KR20180074959A - Led module - Google Patents
Led module Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180074959A KR20180074959A KR1020160178772A KR20160178772A KR20180074959A KR 20180074959 A KR20180074959 A KR 20180074959A KR 1020160178772 A KR1020160178772 A KR 1020160178772A KR 20160178772 A KR20160178772 A KR 20160178772A KR 20180074959 A KR20180074959 A KR 20180074959A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- led
- color conversion
- substrate
- chip
- conversion sheet
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 LED 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기존의 LED 패키지를 조합한 구조가 아닌 LED 베어칩에 형광체시트를 부착한 LED 모듈에 관한 것이다.
The present invention relates to an LED module, and more particularly, to an LED module in which a phosphor sheet is attached to an LED bare chip instead of a conventional LED package.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.A light emitting diode (LED) refers to a device that emits a predetermined light by making a small number of injected carriers (electrons or holes) using a pn junction structure of a semiconductor and recombining them. A green light emitting diode using GaP or the like, and a blue light emitting diode using an InGaN / AlGaN double hetero structure.
특히, 최근의 조명용 발광장치는 발광 다이오드 칩과 형광체 몰드를 결합하여 백색광을 구현한다. 예를 들어, 청색을 발광하는 발광다이오드 칩 상부에 형광체를 배치시켜 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻고 있다. 즉, 430nm 내지 480㎚ 파장을 발광하는 반도체 성분으로 이루어진 청색 발광 다이오드 칩과 청색광을 여기원으로 하여 황록색 및 황색광을 발생시키는 형광체의 조합으로 백색광을 구현한다. In particular, recent light emitting devices for illumination realize white light by combining a light emitting diode chip and a phosphor mold. For example, a phosphor is disposed on a light emitting diode chip that emits blue light to obtain white light by blue light emission of a light emitting diode chip and yellow-green or yellow light emission of a phosphor. That is, a blue light emitting diode chip composed of a semiconductor component emitting a wavelength of 430 nm to 480 nm and a phosphor emitting blue-green light and yellow-green and yellow light are excited to realize white light.
즉, 최근까지 조명용 백색 발광장치는 고휘도의 청색 LED 베어칩에서 방출되어 충분히 높은 에너지를 갖는 광을 그 LED 베어칩의 상부에 몰딩되어 배치된 형광체 몰드가 여기하여 백색을 유도하는 방법을 이용하였다. That is, up to now, a white light emitting device for illumination has been used in a method in which light having a sufficiently high energy emitted from a blue LED bare chip of a high luminance is molded on the LED bare chip and excited by a phosphor mold disposed thereon to induce white color.
그런데, 형광체 몰드를 형성하기 위하여는 리플랙터를 설치하고, 리플랙터 내에 형광체 수지를 주입하여 소위 LED 패키지를 구성하는 방법을 사용하는데, 이러한 LED 패키지는 제작 공정의 복잡성에 따른 원가 상승 뿐만 아니라 형광체의 도포 시에 사용되는 에폭시 수지 혹은 실리콘 수지의 혼합 비율, 이러한 수지의 열적 불안정성, 그리고 경화시 형광체의 불규칙한 퇴적 등으로 발광 휘도가 불규칙하고 소자의 불량률이 높고, 색 재현성이 떨어지는 문제가 계속적으로 지적되는 실정이다.
In order to form a phosphor mold, a reflector is provided and a phosphor resin is injected into a reflector to constitute a so-called LED package. Such an LED package has not only an increase in cost due to the complexity of the manufacturing process, It is pointed out that the problem of irregularity of light emission due to irregular deposition of the phosphor upon curing, a high defect rate of the element, and poor color reproducibility is continuously pointed out, due to the mixing ratio of the epoxy resin or silicone resin used for coating, thermal instability of such resin, It is true.
[선행기술문헌] [Prior Art Literature]
경도가 다른 스피어를 갖는 봉지재 및 이를 이용한 LED패키지(ENCAPSULANT HAVING SPHERE WITH DIFFERENT HARDNESS AND LED PACKAGE USING THE SAME) (공개특허 10-2012-0131369, 2012년12월05일)
An encapsulant having a different sphere and an LED package using the encapsulant and an LED package using the encapsulant.
