KR20180116823A - 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드 - Google Patents

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Abstract

프로브는 빔 및 적어도 2개의 팁들을 포함할 수 있다. 상기 빔은 피검체로 테스트 신호들을 제공할 수 있다. 상기 적어도 2개의 팁들은 상기 빔의 제 1 단부에 상기 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되어, 상기 피검체의 인접한 단자들과 접촉할 수 있다. 따라서, 빔은 빔의 폭 방향을 따른 적어도 2개의 팁들의 합산 길이들을 초과하는 넓은 폭을 가지게 되어, 프로브는 향상된 전류 운반 성능을 가지면서 과도한 전류에 의한 프로브의 손상도 방지될 수 있다.

Description

프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드{PROBE AND PROBE CARD INCLUDING THE SAME}
본 발명은 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 피검체의 단자들과 전기적으로 접촉하는 프로브, 및 이러한 프로브를 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 칩의 전기적 특성들을 검사하기 위해서, 테스트 신호를 반도체 칩으로 인가할 수 있다. 테스트 신호는 테스터로부터 발생될 수 있다. 테스터를 반도체 칩과 전기적으로 연결시키기 위해서, 프로브 카드가 사용될 수 있다.
프로브 카드는 인쇄회로기판 및 프로브를 포함할 수 있다. 인쇄회로기판은 테스터에 전기적으로 연결될 수 있다. 프로브는 인쇄회로기판에 배치되어, 반도체 칩의 패드와 접촉될 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 프로브는 반도체 칩의 패드와 접촉하는 하나의 팁을 포함할 수 있다. 반도체 칩의 패드들 사이의 간격이 좁은 관계로, 하나의 팁을 갖는 프로브는 이웃하는 프로브와의 접촉 방지를 위해서 매우 좁은 폭을 가질 수밖에 없다. 프로브의 전류 운반 성능(Current Carrying Capacity : CCC)이 낮을 경우, 과도한 전류에 의해서 좁은 폭을 갖는 프로브가 손상될 수 있다.
본 발명은 향상된 전류 운반 성능을 가지면서 과도한 전류에 의한 손상도 방지할 수 있는 프로브를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 프로브를 포함하는 프로브 카드도 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 프로브는 빔 및 적어도 2개의 팁들을 포함할 수 있다. 상기 빔은 피검체로 테스트 신호들을 제공할 수 있다. 상기 적어도 2개의 팁들은 상기 빔의 제 1 단부에 상기 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되어, 상기 피검체의 인접한 단자들과 접촉할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 프로브 카드는 인쇄회로기판, 제 1 프로브 및 제 2 프로브를 포함할 수 있다. 상기 인쇄회로기판은 반도체 칩을 테스트하기 위한 테스트 신호들이 흐르는 테스트 패턴을 가질 수 있다. 상기 제 1 프로브는 상기 테스트 패턴에 연결된 빔, 및 상기 빔에 상기 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되어 상기 반도체 칩의 파워 패드들과 접촉하는 적어도 2개의 제 1 팁들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 프로브는 상기 테스트 패턴에 연결될 수 있다. 상기 제 2 프로브는 상기 반도체 칩의 신호 패드와 접촉하는 제 2 팁을 포함할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 적어도 2개의 팁들이 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되므로, 빔은 빔의 폭 방향을 따른 적어도 2개의 팁들의 합산 길이들을 초과하는 넓은 폭을 가질 수 있다. 따라서, 프로브는 향상된 전류 운반 성능을 가지면서 과도한 전류에 의한 프로브의 손상도 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 프로브의 저면을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2의 III 부위를 확대해서 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브를 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브를 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 1에 도시된 프로브를 포함하는 프로브 카드를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 프로브 카드의 제 1 및 제 2 프로브들이 반도체 칩의 패드들과 접촉된 것을 확대해서 나타낸 사시도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
프로브
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브를 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 프로브의 저면을 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2의 III 부위를 확대해서 나타낸 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 프로브(100)는 빔(110), 포스트(120), 제 1 베이스(130), 제 2 베이스(132), 제 1 팁(140) 및 제 2 팁(142)을 포함할 수 있다.
