KR20180045497A - 약액의 온도 제어 방법 - Google Patents
약액의 온도 제어 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180045497A KR20180045497A KR1020160139920A KR20160139920A KR20180045497A KR 20180045497 A KR20180045497 A KR 20180045497A KR 1020160139920 A KR1020160139920 A KR 1020160139920A KR 20160139920 A KR20160139920 A KR 20160139920A KR 20180045497 A KR20180045497 A KR 20180045497A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- chemical liquid
- changed
- change
- controller
- Prior art date
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 230
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 178
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 28
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
약액의 온도 제어 방법은 약액의 온도 변화를 확인하는 단계; 상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계; 상기 변화시킨 약액의 온도를 확인하는 단계; 및 상기 변화시킨 약액의 온도를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 비정상으로 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 약액의 온도 제어 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 약액의 온도를 확인하고 조정하는 온도 컨트롤러와 상기 약액을 사용하는 공정을 제어하는 공정 모듈 컨트롤러를 사용하는 약액의 온도 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에서는 다양한 종류의 약액을 사용한다. 여기서, 상기 약액의 온도는 집적회로 소자의 제조에서 중요한 관리 요소이다. 이에, 상기 약액의 온도는 상기 약액의 온도를 확인하고 조정하는 온도 컨트롤러 및 상기 온도 컨트롤러와 연동할 수 있는 공정 모듈 컨트롤러(process module controller : PMC)를 사용하여 관리하고 있다.
그리고 상기 약액은 공정에 사용된 이후 회수하는 과정에서 펌프의 발열 등과 같은 요인 등에 의해 온도가 변화할 수도 있다. 이에, 언급한 요인 등에 의해 변화가 있어야 할 상기 약액의 온도가 설정 시간을 넘어서도 변화가 없을 경우에는 알람을 제공하고 공정을 비정상으로 처리하는 제어가 이루어질 수 있다.
그러나 상기 공정을 비정상으로 처리하는 것에 대한 부담으로 인하여 상기 설정 시간을 연장하는 경우가 있고, 이로 인해 공정 리스크가 가중되는 상황이 발생한다.
본 발명의 일 목적은 약액의 온도를 보다 안정적으로 관리하기 위한 약액의 온도 제어 방법을 제공하는데 있다.
언급한 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법은 약액의 온도 변화를 확인하는 단계; 상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계; 상기 변화시킨 약액의 온도를 확인하는 단계; 및 상기 변화시킨 약액의 온도를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 비정상으로 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서, 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계는, 상기 약액에 냉각수를 공급하여 온도를 낮추는 단계; 및 상기 약액을 가열하여 상기 냉각수를 공급하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함하거나, 또는 상기 약액을 가열하여 상기 약액의 온도를 높이는 단계; 및 상기 약액에 냉각수를 공급하여 상기 약액을 가열하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서, 상기 약액은 ± 0.2℃의 오차 범위로 관리되는 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)를 포함하고, 상기 약액이 온도는 ± 0.1℃의 범위에서 변화시킬 수 있다.
언급한 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법은 약액의 온도를 확인하고 조정하는 온도 컨트롤러와 상기 온도 컨트롤러로부터 약액의 온도를 전달받아 공정을 제어하는 공정 모듈 컨트롤러를 구비하는 약액의 온도 제어 방법에 있어서, 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도 변화를 확인하는 단계; 상기 약액의 온도 변화를 상기 공정 모듈 컨트롤러로 전달하는 단계; 상기 공정 모듈 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 상기 공정을 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 온도 컨트롤러로 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 명령을 전달하는 단계; 상기 명령을 전달받은 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계; 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 확인하는 단계; 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 상기 공정 모듈 컨트롤러로 전달하는 단계; 및 상기 공정 모듈 컨트롤러를 사용하여 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 상기 공정을 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 공정을 비정상으로 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서, 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계는, 상기 약액에 냉각수를 공급하여 온도를 낮추는 단계; 및 상기 약액을 가열하여 상기 냉각수를 공급하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함하거나, 또는 상기 약액을 가열하여 상기 약액의 온도를 높이는 단계; 및 상기 약액에 냉각수를 공급하여 상기 약액을 가열하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서, 상기 약액은 ± 0.2℃의 오차 범위로 관리되는 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)를 포함하고, 상기 약액이 온도는 ± 0.1℃의 범위에서 변화시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서, 상기 온도 컨트롤러와 상기 공정 모듈 컨트롤러 사이에서의 통신 기능을 확인하는 단계; 및 상기 통신 기능에 이상이 있을 경우 알람을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 약액의 온도 제어 방법에서는 약액의 온도에 변화가 없을 경우 약액의 온도를 강제로 변화시킨 후 다시 약액의 온도를 확인하고, 그리고 다시 확인한 약액의 온도를 근거로 공정이 수행 가능한 정상인가 아니면 수행 불가능한 비정상인가를 판단한다. 언급한 바와 같이 본 발명에서는 강제로 변화가 이루어진 약액의 온도를 확인하기 때문에 약액의 온도에 대한 데이터의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 것이다.
