KR101433261B1 - Light Emitting Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 캐비티가 형성된 하우징과, 상기 하우징의 캐비티에 일부가 노출되며, 상호 이격된 제1 리드 프레임 및 제2 리드프레임과, 상기 제1 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 LED 칩의 측면을 덮는 제1 커버층과, 상기 LED 칩 및 제1 커버층을 덮는 제2 커버층을 포함하는 발광 소자를 제공할 수 있다. A first lead frame and a second lead frame partially exposed to a cavity of the housing; a first lead frame and a second lead frame spaced apart from each other; an LED chip mounted on the first lead frame; And a second cover layer covering the LED chip and the first cover layer can be provided.

Description

발광소자{Light Emitting Device}[0001] Light Emitting Device [0002]

본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드(LED : light emitting diode)를 이용한 LED 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to an LED package using a light emitting diode (LED).

발광 다이오드(LED : Light emitting diode)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자로서 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaN 계열의 청색 LED가 개발되었다. 이러한 LED 분야의 기술의 발달로 디스플레이 소자뿐만 아니라 광통신 수단의 송신모듈, LCD 표시 장치의 백라이트, 형광등이나 백열등을 대체하는 광원으로 사용되고 있다. 발광 다이오드가 이처럼 여러가지 광원으로 사용되기 위해서 패키지 형태로 제조되며, 패키지 형태로 제조시 형광체를 사용함으로써 실제 LED 칩에서 발광되는 색을 사용자가 필요한 색으로 변환시킬 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor light emitting devices that convert current into light. GaN series blue LEDs have been developed starting from the commercialization of red LEDs using GaAsP compound semiconductors. With the development of the technology of the LED field, it is used not only as a display device but also as a light source replacing a transmission module of an optical communication means, a backlight of an LCD display device, a fluorescent lamp or an incandescent lamp. The light emitting diode is manufactured in the form of a package in order to be used as various light sources as described above, and the phosphor emitted from the actual LED chip can be converted into the color required by the user by using the phosphor in the package form.

도 1은, 일반적으로 사용되는 LED 패키지의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a commonly used LED package.

도 1을 참조하면, 일반적인 LED 패키지(100)는 캐비티가 형성된 하우징(110)에 리드프레임(120, 130)이 배치되고 상기 리드프레임 상에 LED 칩(140)이 실장될 수 있다. 그리고 하우징의 캐비티 내에 상기 LED 칩(140)을 덮도록 형광체를 포함한 몰딩물질(160)을 채울 수 있다. 상기 LED 칩(140)을 GaN 계열의 청색 발광칩을 사용하고, 상기 형광체는 황색 계열의 형광체를 사용하여 상기 LED 패키지에서 출력되는 광의 색깔은 백색을 얻을 수 있다. Referring to FIG. 1, a typical LED package 100 includes lead frames 120 and 130 mounted on a housing 110 having a cavity, and the LED chip 140 may be mounted on the lead frame. The molding material 160 including the fluorescent material may be filled in the cavity of the housing to cover the LED chip 140. The LED chip 140 may be a GaN-based blue light emitting chip, and the phosphor may be a yellow-based phosphor, and the color of the light output from the LED package may be white.

상기 LED 칩(140)은 수직형 칩일 수 있으며, 일면이 제1 리드프레임(120)과 직접 연결되고, 와이어를 통해 제2 리드프레임(130)과 연결되어 전기적으로 도통될 수 있다. The LED chip 140 may be a vertical chip, and one side may be directly connected to the first lead frame 120, and may be electrically connected to the second lead frame 130 through a wire.

상기 LED 칩은 상면뿐만 아니라 측면으로도 광이 출광되므로 상기 LED 칩 측면에서 방출되는 광을 효율적으로 하우징 전면부로 반사시켜야 LED 패키지의 광출력 향상을 도모할 수 있다. 일반적으로는 상기 하우징(110)에 형성된 캐비티 내부 벽면 및 하부의 반사성을 좋게 함으로써 광을 최대한 외부로 방출시킬 수 있다. 또한, 상기 LED 칩에서 출광된 광 중 일부는 상기 몰딩 물질(160) 내에서 형광체에 의해 난반사되어 다시 상기 LED 칩(140)의 측면으로 흡수되는 경우가 있다. 이러한 패키지 내부에서 LED 칩으로 재흡수되는 광을 줄이는 것도 LED 패키지의 출력을 높이기 위한 방법이 될 수 있다. 이처럼 상기 LED 패키지 단에서의 광출력을 향상시키기 위해 상기 LED 칩(140)에서 출광되는 광을 최대한 외부로 방출시키는 LED 패키지 내부 구조에 대한 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 한국특허공개 2011-0106445, 일본 공개특허공보 특개 2005-026401 호 등에 기재되어 있다.
The light emitted from the side of the LED chip can be efficiently reflected to the front surface of the housing because the light is emitted to the top surface as well as the top surface of the LED chip. In general, the reflectivity of the inner wall surface and the lower portion of the cavity formed in the housing 110 is improved, so that light can be emitted to the outside as much as possible. In addition, some of the light emitted from the LED chip may be irregularly reflected by the fluorescent material in the molding material 160 and may be absorbed into the side surface of the LED chip 140 again. Reducing the light reabsorbed into the LED chip within the package can also be a way to increase the output of the LED package. In order to improve the light output at the LED package end, the inner structure of the LED package that emits the light emitted from the LED chip 140 to the outside is being studied.
BACKGROUND ART [0002] Techniques that serve as the background of the present invention are disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2011-0106445, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2005-026401, and the like.

본 발명은 LED 패키지 단에서의 광출력을 향상시키기 위해 상기 LED 칩에서 출광되는 광 중 LED 패키지 내부에서 상기 LED 칩의 측면으로 재흡수되는 것을 방지함으로써, LED 칩에서 출광된 빛을 최대한 하우징의 외부로 방출시키는 LED 패키지의 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.
In order to improve the light output at the LED package end, the present invention prevents the light emitted from the LED chip from being reabsorbed into the side surface of the LED chip inside the LED package, To a light emitting diode (LED) package.

본 발명의 일 태양은, 캐비티가 형성된 하우징과, 상기 하우징의 캐비티에 일부가 노출되며, 상호 이격된 제1 리드 프레임 및 제2 리드프레임과, 상기 제1 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 LED 칩의 측면을 덮는 제1 커버층과, 상기 LED 칩 및 제1 커버층을 덮는 제2 커버층을 포함하는 발광 소자를 제공할 수 있다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an LED package comprising: a housing formed with a cavity; a first lead frame and a second lead frame partially exposed in a cavity of the housing; A first cover layer covering a side surface of the LED chip, and a second cover layer covering the LED chip and the first cover layer.

본 발명에 따르면, LED 칩에서 출광된 광 중 LED 패키지 내부에서 상기 LED 칩의 측면으로 재흡수되는 것을 방지함으로써, LED 패키지의 광효율을 높일 수 있다.
According to the present invention, among the light emitted from the LED chip, it is prevented from being reabsorbed into the side surface of the LED chip inside the LED package, thereby increasing the light efficiency of the LED package.

도 1은, 종래기술에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 4는, 종래기술에 따른 LED 패키지와 본 발명의 제2 실시형태에 따른 LED 패키지의 광 시뮬레이션결과를 비교한 실험예이다. 1 is a cross-sectional view of a conventional LED package.
2 is a cross-sectional view of the LED package according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an LED package according to a second embodiment of the present invention.
4 is an experimental example in which the optical simulation results of the LED package according to the second embodiment of the present invention and the LED package according to the prior art are compared.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광소자의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자(200)는 하우징(210), 리드프레임(220, 230), LED 칩(240), 제1 커버층(250) 및 제2 커버층(260)을 포함할 수 있다. 2, the light emitting device 200 according to the present embodiment includes a housing 210, lead frames 220 and 230, an LED chip 240, a first cover layer 250, and a second cover layer 260 ).

상기 하우징(210)은 PC 계열의 수지를 사용하여 제조할 수 있다. 본 실시형태에서의 하우징(210)은 전면에 캐비티가 형성되어 상기 캐비티가 LED 칩 실장을 위한 장소로 사용될 수 있다. 상기 하우징(210)은 리드 프레임을 고정시키는 역할을 할 수 있다. 일반적으로 상기 하우징은 백색계열의 수지를 사용하나, 사용 용도에 따라 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC : Epoxy Moding Compound)를 이용한 투명재질의 수지를 사용할 수도 있다.
The housing 210 may be manufactured using a PC-based resin. In the present embodiment, a cavity is formed on the front surface of the housing 210 so that the cavity can be used as a place for mounting the LED chip. The housing 210 may serve to fix the lead frame. Generally, the housing is made of a white resin, but a transparent resin using an epoxy molding compound (EMC) may be used depending on the use.

상기 리드 프레임(220, 230)은 제1 리드프레임(220) 및 제2 리드프레임(230)으로 구분될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(220) 및 제2 리드프레임(230)은 상기 하우징에 형성된 캐비티에 일부가 노출되도록 형성될 수 있다. 상기 캐비티 내에서 노출된 제1 리드 프레임은 상기 LED 칩의 실장영역이 될 수 있다. 상기 캐비티 내에서 노출된 제2 리드 프레임은 상기 LED 칩과 전기적으로 연결하기 위한 영역이 될 수 있다. 상기 제1 리드프레임(220) 및 제2 리드프레임(230)은 각각 단자가 상기 하우징(210)의 외부로 연장되어 상기 발광소자(200)를 기판상에 전기적으로 연결할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 외부 단자는 하우징의 하면을 따라 연장된 형태로 도시하였으나, LED 패키지의 형태에 따라 상기 리드프레임의 단자는 하우징으로부터 돌출되는 형태일 수도 있다. 상기 리드 프레임(220, 230)은 반사율이 좋은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 알루미늄 합금을 이용할 수 있다.
The lead frames 220 and 230 may be divided into a first lead frame 220 and a second lead frame 230. The first lead frame 220 and the second lead frame 230 may be partially exposed to the cavities formed in the housing. The first lead frame exposed in the cavity may be a mounting region of the LED chip. The second lead frame exposed in the cavity may be an area for electrically connecting with the LED chip. The first lead frame 220 and the second lead frame 230 may extend to the outside of the housing 210 to electrically connect the light emitting device 200 to the substrate. Although the external terminals of the first lead frame and the second lead frame are extended along the lower surface of the housing in the present embodiment, the terminal of the lead frame may protrude from the housing depending on the shape of the LED package . The lead frames 220 and 230 may be formed of a conductive material having a high reflectivity. For example, an aluminum alloy may be used.

상기 LED 칩(240)은, 제1 리드 프레임(220)에 실장될 수 있다. 본 실시형태에서 LED 칩(240)은 수직형 LED 칩일 수 있다. 즉, 상기 LED 칩의 양면이 각각 p전극 및 n전극이 될 수 있다. 본 실시형태에서의 LED 칩(240)은, 제1 리드 프레임(220)과 직접 접하는 일면이 상기 제1 리드 프레임과 전기적으로도 연결되며, 상기 제2 리드 프레임(230)과는 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
The LED chip 240 may be mounted on the first lead frame 220. In the present embodiment, the LED chip 240 may be a vertical type LED chip. That is, both sides of the LED chip may be a p-electrode and an n-electrode, respectively. The LED chip 240 in this embodiment is electrically connected to the first lead frame in one side directly contacting with the first lead frame 220 and electrically connected to the second lead frame 230 by wire bonding And can be electrically connected.

상기 제1 커버층(250)은, LED 칩(240)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 커버층(250)은 반사 물질이 포함된 열가소성 수지 또는 열경화성 수지일 수 있다. 상기 반사 물질은 고반사율 특성을 갖는 물질을 사용할 수 있다. 또한, 고내열 특성을 갖는 반사물질이 사용될 수 있다. 상기 반사 물질의 일예로는 Al2O3, SiO2, MgO, TiO2, CaCO3, MgCO3, BaSO4, CaSO4 등 고반사율 특성을 가지면서 고내열 특성을 갖는 물질이 사용되는 것이 바람직하다.
The first cover layer 250 may be formed to cover the side surface of the LED chip 240. In the present embodiment, the first cover layer 250 may be a thermoplastic resin containing a reflective material or a thermosetting resin. The reflective material may use a material having a high reflectance characteristic. Also, a reflective material having high heat resistance characteristics can be used. As the reflective material, it is preferable to use a material having high reflectance characteristics such as Al 2 O 3 , SiO 2 , MgO, TiO 2 , CaCO 3, MgCO 3 , BaSO 4 and CaSO 4 and having high heat resistance.

상기 제1 커버층(250)에 포함된 반사물질은 LED 칩(240)에서 출광된 광이 상기 LED 패키지의 몰딩영역(260)에서 반사되어 다시 LED 칩의 측면으로 흡수되는 것을 방지할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 커버층(250)이 없이 LED 칩(240)을 직접 제2 커버층(260)으로 덮은 경우에는, 상기 LED 칩에서 출광된 광이 상기 제2 커버층(260)에 포함된 형광체 입자에 의해서 반사될 수 있다. 이렇게 되면, 상기 반사된 광 중 일부가 상기 LED 칩의 측면으로 향하여 흡수될 수 있다. 본 실시형태에서 상기 LED 칩이 수직형 칩인 경우는 상기 LED 칩의 하부에 위치하는 반사판의 측면으로 광흡수가 일어날 수 있다. 본 실시형태에서는 이처럼 LED 패키지의 내부에서 LED 칩(240) 측면으로 광이 재흡수되는 것을 줄이기 위해서 LED 칩(240) 측면에 제1 커버층(250)을 형성하였다. 상기 제1 커버층(250)은 반사물질을 포함하고 있어 상기 LED 패키지 내부에서 다시 LED 칩 쪽으로 향하는 광을 반사시켜 LED 패키지 외부로 향하도록 할 수 있다. 따라서, LED 패키지 전체의 광출력을 높일 수 있다. The reflective material included in the first cover layer 250 may prevent light emitted from the LED chip 240 from being reflected from the molding region 260 of the LED package and absorbed again to the side of the LED chip. When the LED chip 240 is directly covered with the second cover layer 260 without the first cover layer 250 in the present embodiment, the light emitted from the LED chip is transmitted to the second cover layer 260 It can be reflected by the contained phosphor particles. In this case, some of the reflected light may be absorbed toward the side of the LED chip. In the present embodiment, when the LED chip is a vertical chip, light absorption may occur at a side surface of the reflector located under the LED chip. In this embodiment, the first cover layer 250 is formed on the side of the LED chip 240 in order to reduce the re-absorption of light into the side of the LED chip 240 inside the LED package. The first cover layer 250 includes a reflective material so that the light directed toward the LED chip can be reflected from the LED package to the outside of the LED package. Therefore, the light output of the entire LED package can be increased.

본 실시형태에서 상기 제1 커버층(250)은 상기 LED 칩(240)의 측면높이와 동일한 높이로 균일하게 형성된 것으로 도시하였으나 상기 제1 커버층(250)의 형태는 상기 LED 칩(240)의 측면을 덮는 한 다양하게 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 커버층은 LED 칩의 측면으로부터 상기 캐비티의 측벽까지 일정한 기울기를 갖도록 형성할 수도 있다.
The first cover layer 250 is formed to be uniformly formed at the same height as the side height of the LED chip 240. The shape of the first cover layer 250 is not limited to that of the LED chip 240, It can be variously implemented as long as it covers the side surface. For example, the first cover layer may be formed to have a constant inclination from the side of the LED chip to the side wall of the cavity.

상기 제2 커버층(260)은, 상기 LED 칩(240) 및 제1 커버층(250)을 덮도록 상기 하우징(210)의 캐비티에 채워질 수 있다. 상기 제2 커버층(260)은 형광체가 포함된 광투과성 수지일 수 있다. 상기 제2 커버층(260)은, LED 칩(240)의 상부로 출력되는 광 및 상기 제1 커버층(250)에 의해 반사된 광을 입력받아 상기 형광체에 의해 변환된 광을 출력할 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 LED 칩(240)은 청색광을 발광하고, 상기 형광체는 황색계열의 형광체를 사용하여 발광소자의 출력광을 백색으로 할 수 있다. 상기 형광체는 야그(YAG), 실리케이트(Silicate), 나이트라이드(nitride) 계열 형광체 중 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
The second cover layer 260 may be filled in the cavity of the housing 210 to cover the LED chip 240 and the first cover layer 250. The second cover layer 260 may be a light-transmissive resin containing a phosphor. The second cover layer 260 may receive the light output from the upper portion of the LED chip 240 and the light reflected by the first cover layer 250 and output the light converted by the phosphor . In the present embodiment, the LED chip 240 emits blue light, and the phosphor may be a yellow phosphor, so that the output light of the light emitting device may be white. The phosphor may be selected from among YAG, silicate, and nitride-based phosphors.

도 3은, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광소자의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광소자(300)는 하우징(310), 리드프레임(320, 330), LED 칩(340), 제1 커버층(350) 및 제2 커버층(360)을 포함할 수 있다. 3, the light emitting device 300 according to the present embodiment includes a housing 310, lead frames 320 and 330, an LED chip 340, a first cover layer 350 and a second cover layer 360 ).

상기 하우징(310)은 PC 계열의 수지를 사용하여 제조할 수 있다. 본 실시형태에서의 하우징(310)은 전면에 캐비티가 형성되어 상기 캐비티가 LED 칩 실장을 위한 장소로 사용될 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는 상기 캐비티 내에 장착되는 리드프레임의 형태에 맞게 하부방향으로 개방된 형태일 수 있다. 상기 하우징(310)은 리드 프레임을 고정시키는 역할을 할 수 있다. 일반적으로 상기 하우징은 백색계열의 수지를 사용하나, 사용 용도에 따라 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC : Epoxy Moding Compound)를 이용한 투명재질의 수지를 사용할 수도 있다.
The housing 310 may be manufactured using a PC-based resin. In the present embodiment, a cavity is formed on the front surface of the housing 310 so that the cavity can be used as a place for mounting the LED chip. Further, in the present embodiment, it may be in the form of opening downward in accordance with the shape of the lead frame mounted in the cavity. The housing 310 may serve to fix the lead frame. Generally, the housing is made of a white resin, but a transparent resin using an epoxy molding compound (EMC) may be used depending on the use.

상기 리드 프레임(320, 330)은 제1 리드프레임(320) 및 제2 리드프레임(330)으로 구분될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(320) 및 제2 리드프레임(330)은 상기 하우징에 형성된 캐비티에 일부가 노출되도록 형성될 수 있다. 상기 캐비티 내에서 노출된 제1 리드 프레임은 상기 LED 칩의 실장영역이 될 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 리드 프레임(320)은 상기 LED 칩의 실장영역에 리세스(recess)가 형성된 형태일 수 있다. 즉, 실장되는 LED 칩의 높이에 해당하는 만큼의 깊이로 움푹 들어간 형태일 수 있다. LED 칩이 실장되는 리드프레임에 이러한 리세스를 형성함으로서 LED 칩으로부터 발광되는 빛을 상부 방향으로 반사시키는데 유리할 수 있다. The lead frames 320 and 330 may be divided into a first lead frame 320 and a second lead frame 330. The first lead frame 320 and the second lead frame 330 may be partially exposed to the cavities formed in the housing. The first lead frame exposed in the cavity may be a mounting region of the LED chip. In the present embodiment, the first lead frame 320 may have a recess formed in a mounting region of the LED chip. That is, it may be recessed to a depth corresponding to the height of the LED chip to be mounted. By forming such a recess in the lead frame on which the LED chip is mounted, it may be advantageous to reflect the light emitted from the LED chip in the upward direction.

본 실시형태에서, 상기 리세스가 형성된 제1 리드프레임(320)은 리세스 부분의 하면이 하우징(310)의 하면에 노출될 수 있다. LED 칩이 실장된 리드프레임이 직접 하우징의 외부로 노출됨으로써 방열 효과를 높일 수 있다. 상기 리세스 부분의 하면은 하우징의 하면과 동일 평면으로 형성할 수도 있고, 하우징의 하면과 단차를 갖도록 형성할 수도 있다. In this embodiment, the lower surface of the recessed portion of the first lead frame 320 in which the recess is formed may be exposed on the lower surface of the housing 310. [ The lead frame having the LED chip mounted thereon is directly exposed to the outside of the housing, thereby enhancing the heat radiating effect. The lower surface of the recessed portion may be flush with the lower surface of the housing or may be formed to have a step with the lower surface of the housing.

상기 캐비티 내에서 노출된 제2 리드 프레임(330)은 상기 LED 칩과 전기적으로 연결하기 위한 영역이 될 수 있다. 상기 제1 리드프레임(320) 및 제2 리드프레임(330)은 각각 단자가 상기 하우징(310)의 외부로 연장되어 상기 발광소자(300)를 기판상에 전기적으로 연결할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 외부 단자는 하우징에서 돌출된 형태로 도시하였으나, 상기 하우징의 하면을 따라 연장된 형태일 수도 있다. 상기 리드 프레임(320, 330)은 반사율이 좋은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 알루미늄 합금을 이용할 수 있다.
The second lead frame 330 exposed in the cavity may be an area for electrically connecting with the LED chip. The first lead frame 320 and the second lead frame 330 may each have a terminal extending outside the housing 310 to electrically connect the light emitting device 300 to the substrate. In the present embodiment, the external terminals of the first lead frame and the second lead frame are protruded from the housing, but they may extend along the lower surface of the housing. The lead frames 320 and 330 may be formed of a conductive material with good reflectivity. For example, an aluminum alloy may be used.

상기 LED 칩(340)은, 제1 리드 프레임(320)에 실장될 수 있다. 본 실시형태에서는 제1 리드 프레임(320)의 리세스 영역에 실장될 수 있다. 본 실시형태에서 LED 칩(340)은 수직형 LED 칩일 수 있다. 즉, 상기 LED 칩의 양면에 각각 p전극 및 n전극이 형성될 수 있다. 본 실시형태에서의 LED 칩(340)은, 제1 리드 프레임과 직접 접하는 일면이 상기 제1 리드 프레임과 전기적으로도 연결되며, 상기 제2 리드 프레임과는 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
The LED chip 340 may be mounted on the first lead frame 320. In the present embodiment, it can be mounted in the recessed region of the first lead frame 320. [ In the present embodiment, the LED chip 340 may be a vertical type LED chip. That is, a p-electrode and an n-electrode may be formed on both sides of the LED chip. The LED chip 340 in this embodiment may be electrically connected to one side of the LED chip 340 directly contacting the first lead frame and electrically connected to the second lead frame by wire bonding.

상기 제1 커버층(350)은, LED 칩(340)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 LED 칩(340)이 실장된 제1 리드프레임(320)의 리세스 영역에 제1 커버층(350)이 형성될 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 커버층(350)은 반사 물질이 포함된 열가소성 수지 또는 열경화성 수지일 수 있다. 상기 반사 물질은 고반사율을 갖는 물질일 수 있다. 또한, 고내열 특성을 갖는 반사물질이 사용될 수 있다. 상기 반사 물질의 일예로는 Al2O3, SiO2, MgO, TiO2, CaCO3, MgCO3, BaSO4, CaSO4 등 고반사율 특성을 가지면서 고내열 특성을 갖는 물질이 사용되는 것이 바람직하다.The first cover layer 350 may be formed to cover the side surface of the LED chip 340. In this embodiment, the first cover layer 350 may be formed in the recessed region of the first lead frame 320 on which the LED chip 340 is mounted. In the present embodiment, the first cover layer 350 may be a thermoplastic resin containing a reflective material or a thermosetting resin. The reflective material may be a material having a high reflectance. Also, a reflective material having high heat resistance characteristics can be used. As the reflective material, it is preferable to use a material having high reflectance characteristics such as Al 2 O 3 , SiO 2 , MgO, TiO 2 , CaCO 3, MgCO 3 , BaSO 4 and CaSO 4 and having high heat resistance.

상기 제1 커버층(350)에 포함된 반사물질은 LED 칩(340)에서 출광된 광이 상기 LED 패키지의 몰딩영역(360)에서 반사되어 다시 LED 칩의 측면으로 흡수되는 것을 방지할 수 있다. 본 실시형태에서 상기 제1 커버층(350)이 없이 LED 칩(340)을 직접 제2 커버층(360)으로 덮은 경우에는, 상기 LED 칩에서 출광된 광이 상기 제2 커버층(360)에 포함된 형광체 입자에 의해서 반사될 수 있다. 이렇게 되면, 상기 반사된 광 중 일부가 상기 LED 칩의 측면으로 향하여 흡수될 수 있다. 본 실시형태에서 상기 LED 칩이 수직형 칩인 경우 칩 하부에 위치하는 반사판의 측면에서 상기 광흡수가 일어날 수 있다. 본 실시형태에서는 이처럼 LED 패키지의 내부에서 LED 칩(340) 측면으로 광이 재흡수되는 것을 줄이기 위해서 LED 칩(340) 측면에 제1 커버층(350)을 형성하였다. 상기 제1 커버층(350)은 반사물질을 포함하고 있어 상기 LED 패키지 내부에서 다시 LED 칩 쪽으로 향하는 광을 반사시켜 LED 패키지 외부로 향하도록 할 수 있다. 따라서, LED 패키지 전체의 광출력을 높일 수 있다. The reflective material contained in the first cover layer 350 may prevent light emitted from the LED chip 340 from being reflected by the molding region 360 of the LED package and absorbed again to the side of the LED chip. When the LED chip 340 is directly covered with the second cover layer 360 without the first cover layer 350 in the present embodiment, the light emitted from the LED chip is transmitted to the second cover layer 360 It can be reflected by the contained phosphor particles. In this case, some of the reflected light may be absorbed toward the side of the LED chip. In the present embodiment, when the LED chip is a vertical chip, the light absorption may occur at the side of the reflection plate positioned under the chip. In this embodiment, the first cover layer 350 is formed on the side of the LED chip 340 in order to reduce the reabsorption of light from the inside of the LED package to the side of the LED chip 340. The first cover layer 350 may include a reflective material so that light directed toward the LED chip may be reflected from the LED package to the outside of the LED package. Therefore, the light output of the entire LED package can be increased.

본 실시형태에서 상기 제1 커버층(350)은 상기 LED 칩(340)의 측면높이와 동일한 높이로 균일하게 형성된 것으로 도시하였으나 상기 제1 커버층(350)의 형태는 상기 LED 칩(340)의 측면을 덮는 한 다양하게 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 커버층은 LED 칩의 측면으로부터 상기 리세스 영역의 측벽까지 일정한 기울기를 갖도록 형성할 수도 있다.
The first cover layer 350 may be formed to have the same height as the height of the side surface of the LED chip 340, It can be variously implemented as long as it covers the side surface. For example, the first cover layer may be formed to have a constant inclination from the side surface of the LED chip to the side wall of the recessed area.

상기 제2 커버층(360)은, 상기 LED 칩(340) 및 제1 커버층(350)을 덮도록 상기 하우징(310)의 캐비티에 채워질 수 있다. 상기 제2 커버층(360)은 형광체가 포함된 광투과성 수지일 수 있다. 상기 제2 커버층(360)은, LED 칩(340)의 상부로 출력되는 광 및 상기 제1 커버층(350)에 의해 반사된 광을 입력받아 상기 형광체에 의해 변환된 광을 출력할 수 있다. 본 실시형태에서는 상기 LED 칩(340)은 청색광을 발광하고, 상기 형광체는 황색계열의 형광체를 사용하여 발광소자의 출력광을 백색으로 할 수 있다. 상기 형광체는 야그(YAG), 실리케이트(Silicate), 나이트라이드(nitride) 계열 형광체 중 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
The second cover layer 360 may be filled in the cavity of the housing 310 to cover the LED chip 340 and the first cover layer 350. The second cover layer 360 may be a light-transmitting resin containing a phosphor. The second cover layer 360 may receive the light output from the upper portion of the LED chip 340 and the light reflected by the first cover layer 350 and may output the light converted by the phosphor . In the present embodiment, the LED chip 340 emits blue light, and the phosphor may be a yellow phosphor, so that output light of the light emitting device may be white. The phosphor may be selected from among YAG, silicate, and nitride-based phosphors.

도 4는, 종래기술에 따른 LED 패키지와 본 발명의 제2 실시형태에 따른 LED 패키지의 광 시뮬레이션 결과를 비교한 비교예이다.4 is a comparative example in which optical simulation results of an LED package according to the related art and the LED package according to the second embodiment of the present invention are compared.

본 비교예에서, 종래기술에 따른 LED 패키지와 본 발명의 제2 실시형태에 따른 LED 패키지의 하우징(410), 제1 리드프레임(420) 및 제2 리드프레임(430)은 모두 동일한 형태로 구현하였다. 종래기술에 따른 LED 패키지에서는 제1 커버층이 형성되지 않은 반면, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 LED 패키지에서는 제1 리드프레임 내에 형성된 리세스 영역에 제1 커버층(450)을 형성하였다. 본 비교예에 대해서 광시뮬레이션한 결과, 제1 커버층을 형성하지 않은 경우에 비해 제1 커버층을 형성한 경우 광출력이 증가한 것을 볼 수 있다. 따라서, 제1 커버층의 유무 및 그 성분에 따라 LED 패키지의 광출력을 증가시킬 수 있음을 알 수 있다.
In this comparative example, the housing 410, the first lead frame 420 and the second lead frame 430 of the LED package according to the prior art and the LED package according to the second embodiment of the present invention are all implemented in the same form Respectively. In the LED package according to the second embodiment of the present invention, the first cover layer is formed in the recess region formed in the first lead frame while the first cover layer is not formed in the LED package according to the prior art. As a result of optical simulation for this comparative example, it can be seen that the light output increases when the first cover layer is formed as compared with the case where the first cover layer is not formed. Therefore, it can be seen that the light output of the LED package can be increased depending on the presence or absence of the first cover layer and its components.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시형태에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시형태에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

210 : 하우징 220 : 제1 리드프레임
230 : 제2 리드프레임 240 : LED 칩
250 : 제1 커버층 260 : 제2 커버층210: housing 220: first lead frame
230: second lead frame 240: LED chip
250: first cover layer 260: second cover layer

Claims (7)

캐비티가 형성된 하우징;
상기 하우징의 캐비티에 일부가 노출되며, 상호 이격된 제1 리드 프레임 및 제2 리드프레임;
상기 제1 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩;
상기 LED 칩의 측면의 전체면을 덮는 제1 커버층;
상기 LED 칩 및 제1 커버층을 덮는 제2 커버층;
을 포함하는 발광 소자.
A housing formed with a cavity;
A first lead frame and a second lead frame partially exposed in a cavity of the housing, the first lead frame and the second lead frame being spaced apart from each other;
An LED chip mounted on the first lead frame;
A first cover layer covering an entire side surface of the LED chip;
A second cover layer covering the LED chip and the first cover layer;
.
제1항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임은,
상기 LED 칩이 실장되는 리세스(recess)부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
The first lead frame includes:
Wherein a recess portion in which the LED chip is mounted is formed.
제2항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임은,
리세스부 하면이 상기 하우징의 하부에 노출되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
3. The method of claim 2,
The first lead frame includes:
And the recessed portion is exposed to the lower portion of the housing.
제2항에 있어서,
상기 제1 커버층은,
상기 리세스부에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
3. The method of claim 2,
Wherein the first cover layer comprises:
And the light emitting element is formed in the recess portion.
제1항에 있어서,
상기 제1 커버층은,
반사 물질이 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first cover layer comprises:
And a reflective material.
제1항에 있어서,
상기 제2 커버층은,
형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the second cover layer comprises:
And a phosphor is included.
제1항에 있어서,
상기 LED 칩은 수직형 칩인 것을 특징으로 하는 발광 소자. The method according to claim 1,
Wherein the LED chip is a vertical chip.
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