프로브(100)는 프로브 카드의 인쇄회로기판과 피검체를 전기적으로 연결시켜서, 테스트 신호들을 인쇄회로기판으로부터 피검체의 단자들로 전달할 수 있다. 따라서, 프로브(100)는 테스트 신호들을 전달할 수 있는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 프로브(100)는 탄성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어서, 프로브(100)는 니켈/코발트, 니켈/보론 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 피검체는 반도체 칩을 포함할 수 있다. 또는, 피검체는 복수개의 반도체 칩들이 구성된 반도체 기판을 포함할 수도 있다. 반도체 칩은 복수개의 신호 패드들 및 복수개의 파워 패드들을 포함할 수 있다. 신호 패드들과 파워 패드들이 단자들에 해당할 수 있다.
빔(110)은 제 1 방향을 따라 연장된 긴 직육면체 형상을 가질 수 있다. 따라서, 빔(110)은 높이(H)와 폭(W) 및 길이(L)를 가질 수 있다. 빔(110)의 길이(L)는 제 1 방향을 따라 측정될 수 있다. 즉, 제 1 방향은 빔(110)의 길이 방향에 해당할 수 있다. 빔(110)의 폭(W)은 제 1 방향과 실질적으로 직교하는 제 2 방향을 따라 측정될 수 있다. 즉, 제 2 방향은 빔(110)의 폭 방향에 해당할 수 있다. 빔(110)의 높이(H)는 제 1 및 제 2 방향들과 직교하는 수직 방향을 따라 측정될 수 있다. 다른 실시예로서, 빔(110)은 직육면체로 국한되지 않고 긴 원기둥과 같은 다른 형상들을 가질 수도 있다.
포스트(120)는 빔(110)의 좌측 상부면(도 1 기준) 상에 형성될 수 있다. 포스트(120)는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 테스트 신호는 포스트(120)를 통해서 빔(110)으로 전달될 수 있다. 포스트(120)는 빔(110)과 일체로 형성될 수 있다.
제 1 베이스(130)는 빔(110)의 우측 하부면(도 1 기준) 상에 형성될 수 있다. 특히, 제 1 베이스(130)는 빔(110)의 우측 하부면의 우측 부분 상에 배치될 수 있다. 제 1 베이스(130)는 빔(110)과 일체로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 제 1 베이스(130)는 2단 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 제 1 베이스(130)는 1단 또는 3단 이상의 구조를 가질 수도 있다.
제 2 베이스(132)는 빔(110)의 우측 하부면(도 1 기준) 상에 형성될 수 있다. 특히, 제 2 베이스(132)는 빔(110)의 우측 하부면의 좌측 부분 상에 배치될 수 있다. 제 2 베이스(132)는 제 1 베이스(130)로부터 제 2 방향을 따라 이격될 수 있다. 제 2 베이스(132)는 빔(110)과 일체로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 제 2 베이스(132)는 2단 구조를 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 제 2 베이스(132)는 1단 또는 3단 이상의 구조를 가질 수도 있다.
제 1 베이스(130)와 제 2 베이스(132)는 제 2 방향을 따라 배열될 수 있다. 즉, 제 1 베이스(130)와 제 2 베이스(132)는 빔(110)의 폭 방향을 따라 배열될 수 있다.
제 1 팁(140)은 제 1 베이스(130) 상에 형성될 수 있다. 제 1 팁(140)은 반도체 칩의 패드와 접촉할 수 있다. 제 1 팁(140)은 제 1 베이스(130)와 일체로 형성될 수 있다.