본 발명은 전술한 종래기술을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 제작이 용이하고 열적 내구성 및 우수한 색재현성을 갖는 LED 모듈을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide an LED module which is easy to manufacture, has thermal durability and excellent color reproducibility.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 측면에 LED 모듈은 기판, 상기 기판 상 실장된 복수의 LED 베어칩, 상기 기판 상에서 상기 LED 베어칩 사이의 공간을 충진하고 상기 LED 베어칩의 둘레를 감싸도록 형성되는 적어도 하나의 언더필링층, 및 상기 기판 상에서 상기 언더필링층의 상면 또는 상기 LED 베어칩의 상면에 부착되며 형광체를 포함하고 적어도 하나로 형성되는 색변환시트를 포함하고, 상기 언더필링층의 상면 높이는 상기 LED 베어칩의 상면 높이와 같거나 또는 더 낮게 형성되고, 하나의 색변환시트는 적어도 하나의 LED 베어칩을 덮도록 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an LED module including a substrate, a plurality of LED bare chips mounted on the substrate, at least one under-fill material filling a space between the LED bear chips on the substrate, And a color conversion sheet attached to the upper surface of the under-filling layer or the upper surface of the LED bare chip on the substrate, the color conversion sheet being formed of at least one of a phosphor and a phosphor, wherein an upper surface height of the under- And one color conversion sheet is formed so as to cover at least one LED bare chip.
이때, 상기 언더필링층은 상기 LED 베어칩의 측면과 맞닿을 수 있고, 이 경우 상기 언더필링층은 상기 LED 베어칩의 측면 일부와 맞닿을 수 있다. At this time, the underfilling layer may abut the side surface of the LED bare chip, in which case the underfilling layer may abut a part of the side surface of the LED bare chip.
또한, 상기 언더필링층은 상기 LED 베어칩의 측면과 이격되어 형성될 수 있다. The underfilling layer may be spaced apart from a side surface of the LED bare chip.
또한, 상기 언더필링층은 빛을 투과시키는 광투과성 물질로 이루어질 수 있다. In addition, the underfilling layer may be formed of a light-transmitting material that transmits light.
또한, 상기 언더필링층은 압착에 의해 그 상면 높이가 상기 LED 베어칩의 상면 높이와 같거나 또는 더 낮게 형성될 수 있다. The underfilling layer may be formed such that its top surface height is equal to or lower than the top surface height of the LED bare chip by pressing.
또한, 상기 하나의 색변환시트는 적어도 두개의 LED 베어칩을 덮도록 형성될 수 있다.
In addition, the one color conversion sheet may be formed to cover at least two LED bare chips.
본 발명의 LED 모듈은 색변환시트를 구비하여 LED 패키지 제조 공정을 갖지 않으므로 보다 용이하게 LED 모듈을 제조할 수 있다.The LED module of the present invention has a color conversion sheet and does not have an LED package manufacturing process, so that the LED module can be manufactured more easily.
또한, 형광체 몰드 대신에 색변환시트를 구비하므로 열에 의하여 형광체 몰드가 열화되는 것을 방지하여 우수하게 백색을 재현할 수 있다.Further, since the color conversion sheet is provided instead of the phosphor mold, the phosphor mold is prevented from being deteriorated by heat, and white color can be reproduced with excellent performance.
또한, LED 베어칩의 측면과 맞닿는 언더필링층이 형성되므로 LED 베어칩에서 형성된 열을 효율적으로 방출하여 색변환시트가 열화되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the underfilling layer abutting the side surface of the LED bare chip is formed, the heat generated from the LED bear chip can be efficiently emitted to prevent the color conversion sheet from being deteriorated.
또한, LED 베어칩의 측면과 맞닿는 언더필링층 및 언더필링층과 접하는 색변환시트가 광을 측면으로 전달하여 기판 상에 LED 베어칩이 설치되지 않은 영역의 음영 발생을 획기적으로 줄일 수 있다.
