KR20180048358A - 다이싱 다이본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 다이본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20180048358A
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겐지 오니시
나오히데 다카모토
유이치로 시시도
유타 기무라
아키히로 후쿠이
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 개시는, 다이싱 링에 대한 밀착 기능을 갖고, 흡습 리플로우 신뢰성이 우수한 접착제층을 갖는 다이싱 다이본딩 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시는, 다이싱 다이본딩 테이프에 관한 것이다. 다이싱 다이본딩 테이프는, 커버 필름과, 접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함한다. 접착제층은, 커버 필름 및 기재층의 사이에 위치한다. 접착제층은, 제1층 및 제2층을 포함하고, 제1층의 양면은, 커버 필름과 접한 제1 주면, 및 제2층과 접한 제2 주면으로 정의된다. 제1층은 제1 필러를 포함하는 경우가 있고, 이 경우, 제1층에 있어서의 제1 필러의 양은, 단면적 해석으로 10％ 이하이다. 제2층은 제2 필러를 포함하고, 제2층에 있어서의 제2 필러의 양은, 단면적 해석으로 20％ 이상이다.

Description

다이싱 다이본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 {DICING DIE BONDING TAPE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 다이싱 다이본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하고, 반도체 웨이퍼를 파단하여, 개개의 반도체 칩을 얻는 방법(이하 「스텔스 다이싱(등록 상표)」이라고 하는 경우가 있음)이나, 반도체 웨이퍼의 표면(앞면)에 홈을 형성한 후에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행함으로써, 개개의 반도체 칩을 형성하는 방법(이하, 「DBG(Dicing Before Grinding)법」이라고 함)이 있다.
스텔스 다이싱이나 DBG법에서는, 그 과정에서 다이싱 다이본딩 테이프가 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이본딩 테이프에는, 기재층과 점착제층과 접착제층과 커버 필름을 포함하는 경우가 있다. 이 타입에서는 점착제층에 다이싱 링을 고정할 수 있다. 한편, 기재층과 접착제층과 커버 필름을 포함하는 다이싱 다이본딩 테이프도 있다. 이 타입에서는 접착제층에 다이싱 링을 고정하는 경우가 있다. 후자의 다이싱 다이본딩 테이프는, 전자의 다이싱 다이본딩 테이프에 비하여 저렴하게 제조할 수 있다.
일본 특허 공개 제2014-185285호 공보 일본 특허 공개 제2004-281561호 공보 일본 특허 공개 제2011-181684호 공보
본 개시는, 다이싱 링에 대한 밀착 기능을 갖고, 흡습 리플로우 신뢰성이 우수한 접착제층을 갖는 다이싱 다이본딩 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시는 다이싱 다이본딩 테이프에 관한 것이다. 다이싱 다이본딩 테이프는, 커버 필름과, 접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함한다. 접착제층은, 커버 필름 및 기재층의 사이에 위치한다. 접착제층은, 제1층 및 제2층을 포함하고, 제1층의 양면은, 커버 필름과 접한 제1 주면 및 제2층과 접한 제2 주면으로 정의된다. 제1층은 제1 필러를 포함하는 경우가 있고, 이 경우, 제1층에 있어서의 제1 필러의 양은, 단면적 해석으로 10％ 이하이다. 제2층은 제2 필러를 포함하며, 제2층에 있어서의 제2 필러의 양은, 단면적 해석으로 20％ 이상이다.
본 개시에 있어서의 다이싱 다이본딩 테이프의 접착제층은, 다이싱 링에 대한 밀착 기능을 갖고, 흡습 리플로우 신뢰성이 우수하다. 다이싱 링 밀착 기능을 제1층이 접착제층에 부여하고, 흡습 리플로우 신뢰성을 제2층이 접착제층에 부여하기 때문이다. 제1층에 있어서의 제1 필러의 양이, 단면적 해석으로 10％ 이하이므로, 제1층은 다이싱 링 밀착력이 우수하다. 한편, 제2층에 있어서의 제2 필러의 양은, 단면적 해석으로 20％ 이상이므로, 제2층은 흡습 리플로우 신뢰성이 우수하다.
