KR20180063254A - 최적화된 cmos 아날로그 스위치 - Google Patents

최적화된 cmos 아날로그 스위치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180063254A
KR20180063254A KR1020187012630A KR20187012630A KR20180063254A KR 20180063254 A KR20180063254 A KR 20180063254A KR 1020187012630 A KR1020187012630 A KR 1020187012630A KR 20187012630 A KR20187012630 A KR 20187012630A KR 20180063254 A KR20180063254 A KR 20180063254A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
volts
nmos transistor
analog switch
terminal
Prior art date
Application number
KR1020187012630A
Other languages
English (en)
Inventor
이삭 코
카 와이 호
완 팀 찬
Original Assignee
마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드 filed Critical 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
Priority claimed from PCT/US2016/051712 external-priority patent/WO2017062142A1/en
Publication of KR20180063254A publication Critical patent/KR20180063254A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H03K17/6874—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor in a symmetrical configuration
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
    • A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/46—Ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic devices with special arrangements for interfacing with the operator or the patient
    • A61B8/467—Ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic devices with special arrangements for interfacing with the operator or the patient characterised by special input means
    • A61B8/469—Ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic devices with special arrangements for interfacing with the operator or the patient characterised by special input means for selection of a region of interest
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/48—Diagnostic techniques
    • A61B8/485—Diagnostic techniques involving measuring strain or elastic properties
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/54—Control of the diagnostic device
    • A61B8/546—Control of the diagnostic device involving monitoring or regulation of device temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0054—Gating switches, e.g. pass gates

Abstract

초음파 탄성영상 프로브에서 사용하기 위한 개선된 아날로그 스위치가 개시된다. 개선된 아날로그 스위치는 종래 기술의 아날로그 스위치들에 비해 더 적은 열 방산을 초래한다.

Description

최적화된 CMOS 아날로그 스위치
우선권 주장
본 출원은 2015년 10월 8일자로 출원되고 발명의 명칭이 "An Optimized CMOS Analog Switch"(북경관화)인 중국 특허 출원 제201510644537.6호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 출원은 본 명세서에 참고로 포함된다.
기술분야
초음파 탄성영상(elastography) 디바이스에서 사용하기 위한 개선된 아날로그 스위치가 개시된다. 개선된 아날로그 스위치는 종래 기술의 아날로그 스위치들에 비해 더 적은 열 방산을 초래한다.
초음파 이미징 시스템들에서의 최근 개발들은 전단파 탄성영상의 사용을 포함한다. 도 1은 종래 기술의 초음파 탄성영상 디바이스(100)를 도시하는데, 이는 트랜스듀서(105)를 포함한다. 트랜스듀서(105)는 음향 방사력(acoustic radiation force)을 이용하여, 전단파(140)를 생성하는 "푸시" 펄스(150)를 연조직(110) 내로 도입시킨다. 연조직(110)은 강직 병변(stiff lesion)(120)(이는 종양 또는 다른 의학적 이상일 수 있음)을 포함하는데, 이 강직 병변은 관심 영역(130)을 포함하거나 또는 그 근처에 있다. 조직의 강직도는 생성된 전단파가 조직을 얼마나 빨리 통과하는지에 기초하여 산출된다. 검출 펄스들(160)이 통과 중인 전단파(140)와 상호작용하는 경우, 통과 중인 전단파(140)는 특정 시간에 파의 위치를 드러내어, 전단파(140)의 속도의 계산을 허용한다. 이러한 수치 값은 관심 영역 내에서의 조직의 강직도와 관련된다. 전단파들(140)을 추적하기 위해 고급 초고속 이미징 기법을 이용함으로써 그리고 많은 거의 동시적인 푸시 펄스들(150)을 사용함으로써, 시스템은 매초마다 조직의 강직도(영률(Young's modulus))의 2차원 정량 맵(quantitative map)을 생성할 수 있다.
도 2는 종래 기술의 초음파 탄성영상 디바이스(100)의 소정의 전기적 태양들을 도시한다. 초음파 탄성영상 디바이스(100)는, 증폭기(210) 및 다이오드 쌍(211)을 포함하는 예시적인 고전압 송신 경로, 및 저항기들(252, 253) 및 다이오드 브리지(251)를 포함하는 고전압 분리 회로(254)에 커플링된 증폭기(250)를 포함하는 예시적인 저전압 수신 경로를 포함한다. 초음파 탄성영상 디바이스(100)는 프로브 선택 중계기들(221, 222, 223, 224), 및 프로브들(231, 232, 233, 234)을 추가로 포함한다. 프로브(231)는 멀티플렉서(270)에 접속된 것으로 도시되어 있는데, 이 멀티플렉서는 아날로그 스위치들(241, 243, 245, 247)을 포함하고, 이러한 스위치들은 트랜스듀서들(242, 244, 246, 248)에 각각 접속된다. 구조들의 동일한 구성(멀티플레서(270) 및 트랜스듀서들(242, 244, 246, 248))이 마찬가지로 프로브들(232, 233, 234)에 사용된다는 것이 이해될 것이다. 도 1에서의 트랜스듀서(105)는 트랜스듀서들(242, 244, 246, 248)을 대표한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 음향 푸시 펄스(150)의 진동 주파수는 50 내지 500㎐ 범위 내에 있다. 전단파(140)의 속도를 측정하기 위해, 각각의 검출 펄스(170)가 300ms 동안 지속될 수 있다. 전단파(140)를 검출하기 위해, 디바이스(100) 내의 아날로그 스위치들(241, 243, 245, 247)은 고전압 트랜스듀서들(242, 244, 246, 248)(트랜스듀서(105)로 대표됨)을 약 300ms 동안 구동시킬 필요가 있다.
종래 기술의 아날로그 스위치들(241, 243, 245, 247) 각각은 회로들을 손상시킬 수 있는 과도한 열 방산을 회피시키기 위해 병렬로 동작하는 2개의 고전압 스위치들이 있어야 한다. 그러나 병렬로 접속된 2개의 스위치들은, 또한, 기생 용량을 2배로 만들고 이미지 품질에 영향을 미친다.
사실상, 멀티플렉서(270) 내의 모든 종래 기술의 아날로그 스위치들(241, 243, 245, 247)은 도 3에 도시된 T-스위치(300)를 활용한다. 초음파 이미징 애플리케이션들에서, T-스위치(300)의 사용은 15pF 미만의 기생 용량 및 60dB 초과의 오프-분리(off-isolation)의 경우에 온-저항을 대략 16 옴으로 제한한다.
도 3은 고전압 멀티플렉서(270) 내의 아날로그 스위치들(241, 243, 245, 247)에 사용되는 종래의 T-스위치(300) 구조의 개략도를 도시한다. T-스위치(300)는 NMOS 트랜지스터(320)와 직렬인 NMOS 트랜지스터(310)를 포함하고, 여기에 션트(shunting) NMOS 트랜지스터(330)를 가져서 60dB의 오프-분리를 달성하게 한다. NMOS 트랜지스터들(310, 320, 330) 각각은 과도한 열을 생성하는 온-저항을 희생하여 포지티브 및 네거티브의 높은 게이트 전압 스윙들 둘 모두를 허용하는 두꺼운 게이트 산화물 층을 포함한다. 두꺼운 게이트 산화물 층은, 전형적으로, 5000 내지 10000 옹스트롬의 범위에 있다.
디바이스들의 고전압 능력은 온-저항/기생 용량 트레이드-오프(trade-off)을 더 악화시킨다. 가변 소스 전압을 초과하는 고정된 게이트 바이어스는 포지티브 신호에 대한 온-저항이 네거티브 신호에 대한 온-저항보다 훨씬 더 커지게 하고, 2차 고조파 왜곡을 도입한다.
도 4는 예시적인 NMOS 트랜지스터(400)를 도시하는데, 이는 NMOS 트랜지스터들(310, 320, 330)을 대표한다. N MOS 트랜지스터(400)는 실제로는 NMOS 트랜지스터(410) 및 다이오드(420)를 포함하는데, 이 다이오드는 NMOS 트랜지스터(410)의 드레인과 몸체 사이의 접합으로 인한 것이다. 드레인 및 게이트 양측 모두는 최대 200 V까지 동작하는 것이 가능하다.
NMOS 트랜지스터(400)의 드레인/몸체 다이오드 구조는, 고전압 디바이스가 턴오프되어 있는 경우에도 그것을 본질적으로 정류기가 되게 한다. 그 결과, NMOS 트랜지스터(410)의 몸체는 바로 도 4에 도시된 바와 같이, 오프 상태에서 가장 네거티브 전압, 예컨대 -100 V(VNN)까지 풀다운될 필요가 있다. 션트 NMOS 트랜지스터(330)는 -100V로 종단된다. 제2 직렬 디바이스, 예컨대 NMOS 트랜지스터(320)는 트랜스듀서를 -100V 종단으로부터 분리시킨다. 이러한 디바이스는, 트랜스듀서가 - 100V로 종단될 수 있는 경우에는 필요하지 않지만, 그것은, 일반적으로는, 압전 트랜스듀서들에 대한 경우는 아니다.
압전 디바이스들은 높은 전기장이 가해지는 경우에 비선형적 거동을 보인다. 이러한 강한 비선형 재료 거동은 서브입자 레벨에서의 국부화된 분극 스위칭(즉, 분극 방향의 변화)에 의해 유도된다. 일단 압전 재료가 비선형 모드에서 동작하고 있다면, 재료는 이미 손상되었을 가능성이 있다. 따라서, 고전압을 갖는 압전 트랜스듀서를 종단시키는 것은 압전 재료에 대해 파괴적이다. 이러한 거동은 도 5에서의 그래프들(500, 510)에 도시되어 있다. 그래프들(500, 510)은 전기장의 변화에 대한 압전 재료의 분극의 변화를 보여준다.
출원인에 의해 이전에 발명된 개선된 T-스위치가 도 6에 도시되어 있다. T-스위치(600)는 도시된 바와 같이, 버터플라이 트랜지스터 쌍(635)(NMOS 트랜지스터들(630, 640)을 포함함) 및 션트 버터플라이 트랜지스터 쌍(655)(NMOS 트랜지스터들(650, 660)을 포함함)과 직렬인 버터플라이 트랜지스터 쌍(615)(NMOS 트랜지스터들(610, 620)을 포함함)을 포함한다. NMOS 트랜지스터들(610, 620, 630, 640, 650, 660) 각각은 얇은 게이트 산화물 층을 포함한다. 얇은 게이트 산화물 층은, 전형적으로, 100 내지 200 옹스트롬의 범위에 있다. T-스위치(600)는 보다 낮은 게이트 전압을 사용하고, T-스위치(300)보다 더 높은 트랜스컨덕턴스를 갖는다. 버터플라이 트랜지스터 쌍들(615, 635)은 함께, 온-저항/커패시턴스 비가 단일의 200V 드레인, 200V 게이트 트랜지스터와 비슷하다. 그러나 T-스위치(600)는 실질적인 열 방산을 경험한다.
종래 기술의 T-스위치들(300, 600)보다 더 적은 열 방산을 가져오는 개선된 아날로그 스위치가 필요하다.
바람직한 실시예는 온-저항을 4 내지 8옴으로 감소시키는 고전압 CMOS 스위치 회로 토폴로지인데, 이는 종래 기술에 비해 기생 용량을 증가시키지 않으면서 2 내지 4배만큼의 개선이다. 회로 토폴로지는 구현하기가 수월하고, 예를 들어 ±100V의 아날로그 신호들을 다룰 수 있는 4:1 초음파 멀티플렉서(예컨대, 멀티플렉서(270))를 구성하는 데 적합하다. 이러한 회로에 대한 파워 서플라이들은 ±6V이고, 제어 입력들은 0 및 +5V의 전압 레벨들인데, 이들은 표준 CMOS 회로들과 호환 가능하다. 회로는, 초음파 탄성영상 프로브들에 대한 고전압 트랜스듀서들을 구동하는 데 특히 유용하다.
도 1은 종래 기술의 초음파 탄성영상 프로브를 도시한다.
도 2는 종래 기술의 초음파 탄성영상 프로브의 전기적 태양들을 도시한다.
도 3은 종래 기술의 아날로그 T-스위치를 도시한다.
도 4는 도 3의 종래 기술의 아날로그 T-스위치에 사용된 트랜지스터들의 구조를 도시한다.
도 5는 종래 기술의 압전 트랜스듀서들의 소정의 물리적 특성들을 도시한다.
도 6은 다른 종래 기술의 아날로그 T-스위치를 도시한다.
도 7은 개선된 아날로그 스위치의 일 실시예를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 아날로그 스위치(700)는 직렬 버터플라이 트랜지스터 쌍들 중 하나가 제거된 T-스위치(600)의 수정된 버전이다. 아날로그 스위치(700)는 버터플라이 트랜지스터 쌍(705)(NMOS 트랜지스터들(710, 720)을 포함함), 및 션트 기능을 수행하는 션트 버터플라이 트랜지스터 쌍(725)(NMOS 트랜지스터들(730, 740)을 포함함)을 포함한다. NMOS 트랜지스터들(710, 720, 730, 740) 각각은 얇은 게이트 산화물 층을 포함한다. 얇은 게이트 산화물 층은, 전형적으로, 100 내지 200 옹스트롬의 범위에 있다. 이러한 구성에서, 버터플라이 트랜지스터 쌍(705)은 고전압원을 트랜시버에 접속시키기 위한 전도 수단인 것으로 간주될 수 있고, 션트 버터플라이 트랜지스터 쌍(725)은 전류를 전도 수단의 단자로부터 접지로 션트시키기 위한 션트 수단인 것으로 간주될 수 있다.
아날로그 스위치(700)의 온-저항은 종래 기술의 T-스위치(600)의 온-저항의 대략 절반이고, 아날로그 스위치(700)의 기생 용량도 또한 종래 기술의 T-스위치(600)의 기생 용량에 비해 크게 감소된다.
아날로그 스위치(700)의 토폴로지는 종래 기술의 T-스위치(300)의 압전 재료 비선형성 문제들에 영향을 받지 않는데, 이는 버터플라이 트랜지스터 쌍(725)이 종래 기술의 T-스위치(300)에서와 같은 -100V가 아니라, 접지에 대해 종단을 허용하기 때문이다.
종래 기술의 T-스위치들(300, 600)에 비교되는 하기의 개선점들은 아날로그 스위치(700)로 달성된다:
(1) 대략 ±6V의 파워 서플라이만을 사용하면서 ±100V 초과의 전압들을 전달할 수 있음.
(2) 표준 5V CMOS 회로들과 호환 가능한 입력들.
(3) > 3A의 피크 아날로그 신호 전류들을 갖는, 200V 피크-투-피크에 달하는 아날로그 신호 용량.
(4) 8옴 미만의 신호 독립적 온-저항.
(5) 10pF으로 감소되는 기생 용량.
(6) 비-선택된 트랜스듀서가 종단됨에 따른 오프-분리 문제가 없음.
결론적으로, 100V의 얇은 게이트 산화물 NMOS 트랜지스터들을 사용하는 고전압 아날로그 스위치(700)가 제안된다. 그것은 하나의 직렬 디바이스를 제거하고 비선택된 트랜스듀서를 접지에 직접적으로 션트시킴으로써 종래 기술의 T-스위치(600)로부터 수정된다. 이러한 토폴로지를 사용한 회로들은 초음파 이미징, 전단파 탄성영상, 및 심지어 고출력 초음파 송신이 필요한 고강도 집속 초음파에서 광범위한 잠재적 애플리케이션을 갖는다. 예를 들어, 아날로그 스위치(700)는 4:1 초음파 멀티플렉서, 예컨대 초음파 탄성영상 디바이스(100) 내의 멀티플렉서(270)에서의 사용에 적합하다.
본 발명이 첨부 도면을 참조하여 그의 실시예들과 관련하여 충분히 설명되었지만, 다양한 변화들 및 수정들이 당업자에게 자명해질 것임이 주목되어야 한다. 그러한 변화들 및 수정들은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 이해될 것이다.

Claims (12)

  1. 아날로그 스위치로서,
    제2 얇은 게이트 산화물 NMOS 트랜지스터와 직렬인 제1 얇은 게이트 산화물 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제1 버터플라이 회로 - 상기 제1 버터플라이 회로는 제1 단자 및 제2 단자를 포함하고, 상기 제2 단자는 고전압원에 커플링됨 -; 및
    제4 얇은 게이트 산화물 NMOS 트랜지스터와 직렬인 제3 얇은 게이트 산화물 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제2 버터플라이 회로 - 상기 제2 버터플라이 회로는 상기 제2 단자에 커플링되는 제3 단자, 및 접지에 커플링되는 제4 단자를 포함함 - 를 포함하는, 아날로그 스위치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스위치의 온-저항은 8옴 미만인, 아날로그 스위치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 스위치의 기생 용량은 10피코패럿 미만인, 아날로그 스위치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 고전압원은 200볼트 초과의 피크-투-피크 진폭을 포함하는, 아날로그 스위치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 버터플라이 회로는 -6볼트 내지 +6볼트 범위 내의 파워 서플라이 전압들을 필요로 하는, 아날로그 스위치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 버터플라이 회로는 -6볼트 내지 +6볼트 범위 내의 파워 서플라이 전압들을 필요로 하는, 아날로그 스위치.
  7. 아날로그 스위치로서,
    고전압원을 트랜시버에 접속시키기 위한 전도 수단; 및
    전류를 상기 전도 수단의 단자로부터 접지로 션트시키기 위한 션트 수단을 포함하는, 아날로그 스위치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 스위치의 온-저항은 8옴 미만인, 아날로그 스위치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 스위치의 기생 용량은 10피코패럿 미만인, 아날로그 스위치.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 고전압원은 200볼트 초과의 피크-투-피크 진폭을 포함하는, 아날로그 스위치.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 전도 수단은 -6볼트 내지 +6볼트 범위 내의 파워 서플라이 전압들을 필요로 하는, 아날로그 스위치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 션트 수단은 -6볼트 내지 +6볼트 범위 내의 파워 서플라이 전압들을 필요로 하는, 아날로그 스위치.
KR1020187012630A 2015-10-08 2016-09-14 최적화된 cmos 아날로그 스위치 KR20180063254A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510644537.6 2015-10-08
CN201510644537.6A CN106571798A (zh) 2015-10-08 2015-10-08 优化的cmos模拟开关
PCT/US2016/051712 WO2017062142A1 (en) 2015-10-08 2016-09-14 An optimized cmos analog switch
US15/265,341 2016-09-14
US15/265,341 US10171072B2 (en) 2015-10-08 2016-09-14 Optimized CMOS analog switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180063254A true KR20180063254A (ko) 2018-06-11

Family

ID=58500125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187012630A KR20180063254A (ko) 2015-10-08 2016-09-14 최적화된 cmos 아날로그 스위치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10171072B2 (ko)
EP (1) EP3360252B1 (ko)
JP (1) JP2018535592A (ko)
KR (1) KR20180063254A (ko)
CN (1) CN106571798A (ko)
TW (1) TWI622269B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9778348B1 (en) * 2016-03-31 2017-10-03 Butterfly Network, Inc. Symmetric receiver switch for bipolar pulser
US10210946B2 (en) * 2016-07-08 2019-02-19 Analog Devices, Inc. Electronic switch exhibiting low off-state leakage current
US10141926B2 (en) * 2016-07-19 2018-11-27 Ciena Corporation Ultra-low power cross-point electronic switch apparatus and method
US10511297B2 (en) * 2017-07-25 2019-12-17 Psemi Corporation High-speed switch with accelerated switching time
GB2579678B (en) 2018-12-11 2021-10-06 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Switch arrangements
US10855258B1 (en) * 2019-08-16 2020-12-01 Cirrus Logic, Inc. Voltage control
WO2021055721A1 (en) 2019-09-19 2021-03-25 Butterfly Network, Inc. Symmetric receiver switch for ultrasound devices
CN111431514B (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 深圳市鼎阳科技股份有限公司 一种宽带缓冲模拟开关电路和集成电路
US11133836B1 (en) * 2020-07-16 2021-09-28 Nxp Usa, Inc. High isolation radio frequency switch

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4595847A (en) * 1983-10-20 1986-06-17 Telmos, Inc. Bi-directional high voltage analog switch having source to source connected field effect transistors
US5012123A (en) 1989-03-29 1991-04-30 Hittite Microwave, Inc. High-power rf switching system
JP2770846B2 (ja) * 1995-06-16 1998-07-02 日本電気株式会社 Ｆｅｔスイッチ回路
US6804502B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US6836159B2 (en) * 2003-03-06 2004-12-28 General Electric Company Integrated high-voltage switching circuit for ultrasound transducer array
JP4754193B2 (ja) * 2003-09-08 2011-08-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 超音波トランスデューサ・アレイの高電圧スイッチングのための方法及び装置
US7756486B1 (en) 2005-11-16 2010-07-13 Marvell International Ltd. Transmitter and receiver impedance control using shunt switches
US8368451B2 (en) * 2010-03-31 2013-02-05 Auriga Measurement Systems, LLC High power radio frequency (RF) switch
US8547159B2 (en) 2011-05-13 2013-10-01 Fairchild Semiconductor Corporation Constant Vgs analog switch
US20140049312A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Richwave Technology Corp. Rf switch with complementary switching devices
US9620424B2 (en) 2013-11-12 2017-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Linearity performance for radio-frequency switches
US9654094B2 (en) * 2014-03-12 2017-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor switch circuit and semiconductor substrate
JP6563180B2 (ja) * 2014-08-07 2019-08-21 エイブリック株式会社 半導体集積回路装置
US9401659B2 (en) * 2014-11-12 2016-07-26 Monolithic Power Systems, Inc. High voltage analog switch
CN105811946B (zh) * 2014-12-31 2019-01-15 微芯片科技公司 在不利用高电压电源情况下传输高电压信号的模拟开关

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018535592A (ja) 2018-11-29
CN106571798A (zh) 2017-04-19
US10171072B2 (en) 2019-01-01
TWI622269B (zh) 2018-04-21
EP3360252B1 (en) 2020-10-28
US20170104481A1 (en) 2017-04-13
EP3360252A4 (en) 2019-05-15
TW201724748A (zh) 2017-07-01
EP3360252A1 (en) 2018-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180063254A (ko) 최적화된 cmos 아날로그 스위치
TWI721146B (zh) 多位準雙極脈衝器
TWI729108B (zh) 超音波裝置、用於超音波裝置的設備以及操作超音波裝置之方法
CN108498115B (zh) 电子电路、相应的超声设备及方法
EP3389187B1 (en) High voltage driving electronic circuit arrangement, corresponding apparatus and method
US8810302B2 (en) Low voltage isolation switch, in particular for a transmission channel for ultrasound applications
US20100321089A1 (en) Complementary high voltage switched current source integrated circuit
US8665001B2 (en) Low voltage isolation switch, in particular for a transmission channel for ultrasound applications
JP2004531929A (ja) ダイナミック双方向性高電圧アナログスイッチを制御するための回路及び方法並びにそのような回路を備えた超音波試験装置
US8947150B2 (en) High-voltage multi-level shifter for ultrasound applications and transmit/receive channel for ultrasound applications using said level shifter
KR100416686B1 (ko) 의료용 초음파 진단 시스템에 사용되는 집적된 고전압펄스 발생 회로
CN114556140A (zh) 用于超声设备的对称接收器开关
WO2017062142A1 (en) An optimized cmos analog switch

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right