KR20190011681A - A blade tip of diamond and method of dividing a substrate - Google Patents

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KR20190011681A
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쿠미코 무라카미
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미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a diamond blade tip capable of stably suppressing the size of intersection defects and the occurrence frequency of intersection skips. The diamond blade tip (51) has an angle between top surface ridges of 160-172°. The angle between top surface ridges is the angle of the tip formed by a top surface (SD1) and a ridge (PS) around an apex (PP).

Description

다이아몬드 날끝 및 기판 분단 방법{A BLADE TIP OF DIAMOND AND METHOD OF DIVIDING A SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a diamond tip and a method for dividing a substrate,

본 발명은 다이아몬드 날끝 및 기판 분단 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diamond blade edge and a method of dividing a substrate.

플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 취성 기판(brittle substrate)을 분단(dividing)하는 것이 자주 필요해진다. 전형적인 분단 방법에 있어서는, 우선, 취성 기판 상에 크랙 라인(crack line)이 형성된다. 본 명세서에 있어서 「크랙 라인」이란, 취성 기판의 두께 방향으로 부분적으로 진행한 크랙이 취성 기판의 표면 상에 있어서 라인 형상으로 연장되어 있는 것을 의미한다. 다음으로, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 구체적으로는, 취성 기판에 응력을 인가함으로써, 크랙 라인의 크랙이 두께 방향으로 완전히 진행된다. 이에 따라, 크랙 라인을 따라 취성 기판이 분단된다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In the manufacture of electric devices such as flat display panels or solar panels, it is often necessary to divide a brittle substrate. In a typical separation method, a crack line is first formed on a brittle substrate. In the present specification, "crack line" means that a crack partially extending in the thickness direction of the brittle substrate extends in a line shape on the surface of the brittle substrate. Next, a so-called brake process is performed. Specifically, by applying stress to the brittle substrate, the cracks in the crack line progress completely in the thickness direction. As a result, the brittle substrate is divided along the crack line.

특허문헌 1에 의하면, 유리판의 상면에 있는 패임이 스크라이브시에 발생한다. 이 특허문헌 1에 있어서는, 이 패임이 「스크라이브 라인」이라고 칭해지고 있다. 또한, 이 스크라이브 라인(scribe line)의 각설(刻設)과 동시에, 스크라이브 라인으로부터 바로 아래 방향으로 연장되는 크랙이 발생한다. 이 특허문헌 1의 기술에 보이는 바와 같이, 종래의 전형적인 기술에 있어서는, 스크라이브 라인의 형성과 동시에 크랙 라인이 형성된다.According to Patent Document 1, a dent on the upper surface of the glass plate occurs at the time of scribing. In this patent document 1, this dent is called a " scribe line ". In addition, a crack extending in a direction directly below the scribe line occurs simultaneously with the scribe line scribe line. As shown in the technique of Patent Document 1, in a typical conventional technique, a crack line is formed simultaneously with the formation of the scribe line.

특허문헌 2에 의하면, 상기의 전형적인 분단 기술과는 현저하게 상이한 분단 기술이 제안되어 있다. 이 기술에 의하면, 우선, 취성 기판 상에서의 날끝의 슬라이딩에 의해 소성 변형을 발생시킴으로써, 이 특허문헌 2에 있어서 「스크라이브 라인」이라고 칭해지는 홈 형상이 형성된다. 본 명세서에 있어서는, 이후에 있어서, 이 홈 형상을 「트렌치 라인(trench line)」이라고 칭한다. 트렌치 라인이 형성되어 있는 시점에서는, 그 하방에 크랙은 형성되지 않는다. 그 후에 트렌치 라인을 따라 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인이 형성된다. 즉, 전형적인 기술과는 달리, 크랙을 수반하지 않는 트렌치 라인이 일단 형성되고, 그 후에 트렌치 라인을 따라 크랙 라인이 형성된다. 그 후, 크랙 라인을 따라 통상의 브레이크 공정이 행해진다.Patent Document 2 proposes a dividing technique that is significantly different from the above-described typical dividing technique. According to this technique, first, a groove shape called "scribe line" is formed in this patent document 2 by causing plastic deformation by sliding of a blade edge on a brittle substrate. Hereinafter, this groove shape will be referred to as " trench line " in this specification. At the time when the trench line is formed, a crack is not formed under the trench line. Thereafter, a crack is formed by extending a crack along the trench line. That is, unlike typical techniques, a trench line that does not involve cracking is once formed, and then a crack line is formed along the trench line. Thereafter, a normal breaking process is performed along the crack line.

종래의 전형적인 기술에 있어서는, 스크라이빙시에 크랙이 형성되지 않는 것은, 스크라이빙의 실패를 의미했다. 그러나, 상기 특허문헌 2의 분단 기술에 있어서는, 스크라이빙에 의해, 크랙을 수반하지 않는 트렌치 라인이 의도적으로 형성된다. 그리고 그 후, 트렌치 라인에 따른 크랙 라인이 발생된다. 상기 특허문헌 2의 기술에서 이용되는, 크랙을 수반하지 않는 트렌치 라인은, 크랙의 동시 형성을 수반하는 전형적인 스크라이브 라인에 비하여, 보다 낮은 하중에서의 날끝의 슬라이딩에 의해 형성 가능하다. 하중이 작음으로써, 날끝에 가해지는 대미지가 작아진다. 따라서, 이 분단 기술에 의하면, 날끝의 수명을 늘릴 수 있다.In a typical conventional technique, the fact that cracks are not formed at the time of scribing means failure of scribing. However, in the dividing technique of Patent Document 2, trench lines that do not involve cracks are intentionally formed by scribing. Thereafter, a crack line is generated along the trench line. The trench line that is not accompanied by the crack used in the technique of Patent Document 2 can be formed by sliding the edge at a lower load as compared with a typical scribe line accompanying simultaneous formation of cracks. The smaller the load, the smaller the damage done to the blade edge. Therefore, according to this breaking technique, the life of the blade can be increased.

일본공개특허공보 평9-188534호Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-188534 국제공개공보 제2015/151755호International Publication No. 2015/151755

트렌치 라인의 형성 후에, 그것을 따라 크랙 라인을 형성하기 위해서는, 트렌치 라인의 형성에 의해 취성 기판 중에 발생되고 있던 내부 응력을 개방하는 계기를, 취성 기판으로 부여하는 것이 필요하다. 이 계기를 부여하는 방법의 하나로서, 본 발명자는, 트렌치 라인을 형성하기 위해 슬라이딩시키고 있는 날끝을, 미리 형성되어 있던 제1 크랙 라인과 교차시킨다, 라는 방법을 검토해오고 있다. 이 방법의 경우, 교차 개소에 있어서 날끝이 제1 크랙 라인과 교차하는 것을 계기로 하여, 교차 개소로부터 트렌치 라인을 따라 제2 크랙 라인이 신전한다. 이 방법에 의하면, 서로 교차하는 제1 및 제2 크랙 라인이 얻어진다.In order to form a crack line along the trench line after formation of the trench line, it is necessary to provide a brittle substrate with a mechanism that releases the internal stress generated in the brittle substrate by the formation of the trench line. As one of the methods for imparting this gauge, the present inventors have studied a method of intersecting a first crack line that has been previously formed in order to form a trench line. In this method, the second crack line extends from the intersection along the trench line as a result of the edge of the intersection with the first crack line at the intersection. According to this method, first and second crack lines intersecting with each other are obtained.

본 발명자의 검토에 의하면, 상기 방법이 적용된 경우, 이하의 문제가 발생하는 경우가 있었다. 첫 번째로, 제1 크랙 라인 및 제2 크랙 라인을 따라 분단된 취성 기판의, 상기 교차 개소에 대응하는 개소에 이빠짐(이하, 「교점 이빠짐」이라고도 칭함)이 발생하고, 이 교점 이빠짐의 크기가 허용 한도를 초과하여 커져 버리는 경우가 있었다. 서로 교차하는 라인을 따라 취성 기판이 분단되는 경우, 교차 개소에 작은 이빠짐이 발생하는 것은, 통상, 어쩔 수 없는 것으로서 허용되지만, 과도하게 큰 이빠짐은 피하지 않으면 안 된다. 두 번째로, 상기 교차 개소로부터 제2 크랙 라인이 신전하는 것이 상정되어 있는 바, 이 신전이 발생하지 않는 현상(이하, 「교점 건너뜀」이라고도 칭함)의 발생 확률이, 무시할 수 없는 정도로 높아지는 경우가 있었다.According to the study by the present inventors, when the above method is applied, the following problems may occur. First, the brittle substrate divided along the first crack line and the second crack line is broken at a portion corresponding to the intersection point (hereinafter also referred to as " intersection defects "), The size exceeds the allowable limit. In the case where the brittle substrate is divided along a line intersecting with each other, it is generally accepted that a small deflection occurs at an intersection, but an excessive excessive deflection must be avoided. Secondly, it is assumed that the second crack line extends from the intersection, and when the probability of occurrence of a phenomenon in which the extension does not occur (hereinafter also referred to as " intersection jump ") is increased to an extent that can not be ignored .

본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 그 목적은, 교점 이빠짐의 크기와, 교점 건너뜀의 발생 빈도를 안정적으로 억제할 수 있는 다이아몬드 날끝 및 기판 분단 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a diamond blade edge and a substrate dividing method capable of stably suppressing the size of the intersection defects and the occurrence frequency of the intersection jump.

본 발명의 다이아몬드 날끝은, 160° 이상 172° 이하의 천면(天面) 능선 간 각도를 갖고 있다.The diamond blade edge of the present invention has an angle between the top and bottom ridge lines of 160 DEG to 172 DEG.

본 발명에 의하면, 교점 이빠짐의 크기와, 교점 건너뜀의 발생 빈도를 안정적으로 억제할 수 있다.According to the present invention, it is possible to stably suppress the size of the intersection defects and the occurrence frequency of the intersection skips.

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 기판 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 선 Ⅲ-Ⅲ을 따르는 개략적인 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 선 Ⅴ-Ⅴ를 따르는 개략적인 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 15는 교점 건너뜀의 현상의 예를 나타내는 평면도이다.
도 16은 분단 전의 취성 기판 상에 있어서 관찰되는 교점 이빠짐의 현상의 예를 나타내는 부분 평면도이다.
도 17은 분단 후의 취성 기판의 가장자리에 관찰되는 교점 이빠짐의 현상의 예를 나타내는 부분 평면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 다이아몬드 날끝을 갖는 커팅 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 19는 도 18의 다이아몬드 날끝을 화살표 ⅩⅠⅩ의 시야에서 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 20은 도 19의 다이아몬드 날끝이 갖는 천면 각도의 정의를 설명하는 평면도이다.
도 21은 도 20의 선 ⅩⅩⅠ-ⅩⅩⅠ을 따르는 개략적인 부분 단면도로서, 다이아몬드 날끝이 갖는 능선 각도의 정의를 설명하는 도면이다.
도 22는 도 20의 선 ⅩⅩⅡ-ⅩⅩⅡ를 따르는 개략적인 부분 단면도로서, 다이아몬드 날끝이 갖는 천면 능선 간 각도의 정의를 설명하는 도면이다.
도 23은 능선 각도 및 천면 능선 간 각도에 의존하여 결정되는 천면 각도를, 천면과 취성 기판의 표면의 사이의 설정 각도의 예와 함께 나타내는 도면이다.
도 24는 능선 각도 및 천면 능선 간 각도의 조건과, 교점 건너뜀/교점 이빠짐의 평가 결과의 관계의 실험 결과를 나타내는 도면이다.
도 25는 도 24의 실험 결과로부터 추측되는, 능선 각도 및 천면 능선 간 각도의 조건과, 기판 분단의 결과의 관계를 나타내는 개략도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a flow chart schematically showing a substrate dividing method in Embodiment 1 of the present invention. FIG.
2 is a plan view schematically showing one step of a substrate dividing method in an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view along line III-III of FIG. 2. FIG.
4 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
5 is a schematic partial cross-sectional view along line V-V in Fig.
6 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
7 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention. FIG.
9 is a plan view schematically showing one step of a substrate dividing method in an embodiment of the present invention.
10 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
11 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
12 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
13 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
14 is a plan view schematically showing one step of the substrate dividing method in the embodiment of the present invention.
15 is a plan view showing an example of the phenomenon of intersection skipping.
16 is a partial plan view showing an example of a phenomenon of intersection defects observed on a brittle substrate before separation.
17 is a partial plan view showing an example of the phenomenon of intersection defects observed at the edges of the brittle substrate after division.
18 is a side view schematically showing a configuration of a cutting mechanism having a diamond blade edge according to an embodiment of the present invention.
19 is a plan view schematically showing the tip of the diamond blade of Fig. 18 in the view of the arrow XI X.
Fig. 20 is a plan view for explaining the definition of the angle of the surface of the diamond blade of Fig. 19; Fig.
Fig. 21 is a schematic partial cross-sectional view along the line XXI-XXI in Fig. 20, illustrating the definition of the ridge angle of the diamond blade edge. Fig.
FIG. 22 is a schematic partial cross-sectional view along the line XXII-XXII in FIG. 20, illustrating the definition of the angle between the tops of the diamond edges.
23 is a diagram showing a surface angle determined depending on the ridge angle and the angle between the surface ridges, together with examples of setting angles between the surface of the rugged substrate and the surface of the brittle substrate.
FIG. 24 is a diagram showing the experimental results of the relationship between the conditions of the ridge line angle and the angle between the top surface ridge line and the evaluation result of the intersection skip / intersection point fuzz.
25 is a schematic view showing the relationship between the conditions of the angle between the ridgeline angle and the top surface ridgeline estimated from the experimental results of Fig. 24 and the result of the division of the substrate. Fig.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(기판 분단 방법)(Substrate separation method)

도 1은, 본 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다. 도 2, 도 4 및, 도 6∼도 14는, 기판 분단 방법을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 이들 평면도에 있어서는, 도면을 보기 쉽게 하기 위해, 트렌치 라인이 파선으로, 크랙 라인이 실선으로 나타나 있지만, 실제의 트렌치 라인은, 파선 형상이 아니고 연속적으로 연장되어 있다. 도 3 및 도 5의 각각은, 선 Ⅲ-Ⅲ(도 2) 및 선 Ⅴ-Ⅴ(도 4)를 따르는 개략적인 부분 단면도이다.Fig. 1 is a flow chart schematically showing a method of dividing a substrate in this embodiment. Figs. 2, 4, and 6 to 14 are plan views schematically showing the method of dividing the substrate. In these plan views, the trench lines are shown in broken lines and the crack lines are shown in solid lines in order to make the drawings easy to see, but the actual trench lines are not continuous in a broken line shape. Each of Figures 3 and 5 is a schematic partial cross-sectional view along line III-III (Figure 2) and line V-V (Figure 4).

스텝 S10(도 1)에서, 적어도 1개의 다이아몬드 날끝이 준비된다. 다이아몬드 날끝의 구성에 대해서는 후술한다.At step S10 (Fig. 1), at least one diamond blade edge is prepared. The configuration of the diamond edge will be described later.

도 2를 참조하여, 스텝 S20(도 1)으로서, 유리 기판(11)(취성 기판)이 준비된다. 유리 기판(11)은 표면(SF1)을 갖고 있다.Referring to Fig. 2, as a step S20 (Fig. 1), a glass substrate 11 (brittle substrate) is prepared. The glass substrate 11 has a surface SF1.

유리 기판(11)의 표면(SF1) 상에 있어서, 전술한 적어도 1개의 다이아몬드 날끝 중 어느 하나를 슬라이딩시킴으로써, 트렌치 라인(TL1)(제1 트렌치 라인)이 형성된다. 도시되어 있는 예에 있어서는, 트렌치 라인(TL1)이, 표면(SF1)의 가장자리로부터 떨어진, 표면(SF1) 상의 일 위치로부터, 표면(SF1)의 가장자리 상의 위치(N1)로 형성된다.The trench line TL1 (first trench line) is formed by sliding any one of the above-mentioned at least one diamond edge on the surface SF1 of the glass substrate 11. [ In the illustrated example, the trench line TL1 is formed at a position N1 on the edge of the surface SF1 from one position on the surface SF1, away from the edge of the surface SF1.

도 3을 참조하여, 트렌치 라인(TL1)은, 두께 방향(DT)에 있어서의 트렌치 라인(TL1)의 하방에 있어서 유리 기판(11)이 트렌치 라인(TL1)의 연재 방향(도 2에 있어서의 세로 방향)과 교차하는 방향(DC)(도 3)에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다. 크랙리스 상태에 있어서는, 소성 변형에 의한 트렌치 라인(TL1)은 형성되어 있기는 하지만, 그것을 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 크랙리스 상태를 얻기 위해, 다이아몬드 날끝에 가해지는 하중은, 트렌치 라인(TL1) 형성시에 크랙이 발생하지 않을 정도로 작고, 또한, 후의 공정에서 크랙 라인을 발생시키기 위한 내부 응력 상태를 만들어내는 소성 변형이 형성될 정도로 커지도록, 조정된다.3, the trench line TL1 is formed in such a manner that the glass substrate 11 extends in the extending direction of the trench line TL1 (in FIG. 2), below the trench line TL1 in the thickness direction DT, In the direction (DC) (FIG. 3) intersecting with the longitudinal direction (longitudinal direction). In the cracked state, the trench line TL1 due to plastic deformation is formed, but no crack is formed along the trench line TL1. In order to obtain the crackle state, the load applied to the end of the diamond blade is small enough not to cause a crack at the time of forming the trench line TL1, and the plastic deformation to produce an internal stress state for generating a crack line in a subsequent step So as to be formed.

또한 도 4를 참조하여, 스텝 S30(도 1)으로서, 트렌치 라인(TL1)(도 2)을 따른 크랙 라인(CL1)(제1 크랙 라인)이 형성된다. 본 실시 형태에 있어서는, 날끝이 위치(N1)에 있어서 유리 기판(11)의 가장자리를 내리칠 때의 충격을 계기로 하여, 크랙 라인(CL1)이 형성되기 시작한다. 구체적으로는, 이 충격에 의해, 트렌치 라인(TL1)의 형성에 의해 발생되어 있던 내부 응력이 개방됨으로써, 크랙 라인(CL1)이 형성된다.Referring to Fig. 4, a crack line CL1 (first crack line) along the trench line TL1 (Fig. 2) is formed as a step S30 (Fig. 1). In the present embodiment, the crack line CL1 starts to be formed on the basis of the impact when the edge of the glass substrate 11 is lowered at the position N1 of the edge. More specifically, the internal stress generated by the formation of the trench line TL1 is released by the impact, whereby the crack line CL1 is formed.

도 5를 참조하여, 크랙 라인(CL1)이 형성됨으로써, 전술한 크랙리스 상태(도 3)가 깨져 있다. 환언하면, 트렌치 라인(TL1)의 하방에 있어서 크랙 라인(CL1)에 의해 유리 기판(11)은, 트렌치 라인(TL1)의 연재 방향(도 2에 있어서의 세로 방향)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 여기에서 「연속적인 연결」이란, 환언하면, 크랙에 의해 차단되어 있지 않은 연결이다. 또한, 전술한 바와 같이 연속적인 연결이 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL1)의 크랙을 개재하여 유리 기판(11)의 부분끼리가 접촉하고 있어도 좋다. 또한, 트렌치 라인(TL1)의 바로 아래에 근소하게 연속적인 연결이 남아있어도 좋다.With reference to Fig. 5, the above-mentioned crackle state (Fig. 3) is broken by forming the crack line CL1. In other words, under the trench line TL1, the glass substrate 11 is etched by the crack line CL1 in the direction (DC) intersecting the extending direction of the trench line TL1 (vertical direction in Fig. 2) The continuous connection is disconnected. Here, " continuous connection ", in other words, is a connection not blocked by a crack. Further, in the state where the continuous connection is broken as described above, the portions of the glass substrate 11 may be in contact with each other via the crack of the crack line CL1. In addition, a slightly continuous connection may be left directly below the trench line TL1.

도 6을 참조하여, 동일한 방법이 반복됨으로써, 복수의 크랙 라인(CL1)으로서, 크랙 라인(CL1a∼CL1d)이 형성된다.Referring to Fig. 6, the same method is repeated, whereby crack lines CL1a to CL1d are formed as a plurality of crack lines CL1.

도 7을 참조하여, 스텝 S40(도 1)으로서, 크랙 라인(CL1a)과 교차하는 교차 개소(도면 중, 위치(N2a))를 갖는 궤도를 따라 유리 기판(11)의 표면(SF1) 상에 있어서, 스텝 S10(도 1)에서 준비된 적어도 1개의 다이아몬드 날끝 중 어느 하나가 슬라이딩된다(도면 중, 화살표 참조). 스텝 S40에 있어서 이용되는 날끝으로서는, 스텝 S20에 있어서 이용된 날끝이 재차 이용되어도 좋다. 혹은, 스텝 S10(도 1)에서 복수의 날끝이 준비되고, 그 중 스텝 S20에 있어서 이용되지 않은 다른 날끝이 스텝 S40에 있어서 이용되어도 좋다. 상기 슬라이딩에 의해, 표면(SF1)의 가장자리로부터 떨어진 위치(N2p)로부터 위치(N2a)로 트렌치 라인(TL2a)(제2 트렌치 라인)이 형성된다. 트렌치 라인(TL2a)은, 트렌치 라인(TL1)의 경우와 동일하게, 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다(도 3 참조).Referring to Fig. 7, as step S40 (Fig. 1), on the surface SF1 of the glass substrate 11 along a trajectory having intersections (N2a in the figure) intersecting the crack line CL1a , So that at least one of the diamond blade tips prepared in step S10 (Fig. 1) is slid (see the arrows in the figure). As the edge used in step S40, the edge used in step S20 may be used again. Alternatively, a plurality of blade tips are prepared in step S10 (FIG. 1), and another blade edge not used in step S20 may be used in step S40. By the sliding, the trench line TL2a (second trench line) is formed from the position N2p away from the edge of the surface SF1 to the position N2a. The trench line TL2a is formed so as to obtain a crackle state as in the case of the trench line TL1 (see Fig. 3).

