KR20180095500A - 열전도 구조 및 방열장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열전도 구조(1) 및 방열장치(2)에 관한 것이다. 상기 열전도 구조(1)는 하나의 제1 열전도 층(11) 및 하나의 제2 열전도 층(12)을 포함한다. 제1 열전도 층(11)은 그래핀 재료(111) 및 제1 탄소나노튜브(112)를 포함하고 상기 제1 탄소나노튜브(112)는 상기 그래핀 재료(111)에 분산된다. 상기 제2 열전도 층(12)은 상기 제1 열전도 층(11) 상에 적층되며 다공질 재료(121) 및 제2 탄소나노튜브(122)를 포함하고 상기 제2 탄소나노튜브(122)는 상기 다공질 재료(121)에 분산된다. 방열장치(2)는 상기 열전도 구조(1) 및 방열 구조(4)를 포함한다. 상기 열전도 구조(1)는 열원과 접촉되며, 방열 구조(4)는 열전도 구조(1)에 연결된다. 상기 열전도 구조(1) 및 방열장치(2)는 박막화 특성을 가짐으로써 오늘날의 전자제품의 경박화 요구에 부합된다.

Description

열전도 구조 및 방열장치
본 발명은 열전도 구조 및 방열장치에 관한 것으로 특히 박막화된 열전도 구조 및 방열장치에 관한 것이다.
과학 기술의 발전에 따라, 전자 장치의 설계 및 개발에 있어서 박막화 및 고효율을 모두 우선적으로 고려한다. 고속 연산이 요구되는 현재에서 전자 장치의 전자소자는 이전의 전자소자에 비해 더 많은 열량을 발생할 수밖에 없으나 고온의 작업 환경으로 인해 전자소자의 특성에 영향을 줄 뿐만 아니라 과도하게 높은 온도는 전자소자의 영구적 손상을 일으킬 수 있다. 따라서, 전자 장치의 박막화 추세에 맞춰, 박막화(薄膜化) 방열장치는 현재 전자 장치에 없어서는 안될 중요한 구성의 하나가 되었다.
기존의 방열장치는 일반적으로 라디에이터 및 팬을 포함하며 라디에이터는 전자소자(예를 들면 CPU)에 장착되고 또한 일반적으로 알루미늄 제품 또는 구리 제품이며, 베이스 및 복수의 방열 핀을 포함한다. 전자소자에 의해 발생되는 열에너지가 라디에이터에 전달되면 열에너지는 베이스를 통해 상기 방열 핀에 전달되며 또한 팬을 통해 전자소자에 의해 발생되는 열에너지를 방산할 수 있다.
그러나, 상술한 방열장치의 경우, 라디에이터는 부피가 커서 오늘날의 박막화 전자제품이 요구하는 경박화 요구를 만족시킬 수 없다. 따라서, 오늘날의 전자제품의 경박화 요구에 부합되도록 좋은 열전도 효과 및 박막화 특징을 가진 열전도 구조 및 방열장치를 제공하는 것은 중요한 과제 중 하나가 되었다.
상술한 과제를 감안하여 본 발명의 목적은 오늘날의 전자제품의 경박화 요구에 부합되도록 좋은 열전도 효과 및 박막화 특징을 가지는 열전도 구조 및 방열장치를 제공하는 것이다.
상술한 발명 목적에 도달하기 위해 본 발명은 하기 기술 방안들을 사용한다.
본 발명의 열전도 구조는 제1 열전도 층(11) 및 제2 열전도 층(12)을 포함하고, 상기 제1 열전도 층(11)은 그래핀 재료(111) 및 복수의 제1 탄소나노튜브(112)를 포함하고 상기 제1 탄소나노튜브(112)는 상기 그래핀 재료(111)에 분산되며 상기 제2 열전도 층(12)은 상기 제1 열전도 층(11) 상에 적층되며 다공질 재료(121) 및 복수의 제2 탄소나노튜브(122)를 포함하고 상기 제2 탄소나노튜브(122)는 상기 다공질 재료(121)에 분산된다.
추가적으로 상기 열전도 구조의 두께는 10 ~ 300㎛이다.
추가적으로 열전도성 입자는 상기 제1 열전도 층(11)과 상기 제2 열전도 층(12) 중 적어도 한 층에 분산된다.
추가적으로 상기 열전도 구조는 기능 층(13)을 더 포함하며 상기 기능 층(13)은 제1 열전도 층(11)의 제2 열전도 층(12)으로부터 떨어져 있는 표면에 설치되거나, 또는 상기 제1 열전도 층(11)과 상기 제2 열전도 층(12) 사이에 설치되거나, 또는 상기 제2 열전도 층(12)의 상기 제1 열전도 층(11)으로부터 떨어져 있는 표면에 있다.
추가적으로 상기 기능 층의 재료는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드, 나일론 유도체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 비닐계 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 열가소성 폴리우레탄, 폴리에텔에텔 케톤, 폴리부틸렌테레프탈레이트 또는 폴리염화비닐이다.
상술한 발명의 목적을 실현하기 위해 본 발명은 또한 열전도 층을 포함하는 열전도 구조를 추가로 공개하였고 상기 열전도 층은 다공질 재료(121) 및 복수의 탄소나노튜브를 포함하고 상기 탄소나노튜브는 상기 다공질 재료(121)에 분산된다.
추가적으로 상기 열전도 층은 상기 열전도 층에 분산된 복수의 열전도성 입자를 더 포함한다.
추가적으로 상기 열전도 층은 상기 열전도 층에 혼합된 그래핀 재료(111)를 더 포함한다.
추가적으로 상기 열전도 구조의 두께는 10 ~ 300㎛이다.
추가적으로 상기 열전도 구조는 상기 열전도 층의 표면에 설치되는 기능 층(13)을 더 포함한다.
추가적으로 상기 기능 층의 재료는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드, 나일론 유도체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 비닐계 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 열가소성 폴리우레탄, 폴리에텔에텔 케톤, 폴리부틸렌테레프탈레이트 또는 폴리염화비닐이다.
상술한 발명의 목적을 실현하기 위해 본 발명은 열원과 결합되는 방열장치를 추가로 공개하였으며 상기 방열장치는 열원과 접촉하는 상술한 어느 한 항의 열전도 구조 및 상기 열전도 구조와 연결되는 방열 구조(4)를 포함한다.
추가적으로 상기 방열 구조는 방열 핀, 냉각 팬(41) 및 히트파이프 중의 하나 이상을 포함한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 열전도 구조 및 방열장치에서 열전도 구조의 제1 열전도 층은 그래핀에 분산된 복수의 제1 탄소나노튜브를 포함하고 제2 열전도 층은 제1 열전도 층 상에 적층되며 다공질 재료에 분산된 복수개의 제2 탄소나노튜브를 포함한다. 따라서 제1 열전도 층과 제2 열전도 층의 구조에 의해 열원에 의해 발생되는 열에너지를 빠르게 전도하여 방산시킬 수 있을 뿐만 아니라 열전도 구조 및 방열장치가 박막화 특징을 가짐으로써 오늘날의 박막화 전자제품의 경박화 요구에 부합되도록 한다.
도 1a는 본 발명의 바람직한 실시예의 열전도 구조의 분해 설명도 이다.
도 1b는 본 발명의 바람직한 실시예의 열전도 구조의 측면 설명도 이다.
도 1c는 도 1b의 영역 A의 확대 설명도 이다.
도 1d는 도 1b의 영역 B의 확대 설명도 이다.
도 2a ~ 도 2c는 다른 실시 형태의 열전도 구조의 측면 설명도 이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예의 방열장치의 설명도 이다.
이하 관련 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 열전도 구조 및 방열장치를 설명하며 동일한 소자는 동일한 참고 부호를 사용하여 설명한다.
도 1a ~도 1d를 참고하면, 도 1a 및 도 1b는 각각 본 발명의 바람직한 실시예의 열전도 구조(1)의 분해 개략도 및 측면 설명도이며, 도 1c 및 도 1d는 각각 도 1b의 영역 A 및 영역 B의 확대 설명도이다. 여기서, 도 1c 및 도 1d는 단지 예시를 위한 것으로 실제 소자의 비율에 따라 도시한 것이 아니다.
열전도 구조(1)는 열원(예를 들면 전자소자)에 의해 발생되는 열에너지를 신속하게 전도할 수 있으며 제1 열전도 층(11) 및 제2 열전도 층(12)을 포함하고 제1 열전도 층(11)과 제2 열전도 층(12)은 서로 적층된다. 본 실시 예는 제2 열전도 층(12)이 제1 열전도 층(11) 상에 적층된 것을 예로 든다(제1 열전도 층(11)은 열원에 접촉). 다른 실시 예에서는 제1 열전도 층(11)을 제2 열전도 층(12) 상에 적층 할 수도 있으며(제2 열전도 층(12)은 열원에 접촉) 이에 한정되지 않는다. 열전도 구조(1)의 두께(d)는 10 ~ 300㎛이다. 따라서, 사용자는 오늘날의 전자제품의 경박화 요구에 부합되도록 실제 필요에 따라 필요한 두께로 제조하여 경박화 전자장치에 응용할 수 있다.
도 1c에 도시한 바와 같이 제1 열전도층(11)은 그래핀 재료(111) 및 복수의 제1 탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT)(112)를 포함하며 상기 제1 탄소나노튜브(112)들은 그래핀 재료(111)에 혼합된다. 여기서 그래핀 재료(111)는 그래핀을 베이스로 하는 재료이며 천연 흑연 또는 인조 흑연일 수도 있다. 그래핀 재료(111, 그래핀 입자)의 순도는 70 ~ 99.9%일 수 있으며 그래핀 입자의 입경은 5 ~ 3,000㎚이다. 그밖에, 탄소나노튜브(제1 탄소나노튜브(112))는 나노급 직경과 긴 종횡비를 가진 흑연 튜브이며, 탄소나노튜브의 직경은 0.4nm에서 수십nm까지이며 탄소 튜브의 외경은 1㎚에서 수백 ㎚까지이며 그 길이는 수㎛에서 수십㎛까지이며 단일 층 또는 다층의 흑연 층을 말아서 중공 관형 구조를 형성할 수 있다. 탄소나노튜브는 높은 열전도성 재료이며 그 열전도계수는 일반적으로 6,000 W/m-K(고순도 다이아몬드의 열전도성 계수는 약 3,320 W/m-K임)보다 클 수 있으므로 그 열전도 효율은 상당히 높다. 구체적 실시 예에서 탄소나노튜브(제1 탄소나노튜브(112))를 그래핀 재료(111)에 혼합하고 접착제(그림에 표시되지 않음)를 첨가한 후 교반하여 하여 실제 필요한 크기 및 두께에 따라 경화 정형하여 제1 열전도층(11)을 만든다. 그래핀 입자는 양호한 열전도성을 가지며 특히 X/Y축으로 구성된 평면에 대해 매우 좋은 열전도성을 가지므로 그래핀 재료(111)와 제1 탄소나노튜브(112)를 구비한 제1 열전도 층(11)을 통해 고효율의 열 전달을 수행함으로써 빠르게 열에너지를 열원으로부터 전도하여 제2 열전도 층(12)으로 전달한다.
그밖에 도 1d에 도시한 바와 같이 제2 열전도 층(12)은 다공질 재료(121) 및 복수의 제2 탄소나노튜브(122)를 포함하며 상기 제2 탄소나노튜브(122)들은 다공질 재료(121)에 혼합된다. 여기서 다공질 재료(121)는 발포 플라스틱으로서 예를 들면 폴리스티렌(PS), 폴리에틸렌(PE), 폴리염화비닐(PVC), ABS, PC, 폴리에스테르, 나일론(Nylon) 또는 폴리포름알데히드(POM) 등 열가소성 플라스틱을, 이산화탄소 발포제, HCFC, 탄화수소계(예를 들면, 시클로펜탄), 불화수소, ADC 발포제(예를 들면, N-니트로소 화합물) 또는 OBSH발포제(예를 들면, 4,4'-옥시비스벤젠설포닐 하이드라자이드) 등 발포제에 첨가한 후 교반하여 만들거나, 또는 PU, 폴리이소시아누레이트 수지, 노블락 수지, 우레아 포름 알데히드 수지, 에폭시 수지, 폴리오가노실록산 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등 열경화성 플라스틱을 상기 발포제에 첨가한 후 교반하여 만들 수 있다. 다공질 플라스틱(다공질 재료(121))은 플라스틱을 기본 재료로 하며 대량의 기포 G를 함유하므로 다공질 플라스틱은 기체를 필로로 하는 복합 플라스틱이라고 할 수 있다. 그밖에 제2 탄소나노튜브(122)는 상기 제1 탄소나노튜브(112)의 높은 열전도 특성을 가지며 다시 설명하지 않는다.
실제로, 먼저 제2 탄소나노튜브(122)를 액체 상태의 다공질 재료(121)에 혼합하고 실제 필요한 크기 및 두께에 따라 경화 정형하여 제2 열전도 층(12)을 만들 수 있다. 열에너지가 제2 열전도 층(12)에 전도되면 제2 탄소나노튜브(122)의 높은 열전도 능력에 의해 열에너지는 제2 탄소나노튜브(122)에 의해 기포(G) (기포G 내부에 공기가 있음)로 전도되어 있다. 위로 전도되며 다공질 재료(121)는 열에너지를 제2 탄소나노튜브(122)와 다공질 재료(121)를 통해 위로 전달할 수도 있다.
그밖에 도 2a에서도 2c까지를 참고하면 각각 다른 실시 형태의 열전도 구조 1a, 1b, 1c의 측면 설명도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이 열전도 구조(1a)가 열전도 구조(1)와 다른 점은 열전도 구조(1a)가 제2 열전도 층(12)의 제1 열전도 층(11)으로부터 떨어져 있는 표면(제2 열전도 층(12)의 상부 표면)에 설치된 기능 층(13)을 더 포함하는 것이다. 여기서, 기능 층(13)의 재료는 열경화성 플라스틱, 예를 들면 에폭시 수지(Epoxy), 또는 페놀 수지(Phenolic) 또는 비스말레이미드(Bismaleimide, BMI)일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또는 기능 층(13)의 재료도 열가소성 플라스틱, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 나일론 유도체(Nylon), 폴리스티렌(Polystyrene), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌(Polypropylene), 비닐계 수지(Vinyl), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(Acrylonitrile-butadine-styrene, ABS), 폴리이미드(PI), 폴리메타크릴산 메틸(Polymethyl methacrylate, PMMA), 열가소성 폴리우레탄(Thermoplasticlymethylmethac TPU), 폴리에텔에텔 케톤(Polyetherether ketone, PEEK), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(Polybutylene terephthalate, PBT) 또는 폴리염화비닐(Polyvinylchloride, PVC)일 수 있으나 이에 한정되지 않으며 이로써 제2 열전도 층(12) 상부 표면에 전달된 열에너지를 더 위로 전달하도록 도와(계면의 열전도 능력을 보강), 열전도 효율을 더 향상시킨다.
그밖에, 도 2b에 도시한 바와 같이 열전도 구조(1b)가 열전도 구조(1a)와 다른 점은 열전도 구조(1b)의 기능 층(13)은 제1 열전도 층(11)과 제2 열전도 층(12)의 계면의 열전도를 도와 계면의 열전도 능력을 강화시키도록 제1 열전도 층(11)과 제2 열전도 층(12) 사이에 설치되는 것이다.
그밖에, 도 2c에 도시한 바와 같이 열전도 구조(1c)가 열전도 구조(1a)와 다른 점은 열전도 구조(1c)의 기능 층(13)은 열전도 구조(1c) 외부의 열에너지를 제1 열전도 층(11)으로 빠르게 전달하도록 도와 계면의 열전도 능력을 보강하여 열전도 효율을 상승시키도록 제1 열전도 층(11)의 제2 열전도 층(12)으로부터 떨어져 있는 표면(제1 열전도 층(11)의 하부 표면, 즉, 제1 열전도 층(11)과 열원 사이에 위치)에 설치되는 것이다.
그밖에 열전도 구조(1a, 1b, 1c)의 기타 기술특징은 열전도 구조(1)의 동일한 소자를 참고할 수 있으므로 더 이상 설명하지 않는다.
보충적으로 설명해야 할 점은 서로 다른 요구에 따라 다른 실시 예에서는 복수의 열전도성 입자(그림에 표시되지 않음)를 상기 실시예의 제1 열전도 층(11) 또는 제2 열전도 층(12) 또는 제1 열전도 층(11)과 제2 열전도 층(12)에 혼합할 수 있다. 여기서 열전도성 입자는 열전도 계수(w/mk)가 20 이상의 재료이며 그 재료는 예를 들면 은, 구리, 금, 알루미늄, 철, 주석, 납, 규소, 탄화규소, 갈륨비소, 질화알루미늄, 산화베릴륨, 산화마그네슘 또는 이들의 합금 또는 산화알루미늄, 산화붕소 등 세라믹 재료일 수 있다. 제2 열전도 층은 바람직한 종축(Z축) 열전도 능력을 가지므로 열전도성 입자를 가진 제1 열전도 층(11) 및/또는 제2 열전도 층(12)를 통해 열전도 구조의 열전도 효과를 더욱 강화시킬 수 있거나 또는 그래핀 재료를 제2 열전도 층(12)에 첨가하여 제2 열전도 층(12)이 다공질 재료(121) 및 제2 탄소나노튜브(122)를 포함하는 것 외에도 그래핀 재료를 포함할 수 있게 하여 제2 열전도 층(12)의 열전도 효율을 더 향상시킬 수도 있다.
그밖에 일부 실시 예에서 열전도 구조는 한 층의 열전도 층일 수도 있으며 예를 들면 단일 층의 제1 열전도 층(11) 또는 제2 열전도 층(12)이며 또한 복수의 열전도성 입자(그림에 표시되지 않음)를 단일 층의 제1 열전도층(11) 또는 제2 열전도 층(12)에 혼합하여 그 열전도 효과를 향상시킬 수도 있다. 또한, 일부 실시 예에서 단일 층의 제2 열전도 층(12)만을 포함하는 열전도 구조에 그래핀 재료를 추가할 수도 있으며 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 3에 도시한 바를 참고하면 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예의 방열장치(2)의 설명도 이다. 방열장치(2)는 전원소자, 디스플레이 카드, 메인 보드, 램프, 기타 전자소자 또는 전자 제품과 결합 사용함으로써 열원에 의해 발생되는 열에너지를 전도하여 방산시키는데 도움을 준다.
방열장치(2)는 열전도 구조(3)와 방열 구조(4)를 포함한다. 여기서 열전도 구조(3)는 열원에 접촉되며(예를 들면 열원 상에 직접 설치되어 열원과 접촉) 제1 열전도 층(31)과 제2 열전도 층(32)을 포함하며 방열 구조(4)는 열전도 구조(3)에 연결된다. 여기서 열원은 예를 들면 CPU일 수 있으나 이에 한정되지 않으며 열전도 구조(3)는 상기 열전도 구조(1, 1a, 1b, 1c) 및 그 변화 형태이며 구체적 기술특징은 상기 내용을 참고할 수 있으므로 더 이상 설명하지 않는다.
본 실시예의 열전도 구조(3)는 열원 상에 설치되며 제1 열전도 층(31)은 열원에 의해 발생되는 열에너지가 빠르게 전도되도록 방열이 필요한 열원(예를 들면, CPU)에 직접 부착된다. 그밖에 방열 구조(4)는 방열 핀, 냉각 팬 또는 히트파이프 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 본 실시예의 방열 구조(4)는 냉각 팬(41)이며 열원에 의해 발생되는 열에너지가 열전도 구조(3)에 전달된 후 냉각 팬(41)에 의해 열에너지를 빠르게 방산시킬 수 있으며 이를 통해 열원의 온도를 낮춘다.
상술한 바를 종합하면, 본 발명의 열전도 구조 및 방열장치에서 열전도 구조의 제1 열전도 층은 그래핀 재료에 분산된 복수의 제1 탄소나노튜브를 포함하며 제2 열전도 층은 제1 열전도 층 상에 적층되며 다공질 재료에 분산된 복수의 제2 탄소나노튜브를 포함한다. 제1 열전도 층과 제2 열전도 층의 구조를 통해 열원에 의해 발생되는 열에너지를 빠르게 전도하여 방산시킬 수 있을 뿐만 아니라 열전도 구조 및 방열장치가 박막화의 특징을 가짐으로써 오늘날의 박막화 전자제품의 경박화 요구에 부합하도록 한다.
이상에서 기술한 실시 예들은 예시적인 것일 뿐 한정적인 것이 아니다. 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않고 실시하는 임의의 변화와 수정은 모두 본 발명의 보호범위에 속한다.
1, 1a, 1b, 1c, 3-열전도 구조
11, 31-제1 열전도 층
111-그래핀 재료
112-제1 탄소나노튜브
12, 32-제2 열전도 층
121-다공성 재료
122-제2 탄소나노튜브
13-기능 층
2-방열장치
4-방열 구조
41-냉각 팬
A, B-영역
d-두께
G-기포

Claims (13)

  1. 제1 열전도층(11) 및 제2 열전도층(12)을 포함하는 열전도 구조에 있어서,
    상기 제1 열전도층(11)은 그래핀 재료(111) 및 복수의 제1 탄소나노튜브(112)를 포함하고, 상기 제1 탄소나노튜브(112)는 상기 그래핀 재료(111)에 분산되고; 상기 제2 열전도층(12)은 상기 제1 열전도층(11) 상에 적층되며, 다공질 재료(121) 및 복수의 제2 탄소나노튜브(122)를 포함하고, 상기 제2 탄소나노튜브(122)는 상기 다공질 재료(121)에 분산되는,
    열전도 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열전도 구조의 두께는 10㎛ 내지 300㎛인, 열전도 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    복수개의 열전도성 입자를 더 포함하며, 상기 열전도성 입자는 상기 제1 열전도층(11)과 상기 제2 열전도층(12) 중의 적어도 한 층에 분산되는, 열전도 구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열전도 구조는 기능 층(13)을 더 포함하며, 상기 기능 층(13)은 제1 열전도층(11)의 제2 열전도층(12)으로부터 떨어져 있는 표면에 있거나, 또는 상기 제1 열전도층(11)과 상기 제2 열전도층(12) 사이에 있거나, 또는 상기 제2 열전도층(2)의 상기 제1 열전도층(11)으로부터 떨어져 있는 표면에 설치되는, 열전도 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기능 층(13)의 재료는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 에폭시 수지, 페놀수지, 비스말레이미드, 나일론 유도체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 비닐계 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 열가소성 폴리우레탄, 폴리에텔에텔 케톤, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리염화비닐인, 열전도 구조.
  6. 열전도 구조로서,
    복수의 다공질 재료(121) 및 상기 다공질 재료(121)에 분산되는 복수의 탄소 나노 튜브를 포함하는 열전도층을 포함하는, 열전도 구조.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 열전도층은 상기 열전도 층에 분산된 복수의 열전도성 입자를 더 포함하는, 열전도 구조.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 열전도층은 열전도 층에 혼합된 그래핀 재료(111)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 열전도 구조.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 열전도 구조의 두께는 10㎛ 내지 300㎛인, 열전도 구조.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 열전도 층의 표면에 기능 층(13)을 더 포함하는 열전도 구조.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기능 층의 재료는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드, 나일론 유도체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 비닐계 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리이미드, 폴리메틸메타크릴레이트, 열가소성 폴리우레탄, 폴리에텔에텔 케톤, 폴리부틸렌테레프탈레이트 또는 폴리염화비닐인, 열전도 구조.
  12. 열원과 결합되는 방열장치에 있어서,
    상기 열원과 접촉하는 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 열전도 구조 및 상기 열전도 구조와 연결되는 방열 구조(4)를 포함하는
    방열장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 방열 구조는 방열 핀, 냉각 팬(41)과 히트파이프 중의 하나 이상을 포함하는, 방열장치.
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