KR20190012883A - 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버 - Google Patents

관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20190012883A
KR20190012883A KR1020170096554A KR20170096554A KR20190012883A KR 20190012883 A KR20190012883 A KR 20190012883A KR 1020170096554 A KR1020170096554 A KR 1020170096554A KR 20170096554 A KR20170096554 A KR 20170096554A KR 20190012883 A KR20190012883 A KR 20190012883A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
chamber
supply pipe
wafer
distributor
Prior art date
Application number
KR1020170096554A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101980437B1 (ko
Inventor
이경주
서재용
구기승
황인조
이종혁
Original Assignee
오션브릿지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오션브릿지 주식회사 filed Critical 오션브릿지 주식회사
Priority to KR1020170096554A priority Critical patent/KR101980437B1/ko
Publication of KR20190012883A publication Critical patent/KR20190012883A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101980437B1 publication Critical patent/KR101980437B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버, 상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부, 및 상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부,를 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 의하면, 각 챔버에 거치된 복수의 웨이퍼를 향하여 기체를 분사하되, 가열된 기체를 분사함에 따라, 이물질과 퓸을 용이하게 분리시킬 수 있으며, 전체적인 배출효율 향상에 따른, 데드존을 방지하여 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있다.

Description

관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버{Chamber for automated management of wafers with improved management efficiency}
본 발명은 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위해 기체를 분사하되, 이물질과 퓸의 분리율을 향상시켜 배출시킴에 따라, 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.
여기서, 해당 공정 후, 웨이퍼는 EFEM(Equipment Front End Module) 옆면에 구비된 사이드 스토리지(혹은 버퍼 스테이션)에 수납되어 이물질과 퓸을 제거함에 따라, 혼재오염을 방지하고 있다.
종래 사이드 스토리지는 등록특허 제10-0678475호에서 개진된 바와 같이, 상부에 설치된 에어 커튼에서 가스를 분사하고, 그 가스는 하측으로 송풍되면서 거치된 각 웨이퍼에서 이물질과 품을 분리시킨 후, 하부를 통해 배출된다.
그러나 종래 사이드 스토리지는 배출구가 하부 후측에 구비됨에 따라, 분사된 가스가 하부 전측이나 중간부에 정체되어 데드존(Dead Zone)이 발생되어 배출효율이 저하되는 문제점이 있다.
이와 같이, 분리된 이물질이나 품이 포함된 가스가 정체될 경우, 거치된 웨이퍼를 이송시키거나 새로운 웨이퍼를 거치시킬 경우, EFEM(Equipment Front End Module) 내부로 유출되어 오염이 발생되는 문제점이 있다.
또한 각 웨이퍼로 분사된 기체에 의해 이물질과 퓸이 완벽하게 분리되지 못해, 기체 분사압력을 증가시키거나 분사 시간을 증가시킴에 따라, 운용비용이 증가되는 문제점이 있다.
이에 따라, 거치된 웨이퍼에서 이물질과 품의 분리율을 향상시켜 제거하되, 데드존을 방지하여 작업효율을 향상시키고, 2차 오염을 방지하기 위한 기술에 대한 개발이 절실히 여구되고 있는 실정이다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해소하기 위해 안출된 것으로써, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버, 상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부, 및 상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부,를 포함하여 각 챔버에 거치된 복수의 웨이퍼를 향하여 기체를 분사하되, 가열된 기체를 분사함에 따라, 이물질과 퓸을 용이하게 분리시킬 수 있으며, 전체적인 배출효율 향상에 따른, 데드존을 방지하여 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버를 제공하는 것이 목적이다.
상기 목적을 이루기 위한 본 발명은, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버, 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버, 상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부, 및 상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부,를 포함한다.
바람직하게, 상기 각 챔버는, 웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부가 내부에 형성되는 챔버몸체, 상기 거치공간부에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위한 거치대, 상기 거치공간부로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 기체분사부, 및 상기 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위한 기체토출부,를 포함한다.
그리고 상기 기체분사부는, 상기 거치공간부의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위한 제1기체분사부, 및 상기 거치대에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 제2기체분사부,를 포함한다.
또한, 상기 제1기체분사부는, 상기 챔버몸체의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위한 제1상단분사부, 및 상기 챔버몸체의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위한 제1측단분사부,를 포함하고, 상기 제2기체분사부는, 상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2일측분사부, 및 상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2타측분사부,를 포함한다.
또한, 상기 제1상단분사부는, 상기 제1측단분사부보다 전측에 위치되어 각각 기체를 분사함에 따라, 상기 거치공간부의 개방된 부위를 이중으로 차단시킨다.
그리고 상기 제2일측분사부와 제2타측분사부 중 어느 하나의 기체 분사각도는 다른 하나의 기체 분사각도보다 상기 거치공간부 방향으로 기체를 분사한다.
