KR20180103012A - 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버 - Google Patents

탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20180103012A
KR20180103012A KR1020180027064A KR20180027064A KR20180103012A KR 20180103012 A KR20180103012 A KR 20180103012A KR 1020180027064 A KR1020180027064 A KR 1020180027064A KR 20180027064 A KR20180027064 A KR 20180027064A KR 20180103012 A KR20180103012 A KR 20180103012A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
port
chamber side
rti
chamber
vacuum
Prior art date
Application number
KR1020180027064A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102576615B1 (ko
Inventor
앤드류 응우옌
요가난다 사로드 비슈와나트
수에 양 창
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180103012A publication Critical patent/KR20180103012A/ko
Priority to KR1020230116835A priority Critical patent/KR20230129366A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102576615B1 publication Critical patent/KR102576615B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

플라즈마 챔버의 탠덤 프로세싱 구역들에서 기판들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 일 예에서, 장치는 플라즈마 챔버로서 구현되며, 그 플라즈마 챔버는, 제1 프로세싱 구역을 갖는 제1 챔버 측 및 제2 프로세싱 구역을 갖는 제2 챔버 측을 갖는 챔버 바디를 포함한다. 챔버 바디는 전방 벽 및 바닥 벽을 갖는다. 제1 챔버 측 포트, 제2 챔버 측 포트, 및 진공 포트가 바닥 벽을 통해 배치된다. 진공 포트는 프로세싱 구역들 각각에 대한 배기 경로의 적어도 일부이다. 진공 하우징이 전방 벽으로부터 연장되고, 진공 포트의 제2 부분을 정의한다. 기판 지지부가 프로세싱 구역들 각각에 배치되고, 스템이 각각의 기판 지지부에 커플링된다. 각각의 스템은 챔버 측 포트를 통해 연장된다.

Description

탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버{PLASMA CHAMBER WITH TANDEM PROCESSING REGIONS}
[0001] 본원에서 설명되는 구현들은 일반적으로, 플라즈마 반도체 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 구현들은 2개의 기판들을 동시에 프로세싱하기 위해 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세싱은 일반적으로, 재료의 증착 및 기판들로부터의 재료의 제거(“에칭”)를 수반한다. 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버들은 2개의 기판들을 동시에 프로세싱할 수 있게 하기 위해 반도체 프로세싱에서 사용된다. 플라즈마 챔버는 적어도 하나의 기판을 프로세싱하기 위한 제1 챔버 측 및 제2 기판을 프로세싱하기 위한 제2 챔버 측을 포함한다. 챔버 측들은 각각, 프로세싱 구역에 배치된 이동가능 기판 지지부를 포함한다. 각각의 기판 지지부는 프로세싱 구역 내의 플라즈마 또는 다른 프로세싱 동안에 기판을 지지하는 기판 지지 표면을 포함한다. 기판 지지부는 플라즈마 챔버들의 바닥 벽에 위치된 챔버 측 포트를 통해 연장되는 스템(stem)을 더 포함한다.
[0003] 진공 포트를 통해 프로세싱 구역들 둘 모두에 커플링된 진공 펌프를 갖는 공유된 펌핑 시스템을 사용하여, 플라즈마 챔버를 부-기압 압력들(즉, 진공)로 펌프다운하는 것이 통상적이다. 진공 포트는 플라즈마 챔버의 바닥 벽에 위치되고, 프로세싱 구역들 둘 모두에 대해 개방된다. 진공 펌프는 플라즈마 챔버의 내부로부터 진공 포트를 통해 프로세싱된 부산물들을 밖으로 펌핑한다. 공유된 펌핑 시스템은 컴포넌트들 및 동작 비용을 감소시킨다.
[0004] 위에서 설명된 바와 같은 플라즈마 챔버들은, 기판당 더 낮은 비용으로 개선된 수율 및 고 처리량을 가지면서 기판 상 균일성을 달성하기 위해, 그리고 감소된 디바이스 기하형상들을 핸들링하기 위해, 전기, 무선 주파수(RF), 가스 유동, 및 열 제어를 포함하는 기판들의 프로세싱에서 진보된 기술을 증가적으로 사용한다. 전기 전력 라인들, 가스 공급 라인들, 및 제어 라인들(일괄적으로, 유틸리티 라인(utility line)들)이, 기판 지지부에서 사용되는 진보된 기술을 스템을 통해 플라즈마 챔버 외부에 위치된 가스 공급부들, 전기 공급부들, 및 제어기들에 커플링시키기 위해 사용된다. 기판 지지부에 대한 개선들은 종종, 스템의 사이즈에 의해 제한되고, 기판 지지부 내에서 부가적인 진보된 기술을 구현하기 위해 요구되는 부가적인 유틸리티 라인들을 라우팅하기 위한 공간이 이용가능하지 않다.
[0005] 따라서, 기판들을 프로세싱하기 위한 개선된 방법 및 장치가 필요하다.
[0006] 본 개시내용의 실시예들은 기판들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치를 설명한다. 일 예에서, 기판들을 프로세싱하기 위한 장치는, 제1 프로세싱 구역을 갖는 제1 챔버 측 및 제2 프로세싱 구역을 갖는 제2 챔버 측을 갖는 플라즈마 챔버 바디를 포함한다. 챔버 바디는 전방 벽, 전방 벽과 대향하는 후방 벽, 및 전방 벽과 후방 벽 사이에 연결된 바닥 벽을 포함한다. 제1 챔버 측 포트 및 제2 챔버 측 포트가 바닥 벽을 통해 배치되고, 진공 포트가 바닥 벽 상에 배치된다. 바닥 벽은 진공 포트의 제1 부분을 정의하고, 진공 포트는 제1 및 제2 프로세싱 구역들 각각을 위한 배기 경로의 적어도 일부이다. 진공 하우징이 전방 벽으로부터 연장되고, 진공 하우징은 진공 포트의 제2 부분을 정의한다. 제1 기판이 제1 프로세싱 구역에 배치된다. 제1 스템이 제1 기판 지지부에 커플링되고, 제1 스템은 제1 챔버 측 포트를 통해 연장된다. 제2 기판 지지부가 제2 기판 프로세싱 구역에 배치되고, 제2 스템이 제2 기판 지지부에 커플링된다. 제2 스템은 제2 챔버 측 포트를 통해 연장된다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 파티션 벽에 의해 분리된 제1 프로세싱 구역 및 제2 프로세싱 구역을 갖는 챔버 바디를 포함한다. 챔버 바디는 제1 및 제2 프로세싱 구역들을 한정하는 바닥 벽, 및 바닥 벽을 통해 배치된 제1 부분을 갖는 진공 포트를 갖는다. 진공 포트는 제1 및 제2 프로세싱 구역들에 유체적으로 커플링된다. 챔버 바디는 바닥 벽에 연결된 전방 벽, 및 전방 벽에 연결되고 전방 벽으로부터 외측으로 연장되는 진공 하우징을 더 포함한다. 진공 하우징은 진공 하우징에 형성된 진공 포트의 제2 부분을 갖는다.
[0008] 다른 실시예에서, 플라즈마 챔버는 프로세싱 구역에서 기판을 지지하기 위한 제1 기판 지지부를 포함한다. 제1 스템이 제1 기판 지지부에 커플링되고, 제1 스템을 통해 연장되는 제1 길이방향 축을 갖는다. 제2 기판 지지부가 프로세싱 구역에서 기판을 지지하고, 제2 스템이 기판 지지부에 커플링된다. 제2 기판 지지부는 제2 스템을 통해 연장되는 제2 길이방향 축을 갖는다. 챔버 바디는 제1 프로세싱 구역을 포함하는 제1 챔버 측 및 제2 프로세싱 구역을 포함하는 제2 챔버 측을 갖는다. 챔버 바디는 제1 챔버 측을 위한 제1 배기 경로 및 제2 챔버 측을 위한 제2 배기 경로를 정의한다. 챔버 바디는 전방 벽, 전방 벽에 연결된 바닥 벽을 포함한다. 제1 챔버 측 포트 및 제2 챔버 측 포트가 바닥 벽에 배치된다. 제1 스템은 제1 챔버 측 포트를 통해 연장되고, 제2 스템은 제2 챔버 측 포트를 통해 연장된다. 제1 챔버 측 포트 및 제2 챔버 측 포트는 제1 스템의 제1 길이방향 축 및 제2 스템의 제2 길이방향 축을 통해 연장되는 x-축을 갖는다. 진공 포트가 바닥 벽에 배치되고, 제1 챔버 측 포트와 제2 챔버 측 포트 사이에 위치된다. 진공 포트는 전방 벽 쪽에 그리고 챔버 측 포트들의 수평 축으로부터 아래에 위치된다. 제1 배기 경로는 제1 프로세싱 구역으로부터 그리고 진공 포트까지 연장되고, 제2 배기 경로는 제2 프로세싱 구역으로부터 그리고 진공 포트까지 연장된다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 구현들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 구현들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 구현들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 평면 투시도를 도시한다.
[0011] 도 2는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 개략적인 정면 단면도를 도시한다.
[0012] 도 3a는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 저면 투시도를 도시한다.
[0013] 도 3b는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 평면 투시도를 도시한다.
[0014] 도 3c는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 개략적인 저면도를 도시한다.
[0015] 도 4a는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 개략적인 평면 투시도를 도시한다.
[0016] 도 4b는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 개략적인 저면 투시도를 도시한다.
[0017] 도 4c는 일 구현에 따른 플라즈마 챔버의 챔버 바디의 개략적인 저면도를 도시한다.
[0018] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지시하기 위해 가능한 모든 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 부가적으로, 일 구현의 엘리먼트들은 본원에서 설명되는 다른 구현들에서의 활용을 위해 유리하게 적응될 수 있다.
[0019] 본원의 실시예들은 일반적으로, 단일 진공 포트를 공유하는 탠덤 프로세싱 구역들에서 다수의 기판들을 동시에 프로세싱하도록 적응된 장치를 제공한다. 장치는, 고 품질 기판 프로세싱, 고 기판 처리량, 및 감소된 시스템 풋프린트를 위해 단일 기판 프로세스 챔버들과 다 기판 핸들링의 이점들을 조합하는 플라즈마 챔버로서 구현될 수 있다. 플라즈마 챔버는, 제1 챔버 측 및 제2 챔버 측을 갖는 챔버 바디를 포함한다. 챔버 바디는 챔버 내부 구역들에서 사용되는 다수의 진보된 기술들을 핸들링하도록 적응된다.
[0020] 도 1 및 도 2는 실시예에 따른 플라즈마 챔버(100)의 정면 투시도 및 단면도를 각각 예시한다. 도 1을 참조하면, 플라즈마 챔버(100)는, 제1 챔버 측(104) 및 제2 챔버 측(106)을 갖는 챔버 바디(102)를 포함한다. 제1 및 제2 챔버 측들(104, 106) 각각은 각각의 챔버 내부 구역(110, 112)을 포함한다. 챔버 바디(102)는 내부 벽들(130, 132), 상단 벽(122), 바닥 벽(126), 측벽들(124A, 124B), 및 후방 벽(134)을 포함한다. 챔버 내부 구역들(110, 112)은 내부 벽들(130, 132)에 의해 한정된다. 기판 이송 포트들(120)이 후방 벽(134)을 통해 그리고 챔버 내부 구역들(110, 112) 내로 연장된다.
[0021] 진공 포트 하우징(182)이 챔버 바디(102)에 커플링된다. 일 예에서, 진공 포트 하우징(182)은, 제1 챔버 측(104)의 챔버 내부 구역(110)으로 인도하는 제1 서비스 포트(180A) 및 제2 챔버 측(106)의 챔버 내부 구역(11)으로 인도하는 제2 서비스 포트(180B)로부터 등거리에 배치된다. 서비스 포트들(180A, 180B)은 개방가능 커버들(미도시)을 갖고, 검사들 및 수리들을 위한 챔버 내부 구역들(110, 112)로의 접근을 가능하게 한다.
[0022] 진공 포트 하우징(182)은 하우징 측벽(184) 및 하우징 상단 벽(186)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 진공 포트 하우징(182)은 챔버 바디(102)의 전방 벽(128)과 일체형으로 형성된다. 일부 실시예들에서, 챔버 바디(102) 및 진공 포트 하우징(182)은 한 덩어리의 재료로 제작된다. 다른 실시예들에서, 진공 포트 하우징(182) 및 챔버 바디(102)는 함께 밀봉하여 체결된 또는 용접된 별개의 컴포넌트들일 수 있다. 챔버 바디(102) 및 진공 포트 하우징(182)은 알루미늄 또는 다른 금속성 재료로 제조될 수 있다. 하우징 측벽(184)은 챔버 바디(102)의 전방 벽(128)으로부터 연장된다. 일 예에서, 하우징 측벽(184)은 볼록한 또는 부분적인-원통형 형상을 갖는다. 전방 벽(128)은 챔버 바디(102)의 후방 벽(134)과 대향한다. 일부 실시예들에서, 전방 벽(128) 및 대향 후방 벽(134)은 평행하고, 예컨대, 서비스 포트들(180A, 180B) 사이의 전방 벽(128)의 섹션은 후방 벽(134)의 대향 섹션과 평행하다. 하우징 상단 벽(186)은 전방 벽(128) 및 후방 벽(134)에 수직일 수 있다. 일부 실시예들에서, 하우징 상단 벽(186)은 챔버 바디(102)의 상단 벽(122) 아래에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 진공 포트 하우징(182)은 장비를 위한 부가적인 공간을 제공하는 이익을 갖는다.
