KR20180063830A - 마스킹재 - Google Patents

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KR20180063830A
KR20180063830A KR1020170160387A KR20170160387A KR20180063830A KR 20180063830 A KR20180063830 A KR 20180063830A KR 1020170160387 A KR1020170160387 A KR 1020170160387A KR 20170160387 A KR20170160387 A KR 20170160387A KR 20180063830 A KR20180063830 A KR 20180063830A
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KR1020170160387A
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?페이 다나카
도모카즈 다카하시
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 피마스킹면의 요철 형상에 양호하게 추종할 수 있고, 또한 다이싱 공정에 제공되었을 때는 절삭 칩이 발생하기 어려운 마스킹재를 제공하는 것.
[해결 수단] 본 발명의 마스킹재는, 볼록부가 형성된 면을 갖고, 해당 면이 마스킹된 전자 부품을, 다이싱 공정에 제공할 때 사용되는 마스킹재이며, 활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능한 제1 점착제층과, 해당 제1 점착제층의 편측에 배치되는, 활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능한 제2 점착제층을 구비하고, 해당 제1 점착제층과 해당 제2 점착제층이 각각 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성된다.

Description

마스킹재{MASKING MATERIAL}
본 발명은 마스킹재에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 소정의 제조 공정에 제공되는 전자 부품의 일부를 보호할 때 사용하는 마스킹재에 관한 것이다.
종래부터 전자 부품을 소정의 제조 공정에 제공할 때는, 취약한 부분, 처리를 요하지 않는 부분 등을 보호할 목적으로 당해 부분을 마스킹재에 의하여 마스킹하는 것이 행해지고 있다. 이때, 피마스킹면이 범프 등의 볼록부를 갖고 요철 형상이 되어 있는 경우가 있으며, 볼록부에 대하여 높은 추종성으로 접착할 수 있는 마스킹재가 요구되고 있다.
한편, 전자 부품의 제조 공정으로서, 대면적으로 가공된 전자 부품의 전구체를 소편화하는 공정(다이싱 공정)이 알려져 있다. 이 다이싱 공정에 있어서도, 전자 부품(전자 부품의 전구체)이 상기와 같이 볼록부를 가지며, 해당 볼록부를 갖는 면이 마스킹되는 경우가 있다.
그러나 마스킹재를 구비한 전자 부품을 다이싱 공정에 제공한 경우, 절단면에서 절삭 칩이 발생하고 해당 절삭 칩이 전자 부품을 오염시키는, 다이싱 후의 공정에서의 문제가 발생한다는 등의 문제가 있다.
일본 특허 공개 제2013-123003호 공보 일본 특허 공개 제2010-212310호 공보
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 그의 목적으로 하는 바는, 피마스킹면의 요철 형상에 양호하게 추종할 수 있고, 또한 다이싱 공정에 제공되었을 때는 절삭 칩이 발생하기 어려운 마스킹재를 제공하는 데 있다.
본 발명의 마스킹재는, 볼록부가 형성된 면을 갖고, 해당 면이 마스킹된 전자 부품을, 다이싱 공정에 제공할 때 사용되는 마스킹재이며, 활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능한 제1 점착제층과, 해당 제1 점착제층의 편측에 배치되는, 활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능한 제2 점착제층을 구비하고, 해당 제1 점착제층과 해당 제2 점착제층이 각각 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성되고, 해당 제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성(1A)이 20% 이상 50% 미만이고, 해당 제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성(2A)이 20% 이상 50% 미만이고, 활성 에너지선을 조사한 후의 제1 점착제층의 강체 흡수성(1B)이 11% 이상 18% 미만이고, 활성 에너지선을 조사한 후의 제2 점착제층의 강체 흡수성(2B)이 10% 이상 15% 미만이고, 해당 강체 흡수성(1B)의 강체 흡수성(2B)에 대한 비(1B/2B)가 0.6 이상 1.3 미만이다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 마스킹재는, 상기 제1 점착제층을, 상기 전자 부품의 볼록부가 형성된 면에 접착하여 사용된다.
일 실시 형태에 있어서는, 마스킹재의 두께가, 상기 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이보다도 두껍다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 마스킹재는, 마스킹재의 제1 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착하고 활성 에너지선을 조사한 후의 점착력이 0.04N/20㎜ 이상 2.0N/20㎜ 미만이다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 마스킹재는, 활성 에너지선을 조사한 후의 파단 신도가 60% 이하이다.
본 발명에 의하면, 피마스킹면의 요철 형상에 양호하게 추종할 수 있고, 또한 다이싱 공정에 제공되었을 때는 절삭 칩이 발생하기 어려운 마스킹재를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 의한 마스킹재의 개략 단면도이다.
도 2는 강체 흡수성을 측정하는 장치를 설명하는 개략도이다.
A. 마스킹재의 전체 구성
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 마스킹재의 개략 단면도이다. 마스킹재(100)는, 제1 점착제층(10)과, 제1 점착제층(10)의 편측에 배치되는 제2 점착제층(20)을 구비한다. 제1 점착제층 및 제2 점착제층은 각각 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성되며, 제1 점착제층 및 제2 점착제층은 모두 활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능하다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라스마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 바람직하게는 자외선이다. 도시하고 있지 않지만 본 발명의 점착 테이프는, 사용에 제공하기까지의 사이, 점착면을 보호할 목적으로 제1 점착제층 및/또는 제2 점착제층의 외측에 세퍼레이터가 설치되어 있어도 된다. 또한 마스킹재는 임의의 적절한 기타 층을 구비할 수 있다(도시하지 않음). 예를 들어 도 1에 있어서는, 제1 점착제층과 제2 점착제층이 접해 있는 형태가 도시되어 있지만 이에 한정되지 않으며, 제1 점착제층과 제2 점착제층 사이에 임의의 적절한 층이 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 마스킹재는, 볼록부가 형성된 면(이하, 요철면 또는 피마스킹면이라고도 함)을 가지며, 해당 면이 마스킹된 전자 부품을 다이싱 공정에 제공할 때 사용된다. 당해 공정에 있어서는, 요철면이 상기 마스킹재에 의하여 마스킹된 상태의 전자 부품이 소자 소편으로 절단 분리된다. 일 실시 형태에 있어서, 상기 마스킹재는, 제1 점착제층을 전자 부품의 요철면에 접착하여 사용된다. 또한 다이싱 공정 시에는, 마스킹재를 갖는 전자 부품의 마스킹되어 있지 않은 측에 임의의 적절한 다이싱 테이프가 배치될 수 있다. 또한 본 발명의 마스킹재를 사용할 때, 피마스킹면에 접착한 후, 활성 에너지선을 조사하여 제1 점착제층 및 제2 점착제층을 경화시키고 나서, 마스킹된 전자 부품을 다이싱하는 것이 바람직하다. 제1 점착제층 및 제2 점착제층의 경화는, 예를 들어 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여 행해진다. 상기 절단 분리 시에는, 예를 들어 회전 날이 사용된다. 일 실시 형태에 있어서는, 다이싱 공정 후, 소편화된 전자 부품은 본 발명의 마스킹재에 의하여 마스킹된 상태로 다음 공정(예를 들어 스퍼터 처리 등의 금속막 형성 공정, 에칭 공정 등)에 제공된다.
