KR20180090370A - 기판들의 열 처리를 위한 방법 및 디바이스 그리고 기판들에 대한 홀딩 유닛 - Google Patents

기판들의 열 처리를 위한 방법 및 디바이스 그리고 기판들에 대한 홀딩 유닛 Download PDF

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슈테판 뮐러
헬무트 아슈너
토마스 켈러
빌헬름 케젤
빌프리트 레르히
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센트로테에름 인터내셔널 아게
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Abstract

본 발명은 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들의 열 처리를 위한 방법 및 디바이스, 및 기판들에 대한 홀딩 유닛에 관한 것이다. 방법에서, 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세스 유닛에서, 하나 또는 그 초과의 기판들이 하부 부분을 가지며 커버를 가진 박스에 홀딩되고, 하부 부분 및 커버는 그 사이에 기판에 대한 홀딩 공간을 형성한다. 게다가, 다음 단계들이 방법에서 수행된다: 박스 및 기판을 프로세스 챔버로 로딩하고 프로세스 챔버를 폐쇄하는 단계; 박스 내부에 원하는 분위기를 설정하기 위해 박스 및 그 안에 포함된 기판이 원하는 프로세스 온도로 가열되기 전에 퍼징 가스 및/또는 프로세스 가스로 박스의 홀딩 공간을 퍼징(purge)하는 단계; 및 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선에 의해 박스 및 그 안에 포함된 기판을 원하는 프로세스 온도로 가열하는 단계. 기판들에 대한 홀딩 유닛은 프로세스 챔버를 가지며 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세스 유닛에서 기판들을 지지하도록 설계된다. 홀딩 유닛은 하부 부분 및 커버를 가지며, 홀딩 유닛은, 폐쇄된 상태에서 하부 부분과 커버 사이에 박스를 형성하고, 상기 박스는 기판에 대한 홀딩 공간을 가지며, 부분들 중 적어도 하나는 박스의 폐쇄된 상태에서 홀딩 공간의 퍼징을 가능하게 하기 위해 박스의 주변부를 홀딩 공간에 연결하는 복수의 퍼징 개구들을 가지며, 퍼징 개구들은, 퍼징 개구들이 방사선 소스들의 열 방사선의 통과를 실질적으로 방지하는 방식으로 설계된다.

Description

기판들의 열 처리를 위한 방법 및 디바이스 그리고 기판들에 대한 홀딩 유닛
본 발명은 기판들의 열 처리를 위한 방법 및 장치 그리고 기판들의 열 처리 동안 기판들을 수용하기 위한 기판들에 대한 수용 유닛에 관한 것이다.
반도체 기술에서, 반도체 기판들의 열 처리를 위한 상이한 장치들이 알려졌다. 특히, 전자기 방사선(가열(heating) 방사선)에 의한 열 처리 동안 반도체 기판들을 가열하는 것이 알려졌다. 그런 방사선-기반 장치들은 기술 분야에서, 예컨대 RTP(RTP = rapid thermal processing) 시스템들, RTA(RTA = rapid thermal anneal) 시스템들 또는 급속 가열 시스템들로서 알려졌다. 그런 급속 가열 시스템들 내에서, 매우 급속 가열 사이클들이 제공될 수 있지만, 프로세싱될 기판들은 특히 저온들에서 가열 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적이다. 더 높은 온도들에서만 더 높은 흡수가 달성된다. 게다가, 또한 특정 기판들이 가열 방사선에 민감하고 그러므로 직접 방사선 가열이 그런 기판들에 적합하지 않다는 것이 알려졌다. 또한, 기판상의 구조들은 기판에 걸쳐 상이한 흡수 특성들을 제공할 수 있어서, 방사 가열은 불균일 가열을 초래할 것이다.
그러므로, 이전에 일부 경우들에서, 플레이트 엘리먼트들이 사용되어 왔고 플레이트 엘리먼트들은 방사선 소스들과 처리될 기판 사이 그리고 기판에 아주 근접하여 배치되었다. 이것은, 방사선 소스들로부터의 방사선을 통해 플레이트 엘리먼트를 가열하고 따라서 방사선을 통해 기판들을 간접적으로 가열하는 것을 가능하게 하였다. 그러나, 플레이트 엘리먼트들은, 단순 또는 다수의 반사들에 의해 여전히 일부 방사선이 기판에 도달할 수 있는 단점을 가졌다. 차례로, 이는 다시 기판의 불균일 가열을 유도할 수 있다. 그러므로, 플레이트 엘리먼트들을 사용하는 대신, 베이스 부분과 커버를 가진 수용 유닛을 사용하기 위한 시도들이 또한 이루어졌었고, 수용 유닛은 폐쇄된 상태에서 기판을 수용하기 위한 수용 공간을 형성하였다. 이 박스는 완전히 폐쇄되었고 방사선 소스들로부터의 어떠한 방사선도 기판에 도달할 수 없다.
그런 폐쇄된 박스 시스템들은 장치의 프로세스 챔버 외측에서 각각 로딩(load)되었고 이어서 로딩된 상태에서 장치의 프로세스 챔버 내로 도입되었다. 그러나, 이것은, 박스가 로딩되기 전에 대기를 통해 운송되었기 때문에 폐쇄된 박스 내의 분위기가 오히려 부정확하게만 조정될 수 있다는 문제를 초래하였다. 특히 박스로의 기판의 로딩과 후속적인 열 처리 사이의 더 긴 저장 기간들은 박스 내의 분위기 변화들, 및 특히 WBG(Wide Band Gap) 기판들에서 불리한 특히 바람직하지 않게 높은 산소 농도를 유도할 수 있다.
그러므로, 본 발명은 종래 기술의 위에서 언급된 단점들 중 적어도 하나를 극복하기 위한 목적에 기반한다.
본 발명에 따라, 제1 항에 따른 기판들의 열 처리를 위한 방법, 제7 항에 따른 기판들에 대한 수용 유닛 또는 제11 항에 따른 기판들의 열 처리를 위한 장치가 제공된다.
기판들, 특히 반도체 웨이퍼들의 열 처리를 위한 방법은 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세스 유닛에서 발생하고, 처리될 기판은 그 사이에 기판에 대한 수용 공간을 형성하는 베이스 및 커버를 가진 박스 내에 수용된다. 방법에서, 박스 및 기판은 프로세스 챔버로 로딩되고 상기 프로세스 챔버는 후속하여 폐쇄된다. 그 후, 박스의 수용 공간은 박스 내에 원하는 분위기를 세팅하기 위해 박스 및 그 내부의 기판을 원하는 프로세스 온도로 가열하기 전에 퍼지(purge) 가스 및 프로세스 가스 중 적어도 하나로 퍼징된다. 박스 및 그 내부에 수용된 기판을 퍼징한 후에만 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선에 의해 원하는 프로세스 온도로 가열된다. 따라서, 방법은 프로세스 챔버 내에서 박스 내부의 퍼징을 제공하고, 퍼징 이후에 그리고 퍼징 직후, 열 방사선에 의해 열 처리가 수행될 수 있다. 이것은 원하는 분위기가 박스 내에서 조정되는 것을 허용한다. 예컨대, WBG(wide band gap) 반도체 기판들의 열 처리를 위해 요구되는 특히 산소가 퍼징 아웃될 수 있다. 그런 기판들은 그렇지 않으면 불활성 가스 환경에서 열 처리 동안 10 ppm O2 미만의 범위인 산소의 부재를 요구한다. 그러나 다른 기판들에서도, 기판을 직접 둘러싸는 분위기의 정확한 조정이 원해지거나 요구될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 박스는 박스의 폐쇄된 상태에서 수용 공간의 퍼징을 허용하기 위해 박스의 원주를 수용 공간에 연결하는 복수의 퍼지 개구들을 가지며, 퍼지 개구들은 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선의 통과를 방지하도록 구성된다. 따라서, 박스의 폐쇄된 상태에서 퍼징이 가능하고 프로세스 챔버 내의 박스를 개방하기 위한 장치들이 생략될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 수용 공간을 퍼징하기 위해, 박스가 프로세스 챔버 내에서 개방되고 기판이 박스의 우수한 퍼징을 허용하고 특히 열 처리 동안 기판의 바로 근처에 바람직한 분위기를 조정하기 위해 선택적으로 박스의 베이스로부터 들어 올려지는 것이 또한 가능하다. 퍼지 개구들 외에, 박스에 대한 개방 디바이스가 또한 제공되면, 예컨대 먼저 개방 상태에서 박스를 퍼징하고 그리고 또한, 열 처리 동안 박스를 추가로 퍼징하고 그리고/또는 프로세스 가스 분위기의 조정을 제공하기 위해 박스가 폐쇄된 상태에 있는 동안, 열 처리 동안 박스를 통해 가스를 통과시키는 것이 가능하다. 일 실시예에 따라, 베이스는 베이스의 상부 표면으로부터 이격되게 기판을 지지하기 위해 복수의 지지 핀들을 가진 실질적으로 편평한 구성을 가지며, 커버는 기판이 박스의 폐쇄된 상태에서 수용되는 리세스(recess)를 자신의 하부 표면에 가진다. 그런 구성은, 보이(boy)가 개방 상태에 있는 동안, 심지어 기판을 리프팅 업(lift up) 않고도 베이스와 기판 사이의 갭의 우수한 퍼징을 허용하는데 특히 유리하다. 게다가, 기판의 지역에서 리프트(lift) 핀들이 통과하도록 허용하기 위한 개구들은 완전히 폐쇄된 수용 공간을 제공하기 위해 생략될 수 있다. 기판의 로딩 및 언로딩 동안, 적절한 그리퍼(gripper)는 베이스와 기판 사이에 삽입될 수 있거나, 적절한 그리퍼는 에지들에서 기판을 그리핑(grip)할 수 있다.
퍼징은 바람직하게 프로세스 챔버를 네거티브 압력으로 배기하는 것 및 후속하여 퍼징 및 프로세스 가스 중 적어도 하나를 도입하는 것을 포함하는 적어도 하나의 퍼징 사이클을 포함한다. 처음에 프로세스 챔버 및 이에 따라서 또한 박스 내의 수용 공간을 네거티브 압력으로 배기함으로써, 원하지 않는 가스 구성 성분들은 먼저 펌핑 제거될 수 있고, 퍼지 가스 및 프로세스 가스 중 적어도 하나의 후속적인 도입은 수용 공간 내의 분위기를 더 퍼징하거나 플러싱(flush)할 수 있다. 바람직하게, 방법은 수용 유닛 내의 분위기의 원하는 조정을 보장하기 위해 복수의 그런 퍼지 사이클들을 포함한다.
기판들, 특히 반도체 웨이퍼들에 대한 수용 유닛은 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 기판들을 열적으로 처리하기 위한 장치 내에 기판들을 지지하는데 적합하고, 수용 유닛은 베이스 및 커버를 가지며, 수용 유닛은 폐쇄된 상태에서 베이스와 커버 사이에 기판에 대한 수용 공간을 가진 박스를 형성한다. 부분들(즉, 베이스 또는 커버) 중 적어도 하나는 박스의 폐쇄된 상태에서 수용 공간의 퍼징을 허용하도록 박스의 원주를 수용 공간에 연결하는 복수의 퍼지 개구들을 가지며, 퍼지 개구들은 실질적으로 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선의 통과를 방지하도록 구성된다. 그런 수용 유닛은 위에서 이미 언급된 장점들을 허용한다. 퍼지 개구들은 바람직하게 자신의 폭 또는 높이보다 적어도 3배 더 긴 길이를 가진다. 대안적으로 또는 부가적으로, 퍼지 개구들은 선형으로 연장되지 않을 수 있고 특히 열 방사선의 통과를 방지하기 위해 Y 구성을 가질 수 있다. Y 구성은 특히 수용 공간에 수용된 기판 위 및 아래의 지역에 퍼지 가스 또는 프로세스 가스의 우수한 분배를 제공할 수 있다. 추가 실시예에서, 베이스 및 커버는, 이들이 폐쇄된 상태에서 서로 맞물리고 그리고/또는 베이스 및 커버 중 하나가 프로세스 챔버에 관해 수용 공간의 우수한 밀봉을 제공하기 위해 커버 및 베이스 중 다른 하나를 방사상으로 둘러싸는 구조를 가지는 방식으로 상보적인 원주 구조들(퍼지 개구들 제외)을 가진다.
기판들, 특히 반도체 웨이퍼들의 열 처리를 위한 장치는 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진다. 장치는, 폐쇄될 때, 그 사이에 기판에 대한 수용 공간을 가진 박스를 형성하는 베이스 및 커버를 포함하는 수용 유닛, 및 프로세스 챔버에서 박스를 지지하기 위한 지지 유닛을 더 포함한다. 수용 유닛의 부분들 중 적어도 하나는 박스의 폐쇄된 상태에서 수용 공간의 퍼징을 허용하도록 박스의 원주를 수용 공간에 연결하는 복수의 퍼지 개구들을 가지며, 퍼지 개구들은 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선의 통과를 실질적으로 방지하도록 구성되고 그리고/또는 장치는 프로세스 챔버 내에서 수용 공간의 퍼징을 허용하기 위해 프로세스 챔버 내에서 수용 유닛을 개방하기 위한 유닛을 가진다. 양쪽 대안들은 위에서 이미 언급된 장점들을 허용한다. 특히, 수용 유닛은 위에서 설명된 타입을 가질 수 있다. 대안적으로, 수용 유닛이 퍼지 개구들을 가지지 않고 실질적으로 프로세스 챔버에 관해 수용 공간을 밀봉하는 폐쇄 유닛을 형성하는 것이 또한 가능하다. 프로세스 챔버 내에서 퍼지 프로세스 동안만 개방되는 그런 완전히 폐쇄된 박스들은 예컨대 GaAs 반도체 웨이퍼들에 유리하다. 그런 기판들로 인해, GaAs 기판으로부터 As의 확산을 방지하기 위해, 적합한 As 증기 압력은 열 처리 동안 수용 공간에서 달성되어야 한다. 따라서, 매크로(macro)-가스 환경이 수용 공간에서 조정되어야 한다. 매크로-가스 환경의 이런 조정을 조장하기 위해, 수용 유닛의 베이스 및 커버 중 적어도 하나는 부가적으로, 열 처리 동안 개별 증기 압력을 조정하기 위해 As를 또한 제공할 수 있도록, (제1) 사용 전에 비소로 포화될 수 있다.
프로세스 챔버 내의 수용 유닛에 대한 특정 퍼지 개구들 및 개구 유닛 중 적어도 하나의 제공은 수용 공간의 급속 퍼징을 허용하고 수용 공간 내의 데드 볼륨(dead volume)들을 방지한다.
바람직하게, 베이스 및 커버는, 이들이 폐쇄된 상태에서 서로 맞물리고 그리고/또는 하나의 구조가 다른 구조를 방사상으로 둘러싸는 방식으로 상보적인 원주 구조들을 가진다. 이런 방식으로, 수용 공간의 우수한 밀봉이 달성될 수 있다.
기판들의 열 처리를 위한 방법 및 장치뿐 아니라, 수용 유닛은 방사선 소스들에 의해 방출된 방사선의 직접 흡수에 대해 충분한 흡수를 나타내지 않는 WBG(Wide Band Gap) 기판들의 열 처리에 특히 적절하다. 가능한 처리들은 금속화 어닐링, 도판트들의 활성화 또는 다른 프로세스들을 포함한다. 기판들의 가열은 방사선에 의해 가열되는 수용 유닛을 통해 간접적으로 발생한다. 수용 유닛에 의해 흡수된 열 에너지는 주로 대류(대기압 처리의 경우)에 의해 그리고/또는 방사선 소스들에 의해 방출된 방사선과 상이한 수용 유닛에 의해 방출된 방사선(특히 진공 프로세스들에서)에 의해 기판으로 전송된다. 특히 WBG 기판들에서, 10 ppm O2 미만의 범위인 산소-없는 환경이 요구되고, 이는 수용 유닛의 퍼징/플러싱 옵션을 통해 달성될 수 있다. 그러나 또한 다른 기판들에서도, 수용 유닛 내의 수용 공간의 제어된 퍼징이 유리할 수 있다.
본 발명은 도면들을 참조하여 아래의 본원에서 더 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본원에 수용된 본 발명에 따른 수용 유닛을 가진 기판들을 열적으로 처리하기 위한 장치를 통한 개략 단면도를 도시하고, 수용 유닛은 폐쇄된 상태로 도시된다.
도 2는 도 1과 유사한 기판들을 열적으로 처리하기 위한 장치의 개략 단면도를 도시하지만, 수용 유닛은 개방 상태로 도시된다.
도 3은 도 1에 따른 수용 유닛의 베이스 상으로의 개략 상면도를 도시한다.
도 4는 수용 유닛의 대안적인 베이스의 개략 평면도를 도시한다.
도 5는 수용 유닛의 베이스의 추가 대안적인 실시예를 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 대안적인 수용 유닛을 도시하고, 도 6a는 개방된 상태의 수용 유닛을 도시하고 그리고 도 6b는 폐쇄된 상태의 수용 유닛을 도시한다.
다음 상세한 설명에 사용된 바와 같이 위치 또는 방향 기준들은 주로 도면들의 예시를 참조하고 그러므로 본 출원의 범위를 제한하는 것으로 취해지지 않아야 한다. 그러나, 이들은 또한 바람직한 최종 어레인지먼트를 참조할 수 있다.
도 1 및 도 2는 수용 유닛(4)이 내부에 수용된 기판들(2)의 열 처리를 위한 장치(1)의 개략적인 단면도들을 도시한다. 도 1은 장치(1) 내에서 폐쇄된 상태의 수용 유닛(4)을 도시하고 도 2는 개방된 상태의 수용 유닛(4)을 도시한다.
장치(1)는 내부에 프로세스 챔버(8)를 가지는 하우징(6)을 가진다. 하우징(6)은 도시되지 않은 도어(door) 메커니즘에 의해 폐쇄될 수 있는 로딩/언로딩 개구(10)를 가진다. 하우징에, 적어도 하나의 가스 입구 개구 및 가스 배기 개구, 즉 도시되지 않은 양쪽 개구가 제공된다. 가스 입구 개구 및 가스 배기 개구는 알려진 방식으로 프로세스 챔버(8)와 연통한다. 특히, 프로세스 챔버(8)를 통해 실질적으로 직선 흐름을 허용하기 위해, 적어도 하나의 가스 공급 개구는 하우징(6)의 제1 측 벽에 형성되고 적어도 하나의 가스 배기 개구는 대향하는 하우징 측 벽에 형성된다.
상부 행의 램프들(12) 및 하부 행의 램프들(13)은 프로세스 챔버(8) 내에 배열되고, 램프들 각각은 복수의 가열 램프들(14), 이를테면, 예컨대, 텅스텐 할로겐 램프들 및/또는 아크 램프들을 가진다. 그러나, 다른 적절한 램프들이 또한 사용될 수 있다. 비록 도시되지 않지만, 상부 행의 램프들(12) 및 하부 행의 램프들(13)은 램프들(14)의 방사선에 실질적으로 투과적인 커버, 이를테면 기술 분야에서 알려진 석영 플레이트에 의해 중앙 프로세싱 영역으로부터 분리될 수 있다. 프로세스 챔버(8)의 내부 벽들은 실질적으로 가열 램프들(14)의 전체 방사선을 중앙 프로세싱 영역을 향해 지향시키도록 미러(mirror)형 표면을 가진다.
지지부(15)는 복수의 지지 핀들(19)을 가지며, 지지 핀들(19)은, 이들이 실질적으로 상부 행의 램프들(12)과 하부 행의 램프들(13) 사이에 중심이 두어지게 폐쇄된 수용 유닛(4)을 배열하도록 배열된다. 지지 핀들(19)은 바람직하게 가열 램프들의 방사선에 투과적인 재료, 이를테면 석영으로 만들어지지만, 지지 핀들(19)은 또한 다른 적절한 재료로 이루어질 수 있다. 지지 핀들(19)은 프로세스 챔버 내에 고정식으로 배열될 수 있거나 리프팅 디바이스에 연결될 수 있다.
리프팅 유닛(17)은 복수의 커버 지지 핀들(21) 및 복수의 기판 지지 핀들(22)을 가지며, 지지 핀들의 기능은 아래에서 본원에 더 상세히 설명될 것이다. 리프팅 유닛(17)의 지지 핀들(21, 22)은 도시되지 않은 리프팅 메커니즘, 이를테면 원형 리프팅 메커니즘을 통해 수직 방향으로 이동가능하다. 대안적으로, 지지 핀들(21, 22)은 또한, 지지 핀들(19)이 이동가능하면 고정식일 수 있다. 지지 핀들(21, 22)은 다시 바람직하게 가열 램프들의 방사선에 투과적이거나 실질적으로 투과적인 재료, 이를테면 석영으로 만들어진다.
기판(2)에 대한 수용 유닛(4)은 실질적으로 베이스 또는 베이스(25) 및 커버(26)에 의해 형성되고, 수용 유닛(4)은 폐쇄된 상태에서 베이스(25)와 커버(26) 사이에 기판(2)에 대한 수용 공간을 형성한다. 도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 수용 유닛(4)의 베이스(25) 상으로의 개략 상면도를 도시한다. 베이스(25)는 가열 램프들의 방사선을 흡수하는 재료, 이를테면, 예컨대, 흑연 또는 다른 고도로 흡수력 있는 재료로 만들어지고, 이는 게다가 기판들의 열 처리를 손상시키지 않고, 특히 처리 프로세스에 불순물들을 도입하지 않는다.
베이스(25)는 편평한 하부 표면(28) 및 윤곽진 상부 표면(29)을 가지는 플레이트 엘리먼트이다. 특히, 리세스(31)는 상부 표면(29)에 형성되고, 상부 표면(29)은 수용될 기판(2)의 두께보다 더 큰 높이를 가진다. 리세스(31)의 지역에, 리세스(31)의 베이스(25)의 상부 표면(29)에 근접하게 이격되게 기판(2)을 지지하기에 적절한 복수의 지지 핀들(32)이 제공된다. 도 5의 예시에서, 이들 지지 핀들 중 4개, 즉 서로 120°만큼 각각 오프셋된 중앙 지지 핀 및 3개의 에지 지지 핀들이 도시된다. 그러나, 상이한 어레인지먼트의 지지 핀들(32)을 제공하는 것이 또한 가능하다. 지지 핀들(32)은, 그 위에 놓인 기판(2)이 리세스의 상부 에지를 넘어 돌출하지 않도록 설계된 높이를 가진다. 따라서, 지지 핀들(32)의 높이와 수용될 기판(2)의 두께의 조합된 높이는 리세스(31)의 깊이보다 더 작다. 그러나, 기판에 대한 개별 수용 공간이 커버(26)에 제공되면 리세스(31)에 수용되는 기판(2)이 베이스(25)의 상부 에지를 넘어 돌출하는 것이 또한 가능할 것이다.
상부 에지(25)의 에지 지역에, 예컨대 리세스(31)의 깊이에 대응하는 깊이를 가진 추가 선택적인 리세스(34)가 제공된다. 리세스(34)는 중앙 리세스를 완전히 둘러싸서, 리세스(34)와 중앙 리세스(31) 사이에, 환형 웨브(web)(36)가 형성된다.
리세스(34) 및 리세스(31)의 깊이에 대응하는 깊이를 가진 복수의 채널들이 웨브(36)에 형성된다. 예컨대, 도 3에 따른 평면도에서 알 수 있는 바와 같이, 3개의 그런 채널들(38)이 제공된다. 아래에서 본원에 더 상세히 설명될 바와 같이, 채널들(38)은 수용 유닛(4)의 폐쇄된 상태에서도 수용 유닛(4)의 수용 공간의 퍼징을 허용하는 역할을 한다. 채널들(38)은 원주 방향으로 서로 120°만큼 오프셋되게 배열되고 베이스(25)의 중앙 방향으로 방사상으로 연장된다. 채널들(38) 각각은 바람직하게 채널의 다른 치수들, 즉 채널(38)의 높이 또는 폭보다 적어도 3배 더 큰 길이를 가진다. 이에 의해, 아래에서 본원에 더 상세히 설명될 바와 같이, 채널을 통한 방사선의 통과가 필수적으로 방지된다.
게다가, 복수의 관통-개구들이 베이스(25)에 제공되고, 이는 하부 표면(28) 및 상부 표면(29)을 연결한다. 제1 관통-개구들(40)의 그룹은 웨브(36)의 지역에 형성되지만, 제2 관통-개구들(41)의 그룹은 리세스(31)의 지역에 형성된다. 도시된 바와 같이, 베이스의 원주 방향으로 서로에 대해 120° 만큼 오프셋되게 배열된 3개의 관통-개구들이 각각의 그룹에 제공된다. 당업자가 인식할 수 있는 바와 같이, 더 큰 수의 관통-개구들이 또한 제공될 수 있고, 이에 의해 개별 관통-개구들의 어레인지먼트는 또한 도시된 형태와 상이할 수 있다. 제1 관통-개구들(40)은 각각 제1 지지 핀들(21)을 수용하고 제1 지지핀들(21)이 통과하게 하도록 치수화되고, 그리고 제1 관통-개구들(40)은 제1 지지 핀들(21)과 정렬될 수 있다. 제2 관통-개구들(41)은 각각 제2 지지 핀들(22)을 수용하도록 치수화되고 제2 지지핀들(22)과 정렬될 수 있다. 따라서, 지지 핀들(21)의 수는 제1 관통-개구들(40)의 수에 대응하고 지지 핀들(22)의 수는 제2 관통-개구들(41)의 수에 대응한다.
커버(26)는 편평한 상부 표면(43) 및 윤곽진 하부 표면(44)을 가진다. 하부 표면(44)은, 주변 에지 웨브(48)만이 남도록 형성된 중앙 리세스(46)를 가지며, 하부 표면(44)은 실질적으로 베이스(25)의 상부 표면(29)의 리세스(34)에 상보적이다. 복수의 통로들이 에지 웨브(48)에 제공되고, 에지 웨브(48)는 베이스(25)의 웨브(36)의 채널들(38)에 상보적이게 제공되고 그리고 채널들(38)과 정렬된다. 특히, 정렬 마크들 또는 정렬 구조들은 베이스(25)와 커버(26) 중 적어도 하나 상에 제공될 수 있고, 이는 베이스(25)의 웨브(36) 내 채널들(38)과 에지 웨브(48)의 통로들의 정렬을 보장하기 위해 베이스(25)와 커버(26)의 적절한 정렬을 보장한다. 개별 정렬로 인해, 수용 유닛(4)의 폐쇄된 상태에서도 수용 유닛(4)의 수용 공간의 퍼징을 허용하는 것이 가능할 것이다. 베이스(25) 상에 회전 방식으로 커버(26)를 배치함으로써, 적어도 에지 영역으로부터 수용 공간으로 연장되는 어떠한 개구도 없는 방식으로 실질적으로 완전히 폐쇄된 수용 공간이 형성되고, 이는 특정 애플리케이션들에서 바람직할 수 있다.
도 4는 수용 유닛(4)의 대안적인 베이스(25) 상으로의 개략 상면도를 도시한다. 도 4에서, 동일하거나 유사한 엘리먼트들이 지정되는 한, 이전 실시예와 동일한 참조 번호들이 사용된다. 베이스(25)는 위에서 설명된 베이스(25)와 실질적으로 유사하고 다시 중앙 리세스(31) 및 리세스(31)의 복수의 지지 핀들(32)을 가진다. 에지 리세스(34)가 또한 제공되어, 웨브(36)가 형성된다. 다시, 복수의 채널들(38)이 웨브(36)에 형성되지만, 채널들(38)의 수 및 배향은 이전 실시예에 따른 채널들(38)의 수 및 어레인지먼트와 상이하다. 도 4에 따른 실시예에서, 총 10개의 채널들(38)이 제공되는데, 즉 5개의 좌측 상에 있고 5개가 우측 상에 있다. 채널들(38) 각각은 서로 평행하게 연장되고 (도 4의 상면도에 따라) 좌측 상의 채널들은 우측 상의 채널들(38)과 정렬된다. 물론, 심지어 더 크거나 더 작은 수의 개별 채널들(38)이 제공될 수 있고 대향 측들 상의 채널들은 오프셋될 수 있다.
당업자가 알 수 있는 바와 같이, 이 실시예에서 커버(26)는 이에 따라서 적응되어야 하므로, 대응하는 수의 개구들이 에지 웨브(48)에 제공되고, 에지 웨브(48)는 채널들(38)과 정렬될 수 있다. 다시, 커버(26)의 오프셋 배치(예컨대, 90 °만큼 회전됨)는 실질적으로 폐쇄된 수용 공간을 제공하기 위해 가능하다.
채널들(38)은 위의 실시예들에서 직선 채널들로서 각각 도시된다. 그러나, 채널들(38)이 직선 형상을 가지는 것이 아니라, 예컨대 Y 형상을 가지는 것이 또한 가능하다. 그런 구성은, 개별 채널들(38)이 더 짧은 길이를 갖는 경우에도 방사선이 대응하는 채널들(38)을 통해 리세스(31) 내의 기판(2) 상으로 통과하는 것을 방지할 수 있다. 그런 Y 구성은, 수용 공간으로의 가스 흐름의 좌측/우측 분배가 발생하도록 웨브(36)의 평면 내에 형성될 수 있다. Y 구성은 또한, 리세스(31) 내에 수용된 기판(2) 위 또는 아래로 지향되는 가스 흐름을 생성하기 위해 가스 흐름 분배가 상향 방향 또는 하향 방향으로 달성되도록 설계될 수 있다.
도 5는 수용 유닛(4)의 추가 실시예의 베이스(25) 상으로의 개략 상면도를 도시한다. 다시, 동일한 참조 번호들이 이전과 같이 사용된다. 베이스(25)는 다시 복수의 지지 핀들(32)이 내부에 제공된 중앙 리세스(31)를 가진다. 또한, 다시, 에지 리세스(34)가 제공되어, 웨브(36)는 리세스(34)와 리세스(31) 사이에 형성된다. 그러나, 이 실시예에서, 웨브(36)는 완전히 원주형인데, 즉 채널(38)이 제공되지 않는다. 따라서, 커버(26)는 또한 에지 웨브(38)의 지역에 개구들 또는 통로들을 가지지 않아야 한다. 그런 베이스와 커버의 조합은 수용 유닛 내에 실질적으로 폐쇄된 수용 공간을 제공할 것이다.
도 6은 이전 실시예들과 동일한 참조 번호들을 다시 사용하여, 수용 유닛(4)의 대안적인 실시예를 도시한다.
수용 유닛(4)은 다시 베이스(25) 및 커버(26)를 가진다. 그러나, 이 실시예에서, 베이스(25)는 윤곽진 하부 표면 또는 윤곽진 상부 표면 없이 실질적으로 편평한 플레이트이다. 그러나, 지지 핀들(32)은 상부 표면상에 제공되고, 상부 표면의 중앙 지지 핀(32)만이 예시에서 보여질 수 있다. 에지 지역에서, 복수의 관통-개구들(40)이 제공되어 기판(2)에 대한 수용 영역의 방사상 외측에 배열된다. 이들 관통-개구들(40) 중 하나가 도 6의 우측에 도시된다. 추가 관통-개구들(적어도 2 이상)은 베이스(25)의 원주 방향으로 분배된다.
커버(26)는, 여기서 커버(26)가 커버(26)의 하부 표면(44)에 중앙 리세스(51)를 가진다는 점에서, 이전 실시예들의 커버(26)와 실질적으로 상이하다. 커버(26)의 상부 표면(43)은 다시 편평하다. 중앙 리세스(51)는 기판에 대한 수용 공간을 형성하고 이에 따라 치수화된다. 리세스(51)는 특히, 수용 유닛(4)의 폐쇄된 상태에서, 커버(26)의 하부 표면(44)이 기판(2)의 상부 표면에 근접하게 이격되어 위치되고 리세스의 측벽들이 기판(2)을 근접하게 둘러싸도록 치수화된다. 게다가, 이 실시예에서, 커버(26)는 베이스(25)보다 더 큰 원주를 가져서, 커버(26)는 베이스(25)를 넘어 방사상으로 돌출한다. 도 6b에서 알 수 있는 바와 같이, 커버(26)의 에지 지역에서, 융기된 림(rim)(53)이 하부 표면에 제공되어, 폐쇄된 상태에서 베이스를 적어도 부분적으로 둘러싼다. 커버(26)의 하부 표면(44) 상의 융기된 림(53)과 리세스(51) 사이의 영역은 수용 유닛(4)의 폐쇄된 상태에서 베이스(25) 상에 놓이는 부분이다. 도면들에 도시된 바와 같이, 수용 유닛(4)의 폐쇄된 상태에서 베이스(웨브(36))(도 1-도 5)의 개별 영역 또는 기판(2)을 둘러싸는 상부 부분(도 6)은 비교적 넓고, 이는, 개별 영역이 에지 보호 엘리먼트로서 설계된다는 사실로 인한다. 이 엘리먼트는 기판(2)의 열 처리 동안 기판(2)의 에지에서 에지 효과들을 억제하기 위해 기판(2)의 원주를 사실상 증가시킨다. 거의 연속적인 재료 특성이 기판 평면에 제공되기 때문에, 발생할 수 있는 에지 효과들(가열 동안 증가된 가열, 냉각 동안 더 빠른 냉각)은 수용 유닛(4)의 에지 지역들로 전달된다.
도 6에 따른 실시예에서, 커버(26)가 도 6a에 도시된 바와 같이 리프팅 오프될 때, 기판(2)을 리프팅하지 않고도 수용 공간을 완전히 퍼징하는 것이 가능하다. 그러므로, 베이스(25)의 개별 통로 개구들은 생략될 수 있다. 기판(2)의 로딩 및 언로딩 동안, 이는 에지 그리퍼 또는 베이스(25)와 기판(2) 사이에서 이동하는 그리퍼를 통해 핸들링될 수 있다. 따라서, 실질적으로 기밀 폐쇄된 수용 공간은 베이스(25)와 커버(26) 사이에 형성될 수 있다.
이후에, 장치(1) 내의 기판(2)의 열 처리가 더 상세히 설명될 것이다.
먼저, 수용 유닛(4) 및 기판(2)은 열 처리 장치(1)의 프로세스 챔버(8) 내로 로딩된다. 이 경우에, 기판은 프로세스 챔버(8) 외측에서 수용 유닛(4)으로 로딩되었을 수 있고, 그리고 둘은 프로세스 챔버(8)로 함께 로딩될 수 있다. 그러나, 먼저 수용 유닛(4)을 프로세스 챔버(8)로 로딩하고 도 2에 도시된 바와 같이 프로세스 챔버(8) 내의 수용 유닛(4)을 지지 핀들(21)을 통해 개방하고, 후속하여 기판(2)을 프로세스 챔버(8)로 로딩하는 것이 또한 가능할 것이다. 이어서, 기판(2)은 융기된 지지 핀들(22) 상에 배치될 수 있다. 그러나, 현재, 그 내부에 이미 수용된 기판(2)과 함께 수용 유닛(4)을 프로세스 챔버(8)로 도입하는 것이 바람직하다. 수용 유닛 및 기판을 로딩한 이후, 프로세스 챔버(8)는 폐쇄된다.
이제, 수용 유닛(4)는 기판(2)이 수용되는 수용 유닛 내의 수용 공간을 퍼징하고, 그리고 원하는 대로 원하는 분위기를 세팅하기 위해 원하는 가스, 이를테면 불활성 가스 또는 심지어 프로세스 가스로 퍼징될 수 있다. 특히, 예컨대, O2는 퍼징되거나 플러싱 아웃될 수 있고, 이는 예컨대 WBG 기판들에 요구된다. 퍼징 ― 퍼지 개구들을 가진 수용 유닛의 실시예에서(예컨대, 도 1 내지 도 4에 따름) ―은 수용 유닛이 폐쇄된 상태에 있는 채로 수행될 수 있다. 그러나, 베이스(25)에서 커버(26)를 리프팅하기 위해 지지 핀들(21)을 상승시킴으로써, 퍼징 프로세스 동안 수용 유닛(4)을 개방하는 것이 또한 가능하다. 선택적으로, 또한 기판은 기판(2)과 베이스(25) 사이의 영역을 더 잘 퍼징할 수 있도록 하기 위해 지지 핀들(22)을 통해 리프팅 오프될 수 있다. 퍼징 동안, 가스는 예컨대 가스를 프로세스 챔버(8)의 일 측 상에 도입함으로써 프로세스 챔버(8)를 통해 간단히 통과될 수 있고, 상기 가스는 대향 측에서 배기된다(펌핑 아웃됨) . 가스 공급 및 가스 배기 유닛의 적합한 어레인지먼트에 의해, 프로세스 챔버(8)를 통한 실질적으로 층류 또는 직선 가스 흐름이 달성될 수 있다.
그러나, 바람직하게, 네거티브 압력으로 프로세스 챔버의 배기 다음, 퍼지 가스 및/또는 프로세스 가스의 도입과 동시에 배기를 포함하는 퍼지 사이클이 제공된다. 프로세스 챔버를 네거티브 압력으로 배기함으로써, 프로세스 챔버 내에서 그리고 특히 수용 유닛(4)의 수용 공간 지역에서 퍼지 가스의 개선된 분배가 존재한다. 이것은 특히, 수용 유닛(4)이 퍼징 동안 개방되지 않은 경우에 사실이다. 수용 공간 내에 원하는 가스 분위기를 세팅하기 위해, 프로세스 챔버를 네거티브 압력으로 배기하고 후속하여 퍼지 가스 또는 프로세스 가스의 도입으로 이루어진 복수의 그런 퍼지 사이클들이 사용될 수 있다.
물론 또한 도 5 또는 도 6의 실시예에서 요구될, 도 2에 도시된 바와 같이, 수용 유닛(4)이 퍼징 동안 개방되면, 수용 유닛(4)은 다시 폐쇄된다. 그 후, 수용 유닛(4)은 가열 램프들(14)에 의해 가열되고 따라서 기판(2)은 수용 유닛 내에서 가열된다. 개별 퍼지 개구들(채널들)을 가진 수용 유닛(4)이 사용될 때, 수용 공간을 통한 가스 흐름은, 원해지면, 열 처리 동안 연속적으로 유지될 수 있다. 이 경우에, 퍼지 가스는 예컨대 베이스(25) 또는 커버(26)로부터 배출되는 물질들을 제거하는데 사용될 수 있거나, 프로세스 가스가 또한 도입될 수 있다. 이 경우에, 흐름은, 열 처리에 영향을 가지지 않도록, 즉 온도 불균일들이 가스 흐름에 의해 생성되지 않게 충분히 낮게 세팅되어야 한다.
도 5에 따른 또는 또한 도 6에 따른 폐쇄된 수용 유닛을 사용할 때, 가스의 개별 흐름은 열 처리 동안 바람직하지 않을 것이다. 예컨대 GaAs 프로세스들에 사용될 수 있는 그런 폐쇄된 수용 유닛, 수용 유닛, 즉 베이스의 상부 표면 및/또는 커버의 하부 표면은 비소로 포화되어 열 처리 동안 비소를 방출하고 그리고 GaAs 기판으로부터 비소가 확산하는 것을 방지하는 폐쇄된 수용 유닛(4)의 비소 증기 압력을 세팅할 수 있다.
본 발명은 특정 실시예들로 제한되지 않고, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 위에서 상세히 설명되었다.
특히, 열 처리를 위한 장치(1)의 구조는 도면들에 도시된 것과 상이할 수 있다. 특히, 지지 핀들(21 및 22)을 가진 리프팅 유닛(17)은, 프로세스 챔버(8) 내의 수용 유닛(4)의 개구가 원해지지 않거나 요구되지 않을 때, 생략될 수 있다. 수용 유닛(4)에 대해 상이한 베이스 또는 커버를 사용하는 것이 또한 가능하지만, 이는 그 사이에 기판(2)에 대한 수용 공간을 형성하여야 한다. 상이한 구성들이 가능하다. 예컨대, 도 6에 따른 실시예에서, 예컨대 커버(26)에 퍼지 개구들을 제공하는 것이 또한 고려가능할 것이다. 여기서, 예컨대, 개별 채널들은 커버의 콘택 영역에 제공될 수 있다. 커버(26)와 베이스(25) 사이의 개선된 밀봉을 위해, 밀봉을 제공하는 것이 가능할 것이다. 예컨대, 베이스(25)와 커버(26) 사이에 맞물림을 제공하기 위해 실시예들에 도시된 것 대신에, 다른 엘리먼트(커버 또는 베이스)를 방사상으로 둘러싸는 하나의 엘리먼트(베이스 또는 커버)가 또한 가능할 것이다. 이것은 예컨대 베이스와 커버 중 다른 하나의 개별 원주 그루브와 맞물리는 원주 웨브를 가진 베이스와 커버 중 하나에 의해 달성될 수 있다. 당업자는 다양한 상이한 실시예들을 인식할 것이다. 또한, 한편으로는 가열 램프들(14)의 방사선을 흡수하고 다른 한편으로는 처리될 기판에 대해 오염들을 제공하지 않는 상이한 재료들이 베이스(25) 및 커버(26)에 사용될 수 있다.
더 이전에 언급된 바와 같이, 흑연은, 예컨대 반도체 프로세스들에 오염들을 도입하지 않는 적절한 재료인 것으로 고려된다. 흑연은 정상 형태로, 또는 특히 열분해 코팅된 흑연으로서 존재할 수 있고, 이는 예컨대 추가로 GaAs 기판들의 처리 동안 비소로 포화될 수 있다. 게다가, 특히, 실리콘 탄화물 또는 실리콘 탄화물-코팅 흑연은 또한 적절한 재료로서 고려된다. 특히, 실리콘 탄화물-코팅 흑연은 프로세스 동안 값싸게 제조되고 적절한 특성들을 가질 수 있다. 또한 다른 재료들, 이를테면 붕소 질화물 또는 붕소 질화물 코팅 흑연은 적절한 재료로서 고려된다.
퍼징 프로세스 이전 그리고/또는 동안 수용 유닛으로부터 엘리먼트들의 제거를 조장하기 위해, 베이스(25) 및 커버는 약간 가열될 수 있고, 가열은, 기판과의 반응의 상당한 증가가 없도록 충분히 낮게 유지되어야 한다. 임의의 경우에, 퍼징 프로세스 이전 그리고/또는 동안 그런 가열은 실질적으로 프로세스 온도 아래이다. 그런 가열은 예컨대 램프들의 펄스화 제어에 의해 달성되고 개방 및 폐쇄된 수용 유닛 둘 다에 가능할 수 있다.

Claims (14)

  1. 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법으로서,
    기판은 베이스와 커버 사이에 상기 기판에 대한 수용 공간을 형성하는 상기 베이스 및 상기 커버를 가진 박스(box)에 수용되고, 상기 방법은:
    상기 박스 및 상기 기판을 상기 프로세스 챔버로 로딩하는 단계 및 상기 프로세스 챔버를 폐쇄하는 단계;
    상기 박스 내에 원하는 분위기를 세팅하기 위해 상기 박스 및 그 내부의 상기 기판을 원하는 프로세스 온도로 가열하기 전에 상기 박스의 상기 수용 공간을 퍼지(purge) 가스 및 프로세스 가스 중 적어도 하나로 퍼징하는 단계;
    상기 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선에 의해 상기 박스 및 그 내부의 기판을 원하는 프로세스 온도로 가열하는 단계
    를 포함하는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 박스는 상기 박스의 폐쇄된 상태에서 상기 수용 공간의 퍼징을 허용하기 위해 상기 박스의 원주를 상기 수용 공간에 연결하는 복수의 퍼지 개구들을 가지며, 상기 퍼지 개구들은 상기 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선의 통과를 방지하도록 구성되는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 수용 공간을 퍼징하기 위해, 상기 박스는 상기 프로세스 챔버 내에서 개방되고 그리고 선택적으로, 상기 기판은 상기 박스의 상기 베이스로부터 리프팅 업(lift up)되는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 베이스는 상기 베이스의 상부 표면으로부터 이격되게 상기 기판을 홀딩하기 위해 복수의 지지 핀들 및 실질적으로 편평한 구성을 가지며, 상기 커버는, 상기 박스가 폐쇄된 상태일 때 상기 기판이 수용되는 리세스(recess)를 가지는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 퍼징은 상기 프로세스 챔버를 네거티브 압력으로 배기하고 퍼지 가스 및 프로세스 가스 중 적어도 하나를 도입하는 것을 포함하는 적어도 하나의 퍼지 사이클을 포함하는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 방법은 복수의 퍼지 사이클들을 포함하는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세싱 유닛에서 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 방법.
  7. 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진 프로세스 유닛에서 기판들을 지지하기 위한, 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들에 대한 수용 유닛으로서,
    상기 수용 유닛은 베이스 및 커버를 가지며, 상기 수용 유닛은 폐쇄된 상태에서, 상기 베이스와 상기 커버 사이에 상기 기판에 대한 수용 공간을 가진 박스를 형성하고, 상기 베이스와 상기 커버 중 적어도 하나는 상기 박스의 폐쇄된 상태에서 상기 수용 공간의 퍼징을 허용하도록 상기 박스의 원주를 상기 수용 공간에 연결하는 복수의 퍼지 개구들을 가지며, 상기 퍼지 개구들은 상기 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선의 통과를 실질적으로 방지하도록 구성되는,
    수용 유닛.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 퍼지 개구들은 자신의 폭 또는 높이보다 적어도 3배 더 긴 길이를 가지는,
    수용 유닛.
  9. 제7 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 퍼지 개구들은, 상기 퍼지 개구들이 형성되는 개별 부분을 통해 직선으로 연장되지 않고 특히 Y-구성을 가지는,
    수용 유닛.
  10. 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스 및 상기 커버는 상기 박스의 폐쇄된 상태에서 서로 맞물리는 상보적인 원주 구조들 또는 상기 베이스 또는 상기 커버의 일 부분이 상기 베이스 또는 상기 커버의 다른 부분을 방사상으로 둘러싸는 구조를 가지는,
    수용 유닛.
  11. 프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진, 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 장치로서,
    폐쇄될 때, 베이스와 커버 사이에 기판에 대한 수용 공간을 가진 박스를 형성하는, 상기 베이스 및 상기 커버를 가진 수용 유닛; 및
    상기 프로세스 챔버에서 상기 박스를 지지하기 위한 지지 유닛
    을 포함하고,
    상기 수용 유닛의 상기 베이스 및 상기 커버 중 적어도 하나가 상기 박스의 폐쇄된 상태에서 상기 수용 공간의 퍼징을 허용하도록 상기 박스의 원주를 상기 수용 공간에 연결하는 복수의 퍼지 개구들을 가지는 조건 ― 상기 퍼지 개구들은 상기 방사선 소스들에 의해 방출된 열 방사선의 통과를 실질적으로 방지하도록 구성됨 ―, 및
    상기 장치가 상기 프로세스 챔버 내의 상기 수용 공간의 퍼징을 허용하도록 상기 프로세스 챔버 내의 상기 수용 유닛을 개방하기 위한 유닛을 포함하는 조건
    중 적어도 하나가 충족되는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진, 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 수용 유닛은 제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 따른 타입을 가지는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진, 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 수용 유닛의 베이스는 상기 베이스의 상부 표면으로부터 이격되게 상기 기판을 홀딩하기 위한 복수의 지지 핀들을 가진 실질적으로 편평한 구성을 가지며, 상기 커버는, 상기 박스의 폐쇄된 상태에서 상기 기판이 수용되는 리세스를 가지는,
    프로세스 챔버 및 복수의 방사선 소스들을 가진, 기판들, 특히 반도체 웨이퍼들을 열 처리하기 위한 장치.
  14. 제10 항 또는 제13 항에 있어서,
    상기 베이스 및 상기 커버는 폐쇄된 상태에서 맞물리는 상보적인 원주 구조들 또는 상기 베이스 또는 상기 커버의 일 부분이 상기 베이스 또는 상기 커버의 다른 부분을 방사상으로 둘러싸는 구조를 가지는,
    장치.
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