KR20160129722A - Method of dividing brittle material substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 취성 재료 기판의 분단 방법에 관한 것으로, 특히 스크라이브 라인을 따른 크랙의 형성 방법에 특징을 갖는 취성 재료 기판의 분단 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for separating a brittle material substrate, and more particularly to a method for separating a brittle material substrate characterized by a method of forming a crack along a scribe line.
플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 취성 재료 기판을 분단하는 것이 종종 필요해진다. 스크라이브 장치를 사용한 전형적인 분단 방법에서는, 스크라이브함으로써 기판의 두께 방향으로 적어도 부분적으로 진행된 크랙이 기판의 표면 상에 있어서 라인상으로 연장되어 있는 것 (이하, 크랙 라인이라고 한다) 을 형성하고 있다.In the production of electric devices such as flat display panels or solar panels, it is often necessary to separate a brittle material substrate such as a glass substrate. In a typical cutting method using a scribing apparatus, a crack extending at least partially in the thickness direction of the substrate by scribing forms a line extending on the surface of the substrate (hereinafter referred to as a crack line).
특허문헌 1 에서는, 스크라이브시에 발생한 유리 기판의 상면에 있는 오목부를 스크라이브 라인이라고 칭하고 있다. 이 공보에 의하면, 스크라이브 라인의 각설 (刻設) 과 동시에, 스크라이브 라인으로부터 바로 아래 방향으로 연장되는 크랙이 발생한다. 요컨대, 스크라이브 라인과 크랙 라인이 동시에 형성된다.In
크랙이 두께 방향으로 완전히 진행된 경우에는, 크랙 라인의 형성만으로 크랙 라인을 따라 유리 기판을 분단할 수 있다. 한편, 크랙이 두께 방향으로 부분적으로밖에 진행되어 있지 않은 경우에는, 크랙 라인을 형성한 후에, 브레이크 공정에서 응력을 부여한다. 응력 부여에 의해 크랙 라인의 크랙을 두께 방향으로 완전히 진행시킴으로써 기판을 분단할 수 있다. 그러나, 만약 크랙 라인이 형성되어 있지 않으면, 브레이크 공정에서 응력을 부여해도 스크라이브 라인을 따라 기판을 분단할 수 없다. 따라서, 유리 기판을 분단하기 위해서는, 크랙 라인을 확실하게 형성하는 것이 필요하였다.In the case where the crack is completely advanced in the thickness direction, the glass substrate can be divided along the crack line only by formation of the crack line. On the other hand, in the case where the crack is only partially progressed in the thickness direction, stress is applied in the breaking process after the crack line is formed. The cracks in the crack line can be completely progressed in the thickness direction by the application of stress, whereby the substrate can be divided. However, if a crack line is not formed, even if stress is applied in the breaking process, the substrate can not be divided along the scribe line. Therefore, in order to separate the glass substrate, it was necessary to reliably form a crack line.
크랙 라인을 형성하기 위해서는, 유리 기판의 종류, 두께 등의 여러 가지 요인을 고려하여 스크라이빙 툴의 형상이나 스크라이브 하중, 속도 등을 조정할 필요가 있다. 최근, 얇고, 강도가 높은 유리의 개발에 수반하여, 크랙 라인을 확실하게 형성하는 것이 더욱 더 곤란해지게 되었다. 예를 들어, 확실한 크랙 라인의 형성을 위해서 스크라이브 하중을 높게 하면 날끝의 마모가 진행됨과 함께, 유리 표면에 생기는 흠집이 커져, 분진의 발생이 많아진다. 또, 스크라이브 속도를 빠르게 하는 것도 곤란해진다. 이와 같이, 스크라이브 하중이나 사용하는 날끝의 조건이 좁아져 있었다. 또, 유리 기판이나 유리 기판을 설치하는 받침대는 테이블의 표면의 굴곡 등에 의해, 크랙 라인이 유리 기판의 두께 방향으로 기울어져 형성되는 경우가 있고, 그 결과 분단 후의 유리 단면이 경사지는 경우가 있었다.In order to form a crack line, it is necessary to adjust the shape of the scribing tool, the scribe load, and the speed in consideration of various factors such as the type and thickness of the glass substrate. In recent years, along with the development of a thin, high-strength glass, it has become more and more difficult to reliably form a crack line. For example, if the scribe load is increased to form a definite crack line, abrasion of the blade edge progresses, scratches on the glass surface become large, and generation of dust increases. It is also difficult to increase the scribing speed. As described above, the scribe load and the condition of the blade used are narrowed. In some cases, the glass substrate or the pedestal for mounting the glass substrate may be formed by inclining the crack line in the thickness direction of the glass substrate due to bending of the surface of the table or the like.