또한, 상기 제2일측분사부와 제2타측분사부를 지나는 연장선을 기준으로, 상기 제2일측분사부는 상기 거치공간부 방향으로 15 ~ 25°로 기체를 분사하고, 상기 제2타측분사부는 상기 거치공간부 방향으로 25 ~ 35°로 기체를 분사한다.
그리고 상기 챔버몸체의 각 엣지에 구비되어 상기 거치공간부로 기체를 분사하기 위한 엣지기체공급부,를 포함한다.
또한, 상기 엣지기체공급부는, 상기 챔버몸체의 전단부 해당 엣지에 구비되되, 부채꼴형상으로 형성되는 엣지하우징, 및 상기 엣지하우징의 호를 따라 형성되는 엣지분사부,를 포함한다.
그리고 상기 기체토출부는, 상기 챔버몸체의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 후단토출부, 상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 일측단토출부, 및 상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 타측단토출부,를 포함한다.
또한, 상기 후단토출부는, 상기 챔버몸체의 후단부에 복수 개 형성되는 후단토출구, 및 상기 후단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 후단부와의 사이에 후단토출공간부를 형성하는 후단토출하우징,을 포함한다.
그리고 상기 일측단토출부는, 상기 챔버몸체의 일측단부에 복수 개 형성되는 일측단토출구, 및 상기 일측단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 일측단부와의 사이에 일측단배출공간부를 형성하는 일측단토출하우징,을 포함한다.
또한, 상기 타측단토출부는, 상기 챔버몸체의 타측단부에 복수 개 형성되는 타측단토출구, 및 상기 타측단토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 타측단부와의 사이에 타측단토출공간부를 형성하는 타측단토출하우징,을 포함한다.
그리고 상기 챔버몸체의 각 모서리에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 엣지토출부,를 더 포함한다.
또한, 상기 엣지토출부는, 상기 챔버몸체의 각 모서리에 형성되는 엣지토출구, 및 상기 엣지토출구의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 상기 챔버몸체의 모서리와의 사이에 엣지토출공간부를 형성하는 엣지토출하우징,을 포함한다.
그리고 상기 엣지토출구는, 상하방향으로 길게 형성된 슬롯이다.
또한, 상기 제1기체가열부는 공급되는 기체의 일부를 가열하여 상기 제1기체분사부로 공급하고, 상기 제2기체가열부는 공급되는 기체의 나머지부를 가열하여 상기 제2기체분사부로 공급한다.
그리고 상기 제1기체가열부는, 제1히터, 공급되는 기체가 상기 제1히터를 거쳐 가열되기 위한 제1기체공급관, 상기 제1기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제1분배부, 상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제1중앙공급관, 상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제1일측공급관, 및 상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제1타측공급관,을 포함한다.
또한, 상기 제2기체가열부는, 제2히터, 공급되는 기체가 상기 제2히터를 거쳐 가열되기 위한 제2기체공급관, 상기 제2기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제2분배부, 상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제2중앙공급관, 상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제2일측공급관, 및 상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제2타측공급관,을 포함한다.
그리고 상기 제1기체공급관과 제1중앙공급관, 제1일측공급관, 제1타측공급관, 제2기체공급관, 제2중앙공급관, 제2일측공급관, 제2타측공급관은 SUS로 형성된다.
또한, 외형을 형성하고, 내부에 상기 제2챔버가 구비되는 몸체,가 더 포함되고, 상기 몸체는, 내부에 상기 제2챔버가 설치되는 상부몸체, 및 상기 상부몸체의 하측에 구비되는 하부몸체,를 포함한다.
그리고 상기 제1히터와 제1기체공급관, 제1분배부는 상기 하부몸체 구비되어 상기 제1중앙공급관과 제1일측공급관, 제1타측공급관의 일단부는 상기 제1분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제1챔버에 연결되며, 상기 제2히터와 제2기체공급관, 제2분배부는 상기 제2챔버의 상단부에 구비되어 상기 제2중앙공급관과 제2일측공급관, 제2타측공급관의 일단부는 상기 제2분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제2챔버에 연결된다.
또한, 상기 제1분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제1온도센서, 상기 제2분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제2온도센서, 및 상기 제1온도센서와 제2온도센서의 신호를 수신하여 상기 제1히터와 제2히터를 제어하여 기체를 일정온도로 유지시키기 위한 온도제어부,를 더 포함한다.