제 2 팁(142)은 제 2 베이스(132) 상에 형성될 수 있다. 제 1 베이스(130)와 제 2 베이스(132)가 제 2 방향을 따라 이격되어 있으므로, 제 2 팁(142)도 제 1 팁(140)으로부터 제 2 방향을 따라 이격될 수 있다. 제 2 팁(142)은 반도체 칩의 패드와 접촉할 수 있다. 제 2 팁(142)은 제 2 베이스(132)와 일체로 형성될 수 있다.
제 1 베이스(130)와 제 2 베이스(132)가 빔(110)의 폭 방향을 따라 배열되어 있으므로, 제 1 팁(140)과 제 2 팁(142)도 빔(110)의 폭 방향을 따라 배열될 수 있다. 즉, 제 1 팁(140)과 제 2 팁(142)은 빔(110)의 길이 방향과 경사진 방향, 본 실시예에서는 직교하는 방향을 따라 배열될 수 있다.
이와 같이, 2개의 팁(140, 142)들이 하나의 빔(110) 상에 빔(110)의 폭 방향을 따라 배열되므로, 빔(110)의 폭(W)은 제 1 및 제 2 팁(140, 142)들을 수용할 정도로 늘어날 수 있다. 구체적으로, 제 1 팁(140)과 제 2 팁(142)은 서로 이격되어 있으므로, 빔(110)의 폭(W)은 제 2 방향을 따라 측정된 제 1 팁(140)의 길이와 제 2 팁(142)의 길이를 합산한 길이를 초과할 수 있다. 예를 들어서, 제 1 팁(140)과 제 2 팁(142)이 원형 단면을 갖는다면, 빔(110)의 폭(W)은 제 1 팁(140)의 직경과 제 2 팁(142)의 직경을 합산한 길이를 초과할 수 있다.
빔(110)의 길이(L)와 높이(H)가 하나의 팁을 갖는 빔의 길이와 높이와 각각 동일하면서 하나의 팁의 직경이 제 1 팁(140)의 직경과 동일하다면, 본 실시예의 빔(110)의 폭(W)이 하나의 팁을 갖는 빔의 폭보다 적어도 2배 이상이 되므로, 본 실시예의 빔(110)은 하나의 팁을 갖는 빔의 체적보다 적어도 2배 이상이 될 것이다. 그러므로, 이와 같은 넓은 체적을 갖는 빔(110)은 향상된 전류 운반 성능(CCC)를 갖게 될 것이다. 또한, 과도 전류가 빔(110)에 인가되어도, 넓은 체적을 갖는 빔(110)이 손상되는 것, 예를 들면 고열에 의해서 그을려지는 현상(burnt)이 억제될 것이다.
본 실시예에서, 2개의 팁(140, 142)들을 갖는 프로브(100)가 반도체 칩의 패드들에 전기적으로 동시에 연결되므로, 2개의 팁(140, 142)들은 패드들 중에서 인접한 파워 패드들에 동시에 접촉될 수 있다. 다른 실시예로서, 인접한 신호 패드들에 동일한 파형을 갖는 테스트 신호들이 인가된다면, 2개의 팁(140, 142)들을 갖는 프로브(100)가 인접한 신호 패드들에 동시에 전기적으로 연결될 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 프로브(100)가 2개의 팁(140, 142)들을 갖는 것으로 예시하였으나, 프로브(100)는 빔(110)의 폭 방향을 따라 배열된 3개 이상의 팁들을 가질 수도 있다.
아울러, 프로브(100)는 빔(110)과 제 1 팁(140) 및 제 2 팁(142)만을 포함할 수 있다. 즉, 제 1 팁(140)과 제 2 팁(142)이 빔(110)의 폭 방향을 따라 빔(110)에 직접 배치될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브를 나타낸 사시도이다.