본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 취성 재료 기판의 분단 예정 라인을 따라 확실하게 크랙 라인을 발생시키고, 크랙 라인을 따라 분단할 수 있는 취성 재료 기판의 분단 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a breaking method of a brittle material substrate capable of surely generating a crack line along a line to be divided of a brittle material substrate, .
이 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 취성 재료 기판의 분단 방법은, 서로 대향하는 제 1 및 제 2 변을 포함하는 가장자리에 둘러싸인 표면을 갖고, 상기 표면에 수직인 두께 방향을 갖는 취성 재료 기판에 대하여, 상기 제 1, 제 2 변 중 분단 예정 라인 상의 상기 제 1 변의 근방에서 제 2 변의 근방까지 상기 분단 예정 라인을 따라 크랙을 수반하지 않는 홈상의 적어도 1 개의 트렌치 라인을 형성하고, 상기 트렌치 라인과 70°이하 또는 110°이상의 각도로 교차하도록 어시스트 라인을 형성하고, 상기 어시스트 라인을 따라 상기 취성 재료 기판을 분단함으로써, 상기 어시스트 라인과 상기 트렌치 라인의 교차 위치로부터 상기 트렌치 라인을 따라 취성 재료 기판의 두께 방향으로 크랙을 진전시킨 크랙 라인을 형성하고, 상기 크랙 라인을 따라 상기 취성 재료 기판을 분단하는 것이다.In order to solve this problem, a breaking method of a brittle material substrate of the present invention is a brittle material substrate having a surface surrounded by edges including first and second sides opposite to each other and having a thickness direction perpendicular to the surface , At least one trench line on the groove not involving a crack along the line to be divided from the vicinity of the first side to the vicinity of the second side on the line to be divided of the first and second sides is formed, Forming an assist line so as to intersect the brittle material substrate at an angle of not more than 70 DEG or at an angle of not less than 110 DEG and dividing the brittle material substrate along the assist line to form a brittle material substrate along the trench line from an intersection of the assist line and the trench line, A crack line is formed by advancing a crack in the thickness direction of the brittle material The substrate is divided.
여기에서 상기 어시스트 라인은, 직선상으로 형성되는 것으로 해도 된다.Here, the assist line may be formed in a straight line.
여기에서 상기 어시스트 라인은, 복수의 상기 트렌치 라인과 교차하는 각도가 변화하는 연속선상으로 형성되는 것으로 해도 된다.Here, the assist line may be formed on a continuous line in which an angle intersecting the plurality of trench lines changes.
여기에서 상기 트렌치 라인은, 다이아몬드 포인트를 사용한 스크라이빙 툴을 상기 취성 재료 기판에 대고 누르고, 상기 취성 재료 기판과 상기 스크라이빙 툴을 상대적으로 이동시킴으로써 형성되도록 해도 된다.Here, the trench line may be formed by pressing a scribing tool using a diamond point against the brittle material substrate and relatively moving the brittle material substrate and the scribing tool.
여기에서 상기 트렌치 라인은, 스크라이빙 휠을 상기 취성 재료 기판에 대고 눌러 전동 (轉動) 시킴으로써 형성되도록 해도 된다.Here, the trench line may be formed by rolling the scribing wheel against the brittle material substrate.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명에 의하면, 먼저 분단 예정 라인을 따라 취성 재료 기판의 상면에 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 오목부인 홈으로 이루어지는 트렌치 라인을 형성하고, 어시스트 라인을 소정의 각도로 교차시키고 어시스트 라인으로 분단함으로써, 트렌치 라인을 따라 확실하게 크랙 라인을 발생시킬 수 있다. 그리고 그 후 크랙 라인을 따라 분단함으로써 취성 재료 기판을 원하는 크기로 분단할 수 있다. 본 발명에 있어서, 트렌치 라인을 형성할 때에는 그 바로 아래에 크랙은 발생하지 않기 때문에, 트렌치 라인 형성시에는 하중을 낮게 하거나, 스크라이브 속도를 빠르게 하거나 할 수 있어, 날끝의 마모를 줄일 수 있다는 효과가 얻어진다. 또 취성 재료 기판의 표면에 생기는 흠집이나 분진의 발생을 줄일 수 있다는 효과도 얻어진다.According to the present invention having such characteristics, first, a trench line is formed on the upper surface of the brittle material substrate along the line along which the material is to be divided, the trench line consisting of a groove which is a concave portion having no crack immediately below the trench line, By dividing by the assist line, a crack line can surely be generated along the trench line. Then, the brittle material substrate can be divided into a desired size by dividing along the crack line. In the present invention, when a trench line is formed, cracks do not occur immediately under the trench line. Therefore, when the trench line is formed, the load can be lowered and the scribing speed can be increased, . It is also possible to reduce the occurrence of scratches and dust on the surface of the brittle material substrate.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법에 사용되는 스크라이빙 툴의 구성을 나타내는 측면도, 및 그 날끝의 구성을 나타내는 화살표 IB 의 시점에서 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법을 나타내는 플로차트이다.
도 3 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법을 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법에 있어서 형성되는 트렌치 라인, 및 크랙 라인의 단면도이다.
도 5 는, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법의 어시스트 라인의 형성과 분단의 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 6 은, 본 발명의 제 1 실시형태의 트렌치 라인과 어시스트 라인의 교차 각도와 크랙 라인의 성립 확률을 나타내는 그래프이다.
도 7 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법의 어시스트 라인의 형성과 분단의 공정 이외의 예를 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 8 은, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유리 기판의 트렌치 라인 형성의 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 9 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유리 기판의 어시스트 라인 형성과 분단의 공정을 나타내는 상면도이다.Fig. 1 is a side view showing the construction of a scribing tool used in a glass substrate cutting method according to the first embodiment of the present invention, and a plan view showing the structure of the edge of the scribing tool at the time of an arrow IB. Fig.
2 is a flow chart showing a method of cutting a glass substrate according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a perspective view showing a method of cutting a glass substrate according to the first embodiment of the present invention. Fig.
4 is a cross-sectional view of a trench line and a crack line formed in the glass substrate cutting method according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a top view schematically showing the steps of forming an assist line and dividing the glass substrate according to the first embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 6 is a graph showing the intersection angles of the trench line and the assist line and the probability of establishing a crack line according to the first embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 7 is a top view schematically showing an example of steps other than the step of forming the assist line and the step of cutting the glass substrate according to the first embodiment of the present invention.
8 is a top view schematically showing a step of forming a trench line of a glass substrate according to a second embodiment of the present invention.
9 is a top view showing a step of forming an assist line and dividing the glass substrate according to the second embodiment of the present invention.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 있어서는, 취성 재료 기판으로서 유리 기판을 사용한다. 취성 재료 기판으로는, 그 밖에 예를 들어 저온 소성 세라믹스나 고온 소성 세라믹스 등으로 이루어지는 세라믹 기판, 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 사파이어 기판, 석영 기판 등을 들 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a glass substrate is used as a brittle material substrate. Examples of the brittle material substrate include a ceramic substrate, a silicon substrate, a compound semiconductor substrate, a sapphire substrate, a quartz substrate, and the like made of low temperature fired ceramics or high temperature fired ceramics.