[0023] 실시예에서, 하우징 상단 벽(186)은 하우징 덮개(178)를 포함한다. 하우징 덮개(179)는 개방 및 폐쇄 위치들 사이에서 이동가능할 수 있다. 폐쇄 위치에 있는 경우에, 하우징 덮개(178)는 하우징 상단 벽(186) 내의 기밀 밀봉을 형성한다. 도 1에서 도시된 실시예에서, 하우징 덮개(178)는 덮개 o-링(172) 및 덮개 RF 개스킷(174)을 갖는다. 하우징 덮개(178)가 폐쇄 위치에 있는 경우에, 덮개 o-링(172)은 하우징 상단 벽(186) 내의 기밀 밀봉을 형성한다. 하우징 덮개(178)가 폐쇄 위치에 있는 경우에, 덮개 RF 개스킷(174)은 하우징 덮개(178)와 하우징 측벽(184) 사이에 접지를 제공한다. 개방 위치에 있는 경우에, 덮개 조립체(162)는 진공 포트 하우징(182)의 상단 개구로의 접근을 가능하게 하도록 위치된다. 이는, 도 2에서 도시된 진공 포트(192) 및 진공 밸브(194) 및 진공 펌프(196)의 검사들, 유지보수, 및 수리들이, 챔버 바디(102)의 챔버 내부 구역들(110, 112)을 통해 진공 포트(192), 진공 밸브(194), 및 진공 펌프(196)에 접근할 필요성, 또는 진공 밸브(194) 또는 진공 펌프(196)를 분해할 필요성을 피하도록 진공 포트 하우징(182)의 하우징 덮개(178)를 개방함으로써 이루어질 수 있기 때문에 유익하다.
[0024] 도 2를 참조하면, 챔버 내부 구역들(110, 112)은 프로세싱 구역들(116, 118)을 포함하고, 도 1에서 도시된 기판 이송 포트(120)는 프로세싱 구역들(116, 118)로 그리고 프로세싱 구역들(116, 118)로부터 기판들을 로봇식으로 로딩하기 위해 그리고 제거하기 위해 사용된다. 진공 포트(192)는 챔버 바디(102)의 바닥 벽(126)에 개구를 제공하고, 제1 프로세싱 구역(116)을 위한 제1 배기 경로(104A) 및 제2 프로세싱 구역(118)을 위한 제2 배기 경로(204B)의 일부이다. 진공 포트(192)는 진공 밸브(194)(예컨대, 게이트 밸브) 및 진공 펌프(196)에 커플링된다. 도 2에서 도시된 실시예에서, 진공 밸브(194)는, 진공 포트(192)를 통하는 유동을 제어하기 위해 그리고 챔버 내부 구역들(110, 112)에 대한 압력 제어를 제공하기 위해 진공 포트(192)에 대하여 수직으로 배치된 밸브 피스톤(194A)을 갖는 수직 플런저 밸브이다. 일부 실시예들에서, 진공 밸브(194)는 진공 포트 하우징(182) 내에 적어도 부분적으로 배치된 밸브 피스톤(194A)을 갖는 수직 플런저 밸브일 수 있다. 다른 실시예들에서, 상이한 타입들의 스로틀 게이트 밸브들이 진공 밸브(194)에 대해 사용될 수 있다. 일반적으로, 진공 펌프(196)는, 기판 프로세싱을 위해 요구되는 압력으로 제1 챔버 측(104) 및 제2 챔버 측(106)의 프로세싱 구역들(116, 118)을 유지하도록, 그리고 폐기 가스들 및 프로세싱 부산물들을 신속하게 제거하도록 구성된다.
[0025] 챔버 내부 구역들(110, 112) 각각은 덮개 조립체(162)에 의해 밀폐된다. 도 1은 챔버 내부 구역들(110, 112)을 도시하기 위해 덮개 조립체(162) 없이 챔버 바디(102)를 예시한다. 파티션 벽(114)이 각각의 제1 챔버 측(104) 및 제2 챔버 측(106) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 파티션 벽(114)은 상단 벽(122)으로부터 바닥 벽(126)까지 연장될 수 있다. 파티션 벽(114)은 프로세싱 구역들(116, 118)을 서로 분리한다.
[0026] 챔버 바디(102)의 챔버 내부 구역들(110, 112) 각각은, 그 챔버 내부 구역들(110, 112) 각각에 배치된 각각의 기판 지지부(136A, 136B)를 갖는다. 기판 지지부(136A, 136B)는 각각, 프로세싱 구역들(116, 118)에서 기판을 지지하도록 사이즈가 설정된다. 기판 지지부들(136A, 136B)은 스템들(140A 및 140B)에 연결된다. 기판 지지부들(136A, 136B)은 선택적으로, 각각의 길이방향 축(144A 및 144B)을 따라 회전 및/또는 수직 방향으로 이동가능하다. 기판 지지부들(136A, 136B)의 스템들(140A, 140B)은 챔버 바디(102)의 바닥 벽(126)에 위치된 챔버 측 포트들(142A, 142B)을 통해 연장된다. 일 예에서, 기판 지지부들(136A, 136B)은 프로세싱 구역들(116, 118) 내에 RF 에너지를 커플링시키기 위한 하부 전극들(150)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하부 전극들(150)은 캐소드들일 수 있다. 기판 지지부들(136A, 136B)은 선택적으로, 프로세싱 동안에 기판 지지부(136A, 136B) 상에 기판을 유지하기 위해 정전 척을 포함할 수 있다. 유틸리티 라인들(160)은 하부 전극들(150)에 대해 전력을 제공하는 전력 공급부(154)에 하부 전극들(150)을 커플링시킨다.
[0027] 플라즈마 챔버(100)는 부가적으로, 가핀 지지부들(136A, 136B)의 상승 및 하강, 기판 지지부들(136A, 136B)의 회전, 기판의 보유 및 해제, 프로세스의 종료의 검출, 내부 진단, 기판의 가열 등을 위한 시스템들을 포함할 수 있다. 그러한 시스템들은 지원 시스템들(156)로서 도 2에서 일괄적으로 도시된다. 지원 시스템들(156)은 지원 시스템들(156)에서 사용하기 위해 기판 지지부들(136A, 136B)의 스템들(140A, 140B)을 통해 연장되는 기계적 장치를 포함할 수 있다. 유틸리티 라인들(160)은, 기판 지지부들(136A, 136B) 및 지원 시스템들(156)에 전력을 제공하기 위해 기판 지지부들(136A, 136B)의 스템들(140A, 140B)을 통해 연장되는 전기 라인들 및 가스 라인들을 포함할 수 있다. 덮개 조립체(162)는 전력 공급부(166A)에 커플링된 상부 전극(164)을 포함한다. 실시예에서, 상부 전극(164)은 애노드이다. 상부 전극(164) 및 하부 전극(150)은 프로세싱 구역들(116, 118)에서 플라즈마를 생성하기 위해 사용된다. 덮개 조립체(162)는 또한, 프로세싱 구역들(116, 118)에 프로세스 가스를 제공하기 위해 가스 공급부(166B)에 커플링된 샤워헤드(170)를 포함할 수 있다.
[0028] 플라즈마 챔버(100)는, 프로세싱 구역들(116, 118) 내의 프로세싱 환경 및 하부 전극(150)을 제어하기 위해 챔버 내부 구역들(110, 112)에 위치된 일부 컴포넌트들을 가질 수 있는 제어 및 모니터링 시스템들(158) 및 다른 진보된 기술들을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 유틸리티 라인들(160)은 제어 및 모니터링 시스템들(158)에 전력을 공급하기 위해 사용될 수 있다.
[0029] 유틸리티 라인들(160)은 챔버 내부 구역들(110, 112)에 배치된 기판 지지부(136A, 136B)를 전력 공급부(154) 및 제어기(176)에 커플링시키기 위해 사용된다. 유틸리티 라인들(160)은 스템들(140A, 140B) 및 챔버 측 포트들(142A, 142B)을 통해 챔버 내부 구역들(110, 112)까지 연장되고, 그 챔버 내부 구역들(110, 112)에서, 유틸리티 라인들(160)은 기판 지지부(136A, 136B) 및 제어 및 모니터링 시스템들(158)에 커플링된다. 일부 실시예들에서의 유틸리티 라인들(160)은 가스 도관들, 센서 와이어링, 전기 공급 전도체들, 및 유체 도관들을 포함할 수 있다. 스템들(140A, 140B)은 챔버 바디(102)의 외부로부터 챔버 내부 구역들(110, 112)까지 연장되는 유틸리티 라인들(160)을 수용하도록 사이즈가 설정된다. 챔버 측 포트들(142A, 142B)은 챔버 측 포트들(142A, 142B)을 통해 연장되는 스템들(140A, 140B)의 부분을 수용하도록 사이즈가 설정된다.
[0030] 도 2에서 도시된 바와 같이, 제1 챔버 측(104)을 위한 배기 경로(204A)는 챔버 내부 구역(110)을 통해 연장되고, 제1 챔버 측(104)의 프로세싱 구역(116)으로부터 내부 벽 개구(200A)를 통해 그리고 진공 포트(192)를 통해 연장된다. 도 2에서 도시된 바와 같은 그리고 화살표들에 의해 예시된, 제2 챔버 측(106)을 위한 배기 경로(204B)는 챔버 내부 구역(112)을 통해 연장되고, 제2 챔버 측(106)의 프로세싱 구역(118)으로부터 내부 벽 개구(200B)를 통해 그리고 진공 포트(192)를 통해 연장된다. 파티션 벽(114)은 제1 프로세싱 구역(116)과 제2 프로세싱 구역(118) 사이에 배치되어, 제1 프로세싱 구역(116)을 위한 제1 배기 경로(204A)의 적어도 일부를 제2 프로세싱 구역(118)을 위한 제2 배기 경로(204B)로부터 분리한다. 일부 실시예들에서, 파티션 벽(114)은 진공 포트(192)까지 연장되지 않을 수 있고, 배기 경로(204A, 204B)는 내부 벽 개구들(200A, 200B)을 통과하고, 파티션 벽(114)에 의해 분리되지 않으면서 진공 포트(192) 내로 통과할 것이다.
[0031] 도 3a 및 도 3b는 플라즈마 챔버(100)의 챔버 바디(102)의 저면 투시도 및 평면 투시도를 각각 예시한다. 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)는 바닥 벽(126)을 통해 연장된다. 바닥 벽(126) 내의 진공 포트(192)는 챔버 내부 구역들(110, 112)에 커플링된다. 파티션 벽(114)은 챔버 내부 구역(110, 112)으로부터 진공 포트 하우징(182)의 하우징 측벽(184)까지 연장된다. 진공 포트 하우징(182) 내의 파티션 벽(114), 하우징 측벽(184), 및 하우징 상단 벽(186)은 제1 진공 하우징 챔버(188A) 및 제2 진공 하우징 챔버(188B)를 형성한다. 파티션 벽(114)은 진공 하우징 챔버들(188A, 188B)을 분리하기 위해 챔버 바디(102)의 바닥 벽(126)으로부터 진공 포트 하우징(182)의 하우징 상단 벽(186)까지 연장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 파티션 벽(114)은 진공 포트 하우징(182) 내로 연장되지 않을 것이다. 전방 벽(128) 상의 진공 포트 하우징(182)의 하우징 상단 벽(186)의 수직 포지션은 진공 포트 하우징(182)의 원하는 형상 및 볼륨에 따라 변화될 수 있다. 일부 실시예들에서, 바닥 벽(126)은 볼트들 또는 다른 파스너들로 챔버 바디(102)에 부착가능한 별개의 컴포넌트일 수 있다. 바닥 벽(126)은 진공 밀봉을 위한 o-링들 및 바닥 벽(126)과 챔버 바디(102) 사이의 접지를 위한 RF 개스킷들을 포함할 수 있다. 분리가능한 바닥 벽(126)은 다수의 바닥 벽들(126)을 가능하게 하며, 각각의 상이한 바닥 벽(126)은 바닥 벽(126) 내의 진공 포트(192), 제1 챔버 측 포트(142A), 및 제2 챔버 측 포트(142B) 사이의 상이한 간격, 및 그 진공 포트(192), 제1 챔버 측 포트(142A), 및 제2 챔버 측 포트(142B)의 상이한 사이즈들을 갖는다. 챔버 바디(102)는 상이한 동작 파라미터들을 만족시키기 위해 바닥 벽(126)을 변화시킴으로써 커스터마이징될 수 있다.
[0032] 일부 실시예들에서, 챔버 측들(104, 106)의 제1 내부 벽(130) 및 제2 내부 벽(132)은 각각, 바닥 벽(126)으로부터 수직 상방으로 연장되고 진공 포트(192) 및 진공 포트 하우징(182)까지 이어지는 내부 벽 개구(200A, 200B)를 갖는다. 제1 챔버 측(104)을 위한 내부 벽 개구(200A)를 통해 유동하는 배기 경로(204A)가 도 3b에서 도시된다. 내부 벽 개구들(200A, 200B)은 제1 챔버 측(104) 및 제2 챔버 측(106)을 위한 배기 경로(204A, 204B)의 일부를 형성한다. 도 3a 및 도 3b에서 예시된 바와 같이, 제1 진공 하우징 챔버(188A) 및 제2 진공 하우징 챔버(188B)는 각각, 배기 경로(204A 및 204B)의 각각의 부분이다.
[0033] 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 진공 포트 하우징(182)의 하우징 측벽(184)의 적어도 일부는 챔버 바디(102)의 전방 벽(128)으로부터 외측으로 연장된다. 하우징 측벽(184) 및 바닥 벽(126)은, 진공 포트(192)를 둘러싸고 챔버 내부 구역들(110, 112)로부터 챔버 바디(102)의 외부까지 이어지는 둘레를 정의한다. 도 3c에서 예시된 바와 같이, 바닥 벽(126)은 진공 포트(192)의 제1 부분(192A)을 정의하고, 진공 포트 하우징(182)은, 전방 벽(128), 및 진공 포트(192)에 인접한 바닥 벽(126)의 둘레로부터 외측으로 연장되는 진공 포트(192)의 제2 부분(192B)을 정의한다. 도 3c에서, 바닥 벽(126)의 둘레는 파선(195)에 의해 예시된다.
[0034] 도 3c는 실시예들에 따른 플라즈마 챔버(100)의 챔버 바디(102)의 성질적인(qualitative) 저면도를 예시한다. 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)는 후방 벽(134)과 전방 벽(128) 사이에 대칭적으로 위치된다. X-축(210)은 제1 챔버 측 포트(142A)의 중심(206A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)의 중심(206B)을 통해 연장된다. 일부 실시예들에서, x-축은, 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)가 대칭적으로 위치되도록, 후방 벽(134)과 전방 벽(128) 사이의 중간에 배치된 중심선이다. 다른 실시예들의 경우에, 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)는 후방 벽(134)과 전방 벽(128) 사이에 비대칭적으로 위치될 수 있고, x-축(210)은 후방 벽(134)과 전방 벽(128) 사이의 중심선이 아니다.
[0035] 일부 실시예들에서, 제1 y-축(208A)은 중심(206A)을 통해 연장되고, 제2 y-축(208B)은 중심(206B)을 통해 연장되고, 이들 둘 모두는 x-축(210)에 수직이다. 도 2에서 도시된 바와 같은 스템들(140A, 140B)에 대응하는 길이방향 축(144A, 144B)은 중심들(206A, 206B)을 통해 연장될 수 있다. 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 중심들(206A, 206B)은 챔버 바디(102)의 후방 벽(134)으로부터 선택된 수직 거리에 위치되고, 그 선택된 수직 거리는, 기판 이송 포트들(120)을 통해 프로세싱 구역들(116, 118) 내의 로딩 위치 내로 기판들을 로딩하기 위해 사용되는 기판 로딩 장비에 의해 제공되는 기판 로딩 위치에 대응한다. 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 중심들(206A, 206B)과 후방 벽(134) 사이의 거리는 Y-r로서 표현된다.
[0036] 실시예에서, 진공 포트(192)는 제1 챔버 측 포트(142A)의 제1 y-축(208A)과 제2 챔버 측 포트(142B)의 제2 y-축(208B) 사이에 배치된다. 진공 포트(192)는 챔버 바디(102)의 전방 벽(128) 쪽으로 x-축(210)으로부터 완전히 아래에 배치된다. 진공 포트(192)가 x-축(210)으로부터 아래에 있는 거리는 라인(212) 및 Y-p에 의해 표현된다. 진공 포트(192)의 둘레는 x-축(210)으로부터 완전히 아래에 있다. X-축(210)으로부터 완전히 아래에 그리고 전방 벽(128) 쪽에 진공 포트(192)를 위치시키는 것의 이익은, 바닥 벽(126)의 구조적 무결성을 제공하면서 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)의 사이즈가 증가될 수 있다는 것이다. 구조적 무결성은 챔버 바디(102)의 바닥 벽(126) 상의 진공력들을 견디기 위해 요구되고, 챔버 측 포트들(142A, 142B)과 진공 포트(192) 사이의 선택된 분리를 유지함으로써 개선된다.
[0037] 도 1 및 도 3a 내지 도 3c에서 도시된 실시예들에서, 진공 포트(192)의 적어도 일부는 챔버 바디(102)의 전방 벽(128)을 넘어서 연장되고, 진공 포트 하우징(182)에 상주한다. 실시예에서, 진공 포트(192)의 표면적의 50 퍼센트는 전방 벽(128)으로부터 연장되고, 진공 하우징 챔버들(188A, 188B)까지 수직으로 이어지며, 진공 포트(192)의 표면적의 다른 50 퍼센트는 바닥 벽(126)에 의해 정의된다. 다른 실시예들에서, 진공 포트(192)의 표면적의 50 퍼센트 초과가 전방 벽(128)을 넘어서 연장된다. 진공 포트(192)의 증가된 부분들이 전방 벽(128)을 넘어서 연장됨에 따라, 제1 챔버 측 포트(142A), 제2 챔버 측 포트(142B), 및 진공 포트(192)를 위해 바닥 벽(126) 상에서 이용가능한 이용가능 표면적이 증가된다. 이는, 챔버 측 포트들(142A, 142B) 및 스템(140A, 140B)을 통해 라우팅되는 유틸리티 라인들(160)의 사이즈 및 수가 증가될 수 있도록, 증가된 표면적이 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트의 표면적 및 직경을 증가시키기 위해 사용될 수 있기 때문에, 유익하다.
[0038] 도 4a 및 도 4b는 다른 실시예에 따른 챔버 바디(302)의 평면 투시도 및 저면 투시도를 각각 예시한다. 진공 포트(192)는, 도 1 및 도 3a 내지 도 3c에서 도시된 챔버 바디(102) 실시예의 진공 포트(192)와 비교하여 상이한 위치에서 챔버 바디(302) 상에 배치된다. 더 구체적으로, 도 4a 내지 도 4c에서 도시된 진공 포트(192)는 전방 벽(128)에 인접하게 바닥 벽(126)에 배치된다. 진공 포트(192)는 바닥 벽(126)의 둘레 내에 배치되고, 전방 벽(128) 내에서 챔버 내부 구역들(110, 112) 내로 개방된다.
[0039] 도 4c는 실시예들에 따른 플라즈마 챔버(100)의 챔버 바디(302)의 성질적인 저면도를 예시한다. 도 4c에서 개시된 실시예에서, 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)는 후방 벽(134)과 전방 벽(128) 사이에 비대칭적으로 위치된다. 더 구체적으로, 챔버 측 포트들(142A, 142B)은 전방 벽(128)보다 후방 벽(134)에 더 근접하다. 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 위치는, 프로세싱 구역들(116, 118)에서 챔버 바디(302)의 후방 벽(134)으로부터 선택된 거리에 기판들을 로딩하기 위해 사용되는 장비에 대응한다. 다른 실시예들에서, 챔버 측 포트들(142A, 142B)은 후방 벽(134)과 전방 벽(128) 사이에 대칭적으로 위치될 수 있다. x-축(210)은 제1 챔버 측 포트(142A)의 중심(206A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)의 중심(206B)을 통해 연장된다. x-축(210)은 정방 벽(128) 및 후방 벽(134)과 평행할 수 있다.
[0040] 실시예에서, 진공 포트(192)는 제1 챔버 측 포트(142A)의 제1 y-축(208A)과 제2 챔버 측 포트(142B)의 제2 y-축(208B) 사이에 배치된다. 진공 포트(192)는, 진공 포트(192)가 챔버 바디(102)의 전방 벽(128) 쪽에 배치되도록, x-축(210)으로부터 완전히 아래에 배치된다. 진공 포트(192)가 x-축(210)으로부터 아래에 있는 거리는 Y-p에 의해 표현되고, 진공 포트(192)의 둘레(220)는 x-축(210)으로부터 아래에 있다. 진공 포트(192)를 x-축(210)으로부터 완전히 아래로 이동시킴으로써, 챔버 측 포트들(142A, 142B)과 진공 포트(192) 사이의 수직 축(224)을 따르는 수직 분리가 증가되고, 그 수직 분리는 도 4c에서 Y-p로서 도시된다. 이러한 수직 분리(Y-p)는, 바닥 벽(126)의 구조적 무결성을 유지하기 위해 챔버 측 포트들(142A, 142B)과 진공 포트(192) 사이에 적절한 간격을 유지하는 한편, 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 표면적이 서로 또는 진공 포트(192)와 중첩되지 않으면서 증가될 수 있게 한다.
[0041] 도 4c에서 도시된 바와 같이, 수직 축(224), 제1 둘레 축(226A), 및 제2 둘레 축(226B)은 전방 벽(128)으로부터 후방 벽(134)까지 연장되고, 평행하다. 수직 축(224)은 진공 포트(192)의 중심(216)을 통해 연장된다. 수직 축(224)과 제1 둘레 축(226A) 사이의 거리는 X-P1로 지정되고, 일부 실시예들에서, 진공 포트(192)의 반경일 수 있다. 수직 축(224)과 제2 둘레 축(226B) 사이의 거리는 X-P2로 지정되고, 일부 실시예들에서, 진공 포트(192)의 반경일 수 있다. 도 4c에서 도시된 바와 같이, 제1 챔버 측 포트(142A)의 둘레(230A)는 제1 둘레 축(226A)을 넘어 연장되고, 제2 챔버 측 포트(142B)의 둘레(230B)는 제2 둘레 축(226B)을 넘어 연장된다. 제1 챔버 측 포트(142A) 및 제2 챔버 측 포트(142B)는 도 4c에서 X-C로서 도시된 챔버 포트 분리 거리에 의해 분리된다. 챔버 포트 분리 거리는 둘레(230A)와 둘레(230B) 사이의 거리이다. 진공 포트 둘레 거리는 제1 둘레 축(226A)과 제2 둘레 축(226B) 사이의 거리이다. 진공 포트 둘레 거리는 도 4c에서 X-P1 + X-P2인 것으로 도시되고, 일부 실시예들에서, 진공 포트(192)의 직경일 수 있다. 챔버 포트 분리 거리는 진공 포트 둘레 거리보다 더 작다. 진공 포트 둘레 거리보다 더 작은 챔버 포트 분래 거리를 가짐으로써, 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 표면적들이 증가될 수 있다. 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 증가된 사이즈는 더 큰 스템들(140A, 140B)이 챔버 측 포트들(142A, 142B)을 통해 연장될 수 있게 한다.
[0042] 챔버 측 포트들(142A, 142B)을 전방 벽(128)보다 후방 벽(134)에 더 근접하게 이동시킴으로써, 그리고 진공 포트(192)를 x-축(210)으로부터 완전히 아래로 시프팅함으로써, 챔버 측 포트들(142A, 142B)과 진공 펌프(196) 사이의 수직 축(224)을 따르는 수직 분리가 증가되고, 이는 도 4c 상에서 Y-p로서 도시된다. 이러한 수직 분리(Y-p)는, 바닥 벽(134)의 구조적 무결성을 유지하기 위해 챔버 측 포트들(142A, 142B)과 진공 포트(192) 사이에 적절한 간격을 유지하는 한편, 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 표면적이 서로 또는 진공 포트(192)와 중첩되지 않으면서 증가될 수 있게 한다. 바닥 벽(134)의 구조적 강도는 동작 동안의 진공 압력들을 포함하는, 바닥 벽 상의 응력들을 견디기 위해 요구된다.
[0043] 도 2에서 도시되고 이전에 논의된 바와 같이, 다수의 유틸리티 라인들(160) 및 지원 시스템들(156)이, 기판들을 프로세싱하기 위한 원하는 프로세싱 환경을 달성하기 위해, 스템들(140A, 140B)을 통해 챔버 바디(302)의 챔버 내부 구역들(110, 112) 내로 연장된다. 스템들(140A, 140B) 및 챔버 측 포트들(142A, 142B)을 통해 연장되도록 요구되는 부가적인 유틸리티 라인들(160) 및 장비를 핸들링하기 위해 적응가능한 챔버 바디(302)를 갖는 것은 더 양호한 프로세스 제어 및 개선된 프로세싱 결과들에 대해 유익하다. 이는 더 큰 직경들 및 사이즈들을 갖는 스템들(140A, 140B)을 수용하도록 챔버 측 포트들(142A, 142B)의 사이즈 및 직경을 증가시킴으로써 달성된다.
[0044] 부가하여, 설명되는 실시예들에서, 진공 펌프(196)로의 접근로 및 진공 포트(192)의 사이즈가 증가될 수 있다. 이는, 진공 포트(192)의 진공 포트 직경 및 사이즈를 증가시키는 것이, 더 적은 전력 부족 및 덜 고가인 진공 펌프들(196)로, 더 양호한 진공 생성을 가능하게 하기 때문에 유익하다. 설명되는 실시예들은 또한, 더 큰 진공 펌프들(196)이 사용될 수 있게 하는데, 이는 챔버 측 포트들(142A, 142B)로부터의 진공 포트(192)의 부가적인 간격으로 인한 것이다. 더 큰 진공 펌프들(196)은 프로세싱 구역들(116, 118)에서 더 높은 진공들이 유지될 수 있게 하고, 이는 수행될 수 있는 프로세스들의 수 및 타입들을 유리하게 증가시킨다.