본 실시예의 프로브(100a)는 제 1 및 제 2 베이스들과 제 1 및 제 2 팁들의 위치들을 제외하고는 도 2에 도시된 프로브(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 4를 참조하면, 제 1 베이스(130a)와 제 2 베이스(132a)는 빔(110)의 길이 방향에 대해서 예각을 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들어서, 제 1 베이스(130a)와 제 2 베이스(132a)는 빔(110)의 길이 방향에 대해서 대략 45°를 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다. 이에 따라, 제 1 팁(140a)과 제 2 팁(142a)도 빔(110)의 길이 방향에 대해서 예각을 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다.
제 1 팁(140a)과 제 2 팁(142a)의 배열 방향은 반도체 칩의 패드들의 배열 방향에 따라 결정될 수 있다. 그러므로, 제 1 팁(140a)과 제 2 팁(142a)의 배열 방향은 반도체 칩의 패드들의 배열 방향에 따라 변경될 수 있다.
본 실시예에서, 제 1 팁(140a)과 제 2 팁(142a)은 빔(110)의 폭 방향을 따라 중첩되지 않는 간격을 두고 이격될 수 있다. 다른 실시예로서, 제 1 팁(140a)과 제 2 팁(142a)은 빔(110)의 폭 방향을 따라 부분적으로 중첩될 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 프로브(100a)가 2개의 팁(140a, 142a)들을 갖는 것으로 예시하였으나, 프로브(100a)는 빔(110)의 길이 방향에 대해서 예각을 이루는 방향을 따라 배열된 3개 이상의 팁들을 가질 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브를 나타낸 사시도이다.
본 실시예의 프로브(100b)는 제 3 베이스와 제 3 팁을 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 4에 도시된 프로브(100a)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 5를 참조하면, 제 1 베이스(130a), 제 2 베이스(132a) 및 제 3 베이스(134a)는 지그재그 형태로 배열될 수 있다. 구체적으로, 제 1 베이스(130a)와 제 2 베이스(132a)는 빔(110)의 길이 방향에 대해서 예각을 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다. 제 2 베이스(132a)와 제 3 베이스(134a)는 제 1 및 제 2 베이스(130a, 132a)들의 배열 방향에 대해서 실질적으로 직교를 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다.
이에 따라, 제 1 팁(140a)과 제 2 팁(142a)도 빔(110)의 길이 방향에 대해서 예각을 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다. 제 2 팁(142a)와 제 3 팀(144a)는 제 1 및 제 2 팁(140a, 142)들의 배열 방향에 대해서 실질적으로 직교를 이루는 방향을 따라 배열될 수 있다.
제 1 내지 제 3 팁(140a, 142a, 144a)의 배열 방향은 반도체 칩의 패드들의 배열 방향에 따라 결정될 수 있다. 그러므로, 제 1 내지 제 3 팁(140a, 142a, 144a)의 배열 방향은 반도체 칩의 패드들의 배열 방향에 따라 변경될 수 있다.
본 실시예에서, 제 2 팁(142a)과 제 3 팁(144a)은 빔(110)의 폭 방향을 따라 중첩되지 않는 간격을 두고 이격될 수 있다. 다른 실시예로서, 제 2 팁(142a)과 제 3 팁(144a)은 빔(110)의 폭 방향을 따라 부분적으로 중첩될 수도 있다.
프로브 카드
도 6은 도 1에 도시된 프로브를 포함하는 프로브 카드를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 프로브 카드의 제 1 및 제 2 프로브들이 반도체 칩의 패드들과 접촉된 것을 확대해서 나타낸 사시도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 프로브 카드는 인쇄회로기판(210), 인터포저(220), 제 1 포고 핀(230), 제 2 포고 핀(232), 프로빙 플레이트(240), 지지 플레이트(250), 한 쌍의 간격 조정 나사(260)들, 스티프너(270), 적어도 하나의 제 1 프로브(100) 및 복수개의 제 2 프로브(150)들을 포함할 수 있다.
인쇄회로기판(210)은 다층 기판을 포함할 수 있다. 인쇄회로기판(210)은 테스트 패턴(212)을 포함할 수 있다. 테스트 패턴(212)은 인쇄회로기판(210)에 내장될 수 있다. 테스트 패턴(212)은 테스트 신호들을 발생시키는 테스터에 전기적으로 연결될 수 있다.
인터포저(220)는 인쇄회로기판(210)의 하부에 배치될 수 있다. 제 1 포고 핀(230)은 인터포저(220)와 인쇄회로기판(210) 사이에 배치되어, 테스트 패턴(212)을 인터포저(220)에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제 2 포고 핀(232)은 인터포저(220)의 하부에 배치될 수 있다. 제 2 포고 핀(232)은 인터포저(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.
프로빙 플레이트(240)는 인터포저(220)의 하부에 배치될 수 있다. 프로빙 플레이트(240)는 프로빙 패턴(242)을 포함할 수 있다. 프로빙 플레이트(240)는 인쇄회로기판(210)과 반도체 칩(C) 사이의 열팽창계수 차이를 보완할 수 있는 열팽창계수를 갖는 절연성 물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 프로빙 플레이트(240)는 세라믹을 포함할 수 있다. 제 2 포고 핀(232)은 프로빙 플레이트(240)와 인터포저(220) 사이에 배치되어, 프로빙 패턴(242)을 인터포저(220)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
지지 플레이트(250)는 프로빙 플레이트(240)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(250)의 상단이 인쇄회로기판(210)에 고정될 수 있다. 지지 플레이트(250)의 하단이 프로빙 플레이트(240)의 하부면을 지지할 수 있다.
간격 조정 나사(260)들은 인쇄회로기판(210)과 프로빙 플레이트(240) 사이의 간격을 조정할 수 있다. 간격 조정 나사(260)들은 인쇄회로기판(210)에 수직 방향을 따라 나사 결합될 수 있다. 간격 조정 나사(260)들의 하단들이 프로빙 플레이트(240)에 연결될 수 있다. 따라서, 간격 조정 나사(260)들의 회전 방향에 따라 인쇄회로기판(210)과 프로빙 플레이트(240) 사이의 간격이 조정될 수 있다.
스티프너(270)는 인쇄회로기판(210)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. 스티프너(270)는 프로브 카드에 강성을 부여할 수 있다.
제 1 프로브(100)와 제 2 프로브(150)들은 프로빙 플레이트(240)의 하부면에 배치될 수 있다. 제 1 프로브(100)와 제 2 프로브(150)들은 프로빙 플레이트(240)의 프로빙 패턴(242)들에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 제 1 프로브(100)는 도 1에 도시된 프로브(100)의 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다. 다른 실시예로서, 본 실시예의 프로브 카드는 도 4에 도시된 프로브(100a) 또는 도 5에 도시된 프로브(100b)를 포함할 수도 있다.
제 1 프로브(100)는 반도체 칩(C)의 인접한 2개의 파워 패드(P)들에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제 1 프로브(100)의 제 1 및 제 2 팁(140, 142)들이 반도체 칩(C)의 파워 패드(P)들에 동시에 접촉될 수 있다.
제 2 프로브(150)들은 반도체 칩(C)의 신호 패드(S)들에 접촉될 수 있다. 제 2 프로브(150)들 각각은 빔(160), 포스트(170), 베이스(180) 및 팁(190)을 포함할 수 있다. 반도체 칩(C)의 신호 패드(S)와 접촉하는 제 2 프로브(150)는 하나의 팁(190)만을 포함할 수 있다. 따라서, 제 2 프로브(150)는 제 1 프로브(100)의 체적의 절반 정도가 되는 체적을 가질 수 있다.
제 2 프로브(150)의 빔(160), 포스트(170), 베이스(180) 및 팁(190)은 제 1 프로브(100)의 빔(110), 포스트(120), 제 1 베이스(130) 및 제 1 팁(140) 각각과 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 제 2 프로브(150)의 빔(160), 포스트(170), 베이스(180) 및 팁(190)에 대한 반복 설명은 생락할 수 있다.
