TW201834550A - 具有串接處理區域的電漿腔室 - Google Patents

Abstract

本文提供了用於在電漿腔室的串接處理區域中處理基板的方法和設備。在一個實例中，設備經體現為電漿腔室，電漿腔室包括具有第一腔室側部和第二腔室側部的腔室主體，第一腔室側部具有第一處理區域，第二腔室側部具有第二處理區域。腔室主體具有前壁和底壁。第一腔室側部埠、第二腔室側部埠和真空埠穿過底壁設置。真空埠是用於處理區域中的每一者的排氣路徑的至少部分。真空殼體從前壁延伸，並且界定真空埠的第二部分。基板支撐件設置在處理區域中的每一者中，並且桿耦接到每個基板支撐件。每個桿延伸穿過腔室側部埠。

Description

具有串接處理區域的電漿腔室

本文所述的實施方式一般關於電漿半導體基板處理系統。更具體地，實施方式係關於具有用於同時處理兩個基板的串接處理區域的電漿腔室。

半導體處理一般涉及材料沉積和將材料從基板移除（「蝕刻」）。具有串接處理區域的電漿腔室在半導體處理中用來允許同時處理兩個基板。電漿腔室包括用於處理至少一個基板的第一腔室側部和用於處理第二基板的第二腔室側部。腔室側部每一者包括設置在處理區域中的可移動基板支撐件。每個基板支撐件包括在處理區域內的電漿或其他處理期間支撐基板的基板支撐件表面。基板支撐件進一步包括延伸穿過位於電漿腔室的底壁中的腔室側部埠的桿。

習知使用具有經由真空埠耦接到兩個處理區域的真空泵的共用泵送系統將電漿腔室抽氣至低於大氣壓力（亦即，真空）。真空埠位於電漿腔室的底壁中並且通向兩個處理區域。真空泵將處理的副產物從電漿腔室內部穿過真空埠泵送出。共用泵送系統減少部件和操作成本。

電漿腔室（諸如上述）在基板處理中越來越多地使用先進技術（包括電、射頻（RF）、氣流和熱控制）來處置經減小的裝置幾何形狀並且實現基板均勻性，從而具有改良的良率和高生產量而每個基板的成本較低。電力線、供氣線和控制線（統稱功用線）用於將基板支撐件中使用的先進技術經由桿耦接到氣源、電源和位於電漿腔室外的控制器。對基板支撐件的改良通常受限於桿大小，並且在基板支撐件內沒有可用於鋪設實現額外先進技術需要的額外功用線的空間。

由此，需要用於處理基板的改良的方法和設備。

本揭示的實施例描述了一種用於處理基板的方法和設備。在一個實例中，一種用於處理基板的設備包括具有第一腔室側部和第二腔室側部的電漿腔室主體，第一腔室側部具有第一處理區域，第二腔室側部具有第二處理區域。腔室主體包括前壁、與前壁相對的後壁、和連接在前壁與後壁之間的底壁。第一腔室側部埠和第二腔室側部埠穿過底壁設置，並且真空埠設置在底壁上。底壁界定真空埠的第一部分，並且真空埠是用於第一處理區域和第二處理區域中的每一者的排氣路徑的至少部分。真空殼體從前壁延伸，並且真空殼體界定真空埠的第二部分。第一基板設置在第一處理區域中。第一桿耦接到第一基板支撐件，並且第一桿延伸穿過第一腔室側部埠。第二基板支撐件設置在第二處理區域中，並且第二桿耦接到第二基板支撐件。第二桿延伸穿過第二腔室側部埠。

在另一實施例中，一種用於處理基板的設備包括腔室主體，腔室主體具有由隔壁分開的第一處理區域和第二處理區域。腔室主體具有底壁和真空埠，底壁為第一處理區域和第二處理區域定界，真空埠具有穿過底壁設置的第一部分。真空埠流體地耦接到第一處理區域和第二處理區域。腔室主體進一步包括前壁和真空殼體，前壁連接到底壁，真空殼體連接到前壁並且從前壁向外延伸。真空殼體具有形成在真空殼體中的真空埠的第二部分。