그리고 기체를 상기 제1상단분사부로 공급하기 위해 상기 제1분배부에 더 구비되는 제1중앙보조공급관, 기체를 상기 제1상단분사부로 공급하기 위해 상기 제2분배부에 더 구비되는 제2중앙보고공급관, 상기 제1중앙공급관을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위한 제1압력센서, 상기 제2중앙공급관을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위한 제2압력센서, 상기 제1중앙공급관을 개폐하기 위한 제1밸브, 상기 제2중앙공급관을 개폐하기 위한 제2밸브, 상기 제1중앙보조공급관을 개폐하기 위한 제3밸브, 상기 제2중앙보조공급관을 개폐하기 위한 제4밸브, 및 상기 제1압력센서와 제2압력센서의 신호를 수신하여 상기 제1밸브와 제2밸브, 제3밸브, 제4밸브를 제어하기 위한 밸브제어부,를 더 포함하고, 상기 제3밸브와 제4밸브에 의해 제1중앙보조공급관과 제2중앙보조공급관이 폐쇄된 상태에서, 상기 제어부에 수신된 신호가 일정 압력 이하일 경우, 해당 밸브를 제어하여 해당 중앙공급관을 폐쇄시키고, 해당 보조중앙공급관을 개방시켜 상기 제1상단분사부로의 기체 공급을 유지시킨다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의한 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버에 의하면, 각 챔버에 거치된 거치된 복수의 웨이퍼를 향하여 기체를 분사하되, 가열된 기체를 분사함에 따라, 이물질과 퓸을 용이하게 분리시킬 수 있으며, 전체적인 배출효율 향상에 따른, 데드존을 방지하여 웨이퍼 관리효율을 향상시킬 수 있게 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.
도 1은 본 발명에 따른 챔버를 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 기체분사부를 도시한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 제2기체분사부를 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명에 따른 기체가열부를 도시한 도면이며,
도 5는 본 발명에 따른 챔버가 구비된 웨이퍼 자동 관리 장치를 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명에 따른 기체가열부에 중앙보조공급관이 더 구비된 상태를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다. 이하의 상세한 설명은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 구체적 세부사항을 포함한다. 그러나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 이러한 구체적 세부사항 없이도 실시될 수 있음을 안다.
몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함(comprising 또는 including)"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부"의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미한다. 또한, "일(a 또는 an)", "하나(one)", "그(the)" 및 유사 관련어는 본 발명을 기술하는 문맥에 있어서(특히, 이하의 청구항의 문맥에서) 본 명세서에 달리 지시되거나 문맥에 의해 분명하게 반박되지 않는 한, 단수 및 복수 모두를 포함하는 의미로 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 챔버를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 기체분사부를 도시한 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 제2기체분사부를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 기체가열부를 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 챔버가 구비된 웨이퍼 자동 관리 장치를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기체가열부에 중앙보조공급관이 더 구비된 상태를 도시한 도면이다.
도면에서 도시한 바와 같이, 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버(30)는 제1챔버(200')와 제2챔버(200), 제1기체가열부(272) 및 제2기체가열부(274)로 구성된다.
제1챔버(200')는 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거한다.
그리고 제2챔버(200)는 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거한다.
제1기체가열부(270')는 제1챔버(200')로 공급되는 기체를 가열시키기 위해 구비되고, 제2기체가열부(270)는 제2챔버(200)로 공급되는 기체를 가열시키기 위해 구비된다.
이러한 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버(30)에 의하면, 웨이퍼의 이물질과 품을 제거하도록 기체를 공급하되, 가열된 기체를 공급함에 따라, 이물질과 퓸의 제거효율을 향상시킬 수 있다.
여기서, 기체는 질소(N2)를 사용함이 바람직하다.
그리고 이를 위한, 각 챔버(200, 200')는 챔버몸체(210, 210')와 거치대(220, 220'), 기체분사부(230, 230') 및 기체토출부(240, 240')로 구성된다.
챔버몸체(210, 210')은 웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부(212, 212')가 내부에 형성된다.
그리고 거치대(220, 220')는 챔버몸체(210, 210')의 거치공간부(212, 212')에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위해 구비된다.
기체분사부(230, 230')는 챔버몸체(210, 210')의 거치공간부(212, 212')로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위해 구비된다.
또한 기체토출부(240, 240')는 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위해 구비된다.
여기서, 기체분사부(230, 230')는 도 2에서 도시한 바와 같이, 제1기체분사부(232, 232')와 제2기체분사부(234, 234')로 구성된다.
각 챔버(200, 200')는 제1챔버(200')는 제2챔버(200)와 동일함에 따라, 제2챔버(200)로 설명하기로 한다.
제1기체분사부(232, 232')는 거치공간부(212, 212')의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위해 구비된다.
그리고 제2기체분사부(234, 234')는 거치대(220, 220')에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위해 구비된다.
이러한 제1기체분사부(232, 232')는 제1상단분사부(2322, 2322')와 제1측단분사부(2324, 2324')로 구성된다.
제1상단분사부(2322, 2322')는 챔버몸체(210, 210')의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위해 구비된다.
또한 제1측단분사부(2324, 2324')는 챔버몸체(210, 210')의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위해 구비된다.
여기서, 제1상단분사부(2322, 2322')는 제1측단분사부(2324, 2324')보다 전측에 위치되어 각각 기체를 분사함에 따라, 거치공간부(212, 212')의 개방된 부위를 이중으로 차단시킨다.
그리고 제2기체분사부(234, 234')는 도 3에서 도시한 바와 같이, 제2일측분사부(2342, 2342')와 제2타측분사부(2344, 2344')로 구성된다.
제2일측분사부(2342, 2342')는 챔버몸체(210, 210')의 일측단부에 구비되어 거치공간부(212, 212') 방향으로 일정 각도로 기체를 분사한다.
또한 제2타측분사부(2344, 2344')는 챔버몸체(210, 210')의 타측단부에 구비되어 거치공간부(212, 212') 방향으로 일정 각도로 기체를 분사한다.
여기서, 제2일측분사부(2342, 2342')와 제2타측분사부(2344, 2344') 중 어느 하나의 기체 분사각도는 다른 하나의 기체 분사각도보다 거치공간부(212, 212') 방향으로 기체를 분사한다.
일 실시 예로, 제2일측분사부(2342, 2342')와 제2타측분사부(2344, 2344')를 지나는 연장선(A)을 기준으로, 제2일측분사부(2342, 2342')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 15 ~ 25°로 기체를 분사하고, 제2타측분사부(2344, 2344')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 25 ~ 35°로 기체를 분사한다.
바람직하게, 제2일측분사부(2342, 2342')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 20°로 분사하고, 제2타측분사부(2344, 2344')는 거치공간부(212, 212') 방향으로 30°로 분사한다.
또한 챔버몸체(210, 210')의 각 엣지에 구비되어 거치공간부(212, 212')로 기체를 분사하기 위한 엣지기체공급부(236, 236')를 포함한다.
이 엣지기체공급부(236, 236')는 엣지하우징(2362, 2362')과 엣지분사부(2364, 2364')로 구성된다.
엣지하우징(2362, 2362')은 챔버몸체(210, 210')의 전단부 해당 엣지에 구비되되, 부채꼴형상으로 형성된다.
그리고 엣지분사부(2364, 2364')는 엣지하우징(2362, 2362')의 호를 따라 형성되어 기체를 분사함에 따라, 거치공간부(212, 212')의 각 엣지에 데드존(Dead zone)이 형성되는 것을 방지한다.
또한 기체토출부(240, 240')는 후단토출부(242, 242')와 일측단토출부(244, 244'), 타측단토출부(246, 246') 및 메인토출부(248, 248')로 구성된다.
후단토출부(242, 242')는 챔버몸체(210, 210')의 후단부에 구비되어 기체를 배출시키고, 일측단토출부(244, 244')는 챔버몸체(210, 210')의 일측단부에 구비되어 기체를 배출시킨다.
그리고 타측단토출부(246, 246')는 챔버몸체(210, 210')의 타측단부에 구비되어 기체를 배출시킨다.
메인토출부(248, 248')는 후단토출부(242, 242'), 일측단토출부(244, 244'), 타측단토출부(246, 246')와 연통되어 각각 배출된 기체를 외부로 배출시키기 위해 구비된다.
이 후단토출부(242, 242')는 후단토출구(2422, 2422')와 후단토출하우징(2424, 2424')으로 구성된다.
후단토출구(2422, 2422')는 챔버몸체(210,210')의 후단부에 복수 개 형성된다.
그리고 후단토출하우징(2424, 2424')은 후단토출구(2422, 2422')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 후단부와의 사이에 후단토출공간부(2426, 2426')를 형성한다.
후단토출구(2422, 2422')를 통해 배출되는 기체는 후단토출공간부(2426, 2426)로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.
그리고 이 후단토출부(242, 242')는 후단토출구(2422, 2422')와 후단토출하우징(2424, 2424')으로 구성된다.
후단토출구(2422, 2422')는 챔버몸체(210, 210')의 후단부에 복수 개 형성된다.
그리고 후단토출하우징(2424, 2424')은 후단토출구(2422, 2422')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 후단부와의 사이에 후단토출공간부(2426, 2426')를 형성한다.
후단토출구(2422, 2422')를 통해 배출되는 기체는 후단토출공간부(2426, 2426')로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.
또한 일측단토출부(244, 244')는 일측단토출구(2442, 2422')와 일측단토출하우징(2444, 2444')으로 구성된다.
일측단토출구(2442, 2442')는 챔버몸체(210, 210')의 일측단부에 복수 개 형성된다.
그리고 일측단토출하우징(2444, 2444')은 일측단토출구(2442, 2442')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 일측단부와의 사이에 일측단토출공간부(2446, 2446')를 형성한다.
일측단토출구(2442, 2442')를 통해 배출되는 기체는 일측단토출공간부(2446, 2446')로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.
또한 타측단토출부(246, 246')는 타측단토출구(2462, 2462')와 타측단토출하우징(2464, 2464')으로 구성된다.
타측단토출구(2462, 2462')는 챔버몸체(210, 210')의 타측단부에 복수 개 형성된다.
그리고 타측단토출하우징(2464, 2464')은 타측단토출구(2462, 2462')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 타측단부와의 사이에 타측단토출공간부(2466, 2466')를 형성한다.
타측단토출구(2462, 2462')를 통해 토출되는 기체는 타측단토출공간부(2466, 2466')로 이동 후, 메인토출부(248, 248')를 따라 외부로 배출된다.
또한 챔버몸체(210, 210')의 각 모서리에 구비되어 기체를 배출시키기 위한 엣지토출부(250, 250')를 더 포함한다.
이 엣지토출부(250, 250')는 엣지토출구(252, 252')와 엣지토출하우징(254, 254')으로 구성된다.
엣지토출구(252, 252')는 챔버몸체(210, 210')의 각 모서리에 형성된다.
그리고 엣지토출하우징(254, 254')은 엣지토출구(252, 252')의 외측으로 일정간격 이격되도록 구비되어 챔버몸체(210, 210')의 모서리와의 사이에 엣지토출공간부(256, 256')를 형성한다.
이러한 엣지토출구(252, 252')는 상하방향으로 길게 형성된 슬롯형상으로 형성된다.
여기서, 엣지토출구(252, 252')를 통해 엣지토출공간부(256, 256')로 이동된 기체는 메인토출부(248, 248')를 통해 외부로 배출된다.
그리고 챔버몸체(210, 210')의 거치공간부(212, 212')의 폐쇄된 방향에서 내부를 확인할 수 있는 확인창(260, 260')이 더 포함된다.
이 확인창(260, 260')은 제1확인창(262, 262')과 제2확인창(264, 264') 및 제3확인창(266, 266')으로 구성된다.
제1확인창(262, 262')은 챔버몸체(210, 210')의 양측면 중 어느 하나 이상에 형성되고, 제2확인창(264, 264')은 제1확인창(262, 262')에 대응되도록 해당 측단배출하우징(2444, 2464, 2444', 2464')에 형성된다.
그리고 제3확인창(266, 266')은 제2확인창(264, 264')에 대응되도록 몸체(100)에 형성된다.
이러한 제1확인창(262, 262')과 제2확인창(264, 264') 및 제3확인창(266, 266')을 통해 외측에서 거치공간부(212, 212')를 확인할 수 있어 상태를 확인하고 신속하게 대처할 수 있다.
이와 같은, 제1확인창(262, 262')과 제2확인창(264, 264') 및 제3확인창(266, 266')은 해당 부분에서 탈부착 가능하게 구비되는 것으로, 챔버몸체(210, 210')와 해당 측단배출하우징(2444, 2464, 2444', 2464') 및 상부몸체(110)에 탈부착 가능하도록 구비된다.
이에, 거치공간부(212, 212')의 상태를 외측에서 실시간으로 확인할 수 있어 필요한 초취를 신속하게 취할 수 있다.
그리고 도 4에서 도시한 바와 같이, 제1기체가열부(272)는 공급되는 기체의 일부를 가열하여 제1챔버(200)의 기체분사부(230)로 공급하기 위해 구비된다.
또한 제2기체가열부(274)는 공급되는 기체의 나머지부를 가열하여 제2챔버(200')의 기체분사부(230')로 공급하기 위해 구비된다.
여기서, 제1기체가열부(272)는 제1히터(2721)와 제1기체공급관(2722), 제1분배부(2723), 제1중앙공급관(2724), 제1일측공급관(2725) 및 제1타측공급관(2726)으로 구성된다.
제1기체공급관(2722)은 공급되는 기체가 제1히터(2721)를 거쳐 가열되기 위해 구비된다.
그리고 제1분배부(2723)는 제1기체공급관(2722)과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위해 구비된다.
제1중앙공급관(2724)은 제1분배부(2723)에서 분기된 기체를 제1챔버(200')의 제1상단분사부(2322')로 공급하기 위해 구비된다.
또한 제1일측공급관(2725)은 제1분배부(2723)에서 분기된 기체를 제1챔버(200')의 챔버몸체(210')의 일측단부에 구비된 제1챔버(200')의 제1측단분사부(2324')와 제2일측분사부(2342')로 공급하기 위해 구비된다.
제1타측공급관(2726)은 제1분배부(2723)에서 분기된 기체를 제1챔버(200')의 챔버몸체(210')의 타측단부에 구비된 제1측단분사부(2324')와 제2타측분사부(2344')로 공급하기 위해 구비된다.
그리고 제2기체가열부(274)는 제2히터(2741)와 제2기체공급관(2742), 제2분배부(2743), 제2중앙공급관(2744), 제2일측공급관(2745) 및 제2타측공급관(2746)으로 구성된다.
제2기체공급관(2742)은 공급되는 기체가 제2히터(2741)를 거쳐 가열되기 위해 구비된다.
또한 제2분배부(2743)는 제2기체공급관(2742)과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위해 구비된다.
제2중앙공급관(2744)은 제2분배부(2743)에서 분기된 기체를 제2챔버(200)의 제1상단분사부(2322)로 공급하기 위해 구비된다.
그리고 제2일측공급관(2745)은 제2분배부(2743)에서 분기된 기체를 제2챔버(200)의 챔버몸체(210)의 일측단부에 구비된 제1측단분사부(2324)와 제2일측분사부(2342)로 공급하기 위해 구비된다.
제2타측공급관(2746)은 제2분배부(2743)에서 분기된 기체를 제2챔버(200)의 챔버몸체(210)의 타측단부에 구비된 제1측단분사부(2324)와 제2타측분사부(2344)로 공급하기 위해 구비된다.
여기서, 제1기체공급관(2722)과 제1중앙공급관(2724), 제1일측공급관(2725), 제1타측공급관(2726), 제2기체공급관(2742)과 제2중앙공급관(2744), 제2일측공급관(2745), 제2타측공급관(2746)은 SUS로 형성된다.
이에, 부식을 최소화하거나 방지한다.
그리고 도 5에서 도시한 바와 같이, 외형을 형성하고, 내부에 제2챔버(200)의 챔버(200)가 구비되는 몸체(100)가 더 구비된다.
이 몸체(100)는 내부에 챔버(200)가 설치되는 상부몸체(110) 및 상부몸체(110 하측에 구비되는 하부몸체(120)로 구성된다.
제1히터(2721)와 제1기체공급관(2722), 제1분배부(2723)는 하부몸체(120) 구비되어 제1중앙공급관(2724)과 제1일측공급관(2725), 제1타측공급관(2726)의 일단부는 제1분배부(2723)에 연결되고, 타단부는 제1챔버(200')에 연결된다.
또한 제2히터(2741)와 제2기체공급관(2742), 제2분배부(2743)는 제2챔버(200)의 상단부에 구비되어 제2중앙공급관(2744)과 제2일측공급관(2745), 제2타측공급관(2746)의 일단부는 제2분배부(2743)에 연결되고, 타단부는 제2챔버(200)에 연결된다.
다시 말해, 제1기체가열부(272)는 제2챔버(200)의 하측에서 기체를 가열하여 제1챔버(200')로 공급하고, 제2기체가열부(274)는 제2챔버(200)의 상단부에서 기체를 가열하여 공급한다.
그리고 기체가열부(270)는 제1온도센서(2762)와 제2온도센서(2764) 및 온도제어부(276)가 더 구비된다.
제1온도센서(2762)는 제1분배부(2723)로 유입되는 기체의 온도를 측정하고, 제2온도센서(2764)는 제2분배부(2743)로 유입되는 기체의 온도를 측정한다.
또한 온도제어부(276)는 제1온도센서(2762)와 제2온도센서(2764)의 신호를 수신하여 제1히터(2721)와 제2히터(2741)를 제어하여 기체를 일정온도로 유지시키기 위해 구비된다.
그리고 도 6에서 도시한 바와 같이, 제1중앙보조공급관(281)과 제2중앙보고공급관(282), 제1압력센서(283), 제2압력센서(284), 제1밸브(285), 제2밸브(286), 제3밸브(287), 제4밸브(288) 및 밸브제어부(280)가 더 구비된다.
제1중앙보조공급관(281)은 기체를 제1상단분사부(2322)로 공급하기 위해 제1분배부(2723)에 더 구비된다.
또한 제2중앙보고공급관(282)은 기체를 제1상단분사부(2322)로 공급하기 위해 제2분배부(2743)에 더 구비된다.
제1압력센서(283)는 제1중앙공급관(2724)을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위해 구비된다.
그리고 제2압력센서(284)는 제2중앙공급관(2744)을 따라 공급되는 기체의 압력을 측정하기 위해 구비된다.
제1밸브(285)는 제1중앙공급관(2724)을 개폐하기 위해 구비되고, 제2밸브(286)는 제2중앙공급관(2744)을 개폐하기 위해 구비된다.