제1층의 두께를 T1로 하고, 제2층의 두께를 T2로 하였을 때, T1의 T2에 대한 비가 0.025 내지 1.0이고, T1이 3㎛ 이하인 것이 흡습 리플로우 신뢰성의 관점에서 바람직하다.
접착제층은, 기재층과 접한 제3층을 더 포함할 수 있다. 제3층은 제3 필러를 포함할 수 있고, 제3층에 있어서의 제3 필러의 양은, 단면적 해석으로 10％ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 기재층과의 박리력 제어가 가능하게 되고, 또한 피착체에 대한 접착성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
본 개시는, 다이싱 다이본딩 테이프로부터 커버 필름을 제거하고, 필름의 제1층에 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과, 필름에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층을 갖는 반도체 칩을 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은, 실시 형태 1에 있어서의 다이싱 다이본딩 테이프의 개략 평면도이다.
도 2는, 실시 형태 1에 있어서의 다이싱 다이본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 3은, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 사시도이다.
도 4는, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 5는, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 8은, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 9는, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 10은, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 11은, 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
이하에 실시 형태를 들어 본 개시를 상세하게 설명하지만, 본 개시는 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
실시 형태 1
도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이본딩 테이프(1)는, 커버 필름(11)과 다이싱 다이본딩 필름(12a, 12b, 12c, …, 12m)(이하, 「다이싱 다이본딩 필름(12)」이라고 총칭함)을 포함한다. 다이싱 다이본딩 테이프(1)는 롤상을 이룰 수 있다. 커버 필름(11)은 테이프상을 이룬다. 커버 필름(11)은, 예를 들어 박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등이다. 다이싱 다이본딩 필름(12)은 커버 필름(11) 상에 위치하고 있다. 다이싱 다이본딩 필름(12a)과 다이싱 다이본딩 필름(12b) 사이의 거리, 다이싱 다이본딩 필름(12b)과 다이싱 다이본딩 필름(12c) 사이의 거리, … 다이싱 다이본딩 필름(12l)과 다이싱 다이본딩 필름(12m) 사이의 거리는 일정하다. 다이싱 다이본딩 필름(12)은 원반상을 이룬다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이본딩 필름(12)은 기재층(122)을 포함한다. 기재층(122)은 원반상을 이룬다. 기재층(122)의 두께는, 예를 들어 50㎛ 이상, 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 기재층(122)의 두께는, 예를 들어 200㎛ 이하, 바람직하게는 170㎛ 이하이다. 기재층(122)의 양면은, 접착제층(121)과 접한 제1 주면과, 제2 주면으로 정의된다. 웨이퍼 고정 영역(12A)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면은 전처리되어 있지 않다. 전처리는 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 하도제의 도포, 박리 처리, 엠보싱, 자외선 처리, 가열 처리 등이다. 박리 처리를 위한 박리제는, 예를 들어 실리콘계 박리제, 불소계 박리제를 들 수 있다. 다이싱 링 고정 영역(12B)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리되어 있다
기재층(122)은, 예를 들어 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아릴레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름(EVA 필름), 아이오노머 수지 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름 및 폴리카르보네이트 필름 등의 플라스틱 필름 등으로부터 선택하는 것이 가능하다. 기재층(122)은, 어느 정도의 신축성을 갖는 것이 바람직하기 때문에, 바람직하게는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름이다.
다이싱 다이본딩 필름(12)은 접착제층(121)을 포함한다. 접착제층(121)은 원반상을 이룬다. 접착제층(121)의 두께는, 예를 들어 2㎛ 이상, 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 접착제층(121)의 두께는, 예를 들어 200㎛ 이하, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 접착제층(121)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의된다. 접착제층(121)의 제1 주면은 커버 필름(11)과 접해 있다. 접착제층(121)의 제2 주면은 기재층(122)과 접해 있다.
접착제층(121)은 제1층(1211)을 포함한다. 제1층(1211)의 양면은, 커버 필름(11)과 접한 제1 주면과, 제2층(1212)과 접한 제2 주면으로 정의된다. 제1층(1211)의 두께 T1은, 바람직하게는 3㎛ 이하이다. T1의 하한은, 예를 들어 0.1㎛, 바람직하게는 0.5㎛이다.
제1층(1211)은 필러를 포함하는 경우가 있고, 포함하지 않는 경우도 있다. 필러로서, 예를 들어 무기 충전제를 들 수 있다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납, 카본 등을 들 수 있다. 그 중에서도 실리카가 보다 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 바람직하게는 0.001㎛ 내지 1㎛이다. 필러의 평균 입경은, 단면적 해석으로 구할 수 있다.
제1층(1211)에 있어서의 필러의 양은, 바람직하게는 단면적 해석으로 10％ 이하, 보다 바람직하게는 7％ 이하, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다.
제1층(1211)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 수지 성분으로서는 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지를 들 수 있다.
아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 혹은 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 중 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도, 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 수치 범위 내라면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔ㆍ투과ㆍ크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.
아크릴 수지는 관능기를 포함하는 것이 바람직하다. 관능기는, 예를 들어 히드록실기, 카르복시기, 니트릴기 등이다. 히드록실기, 카르복시기가 바람직하다.
수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 10중량％ 이상이면, 가요성이 양호하다. 수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루온렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 120g/eq. 이상이다. 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 1000g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 500g/eq. 이하이다.
또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.
페놀 수지는 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 150g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 200g/eq. 이상이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 500g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 300g/eq. 이하이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1 당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0 당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2 당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
수지 성분 100중량％ 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 20중량％ 이상, 보다 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 90중량％ 이하, 보다 바람직하게는 80중량％ 이하이다.
제1층(1211)은, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 실란 커플링제, 경화 촉진제, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
접착제층(121)은 제2층(1212)을 더 포함한다. 제2층(1212)의 양면은, 제1층(1211)과 접한 제1 주면과, 제3층(1213)과 접한 제2 주면으로 정의된다. 제2층(1212)의 두께 T2는, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 7㎛ 이상이다. T2의 상한은, 예를 들어 200㎛, 바람직하게는 150㎛이다.
제2층(1212)은 필러를 포함한다. 필러에 대해서는 제1층(1211)의 설명을 원용한다. 제2층(1212)에 있어서의 필러의 양은, 바람직하게는 단면적 해석으로 20％ 이상, 보다 바람직하게는 30％ 이상이다. 제2층(1212)에 있어서의 필러량의 상한은, 예를 들어 단면적 해석으로 65％, 바람직하게는 60％이다.
제2층(1212)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 수지 성분으로서는 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 수지 성분에 대해서는 제1층(1211)의 설명을 원용한다.
제2층(1212)은, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 실란 커플링제, 경화 촉진제, 가교제 등을 더 함유해도 된다.
접착제층(121)은 제3층(1213)을 더 포함한다. 제3층(1213)의 양면은, 제2층(1212)과 접한 제1 주면과, 기재층(122)과 접한 제2 주면으로 정의된다. 제3층(1213)의 두께 T3은, 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상이다. T3의 상한은, 예를 들어 25㎛, 바람직하게는 20㎛이다.
제3층(1213)은 필러를 포함하는 경우가 있고, 포함하지 않는 경우도 있다. 필러에 대해서는 제1층(1211)의 설명을 원용한다. 제3층(1213)에 있어서의 필러의 양은, 바람직하게는 단면적 해석으로 10％ 이하, 보다 바람직하게는 7％ 이하, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 제3층(1213)에 있어서의 필러량의 하한은, 예를 들어 단면적 해석으로 0％, 10％를 예시할 수 있다.
제3층(1213)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 수지 성분으로서는 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 수지 성분에 대해서는 제1층(1211)의 설명을 원용한다.
제3층(1213)은, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 실란 커플링제, 경화 촉진제, 가교제 등을 더 함유해도 된다.
T1의 T2에 대한 비(T1/T2)는, 바람직하게는 0.025 내지 1.0이다.
다이싱 다이본딩 필름(12)의 작성 방법은, 예를 들어 기재층(122)의 다이싱 링 고정 영역(12B)에 코로나 방전 처리하는 공정과, 기재층(122) 상에 접착제층(121)을 형성하는 공정을 포함한다. 코로나 처리는, 플라스틱 필름, 종이, 금속박 등의 기재 표면을 코로나 방전 조사에 의해 개질하는 표면 처리 기술이다. 금속 전극의 사이에 유전체를 삽입하고, 고주파 고전압을 인가하면, 전극 사이에 스트리머 코로나라고 불리는, 필라멘트상의 플라스마가 시간적, 공간적으로 랜덤하게 형성된다. 고에너지의 전자는, 대향 전극측을 통과하는 고분자 필름의 표면층에 도달하여, 고분자 결합의 주쇄나 측쇄를 분리한다. 절단된 고분자 표층은 라디칼의 상태로 되고, 기상 중의 산소 라디칼이나 오존층이 주쇄나 측쇄와 재결합함으로써, 수산기, 카르보닐기 등의 극성 관능기가 도입된다. 기재 표면에 친수성이 부여되기 때문에, 소수성 고분자에 대한 밀착성(습윤성)이 향상되고, 접착력이 높아진다. 도입된 관능기와 접착제층(121)이 화학적으로 결합하면, 접착력이 더 높아진다. 코로나 방전 처리 후에 있어서의 기재층(122)의 표면 에너지는, 예를 들어 30다인/㎝ 이상, 바람직하게는 35다인/㎝ 이상이다.
코로나 처리를 부분적으로 행하기 위한 주된 방법으로서, 2개의 방법을 들 수 있다. 첫 번째는, 기재층(122)의 일부를, 코로나 처리되지 않도록 마스크(차폐물)로 보호하는 방법이다. 기재층(122)과 방전 전극의 사이에 마스크를 배치함으로써, 기재층(122)의 일부를 마스크로 차폐한다. 마스크는, 예를 들어 비도전 재료를 포함한다. 마스크를 복수 갖는 롤상의 물체, 마스크를 복수 갖는 긴 형상의 비접착성 필름, 마스크를 복수 갖는 약점착의 테이프는, 반복 사용할 수 있다. 두 번째는, 방전 전극과 요철을 갖는 유전체 롤의 사이에 기재층(122)을 통과시키는 방법이다. 이 방법에서는 볼록부만을 개질할 수 있다. 유전체 롤은, 예를 들어 금속심과, 금속심에 둘러 감겨진 유전체층을 포함한다. 유전체층이 요철을 갖는다. 오목부와 전극의 거리는, 바람직하게는 2mm 이상이다. 유전체층은, 예를 들어 절연성과 도전성과 코로나 방전 내성을 가질 수 있다. 유전체층은, 예를 들어 염소계 고무, PET 고무, 실리콘 고무, 세라믹 등을 포함한다. 두 번째 방법은, 첫 번째 방법보다 간단하다. 그러나, 두 번째 방법은, 코로나 처리부와 미처리부의 경계가 첫 번째 방법보다 애매하게 되는 경향이 있다.
다이싱 다이본딩 테이프(1)는, 반도체 장치를 제조하기 위해 사용할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)의 내부에 집광점을 맞추어, 격자상의 분할 예정 라인(4L)을 따라 레이저광(100)을 조사하고, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)에 개질 영역(41)을 형성하고, 반도체 웨이퍼(4)를 얻는다. 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
레이저광(100)의 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정할 수 있다.
(A) 레이저광(100)
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz 이하
펄스 폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 조사 전 반도체 웨이퍼가 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하
도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)는 개질 영역(41)을 포함한다. 개질 영역(41)은, 그 밖의 영역과 비교하여 취약하다. 반도체 웨이퍼(4)는, 반도체 칩(5A, 5B, 5C, …, 5F)을 더 포함한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이본딩 테이프(1)로부터 커버 필름(11)을 제거하고, 다이싱 링(31)과 가열 테이블로 따뜻하게 된 반도체 웨이퍼(4)를 롤로 다이싱 다이본딩 필름(12)에 고정한다. 반도체 웨이퍼(4)는, 웨이퍼 고정 영역(12A)에 고정된다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정은, 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 45℃ 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 55℃ 이상에서 행한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정은, 예를 들어 100℃ 이하, 바람직하게는 90℃ 이하에서 행한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정 압력은, 예를 들어 1×105Pa 내지 1×107Pa이다. 롤 속도는, 예를 들어 10mm/sec이다. 다이싱 링(31)은, 다이싱 링 고정 영역(12B)에 고정된다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이본딩 필름(12)의 하방에 위치하는 밀어 올림 수단(33)으로 다이싱 다이본딩 필름(12)을 밀어 올리고, 다이싱 다이본딩 필름(12)을 확장한다. 확장의 온도는, 바람직하게는 10℃ 이하, 보다 바람직하게는 0℃ 이하이다. 온도의 하한은 예를 들어 -20℃이다.
다이싱 다이본딩 필름(12)의 확장에 의해, 개질 영역(41)을 기점으로 반도체 웨이퍼(4)가 분단됨과 함께, 접착제층(121)도 분단된다. 이 결과, 분단 후 접착제층(121A)을 갖는 반도체 칩(5A)이 기재층(122) 상에 형성된다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 밀어 올림 수단(33)을 하강시킨다. 이 결과, 다이싱 다이본딩 필름(12)에 느슨해짐이 발생한다. 느슨해짐은, 웨이퍼 고정 영역(12A)의 주변에 발생한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이본딩 필름(12)의 하방에 위치하는 흡착 테이블(32)로 다이싱 다이본딩 필름(12)을 밀어 올려 확장하고, 확장을 유지하면서 흡착 테이블(32)에 다이싱 다이본딩 필름(12)을 흡인 고정한다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 흡착 테이블(32)에 다이싱 다이본딩 필름(12)을 흡인 고정한 채, 흡착 테이블(32)을 하강시킨다.
흡착 테이블(32)에 다이싱 다이본딩 필름(12)을 흡인 고정한 채, 다이싱 다이본딩 필름(12)의 느슨해짐에 열풍을 쐬여, 느슨해짐을 제거한다. 열풍의 온도는, 바람직하게는 170℃ 이상, 보다 바람직하게는 180℃ 이상이다. 열풍 온도의 상한은, 예를 들어 240℃, 바람직하게는 220℃이다.
분단 후 접착제층(121A)을 갖는 반도체 칩(5A)을 기재층(122)으로부터 박리한다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 분단 후 접착제층(121A)을 갖는 반도체 칩(5A)을 피착체(6)에 압착한다. 압착은, 예를 들어 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상에서 압착을 행한다. 예를 들어 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하에서 행한다. 피착체(6)는, 예를 들어 리드 프레임, 인터포저, TAB 필름, 반도체 칩 등이다. 피착체(6)는 단자부를 갖는다.
반도체 칩(5A)을 갖는 피착체(6)를 가압 분위기 하에서 가열함으로써 분단 후 접착제층(121)을 경화시킨다. 가압 분위기는, 예를 들어 0.5kg/㎠(4.9×10-2MPa) 이상, 바람직하게는 1kg/㎠(9.8×10-2MPa) 이상, 보다 바람직하게는 5kg/㎠(4.9×10-1MPa) 이상이다. 예를 들어 120℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상에서 가열을 행한다. 상한은, 예를 들어 260℃, 200℃, 180℃ 등이다.
도 11에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(5A)의 전극 패드와 피착체(6)의 단자부를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하고, 밀봉 수지(8)로 반도체 칩(5A)을 밀봉한다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 반도체 칩(5A)과 피착체(6)와 다이싱 후 접착제층(121)을 포함한다. 다이싱 후 접착제층(121)은, 반도체 칩(5A)과 피착체(6)를 접착하고 있다. 반도체 장치는, 반도체 칩(5A)을 덮는 밀봉 수지(8)를 더 포함한다.
이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 다이본딩 테이프(1)로부터 커버 필름(11)을 제거하고, 다이싱 다이본딩 필름(12)의 제1층(1211)에 반도체 웨이퍼(4)를 고정하는 공정과, 다이싱 다이본딩 필름(12)에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층(121A)을 갖는 반도체 칩(5A)을 형성하는 공정을 포함한다.
변형예 1
다이싱 링 고정 영역(12B)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면에는, 코로나 방전 처리 후에, 하도제가 칠해져 있다.
변형예 2
웨이퍼 고정 영역(12A)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리되어 있다.
변형예 3
웨이퍼 고정 영역(12A)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면에는, 코로나 방전 처리 후에, 하도제가 칠해져 있다.
변형예 4
기재층(122)의 제1 주면은, 코로나 방전 처리 후에, 하도제를 칠한 면이다.
변형예 5
웨이퍼 고정 영역(12A)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면은 엠보싱 가공되어 있다.
변형예 6
다이싱 링 고정 영역(12B)에 있어서, 기재층(122)의 제1 주면은 엠보싱 가공되어 있다.
변형예 7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보싱 가공된 면이다.
변형예 8
변형예 8에서는, 다이싱 다이본딩 테이프(1)를 DBG법에 사용한다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 표면(앞면)에 홈이 형성된 반도체 웨이퍼를 백 그라인드 필름에 고정하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 공정과, 다이싱 다이본딩 테이프(1)로부터 커버 필름(11)을 제거하고, 다이싱 다이본딩 필름(12)의 접착제층(121)에 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과, 다이싱 다이본딩 필름(12)에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층을 갖는 반도체 칩을 형성하는 공정을 포함한다.
이들 변형예는, 다른 변형예와 조합할 수 있다.
<실시예>
이하, 본 개시에 관하여 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 개시는 그 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1에 있어서의 다이싱 다이본딩 필름의 제작
(제1층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 1㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
(제2층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스제): 45부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 40㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
(제3층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 10부, 에폭시 수지(상품명 「JER1010」 미츠비시 가가쿠사제): 20부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 1㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
이들 3층을 핸드 롤러로 접합하여, 실시예 1의 다이싱 다이본딩 필름을 제작하였다. 실시예 1의 다이싱 다이본딩 필름은, 제1층과, 제3층과, 이들 사이에 끼워진 제2층을 갖는다.
실시예 2에 있어서의 다이싱 다이본딩 필름의 제작
(제1층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스제): 20부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 3㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
(제2층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스제): 120부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 3㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
(제3층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 10부, 에폭시 수지(상품명 「JER1010」 미츠비시 가가쿠사제): 20부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 3㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
이들 3층을 핸드 롤러로 접합하여, 실시예 2의 다이싱 다이본딩 필름을 제작하였다. 실시예 2의 다이싱 다이본딩 필름은, 제1층과, 제3층과, 이들 사이에 끼워진 제2층을 갖는다.
실시예 3에 있어서의 다이싱 다이본딩 필름의 제작
(제1층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 1㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
(제2층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스제): 45부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 9㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
이들 2층을 핸드 롤러로 접합하여, 실시예 3의 다이싱 다이본딩 필름을 제작하였다.
비교예 1에 있어서의 다이싱 다이본딩 필름의 제작
(제2층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스제): 120부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 10㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
비교예 2에 있어서의 다이싱 다이본딩 필름의 제작
(제1층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 4㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
(제2층 열경화형 다이본드 필름의 제작)
아크릴 수지(상품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제): 100부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미츠비시 가가쿠사제): 30부, 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제): 50부, 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스제): 20부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 20중량％가 되는 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 두께(평균 두께) 5㎛의 열경화형 다이본드 필름을 제작하였다.
이들 2층을 핸드 롤러로 접합하여, 비교예 2의 다이싱 다이본딩 필름을 제작하였다.
필러 함유량의 측정
다이싱 다이본딩 필름을 수지(Struers사제, EpoFix kit)로 포매하고, 포매 후의 다이싱 다이본딩 필름을 기계 연마하여, 다이싱 다이본딩 필름의 단면을 노출시켰다. 단면에, CP 장치(크로스 섹션 폴리셔, 니혼 덴시 가부시키가이샤제, SM-09010)로 이온 밀링 가공을 행하였다. 그 후, 도전 처리를 실시하고, FE-SEM 관찰을 행하였다. FE-SEM에서는, 가속 전압 1kV 내지 5kV에서 행하여, 반사 전자상을 관찰하였다. 도입한 화상을 화상 해석 소프트웨어 Image-J를 사용하여 2치화 처리하고, 필러 입자를 식별하고, 화상의 필러 입자 면적으로부터 하기 식으로, 각 층의 필러 함유량을 산출하였다.
필러 함유량(％)=필러 입자 면적/층 단면적
SUS에 대한 박리력
SUS판(SUS304, 400㎛) 표면의 오염물을 제거하기 위해, 톨루엔을 배어들게 한 와이퍼(아사히 가세이사제의 벰코트(등록 상표) TR-7F)로 닦고, 메탄올을 배어들게 한 와이퍼로 닦고, 와이퍼 벰코트로 마른 걸레질을 하였다. 다이싱 다이본딩 필름의 웨이퍼 고정 영역으로부터, 폭 10mm×길이 60mm의 시험편을 잘라냈다. 기포가 들어가지 않도록, 시험편을 SUS판에 2kg 롤러로 부착하였다. 박리 각도 180도, 박리 속도 300mm/min에서 박리 시험을 행하였다. 박리 시험에서 접착제층과 기재 필름의 박리가 발생하였을 때에는, 기재 필름을 제거하고, 접착제층에 덧댐 테이프(닛토 덴코사제의 BT-315)를 실온에서 부착하여, 이 결과물로 박리 시험을 행하였다. 박리력의 평균값을 표 1에 나타낸다.
다이싱 링 박리
레이저 가공 장치로서 가부시키가이샤 도쿄 세미츠제, ML300-Integration을 사용하여, 12인치의 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추고, 격자상(10mm×10mm)의 분할 예정 라인을 따라 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하였다. 레이저광 조사 조건을 다음에 나타낸다.
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz
펄스 폭 30ns
출력 20μJ/펄스
레이저광 품질 TEM00 40
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 50배
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 60％
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 100mm/초
조사 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 표면(앞면)에 백 그라인드용 보호 테이프를 맞추어 붙이고, 디스코사제 백 그라인더 DGP8760을 사용하여 반도체 웨이퍼의 두께가 30㎛가 되도록 이면을 연삭하였다. 연삭 후 반도체 웨이퍼와 다이싱 링을 다이싱 다이본딩 필름에 고정하였다. 백 그라인드용 보호 테이프를 연삭 후 웨이퍼로부터 박리하고, 쿨 익스팬더(DISCO사제의 DDS3200)를 사용하여, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 200mm/초, 익스팬드량 12mm에서 연삭한 후 웨이퍼를 분단하였다. 그 후, 히트 익스팬더 유닛으로, 익스팬드량 10mm, 히트 온도 250℃, 풍량 40L/min, 히트 거리 20mm, 로테이션 속도 3°/sec의 조건에서 다이싱 다이본딩 필름을 열수축시켰다. 각 예에 있어서 이 작업을 10회 행하였다. 다이싱 링 고정에서부터 다이싱 다이본딩 필름의 열수축 처리까지의 과정에서, 다이싱 다이본딩 필름이 다이싱 링으로부터 박리된 적이 있는 예를 ×로 하고, 다이싱 다이본딩 필름이 다이싱 링으로부터 박리된 적이 한 번도 없는 예를 ○로 하였다.
흡습 리플로우성
각 실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이본딩 필름을 한 변이 9.5mm인 정사각형의 미러 칩에 60℃에서 부착하고, 다이싱 다이본딩 필름을 갖는 미러 칩을 온도 120℃, 압력 0.1MPa, 시간 1초의 조건에서 BGA 기판에 본딩하였다. 이어서, 건조기로 150℃에서 1시간의 열처리를 실시하였다. 이어서, 몰드 머신(TOWA 프레스사제, 매뉴얼 프레스 Y-1)을 사용하여, 성형 온도 175℃, 클램프 압력 184kN, 트랜스퍼 압력 5kN, 시간 120초의 조건 하에서 밀봉 공정을 행하였다. 이어서, 175℃에서 5시간 열경화를 행하였다. 그 후, 온도 30℃, 습도 60％ RH, 시간 72시간의 조건에서 흡습 조작을 행하였다. 이어서, 260℃ 이상의 온도를 10초간 유지하도록 온도 설정한 IR 리플로우로에 샘플을 통과시켰다. 9개의 미러 칩에 대하여, 다이싱 다이본딩 필름과 BGA 기판의 계면에 박리가 발생하였는지 여부를 초음파 현미경으로 관찰하여, 9개의 패키지 중 하나라도 박리가 발생한 경우는 ×로 하고, 모두 박리가 없는 경우를 ○로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001

Claims (4)

  1. 커버 필름과,
    접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함하고,
    상기 접착제층은, 상기 커버 필름 및 상기 기재층의 사이에 위치하고,
    상기 접착제층은, 제1층 및 제2층을 포함하고,
    상기 제1층의 양면은, 상기 커버 필름과 접한 제1 주면, 및 상기 제2층과 접한 제2 주면으로 정의되고,
    상기 제1층은 제1 필러를 포함하는 경우가 있고, 이 경우, 상기 제1층에 있어서의 상기 제1 필러의 양은, 단면적 해석으로 10％ 이하이고,
    상기 제2층은 제2 필러를 포함하고,
    상기 제2층에 있어서의 상기 제2 필러의 양은, 단면적 해석으로 20％ 이상인, 다이싱 다이본딩 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1층의 두께를 T1로 하고, 상기 제2층의 두께를 T2로 하였을 때, T1의 T2에 대한 비가 0.025 내지 1.0이고, T1이 3㎛ 이하인, 다이싱 다이본딩 테이프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착제층은, 상기 기재층과 접한 제3층을 더 포함하고,
    상기 제3층은 제3 필러를 포함하고,
    상기 제3층에 있어서의 상기 제3 필러의 양은, 단면적 해석으로 10％ 이하인, 다이싱 다이본딩 테이프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 다이본딩 테이프로부터 상기 커버 필름을 제거하고, 상기 필름의 상기 제1층에 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과,
    상기 필름에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층을 갖는 반도체 칩을 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4067308B2 (ja) * 2002-01-15 2008-03-26 リンテック株式会社 ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4736379B2 (ja) * 2004-09-07 2011-07-27 日立化成工業株式会社 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2008153279A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Mitsui Chemicals Inc ダイシング兼ダイボンディング用フィルム及び半導体チップの製造方法
JP2009164556A (ja) * 2007-12-11 2009-07-23 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP5484792B2 (ja) * 2009-05-29 2014-05-07 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着シート及び半導体装置
JP5174092B2 (ja) * 2009-08-31 2013-04-03 日東電工株式会社 ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法
JPWO2014103328A1 (ja) * 2012-12-27 2017-01-12 日東電工株式会社 熱伝導性粘着シートの製造方法及び熱伝導性粘着シート
JP6105316B2 (ja) * 2013-02-19 2017-03-29 京セラ株式会社 電子装置
CN105339168B (zh) * 2013-03-28 2018-05-29 琳得科株式会社 保护膜形成用复合片、带有保护膜的芯片、以及带有保护膜的芯片的制造方法

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