[0045] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    제1 프로세싱 구역을 갖는 제1 챔버 측 및 제2 프로세싱 구역을 갖는 제2 챔버 측을 갖는 챔버 바디;
    상기 제1 프로세싱 구역에 배치된 제1 기판 지지부 및 상기 제1 기판 지지부에 커플링된 제1 스템(stem); 및
    상기 제2 프로세싱 구역에 배치된 제2 기판 지지부 및 상기 제2 기판 지지부에 커플링된 제2 스템
    을 포함하며,
    상기 챔버 바디는,
    전방 벽, 상기 전방 벽과 대향하는 후방 벽, 및 상기 전방 벽과 상기 후방 벽 사이에 연결된 바닥 벽;
    상기 바닥 벽을 통해 배치된 제1 챔버 측 포트 및 제2 챔버 측 포트;
    상기 바닥 벽을 통해 배치된 진공 포트 ― 상기 바닥 벽은 상기 진공 포트의 제1 부분을 정의하고, 상기 진공 포트는 프로세싱 구역들 각각을 위한 배기 경로의 적어도 일부임 ―; 및
    상기 전방 벽으로부터 연장되는 진공 하우징
    을 포함하고,
    상기 진공 하우징은 상기 진공 포트의 제2 부분을 정의하고,
    상기 제1 스템은 상기 제1 챔버 측 포트를 통해 연장되고,
    상기 제2 스템은 상기 제2 챔버 측 포트를 통해 연장되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 바디는 상기 제1 프로세싱 구역과 상기 제2 프로세싱 구역 사이에 배치된 파티션 벽을 포함하고, 상기 파티션 벽은 상기 프로세싱 구역들 각각을 위한 배기 경로들을 분리하고, 상기 파티션의 적어도 일부는 상기 진공 하우징에 배치되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기판 지지부는 상기 제1 스템을 통해 연장되는 제1 길이방향 축을 갖고, 상기 제2 기판 지지부는 상기 제2 스템을 통해 연장되는 제2 길이방향 축을 가지며, 상기 진공 포트는 상기 제1 챔버 측 포트와 상기 제2 챔버 측 포트 사이에 위치되고, 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트는 상기 제1 스템의 제1 길이방향 축 및 상기 제2 스템의 제2 길이방향 축을 통해 연장되는 x-축을 갖고, 상기 진공 포트는 상기 전방 벽 쪽에 그리고 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트의 x-축으로부터 완전히 아래에 위치되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 전방 벽은 상기 제1 챔버 측 내의 상기 제1 프로세싱 구역으로의 제1 서비스 포트, 및 상기 제2 챔버 측 내의 상기 제2 프로세싱 구역으로의 제2 서비스 포트를 가지며, 상기 진공 포트는 상기 제1 서비스 포트와 상기 제2 서비스 포트 사이에 배치되고, 상기 전방 벽 및 상기 대향하는 후방 벽은 상기 제1 서비스 포트와 상기 제2 서비스 포트 사이에서 평행한,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 진공 하우징은 개방 위치와 폐쇄 위치 사이에서 이동가능한 덮개 조립체를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  6. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    파티션 벽에 의해 분리된 제1 프로세싱 구역 및 제2 프로세싱 구역을 갖는 챔버 바디를 포함하며,
    상기 챔버 바디는,
    상기 제1 프로세싱 구역 및 상기 제2 프로세싱 구역을 한정하는 바닥 벽;
    상기 바닥 벽을 통해 배치된 제1 부분을 갖는 진공 포트 ― 상기 진공 포트는 상기 제1 프로세싱 구역 및 상기 제2 프로세싱 구역에 유체적으로 커플링됨 ―;
    상기 바닥 벽에 연결된 전방 벽; 및
    상기 전방 벽에 연결되고, 상기 전방 벽으로부터 외측으로 연장되는 진공 하우징
    을 포함하고,
    상기 진공 하우징은 상기 진공 하우징에 형성된 상기 진공 포트의 제2 부분을 갖는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 바닥 벽은 상기 진공 포트에 인접한 둘레를 갖고, 상기 진공 포트는 상기 바닥 벽을 통해 연장되는 표면적을 갖고, 상기 진공 포트의 표면적의 적어도 50 퍼센트는 상기 진공 포트에 인접한 상기 바닥 벽의 둘레로부터 외측으로 연장되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 챔버 바디는,
    상기 전방 벽과 대향하고, 그리고 상기 제1 프로세싱 구역에 기판을 로딩하기 위한 제1 기판 이송 포트 및 상기 제2 프로세싱 구역에 기판을 로딩하기 위한 제2 기판 이송 포트를 갖는 후방 벽을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 진공 하우징은,
    개방 위치와 폐쇄 위치 사이에서 이동가능한 덮개 조립체를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 진공 하우징 및 상기 챔버 바디는 한 덩어리(single mass)의 재료로 제작되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 바닥 벽을 통해 배치된 제1 챔버 측 포트를 통해 제1 길이방향 축이 연장되고, 상기 바닥 벽을 통해 배치된 제2 챔버 측 포트를 통해 제2 길이방향 축이 연장되며, 상기 진공 포트는 상기 제1 챔버 측 포트와 상기 제2 챔버 측 포트 사이에 위치되고, 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트는 상기 제1 길이방향 축 및 상기 제2 길이방향 축을 통해 연장되는 x-축을 갖고, 상기 진공 포트는 상기 전방 벽 쪽에 그리고 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트의 x-축으로부터 완전히 아래에 위치되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  12. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    제1 프로세싱 구역에서 기판을 지지하기 위한 제1 기판 지지부 및 상기 제1 기판 지지부에 커플링된 제1 스템 ― 상기 제1 기판 지지부는 상기 제1 스템을 통해 연장되는 제1 길이방향 축을 가짐 ―;
    제2 프로세싱 구역에서 기판을 지지하기 위한 제2 기판 지지부 및 상기 제2 기판 지지부에 커플링된 제2 스템 ― 상기 제2 기판 지지부는 상기 제2 스템을 통해 연장되는 제2 길이방향 축을 가짐 ―; 및
    상기 제1 프로세싱 구역을 포함하는 제1 챔버 측 및 상기 제2 프로세싱 구역을 포함하는 제2 챔버 측을 갖는 챔버 바디
    를 포함하며,
    상기 챔버 바디는 상기 제1 챔버 측을 위한 제1 배기 경로 및 상기 제2 챔버 측을 위한 제2 배개 경로를 정의하고,
    상기 챔버 바디는,
    전방 벽;
    상기 전방 벽에 연결된 바닥 벽;
    상기 바닥 벽에 배치된 제1 챔버 측 포트 및 제2 챔버 측 포트 ― 상기 제1 스템은 상기 제1 챔버 측 포트를 통해 연장되고, 상기 제2 스템은 상기 제2 챔버 측 포트를 통해 연장되고, 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트는 상기 제1 스템의 제1 길이방향 축 및 상기 제2 스템의 제2 길이방향 축을 통해 연장되는 x-축을 가짐 ―; 및
    상기 바닥 벽에 배치된 진공 포트
    를 포함하고,
    상기 진공 포트는 상기 제1 챔버 측 포트와 상기 제2 챔버 측 포트 사이에 위치되고, 상기 진공 포트는 상기 전방 벽 쪽에 그리고 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트의 x-축으로부터 완전히 아래에 위치되고,
    상기 제1 배기 경로는 상기 제1 프로세싱 구역으로부터 그리고 상기 진공 포트까지 연장되고,
    상기 제2 배기 경로는 상기 제2 프로세싱 구역으로부터 그리고 상기 진공 포트까지 연장되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 진공 포트는 진공 포트 직경을 포함하며, 상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트는 챔버 포트 분리 거리에 의해 분리되고, 상기 진공 포트 직경은 상기 챔버 포트 분리 거리보다 더 큰,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 챔버 바디는,
    상기 전방 벽과 대향하는 후방 벽을 더 포함하며, 상기 제1 챔버 측 포트는 상기 전방 벽보다 상기 후방 벽에 더 근접한,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 챔버 측 포트 및 상기 제2 챔버 측 포트는 상기 전방 벽과 상기 후방 벽 사이에서 비대칭적으로 정렬되고, 상기 x-축은 상기 전방 벽 및 상기 후방 벽과 평행한,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
KR1020180027064A 2017-03-08 2018-03-07 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버 KR102576615B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230116835A KR20230129366A (ko) 2017-03-08 2023-09-04 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/453,868 2017-03-08
US15/453,868 US10381200B2 (en) 2017-03-08 2017-03-08 Plasma chamber with tandem processing regions

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230116835A Division KR20230129366A (ko) 2017-03-08 2023-09-04 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180103012A true KR20180103012A (ko) 2018-09-18
KR102576615B1 KR102576615B1 (ko) 2023-09-07

Family

ID=63445052

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180027064A KR102576615B1 (ko) 2017-03-08 2018-03-07 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버
KR1020230116835A KR20230129366A (ko) 2017-03-08 2023-09-04 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230116835A KR20230129366A (ko) 2017-03-08 2023-09-04 탠덤 프로세싱 구역들을 갖는 플라즈마 챔버

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10381200B2 (ko)
JP (2) JP7114270B2 (ko)
KR (2) KR102576615B1 (ko)
CN (3) CN209298062U (ko)
TW (2) TWI796030B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210158437A (ko) * 2019-05-28 2021-12-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인라인 마이크로파 배치 탈기 챔버

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102477302B1 (ko) 2015-10-05 2022-12-13 주성엔지니어링(주) 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법
US10381200B2 (en) * 2017-03-08 2019-08-13 Applied Materials, Inc. Plasma chamber with tandem processing regions
CN112216586B (zh) * 2019-07-12 2023-03-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备
JP7407645B2 (ja) * 2020-04-03 2024-01-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050247265A1 (en) * 2004-04-21 2005-11-10 Devine Daniel J Multi-workpiece processing chamber
JP2011529136A (ja) * 2008-07-23 2011-12-01 ニュー パワー プラズマ カンパニー，リミティッド 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6152070A (en) 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
KR100887014B1 (ko) * 2000-11-01 2009-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 확대된 프로세스 윈도우를 갖는 유전체 에칭 챔버
US6962644B2 (en) 2002-03-18 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Tandem etch chamber plasma processing system
US8366829B2 (en) 2005-08-05 2013-02-05 Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia Multi-station decoupled reactive ion etch chamber
CN100452945C (zh) 2007-06-20 2009-01-14 中微半导体设备(上海)有限公司 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室
KR100826502B1 (ko) 2006-09-18 2008-05-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US20090206056A1 (en) 2008-02-14 2009-08-20 Songlin Xu Method and Apparatus for Plasma Process Performance Matching in Multiple Wafer Chambers
US8022377B2 (en) 2008-04-22 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for excimer curing
US8617347B2 (en) 2009-08-06 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
CN103109357B (zh) * 2010-10-19 2016-08-24 应用材料公司 用于紫外线纳米固化腔室的石英喷洒器
US9490152B2 (en) 2012-05-29 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Asymmetrical chamber configuration
US11333246B2 (en) 2015-01-26 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology
JP7017306B2 (ja) 2016-11-29 2022-02-08 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
US10381200B2 (en) * 2017-03-08 2019-08-13 Applied Materials, Inc. Plasma chamber with tandem processing regions

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050247265A1 (en) * 2004-04-21 2005-11-10 Devine Daniel J Multi-workpiece processing chamber
JP2011529136A (ja) * 2008-07-23 2011-12-01 ニュー パワー プラズマ カンパニー，リミティッド 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210158437A (ko) * 2019-05-28 2021-12-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인라인 마이크로파 배치 탈기 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
US10847351B2 (en) 2020-11-24
TWI796030B (zh) 2023-03-11
JP7467541B2 (ja) 2024-04-15
TW202213509A (zh) 2022-04-01
KR102576615B1 (ko) 2023-09-07
CN108573849B (zh) 2023-02-28
TW201834550A (zh) 2018-09-16
US10381200B2 (en) 2019-08-13
TWI749184B (zh) 2021-12-11
US20190341236A1 (en) 2019-11-07
JP2018148207A (ja) 2018-09-20
JP2022169524A (ja) 2022-11-09
CN209298062U (zh) 2019-08-23
CN115863136A (zh) 2023-03-28
JP7114270B2 (ja) 2022-08-08
CN108573849A (zh) 2018-09-25
KR20230129366A (ko) 2023-09-08
US20180261436A1 (en) 2018-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7467541B2 (ja) タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ
KR102299994B1 (ko) 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
CN1121057C (zh) 真空处理室的通用壳体
EP0698915B1 (en) Compartmentalized substrate processing chamber
US8840725B2 (en) Chamber with uniform flow and plasma distribution
KR19980080903A (ko) 유지보수동안 진공을 보존하는 격리밸브를 가진 챔버
US9145611B2 (en) Load lock chamber with slit valve doors
US12049961B2 (en) Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology
KR20190142255A (ko) 플라즈마 에칭 챔버에서 오염을 감소시키기 위한 장치
KR20220047655A (ko) 프로세스 챔버를 위한 고 전도도 하부 차폐부
KR20100108364A (ko) 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버
US20160326648A1 (en) Apparatus for selectively sealing a gas feedthrough
KR20220050218A (ko) 프로세스 챔버를 위한 고 전도도 내부 차폐부
JP2005536890A (ja) 体積削減式プラズマ反応器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant