KR20180099458A - 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 광투과율 및 콘트라스트비를 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 제 1 기판과, 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판과, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 개재된 액정층과, 제 1 기판의 액정층 측의 면 상에 형성되고, 제 1 기판 및 제 2 기판의 기판면과 수평 방향인 전계를 형성 가능하게 구성된 복수의 전극과, 복수의 전극의 바로 위에 형성된 제 1 배향막과, 복수의 전극 사이의 제 1 기판 상에 형성된 제 2 배향막과, 제 2 기판의 액정층 측에 형성된 제 3 배향막을 가지고, 제 1 배향막의 앵커링 에너지가, 제 2 및 제 3 배향막의 앵커링 에너지보다 작고, 제 2 배향막이, 제 1 배향막보다 복수의 전극 사이의 제 1 기판 상의 영역과 친화성이 높다.

Description

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법{Liquid Crystal Display Device and Method Of Fabricating The Same}
본 발명은, 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 패널의 표시 방식으로서, 유리 기판에 형성된 전극에 전압을 인가하여 기판면과 수평 방향인 전계를 형성함으로써 표시를 제어하는 IPS(In-Plane Switching) 방식이 알려져 있다. IPS 방식에서는, 액정 패널의 시야각 방향에 관계없이 액정 분자의 외관 길이(굴절률 타원체)가 거의 일정해지므로 시야각 특성이 뛰어나다.
액정 패널에서는, 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자가 소정의 방향을 따라서 배향되도록 액정 분자의 배향 방향이 강제되고 있다. IPS 방식의 액정 패널에 있어서 액정 분자의 배향 방향을 강제하기 위한 방법으로서는 러빙법, 광배향법 등이 알려져 있다. 러빙법은, 기판 상에 폴리이미드 등으로 이루어지는 배향막을 형성하고, 그 배향막의 표면을 천으로 문지르는 것이다. 광배향법은, 폴리이미드막 등으로 이루어지는 배향막의 표면에 대해서 직선 편광인 자외선을 조사함으로써, 배향막의 표면에 이방성을 가지게 하는 것이다. 종래의 IPS 방식의 액정 패널에 있어서는, 액정 조성물을 협지하는 한 쌍의 기판의 내측 각각에 배향막이 형성된다(특허문헌 1).
그러나 특허문헌 1에 기재된 것과 같은 종래의 IPS 방식의 액정 패널에서는, 액정층을 협지하는 한 쌍의 기판에 각각 형성된 배향막의 배향 방향에 미묘한 어긋남이 발생하는 일이 있다. 배향막의 배향 방향의 어긋남은, 예를 들면 러빙 처리 시의 어긋남과 양 기판 합착 시의 어긋남에 기인한다. 이러한 배향 방향의 어긋남이 존재하면 전압 오프(off) 시에도 액정층의 액정 분자에 미소한 트위스트가 발생한다. 전원 오프 시의 액정 분자의 미소한 트위스트는, 블랙 표시에서의 빛 샘의 원인이 되어 콘트라스트비의 저하를 초래한다. 또한 종래의 IPS 방식의 액정 패널에서, 기판면과 수평 방향인 횡전계를 형성하기 위한 빗살 전극 상에는, 전압 온(on) 시에 기판면에 수직 방향인 종전계가 형성된다. 따라서 액정 분자가 횡방향으로 충분이 트위스트 되지 않고, 그 결과 빗살 전극 상에서의 빛의 투과가 곤란해져서 액정 패널의 광 투과율이 저하되게 된다. 즉 액정 패널의 개구율이 저하되게 된다.
그래서 특허문헌 2에는, 대향 배치된 일방 기판에 약앵커링 배향막이 형성되고, 타방 기판에 강앵커링 배향막이 형성된 액정 패널이 제안되어 있다. 특허문헌 2에 기재된 액정 패널에 있어서, 약앵커링 배향막은, 전계를 인가했을 때 액정 분자의 배향 방향을 구속하는 구속력이, 강앵커링 배향막보다 작아졌다. 이와 같은 구성에 의해 특허문헌 2에 기재된 액정 패널에서는, 광 투과율이 높은 표시가 실현되고 있다.
특허문헌 1: 일본특허공보 제 2940354 호 특허문헌 2: 일본특허공개공보 2016-170389 호
그러나 특허문헌 2에 기재된 액정 패널에서는, 대향 배치된 일방 기판에 형성된 약앵커링 배향막의 전역에서 앵커링 에너지가 작아졌기 때문에 전압 오프(off) 시의 복원력이 작아졌다. 따라서 전압 오프 시의 응답성이 저하되고, 전압 오프 시의 응답 시간(턴 오프 시간) τoff가 길어진다.
본 발명은 광 투과율 및 콘트라트스비를 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은, 이러한 액정 표시 장치를, 공정의 복잡화를 수반하지 않고 용이하게 제조할 수 있는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 관점에 따르면, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재된 액정층과, 상기 제 1 기판의 상기 액정층 측의 면 상에 형성되고, 상기 제 1 기판과 수평인 면 내에 전계를 형성 가능하게 구성된 복수의 전극과, 상기 복수의 전극의 바로 위에 형성된 제 1 배향막과, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 형성된 제 2 배향막과, 상기 제 2 기판의 상기 액정층 측에 형성된 제 3 배향막을 가지고, 상기 제 1 배향막의 앵커링 에너지가, 상기 제 2 및 제 3 배향막의 앵커링 에너지보다 작고, 상기 제 2 배향막이, 상기 제 1 배향막보다 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상의 영역과 친화성이 높은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재된 액정층과, 상기 제 1 기판의 상기 액정층 측의 면 상에 형성되고, 상기 제 1 기판과 수평인 면 내에 전계를 형성 가능하게 구성된 복수의 전극과, 상기 복수의 전극의 바로 위에 형성된 제 1 배향막과, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 형성된 제 2 배향막과, 상기 제 2 기판의 상기 액정층 측에 형성된 제 3 배향막을 가지고, 상기 제 1 배향막의 앵커링 에너지가, 상기 제 2 및 제 3 배향막의 앵커링 에너지보다 작은 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 상기 제 1 기판 상에, 상기 복수의 전극을 형성하는 공정과, 상기 복수의 전극의 바로 위에, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상의 영역보다 광중합성 재료와 친화성이 낮은 상기 제 1 배향막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판과 상기 제 3 배향막이 형성된 상기 제 2 기판 사이에, 액정 재료 중에 상기 광중합성 재료가 혼합된 상기 액정층을 끼우는 공정과, 광조사에 의해 상기 액정층 중의 상기 광중합성 재료를 중합 상분리시킴으로써, 상기 광중합성 재료가 중합 상분리해서 이루어지는 중합 상분리막으로 이루어지는 상기 제 2 배향막을, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 선택적으로 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 액정 표시 장치에 있어서, 광투과율을 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 광투과율을 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있는 액정 표시 장치를 공정의 복잡화를 수반하지 않고 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전율 이방성이 양(正, 포지티브형)인 액정을 이용한 경우의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전율 이방성이 양(正, 포지티브형)인 액정을 이용한 경우, 액정 표시 장치의 전압 오프 시 및 전압 온 시 액정층에 있어서의 액정 분자의 배향 상태를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도(1)이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도(2)이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도(3)이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도(4)이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태의 변형예에 따른 유전율 이방성이 양(正, 포지티브형)인 액정을 이용한 경우의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
<일 실시형태>
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 6을 가지고 설명한다.
우선 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 도 1 및 도 2를 가지고 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다. 도 2는, 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 전압 오프 시 및 전압 온 시 액정층에 있어서의 액정 분자의 배향 상태를 모식적으로 도시한 단면도이다. 또한 도 1 및 도 2는, 포지티브형 액정 재료를 사용하여 액정층을 구성한 경우를 예시하고 있다.
본 실시형태에 따른 액정 표시 장치는, IPS 방식의 액정 패널을 가지고, 기판면과 수평 방향인 전계를 형성함으로써 표시를 제어하는 것이다. 도 1에 도시한 것과 같이 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)는, IPS 방식 액정 패널(12)과 백라이트 유닛(14)을 가지고 있다.
액정 패널(12)은, 대향되도록 배치된 한 쌍의 기판(16, 18)을 가지고 있다. 기판(16, 18)은, 액정층(20)을 개재하도록 대향되어 배치되어 있다. 기판(16, 18)은, 화소를 포함한 표시 영역의 주변 둘레부에 배치된 실링재(22)에 의해 소정의 간격을 두고 서로 합착되어 있다. 기판(16, 18) 사이에 액정층(20)을 구성하는 액정이 실링재(22)에 의해 봉지되어 있다. 기판(16, 18)은, 각각 투광성을 가지는 기판이면 특별히 그 재료가 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 유리 기판이다. 또한 액정층(20)을 구성하는 액정 재료로서는, 예를 들면 유전율 이방성이 양(正)인 네마틱 액정 재료를 사용할 수 있고, 또한 유전율 이방성이 음(負)인 네마틱 액정 재료를 사용할 수도 있다. 또한 도 1에서는, 후술하는 선형 전극(24)에 대한 전압 오프 시 액정층(20)의 액정 분자(202)를 모식적으로 도시하고 있다.
예를 들면 기판(16)은, 화소를 스위칭하기 위한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 게이트 라인, 소스 라인 등이 형성된 TFT 기판으로 되어 있다. 기판(18)은, 컬러 필터(Color Filter, CF)가 형성된 CF 기판으로 되어 있다.
기판(16, 18) 중에서 백라이트 유닛(14) 측 기판(16)의 액정층(20) 측의 면 상에는, 복수의 선형 전극(24)이 형성되어 있다. 복수의 선형 전극(24)은, 서로 소정의 간격을 두고 평행하게 배치되어 있고, 빗살 전극을 구성하고 있다. 더욱 구체적으로는, 복수의 선형 전극(24)은, 빗살 형상의 화소 전극 및 빗살 형상의 공통 전극을 구성하고 있다. 도 1은, 선형 전극(24)의 길이 방향에 직교하는 단면을 도시하고 있다. 복수의 선형 전극(24)은, 액정층(20)과 기판(16)의 기판 면과 수평 방향인 전계를 형성 가능, 즉 기판(16)과 수평인 면 내에 전계를 형성 가능하게 구성되어 있다.
선형 전극(24)은, 예를 들면 88%의 높은 광투과율(T)을 가지는 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 투명 전극이다. 또한 선형 전극(24)의 주재료는, ITO에 한정되는 것은 아니다. 선형 전극(24)은, 투명 도전막 또는 높은 광투과율을 가지는 도전막인 것이 바람직하다. 선형 전극(24)의 주재료로서는 ITO 대신에, 예를 들면 IZO(Indium Zinc Oxide, T=85%), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide, T=92%)를 이용할 수 있다. 또한 GZO(Gallium doped Zinc Oxide, T=92%), ATO(Antimony Tin Oxide, T=87%) 등을 이용할 수도 있다.
액정 표시 장치(10)의 제어부(도시하지 않음)는, 기판(16)의 선형 전극(24)에 전압을 인가하여 기판(16)의 기판면과 수평 방향의 전계를 형성하고 액정층(20)의 액정 분자를 회전시킴으로써 액정 패널(12)의 표시를 제어한다.
액정 패널(12)에는, 기판(16, 18)을 개재하듯이 편광판(28, 30)이 외측 각각의 면에 설치되어 있다. 편광판(28, 30)의 편광축 방향은, 선형 전극(24)에 전압이 인가되었을 때에 백라이트 유닛(14)으로부터 조명되는 빛이 통과하도록 설정되어 있다. 예를 들면 편광판(28, 30)의 편광축 방향은 서로 직교하고 있다. 또한 편광판(28, 30)의 편광축 방향은, 선형 전극(24)에 전압이 인가되었을 때 백라이트 유닛(14)으로부터 조명되는 빛이 차단되도록 설정되어 있어도 된다.
기판(18)의 액정층(20) 측의 면에는, 액정층(20)의 전면에 걸쳐서 배향막으로서 강앵커링막(32)이 형성되어 있다. 강앵커링막(32)은, 예를 들면 러빙법에 의한 배향 처리가 수행된 폴리이미드막으로 이루어지는 것이다. 강앵커링막(32)은, 후술하는 기판(16) 측 강앵커링막(36)과 함께, 선형 전극(24)에 대한 전압 오프 시의 액정층(20)의 액정 분자 배향을 일치시킨다. 전압 오프 시 액정층(20)의 액정 분자의 배향 방향은, 예를 들면 선형 전극(24)의 길이 방향을 따른 방향 또는 선형 전극(24)의 길이 방향에 대해서 소정의 각도를 이루는 방향이다.
한편 기판(16)과 액정층(20) 사이에 있어서, 기판(16) 상에 형성된 복수의 선형 전극(24) 상에는, 배향막으로서 약앵커링막(34)이 형성되어 있다. 약앵커링막(34)은, 복수의 선형 전극(24)의 바로 위에 형성되어 있다. 약앵커링막(34)은, 기판(18) 측 강앵커링막(32) 및 이하에 서술하는 강앵커링막(36)보다 앵커링 에너지가 작은 배향막이다. 또한 강앵커링막(32, 36), 약앵커링막(34)에서 말하는 앵커링은 방위각 방향의 앵커링에 관한 것으로, 앵커링 에너지의 대소 관계는 방위각 방향의 앵커링 에너지에 관한 대소 관계이다. 약앵커링막(34)은, 서로 평행하게 배치된 복수의 선형 전극(24) 각각의 바로 위에 형성되어 있다. 약앵커링막(34)은 수지막으로 이루어지는 것으로, 더욱 구체적으로는 후술하는 것과 같이 노광된 감광성 수지막(56a)으로 이루어지는 것이다. 약앵커링막(34)은 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상의 영역, 더욱 구체적으로 이하에 서술하는 기초막(38)보다, 이하에 서술하는 강앵커링막(36) 및 강앵커링막(36)을 구성하는 재료와 친화성이 낮은 것이다.
약앵커링막(34)이 위에 형성된 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에는, 배향막으로서 강앵커링막(36)이 형성되어 있다. 강앵커링막(36)과 기판(16) 사이에는 기초막(38)이 형성되어 있다. 강앵커링막(36) 및 강앵커링막(36)을 구성하는 UV 중합성 모노머는, 약앵커링막(34)과의 친화성보다 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상 영역의 기초막(38)과 친화성이 높은 것이다.
기초막(38)은 수지막으로 이루어지는 것으로, 보다 구체적으로는 후술하는 것과 같이 노광되지 않은 감광성 수지막(56)으로 이루어지는 것이다. 강앵커링막(36)은, 기초막(38)에 접하도록 기초막(38) 상에 직접 형성되어 있다. 강앵커링막(36)의 앵커링 에너지는, 예를 들면 강앵커링막(32)의 앵커링 에너지와 동일한 정도로 되어 있다.
강앵커링막(36)은, 후술하는 것과 같이 액정층(20)을 구성하는 액정 재료 중에 혼합된 광중합성 모노머인 UV 중합성 모노머가 중합 상분리하여 이루어지는 중합 상분리막으로 이루어지는 것이다. 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에는, 상술한 것과 같이 기초막(38)이 형성되어 있다. 강앵커링막(36) 및 그 재료가 되는 UV 중합성 모노머는, 약앵커링막(34)과의 친화성보다 기초막(38)과 친화성이 높다. 따라서 강앵커링막(36)은 기초막(38) 상에 선택적으로 형성되어 있고, 약앵커링막(34) 상에는 형성되어 있지 않다.
강앵커링막(36)을 구성하는 UV 중합성 모노머인 중합성 액정은, 액정 재료 중에 혼합되어 있고, 셀에 주입한 후 액정 재료와 마찬가지로 기판(18) 측의 강앵커링막(32)의 배향 규제력에 의해 일정 방향으로 호모지니어스 배향을 하고 있다.
셀에 UV가 조사되면 중합성 액정은 중합을 개시하고, 어느 중합도에 도달한 단계에서 액정으로부터 상분리되기 시작한다. 상분리된 중합성 액정(액정 고분자)은, 액정층의 배향 흐트러짐에 의한 에너지 증가를 최소한으로 억제하기 위해서 액정/기초막(38) 계면에 우선적으로 배출된다. 이 때 중합성 액정의 중합물인 액정 고분자는, 주위의 액정과 동일한 배향 방향을 유지한 채로 액정/기초막(38) 계면에 상분리되고, 기초막(38) 상에는 기판(18) 상의 강앵커링막(32)과 동일 방향으로 배향 규제력을 가지는 강앵커링막(36)이 형성된다.
상술한 것과 같이 기판(18) 측에서는, 배향막으로서 강앵커링막(32)이 형성되어 있다. 한편 기판(16) 측에서는, 복수의 선형 전극(24) 각각의 바로 위에 배향막으로서 약앵커링막(34)이 형성되어 있다. 또한 기판(16) 측에서는, 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에 배향막으로서 강앵커링막(36)이 형성되어 있다.
약앵커링막(34)의 앵커링 에너지는, 강앵커링막(32, 36)의 앵커링 에너지보다 작고, 바람직하게는 10-6J/m2 이하이다. 강앵커링막(32, 36)의 앵커링 에너지는, 약앵커링막(34)의 앵커링 에너지보다 크고, 바람직하게는 10-4J/m2 이상이다.
기판(18)과 강앵커링막(32) 사이에는 컬러 필터(40)가 설치되어 있다. 컬러 필터(40)는 컬러 레지스트인 R(적)/G(녹)/B(청)의 3원색 패턴, 블랙매트릭스, 보호막 등에 의해 구성되고, 백라이트 유닛(14)으로부터 조명되는 빛 중에서 R/G/B 3원색의 파장역의 빛을 통과시킨다.
백라이트 유닛(14)은, 액정 패널(12)을 조명하는 빛을 발하는 조명 장치이다. 백라이트 유닛(14)은 엣지 라이트 방식이어도 되고, 직하형 방식이어도 된다. 또한 백라이트 유닛(14)과 액정 패널(12) 사이에는, 광확산 시트와 프리즘 시트가 배치되어 있어도 된다.
본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)는, 기판(16)의 기판면과 수평 방향인 횡전계를 형성하고, 액정 분자를 액정층(20)의 면 내에서 회전시켜서 표시를 제어하는 IPS 방식인 것이다. 그러나 만일 상기 구성에 있어서, 전술한 특허문헌 1에 기재된 종래의 구성과 같이 선형 전극(24)의 바로 위를 포함하는 기판(16) 측의 전면에 강앵커링막을 형성한 경우, 선형 전극(24)의 바로 위의 액정 분자를 충분히 회전시킬 수 없다. 이는, 전계를 형성하기 위한 선형 전극(24)의 바로 위에 있어서의 전계의 기판면에 수평 방향인 성분이, 강앵커링막의 속박을 극복하고 액정 분자를 회전시킬 수 있을 정도로 크지 않기 때문이다. 따라서 이 경우 화이트 표시에 있어서의 광 투과율이 저하된다.
한편 만일 상기 구성에 있어서, 전술한 특허문헌 2에 기재된 종래의 구성과 같이 기판(16) 측의 전면에 약앵커링막을 형성한 경우, 기판(16) 측의 배향 규제력을 약하게 함으로써 높은 광투과율을 실현하여 화이트 표시에 있어서의 충분한 광투과율을 확보할 수 있다. 그러나 이 경우 선형 전극(24)에 대한 전압 오프 시의 액정 분자의 복원력이 저하되기 때문에 전압 오프 시의 응답성이 저하되고, 전압 오프 시의 응답 시간 τoff가 길어진다.
상기 종래의 구성에 비해서 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)에서는, 복수의 선형 전극(24) 각각의 바로 위에, 앵커링 에너지가 비교적 작은 약앵커링막(34)이 형성되어 있다. 약앵커링막(34)이 형성된 선형 전극(24) 상에서는, 강앵커링막(36)이 형성된 영역과 비교해서 배향 규제력이 약해졌다. 따라서 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)에서는, 전계의 횡방향 성분이 작은 경우라도 선형 전극(24)의 바로 위의 액정 분자가 회전하므로, 선형 전극(24)의 바로 위에서도 충분한 광투과율을 확보할 수 있다. 이로써 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)는 광투과율을 향상할 수 있다.
도 2(a)는, 선형 전극(24)에 대한 전압 오프 시의 액정 표시 장치(10)의 액정층(20)에 있어서의 액정 분자(202)의 배향 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 도 2(a)에 도시한 전압 오프 시에 있어서, 액정 분자(202)는 도 2(a)의 지면 뒷면으로부터 지면 표면을 향한 방향을 따라서 배향되어 있다.
한편 도 2(b)는, 선형 전극(24)에 대한 전압 온(on) 시의 액정 표시 장치(10)의 액정층(20)에 있어서의 액정 분자(202)의 배향 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 도 2(b)에 도시한 전압 온 시에 있어서, 액정 분자(202)는 선형 전극(24)의 바로 위에 약앵커링막(34)이 형성되어 있기 때문에 액정층(20)의 면 내에서 충분히 회전하고 있다. 따라서 액정 표시 장치(10)에서는, 전압 온 시의 광투과율을 향상할 수 있다.
또한 약앵커링막(34)이 형성되어 있음으로써, 선형 전극(24)의 바로 위에서는, 기판(16) 측의 액정 분자의 배향 방향과 기판(18) 측의 액정 분자의 배향 방향의 어긋남에 의한 전압 오프 시 액정 분자의 미소한 트위스트를 억제할 수 있다. 이로써 블랙 휘도를 저감할 수 있고, 광투과율의 향상과 더불어 콘트라스트비를 향상할 수 있다.
더욱이 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)에서는, 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에, 강앵커링막(36)이 형성되어 있다. 이와 같이 복수의 선형 전극(24) 각각의 바로 위 이외의 영역에 앵커링 에너지가 비교적 큰 강앵커링막(36)이 형성되어 있음으로써, 선형 전극(24)에 대한 전압 오프 시에 있어서의 액정 분자의 복원력은 거의 저하되지 않는다. 따라서 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)는, 특허문헌 2에 기재된 것과 같이 기판(16) 측의 전면에 약앵커링막이 형성된 종래의 구성과 비교해서, 전압 오프 시의 액정 표시의 응답성을 개선할 수 있어, 전압 오프 시의 응답 시간 τoff를 단축할 수 있다. 또한 선형 전극(24) 사이에 형성된 강앵커링막(36)은, 기판(18) 상의 강앵커링막(32)과 동일 방향으로 배향 규제력을 가지므로, 기판(16) 측 액정 분자의 배향 방향과 기판(18) 측 액정 분자의 배향 방향의 어긋남에 의한 전압 오프 시의 액정 분자의 미소 트위스트를 억제할 수 있다. 이로써 블랙 휘도를 저감할 수 있고, 콘트라스트비를 향상할 수 있다.
또한 후술하는 것과 같이 강앵커링막(36)은, 잉크젯법 등 특별한 방법을 이용하지 않고, 액정층(20)을 구성하는 액정 재료에 혼합된 UV 중합성 모노머의 중합 상분리에 의해 형성할 수 있다. 따라서 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)는, 공정의 복잡화를 수반하지 않고 용이하게 제조할 수 있다.
이렇게 해서 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)는, 광투과율 및 콘트라스트비를 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있어, 액정 표시의 밝기와 응답성을 양립할 수 있다.
다음으로 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 3 내지 도 6을 가지고 설명한다. 도 3 내지 도 6은, 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 도시한 공정 단면도이다.
우선 기판(16)의 액정층(20) 측이 되는 면 상에, 기판(16)의 기판면과 수평 방향으로 전계(횡전계)를 형성하기 위한 빗살 전극으로서, 예를 들면 ITO로 이루어지는 투명 도전막(50)을 형성한다(도 3(a)). 또한 기판(16)에는, 화소를 스위칭하기 위한 TFT, 게이트 라인, 소스 라인 등이 형성되어 있다.
이어서 투명 도전막(50) 상에, 예를 들면 스핀코팅법에 의해 네거티브형 포토 레지스트 재료를 도포하고 전 열처리(pre bake)를 수행하여 포토 레지스트막(52)을 형성한다(도 3(b)).
이어서 마스크(54)를 이용하여, 포토 레지스트막(52)에 마스크(54)의 마스크 패턴을 노광한다(도 3(c)). 마스크(54)는, 마스크 패턴으로서 복수의 선형 전극(24)의 패턴(542)을 가지고 있다. 또한 노광광으로서는, 포토 레지스트막(52)의 종류에 따라서 자외광 등을 선택할 수 있다. 이렇게 해서 마스크(54)를 이용한 노광에 의해, 포토 레지스트막(52) 중 포토 레지스트막(52a)에 패턴(542)이 노광된다.
이어서 포토 레지스트막(52)을 현상하고 노광되지 않은 포토 레지스트막(52)을 제거한 후 후 열처리(post bake)를 수행한다. 이로써 투명 도전막(50) 상에 포토 레지스트막(52a)이 형성된다(도 4(a)).
이어서 포토 레지스트막(52a)을 마스크로서, 예를 들면 습식 식각에 의해 투명 도전막(50)을 에칭하여 패터닝한다. 이로써 투명 도전막(50)으로 이루어지는 복수의 선형 전극(24)을 형성한다(도 4(b)).
이어서 예를 들면 박리액 중에 침지시키거나 함으로써 선형 전극(24) 상의 포토 레지스트막(52a)을 제거한다(도 4(c)).
이어서 선형 전극(24) 상 및 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에, 예를 들면 스핀코팅법에 의해 감광성 수지 재료를 도포하고 전 열처리를 수행하여 감광성 수지막(56)을 형성한다(도 5(a)). 감광성 수지(56)는 노광된 결과 앵커링 에너지가 저하되어 약앵커링 재료가 되는 한편 강앵커링막(36) 및 강앵커링막(36)을 구성하는 재료인 UV 중합성 모노머와의 친화성이 저하되도록 설계되어 있다.
이어서 도 3(c)에 도시한 포토 레지스트막(52)의 노광에 이용한 마스크(54)와 동일한 마스크(54)를 이용하여, 감광성 수지막(56) 중에서 선형 전극(24) 상의 감광성 수지막(56a)을 선택적으로 노광한다(도 5(b)). 이 때 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상의 감광성 수지막(56)은 노광되지 않은 그대로이다.
선형 전극(24) 상의 감광성 수지막(56a)은, 노광된 결과 앵커링 에너지가 저하되어 약앵커링 재료가 되는 한편 강앵커링막(36) 및 강앵커링막(36)을 구성하는 재료인 UV 중합성 모노머와의 친화성이 저하된다. 이 결과 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상의 노광되지 않은 감광성 수지막(56)은, 선형 전극(24) 상의 감광성 수지막(56a)보다 강앵커링막(36) 및 강앵커링막(36)을 구성하는 재료인 UV 중합성 모노머와 친화성이 높아진다.
이렇게 해서 복수의 선형 전극(24) 각각의 바로 위에, 노광된 감광성 수지막(56a)으로 이루어지는 약앵커링막(34)이 형성되는 한편 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에, 노광되지 않은 감광성 수지막(56)으로 이루어지는 기초막(38)이 형성된다(도 5(c)). 기초막(38)은, 도 5(b)에 도시한 노광 결과 선형 전극(24) 상의 약앵커링막(34)보다 강앵커링막(36) 및 강앵커링막(36)을 구성하는 재료인 UV 중합성 모노머와 친화성이 높아졌다. 즉 약앵커링막(34)은, 기초막(38)보다 강앵커링막(36) 및 이를 구성하는 재료와 친화성이 낮아졌다.
한편 기판(18) 상에는 컬러 필터(40)를 형성한다. 계속해서 컬러 필터(40) 상에 폴리이미드막을 형성한다. 계속해서 폴리이미드막에 대하여, 예를 들면 러빙법, 광배향법 등에 의한 배향 처리를 수행한다. 이렇게 해서 컬러 필터(40) 상에 폴리이미드막으로 이루어지는 강앵커링막(32)을 형성한다(도 5(c)).
이어서 이하와 같이 해서 ODF(One Drop Fill)법에 의해 기판(16, 18) 사이에 액정층(20)을 봉지하는 한편 강앵커링막(36)을 기초막(38) 상에 선택적으로 형성한다.
우선 표시 영역의 주변 둘레부에 있어서의 기판(16, 18) 중 일방 상에, 자외선 경화성 수지로 이루어지는 실링재(22)를 도포한다. 계속해서 실링재(22)를 도포한 기판(16, 18) 중 일방 상에 액정 재료를 적하한다. 여기서 적하하는 액정 재료에는 강앵커링막(36)을 구성하는 재료인 UV 중합성 모노머를 혼합해 둔다. 계속해서 액정 재료가 적하된 기판(16, 18) 중 일방과, 기판(16, 18) 중 타방을 실링재(22)에 의해 합착시킨다(도 6(a)). 기판(16, 18) 사이에는, 적하된 액정 재료로 이루어지는 액정층(20)이 형성된다. 액정층(20) 중에는, 액정 분자(202)와 함께 UV 중합성 모노머(362)가 포함되어 있다.
기판(16)과 기판(18)을 합착시킨 도 6(a)에 도시한 상태에 있어서, 액정층(20)의 액정 분자(202)는, 기판(18) 측 강앵커링막(32)의 배향 규제력에 의해, 선형 전극(24)의 길이 방향을 따라서 일축 배향된다. 액정 재료에 혼합된 UV 중합성 모노머(362)도 액정 분자(202)가 일축 배향되는 배향 방향을 따라서 배향된다.
계속해서 자외광을 조사함으로써 실링재(22)를 경화시킨다. 또한 실링재(22)를 경화시키기 위한 자외선을 조사함으로써, 액정층(20) 중의 광중합성 재료인 UV 중합성 모노머(362)가 중합 상분리된다. 여기서 약앵커링막(34)보다 기초막(38)이, UV 중합성 모노머(362)와 친화성이 높아졌다. 따라서 UV 중합성 모노머(362)가 중합 상분리된 중합체는, 복수의 선형 전극(24) 사이의 기초막(38) 상에 밀착되는 한편 복수의 선형 전극(24) 상의 약앵커링막(34)에는 밀착되지 않는다. 또한 UV 중합성 모노머(362)는, 액정 분자(202)가 일축 배향되는 배향 방향을 따라서 배향된 상태에서 중합 상분리된다. 따라서 UV 중합성 모노머(362)가 중합 상분리된 중합체는, 러빙법 등에 의한 배향 처리를 필요로 하지 않고 액정 분자(202)에 대한 강한 배향 규제력을 가지는 것이 된다. 이렇게 해서 자외선 조사에 의해 액정층(20) 중의 UV 중합성 모노머(362)가 중합 상분리되어 이루어지는 강앵커링막(36)이, 기초막(38) 상에 선택적으로 형성된다(도 6(b)). 또한 UV 중합성 모노머(362)를 중합 상분리시키기 위한 자외선 조사는, 실링재(22)를 경화시키기 위한 자외선 조사와는 별개로 수행할 수도 있다.
이렇게 해서 ODF 법에 의해, 액정 재료로 이루어지는 액정층(20)을 개재하듯이 기판(16)과 기판(18)을 합착시키고 기판(16, 18) 사이에 액정층(20)을 봉지하는 한편 강앵커링막(36)을 기초막(38) 상에 선택적으로 형성한다.
이후 통상적인 프로세스에 따라 기판(16, 18)에 대한 편광판(28, 30) 합착, 드라이버 IC 실장, 백라이트 유닛(14)의 배치 등을 수행한다. 이렇게 해서 도 1에 도시한 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치(10)가 제조된다.
이와 같이 본 실시형태에서는, UV 중합성 모노머(362)의 중합 상분리에 의해, 복수의 선형 전극(24) 사이의 기초막(38) 상에 강앵커링막(36)을 선택적으로 형성한다. 따라서 본 실시형태에서는, 잉크젯법 등 특별한 방법을 이용하지 않고, 약앵커링막(34)이 바로 위에 형성된 복수의 선형 전극(24) 사이에 강앵커링막(36)을 선택적으로 형성할 수 있다. 따라서 본 실시형태에 따르면 공정의 복잡화를 수반하지 않고, 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)를 용이하게 제조할 수 있다.
이와 같이 본 실시형태에 따르면 액정 표시 장치(10)에 있어서, 광투과율 및 콘트라스트비를 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있다. 또한 본 실시형태에 따르면 광투과율 및 콘트라스트비를 향상하면서 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있는 액정 표시 장치(10)를, 공정의 복잡화를 수반하지 않고 용이하게 제조할 수 있다.
<변형예>
다음으로 본 실시형태의 변형예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 7을 가지고 설명한다. 도 7은, 본 실시형태의 변형예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.
상기 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)에서는, 선형 전극(24) 사이의 기초막(38) 상에 강앵커링막(36)이 선택적으로 형성되어 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 강앵커링막(36)은 기초막(38)을 개재하지 않고 직접 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에 선택적으로 형성할 수도 있다.
도 7에 도시한 변형예에 따른 액정 표시 장치(100)에서는, 강앵커링막(36)이 기초막(38)을 개재하지 않고 직접 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에 선택적으로 형성되어 있다.
예를 들면 선형 전극(24) 사이에 형성되어 있는 무기 절연막과 유기 절연막은, 약앵커링막(34)보다 강앵커링막(36)을 구성하는 재료인 UV 중합성 모노머(362)와 친화성이 높다. 따라서 도 6(a)에 도시한 상태에 있어서 기초막(38)이 형성되어 있지 않고, 복수의 선형 전극(24) 사이에 기판(16)이 노출되어 있는 경우에도 복수의 선형 전극(24) 사이에 강앵커링막(36)을 선택적으로 형성할 수 있다. 즉 자외선 조사에 의해 중합 상분리된 UV 중합성 모노머(362)의 중합체는, 복수의 선형 전극(24) 사이의 무기 절연막과 유기 절연막에 밀착되는 한편 복수의 선형 전극(24) 상의 약앵커링막(34)에는 밀착되지 않는다. 이와 같이 해서 자외선 조사에 의해 액정층(20) 중의 UV 중합성 모노머(362)가 중합 상분리되어 이루어지는 강앵커링막(36)이, 복수의 선형 전극(24) 사이의 기판(16) 상에 선택적으로 직접 형성된다.
또한 선형 전극(24) 사이에 기초막(38)이 형성되어 있지 않고, 선형 전극(24) 바로 위에 약앵커링막(34)이 형성된 상태의 기판(16)은, 예를 들면 다음과 같이 해서 준비할 수 있다. 즉 도 4(c)에 도시한 것과 같이 선형 전극(24)을 형성한 후 예를 들면 잉크젯법 등에 의해, 약앵커링막(34)을 선형 전극(24) 상에 선택적으로 형성할 수 있다. 또한 감광성 수지막(56)으로서 네거티브형 레지스트막을 이용하고, 도 5(b)에 도시한 것과 같이 감광성 수지막(56a)을 노광한 후 선형 전극(24) 사이의 노광되지 않은 감광성 수지막(56)을 현상에 의해 제거할 수도 있다. 또한 선형 전극(24) 상에 대한 약앵커링막(34)의 형성 방법은 여기에 한정되는 것은 아니다.
이후 도 5(c), 도 6(a) 및 도 6(b)와 동일한 공정 등을 수행함으로써, 도 7에 도시한 액정 표시 장치(100)를 제조할 수 있다.
<평가 결과>
다음으로 본 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 평가 결과에 대하여 설명한다.
실시예 1 및 비교예 1, 2에 따른 액정 표시 장치 각각에 대하여 시뮬레이션을 수행하여, 최대 투과율 Tmax, 콘트라스트비 CR, 전압 오프 시의 응답 시간 τoff 등을 계산했다. 각 실시예 및 비교예에 따른 액정 표시 장치의 셀 구성은 이하와 같다.
실시예 1의 셀 구성은, 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)의 셀에 대응하여, 기판(16) 측에 있어서 선형 전극(24)의 바로 위에 약앵커링막(34)이 설치되고, 선형 전극(24) 사이에 강앵커링막(36)이 설치된 것이다. 빗살 전극은 폭 3μm인 선형 전극(24)을 10μm 간격으로 배치한 것으로 했다.
비교예 1의 셀 구성은, 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)의 셀에 있어서, 기판(16) 측에 약앵커링막(34) 및 강앵커링막(36)이 설치되어 있는 대신 기판(16) 측의 전면에 강앵커링막이 설치된 것이다.
비교예 2의 구성은, 도 1에 도시한 액정 표시 장치(10)의 셀에 있어서 기판(16) 측에 약앵커링막(34) 및 강앵커링막(36)이 설치되어 있는 대신 기판(16) 측의 전면에 약앵커링막이 설치된 것이다.
실시예 1 및 비교예 1, 2 각각에 대하여 문턱값 전압 Vth, 최대 투과율 Tmax를 부여하는 전압 Vmax, 최소 투과율 TO, 최대 투과율 Tmax, 컨트라스트비 CR, 전압 오프 시의 응답 시간 τoff를 표 1에 도시한다. 또한 문턱값 전압 Vth는, Tmax의 2%에 상당하는 투과율을 실현하는 전압 V2%로 정의한다. 또한 비교예 1, 2의 최소 투과율 TO에는 실측값을 사용했다. 실시예 1의 최소 투과율 TO는 원리적으로 비교예 2의 최소 투과율 TO와 동일한 값이 될 것으로 생각되므로, 실시예 1의 최소 투과율 TO에는 비교예 1의 최소 투과율 TO의 실측값을 사용했다.
표 1
Figure pat00001
표 1에 도시된 것과 같이 실시예 1에서는, 최대 투과율 Tmax가 기판(16) 측의 전면에 강앵커링막을 형성한 비교예 1의 1.25배로 향상되어 있다. 또한 실시예 1에서는, 콘트라스트비 CR이 비교예 1의 1.6배로 향상되어 있다. 또한 실시예 1에서는, 기판(16) 측의 전면에 약앵커링막을 형성한 비교예 2와 비교해서 전압 오프 시의 응답 시간 τoff가 63% 단축되어 있다.
상기 평가 결과에 의해, 실시예 1에서는 광투과율을 향상하는 동시에 전압 오프 시의 응답성을 개선할 수 있었던 것을 알 수 있다.
<변형 실시 형태>
본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 여러 가지 변형이 가능하다.
예를 들면 상기 실시형태에서는, 복수의 선형 전극(24)을 형성하는 경우를 예로 설명했지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 복수의 선형 전극(24) 대신에 여러 가지 형상을 가지는 전극을 형성할 수 있다.
또한 상기 실시형태에서는, 강앵커링막(32)으로서 폴리이미드막으로 이루어지는 배향막을 형성하는 경우를 예로 설명했지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 강앵커링막(32)으로서 여러 가지 재료로 이루어지는 배향막을 형성할 수 있다.
또한 상기 실시형태에서는, 광중합성 모노머로서 UV 중합성 모노머(362)를 사용하고 그 중합 상분리에 의해 강앵커링막(36)을 형성하는 경우를 예로 설명했지만 여기에 한정되는 것은 아니다. UV 중합성 모노머(362) 이외에 여러 가지 광중합성 모노머를 사용하고 그 중합 상분리에 의해 강앵커링막(36)을 형성할 수 있다. 또한 강앵커링막(36)을 형성하기 위한 재료는, 광 조사에 의해 중합되는 광중합성 재료면 된다. 광중합성 재료는 광중합성 모노머 이외에 UV 중합성 올리고머 등 광중합성 올리고머여도 된다.
10: 액정 표시 장치 12: 액정 패널
16: 기판 18: 기판
20: 액정층 24: 선형 전극
32: 강앵커링막 34: 약앵커링막
36: 강앵커링막 38: 기초막

Claims (13)

  1. 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재된 액정층과,
    상기 제 1 기판의 상기 액정층 측의 면 상에 형성되고, 상기 제 1 기판과 수평인 면 내에 전계를 형성 가능하게 구성된 복수의 전극과,
    상기 복수의 전극의 바로 위에 형성된 제 1 배향막과,
    상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 형성된 제 2 배향막과,
    상기 제 2 기판의 상기 액정층 측에 형성된 제 3 배향막을 가지고,
    상기 제 1 배향막의 앵커링 에너지가, 상기 제 2 및 제 3 배향막의 앵커링 에너지보다 작고,
    상기 제 2 배향막이, 상기 제 1 배향막보다 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상의 영역과 친화성이 높은 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 배향막이, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 선택적으로 형성된 중합 상분리 막으로 이루어지는 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 배향막 사이에 형성된 기초막을 가지고,
    상기 제 2 배향막이, 상기 제 1 배향막보다 상기 기초막과 친화성이 높은 액정 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기초막이, 노광되지 않은 감광성 수지막으로 이루어지는 액정 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 배향막이, 노광된 상기 감광성 수지막으로 이루어지는 액정 표시 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 배향막이, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 직접 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 전극이 각각 선형 전극이고, 빗살 전극을 구성하는 액정 표시 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 배향막의 앵커링 에너지가 10-6J/m2 이하인 액정 표시 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 배향막의 앵커링 에너지가 상기 제 3 배향막의 앵커링 에너지와 동일한 액정 표시 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 전극의 주재료가 ITO, IZO, AZO, GZO 및 ATO 중 어느 것인 액정 표시 장치.
  11. 제 1 기판과, 상기 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판과, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재된 액정층과, 상기 제 1 기판의 상기 액정층 측의 면 상에 형성되고, 상기 제 1 기판과 수평인 면 내에 전계를 형성 가능하게 구성된 복수의 전극과, 상기 복수의 전극의 바로 위에 형성된 제 1 배향막과, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 형성된 제 2 배향막과, 상기 제 2 기판의 상기 액정층 측에 형성된 제 3 배향막을 가지고, 상기 제 1 배향막의 앵커링 에너지가, 상기 제 2 및 제 3 배향막의 앵커링 에너지보다 작은 액정 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 제 1 기판 상에, 상기 복수의 전극을 형성하는 공정과,
    상기 복수의 전극의 바로 위에, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상의 영역보다 광중합성 재료와 친화성이 낮은 상기 제 1 배향막을 형성하는 공정과,
    상기 제 1 기판과 상기 제 3 배향막이 형성된 상기 제 2 기판 사이에, 액정 재료 중에 상기 광중합성 재료가 혼합된 상기 액정층을 개재하는 공정과,
    광조사에 의해 상기 액정층 중의 상기 광중합성 재료를 중합 상분리시킴으로써, 상기 광중합성 재료가 중합 상분리되어 이루어지는 중합 상분리막으로 이루어지는 상기 제 2 배향막을, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 선택적으로 형성하는 공정을 가지는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 배향막을 형성하는 공정은,
    상기 제 1 기판 상 및 상기 복수의 전극 상에 감광성 수지막을 형성하는 공정과,
    상기 복수의 전극 바로 위의 상기 감광성 수지막을 선택적으로 노광함으로써, 상기 복수의 전극 사이의 상기 제 1 기판 상에 노광되지 않은 상기 감광성 수지막으로 이루어지는 기초막을 형성하는 한편 상기 복수의 전극 바로 위에, 상기 기초막보다 상기 광중합성 재료와 친화성이 낮은 상기 감광성 수지막으로 이루어지는 상기 제 1 배향막을 형성하는 공정을 가지는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 광중합성 재료가 자외선 중합성 모노머인 액정 표시 장치의 제조 방법.
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