본 발명에 있어서는, 비교적 유연한 제1 점착제층 및 제2 점착제층을 형성함으로써, 피마스킹면의 요철 형상에 추종하기 쉬워 피마스킹면을 양호하게 마스킹할 수 있는 마스킹재를 얻을 수 있다. 또한 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 경화 가능하게 형성되어 있으며, 피마스킹면에 마스킹재를 접착한 후에 이들 점착제층을 경화시킴으로써 다이싱 공정에서의 절삭 칩의 발생을 방지할 수 있다. 또한 본 발명의 마스킹재에 있어서는, 제1 점착제층 및 제2 점착제층이 경화 처리에 의하여 각각 독립적으로 적절한 경도(구체적으로는 강체 흡수성)가 되도록 구성되어 있다. 이와 같이 구성된 마스킹재를 사용함으로써 절삭 칩의 발생을 방지하면서 양호하게 다이싱을 행할 수 있고, 또한 다이싱 공정 후에는 해당 마스킹재를 용이하게 박리할 수 있다(상세는 후술함).
일 실시 형태에 있어서는, 상기 마스킹재는 기재 등의 강직한 층(예를 들어 강체 흡수성이 11% 미만인 층)을 구비하지 않는다. 강직한 층을 포함하지 않고 마스킹재를 구성함으로써 절삭 칩의 발생을 보다 적게 할 수 있다. 또한 기재란, JIS Z0109: 2015에 규정된, 점착 테이프의 점착제를 유지하는 역할을 갖게 할 목적으로 사용하는 재료를 말한다. 본 실시 형태에 있어서의 마스킹재는 점착제층을 유지하는 역할을 갖는 기재를 구비하지 않기 때문에, 사용에 제공하기까지의 사이, 마스킹재를 유지하기 위하여 박리 라이너가 설치되는 것이 바람직하다. 일 실시 형태에 있어서는, 상기 마스킹재는 제1 점착제층 및 제2 점착제층만으로 구성된다.
본 발명의 마스킹재의 제1 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착했을 때의 25℃에서의 초기 점착력은, 바람직하게는 0.5N/20㎜ 내지 20N/20㎜이고, 보다 바람직하게는 1N/20㎜ 내지 18N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 전자 부품의 마스킹용으로서 적합한 마스킹재를 얻을 수 있다. 당해 점착력이 0.5N/20㎜보다 낮은 경우, 피착체에 대한 부착이 약해서 피착체로부터의 들뜸이 발생할 우려가 있다. 또한 20N/20㎜보다 높은 경우, 설계상 유동성이 높은 접착제가 되어 핸들링성이 곤란해질 우려가 있다. 본 발명의 마스킹용 점착 테이프는, 전자 부품의 요철면(예를 들어 반도체 패키지의 범프 형성면)에 접착하더라도 박리하기 어렵다. 또한 초기 점착력은 마스킹재에 활성 에너지선을 조사하기 전의 점착력을 의미한다. 본 발명에 있어서, 점착력은 JIS Z 0237: 2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는 점착력은, 인장 시험기(텐실론, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여 25℃, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도: 90°의 조건에서 측정된다.
본 발명의 마스킹재의 제1 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착하고 활성 에너지선을 조사한 후의 25℃에서의 점착력은, 바람직하게는 0.04N/20㎜ 이상 2.0N/20㎜ 미만이고, 보다 바람직하게는 0.05N/20㎜ 내지 1.5N/20㎜이고, 더욱 바람직하게는 0.05N/20㎜ 내지 1N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 마스킹재가 접착된 전자 부품을 다이싱할 때 박리하기 어렵고, 또한 다이싱 후에는 용이하게 박리할 수 있는 마스킹재를 얻을 수 있다. 당해 점착력이 0.04N/20㎜보다 낮은 경우, 다이싱 공정 중에 점착제가 튈 우려가 있다. 또한 1.5N/20㎜보다 높은 경우, 박리성이 나빠져 피착체의 회수를 하지 못할 우려가 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선이 채용될 수 있다.
활성 에너지선을 조사한 후의 상기 마스킹재의 파단 신도는, 바람직하게는 60% 이하이고, 보다 바람직하게는 55% 이하이다. 이러한 범위이면, 다이싱 시, 절삭 칩의 발생을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 파단 신도가 60%를 초과하는 경우, 다이싱 중에 점착제가 블레이드에 의하여 잡아늘여지므로 수염상의 칩을 발생시키기 쉬워질 우려가 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선이 채용될 수 있다. 파단 신도는 이하의 방법에 의하여 측정된다.
<파단 신도의 측정 방법>
마스킹재에, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사한다. 그 후, 세퍼레이터를 박리하여 폭 10㎜×길이 30㎜의 평가 샘플을 얻는다.
상기 평가 샘플에 대하여, 인장 시험기(ORIENTEC사 제조, 상품명 「RTC-1150A」)를 사용하여 측정 온도 22℃, 척 간 거리 10㎜, 속도 10㎜/min, 측정 폭 10㎜의 조건 하에서 SS 커브를 측정하여, 평가 샘플이 파단된 시점에서의 신장률을 파단 신도로 한다.