在另一實施例中，一種電漿腔室包括第一基板支撐件，第一基板支撐件用於在處理區域中支撐基板。第一桿耦接到第一基板支撐件，並且具有延伸穿過第一桿的第一縱向軸線。第二基板支撐件在處理區域中支撐基板，並且第二桿耦接到基板支撐件。第二基板支撐件具有延伸穿過第二桿的第二縱向軸線。腔室主體具有第一腔室側部和第二腔室側部，第一腔室側部包括第一處理區域，第二腔室側部包括第二處理區域。腔室主體界定用於第一腔室側部的第一排氣路徑和用於第二腔室側部的第二排氣路徑。腔室主體包括前壁、連接到前壁的底壁。第一腔室側部埠和第二腔室側部埠設置在底壁中。第一桿延伸穿過第一腔室側部埠，並且第二桿延伸穿過第二腔室側部埠。第一腔室側部埠和第二腔室側部埠具有延伸穿過第一桿的第一縱向軸線和第二桿的第二縱向軸線的x軸。真空埠設置在底壁中，並且定位在第一腔室側部埠與第二腔室側部埠之間。真空埠朝向前壁定位並在腔室側部埠的水平軸線下方。第一排氣路徑從第一處理區域延伸並延伸到真空埠，並且第二排氣路徑從第二處理區域延伸並延伸到真空埠。

本文中的實施例一般提供了適於在共用單個真空埠的串接處理區域中同時處理多個基板的設備。設備可體現為電漿腔室，該電漿腔室結合了單個基板處理腔室和多個基板處置的優點來用於高品質基板處理、高基板生產量和經減小的系統佔地面積。電漿腔室包括具有第一腔室側部和第二腔室側部的腔室主體。腔室主體適於處置在腔室內部區域中使用的多個先進技術。

圖1和圖2分別示出了根據實施例的電漿腔室100的前部透視圖和截面圖。參考圖1，電漿腔室100包括具有第一腔室側部104和第二腔室側部106的腔室主體102。第一腔室側部104和第二腔室側部106中的每一者包括相應腔室內部區域110、112。腔室主體102包括內壁130、132，頂壁122，底壁126，側壁124A、124B，和後壁134。腔室內部區域110、112由內壁130、132定界。基板傳送埠120延伸穿過後壁134並延伸到腔室內部區域110、112中。

真空埠殼體182耦接到腔室主體102。在一個實例中，真空埠殼體182與通向第一腔室側部104的腔室內部區域110的第一檢修埠180A和通向第二腔室側部106的腔室內部區域110的第二檢修埠180B等距離地設置。檢修埠180A、180B具有可打開蓋件（未圖示）並且允許進入腔室內部區域110、112來檢查和修理。

真空埠殼體182具有殼體側壁184和殼體頂壁186。在一些實施例中，真空埠殼體182與腔室主體102的前壁128整體地形成。在一些實施例中，腔室主體102和真空埠殼體182由單塊材料製造。在其他實施例中，真空埠殼體182和腔室主體102可以是密封地緊固或焊接在一起的單獨部件。腔室主體102和真空埠殼體182可由鋁或其他金屬材料製成。殼體側壁184從腔室主體102的前壁128延伸。在一個實例中，殼體側壁184具有凸形或部分圓柱的形狀。前壁128與腔室主體102的後壁134相對。在一些實施例中，前壁128和相對的後壁134是平行的，例如，前壁128在檢修埠180A、180B之間的區段平行於後壁134的相對的區段。殼體頂壁186可垂直於前壁128和後壁134。在一些實施例中，殼體頂壁186可定位在腔室主體102的頂壁122下方。在一些實施例中，真空埠殼體182具有為裝備提供額外空間的益處。

在實施例中，殼體頂壁186包括殼體蓋178。殼體蓋178可在打開位置和關閉位置之間移動。當處於關閉位置時，殼體蓋178在殼體頂壁186內形成氣密密封。在圖1中圖示的實施例中，殼體蓋178具有蓋O形環172和蓋RF墊圈174。當殼體蓋178處於關閉位置時，蓋O形環172在殼體頂壁186內形成氣密密封。當殼體蓋178處於關閉位置時，蓋RF墊圈174在殼體蓋178與殼體側壁184之間提供接地。當處於打開位置時，蓋組件162經定位成允許進入真空埠殼體182的頂部開口。這是有益的，因為真空埠192、以及圖2中圖示的真空閥194和真空泵196的檢查、維護和修理可藉由打開真空埠殼體182的殼體蓋178來進行，以便避免需要拆卸真空閥194或真空泵196，或穿過腔室主體102的腔室內部區域110、112進入真空埠192、真空閥194和真空泵196。

參考圖2，腔室內部區域110、112包括處理區域116、118，並且圖1中圖示的基板傳送埠120用來將基板機器人裝載到處理區域116、118和從該等處理區域中移除。真空埠192在腔室主體102的底壁126中提供開口並且是用於第一處理區域116的第一排氣路徑204A和用於第二處理區域118的第二排氣路徑204B的部分。真空埠192耦接至真空閥194（例如，閘閥）和真空泵196。在圖2中圖示的實施例中，真空閥194是具有相對於真空埠192豎直地設置的閥活塞194A的豎直柱塞閥以用於控制流過真空埠192的流量並且為腔室內部區域110、112提供壓力控制。在一些實施例中，真空閥194可以是具有至少部分地設置在真空埠殼體182內的閥活塞194A的豎直柱塞閥。在其他實施例中，不同類型的節流閘閥可用於真空閥194。真空泵196一般經構造以將第一腔室側部104和第二腔室側部106的處理區域116、118維持在基板處理期望的壓力下並快速地移除廢氣和處理的副產物。

腔室內部區域110、112中的每一者由蓋組件162包圍。圖1示出了在沒有蓋組件162的情況下的腔室主體102以圖示腔室內部區域110、112。隔壁114設置在相應的第一腔室側部104與第二腔室側部106之間。在一些實施例中，隔壁114可以從頂壁122延伸到底壁126。隔壁114將處理區域116、118彼此分開。

腔室主體102的腔室內部區域110、112中的每一者其中設置有相應的基板支撐件136A、136B。基板支撐件136A、136B每一者的大小設定為在處理區域116、118中支撐基板。基板支撐件136A、136B連接到桿140A和140B。基板支撐件136A、136B視情況可沿著每個縱向軸線144A和144B在旋轉和/或豎直方向上移動。基板支撐件136A、136B的桿140A、140B延伸穿過位於腔室主體102的底壁126中的腔室側部埠142A、142B。在一個實例中，基板支撐件136A、136B包括用於將RF能量耦合到處理區域116、118中的下部電極150。在一些實施例中，下部電極150可以是陰極。基板支撐件136A、136B視情況可包括靜電吸盤以在處理期間將基板固持在基板支撐件136A、136B上。功用線160將下部電極150耦接到為下部電極150提供電力的電源154。

電漿腔室100可額外地包括用於升高和降低基板支撐件136A、136B、旋轉基板支撐件136A、136B、保持和釋放基板、偵測處理結束、進行內部診斷、加熱基板等等的系統。此類系統在圖2中共同地描繪為支撐系統156。支撐系統156可包括延伸穿過基板支撐件136A、136B的桿140A、140B以用於支撐系統156中的機械設備。功用線160可包括延伸穿過基板支撐件136A、136B的桿140A、140B的氣體線和電力線以用於向基板支撐件136A、136B和支撐系統156提供電力。蓋組件162包括耦接到電源166A的上部電極164。在實施例中，上部電極164是陽極。上部電極164和下部電極150用於在處理區域116、118中產生電漿。蓋組件162還可包括耦接到氣源166B的噴頭170以用於向處理區域116、118提供處理氣體。

電漿腔室100進一步可包括控制和監視系統158以及可具有位於腔室內部區域110、112中的一些部件以控制下部電極150和處理區域116、118中的處理環境的其他先進技術。在一些實施例中，功用線160可用於為控制和監視系統158供電。

功用線160用於將設置在腔室內部區域110、112中的基板支撐件136A、136B耦接到電源154和控制器176。功用線160延伸穿過桿140A、140B和腔室側部埠142A、142B到達腔室內部區域110、112，在腔室內部區域中，功用線160耦接到基板支撐件136A、136B以及控制和監視系統158。在一些實施例中，功用線160可包括氣體管道、感測器接線、供電導體和流體管道。桿140A、140B的大小設定為容納從腔室主體102外延伸到腔室內部區域110、112的功用線160。腔室側部埠142A、142B的大小設定為容納桿140A、140B延伸穿過腔室側部埠142A、142B的部分。

如圖2所示，用於第一腔室側部104的排氣路徑204A延伸穿過腔室內部區域110並從第一腔室側部104的處理區域116延伸穿過內壁開口200A並穿過真空埠192。如圖2所示並由箭頭示出，用於第二腔室側部106的排氣路徑204B延伸穿過腔室內部區域112並從第二腔室側部106的處理區域118延伸穿過內壁開口200B並穿過真空埠192。隔壁114設置在第一處理區域116與第二處理區域118之間，從而將用於第一處理區域116的第一排氣路徑204A的至少一部分與用於第二處理區域118的第二排氣路徑204B分開。在一些實施例中，隔壁114可不延伸到真空埠192，並且排氣路徑204A、204B將穿過內壁開口200A、200B並進入真空埠192中而不被隔壁114分開。

圖3A和圖3B分別示出了電漿腔室100的腔室主體102的底部透視圖和頂部透視圖。第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B延伸穿過底壁126。底壁126中的真空埠192耦接到腔室內部區域110、112。隔壁114從腔室內部區域110、112延伸到真空埠殼體182的殼體側壁184。真空埠殼體182中的隔壁114、殼體側壁184和殼體頂壁186形成第一真空殼體腔室188A和第二真空殼體腔室188B。隔壁114可從腔室主體102的底壁126延伸到真空埠殼體182的殼體頂壁186以分開真空殼體腔室188A、188B。在其他實施例中，隔壁114將不會延伸到真空埠殼體182中。真空埠殼體182的殼體頂壁186在前壁128上的豎直位置可取決於真空埠殼體182的期望形狀和體積而變化。在一些實施例中，底壁126可以是可用螺栓或其他緊固件附接到腔室主體102的單獨部件。底壁126可包括用於真空密封的O形環和在底壁126與腔室主體102之間用於接地的RF墊圈。可拆卸的底壁126允許多個底壁126，其中每個不同底壁126具有底壁126中的真空埠192、第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B之間的不同的間距並且具有不同的大小的底壁126中的真空埠192、第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B。腔室主體102可藉由改變底壁126來定制以滿足不同操作參數。

在一些實施例中，腔室側部104、106的第一內壁130和第二內壁132每一個具有內壁開口200A、200B，內壁開口200A、200B從底壁126豎直向上地延伸並通向真空埠192和真空埠殼體182。圖3B中圖示的排氣路徑204A穿過用於第一腔室側部104的內壁開口200A流動。內壁開口200A、200B形成用於第一腔室側部104和第二腔室側部106的排氣路徑204A、204B的一部分。如圖3A和圖3B所示，第一真空殼體腔室188A和第二真空殼體腔室188B分別是排氣路徑204A和204B的每個部分。

參考圖3A和圖3B，真空埠殼體182的殼體側壁184的至少一部分從腔室主體102的前壁128向外延伸。殼體側壁184和底壁126界定圍繞真空埠192的周界，並且從腔室內部區域110、112通向腔室主體102外。如圖3C所示，底壁126界定真空埠192的第一部分192A，並且真空埠殼體182界定真空埠192的第二部分192B，第二部分192B從前壁128和底壁126與真空埠192相鄰的周界向外延伸。在圖3C中，底壁126的周界由虛線195示出。

圖3C示出了根據實施例的電漿腔室100的腔室主體102的定性的底視圖。第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B對稱地定位在後壁134與前壁128之間。x軸210延伸穿過第一腔室側部埠142A的中心206A和第二腔室側部埠142B的中心206B。在一些實施例中，x軸是設置在後壁134與前壁128之間一半處的中心線，使得第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B對稱地定位。對於其他實施例，第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B可不對稱地定位在後壁134與前壁128之間，並且x軸210不是後壁134與前壁128之間的中心線。

在一些實施例中，第一y軸208A延伸穿過中心206A並且第二y軸208B延伸穿過中心206B，並且兩者均垂直於x軸210。對應於桿140A、140B的縱向軸線144A、144B（如圖2所示）可延伸穿過中心206A、206B。腔室側部埠142A、142B的中心206A、206B經定位在距腔室主體102的後壁134的選定豎直距離處，該選定豎直距離對應於由用於將基板穿過基板傳送埠120裝載到處理區域116、118中的裝載位置中的基板裝載裝備提供的基板裝載位置。後壁134與腔室側部埠142A、142B的中心206A、206B之間的此距離表示為Y-r。