또한 제3밸브(287)는 제1중앙보조공급관(281)을 개폐하기 위해 구비되고, 제4밸브(288)는 제2중앙보고공급관(282)을 개폐하기 위해 구비된다.
밸브제어부(280)는 제1압력센서(283)와 제2압력센서(284)의 신호를 수신하여 제1밸브(285)와 제2밸브(286), 제3밸브(287), 제4밸브(288)를 제어하기 위해 구비된다.
제3밸브(287)와 제4밸브(288)에 의해 제1중앙보조공급관(281)과 제2중앙보조공급관(282)이 폐쇄된 상태에서, 밸브제어부(280)에 수신된 신호가 일정 압력 이하일 경우, 해당 밸브를 제어하여 해당 중앙공급관을 폐쇄함과 동시에, 해당 보조중앙공급관을 개방시킨다.
이에, 각 제1상단분사부(2322, 2322')로의 가열된 기체를 지속적으로 공급할 수 있어 웨이퍼에 대한 관리효율을 향상시킬 수 있다.
그리고 각 챔버(200, 200')의 제1일측공급관(2725), 제1타측공급관(2726), 제2일측공급관(2745), 제2타측공급관(2746)에는 각각 밸브가 구비된다.
이 각 밸브는 밸브제어부(280)에 의해 해당 공급관의 개방 정도를 조절하여 기체 공급량을 조절할 수 있다.
물론, 제1밸브(285)와 제2밸브(286), 제3밸브(287), 제4밸브(288) 역시, 밸브제어부(280)에 의해 해당 공급관의 개방 정도를 조절하여 각 공급관의 기체 공급량을 조절함이 당연하다.
30 : 챔버 200 : 제2챔버
200' : 제1챔버 210, 210' : 챔버몸체
220, 220' : 거치대 230, 230' : 기체분사부
232, 232' : 제1기체분사부 234, 234' : 제2기체분사부
240, 240' : 기체토출부 272 : 제1기체가열부
274 : 제2기체가열부

Claims (10)

  1. 웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 내부에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제1챔버;
    웨이퍼 이송을 위한 EFEM의 일단부 일측단에 구비되어 거치되는 웨이퍼의 이물질과 퓸을 제거하기 위한 제2챔버;
    상기 제1챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제1기체가열부; 및
    상기 제2챔버로 공급되는 기체를 가열시키기 위한 제2기체가열부;를 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 챔버는,
    웨이퍼가 인출되도록 후측으로 개방된 거치공간부가 내부에 형성되는 챔버몸체;
    상기 거치공간부에 구비되어 복수의 웨이퍼를 일정 간격으로 거치시키기 위한 거치대;
    상기 거치공간부로 기체를 분사하여 거치된 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 기체분사부; 및
    상기 웨이퍼에서 분리된 이물질과 퓸이 포함된 기체를 다면으로 배출시키기 위한 기체토출부;를 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기체분사부는,
    상기 거치공간부의 개방된 부위로 기체를 분사하여 외부와 구획시키기 위한 제1기체분사부; 및
    상기 거치대에 거치된 웨이퍼를 향하여 기체를 분사함에 따라, 웨이퍼에서 이물질과 퓸을 분리시키기 위한 제2기체분사부;를 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1기체분사부는,
    상기 챔버몸체의 상단부에 구비되어 기체를 상측에서 하측으로 분사하기 위한 제1상단분사부; 및
    상기 챔버몸체의 양측단부에 각각 구비되어 기체를 측방향으로 분사하기 위한 제1측단분사부;를 포함하고,
    상기 제2기체분사부는,
    상기 챔버몸체의 일측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2일측분사부; 및
    상기 챔버몸체의 타측단부에 구비되어 상기 거치공간부 방향으로 일정 각도로 기체를 분사하는 제2타측분사부;를 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1기체가열부는 공급되는 기체의 일부를 가열하여 상기 제1챔버의 제1기체분사부로 공급하고, 상기 제2기체가열부는 공급되는 기체의 나머지부를 가열하여 상기 제2챔버의 제2기체분사부로 공급하는 것을 특징으로 하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1기체가열부는,
    제1히터;
    공급되는 기체가 상기 제1히터를 거쳐 가열되기 위한 제1기체공급관;
    상기 제1기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제1분배부;
    상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제1중앙공급관;
    상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제1일측공급관; 및
    상기 제1분배부에서 분기된 기체를 상기 제1챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제1타측공급관;을 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2기체가열부는,
    제2히터;
    공급되는 기체가 상기 제2히터를 거쳐 가열되기 위한 제2기체공급관;
    상기 제2기체공급관과 연통되어 가열된 기체를 분배하기 위한 제2분배부;
    상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1상단분사부로 공급하기 위한 제2중앙공급관;
    상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2일측분사부로 공급하기 위한 제2일측공급관; 및
    상기 제2분배부에서 분기된 기체를 상기 제2챔버의 제1측단분사부와 제2타측분사부로 공급하기 위한 제2타측공급관;을 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    외형을 형성하고, 내부에 상기 제2챔버가 구비되는 몸체;가 더 포함되고,
    상기 몸체는,
    내부에 상기 제2챔버가 설치되는 상부몸체; 및
    상기 상부몸체의 하측에 구비되는 하부몸체;를 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1히터와 제1기체공급관, 제1분배부는 상기 하부몸체 구비되어 상기 제1중앙공급관과 제1일측공급관, 제1타측공급관의 일단부는 상기 제1분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제1챔버에 연결되며,