본 발명의 마스킹재의 두께는, 바람직하게는 20㎛ 내지 1000㎛이고, 보다 바람직하게는 60㎛ 내지 600㎛이고, 더욱 바람직하게는 100㎛ 내지 300㎛이다. 마스킹재의 두께가 20㎛보다 얇은 경우, 요철을 매립할 수 없어 피착체를 보호하지 못할 우려가 있다. 또한 1000㎛보다 두꺼운 경우, 마스킹재로서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 마스킹재의 두께는, 상기 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이(예를 들어 50㎛ 내지 250㎛)보다도 두껍다. 이와 같이 구성된 마스킹재를 사용하면, 요철면을 갖는 전자 부품을 양호하게 마스킹할 수 있다. 마스킹재의 두께와 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이의 비(마스킹재의 두께/볼록부의 높이)는, 바람직하게는 1.1 내지 1.5이고, 보다 바람직하게는 1.2 내지 1.4이다.
B. 제1 점착제층, 제2 점착제층
제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성(1A)은 20% 이상 50% 미만이고, 보다 바람직하게는 25% 내지 45%이고, 더욱 바람직하게는 27% 내지 42%이다. 강체 흡수성이 낮은 상태는 점착제의 유동성이 높은 상태를 의미하고 있으며, 20% 미만에서는 점착제의 유동성이 지나치게 높아, 접착제가 흘러 버려 점착제로서의 형상을 유지할 수 없게 될 우려가 있다. 반대로 50% 이상의 상태는 점착제의 유동성이 너무 낮은 상태를 의미하고 있으며, 마스킹 시에 요철을 흡수할 수 없게 되어 피착체를 보호할 수 없게 될 우려가 있다. 강체 흡수성이란, 점착제층에 강체를 충돌시켰을 때의 충격 흡수 정도를 나타내는 지표이다. 본 명세서에 있어서는, 점착제층의 강체 흡수성에 의하여 점착제층의 경도 및 유연성이 평가된다. 강체 흡수성의 값이 큰 것은 점착제층이 유연성이 많은 것을 의미한다. 또한 제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성은 이하의 방법에 의하여 측정된다.
<제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성의 측정 방법>
도 2에 도시하는 충격 시험 장치(진자 시험기)를 사용하여, 지지판에만 강구를 충돌시켰을 때의 충격력(F0), 및 고정 지그와 지지판 사이에 마스킹재를 삽입한 상태에서 지지판 상에 강구를 충돌시켰을 때의 충격력(F1)을 측정하고, 식 (1)에 의하여 강체 흡수성을 구한다.
강체 흡수성(%)=(F0-F1)/F0×100 (1)
평가 샘플로서의 마스킹재(100)의 사이즈는, 한 변이 20㎜인 정사각형으로 한다.
충격 시험 장치(400)에 있어서는, 지지 막대(410)(길이: 350㎜)의 선단부에 직경 19㎜, 중량 0.27N(28g)의 강구(420)가 설치되어 있다.
충격력은 이하와 같이 하여 측정된다. 즉, 평가 샘플(100)의 제2 점착제층을 고정 지그(430)(알루미늄제)에 설치하고, 평가 샘플(100)의 제1 점착제층측에 아크릴제의 지지판(440)(미쓰비시 레이온사 제조, 상품명 「아크릴라이트」; 두께: 3㎜)을 접합하고, 해당 아크릴판(440)에 강구(420)를 충돌시키고, 충돌했을 때의 충격력을 압력 센서(450)에서 감지하고, MULTI-Purpose FTT Analyzer(가부시키가이샤 오노 솟키사 제조) 460으로 측정한다.
강구(420)의 충돌은, 지지 막대(410)의 수직 방향에 대한 각도가 20°가 되기까지 들어올려 고정한 후, 고정을 해제함으로써 행한다.
제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성(2A)은 20% 이상 50% 미만이고, 보다 바람직하게는 25% 이상 50% 미만이다. 강체 흡수성이 낮은 상태는 점착제의 유동성이 높은 상태를 의미하고 있으며, 20% 미만에서는 점착제의 유동성이 지나치게 높아, 접착제가 흘러 버려 점착제로서의 형상을 유지할 수 없게 될 우려가 있다. 반대로 50%의 상태는 점착제의 유동성이 지나치게 낮은 상태를 의미하고 있으며, 마스킹 시에 요철을 흡수할 수 없게 되어 피착체를 보호할 수 없게 될 우려가 있다. 또한 제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성은 이하의 방법에 의하여 측정된다.
<제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성의 측정 방법>
제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성은, 평가 샘플(100)의 제1 점착제층을 고정 지그(430)에 설치하고, 평가 샘플(100)의 제2 점착제층측에 아크릴제의 지지판(440)을 접합한 것 이외에는, <제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성의 측정 방법>과 마찬가지로 하여 측정된다.
본 발명에 있어서는, 활성 에너지선 조사 전의 제1 점착제층의 강체 흡수성(1A) 및 제2 점착제층의 강체 흡수성(2A)이 상기 범위임으로써, 피마스킹면의 요철 형상에 추종하기 쉬워 피마스킹면을 양호하게 마스킹할 수 있는 마스킹재를 얻을 수 있다. 활성 에너지선 조사 전의 제1 점착제층의 강체 흡수성(1A) 및 제2 점착제층의 강체 흡수성(2A)이 20% 미만인 것은, 점착제층의 유동성이 지나치게 높은 상태가 되는 것을 의미하며, 이 경우, 점착제층으로서의 형상을 유지할 수 없거나, 끈적임이 격심하여 핸들링성이 나빠진다는 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 또한 50% 이상의 경우, 요철을 매립할 수 없어 피착체를 보호할 수 없게 될 우려가 있다.
상기와 같이, 제1 점착제층 및 제2 점착제층은, 활성 에너지선을 조사함으로써 경화시킬 수 있도록 구성된다. 보다 구체적으로는 제1 점착제층 및 제2 점착제층은, 활성 에너지선을 조사함으로써 강체 흡수성이 작아지도록 구성된다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선이 채용될 수 있다.
상기 활성 에너지선을 조사한 후의 제1 점착제층의 강체 흡수성(1B)은 11% 이상 18% 미만이고, 바람직하게는 12% 내지 16%이다. 이러한 범위이면, 상기 마스킹재에 의하여 전자 부품의 요철면을 마스킹한 후, 해당 전자 부품을 다이싱 공정에 제공했을 때, 절삭 칩의 발생을 방지할 수 있다. 또한 다이싱 공정 후에 있어서는, 마스킹재를 용이하게 박리할 수 있다. 강체 흡수성(1B)이 11% 미만인 것은, 제1 점착제층으로서 경박리된 상태를 의미하며, 이 경우, 다이싱 중에 점착제가 튈 우려가 있다. 강체 흡수성(1B)이 18% 이상인 것은 제1 점착제층이 점착성을 갖는 상태를 의미하며, 이 경우, 박리력이 커져 피착체를 박리하지 못할 우려가 있다. 또한 다이싱 중에 점착제가 블레이드에 의하여 잡아늘여져 버려 수염상의 칩이 될 우려가 있다. 활성 에너지선을 조사한 후의 제1 점착제층의 강체 흡수성은, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사한 후의 마스킹재를, <제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성의 측정 방법>과 마찬가지의 방법에 제공하여 측정된다.
상기 활성 에너지선을 조사한 후의 제2 점착제층의 강체 흡수성(2B)은 10% 이상 15% 미만이고, 바람직하게는 10.5% 내지 14.5%이다. 이러한 범위이면, 상기 마스킹재에 의하여 전자 부품의 요철면을 마스킹한 후, 해당 전자 부품을 다이싱 공정에 제공했을 때, 절삭 칩의 발생을 방지할 수 있다. 또한 다이싱 시, 다이싱 블레이드의 고속 회전에 의한 제1 점착제층의 감겨들기를 방지할 수 있다. 강체 흡수성(2B)이 10% 미만인 것은 제2 점착제층이 단단한 상태인 것을 의미하며, 이 경우, 다이싱 블레이드의 소모가 촉진될 우려가 있다. 강체 흡수성(2B)이 15% 이상인 것은 제2 점착제층이 부드러운 상태인 것을 의미하며, 이 경우, 다이싱 중에 점착제가 블레이드에 의하여 잡아늘여져 버려 수염상의 칩이 될 우려가 있다. 또한 저탄성이기 때문에, 제1 점착제층의 감겨들기를 압박하는 특성이 약해질 우려가 있다. 활성 에너지선을 조사한 후의 제2 점착제층의 강체 흡수성은, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사한 후의 마스킹재를, <제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성의 측정 방법>과 마찬가지의 방법에 제공하여 측정된다.
본 발명에 있어서는, 상기와 같이 제1 점착제층 및 제2 점착제층의 경화 후의 강체 흡수성을 각각 적절한 범위로 함으로써, 다이싱 시의 트러블(절삭 칩 발생, 점착제층의 감겨들기) 방지와 다이싱 공정 후의 박리성을 양립시킬 수 있다.
제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 강체 흡수성(1B)의 제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 강체 흡수성(2B)에 대한 비(1B/2B)는 0.6 이상 1.3 미만이고, 바람직하게는 0.8 내지 1.25이고, 보다 바람직하게는 0.9 내지 1.25이다. 이러한 범위이면, 다이싱 시의 트러블(절삭 칩 발생, 점착제층의 감겨들기) 방지와 다이싱 공정 후의 박리성을 양립시킬 수 있다.
제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 22℃에서의 탄성률은, 바람직하게는 0.8㎫ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.01㎫ 내지 0.5㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.06㎫ 내지 0.3㎫이다. 당해 탄성률이 0.01㎫ 미만인 경우, 제1 점착제층의 유동성이 지나치게 높아져 버려, 점착제가 흐르기 쉬워져 점착제층으로서의 형상을 유지할 수 없게 될 우려가 있다. 또한 0.8㎫보다 큰 경우, 피착체의 요철을 충분히 매립할 수 없어 피착체를 보호하지 못할 우려가 있다. 탄성률은 인장 시험에 의하여 측정된다. 인장 시험에 있어서는, 인장 시험기(ORIENTEC사 제조, 상품명 「RTC-1150A」)를 사용하여 측정 온도 22℃, 척 간 거리 10㎜, 속도 10㎜/min의 조건 하에서 SS 커브를 측정한다. 해당 SS 커브의 상승으로부터 초기 탄성률을 구하고, 이를 점착제층의 탄성률로 한다.
제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 22℃에서의 탄성률은, 바람직하게는 0.8㎫ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.01㎫ 내지 0.5㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.06㎫ 내지 0.1㎫이다. 당해 탄성률이 0.01㎫ 미만인 경우, 제2 점착제층의 유동성이 지나치게 높아져 버려, 점착제가 흐르기 쉬워져 점착제층으로서의 형상을 유지할 수 없게 될 우려가 있다. 또한 0.8㎫보다 큰 경우, 피착체의 요철을 충분히 매립할 수 없어 피착체를 보호하지 못할 우려가 있다.
제1 점착제층의 상기 활성 에너지선 조사 후에 22℃에서의 탄성률은, 바람직하게는 1㎫ 내지 50㎫이고, 보다 바람직하게는 1㎫ 내지 40㎫이고, 더욱 바람직하게는 1㎫ 내지 30㎫이다. 당해 탄성률이 50㎫보다 큰 것은, 제1 점착제층으로서 경박리된 상태를 의미하며, 이 경우, 다이싱 중에 점착제가 튈 우려가 있다. 당해 탄성률이 1㎫ 미만인 경우, 제1 점착제층이 점착성을 갖는 상태를 의미하며, 이 경우, 박리력이 커져 피착체를 박리하지 못할 우려가 있다. 또한 다이싱 중에 점착제가 블레이드에 의하여 잡아늘여져 버려 수염상의 칩이 될 우려가 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선이 채용될 수 있다.
제2 점착제층의 상기 활성 에너지선 조사 후에 22℃에서의 탄성률은, 바람직하게는 3㎫ 내지 100㎫이고, 보다 바람직하게는 5㎫ 내지 80㎫이고, 더욱 바람직하게는 7㎫ 내지 60㎫이다. 당해 탄성률이 100㎫보다 큰 것은 제2 점착제층이 단단한 상태인 것을 의미하며, 이 경우, 다이싱 시에 다이싱 블레이드의 소모가 촉진될 우려가 있다. 또한 당해 탄성률이 3㎫ 미만인 것은 제2 점착제층이 부드러운 상태인 것을 의미하며, 이 경우, 다이싱 중에 점착제가 블레이드에 의하여 잡아늘여져 버려 수염상의 칩이 될 우려가 있다. 또한 저탄성이기 때문에, 제1 점착제층의 감겨들기를 압박하는 특성이 약해질 우려가 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 적산 광량 500mJ/㎠의 자외선이 채용될 수 있다.
제1 점착제층의 상기 활성 에너지선 조사 후에 22℃에서의 탄성률은, 제2 점착제층의 상기 활성 에너지선 조사 후에 22℃에서의 탄성률보다도 작은 것이 바람직하다. (제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 후에 22℃에서의 탄성률/제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 후에 22℃에서의 탄성률)은, 바람직하게는 0.1 이상 1 미만이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.4이다. 일 실시 형태에 있어서는, 제1 점착제층과 제2 점착제층은 활성 에너지선 조사 후의 탄성률의 상이에 의하여 구별된다. 해당 탄성률은, 예를 들어 점착제층을 구성하는 점착제에 포함되는 베이스 중합체의 구조, 분자량, 배합량 등; 점착제에 포함되는 가교제의 종류, 배합량 등에 의하여 제어할 수 있다.
제1 점착제층의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 내지 300㎛이고, 더욱 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다. 제1 점착제층의 두께가 10㎛보다 얇은 경우, 요철을 매립할 수 없어 피착체를 보호하지 못할 우려가 있다. 또한 500㎛보다 두꺼운 경우, 마스킹재로서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다. 제2 점착제층의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 내지 300㎛이고, 더욱 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다. 제2 점착제층의 두께가 10㎛보다 얇은 경우, 요철을 매립할 수 없어 피착체를 보호하지 못할 우려가 있다. 또한 500㎛보다 두꺼운 경우, 마스킹재로서의 핸들링성이 나빠질 우려가 있다.
상기와 같이, 제1 점착제층과 해당 제2 점착제층은 각각 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성된다. 제1 점착제층과 해당 제2 점착제층은 각각 상이한 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성되어 있어도 되고, 동일한 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성되어 있어도 된다. 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제가 상이하다는 것은, 해당 점착제에 포함되는 성분 중 적어도 하나가 상이한 것을 의미한다.
제1 점착제층과 해당 제2 점착제층에 포함될 수 있는 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제는, 베이스 중합체로서의 아크릴계 중합체 및 광중합 개시제를 포함할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 활성 에너지선 경화형 점착제로서, 모제가 되는 아크릴계 중합체와, 해당 아크릴계 중합체와 결합 가능한 활성 에너지선 반응성 화합물(단량체 또는 올리고머)을 포함하는 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제 (Ⅰ)이 사용된다. 다른 실시 형태에 있어서는, 베이스 중합체로서 활성 에너지선 반응성 아크릴계 중합체를 포함하는 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제 (Ⅱ)가 사용된다. 바람직하게는 상기 아크릴계 중합체는, 광중합 개시제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는다. 해당 관능기로서는, 예를 들어 히드록실기, 카르복실기 등을 들 수 있다.
상기 점착제 (Ⅰ)에 사용되는 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, s-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 이소펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 테트라데실(메트)아크릴레이트, 펜타데실(메트)아크릴레이트, 헥사데실(메트)아크릴레이트, 헵타데실(메트)아크릴레이트, 옥타데실(메트)아크릴레이트, 노나데실(메트)아크릴레이트, 에이코실(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트{바람직하게는 C1 내지 C20알킬(메트)아크릴레이트}의 단독 또는 공중합체; 해당 알킬(메트)아크릴레이트와 다른 공중합성 단량체와의 공중합체 등을 들 수 있다. 다른 공중합성 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물기 함유 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 단량체; (메트)아크릴산모르폴린 등의 아미노기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 상기 공중합성 단량체 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 베이스 중합체 100중량부에 대하여 바람직하게는 20중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 15중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1중량부 내지 10중량부이다.
상기 점착제 (Ⅰ)에 사용될 수 있는 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 중합성 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 갖는 광반응성의 단량체 또는 올리고머를 들 수 있다. 해당 광반응성의 단량체의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올과의 에스테르화물; 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트; 에폭시(메트)아크릴레이트; 올리고에스테르(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 메타크릴로이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아나토에틸메타크릴레이트), m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 단량체를 사용해도 된다. 광반응성의 올리고머의 구체예로서는 상기 단량체의 2 내지 5량체 등을 들 수 있다.
또한 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 에폭시화부타디엔, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴아미드, 비닐실록산 등의 단량체; 또는 해당 단량체로부터 구성되는 올리고머를 사용해도 된다.
또한 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 오늄염 등의 유기 염류와, 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물과의 혼합물을 사용해도 된다. 해당 혼합물은, 활성 에너지선(예를 들어 자외선, 전자선)의 조사에 의하여 유기염이 개열하여 이온을 생성하고, 이것이 개시종이 되어 복소환의 개환 반응을 일으켜 3차원 그물눈 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기 염류로서는, 예를 들어 요오도늄염, 포스포늄염, 암모늄염, 술포늄염, 보레이트염 등을 들 수 있다. 상기 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물에 있어서의 복소환으로서는, 옥시란, 옥세탄, 옥솔란, 티이란, 아지리딘 등을 들 수 있다.
상기 점착제 (Ⅰ)에 있어서, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 베이스 중합체 100중량부에 대하여 바람직하게는 0.1중량부 내지 500중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 300중량부이고, 더욱 바람직하게는 4중량부 내지 200중량부이다.
상기 점착제 (Ⅱ)에 포함되는 활성 에너지선 반응성 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 갖는 아크릴계 중합체를 들 수 있다. 활성 에너지선 반응성 관능기를 갖는 중합체의 구체예로서는, 다관능(메트)아크릴레이트로부터 구성되는 중합체 등을 들 수 있다.
상기 점착제 (Ⅱ)는 상기 활성 에너지선 반응성 화합물(단량체 또는 올리고머)을 더 포함하고 있어도 된다.
상기 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 20만 내지 150만이고, 보다 바람직하게는 40만 내지 140만이다. 중량 평균 분자량은 GPC(용매: THF)에 의하여 측정될 수 있다.
상기 점착제는 필요에 따라 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 해당 첨가제로서는, 예를 들어 가교제, 촉매(예를 들어 백금 촉매), 점착 부여제, 가소제, 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 자외선 흡수제, 광 안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제, 용제(예를 들어 톨루엔) 등을 들 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제는 가교제를 더 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제의 함유 비율은, 점착제에 포함되는 베이스 중합체 100중량부에 대하여 바람직하게는 0.1중량부 내지 15중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.2중량부 초과 0.8중량부 미만이다. 가교제의 함유 비율에 의하여 점착제층의 유연성을 제어할 수 있으며, 그 결과, 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 있는 점착 테이프를 얻을 수 있다.
C. 마스킹재의 제조 방법
상기 마스킹재는 임의의 적절한 방법에 의하여 제조될 수 있다. 마스킹재는, 예를 들어 제1 세퍼레이터 상에 제1 점착제층을 형성하고, 제2 세퍼레이터 상에 제2 점착제층을 형성한 후, 해당 제1 점착제층과 제2 점착제층을 접합함으로써 제조될 수 있다. 점착제층을 형성할 때의 점착제 도공 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비아 도공, 그라비아 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 또한 실시예에 있어서, 특별히 명기하지 않는 한 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.
[제조예 1] 아크릴계 중합체 A의 제조
아크릴산-2-히드록실에틸 30부와, 아크릴산 메틸 70부와, 아크릴산 10부를 중합 과산화벤조일 0.2부와, 아세트산에틸을 혼합하여, 고형분이 40%인 단량체 조성물을 조제하였다.
해당 단량체 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 진공 시일, 교반 막대, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고 교반하면서 상온에서 6시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서 60℃ 하에서 7시간 유지하여 중합하여, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
[제조예 2] 아크릴계 중합체 B의 제조
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에 아크릴산2-에틸헥실 86.4부, 아크릴산-2-히드록시에틸 13.6부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 하여 아크릴계 중합체 b를 얻었다. 아크릴산-2-히드록시에틸은 20㏖%로 하였다. 이 아크릴계 중합체 b에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 14.6부(아크릴산-2-히드록시에틸에 대하여 80㏖%)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하여 아크릴계 중합체 B를 얻었다.
[제조예 3] 아크릴계 중합체 C의 제조
아크릴산부틸 371부와 아크릴산-2-히드록실에틸 27부와 중합 개시제(2,2'-아조비스-이소부티로니트릴) 0.8부와 메틸에틸케톤 315부를 혼합하여 단량체 조성물을 조제하였다.
해당 단량체 조성물을, 1L 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크에 세퍼러블 커버, 분액 깔때기, 온도계, 질소 도입관, 리비히 냉각기, 진공 시일, 교반 막대, 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치에 투입하고 교반하면서 상온에서 6시간, 질소 치환하였다. 그 후, 질소를 유입 하, 교반하면서 65℃ 하에서 6시간 유지하여 중합하여, 수지 용액을 얻었다.
얻어진 수지 용액을 실온까지 냉각하였다. 그 후, 해당 수지 용액에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트(쇼와 덴코사 제조, 상품명 「카렌즈 MOI」) 18부를 첨가하였다. 또한 디라우르산디부틸주석 Ⅳ(와코 준야쿠 고교사 제조) 0.11부를 첨가하고, 공기 분위기 하, 50℃에서 24시간 교반하였다. 그 후, 중합 금지제(시바 저팬사 제조의 상품명 「이르가녹스 1010」) 0.42부를 첨가하여 자외선 경화형 아크릴 중합체 C를 얻었다.
[제조예 4] 점착제 (1) 내지 (15)의 조제
상기 아크릴계 중합체, 가교제(닛폰 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 L」), 개시제(시바 저팬사 제조, 상품명 「이르가큐어 651」), 계면 활성제(다이이치 고교 세이야쿠사 제조, 상품명 「에판 710」), 경화 보조제(활성 에너지선 반응성 화합물) 및 점착 부여제(야스하라 케미컬사 제조, 상품명 「YS 폴리스터 G125」)를, 표 1에 나타내는 배합으로 혼합하여 점착제 (1) 내지 (15)를 얻었다. 또한 표 중의 경화 보조제 「M321」은 도아 고세이사 제조의 상품명 「아로닉스 M-321」 (다관능 아크릴레이트)이고, 경화 보조제 「DPHA」는 닛폰 가야쿠사 제조의 상품명 「KAYARAD DPHA」(디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트)이다.
Figure pat00001
[실시예 1]
세퍼레이터로서의 PET 필름의 실리콘 처리면에 상기 점착제 (8)을 도포하고, 그 후, 도포층을 150℃에서 5분간 가열하여 건조시켜 두께 100㎛의 제1 점착제층을 형성하였다.
세퍼레이터로서의 PET 필름의 실리콘 처리면에 상기 점착제 (2)를 도포하고, 그 후, 도포층을 150℃에서 5분간 가열하여 건조시켜 두께 100㎛의 제2 점착제층을 형성하였다.
이어서, 상기 제1 점착제층과 제2 점착제층을 접합한 후, 50℃에서 2일간 에이징하여 마스킹재를 얻었다.
[실시예 2 내지 6, 비교예 1 내지 6]
제1 점착제층 및 제2 점착제층을, 표 2에 나타내는 점착제로 구성한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 마스킹재를 얻었다.
Figure pat00002
<평가>
실시예 및 비교예에서 얻어진 마스킹재를 이하의 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 강체 흡수성
도 2에 도시하는 충격 시험 장치(진자 시험기)를 사용하여, 지지판에만 강구를 충돌시켰을 때의 충격력(F0), 및 고정 지그와 지지판 사이에 마스킹재를 삽입한 상태에서 지지판 상에 강구를 충돌시켰을 때의 충격력(F1)을 측정하고, 식 (1)에 의하여 강체 흡수성을 구하였다.
강체 흡수성(%)=(F0-F1)/F0×100 (1)
평가 샘플로서의 마스킹재(100)의 사이즈는, 한 변이 20㎜인 정사각형으로 하였다.
충격 시험 장치(400)에 있어서는, 지지 막대(410)(길이: 350㎜)의 선단부에 직경 19㎜, 중량 0.27N(28g)의 강구(420)가 설치되어 있다.
<자외선 조사 전의 제1 점착제층의 강체 흡수성>
제1 점착제층(자외선 조사 전)의 강체 흡수성을 평가할 때, 충격력은 이하와 같이 하여 측정하였다. 즉, 평가 샘플(100)의 제2 점착제층을 고정 지그(430)(알루미늄제)에 설치하고, 평가 샘플(100)의 제1 점착제층측에 아크릴제의 지지판(440)(미쓰비시 레이온사 제조, 상품명 「아크릴라이트」; 두께: 3㎜)을 접합하고, 해당 아크릴판(440)에 강구(420)를 충돌시키고, 충돌했을 때의 충격력을 압력 센서(450)에서 감지하고, MULTI-Purpose FTT Analyzer(가부시키가이샤 오노 솟키사 제조) 460으로 측정하였다.
강구(420)의 충돌은, 지지 막대(410)의 수직 방향에 대한 각도가 20°가 되기까지 들어올려 고정한 후, 고정을 해제함으로써 행하였다.
<자외선 조사 전의 제2 점착제층의 강체 흡수성>
평가 샘플(100)의 제1 점착제층을 고정 지그(430)에 설치하고, 평가 샘플(100)의 제2 점착제층측에 아크릴제의 지지판(440)을 접합한 것 이외에는, 「자외선 조사 전의 제1 점착제층의 강체 흡수성」의 평가와 마찬가지로 하여 충격력을 측정하였다.
<자외선 조사 후의 제1 점착제층 및 제2 점착제층의 강체 흡수성>
자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사한 후의 마스킹재에 대하여, 상기와 마찬가지의 방법으로 제1 점착제층(자외선 조사 후) 및 제2 점착제층(자외선 조사 후)의 강체 흡수성을 평가하였다.
(2) 파단 신도
실시예 및 비교예에서 얻어진, 세퍼레이터를 갖는 마스킹재에, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사하였다. 그 후, 세퍼레이터를 박리하여 폭 10㎜×길이 30㎜의 평가 샘플을 얻었다.
상기 평가 샘플에 대하여, 인장 시험기(ORIENTEC사 제조, 상품명 「RTC-1150A」)를 사용하여 측정 온도 22℃, 척 간 거리 10㎜, 속도 10㎜/min, 측정 폭 10㎜의 조건 하에서 SS 커브를 측정하여, 평가 샘플이 파단된 시점에서의 신장률을 파단 신도로 하였다.
(3) 탄성률
자외선 조사 전의 제1 점착제층 및 제2 점착제층, 그리고 자외선(500mJ/㎠) 조사 후의 제1 점착제층 및 제2 점착제층에 대하여, 인장 시험에 의하여 탄성률을 측정하였다. 인장 시험에 있어서는, 인장 시험기(ORIENTEC사 제조, 상품명 「RTC-1150A」)를 사용하여 측정 온도 22℃, 척 간 거리 10㎜, 속도 10㎜/min의 조건 하에서 SS 커브를 측정하였다. 해당 SS 커브의 상승으로부터 초기 탄성률을 구하고, 이를 점착제층의 탄성률로 하였다.
(4) 점착력
실시예 및 비교예에서 얻어진, 세퍼레이터를 갖는 마스킹재(폭 20㎜×길이 50㎜)로부터, 제1 점착제층을 보호하는 세퍼레이터를 박리하고, 제1 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접합하였다(접합 조건: 2㎏ 롤러 1왕복). 이어서, 제2 점착제층측으로부터, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사하였다. 그 후, 제2 점착제층을 보호하는 세퍼레이터를 박리하고, 제2 점착제층에 지지체(닛토 덴코사 제조, 상품명 「BT-315」)를 접합하였다.
이어서, 제1 점착제층의 Si 미러 웨이퍼에 대한 점착력을 JIS Z 0237(2000)에 준한 방법으로 측정하였다. 구체적으로는, 인장 시험기(텐실론, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여 25℃, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도: 90°의 조건에서 당해 점착력을 측정하였다.
(5) 매립성
실시예 및 비교예에서 얻어진, 세퍼레이터를 갖는 마스킹재(폭 20㎜×길이 50㎜)로부터, 제1 점착제층을 보호하는 세퍼레이터를 박리하고, 제1 점착제층을, 높이 120㎛의 범프를 갖는 8인치 웨이퍼에 접합하였다(접합 조건: 핸드 롤러를 사용하여 0.5㎏의 압력으로 50㎜/sec, 1왕복). 이어서, 제2 점착제층측으로부터, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사하였다.
그 후, 마스킹재의 범프에 대한 추종성을 광학 현미경(50배)으로 관찰하였다. 범프에 양호하게 추종하여 보이드가 발생하고 있지 않은 경우를 합격(표 중 ○), 단차에 대한 추종성이 나빠 보이드가 발생한 경우를 불합격(표 중 ×)으로 하였다.
(6) 다이싱성
실시예 및 비교예에서 얻어진 마스킹재의 제1 점착제층을 보호하는 세퍼레이터를 박리한 후, 제1 점착제층을, 높이 120㎛의 범프를 갖는 Si 미러 웨이퍼의 편면 전체면에 접합하여, 마스킹재를 갖는 웨이퍼를 얻었다. 그 후, 마스킹재에, 자외선 조사 장치(닛토 세이미쓰 기카이사 제조, 상품명 「UM-810」)를 사용하여 자외선(파장: 355㎚, 적산 광량 500mJ/㎠)을 조사하였다. 이어서, 마스킹재를 갖는 웨이퍼의 웨이퍼측을 다이싱용 점착 시트(닛토 덴코사 제조, 상품명 「NBD-7163K」)에 접착하였다.