또한 도 8을 참조하여, 스텝 S50(도 1)으로서, 트렌치 라인(TL2a)을 따라, 상기 교차 개소 즉 위치(N2a)로부터 위치(N2p)로, 크랙 라인(CL2a)(제2 크랙 라인)이 형성된다(도면 중, 파선 화살표 참조). 이 형성의 계기는, 날끝이 위치(N2a)에 있어서 크랙 라인(CL1a)과 교차할 때의 충격이다. 이 충격에 의해, 위치(N2p)에서 위치(N2a)까지의 트렌치 라인(TL2a)의 형성에 의해 발생되어 있던 내부 응력이 개방됨으로써, 위치(N2a)에서 위치(N2p)까지 크랙 라인(CL2a)이 신전한다. 크랙 라인(CL2a)에 의해, 트렌치 라인(TL2a)의 하방에 있어서 유리 기판(11)은 트렌치 라인(TL2a)의 연재(延在) 방향(도 7에 있어서의 가로 방향)과 교차하는 방향(도 8에 있어서의 세로 방향)에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 즉, 크랙리스 상태가 깨져 있다. 이러한, 트렌치 라인(TL2a)과 크랙 라인(CL2a)의 관계는, 도 5에 나타난 트렌치 라인(TL1)과 크랙 라인(CL1)의 관계와 동일하다.8, a crack line CL2a (second crack line) is formed along the trench line TL2a from the intersection portion, that is, from the position N2a to the position N2p, as a step S50 (Fig. 1) (See the dashed arrow in the figure). The moment of this formation is an impact when the edge of the blade intersects the crack line CL1a at the position N2a. By this impact, the internal stress generated by the formation of the trench line TL2a from the position N2p to the position N2a is released, so that the crack line CL2a from the position N2a to the position N2p The temple. The crack line CL2a causes the glass substrate 11 to extend downward from the trench line TL2a in the direction intersecting the extended direction of the trench line TL2a 8), the continuous connection is broken. That is, the crackle state is broken. The relationship between the trench line TL2a and the crack line CL2a is the same as the relationship between the trench line TL1 and the crack line CL1 shown in Fig.

도 9를 참조하여, 스텝 S40(도 1)으로서, 위치(N2a)까지 슬라이딩되고 있던 날끝은 추가로, 크랙 라인(CL1b)과 교차하는 교차 개소(도면 중, 위치(N2b))를 갖는 궤도를 따라 슬라이딩된다(도면 중, 화살표 참조). 이에 따라 트렌치 라인(TL2a)이 추가로 위치(N2a)로부터 위치(N2b)로 형성된다.Referring to Fig. 9, as the step S40 (Fig. 1), the tip slid up to the position N2a further has a trajectory having an intersection portion (position N2b in the figure) intersecting the crack line CL1b (See arrows in the figure). Whereby the trench line TL2a is further formed from the position N2a to the position N2b.

또한 도 10을 참조하여, 스텝 S50(도 1)으로서, 크랙 라인(CL2a)이 트렌치 라인(TL2a)을 따라, 상기 교차 개소 즉 위치(N2b)로부터 위치(N2a)로 추가로 형성된다(도면 중, 파선 화살표 참조). 이 형성의 계기는, 날끝이 위치(N2b)에 있어서 크랙 라인(CL1b)과 교차할 때의 충격이다. 이 충격에 의해, 위치(N2a)에서 위치(N2b)까지의 트렌치 라인(TL2a)의 형성에 의해 발생되어 있던 내부 응력이 개방됨으로써, 위치(N2b)에서 위치(N2a)까지 크랙 라인(CL2a)이 신전한다.10, a crack line CL2a is additionally formed along the trench line TL2a from the intersection portion, that is, from the position N2b to the position N2a (Step S50 (Fig. 1) , See the dashed arrow). The cause of this formation is the impact when the blade edge crosses the crack line CL1b at the position N2b. This impact causes the crack line CL2a to move from the position N2b to the position N2a by opening the internal stress generated by the formation of the trench line TL2a from the position N2a to the position N2b The temple.

도 11을 참조하여, 스텝 S40(도 1)으로서, 위치(N2b)까지 슬라이딩되고 있던 날끝(도 9 참조)은 추가로, 크랙 라인(CL1c)과 교차하는 교차 개소(도면 중, 위치(N2c))를 갖는 궤도를 따라 슬라이딩된다(도면 중, 화살표 참조). 이에 따라 트렌치 라인(TL2a)이 추가로, 위치(N2b)로부터 위치(N2c)로 형성된다.11), the edge (see Fig. 9) that has been slid to the position N2b as the step S40 (Fig. 1) further includes an intersection (intersection N2c in the figure) intersecting the crack line CL1c. (See arrows in the figure). As a result, the trench line TL2a is further formed from the position N2b to the position N2c.

또한 도 12를 참조하여, 스텝 S50(도 1)으로서, 크랙 라인(CL2a)이 트렌치 라인(TL2a)을 따라, 상기 교차 개소 즉 위치(N2c)로부터 위치(N2b)로 추가로 형성된다(도면 중, 파선 화살표 참조). 이 형성의 계기는, 날끝이 위치(N2c)에 있어서 크랙 라인(CL1c)과 교차할 때의 충격이다. 이 충격에 의해, 위치(N2b)에서 위치(N2c)까지의 트렌치 라인(TL2a)의 형성에 의해 발생되어 있던 내부 응력이 개방됨으로써, 위치(N2c)에서 위치(N2b)까지 크랙 라인(CL2a)이 신전한다.12, a crack line CL2a is additionally formed along the trench line TL2a from the intersection point, that is, from the position N2c to the position N2b (step S50 in Fig. 1) , See the dashed arrow). The cause of this formation is the impact when the blade edge intersects the crack line CL1c at the position N2c. By this impact, the internal stress generated by the formation of the trench line TL2a from the position N2b to the position N2c is released, so that the crack line CL2a extends from the position N2c to the position N2b The temple.

도 13을 참조하여, 스텝 S40(도 1)으로서, 위치(N2c)까지 슬라이딩되고 있던 날끝(도 12 참조)은 추가로, 크랙 라인(CL1d)과 교차하는 교차 개소(도면 중, 위치(N2d))로 슬라이딩된다. 이에 따라 트렌치 라인(TL2)이 추가로, 위치(N2c)로부터 위치(N2d)로 형성된다. 그리고, 스텝 S50(도 1)으로서, 날끝이 위치(N2d)에 있어서 크랙 라인(CL1d)과 교차하는 충격에 의해, 크랙 라인(CL2a)이 트렌치 라인(TL2a)을 따라 위치(N2d)로부터 위치(N2c)로 추가로 형성된다.13), the edge (refer to Fig. 12) that has been slid to the position N2c as the step S40 (Fig. 1) further includes an intersection portion (position N2d in the figure) intersecting the crack line CL1d, . Accordingly, the trench line TL2 is further formed from the position N2c to the position N2d. As a step S50 (Fig. 1), the crack line CL2a is moved from the position N2d to the position N2d along the trench line TL2a by the impact that the edge intersects the crack line CL1d at the position N2d N2c.

위치(N2d)에 있어서 크랙 라인(CL1d)과 교차한 날끝은, 추가로 위치(N2q)로 슬라이딩한 후에, 유리 기판(11)으로부터 떨어진다. 위치(N2q)는 유리 기판(11)의 표면(SF1)의 가장자리로부터 떨어져 있어도 좋다.The tip intersected with the crack line CL1d at the position N2d falls further from the glass substrate 11 after further sliding at the position N2q. The position N2q may be separated from the edge of the surface SF1 of the glass substrate 11. [

상기 도 7∼도 13의 공정에 의해, 트렌치 라인(TL2a)과, 그것을 따른 크랙 라인(CL2a)이 형성된다. 동일한 공정이 반복됨으로써, 도 14에 나타나 있는 바와 같이, 트렌치 라인(TL2b∼TL2d)과, 그 각각을 따른 크랙 라인(CL2b∼CL2d)이 형성된다. 트렌치 라인(TL2a∼TL2d)을 총칭하여 트렌치 라인(TL2)(제2 트렌치 라인)이라고도 칭한다. 또한 크랙 라인(CL2a∼CL2d)을 총칭하여 크랙 라인(CL2)(제2 크랙 라인)이라고도 칭한다.7 to 13, the trench line TL2a and the crack line CL2a along the trench line TL2a are formed. By repeating the same process, the trench lines TL2b to TL2d and the crack lines CL2b to CL2d along the trench lines TL2b to TL2d are formed, respectively, as shown in Fig. The trench lines TL2a to TL2d are collectively referred to as a trench line TL2 (second trench line). The crack lines CL2a to CL2d are collectively referred to as a crack line CL2 (second crack line).

스텝 S60(도 1)으로서, 크랙 라인(CL1) 및 크랙 라인(CL2)을 따라 유리 기판(11)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 유리 기판(11)으로의 외력의 인가에 의해 행할 수 있다. 이에 따라, 서로 교차하는 라인을 따라 유리 기판(11)을 분단할 수 있다.As a step S60 (Fig. 1), the glass substrate 11 is divided along the crack line CL1 and the crack line CL2. Namely, a so-called brake process is performed. The breaking process can be performed by application of an external force to the glass substrate 11. [ Accordingly, the glass substrate 11 can be divided along the lines crossing each other.

또한 크랙 라인이 그 형성시에 두께 방향(DT)(도 5 참조)으로 완전히 진행된 경우는, 크랙 라인의 형성과 유리 기판(11)의 분단이 동시에 발생한다.Further, when the crack line is completely advanced in the thickness direction DT (see Fig. 5) at the time of forming the crack line, the formation of the crack line and the division of the glass substrate 11 occur at the same time.

(교점 건너뜀 및 교점 이빠짐의 현상에 대해서)(About the intersection jump and the phenomenon of intersection jump)

도 15는, 크랙 라인(CL2)의 형성 공정에 있어서 교점 건너뜀의 현상이 발생한 경우의 유리 기판(11)의 표면(SF1)의 예를 나타낸다. 도 14의 경우와 달리, 크랙 라인(CL2)이 형성되는 것이 상정되어 있던 개소의 일부에 있어서 크랙 라인(CL2)이 형성되어 있지 않고, 트렌치 라인(TL2)만이 형성되어 있다. 교점 건너뜀이 발생할 확률은, 후술하는 바와 같이, 다이아몬드 날끝의 형상에 의존한다.Fig. 15 shows an example of the surface SF1 of the glass substrate 11 when a phenomenon of intersection skip occurs in the step of forming the crack line CL2. Unlike the case shown in Fig. 14, the crack line CL2 is not formed in a part where the crack line CL2 is supposed to be formed, and only the trench line TL2 is formed. The probability of occurrence of the intersection skip depends on the shape of the diamond edge, as will be described later.

도 16은, 크랙 라인(CL1) 및 크랙 라인(CL2)의 형성 후 또한 유리 기판(11)의 분단 전의 유리 기판(11) 상에 있어서 관찰되는 교점 이빠짐의 현상의 예를 나타내는 부분 평면도이다. 도면 중, 파선 화살표는 크랙 라인(CL2)의 형성 방향을 나타내고 있고, 실선 화살표는, 그에 앞서 형성된 트렌치 라인(TL2)(도시하지 않음)의 형성 방향을 나타내고 있다. 또한 위치(N2)는, 크랙 라인(CL1)과 크랙 라인(CL2)의 교차 개소를 나타내고 있다. 이상적으로는, 교차 개소(위치(N2)) 근방에 발생하는 크랙은, 크랙 라인(CL1) 및 크랙 라인(CL2)뿐이다. 그러나 실제로는, 위치(N2)에 있어서 크랙 라인(CL2)이 형성되기 시작할 때에, 위치(N2)로부터 어긋난 위치로부터 연장되는 크랙(CA)이 형성될 수 있다. 크랙(CA)은, 크랙 라인(CL1) 상의 위치로부터 연장되어, 크랙 라인(CL2)에 합류한다.16 is a partial plan view showing an example of a phenomenon of intersection defects observed on the glass substrate 11 after the formation of the crack line CL1 and the crack line CL2 and before the separation of the glass substrate 11. Fig. In the figure, the broken arrow indicates the formation direction of the crack line CL2, and the solid line arrow indicates the formation direction of the trench line TL2 (not shown) formed before the crack line CL2. The position N2 indicates the intersection of the crack line CL1 and the crack line CL2. Ideally, only the crack line CL1 and the crack line CL2 are generated in the vicinity of the intersection (position N2). However, in practice, when the crackline CL2 starts to be formed at the position N2, a crack CA extending from the position displaced from the position N2 can be formed. The crack CA extends from the position on the crack line CL1 and joins the crack line CL2.

또한 도 17을 참조하여, 크랙(CA)(도 16)이 형성되어 있는 유리 기판(11)이 분단되면, 상기 위치(N2)에 대응하는 개소에 이빠짐(이하, 「교점 이빠짐(CP)」이라고도 칭함)이 발생한다. 작은 교점 이빠짐(CP)이 발생하는 것은 어쩔 수 없는 것으로서 허용되지만, 과도하게 큰 교점 이빠짐(CP)은, 피할 수 없으면 안 된다. 교점 이빠짐(CP)의 크기는, 후술하는 바와 같이, 다이아몬드 날끝의 형상에 의존한다.17, when the glass substrate 11 on which the cracks CA (Fig. 16) is formed is divided, the portions corresponding to the positions N2 (hereinafter referred to as " intersection defects CP &Quot;). It is acceptable that a small intersection overload (CP) occurs, but an excessively large intersection overload (CP) must be avoided. The size of the intersection gap CP depends on the shape of the diamond edge, as will be described later.

(다이아몬드 날끝을 갖는 커팅 기구)(Cutting mechanism having a diamond edge)

도 18은, 스텝 S10(도 1)에 있어서 준비되는 날끝으로서의 다이아몬드 날끝(51)을 갖는 커팅 기구(50)를 개략적으로 나타내는 측면도이다. 도면 중, 다이아몬드 날끝(51)이 유리 기판(11)의 표면(SF1) 상에 있어서 방향(DA)으로 슬라이딩하는 모습이 파선으로 나타나 있다. 또한 도 19는, 다이아몬드 날끝(51)(도 18)을 화살표 ⅩⅠⅩ의 시야에서 개략적으로 나타내는 평면도이다. 커팅 기구(50)는 다이아몬드 날끝(51) 및 생크(52)를 갖는다. 다이아몬드 날끝(51)은, 그 홀더로서의 생크(52)에 지지되고 있다. 생크(52)는 축방향(AX)을 따라 연재되어 있다. 다이아몬드 날끝(51)은, 천면(SD1)의 법선 방향이 축방향(AX)에 대체로 따르도록 생크(52)에 부착되는 것이 바람직하다.Fig. 18 is a side view schematically showing a cutting mechanism 50 having a diamond blade edge 51 as a blade edge prepared in step S10 (Fig. 1). In the drawing, a state in which the diamond blade edge 51 slides in the direction DA on the surface SF1 of the glass substrate 11 is shown by a broken line. 19 is a plan view schematically showing the diamond blade edge 51 (Fig. 18) in the view of the arrow XI X. The cutting mechanism 50 has a diamond blade edge 51 and a shank 52. The diamond blade edge 51 is supported by the shank 52 as its holder. The shank 52 extends in the axial direction AX. The diamond blade edge 51 is preferably attached to the shank 52 such that the normal direction of the surface SD1 generally follows the axial direction AX.

다이아몬드 날끝(51)에는, 천면(SD1)과, 천면(SD1)을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 이들 복수의 면은 측면(SD2) 및 측면(SD3)을 포함한다. 천면(SD1), 측면(SD2) 및 측면(SD3)은, 서로 상이한 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 다이아몬드 날끝(51)은, 천면(SD1), 측면(SD2) 및 측면(SD3)이 서로 합류함으로써 구성된 정점(PP)을 갖고 있다. 또한 다이아몬드 날끝(51)은, 측면(SD2) 및 측면(SD3)이 서로 합쳐짐으로써 구성된 능선(PS)을 갖고 있다. 능선(PS)은 정점(PP)으로부터 선 형상으로 연장되어 있다.The diamond blade edge 51 has a plurality of surfaces surrounding the topsheet SD1 and the topsheet SD1. These plural surfaces include a side surface SD2 and a side surface SD3. The ceiling surface SD1, the side surface SD2, and the side surface SD3 are oriented in mutually different directions, and are adjacent to each other. The diamond edge 51 has a vertex PP formed by joining the top face SD1, side face SD2 and side face SD3 with each other. The diamond blade edge 51 also has a ridge line PS formed by joining the side surface SD2 and the side surface SD3 together. The ridgeline (PS) extends linearly from the apex (PP).

바람직하게는 다이아몬드 날끝(51)은 단결정 다이아몬드로 만들어져 있다. 더욱 바람직하게는, 결정학적으로 말하여, 천면(SD1)은 {001}면이다. 또한 단결정이 아닌 다이아몬드가 이용되어도 좋고, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 이용되어도 좋다. 혹은, 미립의 그래파이트나 비그래파이트 형상 탄소로부터, 철족(鐵族) 원소 등의 결합재를 포함하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드, 또는 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해 결합시킨 소결 다이아몬드가 이용되어도 좋다.Preferably, the diamond blade edge 51 is made of a single crystal diamond. More preferably, the crystallographic plane, SD1, is the {001} plane. Further, a diamond other than a single crystal may be used. For example, a polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, polycrystalline diamond sintered from a fine graphite or non-graphite carbon with no binder such as an iron group element, or a sintered diamond obtained by bonding diamond particles with a binding material such as an iron family element may be used .

유리 기판(11)의 표면(SF1) 상에 있어서의 다이아몬드 날끝(51)의 슬라이딩은, 정점(PP)을 표면(SF1) 상에 접촉시키면서, 또한, 천면(SD1)과 표면(SF1)의 사이의 설정 각도(GS)를 0° 이상의 미리 정해진 각도로 유지하면서, 다이아몬드 날끝(51)을 방향(DA)으로 이동시킴으로써 행해진다. 방향(DA)은, 능선(PS)으로부터 천면(SD1)으로 향하고 있다. 바람직하게는, 방향(DA)은, 능선(PS)을 표면(SF1) 상에 사영(射影)함으로써 얻어지는 직선 상을 따르고 있다. 또한 바람직하게는, 측면(SD2) 및 측면(SD3)의 각각과 표면(SF1)이 이루는 각도는 서로 동일하게 여겨진다.The sliding of the diamond blade edge 51 on the surface SF1 of the glass substrate 11 is carried out while the vertex PP is in contact with the surface SF1 and between the surface SD1 and the surface SF1 Is carried out by moving the diamond blade edge 51 in the direction DA while maintaining the set angle GS of the blade tip 51 at a predetermined angle equal to or greater than 0 degrees. The direction DA is directed from the ridge line PS to the top surface SD1. Preferably, the direction DA follows a straight line image obtained by projecting the ridgeline PS onto the surface SF1. Also preferably, the angle formed by each of the side surface SD2 and the side surface SD3 and the surface SF1 is considered to be equal to each other.

(다이아몬드 날끝을 특징짓는 각도)(The angle that characterizes the diamond edge)

도 20은, 도 19와 동일한 시야의 평면도이다. 천면(SD1)은, 정점(PP)에 접하는 모서리를 갖고 있다. 이 모서리의 각도가 천면 각도(GC)이다. 도 21은, 도 20의 선 ⅩⅩⅠ-ⅩⅩⅠ를 따르는 개략적인 부분 단면도로서, 그 시야는 능선(PS)에 수직이다. 이 단면에 있어서 다이아몬드 날끝(51)은, 능선(PS) 둘레에 있어서 측면(SD2 및 SD3)에 의해 구성된 모서리를 갖고 있다. 이 모서리의 각도가 능선 각도(GA)이다. 도 22는, 도 20의 선 ⅩⅩⅡ-ⅩⅩⅡ를 따르는 개략적인 부분 단면도이고, 그 시야는, 능선(PS)에 평행, 또한, 천면(SD1)에 수직이다. 이 단면에 있어서 다이아몬드 날끝(51)은, 정점(PP) 둘레에 있어서 천면(SD1) 및 능선(PS)에 의해 구성된 모서리를 갖고 있다. 이 모서리의 각도가 천면 능선 간 각도(GB)이다.20 is a plan view of the same field of view as Fig. The ceiling surface SD1 has an edge tangent to the apex PP. The angle of this edge is the ceiling angle (GC). Fig. 21 is a schematic partial cross-sectional view along the line XXI-XXI in Fig. 20, and the view is perpendicular to the ridge line PS. In this section, the diamond blade edge 51 has edges formed by the side surfaces SD2 and SD3 around the ridge line PS. The angle of this edge is the ridge angle (GA). Fig. 22 is a schematic partial cross-sectional view along the line XXII-XXII in Fig. 20, and the view is parallel to the ridge PS and perpendicular to the surface SD1. In this section, the diamond blade edge 51 has edges formed by the top surface SD1 and the ridge line PS around the apex PP. The angle of this edge is the angle (GB) between the top and bottom ridges.

도 23은, 능선 각도(GA)(도 21) 및 천면 능선 간 각도(GB)(도 22)의 조건에 의존하여 기하학적으로 결정되는 천면 각도(GC)(도 20)를 1행째에 나타내고, 또한, 당해 조건에 있어서의 설정 각도(GS)(도 18)의 적합예가 검토되고 있는 경우에는 그 값을 2행째에 괄호를 붙여 나타내는 표이다. 또한 「(F)」라고 나타나 있는 조건은, 다이아몬드 날끝(51)에 가해지는 하중 조건의 적합 범위가 매우 좁기 때문에, 본 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 실시가 실질적으로 불가능했던 것이다. 또한 능선 각도(GA)가 130°이고 또한 천면 능선 간 각도(GB)가 171°인 조건에 있어서는, 설정 각도 GS=3°에 의해 기판 분단 방법의 실시가 가능하기는 했지만, 트렌치 라인(TL1)의 형성시의 적합한 하중과, 트렌치 라인(TL2)의 형성시의 적합한 하중의 차이가 크기 때문에, 하중 조건의 설정이 어려웠다. 또한 능선 각도(GA)가 150°이고 또한 천면 능선 간 각도(GB)가 170°인 조건에 있어서는, 다른 조건에 비하여, 필요한 하중이 컸다.23 shows a top-surface angle GC (FIG. 20) that is geometrically determined depending on the conditions of the ridge angle GA (FIG. 21) and the top-surface ridge angle GB (FIG. 22) , And in the case where a suitable example of the set angle GS (Fig. 18) in the condition is examined, the value is a table showing the second line with parentheses attached thereto. Further, the condition indicated by "(F)" is that the range of load conditions applied to the diamond blade edge 51 is very narrow, so that it is practically impossible to carry out the method of dividing the substrate in this embodiment. Although the substrate separation method can be implemented by the setting angle GS = 3 ° in the condition that the ridge angle GA is 130 ° and the angle between the top surface ridges GB is 171 °, It is difficult to set the load condition because the difference between an appropriate load at the time of forming the trench line TL2 and an appropriate load at the time of forming the trench line TL2 is large. In addition, under the condition that the ridge angle (GA) is 150 degrees and the angle between the surface ridges (GB) is 170 degrees, the required load is larger than other conditions.

도 24는, 능선 각도(GA) 및 천면 능선 간 각도(GB)의 조건과, 교점 건너뜀/교점 이빠짐의 평가 결과의 관계의 실험 결과를 나타내는 도면이다. 「/」의 전 및 후의 각각에, 교점 건너뜀 및 교점 이빠짐의 평가 결과가 나타나 있다.24 is a diagram showing experimental results of the relationship between the condition of the ridge angle GA and the angle between the surface of the surface of the ridgeline and the evaluation result of the intersection skip / intersection defocus. The results of the evaluation of the intersection skip and the intersection ambiguity are shown before and after the " / ".

교점 건너뜀의 평가에 관련하여, 교점 건너뜀을 없앨 수 있는 경우에 있어서는, 그 때의 트렌치 라인(TL1) 형성시의 하중과 트렌치 라인(TL2) 형성시의 하중의 범위의 넓이도 평가되었다. 평가 결과 「A」는, 트렌치 라인(TL2) 형성시의 하중을 트렌치 라인(TL1) 형성시의 하중 정도로까지 저감한 경우라도 교점 건너뜀을 없앨 수 있었던 것을 나타낸다. 평가 결과 「B」는, 트렌치 라인(TL2) 형성시의 하중이 트렌치 라인(TL1) 형성시의 하중 정도로까지 저감되면 교점 건너뜀이 발생했지만, 트렌치 라인(TL2) 형성시의 하중이 트렌치 라인(TL1) 형성시의 하중보다도 크게 되면 교점 건너뜀을 없앨 수 있던 것을 나타낸다. 평가 결과 「C」는, 하중을 조정해도 교점 건너뜀이 없는 결과가 불안정하게 밖에 얻어지지 않았던 것을 나타낸다.Regarding the evaluation of the crossing skip, when the crossing skip can be eliminated, the width at the time of forming the trench line TL1 and the range of the load at the time of forming the trench line TL2 were also evaluated. The evaluation result " A " indicates that even when the load at the time of forming the trench line TL2 is reduced to the degree of load at the time of forming the trench line TL1, the crossing skip can be eliminated. When the load at the time of forming the trench line TL2 is reduced to the degree of the load at the time of forming the trench line TL1, the result of the evaluation "B" shows that the intersection jump occurs. However, TL1) is greater than the load at the time of formation of the TL1, the intersection jump can be eliminated. The evaluation result " C " indicates that even if the load is adjusted, only the result without intersection jump is unstable.

교점 이빠짐의 평가에 관하여, 평가 결과 「A」는 이빠짐의 크기가 평가 결과 「B」 및 「C」보다도 작았던 것을 나타내고, 평가 결과 「B」는 이빠짐의 크기가 평가 결과 「A」와 「C」의 사이였던 것을 나타내고, 평가 결과 「C」는 이빠짐의 크기가 평가 결과 「B」보다도 컸던 것을 나타낸다.The evaluation result "A" indicates that the size of the bridge is smaller than the evaluation results "B" and "C", and the evaluation result "B" indicates that the size of the bridge is smaller than the evaluation result "A" Quot; C " and the evaluation result " C " indicates that the size of the failure is larger than the evaluation result " B ".

또한, 도 24에 있어서 「F」라고 나타나 있는 조건은, 도 23의 표에 있어서 「(F)」라고 나타나 있는 조건에 대응하고 있고, 본 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 실시가 실질적으로 불가능했던 것이다.The condition indicated by "F" in FIG. 24 corresponds to the condition indicated by "(F)" in the table of FIG. 23, and the implementation of the method of dividing the substrate in this embodiment is practically impossible I did it.

도면 중, 각 조건에 붙여진 모양은, 종합적인 평가를 나타내고 있다. 격자 모양의 해칭은, 교점 건너뜀 및 교점 이빠짐의 양쪽의 평가에 관하여 양호하고, 또한, 다이아몬드 날끝(51)으로의 하중 조건의 조정이 용이했던 것을 나타낸다. 비스듬한 모양의 해칭은, 다이아몬드 날끝(51)으로의 하중 조건의 적정 범위가 약간 좁기는 하지만, 교점 건너뜀 및 교점 이빠짐의 양쪽의 평가에 관하여 양호한 결과가 거의 안정적으로 얻어진 것을 나타낸다. 파선의 포위는, 다이아몬드 날끝(51)으로의 하중 조건의 조정이 어렵기 때문에, 교점 건너뜀 및 교점 이빠짐의 양쪽의 평가에 관한 양호한 결과가 불안정하게 밖에 얻어지지 않았던 것을 나타낸다. 실선의 포위는, 본 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 실시가 실질적으로 불가능했다는 것을 나타낸다.In the drawings, the shapes attached to the respective conditions show a comprehensive evaluation. The hatching of the lattice shape is good with respect to the evaluation of both the intersection skip and the intersection damping and also shows that the adjustment of the load condition to the diamond edge 51 is easy. The hatching of the oblique shape indicates that although a suitable range of the load condition to the diamond blade edge 51 is slightly narrow, good results are obtained almost stably with respect to the evaluation of both the crossing skip and the intersection flare. Surrounding the dashed line indicates that it is difficult to adjust the load condition to the diamond blade edge 51, so that only good results concerning evaluation of both the crossing skip and the intersection deflection are obtained unstably. Surrounding the solid line indicates that the method of dividing the substrate in this embodiment is practically impossible.

상기의 실험 결과를 감안하여, 천면 능선 간 각도(GB)(도 22)는, 160° 이상 172° 이하가 된다. 바람직하게는, 천면 능선 간 각도(GB)는 165° 이상이다. 또한 바람직하게는, 천면 능선 간 각도(GB)는 171° 이하이다. 천면 각도(GC)(도 21)는, 37.1° 이상 79.1° 이하가 되는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 천면 각도(GC)는 46.5° 이상이다. 또한 바람직하게는, 천면 각도(GC)는 64.0° 이하이다. 이들 각도 조건을 충족하는 다이아몬드 날끝(51)이, 스텝 S20 및 S40(도 1)의 각각에 있어서 이용된다.In view of the above experimental results, the angle (GB) (FIG. 22) between the topsurface ridges becomes 160 degrees or more and 172 degrees or less. Preferably, the angle between the topspeed ridges (GB) is 165 DEG or more. Also preferably, the angle between the topsurface ridges (GB) is 171 DEG or less. It is preferable that the ceiling surface angle GC (FIG. 21) is 37.1 DEG to 79.1 DEG. Preferably, the top surface angle GC is 46.5 DEG or more. Also, preferably, the ceiling surface angle (GC) is 64.0 DEG or less. A diamond blade edge 51 that satisfies these angular conditions is used in each of steps S20 and S40 (Fig. 1).

도 25는, 도 24의 실험 결과로부터 추측되는, 능선 각도(GA) 및 천면 능선 간 각도(GB)의 조건과, 기판 분단의 결과의 관계를 나타내는 개략도이다. 능선 각도(GA) 및 천면 능선 간 각도(GB)가 이루는 2차원 공간에 있어서, 점(CS), 점(CT) 및 점(CU)을 갖는 삼각형의 영역(RA)은, 본 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법을 용이하게 행할 수 있다고 생각되는 조건을 나타내고 있다.Fig. 25 is a schematic diagram showing the relationship between the conditions of the ridge angle GA and the angle between the topsurface ridgeline GB and the result of substrate separation, which is inferred from the experimental results of Fig. The triangular area RA having the point CS, the point CT and the point CU in the two-dimensional space formed by the ridge angle GA and the angle between the top surface ridgelines GB in the present embodiment The substrate separation method of the present invention can be easily performed.

점(CS) 및 점(CT)을 포함하는 직선(LQ)에 의해 규정되는, 능선 각도(GA)(도 21)가 과대한 영역(RQ)은, 다이아몬드 날끝(51)으로의 적정 하중의 조정이 어렵기 때문에 본 실시 형태에 있어서의 기판 분단 방법의 실시가 곤란하다고 생각되는 조건을 나타내고 있다. 점(CT) 및 점(CU)을 포함하는 직선(LR)에 의해 규정되는, 천면 능선 간 각도(GB)(도 22)가 과대한 영역(RR)은, 기판 분단 방법의 실시가 실질적으로 불가능하다고 생각되는 조건을 나타내고 있다. 이는, 천면 능선 간 각도(GB)가 180°에 가까우면, 설정 각도(GS)(도 18)의 조정 범위가 매우 한정되어 버리기 때문에, 하중의 조정이 어려워지기 쉬운 것과 관련되어 있다고 생각된다. 점(CU) 및 점(CS)을 포함하는 직선(LP)에 의해 규정되는, 천면 각도(GC)(도 20)가 과대한 영역(RP)은, 교점 이빠짐이 과대해지기 쉽다고 생각되는 조건을 나타내고 있다. 점(CS)은 능선 각도(GA)=130° 정도 또한 천면 능선 각도(GB)=160° 정도에 대응하고 있다고 추정된다. 점(CT)은, 능선 각도(GA)=135° 정도 또한 천면 능선 각도(GB)=173° 정도에 대응하고 있다고 추정된다. 점(CU)은, 능선 각도(GA)=148° 정도 또한 천면 능선 각도(GB)=169° 정도에 대응하고 있다고 추정된다.The region RQ in which the ridge angle GA (Fig. 21) is excessive, which is defined by the straight line LQ including the point CS and the point CT, It is difficult to perform the method of dividing the substrate according to the present embodiment. The region RR in which the angle between the topsurrounding ridges GB (Fig. 22) defined by the straight line LR including the point CT and the point CU is excessive can not be practically practiced And the like. This is considered to be related to the fact that the adjustment range of the setting angle GS (Fig. 18) becomes very limited if the angle GB between the surface-to-surface ridges is close to 180 deg. The region RP in which the top surface angle GC (FIG. 20) is excessive, which is defined by the straight line LP including the point CU and the point CS, . It is assumed that the point CS corresponds to a ridge angle GA of about 130 ° and a surface ridge angle GB of about 160 °. It is estimated that the point CT corresponds to a ridge angle GA of about 135 DEG and a top surface ridge angle GB of about 173 DEG. It is estimated that the point CU corresponds to a ridge angle GA of about 148 DEG and a top surface ridge angle GB of about 169 DEG.

(효과의 정리)(Summary of effects)

천면 능선 간 각도(GB)가 160° 이상 172° 이하임으로서, 교점 이빠짐의 크기와, 교점 건너뜀의 발생 빈도를 안정적으로 억제할 수 있다. 바람직하게는, 천면 능선 간 각도(GB)는 165° 이상이다. 이에 따라, 교점 이빠짐의 크기와, 교점 건너뜀의 발생 빈도를, 보다 확실히 억제할 수 있다. 바람직하게는, 천면 능선 간 각도(GB)는 171° 이하이다. 이에 따라, 교점 이빠짐의 크기와, 교점 건너뜀의 발생 빈도를, 보다 확실히 억제할 수 있다.Since the angle (GB) between the top and bottom ridges is 160 degrees or more and 172 degrees or less, the size of the intersection defects and the occurrence frequency of the intersection points can be stably suppressed. Preferably, the angle between the topspeed ridges (GB) is 165 DEG or more. As a result, the size of the intersection defects and the occurrence frequency of the intersection skips can be more reliably suppressed. Preferably, the angle between the topsurface ridges (GB) is 171 DEG or less. As a result, the size of the intersection defects and the occurrence frequency of the intersection skips can be more reliably suppressed.

바람직하게는, 천면 각도(GC)는 37.1° 이상이다. 이에 따라, 다이아몬드 날끝(51)의 하중 조건을 용이하게 설정할 수 있다. 따라서, 기판 분단을 보다 안정적으로 행할 수 있다. 바람직하게는, 천면 각도(GC)는 79.1° 이하이다. 이에 따라, 교점 이빠짐의 크기를 보다 확실히 억제할 수 있다. 바람직하게는, 천면 각도(GC)는 46.5° 이상이다. 이에 따라, 다이아몬드 날끝(51)의 하중 조건을 보다 용이하게 설정할 수 있다. 바람직하게는, 천면 각도(GC)는 79.1° 이하이다. 이에 따라, 다이아몬드 날끝(51)의 하중 조건을 보다 용이하게 설정할 수 있다. 바람직하게는, 천면 각도(GC)는 64.0° 이하이다. 이에 따라, 교점 이빠짐의 크기를 보다 확실히 억제할 수 있다.Preferably, the ceiling surface angle GC is 37.1 DEG or more. Accordingly, the load condition of the diamond blade edge 51 can be easily set. Therefore, the substrate can be divided more stably. Preferably, the ceiling surface angle GC is 79.1 DEG or less. As a result, the size of the intersection defects can be more reliably suppressed. Preferably, the top surface angle GC is 46.5 DEG or more. Thus, the load condition of the diamond blade edge 51 can be more easily set. Preferably, the ceiling surface angle GC is 79.1 DEG or less. Thus, the load condition of the diamond blade edge 51 can be more easily set. Preferably, the ceiling surface angle GC is 64.0 DEG or less. As a result, the size of the intersection defects can be more reliably suppressed.

GA : 능선 각도
GB : 천면 능선 간 각도
GC : 천면 각도
CL1, CL1a∼CL1d, CL2, CL2a∼CL2d : 크랙 라인
SD1 : 천면
SD2, SD3 : 측면
SF1 : 표면
GS : 설정 각도
PP : 정점
TL1, TL2, TL2a∼TL2d : 트렌치 라인
PS : 능선
11 : 유리 기판(취성 기판)
51 : 다이아몬드 날끝
GA: Ridge angle
GB: Angle between top and bottom ridges
GC: Surface angle
CL1, CL1a to CL1d, CL2, CL2a to CL2d:
SD1: Surface
SD2, SD3: Side
SF1: Surface
GS: Setting angle
PP: Vertex
TL1, TL2, TL2a to TL2d: Trench line
PS: Ridgeline
11: Glass substrate (brittle substrate)
51: diamond edge

Claims (7)

160° 이상 172° 이하의 천면 능선 간 각도를 구비하는, 다이아몬드 날끝.A diamond blade edge having an angle between a surface of the plane of the surface of not less than 160 degrees and not more than 172 degrees. 제1항에 있어서,
상기 천면 능선 간 각도는 165° 이상인, 다이아몬드 날끝.
The method according to claim 1,
Wherein the angle between the top and bottom ridges is 165 DEG or more.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 천면 능선 간 각도는 171° 이하인, 다이아몬드 날끝.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the angle between the top surface ridgeline is 171 DEG or less.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
37.1° 이상 79.1° 이하의 천면 각도를 구비하는, 다이아몬드 날끝.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A diamond edge having a surface angle of at least 37.1 DEG and not more than 79.1 DEG.
제4항에 있어서,
상기 천면 각도는 46.5° 이상인, 다이아몬드 날끝.
5. The method of claim 4,
Wherein the face angle is at least 46.5 degrees.
제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 천면 각도는 64.0° 이하인, 다이아몬드 날끝.
The method according to claim 4 or 5,
Wherein the face angle is not more than 64.0 DEG.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 다이아몬드 날끝을, 적어도 1개의 날끝으로서 준비하는 공정과,
취성 기판 상에 있어서 상기 적어도 1개의 날끝 중 어느 하나를 슬라이딩시킴으로써 제1 트렌치 라인을 형성하는 공정과,
상기 제1 트렌치 라인을 형성한 후에, 상기 제1 트렌치 라인을 따른 제1 크랙 라인을 형성하는 공정과,
상기 제1 크랙 라인과 교차하는 교차 개소를 갖는 궤도를 따라 상기 취성 기판 상에 있어서 상기 적어도 1개의 날끝 중 어느 하나를 슬라이딩시킴으로써 제2 트렌치 라인을 형성하는 공정과,
상기 교차 개소로부터 상기 제2 트렌치 라인을 따라 제2 크랙 라인을 형성하는 공정
을 구비하는, 기판 분단 방법.
A method for manufacturing a diamond blade, comprising the steps of: preparing the diamond blade tip according to any one of claims 1 to 6 as at least one blade tip;
A step of forming a first trench line by sliding any one of said at least one edge on a brittle substrate,
Forming a first crack line along the first trench line after forming the first trench line;
Forming a second trench line by sliding any one of the at least one edge on the brittle substrate along a trajectory having an intersection with the first crack line;
Forming a second crack line from the intersection along the second trench line
Wherein the substrate is a substrate.
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