KR101653395B1 - Multi-chip led package - Google Patents

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Abstract

LED 칩들간 광간섭을 방지하여 원하는 구역으로만 빛을 출사시키는 멀티 칩 LED 패키지가 개시된다.
개시된 멀티 칩 LED 패키지는 상면 및 측면에 파장변환부를 포함하는 복수의 LED 및 복수의 LED의 측면을 감싸는 광흡수 부재를 포함하고, 광흡수 부재는 외부 측벽 및 외부 측벽의 내부에 위치하여 복수의 LED를 셀단위로 분리하는 내부 측벽을 포함한다.
A multi-chip LED package is disclosed that prevents light interference between LED chips and emits light only to a desired area.
The disclosed multi-chip LED package includes a plurality of LEDs including a wavelength conversion portion on an upper surface and a side surface, and a light absorbing member surrounding a side surface of the plurality of LEDs, wherein the light absorbing member is disposed inside the outer side wall and the outer side wall, On an individual cell basis.

Description

멀티 칩 엘이디 패키지{MULTI-CHIP LED PACKAGE}Multi-chip LED package {MULTI-CHIP LED PACKAGE}

본 발명은, 일반적으로 멀티 칩 LED 패키지에 관한 것으로서, 구체적으로는, LED 칩들간 광간섭을 방지하여 원하는 구역으로만 빛을 출사시키는 멀티 칩 LED 패키지에 관한 것이다.The present invention relates generally to a multi-chip LED package, and more particularly, to a multi-chip LED package that prevents light interference between LED chips and emits light only to a desired area.

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류 인가에 의해 P-N 반도체 접합(P-N junction)구조에서 전자와 정공이 재결합할 때 전위차에 의해서 빛을 발하는 반도체 발광 장치로서 친환경, 저 전압, 긴 수명 및 저 가격 특징을 가지며 종래에는 표시용 램프나 숫자와 같은 단순 정보표시에 많이 응용되어 왔으나, 최근에는 산업기술의 발전, 특히 정보표시 기술과 반도체 기술의 발전으로 디스플레이 분야, 조명 장치, 자동차 헤드라이트, 프로젝터 등 다방면에 걸쳐서 사용되기에 이르렀다. A light emitting diode (LED) is a semiconductor light emitting device that emits light by a potential difference when electrons and holes are recombined in a PN semiconductor junction structure by current application. It is environment friendly, low voltage, long life and low price In recent years, the development of industrial technology, especially the development of information display technology and semiconductor technology, has led to the development of display fields, lighting devices, automobile headlights, projectors, etc. It has come to be used in various fields.

한편, 통상적으로, 발광다이오드는 LED 칩(또는, 다이)을 포함하는 패키지 구조로 제작되며, 그와 같은 구조의 발광장치는 흔히 'LED 패키지'라 칭해진다. On the other hand, a light emitting diode is usually fabricated in a package structure including an LED chip (or a die), and a light emitting device having such a structure is often referred to as an 'LED package'.

이하, 도 1을 참조하여, 종래 기술에 따른 LED 패키지를 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional LED package will be described with reference to FIG.

도 1은 종래의 LED 패키지를 나타낸 단면도이다. 도시한 바와 같이, LED 패키지(100)는 하부 기판(110); 상기 하부 기판(110)에 실장된 LED 칩(120); 본체 (130); 상기 하부 기판(110)에 형성된 패턴 전극(140, 150); 상기 LED 칩(120)과 상기 패턴 전극(140, 150)을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(160); 본체(130)에 형성된 캐비티(170); 및 상기 캐비티(170)의 측벽에 형성된 반사부재(180)를 포함한다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional LED package. As shown, the LED package 100 includes a lower substrate 110; An LED chip 120 mounted on the lower substrate 110; A main body 130; Pattern electrodes 140 and 150 formed on the lower substrate 110; A bonding wire 160 electrically connecting the LED chip 120 and the pattern electrodes 140 and 150; A cavity 170 formed in the body 130; And a reflective member 180 formed on a sidewall of the cavity 170.

도면에서 알 수 있듯이, 종래의 LED 패키지는 LED 칩(120)을 실장하기 위한 하나의 캐비티(170)를 포함하며, 상기 캐비티(170)의 측면에는 광추출 효율을 증가시키기 위하여 소정의 경사각을 갖는 반사부재(180)가 형성된다.As shown in the drawing, the conventional LED package includes one cavity 170 for mounting the LED chip 120, and a side surface of the cavity 170 has a predetermined inclination angle to increase light extraction efficiency A reflective member 180 is formed.

따라서, LED 칩(120)으로부터 출사된 광은 반사부재(180)에 의하여 외부로 추출되며, LED 칩(120)으로부터의 광을 최대로 추출하기 위하여 반사부재(180)의 경사각도를 최적화하는 등의 방법으로 반사부재(180)를 설계할 수 있다.Accordingly, the light emitted from the LED chip 120 is extracted to the outside by the reflection member 180, and the inclination angle of the reflection member 180 is optimized to maximally extract the light from the LED chip 120 The reflecting member 180 can be designed by the method of FIG.

다만, LED 패키지(100)의 광량을 늘리기 위하여 패키지 내의 LED 칩(120)의 개수를 하나 이상으로 하는 경우, 즉, 복수의 LED 칩(120)을 사용하는 멀티 칩 LED 패키지의 경우에는, 이들 복수의 LED 칩(120)으로부터의 모든 광이 반사부재(180)에서 최적으로 반사되도록 설계하기는 매우 어렵기 때문에 광추출 효율이 낮아질 수 있다. However, when the number of the LED chips 120 in the package is increased to increase the light amount of the LED package 100, that is, in the case of the multi-chip LED package using the plurality of LED chips 120, The light extraction efficiency may be lowered because it is very difficult to design all the light from the LED chip 120 of the LED chip 120 to be reflected optimally in the reflection member 180. [

또한, 멀티 칩 LED 패키지 내에서는 복수의 LED 칩(120)들이 서로 인접하여 실장되므로, 하나의 LED 칩(120)에서 출사된 광이 인접한 다른 LED 칩(120)에 흡수되거나 반사되는 등 인접 LED 칩(120)에 의한 간섭현상으로 인하여 단일 LED 칩(120)을 포함하는 LED 패키지(100)가 복수개 있는 경우보다도 광추출 효율은 더 낮아지게 된다. In addition, since a plurality of LED chips 120 are mounted adjacent to each other in the multi-chip LED package, the light emitted from one LED chip 120 is absorbed or reflected by another adjacent LED chip 120, The light extraction efficiency is lower than that in the case where a plurality of LED packages 100 including a single LED chip 120 are provided due to the interference phenomenon by the LED package 120.

더욱이, 최근에는 멀티 칩 LED 패키지를 자동차용 헤드라이트나 프로젝터 등에 응용하고자 하는 요구가 많아지고 있는데, 이러한 응용분야에서는 LED 패키지내의 LED 칩의 집적도가 높아서 LED 칩들 간의 간격이 매우 좁고, LED 칩들을 개별적으로 구동하거나 또는 그룹화하여 블록 구동(또는 로컬 디밍)할 필요성이 크기 때문에, 멀티 칩 LED 패키지 내에서 LED 칩들이 주변 LED 칩들에 의해 간섭 받는 현상은 더욱 심각한 문제를 야기할 수 있다. In recent years, there has been a growing demand for applying multi-chip LED packages to automobile headlights and projectors. In such applications, the degree of integration of LED chips in LED packages is very high, and the spacing between LED chips is very narrow. (Or local dimming) by driving or grouping the LED chips in the multi-chip LED package, the problem that the LED chips are interfered by the surrounding LED chips may cause even more serious problems.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 기술적 과제는, 멀티 칩 LED 패키지에서 개별 LED 칩들이 인접 LED 칩들에 의한 영향을 받지 않도록 LED 칩들간 광간섭을 억제하는 멀티 칩 LED 패키지를 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a multi-chip LED package which suppresses optical interference between LED chips so that individual LED chips are not influenced by adjacent LED chips in a multi- .

본 발명의 일 실시예의 멀티 칩 LED 패키지는 상면 및 측면에 파장변환부를 포함하는 복수의 LED; 및 상기 복수의 LED의 측면을 감싸는 광흡수 부재를 포함하고, 상기 광흡수 부재는 외부 측벽 및 상기 외부 측벽의 내부에 위치하여 복수의 LED를 셀단위로 분리하는 내부 측벽을 포함한다.A multi-chip LED package according to an embodiment of the present invention includes a plurality of LEDs including a wavelength conversion portion on an upper surface and a side surface; And a light absorbing member surrounding the sides of the plurality of LEDs, the light absorbing member including an outer sidewall and an inner sidewall located inside the outer sidewall and separating the plurality of LEDs in a cell unit.

상기 내부 측벽은 인접한 상기 복수의 LED를 공유한다.The inner sidewall shares the plurality of adjacent LEDs.

상기 내부 측벽은 인접한 상기 복수의 LED의 상기 파장변환부를 분할한다.The inner sidewall divides the wavelength converting portion of the adjacent plurality of LEDs.

상기 내부 측벽은 상기 외부 측벽의 내측면으로부터 연장된다.The inner sidewall extends from the inner side of the outer sidewall.

상기 광흡수 부재는 반투명한 재질로 이루어진다.The light absorbing member is made of a translucent material.

상기 광흡수 부재는 불투명한 재질로 이루어진다.The light absorbing member is made of an opaque material.

본 발명의 다른 실시예의 멀티 칩 LED 패키지는 기판; 상기 기판에 실장되는 LED; 및 상기 LED를 감싸는 광흡수 부재를 포함하고, 상기 LED는 발광소자와 상기 발광소자의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부를 포함하고, 상기 광흡수 부재는 상기 파장변환부의 외측면 중 적어도 일부와 접촉한다.A multi-chip LED package according to another embodiment of the present invention includes: a substrate; An LED mounted on the substrate; And a light absorbing member surrounding the LED, wherein the LED includes a light emitting element and a wavelength converting portion covering an upper surface and a side surface of the light emitting element, and the light absorbing member contacts at least a part of the outer surface of the wavelength converting portion .

상기 LED는 복수의 LED가 그룹화된 블록을 포함한다.The LED includes a block in which a plurality of LEDs are grouped.

상기 광흡수 부재는 상기 블록의 외곽면을 둘러싸는 구조를 갖는다.The light absorbing member has a structure surrounding the outer surface of the block.

상기 LED는 상기 기판 상에 복수개 구비되고, 상기 광흡수 부재는 상기 LED 각각을 감싸는 구조를 갖는다.A plurality of LEDs are provided on the substrate, and the light absorbing member has a structure to surround each of the LEDs.

인접한 상기 광흡수 부재는 서로 일정 간격 이격된다.The adjacent light absorbing members are spaced apart from each other by a certain distance.

상기 광흡수 부재는 반투명한 재질로 이루어진다.The light absorbing member is made of a translucent material.

상기 광흡수 부재는 불투명한 재질로 이루어진다.
The light absorbing member is made of an opaque material.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 멀티 칩 LED 패키지에서 개별 LED 칩들이 인접 LED 칩들에 의한 영향을 받지 않고 LED 칩들간 광간섭이 억제되어, LED 칩들의 개별 구동 또는 블록 구동(또는 로컬 디밍)이 용이해진다.
According to an embodiment of the present invention, in the multi-chip LED package, individual LED chips are not affected by adjacent LED chips and optical interference between the LED chips is suppressed so that individual driving or block driving (or local dimming) It becomes easy.

도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지의 상부 평면도.
도 3은 도 2의 멀티 칩 LED 패키지의 사시도.
도 4는 도 2의 멀티 칩 LED 패키지를 절단선 AA'에 따라 도시한 단면도.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지의 상부 평면도.
도 5b는 도 2의 멀티 칩 LED 패키지를 절단선 BB'에 따라 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 커버부(400)를 설명하기 위한 단면도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 커버부(500)를 설명하기 위한 단면도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도.
1 is a sectional view of a conventional light emitting diode package.
2 is a top plan view of a multi-chip LED package in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a perspective view of the multi-chip LED package of Figure 2;
FIG. 4 is a cross-sectional view of the multi-chip LED package of FIG. 2 taken along line AA '. FIG.
5A is a top plan view of a multi-chip LED package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5B is a cross-sectional view of the multi-chip LED package of FIG. 2 taken along line BB '. FIG.
6 is a sectional view for explaining a cover part 400 according to an embodiment of the present invention.
7 is a sectional view for explaining a cover part 500 according to another embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a multi-chip LED package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예시로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타내고 유사한 참조번호는 대응하는 유사한 구성요소를 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of the components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification and like reference numerals designate corresponding like elements.

이하, 도 2 내지 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지(1000)에 대하여 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지(1000)의 상부 평면도이고, 도 3은 도 2의 멀티 칩 LED 패키지의 사시도이고, 도 4는 도 2의 멀티 칩 LED 패키지를 절단선 AA'에 따라 도시한 단면도이다. 다만, 도면의 간략화를 위하여, 도면들에서는 본 발명의 특징적인 구성요소만을 도시하였으며, 리드프레임, 전기회로 또는 전기 배선 등과 같이 멀티 칩 LED 패키지의 동작 또는 기타 다른 기능에 이용되지만 본 발명의 사상과 직접적인 관련성이 적은 구성요소들은, 그 도시를 생략하였다.
Hereinafter, a multi-chip LED package 1000 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a top plan view of a multi-chip LED package 1000 according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a perspective view of the multi-chip LED package of FIG. 2, AA 'in FIG. However, for the sake of simplicity of the drawings, only the characteristic components of the present invention are shown in the drawings and are used for operation of a multi-chip LED package or other functions such as a lead frame, an electric circuit or an electric wiring, Components that are not directly relevant are omitted from the illustration.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지(1000)는 기판(240), 상기 기판 상에 실장된 복수의 LED 칩(220), 상기 개별 LED 칩(220)들 주위를 둘러싸고 있는 복수의 광흡수 부재(300)를 포함할 수 있다. 또한 후술하는 바와 같이, 멀티 칩 LED 패키지(1000)는 광흡수 부재(300) 상부에 형성되는 커버부(400 또는 500)를 더 포함할 수 있으나, 이에 대한 설명은 도 6a 및 도 7a를 참조하여 후술하기로 한다.Referring to FIG. 2, a multi-chip LED package 1000 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 240, a plurality of LED chips 220 mounted on the substrate, And a plurality of light absorbing members 300 surrounding the light absorbing member 300. As described later, the multi-chip LED package 1000 may further include a cover portion 400 or 500 formed on the light absorbing member 300, but the description thereof will be made with reference to FIGS. 6A and 7A Will be described later.

여기서, 상기 기판(240)은 LED 칩(220)을 고밀도로 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 제한적이지는 않으나, 예를 들어, 이러한 기판(240)으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic) 등을 들 수 있다. 세라믹은 그 위에 금속 도체 배선 패턴을 형성하여 소성공정을 통해 적층형 세라믹 패키지(multi-layer ceramic package; MLP)로 사용이 가능하다. 이러한 패키지로 사용되는 경우 기밀성이 우수하다. Here, the substrate 240 can be any substrate that can mount the LED chip 220 at a high density. But are not limited to, for example, alumina, quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fused silica, Mullite, cordierite, zirconia, beryllia, aluminum nitride, and low temperature co-fired ceramic (LTCC). Ceramics can be used as a multi-layer ceramic package (MLP) through a firing process by forming a metallic conductor wiring pattern thereon. When used in such a package, the airtightness is excellent.

또한, 도시를 생략하였으나, 상기 기판(240) 상에는 서로 분리된 패턴 전극들(미도시)이 형성될 수 있으며, 이중 하나의 패턴 전극은 애노드 전극이고 나머지 패턴 전극은 캐소드 전극으로서 형성될 수 있다. 이들 패턴 전극은 전도성이 우수한 구리 또는 알루미늄을 포함한 금속 물질을 사용하여 제조되고, LED 칩(220)의 양 전극과 음 전극에 각각 대응하며 LED 칩(220) 상부에 형성된 본딩 와이어(미도시)에 의해 각각 연결될 수 있다. Although not shown, patterned electrodes (not shown) may be formed on the substrate 240, and one of the patterned electrodes may be an anode electrode and the remaining patterned electrode may be formed as a cathode electrode. These pattern electrodes are manufactured by using a metal material containing copper or aluminum with excellent conductivity and correspond to both electrodes and negative electrodes of the LED chip 220 and are formed on bonding wires (not shown) formed on the LED chip 220 Respectively.

또한, LED 칩(220)은 GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드는 물론, 350㎚ 내지 410㎚ 파장을 발광하는 UV 발광 다이오드 등이 될 수 있으며, 특정 컬러를 발광하는 LED 칩이나 특정 구조를 갖는 LED 칩으로 본 발명의 범위가 제한되는 것은 아니다.The LED chip 220 may include a red light emitting diode using GaAsP or the like, a green light emitting diode using GaP or the like, a blue light emitting diode using an InGaN / AlGaN double hetero structure, A UV light emitting diode which emits light of a specific color, or an LED chip having a specific structure.

또한, 복수의 광흡수 부재(300)는 각각 제1 측벽(310), 상기 제1 측벽(310)에 대향하는 제2 측벽(320), 상기 제1 및 제2 측벽(310, 320)에 수직으로 연결된 제3 측벽(330) 및 상기 제3 측벽(330)에 대향하는 제4 측벽(340)을 포함하며, 상기 측벽들(310 내지 340)로 둘러싸인 공간의 내부 영역에 LED 칩(220)을 수납하도록 구성된다. 다만, 도 2에서는 광흡수 부재(300)의 측벽들(310, 320, 330, 340)이 서로 결합하여 전체적으로는 사각형의 형상을 갖는 것으로 도시하였으나, 이와 달리, 광흡수 부재(300)의 측벽들은 LED 칩(200)을 원형으로 둘러싸도록 구성될 수도 있고, 삼각형, 오각형 또는 육각형 등 다각형의 형상으로 둘러싸도록 구성할 수도 있다. 따라서, 본 발명의 광흡수 부재(300)의 측벽들이 특정 형상을 취하는 것으로 제한 해석하여서는 안된다.Each of the plurality of light absorbing members 300 includes a first sidewall 310, a second sidewall 320 facing the first sidewall 310, a second sidewall 320 perpendicular to the first and second sidewalls 310 and 320, And a fourth sidewall 340 opposed to the third sidewall 330. The LED chip 220 is mounted on an inner region of the space surrounded by the sidewalls 310 to 340 Respectively. Although the sidewalls 310, 320, 330, and 340 of the light absorbing member 300 are shown as having a rectangular shape as a whole in FIG. 2, the sidewalls of the light absorbing member 300 The LED chip 200 may be configured to surround the LED chip 200 in a circular shape, or may be configured to be surrounded by a polygonal shape such as a triangle, a pentagon, or a hexagon. Therefore, the sidewalls of the light absorbing member 300 of the present invention should not be construed as limiting to take a specific shape.

여기서, 광흡수 부재(300)는 종래의 반사부재(180)와는 달리, LED 칩(220)으로부터 출사된 광이 난반사되는 것을 방지하는 역할을 하며, 광흡수 부재(300)를 향해 입사된 광을 흡수시킴으로써 광흡수 부재(300)의 측벽을 투과하여 인접한 다른 LED 칩(220)에 영향을 미치지 않도록 구성된다. 따라서, 광흡수 부재(300)는 반투명하거나 불투명하여 반사율이 낮은 물질로 제조되거나, 반사율이 낮은 물질을 코팅하여 제조될 수 있다. Unlike the conventional reflective member 180, the light absorbing member 300 serves to prevent the light emitted from the LED chip 220 from being irregularly reflected, Absorbing member 300 through the side wall of the light absorbing member 300 so as not to affect other adjacent LED chips 220. [ Accordingly, the light absorbing member 300 may be made of a material having a low reflectance such as translucent or opaque, or may be manufactured by coating a material having a low reflectance.

또한, 광흡수 부재(300)는 LED 칩(220)을 기판(240)에 실장한 방법과 유사한 방식으로 기판(240) 상에 형성할 수 있으며, 접착부재를 이용하여 부착하거나 후크 방식의 결합으로 기판(240)에 부착할 수도 있다. 광흡수 부재(300)의 특정 부착방법이 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
The light absorbing member 300 may be formed on the substrate 240 in a manner similar to the method of mounting the LED chip 220 on the substrate 240 and may be attached using a bonding member, Or may be attached to the substrate 240. The specific attachment method of the light absorbing member 300 does not limit the scope of the present invention.

이제 도 3을 참조하면, 개별 광흡수 부재(300) 내부에 LED 칩(220)들이 수납된 구조가 도시되었다. 다만, 개별 광흡수 부재(300) 내부에는 하나 이상의 LED 칩(200)들이 그룹화되어 블록단위로 수납될 수도 있으며, LED 칩(220)들의 개별 구동 내지는 블록 구동에 본 발명을 적용할 경우, 하나의 광흡수 부재(300) 내부에 수납된 개별 LED 칩 또는 그룹화된 LED 칩들은 인접한 다른 LED 칩 들의 발광 여부와 상관없이 제어될 수 있다. Referring now to FIG. 3, a structure is shown in which LED chips 220 are housed within an individual light absorbing member 300. One or more LED chips 200 may be grouped and housed in a block unit in the individual light absorbing member 300. When the present invention is applied to individual driving or block driving of the LED chips 220, The individual LED chips or the grouped LED chips housed in the light absorbing member 300 can be controlled regardless of whether or not the adjacent other LED chips emit light.

이제 도 4를 참조하면, LED 칩(220)들 사이에는 격벽 형상으로 광흡수 부재(300)의 측벽들이 형성되어 있으므로, LED 칩(220)에서 출사된 광의 대부분은 해당 LED 칩(200)을 둘러싸고 있는 광흡수 부재(300)의 구역 안에서 즉, 인접한 광흡수 부재(300)에 의해 둘러싸인 다른 구역에 영향을 미치지 않고, 상부 방향으로 출사될 수 있다. 따라서, LED 칩(220)을 개별 구동 또는 그룹별로 블록 구동(또는 로컬 디밍)하고자 할 때, 인접한 LED 칩(200)으로부터 출사된 광에 의하여 간섭 받는 일이 없이, 구동하고자 하는 특정 LED 칩(200)만 또는 블록만을 사용자의 의도에 맞게 제어할 수 있다.
Referring to FIG. 4, since the sidewalls of the light absorbing member 300 are formed in a partition wall shape between the LED chips 220, most of the light emitted from the LED chip 220 surrounds the LED chip 200 The light can be emitted in the upward direction without affecting other regions surrounded by the light absorbing member 300 within the region of the light absorbing member 300. [ Therefore, when the LED chips 220 are individually driven or block driven (or local dimming) for each group, the specific LED chips 200 to be driven without being interfered by the light emitted from the adjacent LED chips 200 ) Or only the block can be controlled according to the user's intention.

이하, 도 5a 및 5b를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지(2000)에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a multi-chip LED package 2000 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.

도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지(2000)의 상부 평면도이고, 도 5b는 도 5a에 도시된 멀티 칩 LED 패키지(2000)를 절단선 BB'에 따라 도시한 단면도이다. 도면의 간략화를 위하여, 도 5a 및 5b에서는 본 발명의 특징적인 구성요소만을 도시하였으며, 리드프레임, 전기회로 또는 전기 배선 등과 같이 멀티 칩 LED 패키지의 동작 또는 기타 다른 기능에 이용되지만 본 발명의 사상과 직접적인 관련성이 적은 구성요소들은, 그 도시를 생략하였다. 이하, 멀티 칩 LED 패키지(1000)와 동일한 부분의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.FIG. 5A is a top plan view of a multi-chip LED package 2000 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating the multi-chip LED package 2000 shown in FIG. 5A and 5B show only the characteristic components of the present invention and are used for operation of a multi-chip LED package or other functions such as a lead frame, an electric circuit or an electric wiring, Components that are not directly relevant are omitted from the illustration. Hereinafter, a duplicated description of the same parts as those of the multi-chip LED package 1000 will be omitted.

도 5a를 참조하면, 멀티 칩 LED 패키지(2000)는 기판(240), 상기 기판 상에 실장된 복수의 LED 칩(220), 상기 개별 LED 칩(220)들 주위를 둘러싸고 있는 광흡수 부재(600)를 포함할 수 있다. 또한 후술하는 바와 같이, 멀티 칩 LED 패키지(2000)는 커버부(400 또는 500)를 더 포함할 수 있으나, 이에 대한 설명은 도 6b 및 도 7b를 참조하여 후술하기로 한다.5A, a multi-chip LED package 2000 includes a substrate 240, a plurality of LED chips 220 mounted on the substrate, a light absorbing member 600 surrounding the individual LED chips 220 ). As will be described later, the multi-chip LED package 2000 may further include a cover portion 400 or 500, which will be described later with reference to FIGS. 6B and 7B.

도면을 참조하면, 복수의 광흡수 부재(300)가 각각의 LED 칩(220)에 대응하여 별개로 형성되어 있는 도 2와 달리, 도 5a에서는 광흡수 부재(600)가 일체로 형성되어 있다. 즉, 광흡수 부재(600)는 제1 측벽(610), 상기 제1 측벽(610)에 대향하는 제2 측벽(620), 상기 제1 및 제2 측벽(610, 620)에 수직으로 연결된 제3 측벽(630) 및 상기 제3 측벽(630)에 대향하는 제4 측벽(640)을 포함하며, 상기 제1 내지 제4 측벽(610 내지 640)을 외부 둘레로 하고, 그 내부에 칸막이와 같은 형태로 형성된 복수의 측벽들에 의해 구획이 나뉘어져 각각의 영역 내부에 LED 칩(220)이 실장된 구조로 되어 있다. Unlike FIG. 2 in which a plurality of light absorbing members 300 are formed separately corresponding to LED chips 220, a light absorbing member 600 is integrally formed in FIG. 5A. That is, the light absorbing member 600 includes a first side wall 610, a second side wall 620 opposed to the first side wall 610, and a second side wall 620 vertically connected to the first and second side walls 610 and 620. And a fourth sidewall 640 facing the third sidewall 630. The first sidewall 610 and the second sidewall 640 may have an outer periphery and may have a partition wall And the LED chip 220 is mounted in each of the divided areas.

따라서, 개별 LED 칩(220)에 대응하여 복수개의 광흡수 부재(300)를 따로 따로 설치하는 것보다, 일체로 형성된 광흡수 부재(600)를 복수개의 LED 칩(220)에 대하여 한 번의 부착공정으로 설치하는 것이 좀 더 용이할 수 있고 공정 시간도 단축될 수 있다.Therefore, the light absorbing member 600, which is formed integrally with the plurality of LED chips 220, can be attached to the plurality of LED chips 220 in a single attaching process Can be more easily installed and the process time can be shortened.

도 5b는 도 5a의 멀티 칩 LED 패키지(2000)의 단면도이며, LED 칩(220)들 사이에는 격벽 형상으로 광흡수 부재(600)의 내부 측벽들이 형성되어 있으므로, LED 칩(220)에서 출사된 광의 대부분은 해당 LED 칩(200)을 둘러싸고 있는 광흡수 부재(600)의 구역 안에서 즉, 다른 구역에 영향을 미치지 않고, 상부 방향으로 출사될 수 있다. 따라서, LED 칩(220)을 개별 구동 또는 그룹별로 블록 구동(또는 로컬 디밍)하고자 할 때, 인접한 LED 칩(200)으로부터 출사된 광에 의하여 간섭 받는 일이 없이, 구동하고자 하는 특정 LED 칩(200) 또는 블록만을 사용자의 의도에 맞게 제어할 수 있다.
5B is a cross-sectional view of the multi-chip LED package 2000 of FIG. 5A. Since the inner sidewalls of the light absorbing member 600 are formed between the LED chips 220 in a partition wall shape, Most of the light can be emitted upward in the region of the light absorbing member 600 surrounding the LED chip 200, that is, without affecting other regions. Therefore, when the LED chips 220 are individually driven or block driven (or local dimming) for each group, the specific LED chips 200 to be driven without being interfered by the light emitted from the adjacent LED chips 200 ) Or only blocks can be controlled according to the user's intention.

이하, 도 6 및 7을 참조하여 본 발명에 따른 광흡수 부재(300 또는 600) 상부에 형성될 수 있는 커버부에 대하여 설명하기로 한다. 도 6a 및 6b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 커버부(400)를 설명하기 위한 멀티 칩 LED 패키지(1000 및 2000)의 단면도이고, 도 7a 및 7b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 커버부(500)를 설명하기 위한 멀티 칩 LED 패키지(1000 및 2000)의 단면도이다.Hereinafter, a cover portion that can be formed on the light absorbing member 300 or 600 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6A and 6B are cross-sectional views of a multi-chip LED package 1000 and 2000, respectively, for explaining a cover portion 400 according to an embodiment of the present invention, and Figs. 7A and 7B are cross- Sectional view of the multi-chip LED package 1000 and 2000 for explaining the cover part 500. [

도 6a 및 6b를 참조하면, 광흡수 부재(300 또는 600)의 상부에 커버부(400)가 각각 형성되어 있다.6A and 6B, a cover part 400 is formed on the light absorbing member 300 or 600, respectively.

여기서, 커버부(400)는 투명한 플라스틱, 유리 등 광을 투과할 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 즉, LED 칩(220)으로부터 나온 광은 커버부(400)를 통하여 상부로 출사된다. 커버부(400)는 이렇듯 LED 칩(220)의 상부에 배치되어 LED 칩(200)과 본딩 와이어(미도시)를 보호하는 역할을 할 수 있다.Here, the cover part 400 may be formed of a material that can transmit light such as transparent plastic or glass. That is, the light emitted from the LED chip 220 is emitted upward through the cover part 400. The cover part 400 may be disposed on the LED chip 220 to protect the LED chip 200 and the bonding wire (not shown).

한편, 상기 투광성 재료와 형광 물질을 혼합한 재료를 경화시켜 커버부(400)의 내부에 형광 물질을 분산시키거나, 투광성 재료로 형성된 커버부(400)의 외측에 형광물질을 도포함으로써 LED 칩(220)으로부터 나온 광의 컬러를 상기 형광물질의 컬러로 조절할 수도 있다. 즉, 예를들어, LED 칩(220)이 430 내지 480nm의 파장을 발광하는 청색 LED 칩인 경우, 멀티 칩 LED 패키지(1000)가 백색광을 출광하도록 하기 위하여 황색 YAG계 형광체를 커버부(400)의 내부에 분산시키거나 또는 외면에 도포할 수 있다. On the other hand, the fluorescent material is dispersed in the cover part 400 by curing the mixture of the light-transmitting material and the fluorescent material, or the fluorescent material is coated on the outer side of the cover part 400 formed of the light- 220 may be adjusted to the color of the fluorescent material. That is, for example, when the LED chip 220 is a blue LED chip emitting a wavelength of 430 to 480 nm, in order that the multi-chip LED package 1000 emits white light, the yellow YAG- It can be dispersed inside or coated on the outer surface.

또한, 커버부(400)는 적어도 광흡수 부재(300 또는 600)의 상부면 일부분에 접착제를 도포하여 상호 결합시키거나 후크 결합 등을 이용하여 결합시킬 수 있다. 다만, 도 6a 및 도 6b에서는 커버부(400)와 광흡수 부재(300) 사이 및 커버부(400)와 광흡수 부재(600) 사이에 갭이 없는 것으로 도시하였으나, LED 칩(220)의 와이어 본딩을 위하여, 커버부(400)와 광흡부 부재(300 또는 600) 사이에는 일정한 갭 또는 개구부가 형성될 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 상기 커버부(400)는 광흡수 부재(300 또는 600)와 일체형으로 제조될 수도 있다. 이 경우, LED 칩(220)의 와이어 본딩 등 외부와의 전기적 접속을 위하여, 커버부(400) 내지는 광흡수 부재(300 또는 600)의 일부에 개구부를 형성할 수 있다.In addition, the cover part 400 may be bonded to at least a part of the upper surface of the light absorbing member 300 or 600 by using an adhesive and joining them using a hook or the like. 6A and 6B, there is no gap between the cover part 400 and the light absorbing member 300 and between the cover part 400 and the light absorbing member 600. However, For bonding, a certain gap or opening may be formed between the cover part 400 and the light absorbing member 300 or 600. Also, according to the embodiment, the cover part 400 may be manufactured integrally with the light absorbing member 300 or 600. [ In this case, an opening may be formed in the cover part 400 or a part of the light absorbing member 300 or 600 for electrical connection to the outside such as wire bonding of the LED chip 220.

이제, 도 7a 및 7b를 참조하면, LED 칩(220) 또는 광흡수 부재(300 또는 600)의 상부에 커버부(500)가 각각 형성되어 있다.7A and 7B, a cover part 500 is formed on the LED chip 220 or the light absorbing member 300 or 600, respectively.

여기서, 커버부(500)는 일반적으로 발광다이오드 패키지의 몰딩제로서 이용가능한 에폭시 또는 실리콘 재질의 투광성 수지를 이용하여 형성될 수 있다. 따라서, LED 칩(220)으로부터 나온 광은 커버부(500)를 통하여 상부로 출사되며, 이때, 커버부(500)는 LED 칩(200)과 본딩 와이어(미도시)를 보호하는 역할 외에 렌즈와 같은 역할을 할 수도 있다.Here, the cover part 500 may be formed using a light-transmitting resin of epoxy or silicon material, which is generally usable as a molding agent of a light emitting diode package. Accordingly, the light emitted from the LED chip 220 is emitted to the upper part through the cover part 500. At this time, the cover part 500 protects the LED chip 200 and the bonding wire (not shown) You can also play the same role.

한편, 커버부(500)의 제조 시에 이용되는 상기 투광성 재료와 형광 물질을 혼합하여 LED칩(220)의 상부에 도팅(dotting)한 후, 상기 수지재료를 경화시킴으로써, LED 칩(220)으로부터 나온 광의 컬러를 상기 형광물질의 컬러로 조절할 수도 있다.
Meanwhile, the light transmissive material used for manufacturing the cover part 500 is mixed with the fluorescent material to dot the LED chip 220, and then the resin material is cured to form the LED chip 220 The color of the emitted light may be adjusted to the color of the fluorescent material.

이하, 도 8의 흐름도를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 칩 LED 패키지를 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a multi-chip LED package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG.

일단, 광흡수 부재(300 또는 600)와 커버부(400 또는 500)를 각각 준비한다(단계 S810). 여기서, 광흡수 부재(300)는 개별 LED 칩(220)에 대응되게 LED 칩(220)의 사이즈를 고려하여 이 보다 크게 복수개가 제작될 수 있고, 광흡수 부재(600)는 복수의 LED 칩(220)을 각각의 내부 구역에 수납할 수 있는 형태의 프레임으로 제작될 수 있다. 또한, 커버부(400)는 투명한 플라스틱이나 유리 재질 등 투명한 수지를 또는 그러한 수지에 형광체를 혼합한 수지 혼합물을 경화시켜서 시트 형상으로 제조할 수 있으며, 프레스 가공법, 압출법 또는 닥터 블레이드법 등 다양한 방식을 이용하여 제조할 수 있다. 한편, 커버부(500)는 투명한 몰딩제 수지 또는 그러한 수지에 형광체를 혼합한 수지 혼합물 형태로 준비할 수 있다.First, the light absorbing member 300 or 600 and the cover unit 400 or 500 are respectively prepared (step S810). A plurality of light absorbing members 300 may be manufactured in consideration of the sizes of the LED chips 220 corresponding to the individual LED chips 220. The light absorbing members 600 may be formed of a plurality of LED chips 220 can be housed in respective inner zones. The cover part 400 can be formed into a sheet shape by curing a transparent resin such as a transparent plastic or a glass material or a resin mixture obtained by mixing such a resin with a fluorescent material and can be formed into various shapes such as a press method, . ≪ / RTI > Meanwhile, the cover part 500 can be prepared in the form of a transparent molding resin or a resin mixture in which a phosphor is mixed with such a resin.

그 후, 기판(240)에 복수의 LED 칩(220)을 상기 기판(240)에 실장한다(단계 S820). 여기서, 복수의 LED 칩(220)들은 집적도를 높이기 위해 매트릭스 형상으로 실장될 수 있다. Then, a plurality of LED chips 220 are mounted on the substrate 240 on the substrate 240 (step S820). Here, the plurality of LED chips 220 may be mounted in a matrix shape to increase the degree of integration.

그 후, LED 칩(220)을 둘러싸도록 개별 광흡수 부재(300) 또는 일체형 광흡수 부재(600)를 설치한다(단계 S830). 다만, 실시예에 따라서는, 광흡수 부재(300 또는 600)를 먼저 기판(240)에 실장하고 그 다음으로 LED 칩(220)을 실장할 수도 있다. 따라서, 본 발명이 본 명세서에 기재된 특정 제조방법의 순서로 제한되는 것으로 해석되어서는 안된다. Then, the individual light absorbing member 300 or the integrated light absorbing member 600 is installed to surround the LED chip 220 (step S830). However, according to the embodiment, the light absorbing member 300 or 600 may be first mounted on the substrate 240, and then the LED chip 220 may be mounted. Therefore, the present invention should not be construed as limited to the order of specific manufacturing processes described herein.

그 후, LED 칩(220)의 상부에 형성된 본딩 와이어(미도시)를 기판(240)에 형성된 패턴 전극(미도시)들과 연결하여, LED 칩(220)이 외부와 전기적으로 접속되도록 한다(단계 S840). Thereafter, a bonding wire (not shown) formed on the LED chip 220 is connected to pattern electrodes (not shown) formed on the substrate 240 so that the LED chip 220 is electrically connected to the outside Step S840).

그 후, 커버부(400)를 광흡수 부재(300 또는 600)의 상부에 접착시키거나, 커버부(500)를 LED 칩(220) 상부에 형성한다(단계 S850). 여기서, 커버부(400)는 광흡수 부재(300 또는 600)의 상부에 접착제를 도포하여 부착할 수 있으며, 그 외 후크 결합 등의 방법으로 결합시킬 수도 있다. 또한, 커버부(500)는 투광성 수지(또는 투광성 수지와 형광물질의 혼합물)을 LED 칩(220) 상부에 도팅한 후 경화시킴으로써 렌즈 형상으로 형성할 수 있다. 한편, 광흡수 부재(300 또는 600)와 커버부(400)가 일체형으로 형성된 경우에는, LED 칩(220)이 실장된 기판에 상기 일체형으로 제작된 광흡수 부재와 커버부를 LED 칩(220)의 본딩 와이어의 연결 후에 설치하는 것도 가능하다. Thereafter, the cover part 400 is adhered to the upper part of the light absorbing member 300 or 600, or the cover part 500 is formed on the LED chip 220 (step S850). Here, the cover part 400 may be attached by applying an adhesive to the upper part of the light absorbing member 300 or 600, or may be coupled by other methods such as hook coupling. In addition, the cover part 500 can be formed in a lens shape by dipping a light-transmissive resin (or a mixture of a light-transmitting resin and a fluorescent material) on the LED chip 220 and curing it. When the light absorbing member 300 or 600 and the cover unit 400 are integrally formed, the light absorbing member and the cover unit, which are integrally formed on the substrate on which the LED chip 220 is mounted, It is also possible to install them after connecting the bonding wires.

본 발명은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 정해지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The present invention may be modified and modified without departing from the gist of the present invention, and the scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, All changes or modifications that come within the spirit and scope of the appended claims are intended to be embraced therein.

Claims (13)

기판;
상기 기판 상에 실장되고, 상면 및 측면에 파장변환부를 포함하는 복수의 LED; 및
상기 기판 상에 결합되고, 상기 복수의 LED의 측면을 감싸는 광흡수 부재를 포함하고,
상기 광흡수 부재는 상부 및 하부가 개방된 상태로 형성되며,
상기 광흡수 부재는 외부 측벽 및 상기 외부 측벽의 내부에 위치하여 복수의 LED를 셀단위로 분리하는 내부 측벽을 포함하는 멀티 칩 엘이디 패키지.
Board;
A plurality of LEDs mounted on the substrate, the LEDs including a wavelength conversion portion on an upper surface and a side surface; And
A light absorbing member coupled to the substrate and surrounding a side surface of the plurality of LEDs,
Wherein the light absorbing member is formed in an opened state in an upper portion and a lower portion,
Wherein the light absorbing member includes an outer side wall and an inner side wall positioned inside the outer side wall and separating the plurality of LEDs in a cell unit.
청구항 1에 있어서,
상기 내부 측벽은 인접한 상기 복수의 LED를 공유하는 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the inner sidewall shares the plurality of adjacent LEDs.
청구항 1에 있어서,
상기 내부 측벽은 인접한 상기 복수의 LED의 상기 파장변환부를 분할하는 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the inner sidewalls divide the wavelength converting portion of the adjacent plurality of LEDs.
청구항 1에 있어서,
상기 내부 측벽은 상기 외부 측벽의 내측면으로부터 연장된 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the inner sidewall extends from the inner side of the outer sidewall.
청구항 1에 있어서,
상기 광흡수 부재는 반투명한 재질로 이루어진 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light absorbing member is made of a semi-transparent material.
청구항 1에 있어서,
상기 광흡수 부재는 불투명한 재질로 이루어진 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light absorbing member is made of an opaque material.
기판;
상기 기판에 실장되는 LED; 및
상기 기판에 결합되며, 상기 LED를 감싸는 광흡수 부재를 포함하며,
상기 LED는 발광소자와 상기 발광소자의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부를 포함하고,
상기 광흡수 부재는 상기 파장변환부의 외측면 중 적어도 일부와 접촉하며,
상기 광흡수 부재는 상부 및 하부가 개방된 상태로 형성된 멀티 칩 엘이디 패키지.
Board;
An LED mounted on the substrate; And
A light absorbing member coupled to the substrate and surrounding the LED,
Wherein the LED includes a light emitting element and a wavelength converting portion covering an upper surface and a side surface of the light emitting element,
Wherein the light absorbing member is in contact with at least a part of the outer surface of the wavelength converting portion,
Wherein the light absorbing member is formed in an open state in an upper part and a lower part.
청구항 7에 있어서,
상기 LED는 복수의 LED가 그룹화된 블록을 포함하는 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method of claim 7,
Wherein the LED comprises a grouped block of a plurality of LEDs.
청구항 8에 있어서,
상기 광흡수 부재는 상기 블록의 외곽면을 둘러싸는 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method of claim 8,
Wherein the light absorbing member surrounds the outer surface of the block.
청구항 7에 있어서,
상기 LED는 상기 기판 상에 복수개 구비되고, 상기 광흡수 부재는 상기 LED 각각을 감싸는 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method of claim 7,
A plurality of LEDs are provided on the substrate, and the light absorbing member surrounds each of the LEDs.
청구항 10에 있어서,
인접한 상기 광흡수 부재는 서로 일정 간격 이격된 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method of claim 10,
Wherein the adjacent light absorbing members are spaced apart from each other by a predetermined distance.
청구항 7에 있어서,
상기 광흡수 부재는 반투명한 재질로 이루어진 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method of claim 7,
Wherein the light absorbing member is made of a semi-transparent material.
청구항 7에 있어서,
상기 광흡수 부재는 불투명한 재질로 이루어진 멀티 칩 엘이디 패키지.
The method of claim 7,
Wherein the light absorbing member is made of an opaque material.
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