본 실시형태에 있어서의 유리 기판의 분단 방법에 있어서는, 도 1 의 (a) 에 나타내는 스크라이빙 툴 (10) 을 사용한다. 스크라이빙 툴 (10) 은 날끝 (11) 및 생크 (12) 를 갖는다. 날끝 (11) 은, 그 홀더로서의 생크 (12) 에 유지되어 있다.The
날끝 (11) 에는, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이 천면 (天面) (SD1) (제 1 면) 과, 천면 (SD1) 을 둘러싸는 복수의 측면 (SD2 ∼ SD5) 이 형성되어 있다. 이들 면 중, 천면 (SD1), 측면 (SD2 및 SD3) (제 1 ∼ 제 3 면) 은 서로 상이한 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 날끝 (11) 은, 천면 (SD1), 측면 (SD2 및 SD3) 이 합류하는 정점 (頂点) 을 갖고, 이 정점에 의해 날끝 (11) 의 돌기부 (PP) 가 구성되어 있다. 또 측면 (SD2 및 SD3) 은, 날끝 (11) 의 측부 (PS) 를 구성하는 능선을 이루고 있다. 측부 (PS) 는 돌기부 (PP) 로부터 선상으로 연장되어 있다.1 (b), a plurality of side faces SD2 to SD5 surrounding the top face SD1 (the first face) and the top face SD1 are formed on the
날끝 (11) 은 경도 및 표면 조도를 작게 할 수 있는 점에서, 다이아몬드, 보다 바람직하게는 단결정 다이아몬드로 제조되어 있는 것이 바람직하다. 또한 결정학적으로 천면 (SD1) 은 {001} 면, 측면 (SD2 및 SD3) 은 각각 {111} 면인 것이 바람직하다. 이 경우, 측면 (SD2 및 SD3) 은 상이한 방향을 갖지만, 결정학상으로는 서로 등가인 결정면이다.From the point that the hardness and the surface roughness can be made small, the
날끝 (11) 은 단결정이 아닌 다이아몬드여도 된다. 예를 들어, CVD (Chemical Vapor Deposition) 법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 사용되어도 된다. 혹은, 미립의 그라파이트나 비그라파이트상 탄소로부터, 철족 원소 등의 결합재를 함유하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드나, 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해 결합시킨 소결 다이아몬드가 사용되어도 된다.The
생크 (12) 는 축 방향 (AX) 을 따라 연장되어 있다. 날끝 (11) 은, 천면 (SD1) 의 법선 방향이 축 방향 (AX) 을 대략 따르도록 생크 (12) 에 장착되는 것이 바람직하다.The shank 12 extends along the axial direction AX. The
다음으로 본 실시형태의 유리 기판의 분단 방법에 대해 설명한다. 도 2 의 스텝 S1 에 있어서 먼저 유리 기판 (20) 을 준비한다. 유리 기판 (20) 은 도 3 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 서로 대향하는 제 1, 제 2 변 (20a, 20b) 에 둘러싸이고, 평탄한 표면 (SF) 을 갖는 유리 기판 (20) 으로 한다. 스텝 S2 에 있어서 유리 기판 (20) 의 표면 (SF) 에 스크라이빙 툴 (10) 의 날끝 (11) 을 위치 (N1) 에서 대고 누른다. 위치 (N1) 는 분단 예정 라인의 변 (20a) 에 가까운 위치로 한다. 이 때, 도 1 의 (a) 에 있어서, 유리 기판 (20) 의 표면 (SF) 상에서 날끝 (11) 의 돌기부 (PP) 가 변 (20a) 및 측부 (PS) 사이가 되고, 또한 날끝 (11) 의 측부 (PS) 가 돌기부 (PP) 와 변 (20b) 사이에 배치되도록 하여 날끝 (11) 을 대고 누른다. 그리고 유리 기판 (20) 의 표면 (SF) 에 대고 누른 날끝 (11) 을 표면 (SF) 상에서 위치 (N1) 로부터 분단 예정 라인의 변 (20b) 에 가까운 위치 (N2) 까지 슬라이딩시켜 스크라이브함으로써, 트렌치 라인 (TL1) 을 형성한다. 즉, 도 1 의 (a) 를 참조하여, 날끝 (11) 이 변 (20a) 에서 변 (20b) 을 향하는 방향인 방향 (DA) 으로 슬라이딩되어진다. 트렌치 라인이란, 도 4 의 (a) 에 단면도를 나타내는 바와 같이 스크라이브에 의해 유리 기판 (20) 의 표면 (SF) 에 소성 변형에 의한 홈만이 형성되고, 두께 방향에는 크랙이 생기지 않은 라인이다. 또, 본 실시형태에 있어서는 변 (20a) 이 스크라이브 상류측, 변 (20b) 이 하류측이 된다.Next, a method of dividing the glass substrate according to the present embodiment will be described. In step S1 of FIG. 2, the
