 칩(20)과 당해 주상 도체 전극(22)을 피복하는 수지 밀봉층(24)을 갖는 패키지 기판(10)의 가공 방법이며, 적어도 당해 복수의 주상 도체 전극(22)이 매설된 영역의 당해 수지 밀봉층(24)을 절삭 블레이드(32)로 절삭하여 패키지 기판(10)의 마무리 두께보다 깊은 절삭 홈(33)을 형성하고, 당해 절삭 홈(33)의 홈 저부에 당해 주상 도체 전극(22)의 단부면(22a)을 노출시키는 절삭 스텝과, 당해 절삭 스텝을 실시한 후, 패키지 기판(10)의 당해 수지 밀봉층(24)과 함께 당해 기판(12) 상에 배치된 당해 복수의 디바이스 칩(20)을 연삭 지석(46)으로 연삭하여 패키지 기판(10)을 당해 마무리 두께로 박화하는 연삭 스텝을 구비한 것을 특징으로 한다.As a conventional technique, for example, Patent Document 1 discloses a method of processing a package substrate. The method of processing the package substrate includes a plurality of device chips 20 arranged in a chip region on a substrate 12 divided by a plurality of lines to be divided 25 that intersect with each other, A method of processing a package substrate (10) having a plurality of columnar conductor electrodes (22), a plurality of the device chips (20) and a resin sealing layer (24) covering the columnar conductor electrodes (22) The resin sealing layer 24 of the region in which the columnar conductor electrode 22 of the package substrate 10 is embedded is cut with the cutting blade 32 to form a cut groove 33 that is deeper than the finish thickness of the package substrate 10, A step of exposing the end face 22a of the columnar conductor electrode 22 to the bottom of the groove 33 of the package substrate 10 after the cutting step is performed, The plurality of device chips 20 disposed on the substrate 12 are connected to the grinding wheel 46 And a grinding step of thinning the package substrate (10) to the finished thickness.

일본 특허 공개 제2014-220443호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-220443

특허문헌 1에 개시된 패키지 기판의 가공 방법에서는, 절삭 블레이드(32)로 수지 밀봉층(24)을 절삭하여 패키지 기판(10)의 마무리 두께보다 깊은 절삭 홈(33)을 형성한다. 그러나 이 절삭 홈(33)의 깊이를 제어하는 수단 또는 측정하는 수단이 개시되어 있지 않아, 절삭 홈(33)의 깊이(절삭량)에 변동이 발생할 우려가 있다.In the method of processing a package substrate disclosed in Patent Document 1, a resin sealing layer 24 is cut with a cutting blade 32 to form a cut groove 33 that is deeper than the finished thickness of the package substrate 10. However, the means for controlling the depth or the means for measuring the depth of the cutting grooves 33 are not disclosed, and there is a possibility that the depth (cutting amount) of the cutting grooves 33 may vary.

본 발명은, 상기한 과제를 해결하는 것으로, 워크의 연삭량의 변동을 억제할 수 있는 가공 장치 및 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a machining apparatus and a machining method capable of suppressing fluctuations in the amount of grinding of a work by solving the above problems.

상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 가공 장치는, 워크를 가공하는 가공 장치이며, 워크를 적재하는 테이블과, 워크를 연삭하는 연삭 기구와, 워크의 워크 두께 방향에서의 적어도 워크의 일부의 위치를 측정하는 측정 기구를 구비하고, 연삭 기구는 연삭 지석을 갖고, 측정 기구에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 워크 두께 방향에서의 연삭 지석의 위치가 제어된다.In order to solve the above problems, a machining apparatus according to the present invention is a machining apparatus for machining a work, comprising: a table for loading a work; a grinding mechanism for grinding the work; And the grinding mechanism has a grinding wheel and the position of the grinding wheel in the workpiece thickness direction is controlled based on the measurement value measured by the measuring mechanism.

상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 가공 방법은, 기판과, 기판에 장착된 복수의 반도체 소자와, 반도체 소자의 주위에 배치된 복수의 돌기상 전극과, 적어도 복수의 반도체 소자 및 복수의 돌기상 전극을 덮는 밀봉 수지를 갖는 워크를 가공하는 가공 방법이며, 기판에 가공 예정선을 설정하는 설정 공정과, 워크의 워크 두께 방향에서의 적어도 워크의 일부의 위치를 측정 기구에 의해 측정하는 측정 공정과, 워크를 연삭 지석에 의해 연삭하는 연삭 공정과, 측정 기구에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 워크 두께 방향에서의 연삭 지석의 위치를 제어하는 제어 공정을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a processing method for a semiconductor device including a substrate, a plurality of semiconductor elements mounted on the substrate, a plurality of projected electrodes disposed around the semiconductor element, A step of setting a line to be processed on the substrate; and a step of measuring a position of at least a part of the work in the work thickness direction of the work by means of a measuring mechanism A grinding step of grinding the work with a grinding stone, and a control step of controlling the position of the grinding stone in the work thickness direction based on the measurement value measured by the measuring mechanism.

본 발명에 따르면, 워크의 연삭량의 변동을 억제할 수 있다.According to the present invention, it is possible to suppress the fluctuation of the amount of grinding of the work.

도 1은 본 발명에 관한 실시 형태 1의 절단 장치의 개요를 도시하는 평면도이다.
도 2의 (a) 내지 (b)는 도 1에 도시한 절단 장치에 설치된 측정 기구의 구성을 도시하는 개요도이며, (a)는 워크를 연삭하기 전의 상태를 도시하는 개요도, (b)는 워크를 연삭 중에 워크의 높이 위치를 측정하고 있는 상태를 도시하는 개요도이다.
도 3의 (a) 내지 (e)는, 도 2에 도시한 측정 기구에 의해 연삭 전 및 연삭 후의 워크의 높이 위치를 측정하는 과정을 도시하는 개요도이다.
도 4의 (a) 내지 (c)는, 실시 형태 1에서 사용되는 밀봉 완료 기판을 도시하는 개요도이며, (a)는 수지 밀봉 전의 평면도, (b)는 수지 밀봉 전의 정면도, (c)는 수지 밀봉 후의 정면도이다.
도 5의 (a) 내지 (e)는, 도 4에 도시한 밀봉 완료 기판을 사용하여, PoP형 반도체 장치를 제조하는 공정을 도시하는 개략 공정 단면도이다.
도 6의 (a) 내지 (f)는, 실시 형태 2에 있어서, 가공 예정선을 따라 연삭 공정과 절단 공정을 순차 행하는 공정을 도시하는 개략 공정 단면도이다.
도 7은 본 발명에 관한 실시 형태 3의 절단 장치의 개요를 도시하는 평면도이다.
도 8의 (a) 내지 (f)는, 도 7에 도시한 절단 장치에 있어서, 도 4에 도시한 밀봉 완료 기판을 사용하여, PoP형 반도체 장치를 제조하는 공정을 도시하는 개략 공정 단면도이다.
도 9의 (a) 내지 (f)는, 실시 형태 4에 있어서, 가공 예정선을 따라 거친 연삭 가공과 마무리 연삭 가공을 순차 행하는 공정을 도시하는 개략 공정 단면도이다.
도 10의 (a) 내지 (e)는, 실시 형태 5에서 사용되는 밀봉 완료 기판을 사용하여, PoP형 반도체 장치를 제조하는 공정을 도시하는 개략 공정 단면도이다.1 is a plan view showing the outline of a cutting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
Fig. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a measuring mechanism provided in the cutting apparatus shown in Fig. 1. Fig. 2 (a) is a schematic view showing a state before grinding a work, and Fig. 2 (b) Fig. 3 is a schematic view showing a state in which a height position of a workpiece is measured during grinding of a workpiece; Fig.
3 (a) to 3 (e) are schematic views showing a process of measuring a height position of a workpiece before and after grinding by the measuring mechanism shown in Fig. 2.
(A) is a plan view before resin sealing, (b) is a front view before resin sealing, and (c) is a front view before resin sealing, And is a front view after resin sealing.
5 (a) to 5 (e) are schematic process sectional views showing a step of manufacturing a PoP-type semiconductor device using the sealed substrate shown in Fig.
6 (a) to 6 (f) are schematic process sectional views showing a step of carrying out a grinding step and a cutting step sequentially along a line to be machined in the second embodiment.
7 is a plan view showing the outline of a cutting apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
Figs. 8A to 8F are schematic process sectional views showing a step of manufacturing a PoP type semiconductor device by using the sealed substrate shown in Fig. 4 in the cutting apparatus shown in Fig.
Figs. 9A to 9F are schematic process sectional views showing steps of sequentially performing rough grinding and finish grinding along the line to be machined in the fourth embodiment.
10 (a) to 10 (e) are schematic process sectional views showing a step of manufacturing a PoP-type semiconductor device by using a sealed substrate used in the fifth embodiment.

이하, 본 발명에 관한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 본 출원 서류에 있어서의 어느 도면에 대해서도, 이해하기 쉽게 하기 위해, 적절하게 생략하거나 또는 과장하여 모식적으로 그려져 있다. 동일한 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고 설명을 적절하게 생략한다. 또한, 본 출원 서류에 있어서, 「반도체 소자」란, 수지 등에 의해 밀봉되어 있지 않은 소위 반도체 칩 및 반도체 칩의 적어도 일부가 수지 등에 의해 밀봉된 형태인 것을 포함한다. 본 출원 서류에 있어서, 「연삭」이란, 지석의 입자에 의해 워크의 표면을 깎아내는 것(grinding), 「절단」이란, 워크를 복수의 영역으로 자르는 것(cutting)을 의미한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Any drawings in this application document are drawn schematically so as to be easily omitted or appropriately exaggerated. The same components are denoted by the same reference numerals and the description thereof is appropriately omitted. In the present application document, the term " semiconductor device " includes so-called semiconductor chips which are not sealed with resin or the like, and semiconductor chips in which at least a part of the semiconductor chips are sealed with a resin or the like. In the present application document, the term "grinding" means grinding or "cutting" of the surface of a work by particles of a grinding stone, which means cutting a work into a plurality of regions.

〔실시 형태 1〕[Embodiment 1]

(절단 장치의 구성)(Configuration of cutting apparatus)

도 1을 참조하여, 본 발명에 관한 가공 장치의 일례로서, 예를 들어 절단 장치의 구성에 대해 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 절단 장치(1)는, 예를 들어 워크로서 밀봉 완료 기판(2)을 공급하는 공급 모듈(A)과 밀봉 완료 기판(2)을 연삭 및 절단하는 연삭·절단 모듈(B)과 절단되어 개편화된 개편화물(제품 또는 반제품에 상당함)을 검사하는 검사 모듈(C)을, 각각 구성 요소로서 구비한다. 각 구성 요소는, 각각 다른 구성 요소에 대해 착탈 가능 또한 교환 가능하다.Referring to Fig. 1, as an example of a machining apparatus according to the present invention, a structure of a cutting apparatus will be described. 1, the cutting apparatus 1 includes, for example, a supply module A for supplying a sealed substrate 2 as a work and a grinding / cutting module 2 for grinding and cutting the sealed substrate 2, And an inspection module (C) for inspecting the disassembled product (B) and the disassembled disassembled product (corresponding to the product or semi-finished product). Each component is removable and exchangeable with respect to each other component.

공급 모듈(A)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 공급하는 기판 공급부(3)가 설치된다. 밀봉 완료 기판(2)은, 예를 들어 기판과, 기판이 갖는 복수의 영역에 장착된 복수의 반도체 칩과, 복수의 영역이 일괄하여 덮이도록 하여 형성된 밀봉 수지를 갖는다. 밀봉 완료 기판(2)을 절단하여 개편화된 복수의 영역이 각각 제품 또는 반제품에 상당한다. 밀봉 완료 기판(2)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 의해, 공급 모듈(A)로부터 연삭·절단 모듈(B)로 반송된다.The supply module (A) is provided with a substrate supply part (3) for supplying the sealed substrate (2). The sealed substrate 2 has, for example, a substrate, a plurality of semiconductor chips mounted on a plurality of regions of the substrate, and a sealing resin formed so that a plurality of regions are collectively covered. A plurality of individual areas cut off the sealed substrate 2 correspond to products or semi-finished products, respectively. The sealed substrate 2 is transported from the supply module A to the grinding / cutting module B by a transport mechanism (not shown).

연삭·절단 모듈(B)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 적재하여 연삭 및 절단하기 위한 절단 테이블(4)이 설치된다. 절단 테이블(4) 상에는, 밀봉 완료 기판(2)을 흡착하기 위한 흡착용 지그(도 2 참조)가 설치된다. 절단 테이블(4)은, 이동 기구(5)에 의해 도면의 Y 방향으로 이동 가능하다. 또한, 절단 테이블(4)은, 회전 기구(6)에 의해 θ 방향으로 회전 가능하다. 절단 테이블(4)의 상방에는, 예를 들어 절단 테이블(4)의 높이 위치를 측정하기 위한 변위 센서(7)가 설치된다. 변위 센서(7)로서는, 예를 들어 접촉식 변위 센서, 광학식 변위 센서, 초음파식 변위 센서 등이 사용된다.The grinding / cutting module B is provided with a cutting table 4 for grinding and cutting with the completed substrate 2 mounted thereon. On the cutting table 4, a suction jig (see Fig. 2) for suctioning the sealed substrate 2 is provided. The cutting table 4 is movable in the Y direction in the drawing by the moving mechanism 5. [ Further, the cutting table 4 is rotatable in the &thetas; direction by the rotating mechanism 6. [ Above the cutting table 4, for example, a displacement sensor 7 for measuring the height position of the cutting table 4 is provided. As the displacement sensor 7, for example, a contact displacement sensor, an optical displacement sensor, an ultrasonic displacement sensor, or the like is used.

연삭·절단 모듈(B)에는, 2개의 스핀들(8, 9)이 설치된다. 예를 들어, 밀봉 완료 기판(2)의 일부분을 연삭하는 연삭 기구로서의 스핀들(8)과, 밀봉 완료 기판(2)을 복수의 영역으로 절단하는 절단 기구로서의 스핀들(9)이 설치된다. 스핀들(8)에는, 밀봉 완료 기판(2)의 일부분을 연삭하기 위해 두께가 두꺼운(폭이 큰) 연삭 지석(10)이 장착된다. 스핀들(9)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하기 위해 두께가 얇은(폭이 작은) 회전 날(11)이 장착된다.In the grinding / cutting module B, two spindles 8 and 9 are provided. For example, a spindle 8 as a grinding mechanism for grinding a part of the sealed substrate 2 and a spindle 9 as a cutting mechanism for cutting the sealed substrate 2 into a plurality of regions are provided. The spindle 8 is equipped with a thick grinding wheel 10 (large in width) for grinding a part of the hermetically sealed substrate 2. In the spindle 9, a rotary blade 11 having a small thickness (small in width) is mounted for cutting the sealed substrate 2.

스핀들(8)에는, 연삭 지석(10)에 가공수를 분사하는 가공수 분사 노즐(12)과 밀봉 완료 기판(2)의 높이 위치를 측정하기 위한 변위 센서(7)가 설치된다. 가공수로서는, 연삭 지석(10)을 냉각하는 냉각수, 연삭에 의해 발생한 연삭 부스러기 등을 제거하는 세정수 등이 사용된다. 변위 센서(7)는, 절단 테이블(4)의 상방에 설치된 변위 센서와 동일한 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 예를 들어 변위 센서(7)는 평면에서 보아 스핀들(8)의 양측에 설치된다. 변위 센서(7)는, 스핀들(8)의 양측에 설치해도 되고, 어느 한쪽 측에만 설치해도 된다. 변위 센서(7)에 의해, 연삭 전의 적어도 일부의 밀봉 완료 기판(2)의 높이 위치, 연삭 후의 적어도 일부의 밀봉 완료 기판(2)의 높이 위치 및 절단 테이블(4)의 높이 위치를 측정할 수 있다.The spindle 8 is provided with a machining water injection nozzle 12 for spraying machining water to the grinding stone 10 and a displacement sensor 7 for measuring the height position of the seal finished substrate 2. As the process water, cooling water for cooling the grinding stone 10, cleaning water for removing grinding chips generated by grinding, and the like are used. The displacement sensor 7 is the same as the displacement sensor provided above the cutting table 4. As shown in Fig. 1, for example, the displacement sensor 7 is installed on both sides of the spindle 8 in plan view. The displacement sensor 7 may be provided on either side of the spindle 8, or on either side of the spindle 8. The displacement sensor 7 can measure the height position of at least part of the sealed substrate 2 before grinding, the height position of at least a part of the sealed substrate 2 after grinding and the height position of the cutting table 4 have.

또한, 연삭 후의 적어도 일부의 밀봉 완료 기판(2)의 표면 상태를 촬상하기 위한 카메라(도 2 참조)를 스핀들(8)에 설치할 수 있다. 카메라에는, 예를 들어 촬상 소자로서, CCD(Charge Coupled Device), CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 센서 등이 내장된다.Further, a camera (see Fig. 2) for imaging the surface state of at least part of the sealed substrate 2 after the grinding can be provided on the spindle 8. Fig. The camera includes, for example, a CCD (Charge Coupled Device), a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor or the like as an image pickup device.

스핀들(9)에는, 회전 날(11)에 가공수를 분사하는 가공수 분사 노즐(13)과 회전 날(11)에 의해 절단된 밀봉 완료 기판(2)의 절단 홈(커프)을 촬상하기 위한 카메라(14)가 설치된다. 가공수로서는, 회전 날(11)의 막힘을 억제하는 절삭수, 회전 날(11)을 냉각하는 냉각수, 절단에 의해 발생한 단부재 등을 제거하는 세정수 등이 사용된다.The spindle 9 is provided with a machining water injection nozzle 13 for spraying the machining water to the rotary blade 11 and a cutting groove (cuff) for cutting the sealed base plate 2 cut by the rotary blade 11 A camera 14 is installed. As the processed water, cutting water for suppressing clogging of the rotary blades 11, cooling water for cooling the rotary blades 11, cleaning water for removing stems generated by cutting, and the like are used.