在實施例中，真空埠192設置在第一腔室側部埠142A的第一y軸208A與第二腔室側部埠142B的第二y軸208B之間。真空埠192朝向腔室主體102的前壁128完全地設置在x軸210下方。真空埠192在x軸210下方的距離由線212和Y-p表示。真空埠192的周界完全地在x軸210下方。將真空埠192定位成完全地在x軸210下方並朝向前壁128的益處在於第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B的大小可增加，同時提供底壁126的結構完整性。需要結構完整性來承受作用於腔室主體102的底壁126上的真空力，並且藉由維持腔室側部埠142A、142B與真空埠192之間的選定間隔來改良結構完整性。

在圖1和圖3A至圖3C中描繪的實施例中，真空埠192的至少一部分延伸超過腔室主體102的前壁128並位於真空埠殼體182中。在實施例中，真空埠192的表面面積的50%從前壁128延伸並豎直地通向真空殼體腔室188A、188B，並且真空埠192的表面面積的另外50%由底壁126界定。在其他實施例中，真空埠192的表面面積的大於50%延伸超過前壁128。在底壁126上可用於第一腔室側部埠142A、第二腔室側部埠142B和真空埠192的可用表面面積隨著真空埠192的增加的部分延伸超過前壁128而增加。這是有益的，因為增加的表面面積可用於增加第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠的表面面積和直徑，使得穿過腔室側部埠142A、142B和桿140A、140B鋪設的功用線160的大小和數目可增加。

圖4A和圖4B分別示出了根據另一實施例的腔室主體302的頂部透視圖和底部透視圖。真空埠192設置在腔室主體302上，在腔室主體302上的設置位置與圖1和圖3A至圖3C中圖示的腔室主體102實施例的真空埠192的位置不同。更具體地，圖4A至圖4C中圖示的真空埠192設置在與前壁128相鄰的底壁126中。真空埠192設置在底壁126的周界內並且在前壁128內通向腔室內部區域110、112。

圖4C示出了根據實施例的電漿腔室100的腔室主體302的定性的底視圖。在圖4C中揭示的實施例中，第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B不對稱地定位在後壁134與前壁128之間。更具體地，腔室側部埠142A、142B更靠近後壁134而不是前壁128。腔室側部埠142A、142B的位置與用於在處理區域116、118中裝載基板的裝備對應，且與腔室主體302的後壁134相距選定距離。在其他實施例中，腔室側部埠142A、142B可對稱地定位在後壁134與前壁128之間。x軸210延伸穿過第一腔室側部埠142A的中心206A和第二腔室側部埠142B的中心206B。x軸210可平行於前壁128和後壁134。

在實施例中，真空埠192設置在第一腔室側部埠142A的第一y軸208A與第二腔室側部埠142B的第二y軸208B之間。真空埠192完全地設置在x軸210的下方，使得真空埠192朝向腔室主體102的前壁128設置。真空埠192在x軸210下方的距離由Y-p表示，並且真空埠192的周界220在x軸210下方。藉由將真空埠192完全地移動到x軸210下方，在腔室側部埠142A、142B與真空埠192之間沿著豎直軸線224的豎直間隔增加並且在圖4C中圖示為Y-p。此豎直間隔Y-p允許腔室側部埠142A、142B的表面面積增加而不與彼此重疊或與真空埠192重疊，同時在腔室側部埠142A、142B與真空埠192之間維持適當的間距以維持底壁126的結構完整性。

如圖4C所示，豎直軸線224、第一周界軸線226A和第二周界軸線226B從前壁128延伸到後壁134並且是平行的。豎直軸線224延伸穿過真空埠192的中心216。豎直軸線224與第一周界軸線226A之間的距離指定為X-P1，並且在一些實施例中，可以是真空埠192的半徑。豎直軸線224與第二周界軸線226B之間的距離指定為X-P2，並且在一些實施例中，可以是真空埠192的半徑。如圖4C所示，第一腔室側部埠142A的周界230A跨第一周界軸線226A延伸，並且第二腔室側部埠142B的周界230B跨第二周界軸線226B延伸。第一腔室側部埠142A和第二腔室側部埠142B以圖4C中圖示為X-C的腔室埠分開距離來分開。腔室埠分開距離是周界230A與周界230B之間的距離。真空埠周界距離是第一周界軸線226A與第二周界軸線226B之間的距離。真空埠周界距離在圖4C中圖示為X-P1+X-P2，並且在一些實施例中可以是真空埠192的直徑。腔室埠分開距離小於真空埠周界距離。藉由使腔室埠分開距離小於真空埠周界距離，腔室側部埠142A、142B的表面面積可增加。腔室側部埠142A、142B的增加的大小允許較大的桿140A、140B延伸穿過腔室側部埠142A、142B。

藉由將腔室側部埠142A、142B移動得更靠近後壁134而不是前壁128並且藉由使真空埠192完全地移位到x軸210下方，在腔室側部埠142A、142B與真空泵196之間沿著豎直軸線224的豎直間隔增加並且在圖4C中圖示為Y-p。此豎直間隔Y-p允許腔室側部埠142A、142B的表面面積增大而不與彼此重疊或與真空埠192重疊，同時在腔室側部埠142A、142B與真空埠192之間維持適當的間距以維持底壁134的結構完整性。需要底壁134的結構強度來在操作期間承受作用於底壁上的應力（包括真空壓力）。

如圖2所示並且在先前論述的，大量的功用線160和支撐系統156穿過桿140A、140B延伸到腔室主體302的腔室內部區域110、112中以實現用於處理基板的期望處理環境。具有可適於處置額外的功用線160的腔室主體302和延伸穿過桿140A、140B和腔室側部埠142A、142B需要的裝備有益於更好的處理控制和改良的處理結果。這藉由增大腔室側部埠142A、142B的大小和直徑以容納具有更大的直徑和大小的桿140A、140B來實現。

另外，在所描述的實施例中，可增加到真空泵196的通路和真空埠192的大小。這是有益的，因為增加真空埠192的大小和真空埠直徑允許用更少的耗電量和更低廉的真空泵196來更好地產生真空。由於真空埠192距腔室側部埠142A、142B的額外間距，所描述的實施方式還允許使用更大的真空泵196。較大的真空泵196允許在處理區域116、118中維持較高的真空度，這有利地增加了可執行的處理的數量和類型。

儘管以上內容涉及本揭示的實施例，但可在不脫離本揭示的基本範疇的情況下設計出本揭示的其他和進一步實施例，並且本揭示的範疇是由隨附的申請專利範圍確定。

100‧‧‧電漿腔室

102‧‧‧腔室主體

104‧‧‧腔室側部/第一腔室側部

106‧‧‧腔室側部/第二腔室側部

110‧‧‧腔室內部區域

112‧‧‧腔室內部區域

114‧‧‧隔壁

116‧‧‧第一處理區域

118‧‧‧第二處理區域

120‧‧‧埠

122‧‧‧頂壁

124A‧‧‧側壁

124B‧‧‧側壁

126‧‧‧底壁

130‧‧‧第一內壁

132‧‧‧第二內壁

134‧‧‧後壁

136A‧‧‧基板支撐件

136B‧‧‧基板支撐件

140A‧‧‧桿

140B‧‧‧桿

142A‧‧‧第一腔室側部埠

142B‧‧‧第二腔室側部埠

144A‧‧‧縱向軸線

144B‧‧‧縱向軸線

150‧‧‧下部電極

154‧‧‧電源

156‧‧‧支撐系統

158‧‧‧監視系統

160‧‧‧功用線

162‧‧‧蓋組件

164‧‧‧上部電極

166A‧‧‧電源

166B‧‧‧氣源

170‧‧‧噴頭

172‧‧‧蓋O形環

174‧‧‧蓋RF墊圈

176‧‧‧控制器

178‧‧‧殼體蓋

180A‧‧‧第一檢修埠/檢修埠

180B‧‧‧第二檢修埠/檢修埠

182‧‧‧真空埠殼體

184‧‧‧殼體側壁

186‧‧‧殼體頂壁

188A‧‧‧第一真空殼體腔室

188B‧‧‧第二真空殼體腔室

192A‧‧‧第一部分

192B‧‧‧第二部分

192‧‧‧真空埠

194A‧‧‧閥活塞

194‧‧‧真空閥

195‧‧‧虛線

196‧‧‧真空泵

200A‧‧‧內壁開口

200B‧‧‧內壁開口

204A‧‧‧第一排氣路徑

204B‧‧‧第二排氣路徑

206A‧‧‧中心

206B‧‧‧中心

208A‧‧‧第一y軸

208B‧‧‧第二y軸

210‧‧‧x軸

212‧‧‧線

216‧‧‧中心

220‧‧‧周界

224‧‧‧豎直軸線

226A‧‧‧第一周界軸線

226B‧‧‧第二周界軸線

230A‧‧‧周界

230B‧‧‧周界

302‧‧‧腔室主體

為了能夠詳細理解本揭示的上述特徵所用方式，在上文簡要概述的本揭示的更特定的描述可以參考實施方式進行，實施方式中的一些在附圖中示出。然而，應當注意，附圖僅示出了本揭示的所選擇的實施方式，並且由此不應視為限制本揭示的範疇，因為本揭示可允許其他等效實施方式。

圖1描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的頂部透視圖；

圖2描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的前部示意性截面圖。

圖3A描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的底部透視圖。

圖3B描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的頂部透視圖。

圖3C描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的底部示意圖。

圖4A描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的頂部透視示意圖。

圖4B描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的底部透視示意圖。

圖4C描繪了根據一個實施方式的電漿腔室的腔室主體的底部示意圖。

為了便於理解，已儘可能地使用相同元件符號來指定各圖所共有的相同元件。另外，一個實施方式中的元素可有利地適於在本文所述的其他實施方式中採用。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

1. 一種用於處理一基板的設備，包括： 一腔室主體，具有一第一腔室側部和一第二腔室側部，該第一腔室側部具有一第一處理區域，該第二腔室側部具有一第二處理區域，該腔室主體包括：一前壁、與該前壁相對的一後壁、和連接在該前壁與該後壁之間的一底壁；一第一腔室側部埠和一第二腔室側部埠，穿過該底壁設置；一真空埠，穿過該底壁設置，其中該底壁界定該真空埠的一第一部分，並且其中該真空埠是用於該處理區域中的每一者的一排氣路徑的至少部分；以及一真空殼體，從該前壁延伸，並且其中該真空殼體界定該真空埠的一第二部分；一第一基板支撐件和一第一桿，該第一基板支撐件設置在該第一處理區域中，該第一桿耦接到該第一基板支撐件，該第一桿延伸穿過該第一腔室側部埠；以及一第二基板支撐件和一第二桿，該第二基板支撐件設置在該第二處理區域中，該第二桿耦接到該第二基板支撐件，該第二桿延伸穿過該第二腔室側部埠。
2. 如請求項1所述之設備，其中該腔室主體包括設置在該第一處理區域與該第二處理區域之間的一隔壁，該隔壁分開用於該等處理區域中的每一者的該等排氣路徑，並且其中該隔壁的至少一部分設置在該真空殼體中。
3. 如請求項1所述之設備，其中該底壁具有與該真空埠相鄰的一周界並且該真空埠具有延伸穿過該底壁的一表面面積，並且其中該真空埠的該表面面積的至少50%從該底壁與該真空埠相鄰的該周界向外延伸。
4. 如請求項1所述之設備，其中該腔室主體進一步包括： 一第一基板傳送埠和第二基板傳送埠，該第一基板傳送埠用於將一基板裝載到該第一處理區域中，該第二基板傳送埠用於將一基板裝載到該第二處理區域中。
5. 如請求項1所述之設備，其中該第一基板支撐件具有延伸穿過該第一桿的一第一縱向軸線並且該第二基板支撐件具有延伸穿過該第二桿的一第二縱向軸線，其中該真空埠定位在該第一腔室側部埠與該第二腔室側部埠之間，其中該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠具有延伸穿過該第一桿的該第一縱向軸線和該第二桿的該第二縱向軸線的一x軸，並且其中該真空埠朝向該前壁定位並完全地在該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠的該x軸下方。
6. 如請求項1所述之設備，其中該前壁具有到該第一腔室側部中的該第一處理區域的一第一檢修埠和到該第二腔室側部中的該第二處理區域的一第二檢修埠，其中該真空埠設置在該第一檢修埠與該第二檢修埠之間，並且其中該前壁和相對的該後壁在該第一檢修埠與該第二檢修埠之間是平行的。
7. 如請求項1所述之設備，其中該真空殼體包括可在一打開位置與一關閉位置之間移動的一蓋組件。
8. 一種用於處理一基板的設備，包括： 一腔室主體，具有由一隔壁分開的一第一處理區域和一第二處理區域，該腔室主體包括：一底壁，為該等第一和第二處理區域定界；一真空埠，具有穿過該底壁設置的一第一部分，該真空埠流體地耦接到該等第一和第二處理區域；一前壁，連接到該底壁；以及一真空殼體，連接到該前壁並且從該前壁向外延伸，該真空殼體具有形成在該真空殼體中的該真空埠的一第二部分。
9. 如請求項8所述之設備，其中該隔壁延伸到該真空殼體中。
10. 如請求項8所述之設備，其中該底壁具有與該真空埠相鄰的一周界，該真空埠具有延伸穿過該底壁的一表面面積，並且其中該真空埠的該表面面積的至少50%從該底壁與該真空埠相鄰的該周界向外延伸。
11. 如請求項8所述之設備，其中該腔室主體進一步包括： 一後壁，與該前壁相對並且具有一第一基板傳送埠和第二基板傳送埠，該第一基板傳送埠用於將一基板裝載到該第一處理區域中，該第二基板傳送埠用於將一基板裝載到該第二處理區域中。
12. 如請求項8所述之設備，其中該真空殼體包括： 一蓋組件，可在一打開位置與一關閉位置之間移動。
13. 如請求項8所述之設備，其中該真空殼體可從該腔室主體移除。
14. 如請求項8所述之設備，其中該真空殼體和該腔室主體由一單塊材料製造。
15. 如請求項8所述之設備，其中一第一縱向軸線延伸穿過一第一腔室側部埠，該第一腔室側部埠穿過該底壁設置，並且一第二縱向軸線延伸穿過一第二腔室側部埠，該第二腔室側部埠穿過該底壁設置；其中該真空埠定位在該第一腔室側部埠與該第二腔室側部埠之間，並且該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠具有延伸穿過該第一縱向軸線和該第二縱向軸線的一x軸；並且其中該真空埠朝向該前壁定位並且完全地在該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠的該x軸下方。
16. 一種用於處理一基板的設備，包括： 一第一基板支撐件和一第一桿，該第一基板支撐件用於在一第一處理區域中支撐一基板，該第一桿耦接到該第一基板支撐件，其中該第一基板支撐件具有延伸穿過該第一桿的一第一縱向軸線；一第二基板支撐件和一第二桿，該第二板材支撐件用於在一第二處理區域中支撐一基板，該第二桿耦接到該第二基板支撐件，並且其中該第二基板支撐件具有延伸穿過該第二桿的一第二縱向軸線；一腔室主體，具有一第一腔室側部和一第二腔室側部，該第一腔室側部包括該第一處理區域，該第二腔室側部包括該第二處理區域，該腔室主體界定用於該第一腔室側部的一第一排氣路徑和用於該第二腔室側部的一第二排氣路徑並且包括：一前壁；一底壁，連接到該前壁；一第一腔室側部埠和一第二腔室側部埠，設置在該底壁中，其中該第一桿延伸穿過該第一腔室側部埠並且該第二桿延伸穿過該第二腔室側部埠，並且其中該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠具有延伸穿過該第一桿的該第一縱向軸線和該第二桿的該第二縱向軸線的一x軸，一真空埠，設置在該底壁中，其中該真空埠定位在該第一腔室側部埠與該第二腔室側部埠之間，並且其中該真空埠朝向該前壁定位並完全地在該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠的該x軸下方；其中該第一排氣路徑從該第一處理區域延伸並延伸到該真空埠；其中該第二排氣路徑從該第二處理區域延伸並延伸到該真空埠。
17. 如請求項16所述之設備，其中該真空埠包括一真空埠直徑，其中該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠以一腔室埠分開距離來分開，並且其中該真空埠直徑大於該腔室埠分開距離。
18. 如請求項16所述之設備，其中該腔室主體進一步包括一後壁，該後壁與該前壁相對並且具有一第一基板傳送埠和一第二基板傳送埠，該第一基板傳送埠用於將一基板裝載到該第一處理區域中，該第二基板傳送埠用於將一基板裝載到該第二處理區域中。
19. 如請求項16所述之設備，其中該腔室主體進一步包括： 一後壁，與該前壁相對，其中該第一腔室側部埠更靠近該後壁而不是該前壁。
20. 如請求項19所述之設備，其中該第一腔室側部埠和該第二腔室側部埠在該前壁與該後壁之間不對稱地對準，並且該x軸平行於該前壁和該後壁。