따라서 본 발명의 약액의 온도 제어 방법을 적용할 경우 약액의 온도에 대한 데이터 신뢰성을 확보할 수 있기 때문에 공정 불량 요소의 제거를 통하여 보다 안정적으로 공정을 수행할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법을 수행하기 위한 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에서 사용되는 약액은 반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에 사용될 수 있는 것으로써, 현상 공정에 사용되는 현상액인 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)를 포함할 수 있다. 상기 약액은 공정에 사용된 이후 회수하는 과정에서 펌프의 발열 등과 같은 요인 등에 의해 온도가 변화할 수도 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서는 상기 약액의 온도 변화에 대한 확인을 통하여 상기 약액을 사용하는 공정을 제어한다.
언급한 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에서는 먼저 약액의 온도 변화를 확인한다.
그리고 상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리한다. 즉, 상기 약액의 온도가 언급한 요인 등에 의해 변화하는 것이 정상이기 때문에 상기 약액의 온도에 변화가 있는 상황을 정상으로 판단하는 것이다. 이와 같이, 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우 정상으로 판단하기 때문에 상기 약액을 사용하는 공정을 계속적으로 수행할 수 있다. 여기서, 상기 약액의 온도 변화는 오차 범위 이내에서 이루어져야 한다. 만약 상기 약액의 온도 변화가 오차 범위를 넘어설 경우에도 비정상으로 처리할 수 있다.
그러나 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 본 발명의 일 실시예에서는 상기 약액의 온도를 강제로 변화시킨다.
상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 방법은 상기 약액에 냉각수를 공급하여 온도를 낮춘 후 상기 약액을 가열하여 상기 냉각수를 공급하기 이전 온도로 회복시킴에 의해 달성될 수 있거나 또는 상기 약액을 가열하여 상기 약액의 온도를 높인 후 상기 약액에 냉각수를 공급하여 상기 약액을 가열하기 이전 온도로 회복시킴에 의해 달성될 수 있다. 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 범위 또한 언급한 바와 같이 상기 약액을 사용할 수 있는 오차 범위 이내에서 이루어져야만 한다.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 약액이 TMAH를 포함할 경우 상기 TMAH가 약 23℃를 기준으로 약 ± 0.2℃의 오차 범위로 관리될 수 있기 때문에 상기 약액을 약 ± 0.1℃의 온도 범위에서 변화시킬 수 있을 것이다.
이와 같이, 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우 상기 약액의 온도를 강제로 변화시킨 후 상기 변화시킨 약액의 온도를 확인한다.
그리고 상기 변화시킨 약액의 온도를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액을 사용하는 공정을 계속적으로 수행한다.
그러나 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 비정상으로 처리하고 상기 약액을 사용하는 공정을 중단시킨다. 상기 비정상 처리시 알람을 제공할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 강제로 변화가 이루어진 상기 약액의 온도를 확인하기 때문에 약액의 온도에 대한 데이터의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 것이다. 즉, 상기 약액의 온도 변화가 있다는 것을 인지하고 있는 상황임에도 불구하고 상기 약액의 온도 변화가 없는 것으로 판단하기 때문에 상기 약액의 온도 변화에 따른 데이터의 신뢰도를 확보할 수 있는 것이다.
이하, 첨부하는 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법을 수행하기 위한 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
상기 장치는 공정 모듈 컨트롤러(11), 온도 컨트롤러(13), 약액부(15) 등을 포함할 수 있다.
상기 공정 모듈 컨트롤러(11)는 상기 약액부(15)를 사용하는 공정 전반을 제어할 수 있다. 또한, 상기 공정 모듈 컨트롤러(11)는 상기 온도 컨트롤러(13)와 연결되어 상기 온도 컨트롤러(13)를 제어할 수 있다.
상기 온도 컨트롤러(13)는 상기 약액에 대한 온도를 확인하고 조정할 수 있다. 이에, 상기 온도 컨트롤러(13)는 상기 약액부(15)와 연결되어 상기 약액부(15)에서의 상기 약액의 온도 변화를 확인하고 상기 공정 모듈 컨트롤러(11)의 제어 명령에 의해 상기 약액부(15)에서의 상기 약액의 온도가 변화되도록 조정할 수 있는 것이다. 따라서 상기 온도 컨트롤러(13)는 상기 약액부(15)의 약액을 가열하는 부재, 상기 약액부(15)에 냉각수를 공급하는 부재 등을 조정할 수 있도록 연결될 수도 있다.
상기 약액부(15)는 상기 공정의 수행을 위한 장치로 상기 약액을 공급 및 회수할 수 있다. 이에, 상기 약액부(15)는 상기 약액을 저장하는 부재, 상기 약액을 플로우시키는 부재, 상기 약액을 분사하는 부재, 상기 약액을 회수하는 부재 등을 포함할 수 있다.
그리고 상기 공정 모듈 컨트롤러(11) 및 상기 온도 컨트롤러(13)는 통신에 의해 연결될 수 있다. 상기 통신은 유선 통신으로 이루어지거나 무선 통신으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 약액은 약 23℃를 기준으로 온도 변화가 약 ± 0.2℃의 오차 범위로 관리되는 현상액인 TMAH를 포함할 수 있다. 따라서 후술하는 상기 약액의 온도는 ± 0.1℃의 범위에서 강제로 변화시킬 수 있다.
이하, 상기 공정 모듈 컨트롤러(11), 온도 컨트롤러(13), 약액부(15) 등을 포함하는 상기 장치를 사용하여 본 발명의 약액의 온도를 제어하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액의 온도 제어 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 상기 온도 컨트롤러와 상기 공정 모듈 컨트롤러 사이에서의 통신 기능을 확인한다. 즉, 상기 통신 기능이 정상 인가를 확인하는 것이다.(S21 단계)
여기서, 상기 통신 기능에 이상이 있을 경우 알람을 제공하고 상기 약액을 사용하는 공정을 비정상으로 처리한다.(S31 및 S33 단계) 즉, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 통신 기능의 확인 결과 이상이 있을 경우에는 상기 약액을 사용하는 공정의 가동을 중단시키는 것이다.
그러나 상기 통신 기능에 이상이 없을 경우 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도 변화를 확인하고(S23 단계), 상기 약액의 온도 변화를 상기 공정 모듈 컨트롤러로 전달한다. 상기 약액의 온도 변화에 대한 전달은 상기 온도 컨트롤러와 상기 공정 모듈 컨트롤러를 연결하는 통신에 의해 달성될 수 있다.
상기 공정 모듈 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 상기 공정을 정상으로 처리한다.(S25 단계) 이와 같이, 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우 정상으로 판단하기 때문에 상기 약액을 사용하는 공정을 계속적으로 수행할 수 있다. 여기서, 상기 약액이 현상액인 TMAH이기 때문에 상기 공정은 현상 공정일 수 있다. 그리고 상기 약액의 온도 변화는 오차 범위 이내에서 이루어져야 하고, 상기 약액의 온도 변화가 오차 범위를 넘어설 경우 비정상으로 처리할 수 있다.
그러나 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 공정 모듈 컨트롤러는 상기 온도 컨트롤러로 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 명령을 전달한다. 그리고 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도를 강제로 변화시킨다.(S27 단계)
상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 방법은 상기 약액에 냉각수를 공급하여 온도를 낮춘 후 상기 약액을 가열하여 상기 냉각수를 공급하기 이전 온도로 회복시킴에 의해 달성되거나 또는 상기 약액을 가열하여 상기 약액의 온도를 높인 후 상기 약액에 냉각수를 공급하여 상기 약액을 가열하기 이전 온도로 회복시킴에 의해 달성될 수 있다. 즉, 상기 온도 컨트롤러가 상기 냉각수를 공급하는 부재, 상기 약액을 가열하는 부재 등을 조정함에 의해 상기 약액의 온도를 강제로 변화시킬 수 있는 것이다.
상기 약액의 온도를 강제로 변화시킨 후 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 확인한다. 그리고 상기 온도 컨트롤러는 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 상기 공정 모듈 컨트롤러로 전달한다.
상기 공정 모듈 컨트롤러를 사용하여 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 확인한 결과(S29 단계) 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고(S25 단계) 상기 약액을 사용하는 공정을 계속적으로 수행한다.
그러나 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 비정상으로 처리하고 상기 약액을 사용하는 공정을 중단시킨다.(S33 단계) 상기 비정상 처리시 알람을 제공할 수도 있다.(S31 단계)
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 약액의 온도 변화가 있다는 것을 인지하고 있는 상황임에도 불구하고 상기 약액의 온도 변화가 없는 것으로 판단하기 때문에 상기 약액의 온도 변화에 따른 데이터의 신뢰도를 확보할 수 있는 것이다.
본 발명의 약액의 온도 제어 방법을 집적회로 소자의 제조 공정에 적용할 경우 약액의 온도에 대한 데이터 신뢰성을 확보할 수 있기 때문에 공정 불량 요소의 제거를 통하여 보다 안정적으로 공정을 수행할 수 있을 것이고, 그 결과 집적회로 소자의 품질 향상까지로 기대할 수 있을 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
11 : 공정 모듈 컨트롤러
13 : 온도 컨트롤러
15 : 약액부
13 : 온도 컨트롤러
15 : 약액부
Claims (7)
- 약액의 온도 변화를 확인하는 단계;
상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계;
상기 변화시킨 약액의 온도를 확인하는 단계; 및
상기 변화시킨 약액의 온도를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 비정상으로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계는,
상기 약액에 냉각수를 공급하여 온도를 낮추는 단계; 및 상기 약액을 가열하여 상기 냉각수를 공급하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함하거나, 또는 상기 약액을 가열하여 상기 약액의 온도를 높이는 단계; 및 상기 약액에 냉각수를 공급하여 상기 약액을 가열하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 약액은 ± 0.2℃의 오차 범위로 관리되는 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)를 포함하고, 상기 약액이 온도는 ± 0.1℃의 범위에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법. - 약액의 온도를 확인하고 조정하는 온도 컨트롤러와 상기 온도 컨트롤러로부터 약액의 온도를 전달받아 공정을 제어하는 공정 모듈 컨트롤러를 구비하는 약액의 온도 제어 방법에 있어서,
상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도 변화를 확인하는 단계;
상기 약액의 온도 변화를 상기 공정 모듈 컨트롤러로 전달하는 단계;
상기 공정 모듈 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 상기 공정을 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 온도 컨트롤러로 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 명령을 전달하는 단계;
상기 명령을 전달받은 상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계;
상기 온도 컨트롤러를 사용하여 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 확인하는 단계;
상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 상기 공정 모듈 컨트롤러로 전달하는 단계;
상기 공정 모듈 컨트롤러를 사용하여 상기 강제로 변화시킨 약액의 온도 변화를 확인한 결과 상기 약액의 온도에 변화가 있을 경우에는 상기 공정을 정상으로 처리하고 상기 약액의 온도에 변화가 없을 경우에는 상기 공정을 비정상으로 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법. - 제4 항에 있어서,
상기 약액의 온도를 강제로 변화시키는 단계는,
상기 약액에 냉각수를 공급하여 온도를 낮추는 단계; 및 상기 약액을 가열하여 상기 냉각수를 공급하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함하거나, 또는 상기 약액을 가열하여 상기 약액의 온도를 높이는 단계; 및 상기 약액에 냉각수를 공급하여 상기 약액을 가열하기 이전 온도로 회복시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법. - 제5 항에 있어서,
상기 약액은 ± 0.2℃의 오차 범위로 관리되는 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)를 포함하고, 상기 약액이 온도는 ± 0.1℃의 범위에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법. - 제4 항에 있어서,
상기 온도 컨트롤러와 상기 공정 모듈 컨트롤러 사이에서의 통신 기능을 확인하는 단계; 및
상기 통신 기능에 이상이 있을 경우 알람을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 약액의 온도 제어 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160139920A KR102636296B1 (ko) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 약액의 온도 제어 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160139920A KR102636296B1 (ko) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 약액의 온도 제어 방법 및 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180045497A true KR20180045497A (ko) | 2018-05-04 |
KR102636296B1 KR102636296B1 (ko) | 2024-02-14 |
Family
ID=62199698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160139920A KR102636296B1 (ko) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 약액의 온도 제어 방법 및 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102636296B1 (ko) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200314285Y1 (ko) * | 2003-03-04 | 2003-05-23 | 박해용 | 온도변화율감지 기능과 누전감지 및 차단기능이 있는온도제어장치. |
KR20060066795A (ko) * | 2004-12-14 | 2006-06-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체제조용 현상장비의 현상액 온도제어장치 및 그 방법 |
JP2006234382A (ja) * | 2003-05-26 | 2006-09-07 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定システム |
KR100812545B1 (ko) * | 2006-10-23 | 2008-03-13 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 그 세정장치의 세정 약액공급방법 |
KR20090034470A (ko) * | 2007-10-04 | 2009-04-08 | 세메스 주식회사 | 공정 용액 처리 방법 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
JP2012057510A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Aisin Seiki Co Ltd | 内燃機関温度制御システム |
JP2016053863A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | キヤノン株式会社 | 温度調節装置 |
-
2016
- 2016-10-26 KR KR1020160139920A patent/KR102636296B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200314285Y1 (ko) * | 2003-03-04 | 2003-05-23 | 박해용 | 온도변화율감지 기능과 누전감지 및 차단기능이 있는온도제어장치. |
JP2006234382A (ja) * | 2003-05-26 | 2006-09-07 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定システム |
KR20060066795A (ko) * | 2004-12-14 | 2006-06-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체제조용 현상장비의 현상액 온도제어장치 및 그 방법 |
KR100812545B1 (ko) * | 2006-10-23 | 2008-03-13 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 그 세정장치의 세정 약액공급방법 |
KR20090034470A (ko) * | 2007-10-04 | 2009-04-08 | 세메스 주식회사 | 공정 용액 처리 방법 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
JP2012057510A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Aisin Seiki Co Ltd | 内燃機関温度制御システム |
JP2016053863A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | キヤノン株式会社 | 温度調節装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102636296B1 (ko) | 2024-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9307145B2 (en) | Video camera with temperature sensor | |
US20150088461A1 (en) | Fault detecting system and fault detecting method | |
TWI723477B (zh) | 電子設備、可遠端維護電子設備運作的系統及方法 | |
KR20180045497A (ko) | 약액의 온도 제어 방법 | |
TWI548253B (zh) | 雙模手機之命令交互糾錯系統及方法 | |
JP2013201425A (ja) | 対基板作業システム | |
US20180375674A1 (en) | Judgement unit and controlling method thereof, power supply device and controlling method thereof | |
US10127183B2 (en) | Systems and methods for provisioning devices operating in industrial automation environments | |
US20170082998A1 (en) | Monitoring of failure tolerance for an automation installation | |
JP6358863B2 (ja) | センサ配線確認システムおよび方法 | |
JP2006318394A (ja) | ネットワークシステムの無停電電源装置の管理方法 | |
KR101860665B1 (ko) | 수처리장 통신 오류 자동 복구 시스템 및 자동 복구 방법 | |
CN113721448B (zh) | 一种冗余模块切换方法和装置 | |
US20060213433A1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
JP2007039206A (ja) | エレベーター制御システム | |
JP6320128B2 (ja) | センサ配線確認システムおよび方法 | |
JP4643375B2 (ja) | 電圧制御システム | |
TW201735491A (zh) | 冗餘式電源供應系統的損壞確認方法 | |
EP3410243B1 (en) | Power management system for production line | |
JP2009260171A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体 | |
JP2008211536A (ja) | リモートio伝送システム | |
TWI828043B (zh) | 電腦系統及更新方法 | |
KR102268616B1 (ko) | 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법 | |
JP2014137799A (ja) | 電子機器 | |
CN117648006A (zh) | 液冷控制装置及系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |