KR20180112243A - 세라믹 히터 - Google Patents

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Abstract

세라믹 히터는 리프트 핀의 승강을 위해 상하를 관통하는 다수의 핀홀들을 가지는 세라믹 몸체와, 상기 몸체의 내부에 구비되며, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하여 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 발열 부재 및 상기 몸체의 상부면에서 상기 핀홀들이 구비된 부위의 둘레를 따라 구비되며, 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 상기 발열 부재에서 발생된 열을 상기 웨이퍼로 전도시키기 위한 열 전달 부재들을 포함할 수 있다.

Description

세라믹 히터{Ceramic heater}
본 발명은 세라믹 히터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 가열하기 위한 세라믹 히터에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정 및 사진식각공정 등을 통하여 회로 패턴들을 형성하고 상기 회로 패턴들을 개별화하여 복수의 반도체 칩들을 획득한 후 상기 반도체 칩들을 패키징함으로써 제조될 수 있다.
상기 증착 공정은 상기 웨이퍼 상에 절연막, 도전막 등의 다양한 막들을 형성하는 공정으로 필요에 따라 물리기상증착, 화학기상증착, 플라즈마 강화 화학기상증착 등의 공정이 수행될 수 있다.
특히, 플라즈마 강화 화학기상증착 공정의 경우 상기 웨이퍼를 공정온도로 가열하고 플라즈마 상태로 형성된 소스 가스와 반응 가스를 이용하여 상기 웨이퍼 상에 원하는 막을 형성할 수 있다. 상기 플라즈마강화 화학기상증착 공정을 수행하기 위한 장치는 공정 챔버 내부로 공급된 소스 가스와 반응 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 플라즈마 소스와 상기 웨이퍼를 지지하며 공정온도로 가열하기 위한 세라믹 히터가 사용될 수 있다.
상기 세라믹 히터에는 상기 웨이퍼를 공정온도로 가열하기 위한 발열 부재와, 상기 소스 가스와 반응 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 전극 부재가 구비된다. 또한, 상기 세라믹 히터에는 리프트 핀의 승강을 위해 상하를 관통하는 다수의 핀홀들이 구비된다. 이때, 상기 발열 부재 및 상기 전극 부재는 상기 핀홀들과 이격되어 배치된다.
상기 발열 부재가 상기 핀홀들과 이격되어 배치되고, 상기 핀홀들이 상기 세라믹 히터의 상단 부위에서 단면적이 증가하는 구조를 가지므로, 상기 발열 부재에서 발생된 열이 상기 세라믹 히터에 지지된 웨이퍼로 균일하게 전달되지 않는다. 즉, 상기 웨이퍼에서 상기 핀홀들의 상방에 위치한 부위의 온도가 나머지 부위의 온도와 차이가 날 수 있다. 따라서 상기 웨이퍼의 온도 분포가 불균일할 수 있다.
상기 웨이퍼의 온도가 불균일한 상태에서 상기 웨이퍼에 대해 증착 공정을 수행하는 경우, 상기 웨이퍼에서 상기 핀홀들의 상방에 위치한 부위에 형성되는 막의 두께가 상대적으로 얇게되어 상기 웨이퍼 상에 막이 균일하게 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼의 품질에 악영향을 미칠 수 있다.
본 발명은 웨이퍼를 균일하게 가열할 수 있는 세라믹 히터를 제공한다.
본 발명에 따른 세라믹 히터는 리프트 핀의 승강을 위해 상하를 관통하는 다수의 핀홀들을 가지는 세라믹 몸체와, 상기 몸체의 내부에 구비되며, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하여 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 발열 부재 및 상기 몸체의 상부면에서 상기 핀홀들이 구비된 부위의 둘레를 따라 구비되며, 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 상기 발열 부재에서 발생된 열을 상기 웨이퍼로 전도시키기 위한 열 전달 부재들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들은 상기 몸체와 동일한 재질로 이루어지거나, 상기 몸체보다 높은 열전달율을 갖는 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들은 상기 각 핀홀들의 둘레를 따라 고리 형태로 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들은 상기 각 핀홀들의 둘레를 따라 다수개가 서로 이격되어 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들은 상기 각 핀홀들과 밀착되거나 상기 각 핀홀들로부터 이격되어 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들과 상기 각 핀홀들 사이의 이격 간격은 0 내지 20 ㎜일 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 하나의 핀홀의 둘레를 따라 구비되는 열 전달 부재의 상부면 면적은 13 ㎟ 내지 1900 ㎟ 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 세라믹 히터는 상기 몸체의 상부면에 서로 이격되어 구비되며, 웨이퍼를 지지하기 위한 다수의 지지부재들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들은 상기 지지부재들과 동일한 높이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 열 전달 부재들의 높이는 5 ㎛ 내지 40 ㎛ 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 세라믹 히터는 상기 몸체의 내부에 배치되며, 외부의 접지부재와 전기적으로 연결되는 전극 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 세라믹 히터는 세라믹 몸체의 상면에 핀홀들의 둘레를 따라 열전달 부재들을 구비한다. 그러므로, 상기 세라믹 몸체 내부에서 발열 부재가 상기 핀홀들과 이격되어 있고 상기 핀홀들이 상기 세라믹 히터의 상면으로 갈수록 단면적이 증가하는 구조를 가지더라도 상기 발열 부재에서 발생된 열이 상기 열전달 부재들을 통해 웨이퍼에서 상기 핀홀들의 상방에 위치한 부위에 전달될 수 있다. 따라서, 상기 세라믹 히터에 지지된 웨이퍼가 균일하게 가열될 수 있다. 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되므로, 플라즈마 강화 화학기상증착 공정에서 상기 웨이퍼 상에 막을 균일하게 형성할 수 있다. 그러므로, 상기 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 세라믹 히터를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 열전달 부재의 일 예를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4는 도 1에 도시된 열전달 부재의 다른 예를 설명하기 위한 평면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 히터에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터를 설명하기 위한 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 세라믹 히터를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 세라믹 히터(100)는 몸체(110), 지지부재들(120), 발열 부재(130), 전극 부재(140) 및 열전달 부재(150)를 포함한다.
몸체(110)는 평판 형태를 가지며, 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 상기 세라믹 재질은 내열성이 우수하고, 전기적 절연체이다. 예를 들면, 상기 세라믹 재질은 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC(Autoclaved lightweight concrete), TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등 일 수 있다.
몸체(110)는 상하를 관통하는 다수의 핀홀들(112)을 갖는다. 리프트 핀(미도시)들은 핀홀들(112)을 따라 승강하도록 구비되며, 웨이퍼를 몸체(110) 상에 로딩하거나, 상기 웨이퍼를 몸체(110)로부터 언로딩할 수 있다.
한편, 핀홀들(112)은 몸체(110)의 상단 부위에서 단면적이 증가하는 구조를 갖는다.
지지부재들(120)은 몸체(110)의 상부면에 서로 이격되도록 구비되어 상기 웨이퍼를 지지한다. 몸체(110)에서 상기 상부면의 평탄도 불량하더라도 지지부재들(120)이 상기 웨이퍼를 평탄하고 안정적으로 지지할 수 있다.
지지부재들(120)은 몸체(110)와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
발열 부재(130)는 몸체(110)에 내부에 구비된다. 발열 부재(130)는 외부의 전원 공급부(미도시)와 전기적으로 연결된다. 따라서, 발열 부재(130)는 상기 전원 공급부(미도시)로부터 전원을 인가 받아 열을 발생하여 몸체(110)의 지지부재들(120)에 놓여지는 상기 웨이퍼를 가열할 수 있다.
발열 부재(130)는 발열 기능이 가능한 금속 재질로 이루어진다. 일 예로, 상기 발열 부재(130)는 탄탈(Ta), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 금(Au), 니오븀(Nb), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
전극 부재(140)는 몸체(110)의 내부에 구비된다. 전극 부재(140)는 외부의 접지 부재와 전기적으로 연결된다. 전극 부재(140)는 전도성이 우수한 금속 재질로 이루어진다. 예를 들어, 전극 부재(140)는 발열 부재(130)와 유사한 재질로 이루어질 수 있다.
외부로부터 인가되는 고주파 전압을 통한 플라즈마를 이용하여 몸체(110)에 놓여진 상기 웨이퍼에 박막을 증착하는 경우, 몸체(110)를 통해 상기 웨이퍼를 안정적으로 가열할 수 있고, 몸체(110)로 인하여 상기 웨이퍼가 전기적으로 간섭되는 것도 방지할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마를 이용한 박막 증착 공정의 경우, 전극 부재(140)는 상기 고주파 전압에 의한 상기 플라즈마가 원활하게 형성되도록 하기 위한 기준 전압을 제공한다.
발열 부재(130) 및 전극 부재(140)가 핀홀들(112)을 따라 승강하는 상기 리프트 핀과 접촉하지 않도록 발열 부재(130) 및 전극 부재(140)는 핀홀들(112)과 이격되어 배치된다.
열전달 부재들(150)은 몸체(110)의 상부면에서 핀홀들(112)이 구비된 부위의 둘레를 따라 구비된다. 열전달 부재들(150)은 발열 부재(130)에서 발생된 열을 지지부재들(120)에 지지된 상기 웨이퍼로 전달한다. 따라서, 몸체(110) 내부에서 발열 부재(130)가 핀홀들(112)과 이격되어 있고 핀홀들(112)이 몸체(110)의 상단 부위에서 단면적이 증가하는 구조를 가지더라도 발열 부재(130)에서 발생된 열이 열전달 부재들(150)을 통해 상기 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위에 직접적으로 전달될 수 있다. 그러므로, 세라믹 히터(100)에서 발생된 열에 의해 상기 웨이퍼가 균일하게 가열될 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되므로, 플라즈마 강화 화학기상증착 공정에서 상기 웨이퍼 상에 막을 균일하게 형성할 수 있다.
열전달 부재들(150)은 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 열전달 부재들(150)은 몸체(110)를 이루는 세라믹 재질보다 열전달율이 상대적으로 높은 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 열전달 부재(150)가 상기 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위의 온도를 상대적으로 빨리 증가시킬 수 있다.
다른 예로, 열전달 부재들(150)과 몸체(110)는 동일한 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 열 전달 부재들(150)은 다양한 모양을 가질 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 열전달 부재의 일 예를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 3을 참조하면, 열 전달 부재들(150)은 각 핀홀들(112)의 둘레를 따라 대략 도넛 모양, 즉 고리 모양으로 구비될 수 있다. 구체적으로, 열 전달 부재들(150)은 핀홀(112)의 모양과 대응하는 원형 고리 모양인 것이 바람직하지만, 다각형 고리 모양일 수도 있다. 상기 고리 모양의 열 전달 부재들(150)은 내측면과 외측면이 평탄한 형상을 가질 수도 있지만, 주름 형상을 가질 수도 있다.
도 4는 도 1에 도시된 열전달 부재의 다른 예를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4를 참조하면, 열 전달 부재들(150)은 각 핀홀들(112)의 둘레를 따라 다수개가 서로 이격되어 구비될 수 있다. 이때, 열 전달 부재들(150)은 원형, 다각형 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
열전달 부재들(150)은 각 핀홀들(112)과 밀착되거나 각 핀홀들(112)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 열 전달 부재들(150)이 원형의 고리 형상을 갖는 경우, 열전달 부재들(150)의 내측 반지름이 각 핀홀들(112)의 최상단 반지름과 실질적으로 동일하거나, 열전달 부재들(150)의 내측 반지름이 각 핀홀들(112)의 최상단 반지름보다 클 수 있다.
예를 들면, 열전달 부재들(150)과 각 핀홀들(112) 사이의 이격 간격(G)은 0 내지 약 20 ㎜ 일 수 있다.
열전달 부재들(150)과 각 핀홀들(112) 사이의 이격 간격(G)은 0 mm 보다 작은 경우, 열전달 부재들(150)이 각 핀홀들(112) 상에 배치되므로, 상기 리프트 핀이 승강할 때 열전달 부재들(150)과 충돌할 수 있다. 따라서, 열전달 부재들(150)과 각 핀홀들(112) 사이의 이격 간격(G)은 0 mm와 같거나 클 수 있다.
열전달 부재들(150)과 각 핀홀들(112) 사이의 이격 간격(G)이 약 20 ㎜를 초과하는 경우, 열전달 부재들(150)이 각 핀홀들(112)과 과도하게 이격된다. 따라서, 열전달 부재들(150)이 발열 부재(130)에서 발생된 열을 상기 웨이퍼로 직접 전달하더라고 상기 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위로 상기 열이 충분히 전달되지 않는다. 그러므로, 상기 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위가 나머지 부위보다 온도가 낮을 수 있다.
또한, 하나의 핀홀(112)의 둘레를 따라 구비되는 열 전달 부재들(150)의 상부면 면적은 약 13 ㎟ 내지 1900 ㎟ 일 수 있다.
열전달 부재들(150)의 상부면 면적이 약 13 ㎟ 미만인 경우, 열전달 부재들(150)의 면적이 상대적으로 좁아 발열 부재(130)에서 발생된 열이 상기 웨이퍼로 충분히 전달되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위의 온도가 나머지 부위의 온도보다 낮아 상기 웨이퍼의 온도가 균일하지 않을 수 있다.
열전달 부재들(150)의 상부면 면적이 약 1900 ㎟를 초과하는 경우, 열전달 부재들(150)의 면적이 상대적으로 넓어 발열 부재(130)에서 발생된 열이 상기 웨이퍼로 과도하게 전달될 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위의 온도가 나머지 부위의 온도보다 높아 상기 웨이퍼의 온도가 균일하지 않을 수 있다.
한편, 열전달 부재들(150)은 지지부재들(120)과 동일한 높이를 가질 수 있다.
열전달 부재들(150)의 높이가 지지부재들(120)의 높이보다 낮은 경우, 지지부재들(120)에 의해 지지된 웨이퍼와 열전달 부재들(150) 사이의 갭으로 인해 열전달 부재들(150)이 상기 웨이퍼와 접촉하지 못한다. 따라서, 발열 부재(130)에서 발생된 열이 열전달 부재들(150)을 통해 상기 웨이퍼로 직접 전달되지 못한다.
열전달 부재들(150)의 높이가 지지부재들(120)의 높이보다 높은 경우, 상기 웨이퍼에서 열전달 부재들(150)에 의해 지지되지 않는 부위가 하방으로 처질 수 있다.
그러므로, 열전달 부재들(150)이 상기 웨이퍼와 접촉하고, 상기 웨이퍼의 처짐을 방지하기 위해 열전달 부재들(150)은 지지부재들(120)과 동일한 높이를 갖는 것이 바람직하다.
예를 들면, 열전달 부재들(150)의 높이는 약 5 ㎛ 내지 40 ㎛ 일 수 있다.
열전달 부재들(150)의 높이가 약 5 ㎛ 미만인 경우, 열전달 부재들(150)의 높이가 너무 낮아서 열전달 부재들(150)을 제조하기가 어렵다.
열전달 부재들(150)의 높이가 약 40 ㎛를 초과하는 경우, 열전달 부재들(150)의 높이로 인해 발열 부재(130)에서 발생된 열이 열전달 부재들(150)을 통해 상기 웨이퍼까지 전달되는 과정에서 열손실이 발생할 수 있다. 따라서, 발열 부재(130)에서 발생된 열이 상기 웨이퍼로 충분히 전달되지 않아 상기 웨이퍼가 불균일하게 가열될 수 있다.
실험예 1
핀홀과 열전달부재 사이 거리(mm) 온도 편차(℃) 온도 균일 여부
0 4.0 ~ 4.8 균일
5 2.5 ~ 3.2 균일
10 1.2 ~ 1.9 균일
15 0.9 ~ 4.8 균일
20 3.4 ~ 5.2 균일
25 6.5 ~ 9.4 불균일
표 1은 열전달 부재(150)가 원형 고리 모양을 가지고, 열 전달 부재들(150)의 상부면 면적을 약 13 ㎟ 내지 1900 ㎟ 로 유지한 상태에서 핀홀(112)과 열전달 부재(150) 사이의 거리를 0 mm에서 25mm 까지 5mm 단위로 증가시키면서 세라믹 히터를 700 ℃까지 상승하여 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위의 온도와 나머지 부위의 온도 편차를 측정한 결과이다. 상기 온도 편차가 약 8℃ 이하인 경우, 상기 웨이퍼의 온도가 균일한 것으로 판단한다.
상기 온도 편차 측정 결과, 핀홀(112)과 열전달 부재(150) 사이의 거리가 0 mm에서 20mm 인 경우 상기 웨이퍼의 온도가 균일한 것으로 측정되었고, 핀홀(112)과 열전달 부재(150) 사이의 거리가 25mm인 경우 상기 웨이퍼의 온도가 불균일한 것으로 측정되었다. 그러므로, 상기 웨이퍼의 온도를 균일하게 가열하기 위해서는 열전달 부재들(150)과 각 핀홀들(112)은 약 0 내지 20 ㎜ 만큼 이격되어야 함을 알 수 있다.
실험예 2
열전달부재 높이(㎛) 온도 편차(℃) 온도 균일 여부
40 ~ 45 8.5 ~ 11.0 불균일
39 ~ 35 7.2 ~ 7.8 균일
30 ~ 34 6.8 ~ 7.4 균일
표 2는 열전달 부재(150)가 원형 고리 모양을 가지고, 열 전달 부재들(150)의 상부면 면적을 약 13 ㎟ 내지 1900 ㎟ 로 유지한 상태에서 열전달 부재(150)의 높이를 변화시키면서 웨이퍼에서 핀홀들(112)의 상방에 위치한 부위의 온도와 나머지 부위의 온도 편차를 측정한 결과이다. 상기 온도 편차가 약 8℃ 이하인 경우, 상기 웨이퍼의 온도가 균일한 것으로 판단한다.
상기 온도 편차 측정 결과, 열전달 부재(150)의 높이가 30 내지 39 ㎛인 경우 상기 웨이퍼의 온도가 균일한 것으로 측정되었고, 열전달 부재(150)의 높이가 40 내지 45 ㎛인 경우 상기 웨이퍼의 온도가 불균일한 것으로 측정되었다. 그러므로, 상기 웨이퍼의 온도를 균일하게 가열하기 위해서는 열전달 부재들(150)의 높이는 약 40 ㎛ 미만이어야 함을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 세라믹 히터 110 : 몸체
112 : 핀홀 120 : 지지부재
130 : 발열 부재 140 : 전극 부재
150 : 열전달 부재

Claims (11)

  1. 리프트 핀의 승강을 위해 상하를 관통하는 다수의 핀홀들을 가지는 세라믹 몸체;
    상기 몸체의 내부에 구비되며, 외부로부터 인가되는 전원에 의해 열을 발생하여 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 발열 부재; 및
    상기 몸체의 상부면에서 상기 핀홀들이 구비된 부위의 둘레를 따라 구비되며, 상기 웨이퍼가 균일하게 가열되도록 상기 발열 부재에서 발생된 열을 상기 웨이퍼로 전도시키기 위한 열 전달 부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열 전달 부재들은 상기 몸체와 동일한 재질로 이루어지거나, 상기 몸체보다 높은 열전달율을 갖는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열 전달 부재들은 상기 각 핀홀들의 둘레를 따라 고리 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 열 전달 부재들은 상기 각 핀홀들의 둘레를 따라 다수개가 서로 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열 전달 부재들은 상기 각 핀홀들과 밀착되거나 상기 각 핀홀들로부터 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열 전달 부재들과 상기 각 핀홀들 사이의 이격 간격은 0 내지 20 ㎜인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  7. 제1항에 있어서, 하나의 핀홀의 둘레를 따라 구비되는 열 전달 부재의 상부면 면적은 13 ㎟ 내지 1900 ㎟ 인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 몸체의 상부면에 서로 이격되어 구비되며, 웨이퍼를 지지하기 위한 다수의 지지부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  9. 제8항에 있어서, 상기 열 전달 부재들은 상기 지지부재들과 동일한 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 열 전달 부재들의 높이는 5 ㎛ 내지 40 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  11. 제1항에 있어서, 상기 몸체의 내부에 배치되며, 외부의 접지부재와 전기적으로 연결되는 전극 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
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