다른 실시예로서, 인접한 신호 패드(S)들에 동일한 파형을 갖는 테스트 신호들이 인가된다면, 2개의 팁(140, 142)들을 갖는 제 1 프로브(100)가 신호 패드(S)들과 전기적으로 연결될 수도 있다.상기된 본 실시예들에 따르면, 적어도 2개의 팁들이 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되므로, 빔은 빔의 폭 방향을 따른 적어도 2개의 팁들의 합산 길이들을 초과하는 넓은 폭을 가질 수 있다. 따라서, 프로브는 향상된 전류 운반 성능을 가지면서 과도한 전류에 의한 프로브의 손상도 방지될 수 있다.상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 챔버로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 ; 제 1 프로브 110 ; 빔
120 ; 포스트 130 ; 제 1 베이스
132 ; 제 2 베이스 140 ; 제 1 팁
142 ; 제 2 팁 150 ; 제 2 프로브
210 ; 인쇄회로기판 212 ; 테스트 패턴
220 ; 인터포저 230 ; 제 1 포고 핀
232 ; 제 2 포고 핀 240 ; 프로빙 플레이트
242 ; 프로빙 패턴 250 ; 지지 플레이트
260 ; 간격 조정 나사 270 ; 스티프너

Claims (10)

  1. 피검체로 테스트 신호들을 제공하기 위한 빔; 및
    상기 빔의 제 1 단부에 상기 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되어, 상기 피검체의 인접한 단자들과 접촉하는 적어도 2개의 팁들을 포함하는 프로브.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 팁들은 상기 빔의 길이 방향과 직교하는 상기 빔의 폭 방향을 따라 배열된 프로브.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 2개의 팁들은 상기 빔의 길이 방향과 예각을 이루는 방향을 따라 배열된 프로브.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 빔은 상기 빔의 길이 방향과 직교하는 상기 빔의 폭 방향을 따른 상기 적어도 2개의 팁들의 길이들을 합산한 길이를 초과하는 폭을 갖는 프로브.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 빔과 상기 적어도 2개의 팁들 사이에 각각 개재된 베이스를 더 포함하는 프로브.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단부의 반대측인 상기 빔의 제 2 단부에 배치된 포스트를 더 포함하는 프로브.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 피검체는 반도체 칩을 포함하고, 상기 단자들은 상기 반도체 칩의 파워 패드들을 포함하는 프로브.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 피검체는 반도체 칩을 포함하고, 상기 단자들은 상기 테스트 신호들 중에서 동일한 파형을 갖는 테스트 신호들이 입력되는 상기 반도체 칩의 신호 패드들을 포함하는 프로브.
  9. 반도체 칩을 테스트하기 위한 테스트 신호들이 흐르는 테스트 패턴을 갖는 인쇄회로기판;
    상기 테스트 패턴에 연결된 빔, 및 상기 빔에 상기 빔의 길이 방향과 경사진 방향을 따라 배열되어 상기 반도체 칩의 파워 패드들과 접촉하는 적어도 2개의 제 1 팁들을 포함하는 제 1 프로브; 및
    상기 테스트 패턴에 연결되고, 상기 반도체 칩의 신호 패드와 접촉하는 제 2 팁을 포함하는 제 2 프로브를 포함하는 프로브 카드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 인쇄회로기판과 상기 제 1 및 제 2 프로브들 사이에 개재된 인터포저;
    상기 인터포저와 상기 인쇄회로기판의 테스트 패턴을 전기적으로 연결시키는 제 1 포고 핀;
    상기 인터포저와 상기 제 1 및 제 2 프로브들을 전기적으로 연결시키는 제 2 포고 핀; 및
    상기 제 2 포고 핀의 하부에 배치되고, 상기 제 2 포고 핀을 상기 제 1 및 제 2 프로브들에 전기적으로 연결시키는 프로빙 패턴이 내장된 프로빙 플레이트를 더 포함하는 프로브 카드.
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