    상기 제2히터와 제2기체공급관, 제2분배부는 상기 제2챔버의 상단부에 구비되어 상기 제2중앙공급관과 제2일측공급관, 제2타측공급관의 일단부는 상기 제2분배부에 연결되고, 타단부는 상기 제2챔버에 연결되는 것을 특징으로 하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제1온도센서;
    상기 제2분배부로 유입되는 기체의 온도를 측정하기 위한 제2온도센서; 및
    상기 제1온도센서와 제2온도센서의 신호를 수신하여 상기 제1히터와 제2히터를 제어함에 따라, 기체를 일정온도로 유지시키기 위한 온도제어부;를 더 포함하는 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리장치용 챔버.
KR1020170096554A 2017-07-28 2017-07-28 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버 KR101980437B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170096554A KR101980437B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170096554A KR101980437B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190012883A true KR20190012883A (ko) 2019-02-11
KR101980437B1 KR101980437B1 (ko) 2019-06-24

Family

ID=65370494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170096554A KR101980437B1 (ko) 2017-07-28 2017-07-28 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101980437B1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041445A (ko) * 2011-02-07 2011-04-21 우범제 퓸 제거장치 및 이를 이용한 반도체 제조장치
KR20140088406A (ko) * 2013-01-02 2014-07-10 (주) 세츠 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버
JP2015053413A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
KR20150045083A (ko) * 2013-10-18 2015-04-28 삼성전자주식회사 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
KR20150087153A (ko) * 2015-03-16 2015-07-29 우범제 퓸 제거 장치
KR200483073Y1 (ko) * 2016-07-15 2017-04-11 오션브릿지 주식회사 웨이퍼 스토리지용 퓸 제거 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041445A (ko) * 2011-02-07 2011-04-21 우범제 퓸 제거장치 및 이를 이용한 반도체 제조장치
KR20140088406A (ko) * 2013-01-02 2014-07-10 (주) 세츠 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버
JP2015053413A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
KR20150045083A (ko) * 2013-10-18 2015-04-28 삼성전자주식회사 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
KR20150087153A (ko) * 2015-03-16 2015-07-29 우범제 퓸 제거 장치
KR200483073Y1 (ko) * 2016-07-15 2017-04-11 오션브릿지 주식회사 웨이퍼 스토리지용 퓸 제거 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101980437B1 (ko) 2019-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI788884B (zh) 基板處理裝置
KR101758213B1 (ko) 가스 노즐플레이트를 구비한 사이드 스토리지
KR101580712B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101688620B1 (ko) 웨이퍼 수납용기
JPH11510965A (ja) 流体コンテナ内で基板を処理する装置
KR20140148434A (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템들에서의 공유형 가스 패널들
TW201639067A (zh) 基板液體處理裝置
WO2011126926A2 (en) System and method for alternating fluid flow
KR20180059772A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101980437B1 (ko) 관리효율이 향상된 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버
KR101933080B1 (ko) 기판 처리 장치, 공정 유체 처리기 및 오존 분해 방법
JP2005183638A (ja) 基板熱処理装置
CN110875220A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
US20110259521A1 (en) Substrate treatment apparatus
KR100626881B1 (ko) 기판 건조방법 및 그 장치
KR20230162916A (ko) 웨이퍼 버퍼용 챔버장치
KR20150141470A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 클리닝 방법
KR101937477B1 (ko) 웨이퍼 자동 관리 장치용 챔버
CN113203256B (zh) 干燥装置、基板处理装置和基板保持架的干燥方法
JP3330169B2 (ja) ガスシャワーノズルを備えた縦型熱処理装置
KR101943210B1 (ko) 웨이퍼 자동 관리 장치
CN112038257B (zh) 清洗设备
RU2744838C1 (ru) Установка для термической обработки металлических изделий
KR20180107502A (ko) 웨이퍼 수납용기
KR101993686B1 (ko) 챔버 교체가 가능한 웨이퍼 자동 관리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right