절단 장치(1)는, 1개의 절단 테이블(4)과 2개의 스핀들(8, 9)이 설치되는 싱글 테이블, 트윈 스핀들 구성의 절단 장치이다. 스핀들(8, 9)은, 각각 독립적으로 X 방향 및 Z 방향으로 이동 가능하다. 절단 테이블(4)과 스핀들(8)을 상대적으로 이동시킴으로써 밀봉 완료 기판(2)이 연삭 지석(10)에 의해 연삭된다. 절단 테이블(4)과 스핀들(9)을 상대적으로 이동시킴으로써 밀봉 완료 기판(2)이 회전 날(11)에 의해 절단된다.The cutting apparatus 1 is a single-table, twin-spindle cutting apparatus in which one cutting table 4 and two spindles 8, 9 are installed. The spindles 8 and 9 are independently movable in the X and Z directions. The sealed substrate 2 is ground by the grinding stone 10 by relatively moving the cutting table 4 and the spindle 8. [ The sealing substrate 2 is cut by the rotary blade 11 by moving the cutting table 4 and the spindle 9 relative to each other.

본 실시 형태에 있어서는, 연삭·절단 모듈(B)에, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 연삭 기구로서의 스핀들(8)과, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하는 절단 기구로서의 스핀들(9)을 각각 1개 설치한 경우를 나타냈다. 이것에 한정되지 않고, 연삭 기구로서 조가공 및 마무리 가공을 각각 행하는 2개의 스핀들과 절단 기구로서 1개의 스핀들을 설치할 수 있다. 또한, 연삭 기구 및 절단 기구로서의 스핀들을 각각 2개 설치하는 것도 가능하다.The spindle 8 as a grinding mechanism for grinding the hermetically sealed substrate 2 and the spindle 9 as a cutting mechanism for cutting the hermetically sealed substrate 2 are attached to the grinding and cutting module B in this embodiment Respectively. In Fig. The present invention is not limited to this, and as the grinding apparatus, it is possible to provide two spindles for performing rough machining and finishing respectively and one spindle as a cutting mechanism. It is also possible to provide two spindles as the grinding mechanism and the cutting mechanism, respectively.

검사 모듈(C)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하여 개편화된 복수의 개편화물(15)(제품 또는 반제품에 상당함)을 적재하여 검사하기 위한 검사 테이블(16)이 설치된다. 반송 기구(도시하지 않음)에 의해, 복수의 개편화물(15)이, 절단 테이블(4)로부터 검사 테이블(16) 상에 일괄하여 반송된다. 복수의 개편화물(15)은, 검사용 카메라(17)에 의해 표면 상태 등이 검사된다.The inspection module C is provided with an inspection table 16 for inspecting the unfinished pieces 15 (corresponding to products or semi-finished products) by cutting the finished substrates 2 and inspecting them. A plurality of unpacked objects 15 are collectively transported from the cutting table 4 onto the inspection table 16 by a transport mechanism (not shown). The plurality of redeemed cargo (15) is inspected by the inspection camera (17) for the surface condition and the like.

검사 테이블(16)에서 검사된 개편화물(15)은 양품과 불량품으로 구별된다. 이송 기구(도시하지 않음)에 의해 양품은 양품용 트레이(18)로, 불량품은 불량품용 트레이(도시하지 않음)로 각각 이송되어 수납된다.The defective piece 15 inspected on the inspection table 16 is distinguished as a good product and a defective product. The good products are transported to the good product tray 18 by the transport mechanism (not shown), and the defective products are transported to the defective product tray (not shown) and stored.

공급 모듈(A)에는 제어부(CTL)가 설치된다. 제어부(CTL)는, 절단 장치(1)의 동작, 밀봉 완료 기판(2)의 반송, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 및 절단, 절단된 개편화물(15)의 반송, 개편화물(15)의 검사 및 수납 등을 제어한다. 본 실시 형태에 있어서는, 제어부(CTL)를 공급 모듈(A)에 설치하였다. 이것에 한정되지 않고, 제어부(CTL)를 다른 모듈에 설치해도 된다. 또한, 제어부(CTL)는, 복수로 분할하여, 공급 모듈(A), 연삭·절단 모듈(B) 및 검사 모듈(C) 중 적어도 2개의 모듈에 설치해도 된다.The supply module (A) is provided with a control unit (CTL). The control unit CTL controls the operation of the cutting device 1 and the operation of the sealing unit 2 to carry out the grinding and cutting of the sealed substrate 2 and the transportation of the cut piece 15, Inspection and storage. In the present embodiment, the control unit CTL is installed in the supply module A. [ The present invention is not limited to this, and the control unit CTL may be provided in another module. The control unit CTL may be divided into a plurality of modules and installed in at least two of the supply module A, the grinding / cutting module B and the inspection module C. [

(측정 기구의 구성)(Configuration of measuring instrument)

도 2를 참조하여, 연삭 지석(10)에 의해 연삭된 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 측정 및 제어하는 측정 기구의 구성에 대해 설명한다. 또한, 편의상, 밀봉 완료 기판(2)에 있어서, 연삭하기 전의 부분을 연삭 전의 부분으로서 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a), 연삭한 후의 부분을 연삭 완료된 부분으로서 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)라고 정의한다.2, the configuration of a measuring mechanism for measuring and controlling the amount of grinding of the completely sealed substrate 2 ground by the grinding stone 10 will be described. For convenience, in the sealed substrate 2, the portion before grinding is referred to as the portion before grinding, the grinding portion 2a of the finished substrate 2, Is defined as the finished portion 2b of the grinding wheel.

도 2에 도시된 바와 같이, 스핀들(8)은, 스핀들을 보유 지지하는 스핀들 보유 지지부(8a)에 설치된다. 측정 기구(19)는, 예를 들어 스핀들 보유 지지부(8a)에 설치된 2개의 변위 센서(7a, 7b)와 절단 테이블(4)에 설치된 변위 센서(7c)와 제어부(20)에 의해 구성된다. 스핀들 보유 지지부(8a)에 설치된 2개의 변위 센서(7a, 7b)와 절단 테이블(4)에 설치된 변위 센서(7c)는, 동일한 종류의 변위 센서여도 되고, 다른 종류의 변위 센서여도 된다. 변위 센서로서, 예를 들어 광학식 변위 센서가 사용된다. 또한, 변위 센서(7a, 7b, 7c)의 기준점을 절단 테이블(4)의 표면 위치 등에서 미리 일치시켜 두고, 각 변위 센서 사이의 오차를 제거해 두는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 2, the spindle 8 is installed in a spindle holding portion 8a for holding a spindle. The measuring mechanism 19 is constituted by two displacement sensors 7a and 7b provided on the spindle holding portion 8a and a displacement sensor 7c provided on the cutting table 4 and a control portion 20, for example. The two displacement sensors 7a and 7b provided on the spindle holding portion 8a and the displacement sensor 7c provided on the cutting table 4 may be displacement sensors of the same kind or displacement sensors of other types. As the displacement sensor, for example, an optical displacement sensor is used. It is also preferable that the reference points of the displacement sensors 7a, 7b, 7c are matched in advance on the surface position of the cutting table 4 or the like, and the error between the respective displacement sensors is eliminated.

스핀들 보유 지지부(8a)를 구동 기구(21)에 의해 Z 방향으로 승강시킴으로써, 스핀들(8) 및 연삭 지석(10)은 Z 방향으로 승강한다. 구동 기구(21)에 의해 스핀들(8)을 하강시킴으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향(도면에 있어서 h로 나타내는 부분)에 있어서의 연삭 지석(10)의 하단 위치가 제어된다. 스핀들(8) 및 연삭 지석(10)은, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 X 방향으로 이동할 수 있다.The spindle 8 and the grinding wheel 10 are raised and lowered in the Z direction by moving the spindle holding portion 8a in the Z direction by the drive mechanism 21. [ The lower end position of the grinding wheel 10 in the thickness direction (the portion indicated by h in the drawing) of the sealed substrate 2 is controlled by lowering the spindle 8 by the drive mechanism 21. [ The spindle 8 and the grinding wheel 10 can be moved in the X direction by a driving mechanism (not shown).

도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 연삭 지석(10)을 -Z 방향으로 일정량 하강시킴으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 하단 위치가 설정된다. 연삭 지석(10)을 반시계 방향으로 고속 회전시켜, 절단 테이블(4)을 +Y 방향으로 이동시킴으로써 밀봉 완료 기판(2)이 연삭 지석(10)에 의해 연삭된다.The lower end position of the grinding wheel 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2 is set by lowering the grinding stone 10 by a certain amount in the -Z direction, as shown in Fig. 2 (b). The sealed substrate 2 is ground by the grinding wheel 10 by rotating the grinding wheel 10 at a high speed in the counterclockwise direction and moving the cutting table 4 in the + Y direction.

변위 센서(7a)는, 주로 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하기 전의 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치를 측정하기 위한 센서이다. 변위 센서(7b)는, 주로 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한 후의 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치를 측정하기 위한 센서이다. 변위 센서(7c)는, 절단 테이블(4)의 높이 위치를 측정하기 위한 센서이다. 변위 센서(7a, 7b, 7c)에 의해 측정된 각각의 높이 위치는 제어부(20)에 기억되고, 제어부(20)에 의해 연산 처리된다.The displacement sensor 7a is a sensor for measuring the height position of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2 before grinding the sealed substrate 2 mainly. The displacement sensor 7b is a sensor for measuring the height position of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 after mainly grinding the sealed substrate 2. [ The displacement sensor 7c is a sensor for measuring the height position of the cutting table 4. The respective height positions measured by the displacement sensors 7a, 7b and 7c are stored in the control unit 20 and are calculated by the control unit 20. [

변위 센서(7a)에 의해 측정된 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치와 변위 센서(7b)에 의해 측정된 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치를 비교함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 구할 수 있다. 변위 센서(7a, 7b)는, 절단 테이블(4)의 높이 위치를 측정할 수도 있다. 또한, 스핀들 보유 지지부(8a)에 설치된 변위 센서(7b)의 외측에, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 표면 상태를 검사하기 위한 카메라(22)를 설치할 수 있다. 또한, 변위 센서(7a, 7b) 및 카메라(22)는 엄밀하게는 스핀들 보유 지지부(8a)에 설치되지만, 본 출원 서류에 있어서는, 편의상, 스핀들(8)에 설치된다고 하는 경우가 있다.The height position of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2 measured by the displacement sensor 7a and the height position of the grinding completed portion 2b of the sealed substrate 2 measured by the displacement sensor 7b The grinding amount of the sealed substrate 2 can be obtained. The displacement sensors 7a and 7b may measure the height position of the cutting table 4. A camera 22 for inspecting the surface state of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 may be provided outside the displacement sensor 7b provided on the spindle holding portion 8a. Although the displacement sensors 7a and 7b and the camera 22 are strictly provided on the spindle holding portion 8a, there is a case where the displacement sensors 7a and 7b and the camera 22 are provided on the spindle 8 for convenience in this application document.

절단 테이블(4) 상에는, 밀봉 완료 기판(2)을 흡착하여 보유 지지하기 위한 흡착 지그(23)가 설치된다. 밀봉 완료 기판(2)은, 흡착 지그(23) 상에 적재되어 절단 테이블(4)에 흡착된다. 밀봉 완료 기판(2)을 연삭할 때, 가공수 분사 노즐(12)로부터 밀봉 완료 기판(2)과 연삭 지석(10)의 가공점을 향해 가공수(24)가 분사된다.On the cutting table 4, an adsorption jig 23 for adsorbing and holding the sealed substrate 2 is provided. The sealed substrate 2 is placed on the suction jig 23 and adsorbed on the cutting table 4. [ The machining water 24 is injected from the machining water injection nozzle 12 toward the machining point of the encapsulated substrate 2 and the grinding wheel 10 when the encapsulated substrate 2 is ground.

(연삭량의 측정 방법)(Method of measuring grinding amount)

도 3을 참조하여, 측정 기구(19)에 의해 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 측정하고, 연삭량을 제어하는 방법에 대해 설명한다. 또한, 도 3에 있어서는, 편의상, 구동 기구(21), 가공수 분사 노즐(12), 제어부(20) 및 변위 센서(7c)를 생략하고 있다.A method of measuring the amount of grinding of the sealed substrate 2 by the measuring mechanism 19 and controlling the amount of grinding will be described with reference to Fig. In Fig. 3, the drive mechanism 21, the process water injection nozzle 12, the control unit 20, and the displacement sensor 7c are omitted for the sake of convenience.

먼저, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 스핀들(8)에 설치된 스핀들 모터(도시하지 않음)에 의해 연삭 지석(10)을 반시계 방향으로 고속 회전시킨다. 다음으로, 구동 기구(21)(도 2 참조)에 의해 스핀들(8)을 -Z 방향으로 일정량 하강시킨다. 이 단계에서, 밀봉 완료 기판(2)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 하단 위치가 설정된다. 바꾸어 말하면, 밀봉 완료 기판(2)의 표면으로부터 일정한 깊이(d0)의 위치에 연삭 지석(10)의 하단 위치를 맞추도록 스핀들(8)을 하강시킨다. 이 깊이(d0)가, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 연삭량에 상당한다. 이와 같이 하여, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 목적의 연삭량(연삭 깊이)을 제어한다.3 (a), the grinding wheel 10 is rotated at a high speed in the counterclockwise direction by a spindle motor (not shown) provided on the spindle 8. As shown in Fig. Next, the spindle 8 is lowered by a predetermined amount in the -Z direction by the drive mechanism 21 (see Fig. 2). In this step, the lower end position of the grinding wheel 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2 is set from the surface of the sealed substrate 2. In other words, the spindle 8 is lowered so as to align the lower end position of the grinding stone 10 at a position of a constant depth d0 from the surface of the sealed substrate 2. [ This depth d0 corresponds to the grinding amount for grinding the sealed substrate 2. [ Thus, the grinding amount (grinding depth) for grinding the sealed substrate 2 is controlled.

다음으로, 절단 테이블(4)을 일정한 속도(v)로 +Y 방향으로 이동시킨다. 절단 테이블(4)이 변위 센서(7a)의 하방을 통과할 때, 변위 센서(7a)에 의해 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를 측정한다. 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를, 변위 센서(7a)의 기준 높이 위치로 설정한다. 이 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를 제어부(20)(도 2 참조)에 기억시킨다.Next, the cutting table 4 is moved in the + Y direction at a constant speed v. The height position h0 of the cutting table 4 is measured by the displacement sensor 7a when the cutting table 4 passes under the displacement sensor 7a. The height position h0 of the cutting table 4 is set to the reference height position of the displacement sensor 7a. And the height position h0 of the cutting table 4 is stored in the control unit 20 (see Fig. 2).

다음으로, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 절단 테이블(4)을 +Y 방향으로 더 이동시킨다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)가 변위 센서(7a)의 하방을 통과할 때, 변위 센서(7a)에 의해 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)를 측정한다. 이 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)를 제어부(20)(도 2 참조)에 기억시킨다. 이 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)가, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하기 전의 상대적인 높이 위치에 상당한다. 엄밀하게는, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)와 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)의 차분(h1－h0)이, 절단 테이블(4)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 표면까지의 높이에 상당한다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)가 변위 센서(7a)의 하방을 통과하는 동안에 있어서, 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)를 계속 연속해서 측정한다.Next, as shown in Fig. 3 (b), the cutting table 4 is further moved in the + Y direction. The height position h1 of the grinding wheel 2a is measured by the displacement sensor 7a when the grinding wheel 2a of the sealed substrate 2 passes under the displacement sensor 7a. And the height position h1 of the grinding wheel 2a is stored in the control unit 20 (see Fig. 2). The height position h1 of the entire grinding portion 2a corresponds to a relative height position before grinding the sealed substrate 2. [ Strictly speaking, the difference (h1-h0) between the height position h1 of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2 and the height position h0 of the cutting table 4 is smaller than the difference h1- To the surface of the entire grinded portion 2a of the sealed substrate 2. As shown in Fig. The height position h1 of the entire grinding wheel 2a is continuously measured while the entire grinding wheel 2a of the sealed substrate 2 passes under the displacement sensor 7a.

다음으로, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 절단 테이블(4)을 +Y 방향으로 더 이동시킨다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)와 연삭 지석(10)이 접촉함으로써, 연삭 전부(2a)가 연삭 지석(10)에 의해 표면으로부터 일정한 깊이(d0)까지 일정량 연마된다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)가 연삭 지석(10)을 통과함으로써 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)가 형성된다.Next, as shown in Fig. 3 (c), the cutting table 4 is further moved in the + Y direction. The entire grinding portion 2a of the encapsulated substrate 2 and the grinding stone 10 are brought into contact with each other and the entire grinding wheel 2a is polished by the grinding wheel 10 to a predetermined depth d0 from the surface. The grinded portion 2a of the sealed substrate 2 passes through the grinding stone 10 to form the grinded portion 2b of the sealed substrate 2. [

절단 테이블(4)을 +Y 방향으로 더 이동시키면, 절단 테이블(4)이 변위 센서(7b)의 하방을 통과한다. 절단 테이블(4)이 변위 센서(7b)의 하방을 통과할 때, 변위 센서(7b)에 의해 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를 측정한다. 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를, 변위 센서(7b)의 기준 높이 위치로 설정한다. 이 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를 제어부(20)(도 2 참조)에 기억시킨다. 변위 센서(7b)가 측정한 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)와 변위 센서(7a)가 측정한 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)는, 변위 센서(7a, 7b)의 기준점을 미리 일치시켜 두면 기본적으로 동일한 값을 나타내게 된다.When the cutting table 4 is further moved in the + Y direction, the cutting table 4 passes under the displacement sensor 7b. The height position h0 of the cutting table 4 is measured by the displacement sensor 7b when the cutting table 4 passes under the displacement sensor 7b. The height position h0 of the cutting table 4 is set to the reference height position of the displacement sensor 7b. And the height position h0 of the cutting table 4 is stored in the control unit 20 (see Fig. 2). The height position h0 of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7b and the height position h0 of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7a are set to be equal to the reference point h0 of the displacement sensors 7a, If they are matched in advance, they will basically have the same value.