동일하게 유리 기판 (20) 의 표면 (SF) 의 분단 예정 라인 상에 다른 트렌치 라인을 형성한다. 여기서는 트렌치 라인 (T1) 에 평행하게 추가로 5 개의 트렌치 라인 (TL2 ∼ TL6) 을 형성한다. 이들 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 의 스크라이브 직후에는, 그 바로 아래에 크랙이 생기지 않는다. 이 때문에, 크랙을 발생시키는 통상적인 스크라이브 라인을 형성하는 경우보다 낮은 하중으로 하는 등, 보다 넓은 스크라이브 조건으로 트렌치 라인 형성을 위한 스크라이브를 할 수 있다.Another trench line is formed on the line SF to be divided of the
다음으로 도 2 의 스텝 S3 에 있어서, 이 유리 기판 (20) 을 반전시킨다. 그리고 도 3 의 (c) 및 도 5 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 을 갖지 않는 이면으로부터 각 트렌치 라인과 110°이상의 각도 (θ1) 로 교차하도록 어시스트 라인 (AL1) 을 형성한다 (스텝 S4). 어시스트 라인 (AL1) 은 각 트렌치 라인의 하류측, 즉 위치 (N2) 에 가까운 위치에 형성하는 것으로 한다. 어시스트 라인 (AL1) 은 도 1 에 나타내는 바와 같이, 다이아몬드의 날끝을 갖는 스크라이빙 툴을 사용해도 되고, 스크라이빙 휠을 전동시켜 형성시켜도 된다. 본 실시형태에 있어서는, 어시스트 라인은 크랙이 형성된 크랙 라인으로 한다.Next, in step S3 of Fig. 2, this
이렇게 하여 어시스트 라인 (AL1) 을 형성한 후, 스텝 S5 에 있어서, 어시스트 라인 (AL1) 을 따라 유리 기판 (20) 을 브레이크함으로써, 도 5 의 (b) 에 나타내는 바와 같이 유리 기판 (20) 이 어시스트 라인 (AL1) 을 따라 분단된다. 이 때 이미 형성되어 있는 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 과 어시스트 라인 (AL1) 이 교차한 위치로부터 도 4 의 (b) 에 나타내는 바와 같이 크랙이 생기고, 크랙이 각 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 의 상류측으로 진전된다. 따라서 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 은 그 바로 아래에 크랙을 수반하는 크랙 라인 (CL1 ∼ CL6) 으로 변화하게 된다.After the assist line AL1 is formed in this manner, the
그 후 도 2 의 스텝 S6 에 있어서, 이 크랙 라인 (CL1 ∼ CL6) 을 따라 유리 기판 (20) 을 분단함으로써 원하는 형상으로 유리 기판을 분단할 수 있다.Thereafter, in step S6 of FIG. 2, the
또한 이 실시형태에서는, 도 3 의 (c), 도 5 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 에 대하여 110°이상의 각도 (θ1) 로 교차하도록 어시스트 라인 (AL1) 을 형성하고 있다. 어시스트 라인 (AL1) 과 트렌치 라인 (TL) 의 교차 각도를 θ 로 하면, 어시스트 라인을 따라 분단했을 때에 정상적으로 크랙이 발생하여 크랙 라인이 되는 확률은 도 6 에 나타내는 바와 같이 90° 일 때에는 최소이고, 70°이하 혹은 110°이상일 때에 100 % 가 된다. 따라서 도 7 의 (a) 에 나타내는 바와 같이 70°이하의 각도 (θ2) 로 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL6) 과 교차하도록 어시스트 라인 (AL2) 을 형성하고, 도 7 의 (b) 에 나타내는 바와 같이 이 어시스트 라인 (AL2) 을 따라 분단해도 된다. 이 경우에도 동일하게 하여 트렌치 라인과 어시스트 라인 (AL2) 의 교점의 상류측으로부터 트렌치 라인을 따라 확실하게 크랙을 진전시킬 수 있다.In this embodiment, as shown in Fig. 3 (c) and Fig. 5 (a), the assist line AL1 is formed so as to intersect the trench lines TL1 to TL6 at an angle? . Assuming that the angle of intersection between the assist line AL1 and the trench line TL is?, The probability that cracks normally occur when divided along the assist line and becomes a crack line is minimum at 90 DEG as shown in FIG. 6, When it is 70 ° or less or 110 ° or more, it becomes 100%. 7A, the assist line AL2 is formed so as to intersect with the trench lines TL1 to TL6 at an angle? 2 of 70 degrees or less, and as shown in FIG. 7B, It may be divided along the assist line AL2. In this case as well, it is possible to reliably propagate the crack along the trench line from the upstream side of the intersection of the trench line and the assist line AL2.
또, 본 실시형태에 있어서 어시스트 라인은 통상적인 크랙 라인으로 하였지만, 크랙을 수반하지 않는 트렌치 라인으로 해도 된다. 이 경우, 스텝 S5 (도 2) 에 있어서는 어시스트 라인에 크랙을 형성하는 공정 및 브레이크 공정을 실시함으로써, 유리 기판 (20) 이 어시스트 라인 (AL1 또는 AL2) 을 따라 분단된다.In the present embodiment, the assist line is a usual crack line, but it may be a trench line that does not involve cracking. In this case, in step S5 (FIG. 2), the
다음으로 본 발명의 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 이 실시형태에 있어서도 제 1 실시형태와 동일하게 도 8 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 먼저 유리 기판 (20) 을 준비하고, 스크라이빙 툴 (10) 을 사용하여 유리 기판 (20) 에 대하여 평행한 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL9) 을 형성한다. 그리고 도 8 의 (b) 에 나타내는 바와 같이 유리 기판 (20) 을 반전시킨다.Next, a second embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, as in the first embodiment, as shown in FIG. 8A, the
이어서 도 9 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 각 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL9) 의 위치에서 교대로 70°이하 또는 110°이상으로 교차하도록 사인파상의 어시스트 라인 (AL) 을 형성한다. 이와 같은 사인파상의 어시스트 라인 (AL) 은, 진행 방향을 중심으로 하여 회동하는 모방 기능을 갖는 스크라이브 헤드를 사용하여, 유리 기판 (20) 과 스크라이브 헤드의 일방을 좌우로 왕복 운동시키면서 스크라이브함으로써, 용이하게 형성할 수 있다. 다음으로 도 9 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 이 어시스트 라인 (AL) 을 따라 유리 기판을 분단하면, 각 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL9) 을 따라 트렌치 라인의 상류측으로 크랙이 진전되어, 크랙 라인 (CL1 ∼ CL9) 으로 할 수 있다. 그 후에는 크랙 라인 (CL1 ∼ CL9) 을 따라 기판을 분단하는 것은 제 1 실시형태의 분단 방법과 동일하다. 이와 같이 어시스트 라인 (AL) 을 형성하면, 어시스트 라인을 따라 분단한 후의 단재 (端材) 의 면적을 줄일 수 있다. 또한, 제 2 실시형태에 있어서, 어시스트 라인은 사인파에 한정되는 것은 아니고, 1 개의 어시스트 라인에 있어서, 각 트렌치 라인 (TL1 ∼ TL9) 과 교차하는 각도가 70°이하 또는 110°이상이도록 변화하는 연속선이면 된다.Subsequently, as shown in FIG. 9A, an assist line AL on the sine wave is formed so as to intersect alternately at 70 degrees or less or 110 degrees or more at the positions of the respective trench lines TL1 to TL9. Such assist line AL on the sine wave can be easily scribed by reciprocating one side of the
또한 전술한 각 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이 다이아몬드 포인트를 갖는 스크라이빙 툴을 사용하고 있지만, 소정의 하중으로 전동시켜 스크라이브하는 원판형의 스크라이빙 휠을 사용해도 된다. 스크라이빙 휠을 사용하여 트렌치 라인을 형성한 경우에는, 유리 기판을 반전시켜 어시스트 라인을 형성할 때에 유리 기판의 상류측의 단부, 즉 도 3 의 (b) 의 위치 (N1) 에 가까운 위치에 직선 또는 사인파상의 어시스트 라인을 형성한다. 이렇게 하면 어시스트 라인을 따라 분단했을 때에, 어시스트 라인과 교차하는 트렌치 라인의 위치로부터 하류측으로 크랙을 진전시켜, 하류측에 크랙 라인을 형성시킬 수 있다. 그 후에는 크랙 라인 (CL1 ∼ CL9) 을 따라 기판을 분단하는 것은 제 1, 제 2 실시형태의 분단 방법과 동일하다.In each of the above-described embodiments, a scribing tool having a diamond point is used as shown in Fig. 1, but a disk-shaped scribing wheel for scribing with a predetermined load may be used. In the case of forming the trench line by using the scribing wheel, when the assistant line is formed by inverting the glass substrate, the edge portion on the upstream side of the glass substrate, that is, the position near the position (N1) Thereby forming an assist line on a straight line or a sine wave. In this way, when the trench is divided along the assist line, the crack can be advanced from the position of the trench line intersecting the assist line to the downstream side, and a crack line can be formed on the downstream side. Subsequently, the substrate is divided along the crack lines CL1 to CL9 in the same manner as in the first and second embodiments.
또, 전술한 각 실시형태와는 역방향으로 다이아몬드 포인트를 갖는 스크라이빙 툴을 슬라이딩시켜도 된다. 즉, 도 5 의 (a) 를 참조하여, 날끝 (11) 이 변 (20b) 에서 변 (20a) 을 향하는 방향인 방향 (DB) 으로 슬라이딩되어져, 변 (20b) 이 스크라이브 상류측, 변 (20a) 이 하류측이 된다. 이 때, 날끝 (11) 은 생크 (12) 에 의해 표면 (SF) 상을 누르면서 전진하게 된다. 이 경우에는, 유리 기판을 반전시켜 어시스트 라인을 형성할 때에 유리 기판의 상류측의 단부, 즉 도 3 의 (b) 의 위치 (N2) 에 가까운 위치에 직선 또는 사인파상의 어시스트 라인을 형성한다. 이렇게 하면 어시스트 라인을 따라 분단했을 때에, 어시스트 라인과 교차하는 트렌치 라인의 위치로부터 하류측으로 크랙을 진전시켜, 하류측에 크랙 라인을 형성시킬 수 있다. 그 후에는 크랙 라인 (CL1 ∼ CL9) 을 따라 기판을 분단하는 것은 제 1, 제 2 실시형태의 분단 방법과 동일하다.It is also possible to slide the scribing tool having the diamond point in the direction opposite to that of each of the above-described embodiments. 5 (a), the
본 발명은 취성 재료 기판에 트렌치 라인을 형성하고 취성 재료 기판을 반전시켜 어시스트 라인을 형성하는 기판의 분단 방법으로, 취성 재료 기판의 분단에 유효하게 사용할 수 있다.The present invention can be effectively used for dividing a brittle material substrate by forming a trench line in a brittle material substrate and reversing the brittle material substrate to form an assist line.
10 : 스크라이빙 툴
11 : 날끝
12 : 생크
20 : 유리 기판
TL1 ∼ TL9 : 트렌치 라인
AL, AL1, AL2 : 어시스트 라인
CL1 ∼ CL9 : 크랙 라인10: Scribing tool
11: End point
12: Shank
20: glass substrate
TL1 to TL9: Trench line
AL, AL1, AL2: assist line
CL1 to CL9: crack line
Claims (5)
상기 트렌치 라인과 70°이하 또는 110°이상의 각도로 교차하도록 어시스트 라인을 형성하고,
상기 어시스트 라인을 따라 상기 취성 재료 기판을 분단함으로써, 상기 어시스트 라인과 상기 트렌치 라인의 교차 위치로부터 상기 트렌치 라인을 따라 취성 재료 기판의 두께 방향으로 크랙을 진전시킨 크랙 라인을 형성하고,
상기 크랙 라인을 따라 상기 취성 재료 기판을 분단하는 취성 재료 기판의 분단 방법.A brittle material substrate having a surface surrounded by an edge including first and second sides opposite to each other and having a thickness direction perpendicular to the surface of the first brittle material substrate, Forming at least one trench line on a groove not accompanied by a crack along the line along which the dividing line is to be formed from the neighborhood to the vicinity of the second edge,
Forming an assist line so as to intersect the trench line at an angle of 70 DEG or less or at an angle of 110 DEG or more,
Forming a crack line in the thickness direction of the brittle material substrate along the trench line from an intersection of the assist line and the trench line by dividing the brittle material substrate along the assist line,
And breaking the brittle material substrate along the crack line.
상기 어시스트 라인은, 직선상으로 형성되는 것인 취성 재료 기판의 분단 방법.The method according to claim 1,
Wherein the assist line is formed in a straight line.
상기 어시스트 라인은, 복수의 상기 트렌치 라인과 교차하는 각도가 변화하는 연속선상으로 형성되는 것인 취성 재료 기판의 분단 방법.The method according to claim 1,
Wherein the assist line is formed on a continuous line which changes an angle intersecting the plurality of trench lines.
상기 트렌치 라인은, 다이아몬드 포인트를 사용한 스크라이빙 툴을 상기 취성 재료 기판에 대고 누르고, 상기 취성 재료 기판과 상기 스크라이빙 툴을 상대적으로 이동시킴으로써 형성되는 취성 재료 기판의 분단 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the trench line is formed by pressing a scribing tool using a diamond point against the brittle material substrate and relatively moving the brittle material substrate and the scribing tool.
상기 트렌치 라인은, 스크라이빙 휠을 상기 취성 재료 기판에 대고 눌러 전동시킴으로써 형성되는 취성 재료 기판의 분단 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the trench line is formed by rolling a scribing wheel against the brittle material substrate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015093254A JP6589358B2 (en) | 2015-04-30 | 2015-04-30 | Method for dividing brittle material substrate |
JPJP-P-2015-093254 | 2015-04-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160129722A true KR20160129722A (en) | 2016-11-09 |
KR102441635B1 KR102441635B1 (en) | 2022-09-07 |
Family
ID=57528954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160045401A KR102441635B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-04-14 | Method of dividing brittle material substrate |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6589358B2 (en) |
KR (1) | KR102441635B1 (en) |
CN (1) | CN106079116B (en) |
TW (1) | TWI693138B (en) |
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2015
- 2015-04-30 JP JP2015093254A patent/JP6589358B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-30 TW TW105110017A patent/TWI693138B/en not_active IP Right Cessation
- 2016-04-07 CN CN201610214260.8A patent/CN106079116B/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-04-14 KR KR1020160045401A patent/KR102441635B1/en active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016210026A (en) | 2016-12-15 |
JP6589358B2 (en) | 2019-10-16 |
CN106079116A (en) | 2016-11-09 |
TWI693138B (en) | 2020-05-11 |
CN106079116B (en) | 2020-07-28 |
TW201714720A (en) | 2017-05-01 |
KR102441635B1 (en) | 2022-09-07 |
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