이어서, 제2 점착제층을 보호하는 세퍼레이터를 박리한 후, 마스킹재를 갖는 웨이퍼의 마스킹재측으로부터 이하의 조건에서 다이싱을 행하고, 하기 기준으로 다이싱성을 평가하였다.
<다이싱 조건>
다이서: DISCO사 제조의 DFD-6450
블레이드: DISCO사 제조의 P1A861 SDC320N75BR597
블레이드 회전수: 40000rpm
다이싱 속도: 100㎜/초
다이싱 사이즈: 2.5㎜×2.5㎜
커트 모드: 다운 커트
다이싱용 점착 시트 절입: 85㎛
수량: 1L/min
<평가 기준>
다이싱 시, 웨이퍼로부터의 마스킹재의 박리가 없고, 또한 절삭 칩이 발생하지 않은 경우를 합격(표 중 ○)으로 하였다.
다이싱 시, 웨이퍼로부터 마스킹재가 박리된 경우, 및/또는 절삭 칩이 발생한 경우를 불합격(표 중 ×)으로 하였다.
(7) 박리성
상기 평가 (6)의 다이싱 후, 마스킹재의 노출면(즉, 제2 점착제층)에 점착 테이프(닛토 덴코사 제조, 상품명 「BT-315」)를 접합하였다{부착 장치(다이쇼 라미네이터사 제조)의 고무제 라미네이트 롤러를 사용하고 속도 0.6m/min, 롤러 온도 25℃, 하중 0.5㎫}.
이어서, 텐실론형 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼사 제조, 상품명 「AGS-J」)를 사용하여 박리 속도 300㎜/min, T 박리법으로 상기 점착 테이프의 박리를 시도함으로써, 마스킹재의 박리성을 평가하였다.
마스킹재가 점착 테이프와 함께 박리된 경우를 합격(표 중 ○)으로 하였다. 점착 테이프만이 박리되고 마스킹재가 반도체 웨이퍼에 남은 경우를 불합격(표 중 ×)으로 하였다.
표 1로부터 밝혀진 바와 같이, 본 발명의 마스킹재를 사용하면, 절삭 칩의 발생을 방지하면서 양호하게 다이싱을 행할 수 있고, 또한 다이싱 공정 후에는 해당 마스킹재를 용이하게 박리할 수 있다.
한편, 제2 점착제층의 자외선 조사 후의 강체 흡수성이 15% 이상인 비교예 1은, 다이싱 시에 절삭 칩의 발생이 확인되었다.
제1 점착제층의 자외선 조사 후의 강체 흡수성이 11% 미만인 비교예 2는 박리성이 나빴다. 이는, 제1 점착제층이 변형되기 어려워, 범프끼리의 간극으로부터 점착제층이 빠져 나오기 어렵기 때문이라고 생각된다. 또한 제1 점착제의 자외선 조사 후의 강체 흡수성이 18% 이상인 경우(비교예 6)에도 박리성이 나빴다(중박리).
제1 점착제층 및 제2 점착제층의 자외선 조사 후의 강체 흡수성이 지나치게 작은 경우(비교예 3)에 있어서는, 다이싱 시에 마스킹재의 박리가 확인되었다.
제1 점착제층 및 제2 점착제층의 자외선 조사 전의 강체 흡수성이 20% 미만인 경우(비교예 5), 볼록부(범프)에 대한 추종성이 나빠 충분한 매립성이 얻어지지 않았다. 또한 매립성이 나쁜 비교예 5에 대해서는, 다이싱성 및 박리성의 평가는 행하지 않았다.
제1 점착제층 및 제2 점착제층의 자외선 조사 전의 강체 흡수성이 50% 이상인 경우, 점착제층의 유동성이 높아 실용에 제공할 수 없었다(상기 평가하지 않음).
본 발명의 마스킹재는, 다이싱 공정에 제공되는 전자 부품의 마스킹에 적합하게 사용될 수 있다.
10: 제1 점착제층
20: 제2 점착제층
100: 마스킹재

Claims (5)

  1. 볼록부가 형성된 면을 갖고, 해당 면이 마스킹된 전자 부품을, 다이싱 공정에 제공할 때 사용되는 마스킹재이며,
    활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능한 제1 점착제층과,
    해당 제1 점착제층의 편측에 배치되는, 활성 에너지선의 조사에 의하여 경화 가능한 제2 점착제층을 구비하고,
    해당 제1 점착제층과 해당 제2 점착제층이 각각 활성 에너지선 경화형 아크릴계 점착제로부터 구성되고,
    해당 제1 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성(1A)이 20% 이상 50% 미만이고,
    해당 제2 점착제층의 활성 에너지선 조사 전의 강체 흡수성(2A)이 20% 이상 50% 미만이고,
    활성 에너지선을 조사한 후의 제1 점착제층의 강체 흡수성(1B)이 11% 이상 18% 미만이고,
    활성 에너지선을 조사한 후의 제2 점착제층의 강체 흡수성(2B)이 10% 이상 15% 미만이고,
    해당 강체 흡수성(1B)의 강체 흡수성(2B)에 대한 비(1B/2B)가 0.6 이상 1.3 미만인
    마스킹재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 점착제층을, 상기 전자 부품의 볼록부가 형성된 면에 접착하여 사용되는, 마스킹재.
  3. 제1항에 있어서, 마스킹재의 두께가, 상기 전자 부품이 갖는 볼록부의 높이보다도 두꺼운, 마스킹재.
  4. 제1항에 있어서, 마스킹재의 제1 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착하고 활성 에너지선을 조사한 후의 점착력이 0.04N/20㎜ 이상 2.0N/20㎜ 미만인, 마스킹재.
  5. 제1항에 있어서, 활성 에너지선을 조사한 후의 파단 신도가 60% 이하인, 마스킹재.
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