다음으로, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 절단 테이블(4)을 +Y 방향으로 더 이동시킨다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)가 변위 센서(7b)의 하방을 통과할 때, 변위 센서(7b)에 의해 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 측정한다. 이 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 제어부(20)(도 2 참조)에 기억시킨다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)와 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)의 차분(h2－h0)이, 절단 테이블(4)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 표면까지의 높이에 상당한다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)가 변위 센서(7b)의 하방을 통과하는 동안에 있어서, 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 계속 연속해서 측정한다.Next, as shown in Fig. 3 (d), the cutting table 4 is further moved in the + Y direction. The height position h2 of the grounded portion 2b is measured by the displacement sensor 7b when the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 passes under the displacement sensor 7b. And the height position h2 of the ground completion portion 2b is stored in the control unit 20 (see Fig. 2). The difference h2-h0 between the height position h2 of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 and the height position h0 of the cutting table 4 is greater than the difference h2- Corresponds to the height to the surface of the grounded portion 2b of the substrate 2. [ The height position h2 of the grounded portion 2b is continuously measured while the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 passes under the displacement sensor 7b.

변위 센서(7a) 및 변위 센서(7b)가 측정한 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)가 동일한 값이면, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)와 변위 센서(7b)에 의해 측정된 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 비교함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 간단하게 구할 수 있다.When the height position h0 of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7a and the displacement sensor 7b is the same value, the height position h1 of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2, The grinding amount d of the sealed substrate 2 can be simply obtained by comparing the height position h2 of the grinding completed portion 2b of the sealed substrate 2 measured by the sensor 7b.

변위 센서(7a)가 측정한 절단 테이블(4)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 표면까지의 높이(h1－h0)와, 변위 센서(7b)가 측정한 절단 테이블(4)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 표면까지의 높이(h2－h0)의 차분이 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)에 상당한다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)은, d＝(h1－h0)－(h2－h0)＝(h1－h2)가 된다. 따라서, 변위 센서(7a, 7b)가 측정한 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)가 동일한 값이면, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)와 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)의 차분(h1－h2)에 의해 구할 수 있다.The height h1-h0 from the surface of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7a to the surface of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2 and the height h1- (H2-h0) from the surface of the substrate 4 to the surface of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 corresponds to the grinding amount d of the sealed substrate 2. [ Therefore, the grinding amount d of the sealed substrate 2 becomes d = (h1-h0) - (h2-h0) = (h1-h2). Therefore, if the height position h0 of the cutting table 4 measured by the displacement sensors 7a and 7b is the same value, the grinding amount d of the sealed substrate 2 can be grinded H2 of the height position h1 of the front portion 2a and the height position h2 of the finished portion 2b of the seal-completed substrate 2.

변위 센서(7a) 및 변위 센서(7b)가 측정한 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)가 상이한 경우라도, 변위 센서(7a)가 측정한 절단 테이블(4)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 표면까지의 높이와, 변위 센서(7b)가 측정한 절단 테이블(4)의 표면으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 표면까지의 높이를 각각 구하고, 이들을 비교함으로써 밀봉 완료 기판(2) 연삭량을 구할 수 있다. 제어부(20)가 연산 처리를 함으로써, 밀봉 완료 기판(2) 연삭량을 구할 수 있다.Even if the height position h0 of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7a and the displacement sensor 7b is different from the surface of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7a 2 to the surface of the entire grinding portion 2a and the height from the surface of the cutting table 4 measured by the displacement sensor 7b to the surface of the finished portion 2b of the sealed substrate 2 And the grinding amount of the sealed substrate 2 can be obtained by comparing these values. The control section 20 performs arithmetic processing, so that the amount of grinding of the sealed substrate 2 can be obtained.

이와 같이 하여, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1), 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2) 및 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0)를 각각 구함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 구할 수 있다.In this manner, the height position h1 of the entire grinded portion 2a of the sealed substrate 2, the height position h2 of the grinded portion 2b of the sealed substrate 2, and the height of the cutting table 4 The grinding amount of the sealed substrate 2 can be obtained by obtaining the position h0.

본 실시 형태에 있어서는, 밀봉 완료 기판(2)이 변위 센서(7a)의 하방을 통과한 시점으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)를 계속 연속해서 측정한다. 마찬가지로, 밀봉 완료 기판(2)이 변위 센서(7b)의 하방을 통과한 시점으로부터 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 계속 연속해서 측정한다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)와 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 비교함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)＝(h1－h2)를 계속 연속해서 측정할 수 있다In the present embodiment, the height position h1 of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2 is continuously measured continuously from the time when the sealed substrate 2 has passed under the displacement sensor 7a. The height position h2 of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 is continuously measured continuously from the time when the sealed substrate 2 has passed under the displacement sensor 7b. Thus, by comparing the height position h1 of the entire grinded portion 2a of the sealed substrate 2 and the height position h2 of the grinded portion 2b of the sealed substrate 2, (D) = (h1-h2) of the grinding wheel can be continuously measured continuously

절단 테이블(4)은 일정한 속도(v)로 이동하므로, 변위 센서(7a, 7b)는, 밀봉 완료 기판(2)의 단부로부터 동일한 거리의 위치에 있어서 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1), 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 각각 연속해서 측정하게 된다. 따라서, 제어부(20)가 연속해서 측정된 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1), 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 연산 처리함으로써, 그 자리·그 시점(in situ)에 있어서의 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 고정밀도로 측정할 수 있다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 항시 정확하게 파악하는 것이 가능해진다.Since the cutting table 4 moves at a constant speed v, the displacement sensors 7a and 7b are positioned at the same distance from the end of the sealed substrate 2, And the height position h2 of the ground-finished portion 2b of the sealed substrate 2 are successively measured. Therefore, the control section 20 calculates the height position h1 of the grinding portion 2a and the height position h2 of the finished grinding portion 2b of the sealed substrate 2 which are continuously measured, The grinding amount d of the sealed substrate 2 at that point in time can be measured with high accuracy. Therefore, it is possible to accurately grasp the grinding amount d of the seal-completed substrate 2 at all times.

다음으로, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 절단 테이블(4)을 또한 +Y 방향으로 이동시킨다. 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)가 카메라(22)의 하방을 통과할 때, 카메라(22)에 의해 연삭 완료부(2b)를 촬상한다. 이에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 연삭 상태에 이상이 없는지 여부를 검사할 수 있다.Next, as shown in Fig. 3 (e), the cutting table 4 is also moved in the + Y direction. When the grinding completion portion 2b of the sealed substrate 2 passes under the camera 22, the camera 22 picks up the grinding completion portion 2b. This makes it possible to check whether there is any abnormality in the grinding state of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2. [

절단 장치(1)의 스핀들(8)에, 측정 기구(19)로서 2개의 변위 센서(7a, 7b) 및 카메라(22)를 설치함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 연속해서 측정할 수 있어, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 항시 정확하게 파악할 수 있다. 또한, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 연삭 상태를 카메라(22)에 의해 항시 확인할 수 있다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭에 이상이 있는 경우에는 조기에 발견할 수 있다.The grinding amount d of the seal-completed substrate 2 is set to be continuous by providing two displacement sensors 7a and 7b and a camera 22 as the measuring mechanism 19 on the spindle 8 of the cutting apparatus 1, And the grinding amount d of the seal-completed substrate 2 can be grasped accurately at any time. In addition, the grinding state of the ground-finished portion 2b of the sealed substrate 2 can always be confirmed by the camera 22. [ Therefore, if there is an abnormality in the grinding of the sealed substrate 2, it can be detected early.

지금까지 설명해 온 일련의 동작이, 1회의 연삭에 의해 밀봉 완료 기판(2)을 일정량 연마하는 동작이 된다. 1회의 연삭에 의해 목적의 연삭량(연삭 깊이)까지 연삭할 수 없는 경우에는, 이러한 동작을 반복하여 행함으로써 밀봉 완료 기판(2)을 목적의 연삭량까지 연삭한다. 본 실시 형태에서는, 측정 기구(19)에 설치된 변위 센서(7a, 7b)에 의해 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 연속해서 측정할 수 있다. 그 측정한 연삭량을 피드백함으로써, 연삭 지석(10)의 하단 위치를 조정하여 연삭량을 제어하는 것이 가능해진다.The series of operations described so far is an operation of grinding a certain amount of the sealed substrate 2 by grinding one time. When the desired grinding amount (grinding depth) can not be grinded by one grinding operation, this operation is repeated to grind the sealed substrate 2 to the grinding target amount. In the present embodiment, the grinding amount d of the sealed substrate 2 can be continuously measured by the displacement sensors 7a and 7b provided on the measuring mechanism 19. [ It is possible to control the grinding amount by adjusting the lower end position of the grinding stone 10 by feeding back the measured grinding amount.

본 실시 형태에 있어서는, 측정 기구(19)로서 2개의 변위 센서(7a, 7b)를 스핀들(8)에 설치하였다. 이것에 한정되지 않고, 1개의 변위 센서를 스핀들에 설치해도 된다. 이 경우에는, 1개의 변위 센서에 의해, 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0), 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1) 및 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 각각 측정한다. 이들 측정값을 제어부(20)에서 연산 처리함으로써, 밀봉 완료 기판(2) 연삭량을 구할 수 있다.In the present embodiment, two displacement sensors 7a and 7b are provided on the spindle 8 as the measuring mechanism 19. The present invention is not limited to this, and one displacement sensor may be provided on the spindle. In this case, by one displacement sensor, the height position h0 of the cutting table 4, the height position h1 of the entire grinding portion 2a of the hermetically sealed substrate 2, And the height position h2 of the finished portion 2b are respectively measured. The control unit 20 performs arithmetic processing on these measured values, thereby obtaining the amount of grinding of the sealed substrate 2.

본 실시 형태에 있어서는, 절단 테이블(4)의 높이 위치를 측정하기 위해 변위 센서(7c)를 절단 테이블(4)의 상방에도 설치하였다. 이것에 의해, 예를 들어 가공수에 의한 절단 테이블(4)의 냉각이나 가공 열에 의한 절단 테이블(4)의 발열 등의 영향도 검지하는 것이 가능해진다. 따라서, 절단 테이블(4)이 신축이나 변형되었다고 해도, 항시 절단 테이블(4)의 높이 위치를 파악할 수 있다. 이것에 의해, 절단 테이블(4)의 높이 위치의 변동을 밀봉 완료 기판(2)의 높이 위치로 보정하여, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 구할 수 있다. 또한, 절단 테이블(4)의 높이 위치의 변동을 무시할 수 있는 범위이면, 변위 센서(7c)를 생략할 수 있다.In the present embodiment, the displacement sensor 7c is provided above the cutting table 4 to measure the height position of the cutting table 4 as well. As a result, it is possible to detect the influence of, for example, the cooling of the cutting table 4 by the processed water and the heat of the cutting table 4 due to the processing heat. Therefore, even if the cutting table 4 is stretched or deformed, the height position of the cutting table 4 can always be grasped. Thereby, the variation of the height position of the cutting table 4 can be corrected to the height position of the sealed substrate 2, and the grinding amount of the sealed substrate 2 can be obtained. Further, if the variation of the height position of the cutting table 4 can be ignored, the displacement sensor 7c can be omitted.

본 실시 형태에 있어서는, 측정 기구(19)에 설치된 제어부(20)에, 절단 테이블(4)의 높이 위치(h0), 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1) 및 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 각각 기억시켜, 이들 측정값에 기초하여 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 구하였다. 이것에 한정되지 않고, 절단 장치(1)에 설치된 제어부(CTL)(도 1 참조)에, 이들 측정값을 기억시켜 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 구해도 된다.In the present embodiment, the height position h0 of the cutting table 4, the height position h1 of the grinded portion 2a of the sealed substrate 2, And the height position h2 of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 were stored and the grinding amount d of the sealed substrate 2 was determined based on these measured values. The grinding amount of the seal-completed substrate 2 may be obtained by storing these measured values in the control unit CTL (see Fig. 1) provided in the cutting apparatus 1. [

(밀봉 완료 기판의 구성)(Constitution of Sealed substrate)

도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서 사용되는 밀봉 완료 기판의 구성에 대해 설명한다. 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 밀봉 완료 기판(2)은, 기판(25)과 기판(25)의 주면측에 장착된 복수의 반도체 칩(26)과 반도체 칩(26)의 주위에 배치된 복수의 돌기상 전극인 땜납 볼(27)과 복수의 반도체 칩(26) 및 복수의 땜납 볼(27)을 덮도록 형성된 밀봉 수지(28)를 구비한다. 반도체 칩(26)은, 예를 들어 범프(29)를 통해 기판(25)에 접속된다. 밀봉 완료 기판(2)의 이면측에는, 외부 전극이 되는 복수의 땜납 볼(30)이 설치된다. 밀봉 완료 기판(2)은, 두께 방향에 있어서 높이(h)를 갖는 밀봉 완료 기판이다. 본 실시 형태에 있어서 나타내는 밀봉 완료 기판(2)은, 예를 들어 PoP(Package on Package)형 반도체 장치를 구성하는 하부 패키지를 제작하기 위한 밀봉 완료 기판이다.With reference to Fig. 4, the structure of the sealed substrate used in this embodiment will be described. 4 (c), the sealed substrate 2 has a plurality of semiconductor chips 26 mounted on the main surface side of the substrate 25 and the substrate 25, and a plurality of semiconductor chips 26 mounted on the periphery of the semiconductor chip 26 And a sealing resin 28 formed so as to cover a plurality of semiconductor chips 26 and a plurality of solder balls 27. The solder balls 27 are formed on the surface of the semiconductor chip 26, The semiconductor chip 26 is connected to the substrate 25 through a bump 29, for example. A plurality of solder balls 30 serving as external electrodes are provided on the back side of the sealed substrate 2. The sealed substrate 2 is a sealed substrate having a height h in the thickness direction. The sealed substrate 2 shown in this embodiment is a sealed substrate for manufacturing a lower package constituting, for example, a PoP (Package on Package) type semiconductor device.

도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 각각의 반도체 칩(26)과 반도체 칩(26)의 주위에 배치된 복수의 땜납 볼(27)은, 기판(25)에 가상적으로 설정되고 서로 교차하는 복수의 가공 예정선(31)에 의해 둘러싸이는 영역(32)에 설치된다. 복수의 가공 예정선(31)은, 기판(25)에 설치된 얼라인먼트 마크(도시하지 않음) 등을, 절단 장치(1)에 설치된 얼라인먼트용 카메라(도시하지 않음)로 확인함으로써, 기판(25)에 가상적인 가공 예정선으로서 설정된다. 복수의 가공 예정선(31)에 의해 둘러싸이는 복수의 영역(32)이, PoP형 반도체 장치를 구성하는 하부 패키지에 상당한다. 또한, 반도체 칩(26)의 주위에 배치되는 돌기상 전극은, 땜납 볼에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구리(Cu) 등으로 이루어지는 도전성을 갖는 돌기상의 전극이면 된다.4A, a plurality of solder balls 27 disposed around each semiconductor chip 26 and semiconductor chip 26 are virtually set on the board 25, In the region 32 surrounded by a plurality of lines 31 to be processed. The plurality of lines to be processed 31 are arranged on the substrate 25 by confirming an alignment mark (not shown) provided on the substrate 25 by an alignment camera (not shown) provided in the cutting apparatus 1 Is set as a virtual machining expected line. A plurality of regions 32 surrounded by the plurality of lines to be processed 31 correspond to the lower package constituting the PoP semiconductor device. Further, the projecting electrodes disposed around the semiconductor chip 26 are not limited to the solder balls. For example, the electrode may be a protruding electrode made of copper (Cu) or the like and having conductivity.

(전자 부품의 제조 방법)(Manufacturing method of electronic parts)

도 5의 (a) 내지 (e)를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의 전자 부품(PoP형 반도체 장치)의 제조 방법에 대해 설명한다.A manufacturing method of an electronic component (PoP type semiconductor device) according to this embodiment will be described with reference to Figs. 5A to 5E.

먼저, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(25)의 복수의 영역(32)에 범프(29)를 통해 복수의 반도체 칩(26)을 각각 장착한다. 다음으로, 각각의 반도체 칩(26)의 주위에 접속용 돌기상 전극이 되는 복수의 땜납 볼(27)을 배치한다. 다음으로, 기판(25)의 이면측에 외부 전극이 되는 복수의 땜납 볼(30)을 배치한다.First, as shown in FIG. 5A, a plurality of semiconductor chips 26 are mounted through bumps 29 to a plurality of regions 32 of the substrate 25, respectively. Next, a plurality of solder balls 27 to be protruding electrodes for connection are arranged around each semiconductor chip 26. Then, Next, a plurality of solder balls 30 serving as external electrodes are arranged on the back side of the substrate 25. [

다음으로, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체 칩(26)과 복수의 땜납 볼(27)을 덮도록 밀봉 수지(28)를 형성한다. 여기까지의 공정에 의해, 밀봉 완료 기판(2)이 제작된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 밀봉 수지(28)를 형성하기 전에 외부 전극이 되는 복수의 땜납 볼(30)을 배치하였다. 이것에 한정되지 않고, 밀봉 수지(28)를 형성한 후에 복수의 땜납 볼(30)을 배치해도 된다.Next, as shown in Fig. 5B, a sealing resin 28 is formed so as to cover a plurality of semiconductor chips 26 and a plurality of solder balls 27. Next, as shown in Fig. By the steps up to this step, the sealed substrate 2 is produced. Further, in the present embodiment, a plurality of solder balls 30 serving as external electrodes are disposed before the sealing resin 28 is formed. The present invention is not limited thereto, and a plurality of solder balls 30 may be disposed after the sealing resin 28 is formed.

다음으로, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 절단 장치(1)의 절단 테이블(4)(도 1 내지 3 참조) 상에 밀봉 완료 기판(2)을 적재한다. 도 3의 (c) 내지 (d)에 있어서는, 절단 테이블(4)을 생략하고 있다. 절단 장치(1)의 연삭 기구로서의 스핀들(8)(도 1 내지 3 참조)에 장착된 연삭 지석(10)을, 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 가공 예정선(31) 상에 배치한다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 가공 예정선(31)을 따라, 밀봉 완료 기판(2)에 있어서의 밀봉 수지(28)를 일정량 연마한다. 이 경우에는, 기판(25)에 배치된 복수의 땜납 볼(27)의 상부가 노출될 때까지 밀봉 수지(28)를 연삭한다. 연삭 지석(10)은, 적어도 가공 예정선(31)의 양측에 배치된 복수의 땜납 볼(27) 상의 밀봉 수지(28)를 연삭하는 것이 가능한 폭을 갖는다.Next, as shown in Fig. 5 (c), the sealed substrate 2 is loaded on the cutting table 4 (see Figs. 1 to 3) of the cutting apparatus 1. In Figs. 3 (c) to 3 (d), the cutting table 4 is omitted. The grinding wheel 10 mounted on the spindle 8 (see Figs. 1 to 3) as the grinding tool of the cutting apparatus 1 is placed on the line to be machined 31 set on the seal-completed substrate 2. The sealing resin 28 in the sealed substrate 2 is polished by a predetermined amount along the line to be processed 31 set on the sealed substrate 2. [ In this case, the sealing resin 28 is ground until the upper portions of the plurality of solder balls 27 disposed on the substrate 25 are exposed. The grinding wheel 10 has a width capable of grinding the sealing resin 28 on a plurality of solder balls 27 disposed on both sides of the line to be machined 31 at least.

스핀들(8)에 설치된 측정 기구(19)(도 2 내지 3 참조)에 의해 밀봉 수지(28)의 연삭량을 측정하고, 땜납 볼(27)의 상부가 노출될 때까지 밀봉 수지(28)를 연삭 지석(10)에 의해 연삭한다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(2)에는, 땜납 볼(27)의 상부를 노출시키는 개구부(33)가 형성된다. 또한, 스핀들(8)에 설치된 카메라(22)(도 2 내지 3 참조)에 의해 땜납 볼(27)의 상부가 노출되었는지 여부를 확인한다.The grinding amount of the sealing resin 28 is measured by the measuring instrument 19 (see Figs. 2 to 3) provided on the spindle 8 and the sealing resin 28 is heated until the upper portion of the solder ball 27 is exposed And is ground by the grinding wheel 10. As a result, an opening 33 for exposing the upper portion of the solder ball 27 is formed in the sealed substrate 2. In addition, it is confirmed whether or not the upper portion of the solder ball 27 is exposed by the camera 22 (see Figs. 2 to 3) provided on the spindle 8. Fig.

이와 같이 하여, 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 모든 가공 예정선(31)(도 4의 (a) 참조)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 복수의 가공 예정선(31)을 따라, 복수의 개구부(33)가 형성된다. 여기까지의 공정에 의해, 연삭 공정이 완료된다.In this manner, the seal-completed substrate 2 is ground along all of the lines to be processed 31 (see Fig. 4A) set on the seal-completed substrate 2. As a result, a plurality of openings 33 are formed along a plurality of to-be-processed lines 31 set on the sealed substrate 2. By this process, the grinding process is completed.

다음으로, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 연삭 공정이 완료된 후에, 절단 장치(1)의 절단 기구로서의 스핀들(9)(도 1 참조)에 장착된 회전 날(11)을, 밀봉 완료 기판(2)의 개구부(33)에 설정되어 있는 가공 예정선(31) 상에 배치한다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 가공 예정선(31)을 따라 밀봉 수지(28)의 나머지 부분 및 기판(25)을 회전 날(11)에 의해 절단한다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(2)에는 절단 홈(34)이 형성된다.Next, as shown in Fig. 5 (d), after the grinding process is completed, the rotary blade 11 mounted on the spindle 9 (see Fig. 1) as a cutting mechanism of the cutting apparatus 1 is sealed Is placed on the line (33) of the finished substrate (2) and on the line (31) to be machined. The remaining part of the sealing resin 28 and the substrate 25 are cut by the rotary blade 11 along the line to be processed 31 set on the sealed substrate 2. [ As a result, the sealing groove 34 is formed in the sealed substrate 2.

밀봉 완료 기판(2)에 설정된 모든 가공 예정선(31)(도 4의 (a) 참조)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 절단한다. 이것에 의해, 복수의 절단 홈(34)에 의해 밀봉 완료 기판(2)은 각각의 영역(32)으로 개편화된다. 여기까지의 공정에 의해, PoP형 반도체 장치를 구성하는 복수의 하부 패키지(35)가 제조된다. 도 5의 (c) 내지 (d)의 공정이, 절단 장치(1)에 의해 실행된다.The sealed substrate 2 is cut along all of the lines to be processed 31 (see Fig. 4 (a)) set on the sealed substrate 2. [ As a result, the sealed substrate 2 is divided into the respective regions 32 by the plurality of the cut grooves 34. By the steps up to this point, a plurality of lower packages 35 constituting the PoP semiconductor device are manufactured. The steps (c) to (d) of FIG. 5 are executed by the cutting apparatus 1.

다음으로, 도 5의 (e)에 도시된 바와 같이, 하부 패키지(35)에 배치된 접속용 땜납 볼(27)과 상부 패키지(36)에 배치된 접속용 땜납 볼(37)을 접속함으로써, 전자 부품의 하나의 형태인 PoP형 반도체 장치(38)가 완성된다. 상부 패키지(36)는, 예를 들어 로직 반도체 칩(39)과 메모리 반도체 칩(40)이 적층되고, 각각의 반도체 칩이 본딩 와이어(41)를 통해 기판(42)에 접속된다. 로직 반도체 칩(39)과 메모리 반도체 칩(40)은, 밀봉 수지(43)에 의해 덮인다.Next, as shown in FIG. 5E, by connecting the connecting solder balls 27 arranged in the lower package 35 and the connecting solder balls 37 arranged in the upper package 36, The PoP semiconductor device 38, which is one type of electronic component, is completed. In the upper package 36, for example, a logic semiconductor chip 39 and a memory semiconductor chip 40 are laminated, and each semiconductor chip is connected to the substrate 42 through a bonding wire 41. [ The logic semiconductor chip 39 and the memory semiconductor chip 40 are covered with the sealing resin 43. [

본 실시 형태에 있어서는, 기판(25)에 범프(29)를 통해 복수의 반도체 칩(26)을 각각 장착하였다. 이것에 한정되지 않고, 이미 수지 밀봉된 반도체 소자를 기판에 장착해도 된다. 또한, 복수의 반도체 칩 또는 복수의 반도체 소자를 장착하는 멀티 모듈 구성으로 할 수도 있다. 본 출원 서류에 있어서는, 반도체 칩도 반도체 소자의 하나의 형태에 포함된다.In the present embodiment, a plurality of semiconductor chips 26 are mounted on the substrate 25 through the bumps 29, respectively. The present invention is not limited to this, and a semiconductor device already resin-sealed may be mounted on the substrate. Further, a multi-module structure in which a plurality of semiconductor chips or a plurality of semiconductor elements are mounted may be employed. In the present application document, a semiconductor chip is also included in one form of a semiconductor element.

본 실시 형태에 있어서는, 연삭 지석(10)에 의해 땜납 볼(27) 상의 밀봉 수지(28)를 연삭하였다. 또한, 연삭 지석(10)을 사용하여 반도체 칩(26) 상의 밀봉 수지(28)를 연삭할 수도 있다. 또한, 수지 밀봉된 반도체 소자가 장착된 경우이면, 연삭 지석(10)에 의해, 밀봉 수지(28) 외에도 장착된 반도체 소자의 일부분을 연삭하는 것도 가능하다.In the present embodiment, the sealing resin 28 on the solder balls 27 is ground by the grinding wheel 10. The sealing resin 28 on the semiconductor chip 26 may also be ground using the grinding wheel 10. Further, in the case where the resin-sealed semiconductor element is mounted, it is also possible to grind a part of the mounted semiconductor element by the grinding wheel 10 in addition to the sealing resin 28. [

(작용 효과)(Action effect)

본 실시 형태의 가공 장치의 하나의 형태인 절단 장치(1)는, 워크가 되는 밀봉 완료 기판(2)을 가공하는 가공 장치이며, 밀봉 완료 기판(2)을 적재하는 절단 테이블(4)과, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 연삭 기구인 스핀들(8)과, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 적어도 밀봉 완료 기판(2)의 일부의 위치를 측정하는 측정 기구(19)를 구비하고, 스핀들(8)은 연삭 지석(10)을 갖고, 측정 기구(19)에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 위치가 제어되는 구성으로 하고 있다.The cutting apparatus 1 as one embodiment of the machining apparatus of the present embodiment is a machining apparatus for machining a sealed finished substrate 2 to be a work and is provided with a cutting table 4 for loading a sealed substrate 2, A spindle 8 as a grinding mechanism for grinding the sealed substrate 2 and a measuring mechanism 19 for measuring the position of at least a portion of the sealed substrate 2 in the thickness direction of the sealed substrate 2 And the spindle 8 has a grinding wheel 10 and the position of the grinding wheel 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2 is controlled based on the measurement value measured by the measuring mechanism 19. [ .

본 실시 형태의 가공 방법은, 기판(25)과, 기판(25)에 장착된 복수의 반도체 소자인 반도체 칩(26)과, 반도체 칩(26)의 주위에 배치된 복수의 돌기상 전극인 땜납 볼(27)과, 적어도 복수의 반도체 칩(26) 및 복수의 땜납 볼(27)을 덮는 밀봉 수지(28)를 갖는 워크인 밀봉 완료 기판(2)을 가공하는 가공 방법이며, 기판(25)에 가공 예정선(31)을 설정하는 설정 공정과, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 적어도 밀봉 완료 기판(2)의 일부의 위치를 측정 기구(19)에 의해 측정하는 측정 공정과, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭 지석(10)에 의해 연삭하는 연삭 공정과, 측정 기구(19)에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 위치를 제어하는 제어 공정을 포함한다.The machining method of the present embodiment is a machining method of the present embodiment that includes a substrate 25, a semiconductor chip 26 as a plurality of semiconductor elements mounted on the substrate 25, and a plurality of projected- A method for processing a sealed substrate 2 that is a work having a ball 27 and a sealing resin 28 covering at least a plurality of semiconductor chips 26 and a plurality of solder balls 27, A measuring step of measuring the position of at least a portion of the sealed substrate 2 in the thickness direction of the sealed substrate 2 with the measuring mechanism 19, A grinding step of grinding the sealed substrate 2 with the grinding stone 10 and a grinding step of grinding the grinding wheel 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2 based on the measurement value measured by the measuring mechanism 19. [ And a control step of controlling the position of the light source.

이 구성에 의하면, 절단 장치(1)는, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 스핀들(8)을 갖는다. 스핀들(8)은, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 연삭 지석(10)과 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 측정하는 측정 기구(19)를 구비한다. 측정 기구(19)에 의해 밀봉 완료 기판(2)의 높이 위치를 측정하여, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 구한다. 연삭량을 구함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 위치를 제어한다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량의 변동을 억제할 수 있다.According to this configuration, the cutting apparatus 1 has the spindle 8 for grinding the sealed substrate 2. The spindle 8 is provided with a grinding wheel 10 for grinding the completed substrate 2 and a measuring mechanism 19 for measuring the grinding amount of the completed substrate 2. The height position of the seal-completed substrate 2 is measured by the measuring mechanism 19, and the grinding amount of the seal-completed substrate 2 is obtained. By controlling the grinding amount, the position of the grinding wheel 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2 is controlled. Therefore, fluctuation of the amount of grinding of the sealed substrate 2 can be suppressed.

더 상세하게는, 본 실시 형태에 따르면, 절단 장치(1)는, 밀봉 완료 기판(2)의 일부분을 연삭하는 연삭 기구로서의 스핀들(8)을 갖는다. 스핀들(8)은, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 폭이 큰 연삭 지석(10)과 연삭 지석(10)에 의해 연삭된 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량을 측정하는 측정 기구(19)를 구비한다. 측정 기구(19)를 스핀들(8)에 설치된 2개의 변위 센서(7a, 7b)와 제어부(20)에 의해 구성한다. 2개의 변위 센서(7a, 7b)에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)와 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 측정한다. 이들 높이 위치(h1, h2)를 비교함으로써, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 구한다. 변위 센서(7a, 7b)에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 정확한 연삭량(d)을 구할 수 있다. 이것에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 깊이를 제어하는 것이 가능해진다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량의 변동을 억제할 수 있다.More specifically, according to the present embodiment, the cutting apparatus 1 has a spindle 8 as a grinding tool for grinding a part of the sealed substrate 2. The spindle 8 includes a grinding wheel 10 having a large width for grinding the finished substrate 2 and a measuring mechanism 19 for measuring the grinding amount of the finished substrate 2 ground by the grinding wheel 10, Respectively. The measuring mechanism 19 is constituted by two displacement sensors 7a and 7b provided on the spindle 8 and the control unit 20. [ The height position h1 of the entire grinding portion 2a of the hermetically sealed substrate 2 and the height position h2 of the grinding completion portion 2b of the hermetically sealed substrate 2 are set by the two displacement sensors 7a and 7b, . By comparing these height positions h1 and h2, the grinding amount d of the sealed substrate 2 is obtained. The accurate grinding amount d of the sealed substrate 2 can be obtained by the displacement sensors 7a and 7b. This makes it possible to control the depth of the grinding stone 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2. Therefore, fluctuation of the amount of grinding of the sealed substrate 2 can be suppressed.

본 실시 형태에 따르면, 스핀들(8)에 설치한 2개의 변위 센서(7a, 7b)에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1)와 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)를 연속해서 측정한다. 따라서, 그 자리·그 시점(in situ)에 있어서의 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 연속해서 측정할 수 있다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 고정밀도로 구할 수 있다. 또한, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 항시 파악할 수 있다. 이것에 의해, 측정 기구(19)에 의해 구한 연삭량을, 밀봉 완료 기판(2)의 두께 방향에서의 연삭 지석(10)의 깊이 위치로 고정밀도로 피드백할 수 있다.The height position h1 of the entire grinding portion 2a of the hermetically sealed substrate 2 and the height position h1 of the hermetically sealed substrate 2 are set by the two displacement sensors 7a and 7b provided on the spindle 8, The height position h2 of the ground-finished portion 2b of the wafer W is continuously measured. Therefore, it is possible to continuously measure the amount of grinding (d) of the sealed substrate 2 at that position and in situ. Therefore, the grinding amount d of the sealed substrate 2 can be obtained with high accuracy. Further, the grinding amount d of the seal-completed substrate 2 can always be grasped. Thereby, the grinding amount obtained by the measuring mechanism 19 can be fed back to the depth position of the grinding stone 10 in the thickness direction of the sealed substrate 2 with high accuracy.

본 실시 형태에 따르면, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 연속해서 측정할 수 있으므로, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량(d)을 항시 파악할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들어 연삭 지석(10)이 마모됨으로써 연삭량이 감소하는 경우라도, 측정 기구(19)에 의해 그 변화를 검지할 수 있다. 따라서, 연삭 지석(10)이 마모된 경우라도, 그 연삭량을 피드백함으로써, 연삭 지석(10)의 위치를 조정하여 연삭량을 제어하는 것이 가능해진다.According to the present embodiment, since the grinding amount d of the sealed substrate 2 can be continuously measured, the grinding amount d of the sealed substrate 2 can always be grasped. Thus, even when the amount of grinding decreases due to, for example, wear of the grinding wheel 10, the change can be detected by the measuring mechanism 19. [ Therefore, even when the grinding stone 10 is worn, it is possible to control the grinding amount by adjusting the position of the grinding stone 10 by feeding back the grinding amount.

본 실시 형태에 따르면, 절단 장치(1)에 있어서, 연삭 기구로서의 스핀들(8)과 절단 기구로서의 스핀들(9)을 설치한다. 따라서, 동일 장치에 있어서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭과 절단의 양쪽을 행할 수 있다. 종래와 같이, 연삭 장치와 절단 장치의 양쪽을 준비할 필요가 없으므로, 설비 비용을 억제할 수 있다. 덧붙여, 전자 부품의 제조 비용을 억제할 수 있다. 또한, 절단 장치(1)의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, in the cutting apparatus 1, the spindle 8 as a grinding mechanism and the spindle 9 as a cutting mechanism are provided. Therefore, in the same apparatus, both the grinding and cutting of the sealed substrate 2 can be performed. Since it is not necessary to prepare both the grinding apparatus and the cutting apparatus as in the conventional art, the equipment cost can be suppressed. In addition, the manufacturing cost of the electronic component can be suppressed. In addition, productivity of the cutting apparatus 1 can be improved.

본 실시 형태에 따르면, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 상태를 촬상하는 카메라(22)를 설치한다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 표면 상태를 검사할 수 있다. 이것에 의해, PoP형 반도체 장치(38)의 제조에 있어서, 하부 패키지(35)에 배치된 땜납 볼(27)의 상부가 정상적으로 노출되어 있는지 여부를 명확하게 확인할 수 있다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭량이 부족함에 의한 불량의 발생을 억제할 수 있다.According to the present embodiment, the camera 22 for picking up the state of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 is provided. Therefore, the surface state of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 can be inspected. As a result, it is possible to clearly confirm whether or not the upper portion of the solder ball 27 disposed in the lower package 35 is normally exposed in the manufacturing of the PoP semiconductor device 38. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects due to the shortage of the grinding amount of the seal-completed substrate 2.

〔실시 형태 2〕[Embodiment 2]

(밀봉 완료 기판의 가공 방법)(Method of Processing Sealed Substrate)

도 6을 참조하여, 실시 형태 2에 있어서, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 공정과 절단 공정을 효율적으로 실행하는 가공 방법에 대해 설명한다. 실시 형태 1과의 차이는, 하나의 가공 예정선에 있어서 연삭 공정을 행한 후에 계속해서 절단 공정도 행하는 것이다. 그 이외의 공정은 실시 형태 1과 동일하므로 설명을 생략한다.With reference to FIG. 6, a processing method for efficiently performing the grinding process and the cutting process of the sealed substrate 2 in the second embodiment will be described. The difference from the first embodiment is that the grinding step is performed on one machining line and then the cutting step is performed continuously. The other processes are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

먼저, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 스핀들(8)(도 1 참조)에 장착된 연삭 지석(10)을 밀봉 완료 기판(2)의 가장 외측에 설정된 가공 예정선(31a) 상에 배치한다. 다음으로, 연삭 지석(10)을 하강시켜 가공 예정선(31a)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 연삭 지석(10)에 의해 가공 예정선(31a) 상에 개구부(33a)가 형성된다. 이 공정에 있어서는, 스핀들(9)(도 1 참조)에 장착된 회전 날(11)은 밀봉 완료 기판(2)의 외부에서 대기하고 있다.6 (a), the grinding wheel 10 mounted on the spindle 8 (see Fig. 1) is placed on the to-be-processed line 31a on the outermost side of the sealed substrate 2 . Next, the grinding wheel 10 is lowered and the finished substrate 2 is ground along the line to be machined 31a. The grinding wheel 10 forms an opening 33a on the line to be machined 31a. In this process, the rotary blade 11 mounted on the spindle 9 (see Fig. 1) is standing outside the sealed substrate 2.

다음으로, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 스핀들(8, 9)을 이동시켜, 연삭 지석(10)을 가공 예정선(31b) 상에 배치하고, 회전 날(11)을 가공 예정선(31a) 상에 배치한다. 다음으로, 연삭 지석(10)을 하강시켜 가공 예정선(31b)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하여, 개구부(33b)를 형성한다. 동시에, 회전 날(11)을 하강시켜 가공 예정선(31a)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 절단한다. 가공 예정선(31a)을 따라 절단 홈(34a)이 형성된다.Next, as shown in Fig. 6 (b), the spindle 8, 9 is moved to place the grinding wheel 10 on the line to be machined 31b, Line 31a. Next, the grinding wheel 10 is lowered and the finished substrate 2 is ground along the line to be processed 31b to form the opening 33b. At the same time, the rotary blade 11 is lowered to cut the sealed substrate 2 along the line to be processed 31a. A cutting groove 34a is formed along the line to be machined 31a.

다음으로, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 스핀들(8, 9)을 이동시켜, 연삭 지석(10)을 가공 예정선(31c) 상에 배치하고, 회전 날(11)을 가공 예정선(31b) 상에 배치한다. 다음으로, 연삭 지석(10)을 하강시켜 가공 예정선(31c)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하여, 개구부(33c)를 형성한다. 동시에, 회전 날(11)을 하강시켜 가공 예정선(31b)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 절단한다. 가공 예정선(31b)을 따라 절단 홈(34b)이 형성된다.6 (c), the spindles 8 and 9 are moved to place the grinding wheel 10 on the line to be machined 31c, and the rotary blade 11 is to be machined Line 31b. Next, the grinding wheel 10 is lowered and the finished substrate 2 is ground along the line to be machined 31c to form the opening 33c. Simultaneously, the rotary blade 11 is lowered to cut the sealed substrate 2 along the line to be processed 31b. And a cutting groove 34b is formed along the line to be machined 31b.

도 6의 (d) 내지 (f)에 도시된 바와 같이, 이 공정을 순차 반복함으로써, 모든 가공 예정선(31a 내지 31e)을 따라, 개구부(33a 내지 33e) 및 절단 홈(34a 내지 34e)을 형성한다. 가공 예정선(31a 내지 31e)에 직교하는 가공 예정선에 대해서도 마찬가지의 공정을 실시함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 각각의 영역으로 개편화한다.As shown in Figs. 6 (d) to 6 (f), this process is repeated in order to form openings 33a to 33e and cutting grooves 34a to 34e along all the lines to be processed 31a to 31e . The same process is performed on the lines to be processed orthogonal to the lines to be machined 31a to 31e to separate the sealed substrates 2 into the respective regions.

본 실시 형태에 따르면, 2개의 스핀들(8, 9)을 사용하여, 연삭 공정과 절단 공정을 연속해서 실시한다. 하나의 가공 예정선에 있어서, 연삭 지석(10)에 의한 연삭 공정을 행한 후에 계속해서 회전 날(11)에 의한 절단 공정을 행한다. 이것에 의해, 트윈 스핀들 구성의 절단 장치(1)를 사용하여 효율적으로 연삭 공정과 절단 공정을 행할 수 있다. 따라서, 절단 장치(1)의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, the grinding process and the cutting process are performed successively by using two spindles 8 and 9. After the grinding process by the grinding stone 10 is performed on one line to be machined, the cutting process by the rotary blade 11 is subsequently performed. As a result, the grinding process and the cutting process can be efficiently performed by using the cutting device 1 of the twin spindle configuration. Therefore, the productivity of the cutting apparatus 1 can be improved.

〔실시 형태 3〕[Embodiment 3]

(절단 장치의 구성)(Configuration of cutting apparatus)

도 7을 참조하여, 실시 형태 3에 관한 가공 장치의 다른 예인 절단 장치의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 1에서 나타낸 절단 장치(1)와의 차이는, 연삭·절단 모듈(B)을 연삭 모듈과 절단 모듈로 더 분할한 것이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 동일하므로 설명을 생략한다.Referring to Fig. 7, the structure of the cutting apparatus, which is another example of the machining apparatus according to the third embodiment, will be described. The difference from the cutting apparatus 1 shown in Embodiment 1 is that the grinding / cutting module B is further divided into a grinding module and a cutting module. The other configurations are the same as those of the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

도 7에 도시된 바와 같이, 절단 장치(44)는, 밀봉 완료 기판(2)을 공급하는 공급 모듈(A)과 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하는 연삭 모듈(B1)과 밀봉 완료 기판(2)을 절단하는 절단 모듈(B2)과 절단되어 개편화된 개편화물을 검사하는 검사 모듈(C)을, 각각 구성 요소로서 구비한다. 각 구성 요소는, 각각 다른 구성 요소에 대해 착탈 가능 또한 교환 가능하다. 공급 모듈(A) 및 검사 모듈(C)은, 실시 형태 1과 동일하다.7, the cutting device 44 includes a supply module A for supplying the sealed substrate 2, a grinding module B1 for grinding the sealed substrate 2, , And an inspection module (C) for inspecting the reorganized separated pieces. Each component is removable and exchangeable with respect to each other component. The supply module (A) and the inspection module (C) are the same as those in the first embodiment.

연삭 모듈(B1)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 적재하여 연삭하기 위한 연삭 테이블(45)이 설치된다. 연삭 테이블(45)은, 실시 형태 1에 나타낸 절단 테이블(4)과 동일한 것이며, 이동 기구(5), 회전 기구(6) 및 변위 센서(7)도 실시 형태 1과 동일하다.The grinding module B1 is provided with a grinding table 45 for grinding by placing the sealed substrate 2 thereon. The grinding table 45 is the same as the cutting table 4 shown in the first embodiment and the moving mechanism 5, the rotating mechanism 6 and the displacement sensor 7 are also the same as those in the first embodiment.

연삭 모듈(B1)에는, 연삭 기구로서 2개의 스핀들(46, 47)이 설치된다. 예를 들어, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공하기 위한 스핀들(46)과 밀봉 완료 기판(2)을 마무리 가공하기 위한 스핀들(47)이 설치된다. 스핀들(46, 47)에 장착하는 연삭 지석을 구분하여 사용함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공 또는 마무리 가공할 수 있다. 연삭 지석을 구성하는 지립의 종류나 입도(지립의 수)를 최적화함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공 또는 마무리 가공할 수 있다.In the grinding module B1, two spindles 46 and 47 are provided as a grinding mechanism. For example, a spindle 46 for machining the sealed substrate 2 and a spindle 47 for finishing the sealed substrate 2 are provided. By separately using the grinding stones to be mounted on the spindles 46 and 47, the sealed substrate 2 can be roughened or finished. By optimizing the kind of the abrasive grains constituting the grinding stone or the particle size (the number of abrasive grains), the encapsulated substrate 2 can be roughened or finished.

예를 들어, 입도(지립의 수)를 최적화함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공 또는 마무리 가공할 수 있다. 스핀들(46)에 입도가 작은(지립의 수가 적은) 연삭 지석(48)을 장착함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공할 수 있다. 스핀들(47)에 입도가 큰(지립의 수가 많은) 연삭 지석(49)을 장착함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 마무리 가공할 수 있다.For example, by optimizing the particle size (the number of abrasive grains), the sealed substrate 2 can be roughened or finished. The finished sealing substrate 2 can be machined by mounting the grinding wheel 48 having a small particle size (few abrasive grains) on the spindle 46. [ The finished sealing substrate 2 can be finished by mounting the grinding stone 49 having a large grain size (a large number of abrasive grains) on the spindle 47.

또 다른 방법으로서, 지립의 종류를 선택함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공 또는 마무리 가공할 수 있다. 예를 들어, 경도가 가장 높은(단단한) 초지립으로서, 다이아몬드, cBN(입방정 질화붕소) 등을 사용함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 조가공할 수 있다. 초지립보다는 경도가 낮은(무른) 일반 지립으로서, 예를 들어 GC 지석(그린 카보나이트: 녹색 탄화규소계 지석) 등을 사용함으로써, 밀봉 완료 기판(2)을 마무리 가공할 수 있다.As another method, by selecting the type of abrasive grains, the encapsulated substrate 2 can be roughened or finished. For example, by using diamond, cBN (cubic boron nitride) or the like as the hardest (rigid) hard grain lip, the finished substrate 2 can be processed. The sealed substrate 2 can be finished by using, for example, a GC grindstone (green carbonite: green silicon carbide-based grindstone) or the like as a general abrasive having a hardness lower than that of the grass grains.

스핀들(46, 47)에는, 연삭 지석(48, 49)에 각각 가공수를 분사하는 가공수 분사 노즐(12)과 밀봉 완료 기판(2)의 높이 위치를 측정하기 위한 변위 센서(7)가 설치된다. 변위 센서(7)는, 실시 형태 1에 나타낸 변위 센서와 동일한 것이다. 이 경우도, 변위 센서(7)는 스핀들(46, 47)의 양측에 각각 설치된다. 변위 센서(7)에 의해, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 전부(2a)의 높이 위치(h1) 및 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 높이 위치(h2)(도 2 내지 3 참조)를 측정할 수 있다. 또한, 밀봉 완료 기판(2)의 연삭 완료부(2b)의 표면 상태를 촬상하기 위한 카메라(도 2 내지 3 참조)를 설치할 수 있다.The spindles 46 and 47 are provided with a processed water injection nozzle 12 for spraying the processing water to the grinding wheels 48 and 49 and a displacement sensor 7 for measuring the height position of the sealed substrate 2 do. The displacement sensor 7 is the same as the displacement sensor shown in the first embodiment. In this case as well, the displacement sensor 7 is provided on both sides of the spindles 46 and 47, respectively. The displacement sensor 7 detects the height position h1 of the entire grinding portion 2a of the sealed substrate 2 and the height position h2 of the grinding completed portion 2b of the sealed substrate 2 3) can be measured. Further, a camera (see Figs. 2 to 3) for imaging the surface state of the grounded portion 2b of the sealed substrate 2 can be provided.

절단 모듈(B2)에는, 절단 테이블(4)과 절단 기구로서의 스핀들(9)이 설치된다. 스핀들(9)은, 실시 형태 1에 나타낸 스핀들과 동일한 것이다. 스핀들(9)에는, 밀봉 완료 기판(2)을 절단하기 위한 회전 날(11)이 장착된다. 실시 형태 1과 마찬가지로, 스핀들(9)에는, 가공수를 분사하는 가공수 분사 노즐(13)과 절단 홈을 촬상하기 위한 카메라(14)가 설치된다. 또한, 절단 모듈(B2)을, 트윈 테이블, 트윈 스핀들 구성으로 할 수도 있다.The cutting module B2 is provided with a cutting table 4 and a spindle 9 as a cutting mechanism. The spindle 9 is the same as the spindle shown in the first embodiment. On the spindle 9, a rotary blade 11 for cutting the sealed substrate 2 is mounted. Like the first embodiment, the spindle 9 is provided with a processed water injection nozzle 13 for spraying the process water and a camera 14 for capturing the cut groove. Further, the cutting module B2 may be a twin table or twin spindle configuration.

또한, 가공 장치(44)에 있어서, 밀봉 완료 기판에 대해 연삭 공정을 행하고, 절단 공정을 다른 공정(장치)에서 행하는 경우에는, 절단 모듈(B2)을 생략할 수 있다. 이 경우에는, 가공 장치(44)는 연삭 장치로서 기능한다.Further, in the case where the grinding process is performed on the sealed substrate in the machining apparatus 44 and the cutting process is performed in another process (apparatus), the cutting module B2 can be omitted. In this case, the machining device 44 functions as a grinding device.

(전자 부품의 제조 방법)(Manufacturing method of electronic parts)

도 8의 (a) 내지 (f)를 참조하여, 실시 형태 3에 있어서의 전자 부품(PoP형 반도체 장치)의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 8의 (a) 내지 (b)에 도시된 바와 같이, 밀봉 완료 기판(2)을 제작할 때까지의 공정은 실시 형태 1과 동일하다.A manufacturing method of an electronic component (PoP type semiconductor device) according to the third embodiment will be described with reference to Figs. 8A to 8F. As shown in Figs. 8 (a) to 8 (b), the steps up to the production of the sealed substrate 2 are the same as those in the first embodiment.

다음으로, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 절단 장치(44)의 연삭 테이블(45)(도 7 참조) 상에 밀봉 완료 기판(2)을 적재한다. 절단 장치(44)의 조가공용 스핀들(46)(도 7 참조)에 장착된 연삭 지석(48)에 의해 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 가공 예정선(31)을 따라, 밀봉 완료 기판(2)에 있어서의 밀봉 수지(28)를 일정량 연마한다. 이 경우에는, 예를 들어 기판(25)에 배치된 땜납 볼(27)의 상부가 노출되기 직전까지 연삭하도록 연삭량을 제어한다. 연삭량은, 스핀들(46)에 설치된 측정 기구(도시하지 않음)에 의해 제어된다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(2)에는 얕은 개구부(50)가 형성된다. 스핀들(46)에는 조가공용의, 예를 들어 입도가 작은(지립의 수가 적은) 연삭 지석(48)을 장착하고 있으므로, 밀봉 수지(28)를 신속하게 연삭할 수 있다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 모든 가공 예정선(31)(도 4의 (a) 참조)을 따라 연삭을 행함으로써, 복수의 얕은 개구부(50)를 형성한다.Next, as shown in Fig. 8C, the sealed substrate 2 is loaded on the grinding table 45 (see Fig. 7) of the cutting device 44. The finished sealing substrate 2 is ground by the grinding stone 48 mounted on the coarse spindle 46 (see Fig. 7) of the cutting device 44. The sealing resin 28 in the sealed substrate 2 is polished by a predetermined amount along the line to be processed 31 set on the sealed substrate 2. [ In this case, for example, the amount of grinding is controlled so that the upper portion of the solder ball 27 disposed on the substrate 25 is ground until just before it is exposed. The amount of grinding is controlled by a measuring mechanism (not shown) provided on the spindle 46. As a result, a shallow opening portion 50 is formed in the sealed substrate 2. Since the spindle 46 is provided with a rough grinding wheel 48 having a small size (for example, a small number of grits), the grinding stone 28 can be quickly grinded. A plurality of shallow openings 50 are formed by performing grinding along all the to-be-machined lines 31 (see Fig. 4 (a)) set on the sealed substrate 2. [

다음으로, 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 절단 장치(44)의 마무리 가공용 스핀들(47)(도 7 참조)에 장착된 연삭 지석(49)에 의해 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 가공 예정선(31)을 따라, 밀봉 완료 기판(2)에 있어서의 밀봉 수지(28)를 일정량 연마한다. 이 경우에는, 기판(25)에 배치된 땜납 볼(27)의 상부가 노출되도록 연삭량을 제어한다. 연삭량은, 스핀들(47)에 설치된 측정 기구(도시하지 않음)에 의해 제어된다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(2)에는, 땜납 볼(27)의 상부를 노출시키는 깊은 개구부(51)가 형성된다. 스핀들(47)에는 마무리 가공용의, 예를 들어 입도가 큰(지립의 수가 많은) 연삭 지석(49)을 장착하고 있으므로, 밀봉 수지(28)를 고정밀도로 연삭할 수 있다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 모든 가공 예정선(31)(도 4의 (a) 참조)을 따라 연삭을 행함으로써, 복수의 깊은 개구부(51)를 형성한다. 여기까지의 공정에 의해, 연삭 공정이 완료된다.Next, as shown in Fig. 8 (d), the sealed substrate 2 is ground by the grinding stone 49 mounted on the finishing spindle 47 (see Fig. 7) of the cutting device 44 do. The sealing resin 28 in the sealed substrate 2 is polished by a predetermined amount along the line to be processed 31 set on the sealed substrate 2. [ In this case, the grinding amount is controlled so that the upper portion of the solder ball 27 disposed on the substrate 25 is exposed. The grinding amount is controlled by a measuring mechanism (not shown) provided on the spindle 47. As a result, a deep opening 51 is formed in the sealed substrate 2 to expose the upper portion of the solder ball 27. Since the spindle 47 is provided with a grinding stone 49 for finishing, for example, having a large particle size (a large number of abrasive grains), the sealing resin 28 can be ground with high accuracy. A plurality of deep openings 51 are formed by performing grinding along all the to-be-machined lines 31 (see Fig. 4 (a)) set on the sealed substrate 2. [ By this process, the grinding process is completed.

실시 형태 1과 마찬가지로, 밀봉 수지(28)의 조가공 및 마무리 가공의 연삭량은, 스핀들(46 및 47)에 설치된 측정 기구(도시하지 않음)에 의해 측정되고, 목적의 연삭량이 제어된다. 또한, 스핀들(47)에 설치된 카메라(도시하지 않음)에 의해, 땜납 볼(27)의 상부가 노출되었는지 여부를 확인할 수 있다.As in the first embodiment, the grinding amount of the embossing and finishing of the sealing resin 28 is measured by a measuring mechanism (not shown) provided on the spindles 46 and 47, and the desired grinding amount is controlled. It is also possible to confirm whether or not the upper portion of the solder ball 27 is exposed by a camera (not shown) provided on the spindle 47.

다음으로, 도 8의 (e)에 도시된 바와 같이, 연삭 공정이 완료된 후에, 밀봉 완료 기판(2)을 연삭 테이블(45)로부터 절단 테이블(4)(도 7 참조)로 이동 탑재한다. 절단 장치(44)의 절단용 스핀들(9)(도 7 참조)에 장착된 회전 날(11)을 밀봉 완료 기판(2)의 개구부(51)에 설정되어 있는 가공 예정선(31) 상에 배치한다. 밀봉 완료 기판(2)에 설정된 가공 예정선(31)을 따라 밀봉 수지(28)의 나머지 부분 및 기판(25)을 회전 날(11)에 의해 절단한다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(2)에는 절단 홈(52)이 형성된다.Next, as shown in Fig. 8E, after the grinding process is completed, the sealed substrate 2 is moved from the grinding table 45 to the cutting table 4 (see Fig. 7). The rotary blade 11 mounted on the cutting spindle 9 (see Fig. 7) of the cutting device 44 is placed on the to-be-machined line 31 set in the opening 51 of the sealed substrate 2 do. The remaining part of the sealing resin 28 and the substrate 25 are cut by the rotary blade 11 along the line to be processed 31 set on the sealed substrate 2. [ As a result, a cut groove 52 is formed in the sealed substrate 2.

밀봉 완료 기판(2)에 설정된 모든 가공 예정선(31)(도 4의 (a) 참조)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 절단한다. 이것에 의해, 절단 홈(52)에 의해 밀봉 완료 기판(2)은 각각의 영역(32)으로 개편화된다. 여기까지의 공정에 의해, PoP형 반도체 장치를 구성하는 복수의 하부 패키지(35)가 제조된다. 제조 방법은 상이하지만, 하부 패키지(35)는 실시 형태 1의 제조 방법으로 제조된 것과 동일하다. 도 8의 (c) 내지 (e)의 공정이, 절단 장치(44)에 의해 실행된다.The sealed substrate 2 is cut along all of the lines to be processed 31 (see Fig. 4 (a)) set on the sealed substrate 2. [ As a result, the sealed substrate 52 is separated into the respective regions 32 by the cutting grooves 52. By the steps up to this point, a plurality of lower packages 35 constituting the PoP semiconductor device are manufactured. Although the manufacturing method is different, the lower package 35 is the same as that manufactured by the manufacturing method of the first embodiment. The steps (c) to (e) of FIG. 8 are executed by the cutting device 44.

다음으로, 도 8의 (f)에 도시된 바와 같이, 하부 패키지(35)에 배치된 접속용 땜납 볼(27)과 상부 패키지(36)에 배치된 접속용 땜납 볼(37)을 접속함으로써, 전자 부품의 하나의 형태인 PoP형 반도체 장치(38)가 완성된다. 상부 패키지(36)는 실시 형태 1에서 나타낸 상부 패키지와 동일한 것이다.8 (f), by connecting the connecting solder balls 27 arranged in the lower package 35 and the connecting solder balls 37 arranged in the upper package 36, The PoP semiconductor device 38, which is one type of electronic component, is completed. The upper package 36 is the same as the upper package shown in the first embodiment.

본 실시 형태에 따르면, 연삭 모듈(B1)에, 연삭 기구로서 2개의 스핀들(46, 47)을 설치한다. 스핀들(46)에는, 조가공을 하기 위해 입도가 작은 연삭 지석(48)을 장착한다. 스핀들(47)에는, 마무리 가공을 하기 위해 입도가 큰 연삭 지석(49)을 장착한다. 연삭 지석(48)에 의해 밀봉 수지(28)를 신속하게 연삭하고, 연삭 지석(49)에 의해 밀봉 수지(28)를 고정밀도로 마무리할 수 있다. 따라서, 밀봉 완료 기판(2)을 신속하고, 또한 정밀하게 연삭할 수 있어, 연삭 품질을 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, the grinding module B1 is provided with two spindles 46 and 47 as a grinding mechanism. A grinding wheel 48 having a small particle size is mounted on the spindle 46 for rough working. A grinding stone 49 having a large grain size is mounted on the spindle 47 for finishing. The sealing resin 28 can be quickly grinded by the grinding stone 48 and the sealing resin 28 can be finished with high precision by the grinding stone 49. [ Therefore, the sealed substrate 2 can be grinded quickly and precisely, and the grinding quality can be improved.

〔실시 형태 4〕[Embodiment 4]

(밀봉 완료 기판의 가공 방법)(Method of Processing Sealed Substrate)

도 9를 참조하여, 실시 형태 4에 있어서, 밀봉 완료 기판(2)의 조가공의 연삭 공정과 마무리의 연삭 공정을 효율적으로 실행하는 가공 방법에 대해 설명한다. 실시 형태 3과의 차이는, 하나의 가공 예정선에 있어서 조가공의 연삭 공정을 행한 후에 계속해서 마무리의 연삭 공정을 행하는 것이다. 그 이외의 공정은 실시 형태 3과 동일하므로 설명을 생략한다.With reference to Fig. 9, a description will be given of a grinding process of the roughing process of the sealed substrate 2 and a grinding process for efficiently performing the grinding process in the fourth embodiment. The third embodiment differs from the third embodiment in that after the grinding process of the rough machining is performed on one machining line, the grinding process of the finish is continuously performed. The other processes are the same as those in the third embodiment, and thus description thereof is omitted.

먼저, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 스핀들(46)(도 7 참조)에 장착된 연삭 지석(48)을 밀봉 완료 기판(2)의 가장 외측에 설정된 가공 예정선(31a) 상에 배치한다. 다음으로, 연삭 지석(48)을 하강시켜 가공 예정선(31a)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 연삭 지석(48)에 의해 가공 예정선(31a) 상에 얕은 개구부(50a)(땜납 볼(27)의 상부가 노출되기 직전의 개구부; 도 8의 (c) 참조)가 형성된다. 이 공정에 있어서는, 스핀들(47)(도 7 참조)에 장착된 연삭 지석(49)은 밀봉 완료 기판(2)의 외부에서 대기하고 있다.9 (a), the grinding wheel 48 mounted on the spindle 46 (see Fig. 7) is placed on the to-be-machined line 31a on the outermost side of the sealed substrate 2 . Next, the grinding wheel 48 is lowered and the finished substrate 2 is ground along the line to be processed 31a. A shallow opening 50a (opening just before the top of the solder ball 27 is exposed; see Fig. 8 (c)) is formed on the line to be machined 31a by the grinding stone 48. [ In this process, the grinding stone 49 mounted on the spindle 47 (see Fig. 7) is standing outside the sealed substrate 2. [

다음으로, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 스핀들(46, 47)을 이동시켜, 연삭 지석(48)을 가공 예정선(31b) 상에 배치하고, 연삭 지석(49)을 가공 예정선(31a) 상에 배치한다. 다음으로, 연삭 지석(48)을 하강시켜 가공 예정선(31b)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하고, 얕은 개구부(50b)를 형성한다. 동시에, 연삭 지석(49)을 하강시켜 가공 예정선(31a)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 가공 예정선(31a)을 따라 깊은 개구부(51a)(땜납 볼(27)의 상부가 노출되는 개구부; 도 8의 (d) 참조)가 형성된다.Next, as shown in Fig. 9 (b), the spindle 46, 47 is moved to place the grinding stone 48 on the line to be machined 31b, and the grinding stone 49 is to be machined Line 31a. Next, the grinding wheel 48 is lowered to grind the seal-completed substrate 2 along the line to be machined 31b to form a shallow opening 50b. Simultaneously, the grinding wheel 49 is lowered to grind the sealed substrate 2 along the line to be machined 31a. An opening 51a (see FIG. 8 (d)) in which an upper portion of the solder ball 27 is exposed is formed along the line to be machined 31a.

다음으로, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 스핀들(46, 47)을 이동시켜, 연삭 지석(48)을 가공 예정선(31c) 상에 배치하고, 연삭 지석(49)을 가공 예정선(31b) 상에 배치한다. 다음으로, 연삭 지석(48)을 하강시켜 가공 예정선(31c)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭하여, 얕은 개구부(50c)를 형성한다. 동시에, 연삭 지석(49)을 하강시켜 가공 예정선(31b)을 따라 밀봉 완료 기판(2)을 연삭한다. 가공 예정선(31b)을 따라 깊은 개구부(51b)가 형성된다.Next, as shown in Fig. 9C, the spindles 46 and 47 are moved to place the grinding stone 48 on the line to be machined 31c, and the grinding stone 49 is to be machined Line 31b. Next, the grinding wheel 48 is lowered to grind the finished substrate 2 along the line to be machined 31c to form a shallow opening 50c. Simultaneously, the grinding wheel 49 is lowered and the finished substrate 2 is ground along the line to be processed 31b. An opening 51b deep along the line to be machined 31b is formed.

도 9의 (d) 내지 (f)에 도시된 바와 같이, 이 공정을 순차 반복함으로써, 모든 가공 예정선(31a 내지 31e)을 따라 조가공에 의한 얕은 개구부(50a 내지 50e)를 형성하고, 계속해서 마무리 가공에 의한 깊은 개구부(51a 내지 51e)를 형성한다. 가공 예정선(31a 내지 31e)에 직교하는 가공 예정선에 대해서도 마찬가지의 공정을 실시함으로써, 복수의 깊은 개구부를 형성한다.As shown in Figs. 9 (d) to 9 (f), these steps are repeated in order to form shallow openings 50a to 50e by rough working along all the lines to be processed 31a to 31e, Thereby forming deep openings 51a to 51e by the finishing process. The same process is performed on the lines to be machined orthogonal to the lines to be machined 31a to 31e to form a plurality of deep openings.

본 실시 형태에 따르면, 2개의 스핀들(46, 47)을 사용하여, 조가공의 연삭 공정과 마무리 연삭 공정을 연속해서 실시한다. 하나의 가공 예정선에 있어서, 연삭 지석(48)에 의한 조가공을 행한 후에 계속해서 연삭 지석(49)에 의한 마무리 가공을 행한다. 이것에 의해, 트윈 스핀들 구성의 연삭 기구를 사용하여 효율적으로 고정밀도의 연삭 공정을 행할 수 있다. 따라서, 절단 장치(44)에 있어서의 연삭 생산성을 향상시킬 수 있어, 연삭 품질을 향상시킬 수 있다.According to the present embodiment, the rough grinding process and the finishing grinding process are continuously performed using the two spindles 46 and 47. After the rough machining by the grinding stone 48 is performed on one line to be machined, the finish machining by the grinding stone 49 is subsequently carried out. As a result, the grinding process of the twin spindle can be used efficiently and highly precise grinding process. Therefore, the productivity of grinding in the cutting device 44 can be improved, and the grinding quality can be improved.

〔실시 형태 5〕[Embodiment 5]

(전자 부품의 제조 방법)(Manufacturing method of electronic parts)

도 10의 (a) 내지 (e)를 참조하여, 실시 형태 5에 있어서의 전자 부품(PoP형 반도체 장치)의 제조 방법에 대해 설명한다.A manufacturing method of an electronic component (PoP type semiconductor device) according to the fifth embodiment will be described with reference to Figs. 10 (a) to 10 (e).

먼저, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(53)에 있어서, 직교하는 가공 예정선(54)에 의해 둘러싸이는 복수의 영역(55)에 범프(56)를 통해 반도체 칩(57)을 각각 장착한다. 다음으로, 각각의 반도체 칩(57)의 주위에 접속용 전극이 되는 복수의 땜납 볼(58)을 다중으로 배치한다. 이 경우에는, 복수의 땜납 볼(58)이 반도체 칩(57)의 주위에 4중으로 배치된다. 다음으로, 기판(53)의 이면측에 외부 전극이 되는 복수의 땜납 볼(59)을 배치한다.First, as shown in Fig. 10 (a), a plurality of regions 55 surrounded by the to-be-processed line 54 orthogonal to the substrate 53 are electrically connected to the semiconductor chip 57 Respectively. Next, a plurality of solder balls 58, which serve as connection electrodes, are arranged around the respective semiconductor chips 57. In this case, a plurality of solder balls 58 are arranged around the semiconductor chip 57 in a quadruple manner. Next, a plurality of solder balls 59 serving as external electrodes are disposed on the back side of the substrate 53. [

다음으로, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체 칩(57)과 복수의 땜납 볼(58)을 덮도록 밀봉 수지(60)를 형성한다. 여기까지의 공정에 의해, 밀봉 완료 기판(61)이 제작된다.Next, as shown in Fig. 10 (b), a sealing resin 60 is formed so as to cover the plurality of semiconductor chips 57 and the plurality of solder balls 58. Next, as shown in Fig. By the steps up to this step, the sealed substrate 61 is produced.

다음으로, 예를 들어 절단 장치(1)의 절단 테이블(4)(도 1 참조) 상에 밀봉 완료 기판(61)을 적재한다. 절단 장치(1)의 연삭 기구로서의 스핀들(8)(도 1 참조)에 장착된 연삭 지석(10)에 의해 밀봉 완료 기판(61)을 연삭한다. 밀봉 완료 기판(61)에 설정된 가공 예정선(54)을 따라, 밀봉 완료 기판(61)을 연삭한다. 이 경우에는, 기판(53)에 배치된 땜납 볼(58)의 상부가 노출될 때까지 밀봉 완료 기판(61)을 연삭한다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(61)에는, 땜납 볼(58)의 상부를 노출시키는 개구부(62)가 형성된다.Next, the sealed substrate 61 is placed on the cutting table 4 (see Fig. 1) of the cutting apparatus 1, for example. The sealed substrate 61 is ground by the grinding wheel 10 mounted on the spindle 8 (see Fig. The sealed substrate 61 is ground along the line to be machined 54 set on the sealed substrate 61. Then, In this case, the sealed substrate 61 is ground until the upper portion of the solder ball 58 disposed on the substrate 53 is exposed. As a result, an opening 62 for exposing the upper portion of the solder ball 58 is formed in the sealed substrate 61.

본 실시 형태에 있어서는, 반도체 칩(57)의 주위에 복수의 땜납 볼(58)이 4중으로 배치된다. 4중으로 배치된 땜납 볼(58) 상의 밀봉 수지(60)를 연삭 지석(10)에 의해 일괄하여 연삭하여, 복수의 땜납 볼(58)의 상부를 모두 노출시킨다. 이것에 의해, 복수의 땜납 볼(58)이 좁은 피치로 배치된 경우라도, 땜납 볼(58)과 땜납 볼(58) 사이의 밀봉 수지(60)를 그대로의 상태로 남길 수 있다. 따라서, 인접하는 땜납 볼(58)끼리가 단락되는 것을 억제할 수 있다.In the present embodiment, a plurality of solder balls 58 are disposed in the periphery of the semiconductor chip 57 in quadruple. The sealing resin 60 on the quadruple solder balls 58 is collectively grinded by the grinding stone 10 to expose all the upper portions of the plurality of solder balls 58. This makes it possible to leave the sealing resin 60 between the solder ball 58 and the solder ball 58 intact even when a plurality of the solder balls 58 are arranged at a narrow pitch. Therefore, shorting of adjacent solder balls 58 can be suppressed.

다음으로, 도 10의 (d)에 도시된 바와 같이, 절단 장치(1)의 절단 기구로서의 스핀들(9)(도 1 참조)에 장착된 회전 날(11)을, 밀봉 완료 기판(61)의 가공 예정선(54) 상에 배치한다. 밀봉 완료 기판(61)에 설정된 가공 예정선(54)을 따라 밀봉 수지(60)의 나머지 부분 및 기판(53)을 회전 날(11)에 의해 절단한다. 이 결과, 밀봉 완료 기판(61)에는 절단 홈(63)이 형성된다. 밀봉 완료 기판(61)에 설정된 모든 가공 예정선(54)을 따라 밀봉 완료 기판(61)을 절단한다. 여기까지의 공정에 의해, PoP형 반도체 장치를 구성하는 복수의 하부 패키지(64)가 제조된다. 도 10의 (c) 내지 (d)의 공정이, 절단 장치(1)에 의해 실행된다.10 (d), the rotary blade 11 mounted on the spindle 9 (see Fig. 1) as the cutting mechanism of the cutting apparatus 1 is rotated in the direction Is placed on the line (54) to be machined. The remaining part of the sealing resin 60 and the substrate 53 are cut by the rotary blade 11 along the line to be machined 54 set on the sealed substrate 61. [ As a result, a cut groove 63 is formed in the sealed substrate 61. The sealed substrate 61 is cut along all of the lines to be processed 54 set on the sealed substrate 61. Then, By the steps up to this point, a plurality of lower packages 64 constituting the PoP type semiconductor device are manufactured. The steps (c) to (d) of FIG. 10 are executed by the cutting apparatus 1.

다음으로, 도 10의 (e)에 도시된 바와 같이, 하부 패키지(64)에 배치된 접속용 땜납 볼(58)과 상부 패키지(65)에 배치된 접속용 땜납 볼(66)을 접속함으로써, PoP형 반도체 장치(67)가 완성된다. 상부 패키지(65)는, 기판(68)에 범프(69)를 통해 반도체 칩(70)이 장착되고, 반도체 칩(70)은 밀봉 수지(71)에 의해 덮여 있다.10E, by connecting the connecting solder balls 58 arranged in the lower package 64 and the connecting solder balls 66 arranged in the upper package 65, as shown in FIG. 10E, The PoP semiconductor device 67 is completed. The upper package 65 is mounted with the semiconductor chip 70 on the substrate 68 through the bumps 69 and the semiconductor chip 70 is covered with the sealing resin 71.

본 실시 형태에 따르면, 반도체 칩(57)의 주위에 배치된 4중의 땜납 볼(58)의 상부를 연삭 지석(10)에 의해 일괄하여 노출시킨다. 따라서, 복수의 땜납 볼(58)이 좁은 피치로 배치된 경우라도, 인접하는 땜납 볼(58)끼리가 단락되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 복수의 땜납 볼(58)을 좁은 피치로 다중으로 배치할 수 있어, 하부 패키지(64)의 면적을 작게 하는 것이 가능해진다.According to the present embodiment, the upper portion of the quartz solder balls 58 disposed around the semiconductor chip 57 is collectively exposed by the grinding stone 10. [ Therefore, even when a plurality of solder balls 58 are arranged at a narrow pitch, shorting of adjacent solder balls 58 can be suppressed. As a result, the plurality of solder balls 58 can be arranged in multiple at a narrow pitch, and the area of the lower package 64 can be reduced.

각 실시 형태에 있어서는, 워크로서, 밀봉 완료 기판을 사용한 경우에 대해 설명하였다. 밀봉 완료 기판으로서는, BGA 밀봉 완료 기판, LGA 밀봉 완료 기판, CSP 밀봉 완료 기판 등이 사용된다. 또한, 웨이퍼 레벨 패키지에도 본 발명을 적용할 수 있다.In each embodiment, the case where a sealed substrate is used as the work has been described. As the sealed substrate, a BGA-sealed substrate, an LGA-sealed substrate, a CSP-sealed substrate, or the like is used. The present invention can also be applied to a wafer level package.

이상과 같이, 상기 실시 형태의 가공 장치는, 워크를 가공하는 가공 장치이며, 워크를 적재하는 테이블과, 워크를 연삭하는 연삭 기구와, 워크의 워크 두께 방향에서의 적어도 워크의 일부의 위치를 측정하는 측정 기구를 구비하고, 연삭 기구는 연삭 지석을 갖고, 측정 기구에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 워크 두께 방향에서의 연삭 지석의 위치가 제어되는 구성으로 하고 있다.As described above, the machining apparatus of the above-described embodiment is a machining apparatus for machining a work, and is a machining apparatus for machining a work, which includes a table for mounting a work, a grinding mechanism for grinding the work, The grinding mechanism has a grinding wheel and the position of the grinding wheel in the workpiece thickness direction is controlled based on the measurement value measured by the measuring mechanism.

이 구성에 의하면, 측정 기구에 의해 워크의 워크 두께 방향에서의 위치를 측정하여, 워크의 연삭량을 구할 수 있다. 워크의 연삭량을 구함으로써, 워크의 워크 두께 방향에서의 연삭 지석의 위치를 제어할 수 있다. 따라서, 워크의 연삭량의 변동을 억제할 수 있다.According to this configuration, the position of the work in the work thickness direction is measured by the measuring mechanism, and the amount of grinding of the work can be obtained. The position of the grinding wheel in the work thickness direction of the work can be controlled by obtaining the grinding amount of the work. Therefore, fluctuation of the amount of grinding of the work can be suppressed.

또한, 상기 실시 형태의 가공 장치에서는, 측정 기구는, 적어도 워크의 높이 위치를 측정하는 변위 센서를 구비하는 구성으로 하고 있다.In the machining apparatus of the above-described embodiment, the measuring mechanism is provided with a displacement sensor for measuring at least the height position of the work.

이 구성에 의하면, 변위 센서에 의해 워크의 높이 위치를 측정할 수 있다. 워크의 높이 위치를 측정함으로써 워크의 연삭량을 구할 수 있다.According to this configuration, the height position of the work can be measured by the displacement sensor. The grinding amount of the work can be obtained by measuring the height position of the work.

또한, 상기 실시 형태의 가공 장치에서는, 측정 기구는, 워크를 검사하는 검사 기구를 더 구비하는 구성으로 하고 있다.Further, in the processing apparatus of the above-described embodiment, the measuring mechanism further includes an inspection mechanism for inspecting the work.

이 구성에 의하면, 검사 기구에 의해 워크의 연삭 상태를 검사할 수 있다. 따라서, 워크가 정상적으로 연삭되었는지 여부를 확인할 수 있다.According to this configuration, the grinding condition of the work can be inspected by the inspection mechanism. Therefore, it is possible to confirm whether or not the workpiece is normally ground.

또한, 상기 실시 형태의 가공 장치에서는, 연삭 기구는, 조가공을 행하는 제1 연삭 기구와 마무리 가공을 행하는 제2 연삭 기구를 더 구비하는 구성으로 하고 있다.In the machining apparatus of the above-described embodiment, the grinding mechanism further includes a first grinding mechanism for performing the rough machining and a second grinding mechanism for performing the finishing machining.

이 구성에 의하면, 제1 연삭 기구에 의해 워크를 조가공하고, 제2 연삭 기구에 의해 워크의 마무리 가공을 행한다. 따라서, 워크를 더 정밀하게 연삭할 수 있어, 연삭 품질을 향상시킬 수 있다.According to this configuration, the work is rough-worked by the first grinding mechanism and the work is finished by the second grinding mechanism. Therefore, the work can be more accurately grinded, and the grinding quality can be improved.

또한, 상기 실시 형태의 가공 장치는, 워크를 절단하는 절단 기구를 더 구비하는 구성으로 하고 있다.Further, the processing apparatus of the above-described embodiment further includes a cutting mechanism for cutting the work.

이 구성에 의하면, 가공 장치에 있어서, 워크의 연삭과 워크의 절단을 동일 장치에서 행할 수 있다. 따라서, 가공 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to this configuration, in the machining apparatus, the grinding of the work and the cutting of the work can be performed in the same apparatus. Therefore, the productivity of the machining apparatus can be improved.

또한, 상기 실시 형태의 가공 장치에서는, 연삭 기구 및 절단 기구는 연삭·절단 모듈에 설치되는 구성으로 하고 있다.In the machining apparatus of the above embodiment, the grinding mechanism and the cutting mechanism are provided in the grinding / cutting module.

이 구성에 의하면, 연삭·절단 모듈에 있어서, 워크의 연삭과 워크의 절단을 행할 수 있다. 동일 모듈에 있어서 연삭과 절단을 할 수 있으므로, 가공 장치의 면적이 증대되는 것을 억제할 수 있다.According to this configuration, in the grinding / cutting module, grinding of the work and cutting of the work can be performed. Since grinding and cutting can be performed in the same module, it is possible to suppress an increase in the area of the machining apparatus.

또한, 상기 실시 형태의 가공 장치에서는, 연삭 기구는 연삭 모듈에 설치되고, 절단 기구는 절단 모듈에 설치되는 구성으로 하고 있다.In the machining apparatus of the above embodiment, the grinding mechanism is provided in the grinding module, and the cutting mechanism is provided in the cutting module.

이 구성에 의하면, 가공 장치에 있어서, 연삭 모듈에서 워크의 연삭을 행하고, 절단 모듈에서 워크의 절단을 행한다. 이것에 의해, 연삭 모듈에 있어서, 조가공과 마무리 가공을 행할 수 있다. 따라서, 워크를 더 정밀하게 연삭하는 것이 가능해진다.According to this configuration, in the machining apparatus, the work is ground in the grinding module, and the work is cut in the cutting module. Thus, roughing and finishing can be performed in the grinding module. Therefore, it becomes possible to grind the work more precisely.

상기 실시 형태의 가공 방법은, 기판과, 기판에 장착된 복수의 반도체 소자와, 반도체 소자의 주위에 배치된 복수의 돌기상 전극과, 적어도 복수의 반도체 소자 및 복수의 돌기상 전극을 덮는 밀봉 수지를 갖는 워크를 가공하는 가공 방법이며, 기판에 가공 예정선을 설정하는 설정 공정과, 워크의 워크 두께 방향에서의 적어도 워크의 일부의 위치를 측정 기구에 의해 측정하는 측정 공정과, 워크를 연삭 지석에 의해 연삭하는 연삭 공정과, 측정 기구에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 워크 두께 방향에서의 연삭 지석의 위치를 제어하는 제어 공정을 포함한다.A processing method of the above embodiment is a processing method of a semiconductor device including a substrate, a plurality of semiconductor elements mounted on the substrate, a plurality of protruding electrodes arranged around the semiconductor element, a sealing resin covering at least a plurality of semiconductor elements and a plurality of protruding electrodes A measuring step of measuring a position of at least a part of the work in the workpiece thickness direction by a measuring mechanism; a measuring step of measuring a position of at least a part of the work in the workpiece thickness direction; And a control step of controlling the position of the grinding wheel in the workpiece thickness direction based on the measurement value measured by the measuring mechanism.

이 방법에 의하면, 측정 기구에 의해 워크의 워크 두께 방향에서의 위치를 측정하여, 워크의 연삭량을 구할 수 있다. 워크의 연삭량을 구함으로써, 워크의 워크 두께 방향에서의 연삭 지석의 위치를 제어할 수 있다. 따라서, 워크의 연삭량의 변동을 억제할 수 있다.According to this method, the position of the work in the work thickness direction is measured by the measuring mechanism, and the grinding amount of the work can be obtained. The position of the grinding wheel in the work thickness direction of the work can be controlled by obtaining the grinding amount of the work. Therefore, fluctuation of the amount of grinding of the work can be suppressed.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 제어 공정에서는, 가공 예정선을 따라 밀봉 수지의 일부분을 연삭 지석에 의해 연삭함으로써 복수의 돌기상 전극의 상부가 노출되도록 연삭 지석의 위치를 제어한다.Further, in the processing method of the above-described embodiment, in the control step, the position of the grinding wheel is controlled so that the upper portion of the plurality of projecting electrodes is exposed by grinding a part of the sealing resin along the line to be processed by the grinding wheel.

이 방법에 의하면, 가공 예정선을 따라 밀봉 수지의 일부분을 연삭 지석에 의해 연삭한다. 측정 기구의 측정값에 기초하여 연삭 지석의 위치를 제어하여 밀봉 수지를 연삭하므로, 돌기상 전극의 상부를 안정적으로 노출시킬 수 있다.According to this method, a part of the sealing resin is ground by the grinding stone along the line to be machined. The position of the grinding wheel is controlled based on the measurement value of the measuring mechanism to grind the sealing resin, so that the upper portion of the projecting electrode can be stably exposed.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 연삭 공정에서는, 거칠게 연삭하는 제1 연삭 공정과 정밀하게 연삭하는 제2 연삭 공정을 포함한다.The machining method of the embodiment includes a first grinding step for grinding roughly and a second grinding step for grinding finely in the grinding step.

이 방법에 의하면, 제1 연삭 공정에서 워크를 조가공하고, 제2 연삭 공정에서 워크의 마무리 가공을 행한다. 따라서, 워크를 더 정밀하게 연삭할 수 있어, 연삭 품질을 향상시킬 수 있다.According to this method, the work is subjected to rough working in the first grinding step, and finishing work is performed in the second grinding step. Therefore, the work can be more accurately grinded, and the grinding quality can be improved.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 연삭 공정에서는, 하나의 가공 예정선을 따라 제1 연삭 공정을 행한 후, 다른 가공 예정선을 따라 제1 연삭 공정을 행할 때, 하나의 가공 예정선을 따라 제2 연삭 공정을 행한다.Further, in the processing method of the above-described embodiment, in the grinding step, the first grinding step is performed along one line to be machined, and then the first grinding step is performed along another line to be machined. A second grinding process is performed.

이 방법에 의하면, 하나의 가공 예정선을 따라 제1 연삭 공정을 행한 후에 제2 연삭 공정을 계속해서 행한다. 워크의 조가공과 마무리 가공을 연속해서 행하기 때문에, 워크의 연삭 효율을 더 향상시킬 수 있다.According to this method, after the first grinding process is performed along one scheduled machining line, the second grinding process is continued. Since the rough machining and finishing of the work are performed continuously, the grinding efficiency of the work can be further improved.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 측정 공정에서는, 변위 센서에 의해 워크의 높이 위치를 측정한다.Further, in the processing method of the above embodiment, in the measuring step, the height position of the workpiece is measured by the displacement sensor.

이 방법에 의하면, 변위 센서에 의해 워크의 높이 위치를 측정한다. 워크의 높이 위치를 측정함으로써 워크의 연삭량을 구할 수 있다.According to this method, the height position of the workpiece is measured by the displacement sensor. The grinding amount of the work can be obtained by measuring the height position of the work.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 측정 공정에서는, 연삭 전의 워크의 높이 위치를 측정하는 제1 측정 공정과 연삭 후의 워크의 높이 위치를 측정하는 제2 측정 공정을 구비하고, 제1 측정 공정 및 제2 측정 공정에 있어서 각각 측정한 워크의 높이 위치를 비교함으로써 워크의 연삭량을 구한다.Further, in the processing method of the above embodiment, the measuring step includes a first measuring step of measuring a height position of the work before grinding and a second measuring step of measuring a height position of the work after grinding, In the second measurement step, the height positions of the respective workpieces are compared to determine the grinding amount of the workpiece.

이 방법에 의하면, 제1 측정 공정에서 연삭 전의 워크의 높이 위치를 측정하고, 제2 측정 공정에서 연삭 후의 워크의 높이 위치를 측정한다. 연삭 전의 워크의 높이 위치와 연삭 후의 워크의 높이 위치를 비교함으로써 워크의 연삭량을 구할 수 있다.According to this method, the height position of the work before grinding is measured in the first measurement step, and the height position of the work after grinding is measured in the second measurement step. The grinding amount of the work can be obtained by comparing the height position of the work before grinding with the height position of the work after grinding.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 가공 예정선을 따라 밀봉 수지의 나머지 부분과 기판을 회전 날에 의해 절단하는 절단 공정을 포함한다.Further, the processing method of the above embodiment includes a cutting step of cutting the remaining portion of the sealing resin and the substrate by a rotating blade along the line to be processed.

이 방법에 의하면, 워크를 연삭한 후에 워크의 절단을 계속해서 행한다. 동일 장치에서 연삭과 절단을 계속해서 행할 수 있다. 따라서, 워크의 가공 생산성을 향상시킬 수 있다.According to this method, the workpiece is continuously cut after grinding the workpiece. Grinding and cutting can be continued in the same apparatus. Therefore, it is possible to improve the work productivity of the work.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법은, 절단 공정에서는, 하나의 가공 예정선을 따라 연삭 공정을 행한 후, 다른 가공 예정선을 따라 연삭 공정을 행할 때, 하나의 가공 예정선을 따라 절단 공정을 행한다.In the machining method of the above embodiment, in the cutting step, a grinding process is performed along one line to be machined, and then a grinding process is performed along another line to be machined, and a cutting process is performed along one line to be machined .

이 방법에 의하면, 하나의 가공 예정선을 따라 연삭 공정을 행한 후에 절단 공정을 계속해서 행한다. 워크의 연삭과 절단을 연속해서 행하기 때문에, 워크의 가공 생산성을 더 향상시킬 수 있다.According to this method, the grinding process is performed along one planned machining line and then the cutting process is continued. Since the grinding and cutting of the work are continuously performed, the work productivity of the work can be further improved.

또한, 상기 실시 형태의 가공 방법에서는, 복수의 돌기상 전극은, 반도체 소자의 주위를 1중 또는 다중으로 둘러싼다.Further, in the processing method of the above embodiment, the plurality of projected electrodes surrounds the periphery of the semiconductor element singly or in multiple.

이 방법에 의하면, 반도체 소자의 주위를 다중으로 둘러싼 복수의 돌기상 전극의 상부를 일괄하여 노출시킨다. 따라서, 복수의 돌기상 전극이 좁은 피치로 배치된 경우라도, 인접하는 돌기상 전극끼리가 단락되는 것을 억제할 수 있다.According to this method, the upper portions of the plurality of protruding electrodes surrounding the periphery of the semiconductor element are collectively exposed. Therefore, even when a plurality of protruding electrodes are arranged at a narrow pitch, it is possible to prevent short-circuiting between adjacent protruding electrodes.

본 발명은, 상술한 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라서, 임의로, 또한 적절하게 조합, 변경하거나, 또는 선택하여 채용할 수 있는 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately combined, changed, or selected as needed within the scope of the present invention.

1, 44 : 절단 장치(가공 장치)
2, 61 : 밀봉 완료 기판(워크)
2a : 밀봉 완료 기판의 연삭 전부
2b : 밀봉 완료 기판의 연삭 완료부
3 : 기판 공급부
4 : 절단 테이블(테이블)
5 : 이동 기구
6 : 회전 기구
7, 7a, 7b, 7c : 변위 센서
8 : 스핀들(연삭 기구)
8a : 스핀들 보유 지지부
9 : 스핀들(절단 기구)
10, 48, 49 : 연삭 지석
11 : 회전 날
12, 13 : 가공수 분사 노즐
14, 17 : 카메라
15 : 개편화물
16 : 검사 테이블
18 : 양품용 트레이
19 : 측정 기구
20 : 제어부
21 : 구동 기구
22 : 카메라(검사 기구)
23 : 흡착 지그
24 : 가공수
25, 42, 53, 68 : 기판
26, 57 : 반도체 칩(반도체 소자)
27, 58 : 땜납 볼(돌기상 전극)
28, 43, 60, 71 : 밀봉 수지
29, 56, 69 : 범프
30, 59 : 땜납 볼
31, 31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 54 : 가공 예정선
32, 55 : 영역
33, 33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 62 : 개구부
34, 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, 52, 63 : 절단 홈
35, 64 : 하부 패키지
36, 65 : 상부 패키지
37, 66 : 땜납 볼
38, 67 : PoP형 반도체 장치
39 : 로직 반도체 칩
40 : 메모리 반도체 칩
41 : 본딩 와이어
45 : 연삭 테이블(테이블)
46 : 스핀들(제1 연삭 기구)
47 : 스핀들(제2 연삭 기구)
50, 50a, 50b, 50c, 50d, 50e : 얕은 개구부
51, 51a, 51b, 51c, 51d, 51e : 깊은 개구부
70 : 반도체 칩
A : 공급 모듈
B : 연삭·절단 모듈
B1 : 연삭 모듈
B2 : 절단 모듈
C : 검사 모듈
CTL : 제어부
h : 밀봉 완료 기판의 높이
d0 : 표면으로부터의 깊이
v : 속도
h0 : 절단 테이블의 높이 위치
h1 : 밀봉 완료 기판의 연삭 전부의 높이 위치
h2 : 밀봉 완료 기판의 연삭 완료부의 높이 위치
d : 연삭량1, 44: Cutting device (processing device)
2, 61: Sealed substrate (work)
2a: All of the grinding of the sealed substrate
2b: Grinding completion of the sealed substrate
3:
4: Cutting table (table)
5: Movement mechanism
6: Rotation mechanism
7, 7a, 7b, 7c: displacement sensor
8: Spindle (grinding mechanism)
8a: Spindle holding portion
9: Spindle (cutting mechanism)
10, 48, 49: grinding wheel
11: Rotating blade
12, 13: Process water injection nozzle
14, 17: camera
15: Reorganized cargo
16: Inspection table
18: Good-quality tray
19: Measuring instrument
20:
21: Driving mechanism
22: camera (inspection apparatus)
23: Adsorption jig
24: Processed water
25, 42, 53, 68: substrate
26, 57: Semiconductor chip (semiconductor device)
27, 58: Solder balls (protruding electrodes)
28, 43, 60, 71: sealing resin
29, 56, 69: Bump
30, 59: solder balls
31, 31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 54:
32, 55: area
33, 33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 62:
34, 34a, 34b, 34c, 34d, 34e, 52, 63:
35, 64: Lower package
36, 65: upper package
37, 66: solder balls
38 and 67: PoP type semiconductor device
39: Logic semiconductor chip
40: memory semiconductor chip
41: Bonding wire
45: Grinding table (table)
46: spindle (first grinding tool)
47: spindle (second grinding tool)
50, 50a, 50b, 50c, 50d, 50e: a shallow opening
51, 51a, 51b, 51c, 51d, 51e:
70: semiconductor chip
A: Supply module
B: Grinding and cutting module
B1: Grinding module
B2: Cutting module
C: Inspection module
CTL:
h: Height of the hermetically sealed substrate
d0: depth from surface
v: speed
h0: Height position of cutting table
h1: height position of the entire grinding of the sealed substrate
h2: height position of the finished grinding portion of the sealed substrate
d: Grinding amount

Claims (16)

워크를 가공하는 가공 장치이며,
상기 워크를 적재하는 테이블과,
상기 워크를 연삭하는 연삭 기구와,
상기 워크의 상기 워크 두께 방향에서의 적어도 상기 워크의 일부의 위치를 측정하는 측정 기구를 구비하고,
상기 연삭 기구는 연삭 지석을 갖고,
상기 측정 기구에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 상기 워크 두께 방향에서의 상기 연삭 지석의 위치가 제어되는, 가공 장치.A machining apparatus for machining a work,
A table for loading the work,
A grinding mechanism for grinding the work,
And a measuring mechanism for measuring a position of at least a part of the work in the work thickness direction of the work,
Wherein the grinding mechanism has a grinding wheel,
And the position of the grinding wheel in the workpiece thickness direction is controlled based on the measurement value measured by the measuring mechanism. 제1항에 있어서,
상기 측정 기구는, 적어도 상기 워크의 높이 위치를 측정하는 변위 센서를 구비하는, 가공 장치.The method according to claim 1,
Wherein the measuring mechanism includes a displacement sensor for measuring a height position of at least the work. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 측정 기구는, 상기 워크를 검사하는 검사 기구를 더 구비하는, 가공 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the measuring mechanism further comprises an inspection mechanism for inspecting the workpiece. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연삭 기구는, 조가공을 행하는 제1 연삭 기구와 마무리 가공을 행하는 제2 연삭 기구를 더 구비하는, 가공 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the grinding mechanism further comprises a first grinding mechanism for performing rough working and a second grinding mechanism for performing finishing. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가공 장치는, 상기 워크를 절단하는 절단 기구를 더 구비하는, 가공 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the machining apparatus further comprises a cutting mechanism for cutting the work. 제5항에 있어서,
상기 가공 장치에 있어서, 상기 연삭 기구 및 상기 절단 기구는 연삭·절단 모듈에 설치되는, 가공 장치.6. The method of claim 5,
In the machining apparatus, the grinding mechanism and the cutting mechanism are installed in a grinding / cutting module. 제5항에 있어서,
상기 가공 장치에 있어서, 상기 연삭 기구는 연삭 모듈에 설치되고,
상기 절단 기구는 절단 모듈에 설치되는, 가공 장치.6. The method of claim 5,
In the above-described machining apparatus, the grinding mechanism is installed in the grinding module,
Wherein the cutting mechanism is installed in a cutting module. 기판과, 상기 기판에 장착된 복수의 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 주위에 배치된 복수의 돌기상 전극과, 적어도 상기 복수의 반도체 소자 및 상기 복수의 돌기상 전극을 덮는 밀봉 수지를 갖는 워크를 가공하는 가공 방법이며,
상기 기판에 가공 예정선을 설정하는 설정 공정과,
상기 워크의 상기 워크 두께 방향에서의 적어도 상기 워크의 일부의 위치를 측정 기구에 의해 측정하는 측정 공정과,
상기 워크를 연삭 지석에 의해 연삭하는 연삭 공정과,
상기 측정 기구에 의해 측정된 측정값에 기초하여, 상기 워크 두께 방향에서의 상기 연삭 지석의 위치를 제어하는 제어 공정을 포함하는, 가공 방법.A semiconductor device comprising: a substrate; a plurality of semiconductor elements mounted on the substrate; a plurality of projected electrodes disposed around the semiconductor element; and a workpiece having a sealing resin covering at least the plurality of semiconductor elements and the plurality of projected electrodes A method of processing,
A setting step of setting a line to be processed on the substrate;
A measuring step of measuring a position of at least a part of the work in the work thickness direction of the work with a measuring mechanism;
A grinding step of grinding the work by a grinding stone;
And a control step of controlling the position of the grinding wheel in the workpiece thickness direction based on the measurement value measured by the measuring mechanism. 제8항에 있어서,
상기 제어 공정에서는, 상기 가공 예정선을 따라 상기 밀봉 수지의 일부분을 상기 연삭 지석에 의해 연삭함으로써 상기 복수의 돌기상 전극의 상부가 노출되도록 상기 연삭 지석의 위치를 제어하는, 가공 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the control step controls the position of the grinding wheel so that the upper portion of the plurality of projecting electrodes is exposed by grinding a part of the sealing resin along the line to be processed by the grinding stone. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 연삭 공정은, 거칠게 연삭하는 제1 연삭 공정과 정밀하게 연삭하는 제2 연삭 공정을 포함하는, 가공 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the grinding step includes a first grinding step for rough grinding and a second grinding step for grinding finely. 제10항에 있어서,
상기 연삭 공정에서는, 하나의 가공 예정선을 따라 상기 제1 연삭 공정을 행한 후, 다른 가공 예정선을 따라 상기 제1 연삭 공정을 행할 때, 상기 하나의 가공 예정선을 따라 상기 제2 연삭 공정을 행하는, 가공 방법.11. The method of claim 10,
In the grinding step, when the first grinding step is performed along one scheduled machining line and then the first grinding step is performed along another scheduled machining line, the second grinding step is performed along the one scheduled machining line Processing method. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 측정 공정에서는, 변위 센서에 의해 상기 워크의 높이 위치를 측정하는, 가공 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
In the measuring step, a height position of the workpiece is measured by a displacement sensor. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 측정 공정은, 연삭 전의 상기 워크의 높이 위치를 측정하는 제1 측정 공정과 연삭 후의 상기 워크의 높이 위치를 측정하는 제2 측정 공정을 구비하고,
상기 제1 측정 공정 및 상기 제2 측정 공정에 있어서 각각 측정한 상기 워크의 높이 위치를 비교함으로써 상기 워크의 연삭량을 구하는, 가공 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the measuring step includes a first measuring step of measuring a height position of the workpiece before grinding and a second measuring step of measuring a height position of the workpiece after grinding,
Wherein the grinding amount of the work is obtained by comparing the height positions of the work measured in the first measuring step and the second measuring step. 제9항에 있어서,
상기 가공 예정선을 따라 상기 밀봉 수지의 나머지 부분과 상기 기판을 회전 날에 의해 절단하는 절단 공정을 더 포함하는, 가공 방법.10. The method of claim 9,
And cutting the remaining portion of the sealing resin along the line to be processed by the rotary blade. 제14항에 있어서,
상기 절단 공정에서는, 하나의 가공 예정선을 따라 상기 연삭 공정을 행한 후, 다른 가공 예정선을 따라 상기 연삭 공정을 행할 때, 상기 하나의 가공 예정선을 따라 상기 절단 공정을 행하는, 가공 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the cutting step carries out the cutting step along the one line to be processed when the grinding step is performed along another line to be machined after the grinding step is performed along one line to be machined. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 복수의 돌기상 전극은, 상기 반도체 소자의 주위를 1중 또는 다중으로 둘러싸는, 가공 방법.10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein the plurality of projecting electrodes surrounds the periphery of the semiconductor element singly or in multiple.
KR1020180086321A 2017-08-22 2018-07-25 Processing apparatus and processing method KR102198458B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017159274A JP6482618B2 (en) 2017-08-22 2017-08-22 Processing apparatus and processing method
JPJP-P-2017-159274 2017-08-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190021155A true KR20190021155A (en) 2019-03-05
KR102198458B1 KR102198458B1 (en) 2021-01-06

Family

ID=65514497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180086321A KR102198458B1 (en) 2017-08-22 2018-07-25 Processing apparatus and processing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6482618B2 (en)
KR (1) KR102198458B1 (en)
CN (1) CN109420979B (en)
TW (1) TWI736790B (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111442720A (en) * 2020-03-09 2020-07-24 南方科技大学 Online machining detection device and method for roller
CN112008593A (en) * 2020-09-09 2020-12-01 福建省青山纸业股份有限公司 Automatic grinding device
JP7154336B2 (en) * 2021-03-26 2022-10-17 Ｔｏｗａ株式会社 CUTTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING CUTTING GOODS
WO2024052967A1 (en) * 2022-09-05 2024-03-14 株式会社レゾナック Method for manufacturing semiconductor device, structure, and semiconductor device
NL2033761B1 (en) * 2022-12-20 2024-06-26 Besi Netherlands Bv Sawing device for forming saw-cuts into a semiconductor product and method therefor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168655A (en) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP2009182060A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting-working method for plate-form material
JP2014220443A (en) 2013-05-10 2014-11-20 株式会社ディスコ Method for processing package substrate
JP2015205367A (en) * 2014-04-21 2015-11-19 株式会社ディスコ Grinding device
JP2016193458A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 株式会社東京精密 Workpiece processing device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10166262A (en) * 1996-12-10 1998-06-23 Nikon Corp Polishing device
EP1270148A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-02 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Arrangement and method for conditioning a polishing pad
WO2003037567A1 (en) * 2001-11-01 2003-05-08 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2003151923A (en) * 2001-11-14 2003-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP2003214822A (en) * 2002-01-25 2003-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd Apparatus and method for measuring depth and cutting device
JP2005175148A (en) * 2003-12-10 2005-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing method
JP2005353749A (en) * 2004-06-09 2005-12-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus and dicing method
JP4555092B2 (en) * 2005-01-05 2010-09-29 株式会社ディスコ Laser processing equipment
JP2007042810A (en) * 2005-08-02 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Work cutting method
JP2013056388A (en) * 2011-09-08 2013-03-28 Disco Corp Processing device
WO2013038573A1 (en) * 2011-09-15 2013-03-21 新東工業株式会社 System for grinding/polishing hard and brittle materials, and grinding/polishing method
NL2009612A (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Asml Netherlands Bv Level sensor, a method for determining a height map of a substrate, and a lithographic apparatus.
JP6202086B2 (en) * 2013-03-12 2017-09-27 新東工業株式会社 Centerless polishing equipment
JP2014184495A (en) * 2013-03-21 2014-10-02 Toshiba Corp Processing tool, processing device, and processing method
JP6218526B2 (en) * 2013-09-20 2017-10-25 Ｔｏｗａ株式会社 Cutting apparatus and cutting method
TWI580523B (en) * 2014-01-21 2017-05-01 中國砂輪企業股份有限公司 Chemical mechanical polishing conditioner with optimal abrasive exposing rate
JP6328513B2 (en) * 2014-07-28 2018-05-23 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6521687B2 (en) * 2015-03-23 2019-05-29 株式会社ディスコ Inspection method of cutting blade
JP6532273B2 (en) * 2015-04-21 2019-06-19 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016213240A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 Ｔｏｗａ株式会社 Manufacturing device and manufacturing method
JP2017005056A (en) * 2015-06-08 2017-01-05 株式会社ディスコ Wafer processing method
TWI651163B (en) * 2015-08-26 2019-02-21 日商迪思科股份有限公司 Grinding method
JP6800745B2 (en) * 2016-12-28 2020-12-16 株式会社ディスコ Semiconductor package manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168655A (en) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing apparatus
JP2009182060A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting-working method for plate-form material
JP2014220443A (en) 2013-05-10 2014-11-20 株式会社ディスコ Method for processing package substrate
JP2015205367A (en) * 2014-04-21 2015-11-19 株式会社ディスコ Grinding device
JP2016193458A (en) * 2015-03-31 2016-11-17 株式会社東京精密 Workpiece processing device

Also Published As

Publication number Publication date
CN109420979A (en) 2019-03-05
JP2019040899A (en) 2019-03-14
TWI736790B (en) 2021-08-21
CN109420979B (en) 2022-02-11
KR102198458B1 (en) 2021-01-06
JP6482618B2 (en) 2019-03-13
TW201913798A (en) 2019-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102198458B1 (en) Processing apparatus and processing method
JP4986568B2 (en) Wafer grinding method
US7682224B2 (en) Method of machining substrate
TWI430860B (en) Cutting machine
US9023687B2 (en) Package substrate processing method
JP2008264913A (en) Grinding device
CN111283548B (en) Method for machining disc-shaped workpiece
JP2008124292A (en) Wafer positioning jig of processing apparatus
JP7002295B2 (en) Processing method and processing equipment for plate-shaped workpieces
US20180099377A1 (en) Processing apparatus and processing method for workpiece
JP7127994B2 (en) Dressing board and dressing method
JP5059449B2 (en) Wafer processing method
JP2020093381A (en) Discoidal work-piece processing method
JP2015051479A (en) Grinding device
JP2011253936A (en) Grinder device
JP7015139B2 (en) Grinding method and grinding equipment for workpieces
KR102325715B1 (en) Wafer processing method
JP6803171B2 (en) Grinding equipment and processing equipment
JP7025249B2 (en) Grinding method for workpieces.
KR102524072B1 (en) Circuit board grinding system and grinding method
KR101721833B1 (en) Polishing unit and semiconductor strip grinder with the same
JP2019111634A (en) Method for grinding work-piece
JP7525268B2 (en) Surface grinding equipment
US20230079520A1 (en) Substrate grinding device and substrate grinding method
TW202322234A (en) Package device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant