JP2005026401A - Light emitting diode - Google Patents

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semiconductor light
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Tsutomu Iwasako
力 祝迫
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode in which luminance can be prevented from lowering when a submount substrate is employed.
SOLUTION: A semiconductor light emitting device 6 mounting a semiconductor light emitting element 5 on a submount substrate 10 is connected with a pair of electrodes 2 and 3 provided in a resin case 4, and then the interior of the resin case 4 is filled with sealing resin 7 principally comprising epoxy thus sealing the semiconductor light emitting device 6. In such a light emitting diode 1, the sealing resin 7 comprises a reflective layer 12 covering the upper surface of the submount substrate 10, and a light transmitting layer 13 covering the semiconductor light emitting element 5. A light exiting the semiconductor light emitting element 5 obliquely downward can be reflected on the reflective layer 12 and taken out.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、半導体発光装置を樹脂封止して形成される発光ダイオードに関する。 The present invention is a semiconductor light emitting device a light emitting diode formed by resin sealing.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
従来、面実装タイプの発光ダイオードは、内部に対となる電極端子を埋設したケーシングが多く用いられている。 Conventionally, the light emitting diode of a surface mounting type, the casing is often used which is embedded an electrode terminal as an internal pair. このケーシングは、白色樹脂を用いて、上方または側方に開口部を形成している。 The casing, using a white resin, to form an opening in the upper or side.
【0003】 [0003]
半導体発光素子は、一方の電極端子に導電性接着剤により固着され、上面に形成された電極と他方の電極とをワイヤボンディングで接続している。 The semiconductor light emitting element is connected is fixed by a conductive adhesive to one electrode terminal, and an electrode formed on the upper surface and the other electrode by wire bonding.
【0004】 [0004]
半導体発光素子およびワイヤは、エポキシ樹脂を主体とする封止樹脂で覆われている。 The semiconductor light emitting element and the wire is covered with a sealing resin composed mainly of epoxy resin.
【0005】 [0005]
半導体発光素子から出射された光は、封止樹脂内を通過し、一部の光はケーシングの内面や電極で反射して外側に取り出される。 Light emitted from the semiconductor light emitting element, passes through the sealing resin, a part of the light is extracted to the outside is reflected by the inner surface and the electrodes of the casing.
【0006】 [0006]
このような発光ダイオードとして、例えば、封止樹脂内に蛍光物質を混入することにより、半導体発光素子から出射された光の波長を変換し、例えば、青色光を白色光に変換して取り出すものが開発されている(例えば、特許文献1参照。)。 As such light-emitting diodes, for example, by mixing the fluorescent material into the sealing resin, to convert the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting element, for example, those taken to convert the blue light into white light have been developed (e.g., see Patent Document 1.).
【0007】 [0007]
また、封止樹脂が硬化する前に遠心分離を行い、封止樹脂に混入している蛍光物質を半導体発光素子に近接配置した発光ダイオードも開発されている(例えば、特許文献2参照。)。 Moreover, subjected to centrifugal separation before the sealing resin is cured, light-emitting diodes disposed close fluorescent substance mixed in the sealing resin to the semiconductor light emitting device has also been developed (e.g., see Patent Document 2.).
【0008】 [0008]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
特開2002−317178号公報 (第2−7頁、第3図) JP 2002-317178 JP (2-7 pages, FIG. 3)
【特許文献2】 [Patent Document 2]
特開2000−164937号公報 (第2−5頁、第1図) JP 2000-164937 JP (2-5 pages, Fig. 1)
【0009】 [0009]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、半導体発光素子を電極端子に直接搭載するのではなく半導体発光素子をサブマウント基板に搭載した半導体発光装置を用いた場合、半導体発光素子から出射された光の一部がサブマウント基板に吸収されてしまい、輝度が小さくなるという問題がある。 However, absorbing the semiconductor light emitting element rather than directly mounted semiconductor light-emitting element to the electrode terminal when using the semiconductor light-emitting device mounted on a submount substrate, a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element to the submount substrate will be, there is a problem that brightness is reduced.
【0010】 [0010]
そこで本発明は、サブマウント基板を用いた場合の輝度の低下を防止する発光ダイオードを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention aims to provide a light-emitting diode to prevent a decrease in brightness in the case of using the sub-mount substrate.
【0011】 [0011]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明の発光ダイオードにおいては、エポキシを主体とする封止樹脂を樹脂ケースの内部に充填して半導体発光装置を封止した発光ダイオードにおいて、封止樹脂は、サブマウント基板の上面を覆う反射層と、半導体発光素子を覆う光透過層とを有することを特徴とする発光ダイオードとしたものである。 In the light emitting diode of the present invention, the light emitting diode sealing resin sealing the semiconductor light-emitting device and filled in the resin case composed mainly of epoxy, sealing resin, a reflective layer covering the upper surface of the submount substrate When, in which a light emitting diode and having a light transmitting layer covering the semiconductor light-emitting element.
【0012】 [0012]
この発明によれば、サブマウント基板を用いた場合の輝度の低下を防止する発光ダイオードが得られる。 According to the invention, the light emitting diode to prevent a reduction in luminance in the case of using the sub-mount substrate is obtained.
【0013】 [0013]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
本願の請求項1に記載の発明は、サブマウント基板上に半導体発光素子を搭載した半導体発光装置を、樹脂ケース内に設けた対となる電極に接続し、エポキシを主体とする封止樹脂を前記樹脂ケースの内部に充填して前記半導体発光装置を封止した発光ダイオードにおいて、前記封止樹脂は、前記サブマウント基板の上面を覆う反射層と、前記半導体発光素子を覆う光透過層とを有することを特徴とする発光ダイオードとしたものであり、半導体発光素子から斜め下方に出射された光を反射層で反射して取り出すという作用を有する。 The invention according to a first aspect of the present invention, a semiconductor light-emitting device mounting the semiconductor light-emitting element on a submount substrate, and connected to the electrode to be paired provided in the resin case, the sealing resin mainly composed of epoxy in the light emitting diode sealing the semiconductor light-emitting device is filled inside the resin case, the sealing resin, a reflective layer covering the upper surface of the submount substrate, and a light transmitting layer covering the semiconductor light emitting element it is obtained by a light emitting diode, characterized in having, such an action taken by reflecting light emitted obliquely downward from the semiconductor light emitting device with a reflective layer.
【0014】 [0014]
請求項2に記載の発明は、前記反射層は、フィラーとして酸化チタンが混入されていることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードとしたものであり、白色の酸化チタンを用いて、反射光を増加させるという作用を有する。 Invention according to claim 2, wherein the reflective layer are those that form a light emitting diode according to claim 1, characterized in that the titanium oxide as a filler is mixed, with the white titanium oxide, It has the effect of increasing the reflected light.
【0015】 [0015]
請求項3に記載の発明は、前記光透過層は、フィラーとして蛍光体、シリコーンおよびシリカが混入されていることを特徴とする請求項1又は2記載の発光ダイオードとしたものであり、蛍光体により半導体発光素子から出射された光の波長を変換し、シリカによって線膨張係数を下げて封止樹脂の膨張を防止し、シリコーンによって弾性率を低減させ、耐曲げ性と耐水性を向上させるという作用を有する。 The invention according to claim 3, wherein the light transmitting layer, the phosphor as a filler, which was according to claim 1, wherein the light-emitting diodes, characterized in that the silicone and silica is mixed, the phosphor by converting the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting element, the silica lowers the coefficient of linear expansion by preventing expansion of the sealing resin, to reduce the modulus of silicone, of improving the bending resistance and water resistance It is having an effect.
【0016】 [0016]
以下、本発明の実施の形態について、図1を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIG.
【0017】 [0017]
図1は本発明の一実施の形態の発光ダイオードの断面図である。 Figure 1 is a sectional view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. 図1に示すように、本実施の形態の発光ダイオード1は、対となる平板状の電極2,3と、電極2,3とともに一体成型された白色の樹脂ケース4とを有している。 As shown in FIG. 1, the light emitting diode 1 of this embodiment includes a plate-like electrodes 2, 3 to be paired, and a white resin case 4 is integrally molded with the electrodes 2 and 3. 電極2,3には、例えば、青色に発光するGaN系の半導体発光素子5を備えた半導体発光装置6が設けられ、半導体発光装置6は、封止樹脂7により封止されている。 The electrodes 2 and 3, for example, a semiconductor light-emitting device 6 equipped with the semiconductor light-emitting element 5 of the GaN that emits blue light are provided, the semiconductor light-emitting device 6 is sealed with sealing resin 7.
【0018】 [0018]
樹脂ケース4は、平板状の底部8と底部8の外周を囲んだ側部9とを有し、天面側(一側)が開口した容器状に形成されている。 Resin case 4, and a side portion 9 surrounding the outer periphery of the flat bottom portion 8 and the bottom 8, the top surface side (one side) is formed in the opened container shape. 電極2,3は、それぞれ隙間をあけて、樹脂ケース4内の底部8に並べて配置されている。 Electrodes 2 and 3, respectively with a gap, are arranged side by side in the bottom 8 of the resin case 4.
【0019】 [0019]
半導体発光装置6は、半導体発光素子5を、Siを主体としたサブマウント基板10にバンプ(図示せず)を介してフリップチップ接続されている。 The semiconductor light emitting device 6, the semiconductor light emitting element 5 is flip-chip connected to the sub-mount substrate 10 consisting mainly of Si through a bump (not shown). 半導体発光装置6の底面は、電極2に導電性接着剤を用いて導通接続されている。 The bottom surface of the semiconductor light-emitting device 6 is conductively connected with a conductive adhesive to the electrode 2. また、半導体発光装置6のサブマウント基板10と他方の電極3とは、ワイヤ11を介して導通接続されている。 Also, the submount substrate 10 and the other electrode 3 of the semiconductor light-emitting device 6 is electrically connected through a wire 11.
【0020】 [0020]
封止樹脂7は、エポキシを主体として二層に配置されている。 Sealing resin 7 is disposed in two layers epoxy mainly. すなわち、封止樹脂7は、樹脂ケース4の底部8およびサブマウント基板10の上面を覆う反射層12と、半導体発光素子5を覆って樹脂ケース4の開口部を塞ぐ光透過層13とを有している。 That is, the sealing resin 7 is used, the number and the reflective layer 12 covering the upper surface of the bottom 8 and the sub-mount substrate 10 of the resin case 4, and a light transmission layer 13 covering the semiconductor light-emitting element 5 to close the opening of the resin case 4 are doing. 反射層12と光透過層13の界面は電極2,3に略平行で、かつ略平面状に形成されている。 Interface of the reflective layer 12 and the light transmitting layer 13 is substantially parallel to the electrodes 2 and 3, and is formed into a substantially flat shape. 詳しくは、この界面は、サブマウント基板10の上面より上側で、かつ半導体発光素子5の中間部に形成されている発光層(図示せず)より下側に配置されている。 Specifically, the interface is arranged below the at above the top surface of the submount substrate 10 and the light emitting layer formed on the middle portion of the semiconductor light-emitting element 5 (not shown).
【0021】 [0021]
反射層12は、エポキシ樹脂中にフィラーとして酸化チタンの粒子を混入したものである。 Reflective layer 12 is obtained by mixing particles of titanium oxide as a filler in the epoxy resin. 酸化チタンは白色で、半導体発光素子5の光を開口部側に反射することができる。 Titanium oxide is white, it is possible to reflect light from the semiconductor light-emitting element 5 on the opening side.
【0022】 [0022]
光透過層13は、フィラーとして蛍光体、シリコーンおよびシリカの粒子を混入したものである。 The light transmission layer 13, the phosphor as a filler, is obtained by mixing the particles of silicone and silica. 蛍光体は、例えば、黄色のものを用いて半導体発光素子5の光の波長を変換させて白色光を取り出すことができる。 Phosphor, for example, be by converting the wavelength of light of the semiconductor light-emitting device 5, using those yellow taking out white light. シリカは、線膨張率が低いので、エポキシの吸水性を制限することができる。 Silica, because of the low linear expansion coefficient, it is possible to limit the water absorption of epoxy. また、シリコーンは、弾性率が低いので、耐曲げ性と防水性を向上させることができる。 Further, the silicone has a lower elastic modulus, it is possible to improve the waterproof property and bending resistance.
【0023】 [0023]
なお、本発明の実施の形態ではフィラーとして蛍光体、シリコーンおよびシリカの粒子を混入している例を示しているがいずれかひとつを混入させたものでも構わない。 Incidentally, in the embodiment of the present invention the phosphor as a filler, an example is shown that mixed particles of silicone and silica may be one obtained by mixing any one.
【0024】 [0024]
次に発光ダイオードの使用状態について説明する。 It will now be described using the state of the light emitting diode.
【0025】 [0025]
電極2,3に通電すると、半導体発光素子5の発光層が発光する。 When supplying current to the electrodes 2 and 3, the light emitting layer of the semiconductor light emitting element 5 emits light. 半導体発光素子5から樹脂ケース4の開口部側に出射する光は、光透過層13内を通過して外側に取り出される。 Light emitted from the semiconductor light emitting element 5 on the opening side of the resin case 4 is extracted to the outside through the light transmission layer 13. サブマウント基板を用いているので、半導体発光素子5をフリップチップ実装することができ、開口部側に出射する光がワイヤにより邪魔されることがない。 Because of the use of the submount substrate, it is possible to flip-chip mounting the semiconductor light-emitting element 5, is not the light emitted to the opening side is disturbed by the wire.
【0026】 [0026]
また、半導体発光素子5から側方に出射する光は、樹脂ケース4の側部9に当たって、開口部側に反射され、外側に取り出される。 Further, the light emitted from the semiconductor light emitting element 5 to the side is against the side 9 of the resin case 4, and is reflected on the opening side, is taken out to the outside.
【0027】 [0027]
また、半導体発光素子5から下方または斜め下方に出射する光は、反射層12の表面で反射する。 Further, the light emitted from the semiconductor light emitting element 5 downward or obliquely downward is reflected by the surface of the reflective layer 12. そして、樹脂ケース4の側部9に当たって、または当たらずに光透過層13内を通過して外側に取り出される。 The retrieved outwardly against the side 9 of the resin case 4 or without striking, through the light transmission layer 13. 反射層12が設けられているので、光がサブマウント基板10に当たって吸収されることがなく、光の反射効率がよくなる。 Since the reflective layer 12 is provided, without light is absorbed against the submount substrate 10, the light reflection efficiency is improved. また、半導体発光素子5から出射された光は、蛍光体内を通過する距離によって波長が変化するが、半導体発光素子から斜め下方に出射された光がサブマウント基板10の側部を通過することがなくなるので、光路が無駄に長くなることがなくなり、色度のばらつきが小さくなる。 The light emitted from the semiconductor light-emitting device 5 may vary the wavelength depending on the distance passing through the fluorescent body, that light emitted from the semiconductor light-emitting device obliquely downward through the sides of the submount substrate 10 because eliminated, it prevents the optical path is unnecessarily long, the variation in chromaticity is reduced.
【0028】 [0028]
本発明者が、発光ダイオード1と、反射層12を設けていない発光ダイオードとについて、同じ条件下で、同じ波長での輝度を測定したところ、本実施の形態の発光ダイオード1の方が、反射層12を用いていない発光ダイオードに比べて輝度が5%増加することが確かめられた。 The present inventors, the light emitting diode 1, the light-emitting diode which is not provided with the reflective layer 12 under the same conditions, was measured the brightness of the same wavelength, the direction of the light emitting diode 1 of this embodiment, the reflection was confirmed that the luminance is increased by 5% compared to the light emitting diode does not use a layer 12.
【0029】 [0029]
また、光透過層13に低線膨張率であるシリカが混入されているので、光透過層が膨張して樹脂ケース4の側部9に応力を加えたり、光透過層13と反射層12との界面を剥離させたりすることがなくなる。 Further, since the silica in the light transmitting layer 13 is a low linear expansion coefficient are mixed, or added stress on the side 9 of the resin case 4 with the light transmission layer is expanded, the light transmission layer 13 and the reflective layer 12 it is eliminated or to separate the interfaces. また、光透過層13にシリコーンが混入されているので、光透過層13の強度を増加させ、また表面からの水の吸収を防止して光透過層13と反射層12との界面の剥離が防止される。 Further, since the light transmitting layer 13 silicone is mixed, to increase the intensity of the light transmitting layer 13, also the separation of the interface between the absorption of water by preventing the light transmission layer 13 and the reflective layer 12 from the surface It is prevented.
【0030】 [0030]
次に発光ダイオード1の製造手順について説明する。 Next will be described the procedure of manufacturing the light emitting diode 1.
【0031】 [0031]
電極2,3および樹脂ケース4は一体成型により製造される。 Electrodes 2, 3 and the resin case 4 is manufactured by integral molding. また、半導体発光装置6は、通常の手順により製造されるので、説明は省略する。 The semiconductor light emitting device 6, because it is produced by normal procedure, description will be omitted.
【0032】 [0032]
エポキシ樹脂にフィラーとして所定量の酸化チタン粒子を加えて混合し、これを、例えば、ポッティングによって、または細いノズルを用いて、樹脂ケース4内にサブマウント基板10の表面を覆う高さまで流入させる。 Epoxy resin were mixed with the titanium oxide particles having a predetermined amount as a filler, which, for example, by potting or by using a thin nozzle, is flowed to a height covering the surface of the submount substrate 10 in the resin case 4. これを硬化させることにより、反射層12を形成することができる。 By curing it, it is possible to form the reflective layer 12.
【0033】 [0033]
ついで、エポキシ樹脂にフィラーとして所定量の蛍光体、シリコーンおよびシリカを混合し、これをポッティング等により樹脂ケース4内に樹脂ケース4の表面まで流入させる。 Then, a predetermined amount of phosphor in epoxy resin as a filler, a silicone and silica were mixed, which is flowed by potting in a resin case 4 to the surface of the resin case 4. これを硬化させることにより光透過層13を形成することができる。 It is possible to form the light transmission layer 13 by curing it. 蛍光体は、エポキシより比重が大きいため、反射層12がない場合には、サブマウント基板10の側部に滞留して、半導体発光素子5の輝度が不均一になることがあるが、反射層12が設けられているので、蛍光体が半導体発光素子5の発光面より下側に滞留することが少なくなり、色度が均一になる。 Phosphors, since the specific gravity of epoxy is large, when there is no reflective layer 12 is retained on the side of the submount substrate 10, the luminance of the semiconductor light emitting element 5 may become uneven, reflective layer since 12 is provided, the phosphor is less likely to be accumulated below the light emitting surface of the semiconductor light-emitting element 5, the chromaticity is uniform.
【0034】 [0034]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上のように本発明によれば、封止樹脂を、前記サブマウント基板の上面を覆う反射層と、前記半導体発光素子を覆う光透過層とによって構成したので、半導体発光素子から斜め下方に出射された光を反射層で反射して取り出すことができ、サブマウント基板を用いた場合の輝度の低下を防止することができる。 According to the present invention as described above, it emits a sealing resin, and a reflective layer covering the upper surface of the submount substrate, since it is configured by a light transmitting layer covering the semiconductor light-emitting element, obliquely downward from the semiconductor light emitting element have been the light can be extracted is reflected by the reflective layer, it is possible to prevent a decrease in brightness in the case of using the sub-mount substrate.
【0035】 [0035]
また、反射層に、フィラーとして酸化チタンを混入すると、白色の酸化チタンを用いて、反射光を増加させ、輝度の低下を防止することができる。 Further, the reflective layer, the incorporation of titanium oxide as a filler, using a white titanium oxide increases the reflected light, it is possible to prevent a decrease in luminance.
【0036】 [0036]
また、光透過層に、フィラーとして蛍光体、シリコーンおよびシリカを混入すると、蛍光体により半導体発光素子から出射された光の波長を変換し、シリカによって封止樹脂の膨張を防止し、シリコーンによって耐曲げ性と耐水性を向上させるので、反射層の剥離を防止し、色度を均一にすることができる。 Also, resistance to the light transmitting layer, the phosphor as a filler, the incorporation of silicone and silica, a phosphor converting the wavelength of light emitted from the semiconductor light-emitting device, to prevent the expansion of the sealing resin by silica, the silicone since improving the bending resistance and water resistance, prevents peeling of the reflective layer can be made uniform chromaticity.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の一実施の形態の発光ダイオードの断面図【符号の説明】 Sectional view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention; FIG EXPLANATION OF REFERENCE NUMERALS
1 発光ダイオード2,3 電極4 樹脂ケース5 半導体発光素子6 半導体発光装置7 封止樹脂8 底部9 側部10 サブマウント基板11 ワイヤ12 反射層13 光透過層 1 light emitting diode 2, 3 electrode 4 resin case 5 semiconductor light-emitting element 6 semiconductor light emitting device 7 the sealing resin 8 bottom 9 side 10 submount substrate 11 wire 12 reflective layer 13 light transmission layer

Claims (3)

  1. サブマウント基板上に半導体発光素子を搭載した半導体発光装置を、樹脂ケース内に設けた対となる電極に接続し、エポキシを主体とする封止樹脂を前記樹脂ケースの内部に充填して前記半導体発光装置を封止した発光ダイオードにおいて、 The semiconductor light-emitting device mounting the semiconductor light-emitting element on a submount substrate, and connected to the electrode to be paired provided in the resin case, the semiconductor is filled with a sealing resin composed mainly of epoxy inside the resin case in the light emitting diode sealing the light emitting device,
    前記封止樹脂は、前記サブマウント基板の上面を覆う反射層と、 The sealing resin, a reflective layer covering the upper surface of the submount substrate,
    前記半導体発光素子を覆う光透過層とを有することを特徴とする発光ダイオード。 Light emitting diode and having a light transmitting layer covering the semiconductor light-emitting device.
  2. 前記反射層は、フィラーとして酸化チタンが混入されていることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。 The reflective layer, the light emitting diode of claim 1, wherein the titanium oxide is mixed as a filler.
  3. 前記光透過層は、フィラーとして蛍光体、シリコーンおよびシリカが混入されていることを特徴とする請求項1又は2記載の発光ダイオード。 The light transmission layer is a phosphor as a filler, according to claim 1 or 2, wherein the light-emitting diodes, characterized in that the silicone and silica are mixed.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339581A (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd Fluorescent substance-containing led
JP2008218610A (en) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode
JP2009512226A (en) * 2005-10-21 2009-03-19 コリア フォトニクス テクノロジー インステチュート Light diffusing type light emitting diode
JP2010010261A (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Stanley Electric Co Ltd Color-converting light-emitting device
WO2011093454A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 Method for producing light-emitting device and light emitting device
JP2011222743A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
WO2012000943A1 (en) * 2010-06-28 2012-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a surface-mountable semiconductor component
WO2012029695A1 (en) 2010-08-31 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing same
US8415693B2 (en) 2009-01-30 2013-04-09 Nichia Corporation Light emitting semiconductor device and method of manufacture thereof
US8476657B2 (en) 2008-11-28 2013-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2013535808A (en) * 2010-07-07 2013-09-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Device manufacturing method and device
JP2014057060A (en) * 2012-09-13 2014-03-27 Lg Innotek Co Ltd Light emitting element and lighting system having the same
KR101433261B1 (en) * 2013-01-15 2014-08-27 루미마이크로 주식회사 Light Emitting Device
JP2015026872A (en) * 2014-11-06 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, and method of manufacturing the same
JP2015073131A (en) * 2015-01-05 2015-04-16 ローム株式会社 Led light emitter and led bulb

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339581A (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd Fluorescent substance-containing led
JP4591690B2 (en) * 2005-06-06 2010-12-01 信越化学工業株式会社 Fluorescent substance containing led light-emitting device
JP2009512226A (en) * 2005-10-21 2009-03-19 コリア フォトニクス テクノロジー インステチュート Light diffusing type light emitting diode
JP2008218610A (en) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting diode
JP2010010261A (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Stanley Electric Co Ltd Color-converting light-emitting device
US8476657B2 (en) 2008-11-28 2013-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US8889459B2 (en) 2009-01-30 2014-11-18 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
US8415693B2 (en) 2009-01-30 2013-04-09 Nichia Corporation Light emitting semiconductor device and method of manufacture thereof
US9525115B2 (en) 2009-01-30 2016-12-20 Nichia Corporation Light emitting device
CN102884645A (en) * 2010-01-29 2013-01-16 西铁城电子株式会社 Method for producing light-emitting device and light emitting device
WO2011093454A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 Method for producing light-emitting device and light emitting device
US8556672B2 (en) 2010-01-29 2013-10-15 Citizen Electronics Co., Ltd. Method of producing light-emitting device and light-emitting device
JP2011222743A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
WO2012000943A1 (en) * 2010-06-28 2012-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a surface-mountable semiconductor component
JP2013536568A (en) * 2010-06-28 2013-09-19 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Method of making a surface mountable semiconductor device
US8735928B2 (en) 2010-06-28 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a surface-mountable semiconductor component
JP2013535808A (en) * 2010-07-07 2013-09-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Device manufacturing method and device
US9466770B2 (en) 2010-08-31 2016-10-11 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing a light emitting device
WO2012029695A1 (en) 2010-08-31 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and method for manufacturing same
US9295132B2 (en) 2010-08-31 2016-03-22 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing a light emitting device
JP2014057060A (en) * 2012-09-13 2014-03-27 Lg Innotek Co Ltd Light emitting element and lighting system having the same
KR101433261B1 (en) * 2013-01-15 2014-08-27 루미마이크로 주식회사 Light Emitting Device
JP2015026872A (en) * 2014-11-06 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, and method of manufacturing the same
JP2015073131A (en) * 2015-01-05 2015-04-16 ローム株式会社 Led light emitter and led bulb

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