KR20120030475A - Light emitting diode package - Google Patents

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KR20120030475A KR1020120008324A KR20120008324A KR20120030475A KR 20120030475 A KR20120030475 A KR 20120030475A KR 1020120008324 A KR1020120008324 A KR 1020120008324A KR 20120008324 A KR20120008324 A KR 20120008324A KR 20120030475 A KR20120030475 A KR 20120030475A
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Abstract

PURPOSE: A light-emitting diode package is provided to improve optical efficiency by mounting a zener diode on a groove formed in a lead. CONSTITUTION: A package body includes a cavity(15). A zener diode(19) and a light emitting diode are mounted on a floor side of the cavity. A dam part(131) is formed between the zener diode and the light emitting diode. The dam part includes first and second declined parts. The first and second declined parts have different slopes. The first declined part is steeper than the second declined part.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제너다이오드와 발광다이오드 사이에 형성된 댐부에 의해 상기 제너다이오드로 향하는 광을 외부로 반사시킴으로써 광효율을 개선한 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package having improved light efficiency by reflecting light toward the zener diode to the outside by a dam formed between the zener diode and the light emitting diode.

일반적으로, 발광다이오드는 전류 인가에 의해 P-N 반도체 접합(P-N junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 소자로서, LED는 저전압, 저전류로 연속 발광이 가능하고 소비전력이 작은 이점 등 기존의 광원에 비해 많은 이점을 갖고 있다.In general, a light emitting diode is a device in which electrons and holes meet and emit light at a PN semiconductor junction by applying an electric current, and an LED is a conventional light source capable of continuously emitting light at low voltage and low current and having low power consumption. It has a lot of advantages.

특히, 발광다이오드는 각종 표시장치, 백라이트 광원 등에 널리 사용되고 있으며, 최근, 적, 녹, 청색광을 각각 방출하는 3개의 발광 다이오드 칩들을 이용하거나, 또는 형광체를 사용하여 파장을 변환시킴으로써 백색광을 방출하는 기술이 개발되어 조명장치로도 그 적용 범위를 넓히고 있다.In particular, the light emitting diodes are widely used in various display devices, backlight sources, and the like. In recent years, light emitting diodes emit light of white light by using three light emitting diode chips emitting red, green, and blue light, or by converting wavelengths using phosphors. It has been developed to expand the scope of application to lighting devices.

위와 같은 발광다이오드는 통상 패키지 구조로 제조되며, 종래의 발광다이오드 패키지는 도 1에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 리드(1, 2)를 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 리드(1, 2)는 상부 패키지 본체(3a)와 하부 패키지 본체(3b)로 이루어진 패키지 본체(3)에 의해 지지된다. 상기 패키지 본체(3)는 캐비티(5)를 구비하며, 캐비티(5)의 실장면에 발광다이오드(6)와 제너다이오드(9)를 실장하고 제 1 및 제 2 와이어(7a, 7b) 본딩을 한 상태에서 봉지부재(8)를 형성함에 따라 패키지 구조로 완성된다.The light emitting diode as described above is usually manufactured in a package structure, and a conventional light emitting diode package includes first and second leads 1 and 2 as shown in FIG. 1. The first and second leads 1, 2 are supported by a package body 3 consisting of an upper package body 3a and a lower package body 3b. The package body 3 includes a cavity 5, mounts the light emitting diode 6 and the zener diode 9 on the mounting surface of the cavity 5, and bonds the first and second wires 7a and 7b to each other. As the encapsulation member 8 is formed in one state, the package structure is completed.

이러한 발광다이오드 패키지는 외부로부터 유입된 정전기에 의한 정전 방전(electrostatic discharge)을 방지하기 어려우며, 따라서 발광다이오드(6)의 손상이 유발되기 쉬워 소자의 신뢰성을 저하시킨다. 이에 따라 발광다이오드를 패키지할 때, 정전 방전을 방지하기 위해 별개의 제너다이오드(9)를 발광다이오드(6)와 함께 장착하여 사용한다.Such a light emitting diode package is difficult to prevent electrostatic discharge due to static electricity introduced from the outside, and thus damage of the light emitting diode 6 is likely to be caused, thereby lowering the reliability of the device. Accordingly, when packaging the light emitting diode, a separate zener diode 9 is used together with the light emitting diode 6 to prevent electrostatic discharge.

그러나, 제너다이오드(9)는 검은색 계열로, 발광다이오드(6)로부터 상기 제너다이오드(6)로 향하는 광을 흡수하여 광량을 저하시킨다.However, the zener diode 9 is black in color and absorbs light from the light emitting diode 6 toward the zener diode 6 to lower the amount of light.

또한, 발광다이오드 패키지는 광효율을 높게 하기 위하여 캐비티(5)의 내벽(4)이 경사지도록 설계되어야 하나, 제 1 및 제 2 본딩와이어의 위치를 확보하면서 캐비티(5)의 내벽(4)을 경사지도록 설계하는데 제한이 있다.In addition, the light emitting diode package should be designed such that the inner wall 4 of the cavity 5 is inclined in order to increase the light efficiency, but inclined the inner wall 4 of the cavity 5 while securing the positions of the first and second bonding wires. There is a limit to the design.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 제너다이오드에 의한 광의 흡수를 방지하여 광효율을 개선한 발광다이오드 패키지를 제공하는데 있다. 즉, 제너다이오드와 발광다이오드 사이에 형성된 댐부에 의해 상기 제너다이오드로 향하는 광을 반사시킴으로써 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 리드에 형성된 홈에 제너다이오드를 실장함으로써 상기 발광다이오드에서 발한 광의 흡수를 막을 수 있어 광효율을 향상시킬 수 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a light emitting diode package having improved light efficiency by preventing light absorption by a zener diode. That is, the light efficiency can be improved by reflecting light directed toward the zener diode by a dam formed between the zener diode and the light emitting diode. In addition, by mounting a zener diode in a groove formed in the lead, it is possible to prevent the absorption of light emitted from the light emitting diode, thereby improving the light efficiency.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 캐비티를 구비한 패키지 본체; 상기 캐비티의 바닥면에 실장된 제너다이오드; 상기 캐비티의 바닥면에 실장된 발광다이오드; 및 상기 제너다이오드와 상기 발광다이오드 사이에 형성된 댐부;를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention comprises a package body having a cavity; A zener diode mounted on the bottom surface of the cavity; A light emitting diode mounted on a bottom surface of the cavity; And a dam portion formed between the zener diode and the light emitting diode.

상기 댐부는 상기 발광다이오드로부터의 광이 상기 제너다이오드에 흡수되는 것을 방지하기 위한 것이 바람직하다.Preferably, the dam unit is configured to prevent light from the light emitting diode from being absorbed into the zener diode.

본 실시예에 따라, 상기 댐부는 상기 발광다이오드로부터의 광을 외부로 반사시킬 수 있으며, 상기 댐부는 상기 발광다이오드와 마주하는 부분이 경사진 것이 바람직하다.According to the present embodiment, the dam portion may reflect light from the light emitting diode to the outside, and the dam portion is preferably inclined at a portion facing the light emitting diode.

상기 댐부는 상기 패키지 본체와 일체로 형성된 것이며, 상기 제너다이오드와 발광다이오드는 서로 역병렬로 접속됨이 바람직하다.Preferably, the dam part is formed integrally with the package body, and the zener diode and the light emitting diode are connected in reverse parallel with each other.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 캐비티를 구비한 패키지 본체; 상기 캐비티의 바닥면에 실장된 제너다이오드; 및 상기 캐비티의 바닥면에 실장된 발광다이오드;를 포함하며, 상기 제너다이오드는 상기 캐비티의 바닥면에 마련된 리드들중 어느 하나의 리드에 형성된 홈에 실장될 수 있다. 상기 홈은 제너다이오드가 내부에 수용된 채 노출되지 않는 것이 바람직하다.On the other hand, the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a package body having a cavity; A zener diode mounted on the bottom surface of the cavity; And a light emitting diode mounted on a bottom surface of the cavity, wherein the zener diode may be mounted in a groove formed in any one of the leads provided on the bottom surface of the cavity. Preferably, the groove is not exposed while the zener diode is accommodated therein.

본 발명의 실시예에 따르면 종래 캐비티의 내벽을 유지하면서 제너다이오드와 발광다이오드 사이에 형성된 댐부에 의해 발광다이오드에서 발한 광을 반사시킴으로써, 본딩와이어의 위치를 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 제너다이오드로 인한 광의 흡수를 막을 수 있는 효과가 있다. 특히, 상기 댐부를 경사지게 형성함으로써 발광다이오드에서 발하는 광출력을 향상시킬 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the light emitted from the light emitting diode is reflected by a dam portion formed between the zener diode and the light emitting diode while maintaining the inner wall of the conventional cavity, thereby securing the position of the bonding wire, There is an effect that can prevent the absorption of light. In particular, by forming the dam inclined, the light output from the light emitting diode can be improved.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면 리드에 형성된 홈에 제너다이오드를 실장함에 따라 제너다이오드로 인한 광의 흡수 또는 반사율 저하로 인해 소멸되는 광을 개선한 효과도 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, as the zener diode is mounted in the groove formed in the lead, the light that is extinguished due to the absorption of the zener diode or the decrease in reflectance may be improved.

도 1은 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도.
도 3은 도 2의 발광다이오드 패키지의 등가회로도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to the prior art.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram of the light emitting diode package of FIG.
Figure 4 is a cross-sectional view for explaining a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들을 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이고, 도 3은 도 2의 발광다이오드 패키지의 등가회로도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the light emitting diode package of FIG. 2.

도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 한 쌍의 리드, 즉 제 1 및 제 2 리드(11, 12)를 포함한다. 제 1 및 제 2 리드(11, 12)는 인청동판으로 제작된 리드프레임으로부터 형성되며, 그 표면은 광반사율을 높이기 위해 은(Ag) 도금되어 있다. 제 1 및 제 2 리드(11, 12)는 패키지 본체(13)에 의해 지지된다. 패키지 본체(13)는 전형적으로 열가소성 수지를 삽입 몰딩하여 형성할 수 있다. 또한, 패키지 본체(13)의 재질은 예를 들면, 플라스틱 재질, 세라믹 재질로, 발광다이오드 패키지 내부 구조를 다양하게 설계할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting diode package includes a pair of leads, that is, first and second leads 11 and 12. The first and second leads 11 and 12 are formed from a lead frame made of a phosphor bronze plate, and the surface thereof is plated with silver (Ag) to increase light reflectance. The first and second leads 11, 12 are supported by the package body 13. The package body 13 may typically be formed by insert molding a thermoplastic resin. In addition, the material of the package body 13 may be, for example, a plastic material or a ceramic material, and the LED structure may be variously designed.

설명의 편의상, 패키지 본체(13)는 제 1 및 제 2 리드(11, 12)의 위치를 기준으로 상부 패키지 본체(13a)와 하부 패키지 본체(13b)로 구분될 수 있다.For convenience of description, the package body 13 may be divided into an upper package body 13a and a lower package body 13b based on the positions of the first and second leads 11 and 12.

상부 패키지 본체(13a)는 제 1 및 제 2 리드(11, 12)를 노출시키는 캐비티(15)를 갖는다. 제 1 및 제 2 리드(11, 12)는 캐비티(15)의 바닥, 즉 하부 패키지 본체(13b) 상에 위치하며, 캐비티(15) 내에서 서로 이격되어 있다. 또한, 제 1 및 제 2 리드(11, 12)는 외부 전원에 전기적으로 연결되기 위해 각각 패키지 본체(13)의 외부로 돌출되어 있다. 외부로 돌출된 제 1 및 제 2 리드(11, 12)는 다양한 형상을 가질 수 있으며, 다양한 형상으로 절곡될 수 있다.The upper package body 13a has a cavity 15 exposing the first and second leads 11, 12. The first and second leads 11, 12 are located on the bottom of the cavity 15, ie on the lower package body 13b, and are spaced apart from each other in the cavity 15. In addition, the first and second leads 11 and 12 protrude to the outside of the package body 13, respectively, to be electrically connected to an external power source. The first and second leads 11 and 12 protruding to the outside may have various shapes and may be bent into various shapes.

상기 캐비티(15)의 내벽(14)은 발광다이오드(16)에서 방출된 빛을 외부로 반사하도록 일정한 경사면을 갖는다. 상기 발광다이오드(16)가 상기 캐비티(15)의 바닥면에 실장된다. 이때, 도시한 바와 같이, 상기 발광다이오드(16)는 상기 제 2 리드(12) 상에 도전성 접착제에 의해 부착될 수 있다. 상기 도전성 접착제는 은 에폭시(Ag epoxy)일 수 있다. 이에 더하여, 상기 발광다이오드(16)는 제 1 본딩와이어(17a)를 통해 제 1 리드(11)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광다이오드(16)는 상기 제 1 및 제 2 리드(11, 12)에 전기적으로 연결된다.The inner wall 14 of the cavity 15 has a constant inclined surface to reflect the light emitted from the light emitting diode 16 to the outside. The light emitting diodes 16 are mounted on the bottom surface of the cavity 15. At this time, as shown, the light emitting diodes 16 may be attached to the second lead 12 by a conductive adhesive. The conductive adhesive may be silver epoxy. In addition, the light emitting diodes 16 may be connected to the first leads 11 through the first bonding wires 17a. Accordingly, the light emitting diodes 16 are electrically connected to the first and second leads 11 and 12.

외부로부터 유입된 정전기에 의한 정전 방전(electrostatic discharge)을 방지하기 위해 상기 발광다이오드(16)와 함께 제너다이오드(19)가 실장된다. 상기 제너다이오드(19)는 상기 제 1 리드(11)상에 부착될 수 있으며, 그 제너다이오드(19)는 제 2 본딩와이어(17b)를 통해 제 2 리드(12)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 상기 제너다이오드(19)는 상기 제 1 및 제 2 리드(11, 12)에 전기적으로 연결된다.A zener diode 19 is mounted together with the light emitting diode 16 to prevent electrostatic discharge from static electricity introduced from the outside. The zener diode 19 may be attached on the first lead 11, and the zener diode 19 may be connected to the second lead 12 through the second bonding wire 17b. Accordingly, the zener diode 19 is electrically connected to the first and second leads 11 and 12.

이와 같은 발광다이오드(16)와 제너다이오드(19)는 도 3 에 도시된 회로와 같이 역병렬로 연결된다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 리드(11, 12)에 전원을 연결하여 순방향 전압을 인가하면, 발광다이오드(16)에 순방향 전압이 인가되어 광이 방출된다. 한편, 제너다이오드(19)는 발광다이오드(16)의 순방향 전압이 과도하게 증가하는 것을 방지하여 발광다이오드(16)가 과전압에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.The light emitting diodes 16 and the zener diodes 19 are connected in anti-parallel as in the circuit shown in FIG. 3. Therefore, when a forward voltage is applied by connecting power to the first and second leads 11 and 12, the forward voltage is applied to the light emitting diodes 16 to emit light. Meanwhile, the zener diode 19 may prevent the forward voltage of the light emitting diode 16 from excessively increasing, thereby preventing the light emitting diode 16 from being damaged by the overvoltage.

상기 발광다이오드(16)와 상기 제너다이오드(19) 사이에는 댐부(131)가 형성된다. 상기 댐부(131)는 패키지 본체(13)와 일체로 이루어질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 댐부(131)는 상기 발광다이오드(16)에서 발한 광을 외부로 반사시킬 수 있으며, 상기 댐부(131)의 일면이 상기 발광다이오드(16)와 마주하는 부분이 경사지게 형성될 수 있다. 이때, 상기 발광다이오드(16)와 마주하는 부분은 경사도를 조절할 수 있으며, 상기 캐비티(15)의 내벽(14)보다 더 경사지게 형성함이 바람직하다. 이에 따라, 상기 발광다이오드(16)에서 제너다이오드(19)로 향하는 광이 상기 댐부(131)의 경사진 면에 의해 반사되어 외부로 방출시킬 수 있다. 즉, 발광다이오드(16)에서 발한 광이 댐부(131)에 의해 제너다이오드(19)로 흡수되지 않고 외부로 방출시킬 수 있어, 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광다이오드(16)와 마주하는 부분의 경사도를 조절하여 광효율을 높일 수 있다.A dam 131 is formed between the light emitting diode 16 and the zener diode 19. The dam unit 131 may be formed integrally with the package body 13, but the present invention is not limited thereto. The dam unit 131 may reflect light emitted from the light emitting diode 16 to the outside, and a portion of one surface of the dam unit 131 facing the light emitting diode 16 may be inclined. At this time, the portion facing the light emitting diode 16 can adjust the inclination, it is preferable to form more inclined than the inner wall 14 of the cavity (15). Accordingly, the light directed from the light emitting diodes 16 to the zener diodes 19 may be reflected by the inclined surface of the dam portion 131 and emitted to the outside. That is, the light emitted from the light emitting diode 16 can be emitted to the outside without being absorbed into the zener diode 19 by the dam portion 131, thereby improving the light efficiency. In addition, it is possible to increase the light efficiency by adjusting the inclination of the portion facing the light emitting diode 16.

상기 캐비티(15)에는 봉지부재(18)가 채워진다. 상기 봉지부재(18)는 상기 캐비티(15)의 바닥면에 실장된 발광다이오드(16) 및 제너다이오드(19) 상부를 덮는다. 또한, 봉지부재(18)는 제 1 및 제 2 본딩와이어(17a, 17b)로 구분된 본딩와이어(17)를 덮을 수 있으며, 더 나아가, 발광다이오드(16) 및 제너다이오드(19) 사이에 형성된 댐부(131)를 덮을 수 있다. 이때, 봉지부재(18)는 투광성 수지, 예컨대 실리콘 수지, 에폭시 수지일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The cavity 15 is filled with the sealing member 18. The encapsulation member 18 covers the upper portion of the light emitting diode 16 and the zener diode 19 mounted on the bottom surface of the cavity 15. In addition, the encapsulation member 18 may cover the bonding wires 17 divided into the first and second bonding wires 17a and 17b, and further, formed between the light emitting diodes 16 and the zener diodes 19. The dam part 131 may be covered. In this case, the encapsulation member 18 may be a translucent resin, such as a silicone resin or an epoxy resin, but the present invention is not limited thereto.

이에 더하여, 상기 봉지부재(18)의 상부면은 도 2에 도시된 바와 같이 평평한 면일 수도 있으며, 일정한 곡률을 가질 수도 있다. 또한, 상기 봉지부재(18)는 적어도 하나의 형광체를 함유할 수 있다. 이러한 형광체는 발광다이오드(16)에서 방출된 빛의 파장을 변환시키기 위해 채택된다.In addition, the upper surface of the encapsulation member 18 may be a flat surface as shown in FIG. 2, or may have a constant curvature. In addition, the encapsulation member 18 may contain at least one phosphor. This phosphor is employed to convert the wavelength of the light emitted from the light emitting diodes 16.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 제너다이오드로 향하는 광의 흡수를 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있다는 점에서 상술한 본 발명의 일 실시예와 마찬가지이다.The LED package according to another embodiment of the present invention illustrated in FIG. 4 is the same as the embodiment of the present invention in that light efficiency can be improved by preventing absorption of light directed to the zener diode.

다만, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 댐부가 없고 제너다이오드의 실장 위치가 상술한 본 발명의 일 실시예와 달리 변형되었으므로 이어지는 설명에서는 그 차이점 위주로 설명한다.However, since the light emitting diode package according to another embodiment of the present invention does not have a dam portion and the mounting position of the zener diode is different from the above-described embodiment of the present invention, the following description will focus on the differences.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 캐비티(15)를 갖는 패키지 본체(13), 상기 캐비티(15)에 수용되는 발광다이오드(16) 및 제너다이오드(19), 상기 발광다이오드(16) 및 제너다이오드(19)를 덮는 봉지부재(18)를 포함한다. 상기 발광다이오드(16) 및 제너다이오드(19)에 전류를 인가하기 위한 제 1 및 제 2 리드(11, 12) 중 제너 다이오드(19)가 실장될 리드, 예를 들면 제 1 리드(11)에는 홈(111)이 형성되어 있다. 상기 홈(111)은 상기 제너다이오드(19)가 수용될 정도의 높이를 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 제너다이오드(19)가 홈(111)에 수용된 채 노출되지 않기 때문에 제너다이오드(19)로 향한 광의 흡수를 방지할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode package includes a package body 13 having a cavity 15, a light emitting diode 16 and a zener diode 19 accommodated in the cavity 15, and the light emitting diode 16. And an encapsulation member 18 covering the zener diode 19. Among the first and second leads 11 and 12 for applying current to the light emitting diode 16 and the zener diode 19, a lead to which the zener diode 19 is mounted, for example, the first lead 11 The groove 111 is formed. The groove 111 preferably has a height such that the zener diode 19 is accommodated therein. Accordingly, since the zener diode 19 is not exposed while being accommodated in the groove 111, it is possible to prevent absorption of light directed to the zener diode 19.

11 : 제 1 리드 12 : 제 2 리드
13 : 패키지 본체 131 : 댐부
14 : 내벽 15 : 캐비티
16 : 발광다이오드 17 : 본딩와이어
18 : 봉지부재 19 : 제너다이오드11: first lead 12: second lead
13: package body 131: dam portion
14: inner wall 15: cavity
16: light emitting diode 17: bonding wire
18: sealing member 19: zener diode

Claims (8)

패키지 본체;
상기 패키지 본체의 바닥면에 실장된 제너다이오드 및 발광다이오드;
상기 제너다이오드와 상기 발광다이오드 사이에 형성된 댐부;를 포함하되,
상기 댐부는 제 1 경사부와 제 2 경사부를 포함하고,
상기 제 1 경사부와 상기 제 2 경사부는 서로 다른 경사를 가지며,
상기 제 1 경사부는 상기 제 2 경사부보다 더 가파른 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.Package body;
A zener diode and a light emitting diode mounted on a bottom surface of the package body;
And a dam portion formed between the zener diode and the light emitting diode.
The dam portion includes a first inclined portion and a second inclined portion,
The first inclined portion and the second inclined portion have different inclinations,
And the first inclined portion is steeper than the second inclined portion. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 경사부는 상기 제너다이오드와 마주하고 상기 제 2 경사부는 상기 발광 다이오드와 마주하게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method of claim 1,
Wherein the first inclined portion faces the zener diode and the second inclined portion faces the light emitting diode. 제 2 항에 있어서,
상기 댐부는 상기 발광다이오드로부터의 광을 외부로 반사시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method of claim 2,
The dam unit is a light emitting diode package, characterized in that for reflecting light from the light emitting diode to the outside. 제 1 항에 있어서,
상기 댐부는 상기 패키지 본체의 바닥면으로부터 연장되어 형성된 것임을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method of claim 1,
The dam unit is a light emitting diode package, characterized in that formed extending from the bottom surface of the package body. 제 1 항에 있어서,
상기 패키지 본체는 캐비티를 포함하며,
상기 제너다이오드 또는 상기 발광다이오드는 상기 캐비티 내에 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method of claim 1,
The package body includes a cavity,
The zener diode or the light emitting diode is a light emitting diode package, characterized in that formed in the cavity. 패키지 본체;
상기 패키지 본체의 바닥면에 실장된 제너다이오드 및 발광다이오드를 포함하며,
상기 제너다이오드는 상기 캐비티의 바닥면에 마련된 리드들중 어느 하나의 리드에 형성된 홈에 실장되는 발광다이오드 패키지.Package body;
A zener diode and a light emitting diode mounted on a bottom surface of the package body,
The zener diode is mounted in a groove formed in any one of the leads provided on the bottom surface of the cavity. 제 6 항에 있어서,
상기 홈은 상기 제너다이오드가 내부에 수용된 채 노출되지 않는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 6,
The groove is a light emitting diode package, characterized in that the zener diode is not exposed inside. 제 6 항에 있어서,
상기 홈에 실장된 제너다이오드는 상기 하나의 리드에 부착되어 전기적으로 연결되며, 상기 리드들 중 다른 하나의 리드와 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 6,
The zener diode mounted in the groove is attached to the one lead and electrically connected, the light emitting diode package is electrically connected to the other one of the leads by a wire.
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