In addition, the color conversion sheet in contact with the under-filling layer and the under-filling layer which contact the side surface of the LED bare chip transmits light to the side, and shading of the region where the LED bear chip is not provided on the substrate can be remarkably reduced.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating an LED module according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating an LED module according to a first embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention can be variously modified and may have various embodiments, and specific embodiments will be described in detail with reference to the drawings. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명 및 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention and its preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈을 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating an LED module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an LED module according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 일 실시예에 따른 LED 모듈(101)은 기판(21), LED 베어칩(25), 언더필링층(22), 및 색변환시트(10)를 포함한다. 1 and 2, the
기판(21)은 LED 베어칩(25)을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 제한적이지는 않으나, 예를 들어, 이러한 기판(21)으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(lowtemperature co-fired ceramic) 등을 들 수 있다. The
기판(21)은 직선형, 원형 또는 다각형상의 판으로 이루어질 수 있으며, 기판(21)에는 LED 베어칩(25)에 전원을 공급하기 위한 제1와이어(23)와 제2와이어(24)가 설치될 수 있다. 본 제1실시예에 따른 LED 모듈(101)은 솔더링부(27)를 통해서 LED 베어칩(25)과 기판(21)이 전기적으로 연결되며 별도의 본딩 와이어를 갖지 않는다. 그러나 이에 한정되지 않음은 당연하다. 솔더링부(27)는 LED 베어칩(25)과 기판(21)을 전기적으로 연결하는데, 특히 LED 베어칩(25)에 형성된 단자(26)를 기판(21)에 전기적으로 연결하는데, 솔더링부(27)는 표면실장 방식(SMT; Surface Mount Technology)으로 형성될 수 있다. The
LED 베어칩(25)은 청색 발광 LED 칩으로서, 430nm 내지 480nm의 파장을 발광하는 반도체 성분으로 이루어질 수 있다. 다만, LED 베어칩(25)은 다른 컬러광을 출사하는 LED 베어칩이 사용될 수 있으며, 본 발명의 범위가 특정 LED 베어칩으로 제한되는 것은 아님은 물론이다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈은 LED 베어칩이 복수개로 이루어진다. 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈은 LED 모듈 구조에만 가능한 베어칩(25), 언더필링층(22) 및 색변환시트(10)의 유기적 연결관계에 대한 구조이기 때문이다. The
언더필링층(22)은 기판 상에서 LED 베어칩들(25) 사이의 공간을 충진하고, LED 베어칩의 둘레를 감싸도록 형성된다. 언더필링층(22)은 탄성을 갖는 필름 형태로 이루어진 시트를 기판 상에 부착하거나, 액상의 수지를 LED 베어칩들(25) 사이로 주입하여 형성할 수 있다. 또한, 언더필링층(22)은 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 투명한 접착 성분인 UV 경화성 수지, 열경화성 수지 및 실란트 중 적어도 하나로 이루어질 수도 있다.The
또한, 언더필링층(22)은 빛을 투과시키는 광투과성 물질로 이루어질 수 있으며, 빛을 반사시키는 흰색 또는 은색 물질로 이루어질 수도 있다. 하나의 언더필링층(22)은 복수개의 LED 베어칩(25)의 측면과 맞닿으며 일체(unibody)로 이루어지거나, 복수개의 언더필링층(22)이 개별적으로 기판 상에 형성될 수 있다. 즉, LED 모듈의 사이즈와 무관하게 단위 크기의 언더필링층을 구비하고 이를 LED 모듈에 부착하도록 하여 언더필링층(22)을 준비하는 공정 비용을 현저하게 낮추는 것이 가능하다.In addition, the
언더필링층(22)은 LED 베어칩(25)들의 외부 둘레를 감싸도록 형성된다. 이 경우에 언더필링층(22)은 LED 베어칩의 둘레를 감싸면서 LED 베어칩(25)의 측면과 맞닿도록 형성되거나 LED 베어칩(25)의 측면과 이격되어 형성될 수 있는데, LED 베어칩(25)의 측면과 맞닿도록 형성되는 경우에는 측면 전체가 아니 측면 일부와 맞닿도록 형성될 수 있다. 왜나하면, 후술하는 것과 같이 색변환시트(10)의 접착층이 언더필링층(22)의 기능을 수행하는 경우에는 색변환시트를 압착하면 접착층 중에서 LED 베어칩의 측면 하부 영역 부위의 접착층은 압착에 따른 완충공간이 생길 수 있기 때문에 LED 베어칩(25)의 측면과 맞닿도록 형성되는 경우에는 측면 전체가 아니 측면 일부와 맞닿도록 형성될 수 있다. The
언더필링층(22)의 상면 높이(h1)는 LED 베어칩(25)의 상면 높이(h2)와 동일하거나 더 낮게 형성될 수 있다. 즉, 색변환시트(10)는 부착 시 하부 방향으로 압력을 인가하여 부착되는데, 음영을 제거하기 위해서는 색변환시트의 높이가 전영역에서 평면을 이루는 것이 바람직하므로 색변환시트(10)의 압착 시에 그 아래에 배치된 언더필링층(22)의 높이(h1)가 LED 베어칩(25)의 높이(h2)와 같거나 낮게 형성됨이 바람직하다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈은 언더필링층의 최종 두께(높이)가 색변환시트(10)가 부착된 전체의 압착에 의해 형성된다는 것이 특징이 된다. The upper surface height h1 of the
이에 따라 언더필링층(22)의 상면과 기판(21) 사이의 거리(h1)는 LED 베어칩(25)의 상면과 기판(21) 사이의 거리(h2)와 동일하거나 작게 된다. 또한, 언더필링층(22)은 LED 베어칩(25)들의 상면만 노출시키고 측면과 하면을 감싸도록 형성될 수 있다. The distance h1 between the upper surface of the
이와 같이, 언더필링층(22)은 색변환시트(10)가 부착되는 면을 평탄화하여 색변환시트(10)가 기판(21) 상에 안정적으로 설치될 수 있도록 할 뿐만 아니라 LED 베어칩(25) 및 기판(21)에서 발생하는 열을 신속하게 방출시키는 역할을 한다.As described above, the
한편, 색변환시트(10)는 복수개의 LED 베어칩(25)을 덮도록 LED 베어칩(25)의 상면 및 언더필링층(22)의 상면에 부착된다. 하나의 색변환시트(10)는 일체(unibody)로 이루어져 기판(21)에 설치된 모든 LED 베어칩(25)을 덮거나, 하나의 색변환시트(10)가 적어도 한개의 LED 베어칩(25)을 덮도록 일체가 아닌 복수개로 설치될 수 있다. 다만, 이 경우에도 복수의 색변환시트(10)는 복수개의 LED 베어칩(25)을 모두 덮도록 설치될 수 있다. 즉, LED 모듈의 사이즈와 무관하게 단위 크기의 색변환시트(10)를 구비하고 이를 소정 크기의 LED 모듈에 개별 부착하도록 하여 색변환시트(10)을 준비하는 공정 비용을 현저하게 낮추는 것이 가능하다. 이때, 하나의 색변환시트(10)가 적어도 두개의 LED 베어칩(25)을 덮는 것이 공정 비용을 보다 낮출 것이다.On the other hand, the
한편, 색변환시트(10)는 형광체를 갖는 제1시트(11)와 접착성을 갖는 제2시트(12)를 포함하여 이루어질 수 있다. 그런데, 먼저 언급한 바와 같이 언더필링층(22)이 접착성을 갖는 투명한 접착 성분인 UV 경화성 수지, 열경화성 수지 및 실란트 중 적어도 하나를 포함항여 이루어지는 경우에는 제2시트를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 언더필링층(22)이 색변환시트(10)의 제2시트(12)와 같은 접착층으로 기능하는 것이 가능하다. On the other hand, the
제1시트(11)는 형광체가 도포되어 있으며, 형광체는 LED 베어칩(25)으로부터 출사된 청색광에 의해 여기되어 방출되는 파장이 레드, 그린, 또는 옐로우인 형광체를 주성분으로 하여 제조될 수 있다. 여기서, 본 실시예는 LED 베어칩(25)이 청색광을 출력하는 경우, 백색광을 만들기 위한 색변환시트(10)를 구성하는 경우에 해당하지만, LED 베어칩(25)이 녹색광 또는 적색광을 출력하는 경우 형광체는 백색광을 만들기 위해 다른 형광체가 사용될 수 있다. 제2시트(12)가 사용되는 경우에 제2시트(12)는 접착층을 포함하여 이루어져 색변환시트(10)를 LED 베어칩(25), 언더필링층(22), 및 기판(21)과 맞닿도록 부착할 수 있다. The
본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈(101)은 형광몰딩층을 갖지 않고, 패키지 형태로 이루어지지 아니하며, LED 베어칩(25)이 기판(21)에 직접 실장되므로 LED 모듈이 부피를 현저히 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 제조 공정을 현저히 단순화할 수 있다. The
또한, 형광몰딩층 대신 색변환시트(10)가 복수개의 LED 베어칩(25)을 덮도록 설치되므로 열적인 영향에 의하여 형광몰딩층이 열화되어 색재현성이 감소하는 것을 방지할 수 있다.Further, since the
본 발명의 일 실시예와 같이 언더필링층(22)이 형성되면, LED 베어칩(25)에서 발생한 열을 보다 용이하게 배출할 수 있을 뿐만 아니라 색변환시트(10)가 보다 안정적으로 부착될 수 있다.When the
이상과 같이, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
As described above, preferred embodiments of the present invention have been disclosed in the present specification and drawings, and although specific terms have been used, they have been used only in a general sense to easily describe the technical contents of the present invention and to facilitate understanding of the invention , And are not intended to limit the scope of the present invention. It is to be understood by those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.
101: LED 모듈
10: 색변환시트
11: 제1시트
12: 제2시트
22: 언더필링층
23: 제1와이어
24: 제2와이어
25: LED 베어칩
26: 단자
27: 솔더링부101: LED module
10: Color conversion sheet
11: first sheet
12: second sheet
22: Underfilling layer
23: first wire
24: second wire
25: LED bear chip
26: Terminal
27: soldering portion
Claims (7)
기판;
상기 기판 상 실장된 복수의 LED 베어칩;
상기 기판 상에서 상기 LED 베어칩 사이의 공간을 충진하고, 상기 LED 베어칩의 둘레를 감싸도록 형성되는 적어도 하나의 언더필링층; 및
상기 기판 상에서 상기 언더필링층의 상면 또는 상기 LED 베어칩의 상면에 부착되며, 형광체를 포함하고, 적어도 하나로 형성되는 색변환시트;를 포함하고,
상기 언더필링층의 상면 높이는 상기 LED 베어칩의 상면 높이와 같거나 또는 더 낮게 형성되고, 하나의 색변환시트는 적어도 하나의 LED 베어칩을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
In the LED module,
Board;
A plurality of LED bear chips mounted on the substrate;
At least one underfilling layer filling a space between the LED bear chips on the substrate and surrounding the periphery of the LED bear chip; And
And a color conversion sheet attached to the upper surface of the under-filling layer or the upper surface of the LED bare chip on the substrate, the color conversion sheet including a phosphor and formed of at least one,
Wherein an upper surface height of the underfilling layer is equal to or lower than a top surface height of the LED bare chip, and one color conversion sheet is formed to cover at least one LED bare chip.
상기 언더필링층은 상기 LED 베어칩의 측면과 맞닿는 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
The method according to claim 1,
And the underfilling layer abuts the side surface of the LED bear chip.
상기 언더필링층은 상기 LED 베어칩의 측면 일부와 맞닿는 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
3. The method of claim 2,
Wherein the underfilling layer abuts a side portion of the LED bare chip.
상기 언더필링층은 상기 LED 베어칩의 측면과 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
The method according to claim 1,
And the underfilling layer is spaced apart from a side surface of the LED bare chip.
상기 언더필링층은 빛을 투과시키는 광투과성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the under-filling layer is made of a light-transmitting material that transmits light.
상기 언더필링층은 압착에 의해 그 상면 높이가 상기 LED 베어칩의 상면 높이와 같거나 또는 더 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein an upper surface height of the underfilling layer is equal to or lower than an upper surface height of the LED bare chip by pressing.
상기 하나의 색변환시트는 적어도 두개의 LED 베어칩을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 LED 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the one color conversion sheet is formed to cover at least two LED bare chips.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160178772A KR20180074959A (en) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | Led module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160178772A KR20180074959A (en) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | Led module |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190019354A Division KR20190031212A (en) | 2019-02-19 | 2019-02-19 | Led module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180074959A true KR20180074959A (en) | 2018-07-04 |
Family
ID=62913068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160178772A KR20180074959A (en) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | Led module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20180074959A (en) |
-
2016
- 2016-12-26 KR KR1020160178772A patent/KR20180074959A/en active Search and Examination
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112166508B (en) | LED device and method | |
| JP5084324B2 (en) | Light emitting device and lighting device | |
| JP5895597B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6093127B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR102300558B1 (en) | Light source module | |
| JP2005093681A (en) | Light-emitting device | |
| US20190355783A1 (en) | Led module | |
| JP6212989B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR101653395B1 (en) | Multi-chip led package | |
| KR101701738B1 (en) | Fabricaing method of led module | |
| KR101644149B1 (en) | Multi-chip led package and method of manufacturing the same | |
| US20150348948A1 (en) | Multiple die light emitting diode (led) components and methods of fabricating same | |
| KR20180074968A (en) | Led lighting not having fluorescence molding layer | |
| KR100748707B1 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
| JP5811770B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| KR20180081635A (en) | Led module | |
| KR20180074959A (en) | Led module | |
| KR20190031212A (en) | Led module | |
| KR101920259B1 (en) | Led module having sheet block | |
| KR102211319B1 (en) | Led module | |
| KR20180081636A (en) | Led module having light diffusion adhesive layer | |
| TWI619269B (en) | Light Emitting Diode Package Structure | |
| KR102113374B1 (en) | Led module having light diffusion layer for lighting | |
| KR100693462B1 (en) | Wavelength - converted light emitting diode package using phosphor and manufacturing method | |
| KR101701746B1 (en) | Led lighting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment |