KR20180041691A - 태양 광기전 전지에서 사용하기 위한 소결가능 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 금속 입자들을 포함하며 상기 금속 입자들은 상기 금속 입자들에 적합한 담체에 분산되고, 상기 담체는 용매 및 수지를 포함하고, 상기 금속 입자들의 적어도 일부는 X 선 회절에 의해 정의된 Ψ 값이 < 0.0020 이고; 결정화도가 적어도 50 % 이고; 결정학적 방향에 대해 이방성인 것을 특징으로 하는 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 금속 입자들을 포함하며 상기 금속 입자들은 상기 금속 입자들에 적합한 담체에 분산되고, 상기 담체는 용매 및 수지를 포함하고, 상기 금속 입자들의 적어도 일부는 X 선 회절에 의해 정의된 Ψ 값이 < 0.0020 이고; 결정화도가 적어도 50 % 이고; 결정학적 방향에 대해 이방성인 것을 특징으로 하는 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 핑거 전극 재료로서 태양 광기전 전지에서의 본 발명에 따른 전도성 페이스트 조성물의 용도에 관한 것이다.
실리콘 이종접합 태양광 전지 (1) 는 결정질 실리콘 웨이퍼 상에 성막된 박형 비정질 실리콘 층으로 이루어진다. 이 설계는 20 %가 넘는 에너지 변환 효율을 가능하게 한다. 실리콘 웨이퍼 상에 모두 인쇄된 버스바 (2) 및 핑거 (3) 로부터 만들어진 금속 콘택트 (metal contact) 들이 더 폭넓은 밴드갭 층의 삽입에 의해 흡수체로부터 전자적으로 분리된다는 것이 핵심이다. 이러한 금속 상단 콘택트들은 태양 전지에 의해 생성된 전류를 집전하는데 필요하다. 이 일반적인 구조는 도 1에 나타나 있다 (1a는 세 개의 버스 바가 있는 기본 구성을 나타내고 1b는 네 개의 버스 바가 있는 기본 구성을 나타낸다).
핑거는, 전류를 집전하여 외부 리드 (lead) 에 직접 접속된 버스바로 전달하는 선형 금속배선 영역이다. 전통적으로, 버스바 및 핑거는 단일 인쇄 또는 이중 인쇄 공정을 사용하여 동일한 재료로부터 만들어졌다. 그러나, 상이한 재료를 사용하는 것도 이중 인쇄 공정에서 가능하다. 이중 인쇄 방법에서 두 재료 모두 최선의 전체 성능과 최적화된 비용 구조를 갖도록 최적화될 수 있다. 핑거 전극은 가능한 한 섀도잉을 적게 갖기 위해 좁은 인쇄 폭으로 이상적인 미세 라인 인쇄 성능을 가지도록 최적화될 수 있으며, 또한 밑에 있는 기판에 대한 이상적인 전도성 및 접촉 저항을 갖도록 최적화될 수 있다. 버스바 전극은 태양광 모듈 내로 서로 다른 셀들의 상호접속을 위한 접착을 위해 최적화될 수 있다.
수많은 특허가 태양 전지용 전도성 페이스트를 만들기 위해 열가소성 및 열경화성 접근법들을 기반으로 한다. 열가소성 페이스트는 보다 많은 양의 용매를 가지며, 경화 온도의 제어는 본딩 영역에서 용매 혼입 (solvent entrapment) 을 방지한다. 이러한 페이스트의 경우, 가열은 중합을 개시하고 긴 중합체 사슬이 자유롭게 움직이는 것을 돕는 반면, 냉각은 그들의 움직임을 감소시킨다. 반면에, 열경화성 페이스트는 다르게 거동한다. 중합 동안, 열경화성 중합체는 인접 사슬간에 화학 결합을 형성하며; 그 결과 2차원 네트워크 (선형) 열가소성 구조보다 훨씬 더 경성인 3차원 네트워크가 된다.
좁고 긴 금속 라인을 제작하면 실리콘 이종접합 태양 전지의 전면에서 저항 및 음영 손실 (shadow loss) 을 줄이는데 도움이 된다. 음영 손실은, 빛이 태양 전지로 들어오지 못하게 하는, 태양 전지의 상단 표면 상의 금속 존재에 의해 발생된다. 음영 손실은, 평면 상단 표면에 대해, 금속에 의해 커버된 상단 표면의 분율 (fraction) 로서 정의되는 상단 표면의 투명도에 의해 결정된다. 투명도는 표면 상의 금속 라인의 폭과 금속 라인들의 간격에 의해 결정된다. 중요한 실제적인 제한사항은 특정 금속배선 기술과 연관된 최소 라인폭이다. 동일한 투명도에 대해, 좁은 라인폭 기술은 보다 촘촘한 핑거 간격을 가짐으로써, 방출체 저항 손실을 감소시킬 수 있다.
스크린 인쇄는 결정질 실리콘 광기전 분야에서 대중적인 금속배선 방법이다. 결정질 실리콘 광기전 소자들은 결정질 실리콘 태양 전지 (c-Si) 를 사용하여 구축된 모듈이다. 일반적인 도체 라인은, 저온 페이스트를 사용하여 그리고 단일 인쇄 공정을 사용하여 실리콘 이종접합 태양 전지의 생산에서 달성되는 70-100 ㎛의 라인폭을 갖는다. 실리콘 이종접합 태양 전지의 인쇄된 콘택트들은 일반적으로 약 200 ℃ 의 온도에서 경화된다.
스텐실 인쇄는 25㎛ 스텐실 개구부에 대한 폭이 35㎛ 인 라인들을 제조할 수 있는 또 다른 금속배선 방법이다. 이는 단일 인쇄 공정에서의 일반적인 도체 라인 폭 45-55㎛ 또는 높은 소성 페이스트 (high firing paste) 를 사용하여 표준 실리콘 동종접합 태양 전지를 위한 45-55㎛ 이중 인쇄 공정에 비해 좁은 라인 폭이다. 이는 더 좁은 라인 폭으로의 인쇄를 가능하게 하기 위하여 저온 소성 페이스트가 개선될 필요가 있다는 것을 분명히 나타낸다.
인쇄된 핑거 전극의 라인 저항은 고효율 이종접합 실리콘 태양 전지의 생산에서 매우 중요하다. 이러한 유형의 태양 전지는 온도에 민감하기 때문에, 일반적으로 표준 c-Si 전지 생산에 사용되는, 높은 소성 페이스트는 전지 제조시 금속 배선 페이스트로 사용될 수 없다. 이것은 전기 전도도를 제한한다.
현재 사용 가능한 최선의 저온 은 페이스트는 저항률이 8 μohm.cm 까지 내려가는데, 이는 표준 고온 페이스트보다 여전히 높다. 벌크 전도도가 더 낮기 때문에 라인 저항이 더 낮아지는 것에 관련된 손실을 극복하기 위해, 전지 제조자는 버스바의 수를 늘리거나 또는 버스바 대신 와이어가 사용되는 다중 와이어 어레이 사용과 같은 다른 상호접속 방법의 힘을 빌게 된다.
따라서, 전지 효율 이득을 얻기 위해 더 낮은 저항률 및 양호한 미세 라인 인쇄 성능에 도달할 수 있는 전도성 페이스트에 대한 필요성이 여전히 존재한다.
본 발명의 개요
본 발명은 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 금속 입자들을 포함하며 상기 금속 입자들은 상기 금속 입자들에 적합한 담체에 분산되고, 상기 담체는 용매 및 수지를 포함하고, 상기 금속 입자들의 적어도 일부는 X 선 회절에 의해 정의된 Ψ 값이 < 0.0020 이고; 결정화도가 적어도 50 % 이고; 결정학적 방향에 대해 이방성인 것을 특징으로 하는 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 핑거 전극 및/또는 버스바 재료로서 태양 광기전 전지에서의 본 발명에 따른 전도성 페이스트 조성물의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 또한 태양 광기전 전지 상에서 전도성 네트워크를 제조하는 방법을 포함하며, 상기 방법은: a) 본 발명에 따른 전도성 페이스트 조성물을 실리콘 기판 및/또는 투명 전도성 산화물 (TCO) 에 도포하는 단계, 및 b) 건조 및 경화시키는 단계를 포함한다.
도 1은 태양광 모듈의 일반적인 구조를 나타낸다.
도 2는 이종접합 셀의 개략도를 나타낸다.
도 3은 버스바가 없는 태양 전지 구조를 나타낸다.
도 2는 이종접합 셀의 개략도를 나타낸다.
도 3은 버스바가 없는 태양 전지 구조를 나타낸다.
다음의 단락들에서, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 그렇게 설명된 각각의 양태는 명확하게 반대로 표시되지 않으면 임의의 다른 양태 또는 양태들과 결합될 수도 있다. 특히, 바람직하거나 유리한 것으로 표시된 임의의 특징은 바람직하거나 유리한 것으로 표시된 임의의 다른 특징 또는 특징들과 조합될 수도 있다.
본 발명의 문맥에서, 사용된 용어들은 문맥에 달리 규정되어 있지 않는 한, 다음의 정의에 따라 해석되어야 한다.
여기서 사용된, 단수 형태 "a", "an" 및 "the" 는, 문맥에 다르게 분명히 명시하지 않는 한, 단수 및 복수 지시대상들을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어 "포함하다", "포함하는" 및 "로 구성되다" 는 "포함하는", "포함하다", "함유하는", "함유하다" 와 동의어이며 언급된 것을 포함 (inclusive) 하거나 개방형 (open-ended) 이며 추가의 비언급된 멤버, 엘리먼트 또는 방법 단계들을 배제하지 않는다.
수치적 종점의 언급에는 언급된 종점뿐만 아니라 각 범위 내에 포함 된 모든 수와 부분들을 포함한다.
본 명세서에 언급된 모든 백분율, 부, 비율 및 기타는 달리 표시되지 않는 한 중량 기준이다.
양, 농도 또는 다른 값 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위 또는 바람직한 상한값 및 바람직한 하한값의 형태로 표현되는 경우, 임의의 상한 또는 바람직한 값과 임의의 하한 또는 바람직한 값을 조합하는 것에 의해 얻어진 임의의 범위들이, 그 얻어진 범위들이 문맥에 명시적으로 언급되는지 여부를 고려함이 없이, 명시적으로 개시되는 것으로서 이해되야 한다.
본 명세서에 인용된 모든 문헌들은 참조에 의해 이로써 전부 원용된다.
달리 정의되지 않으면, 기술적 용어와 학술적 용어를 포함하여, 본 발명을 개시함에 있어서 사용된 모든 용어들은, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 추가의 안내에 의해, 용어 정의들이 본 발명의 교시를 더 잘 이해하기 위해 포함된다.
본 발명에 따르면, 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 금속 입자들을 포함하며 상기 금속 입자들은 상기 금속 입자들에 적합한 담체에 분산되고, 상기 담체는 용매 및 수지를 포함하고, 상기 금속 입자들의 적어도 일부는 X 선 회절에 의해 정의된 Ψ 값이 < 0.0020 이고; 결정화도가 적어도 50 % 이고; 결정학적 방향에 대해 이방성인 것을 특징으로 하는 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물이 제공된다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 금속 입자를 포함하며, 바람직하게는 금속 입자는 소결가능 금속 입자이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 금속 입자는 Ag, Cu, Au, Pd, Ni, In, Sn, Zn, Li, Mg, Al, Mo 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 금속 입자는 은 입자이며, 보다 바람직하게는 소결 가능 은 입자이다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 금속 입자는 또한 은 코팅/도금된 미립자를 포함하며, 결과적인 조성물이 전체에 분산된 은 코팅된 입자를 갖는 열가소성 매트릭스를 포함하도록, 은 코팅/도금이 실질적으로 밑에 있는 미립자를 코팅하는 한, 밑에 있는 미립자는 다양한 재료들 중 임의의 것일 수 있다.
은 입자가 은의 전도성 때문에 그리고 은 산화물도 전도성이 있기 때문에 바람직하다 (금 산화물도 전도성이 있지만, 가격이 비싸 경제적인 해결책을 제공하지 못한다). 또한, 은 입자가 바람직한데, 그 이유는 도포에 적합한 입경을 갖는 은이 소결될 수 있는 온도가 도포에 허용가능하기 (< 200℃) 때문이다.
본 발명에 사용하기 적합한 금속 입자들의 적어도 일부는 X 선 회절에 의해 정의된 Ψ 값이 < 0.0020 이다.
Ψ 값은 본 명세서에서 (기기와 시편 양자 모두의 기여로 인한) 회절 피크의 확장 (broadening) 을 나타내기 위해 사용된다. 본원의 목적을 위해, "시편 확장" 은 "기기 확장" 으로부터 구분된다.
회절 피크의 형상을 기술하는 함수에 관습적으로 사용되는 용어는 프로파일 형상 함수 (Profile Shape Function; PSF) 이다. 본 개시의 목적을 위해, 여기에서 로렌츠 함수를 사용하여 피크를 피팅 (fitting) 하는 것이 선택되었다.
따라서, 원시 데이터 (raw data) 로부터의 "psi" 파라미터의 결정은 먼저 예시적인 재료에 대한 원시 X-선 회절 데이터를 얻음으로써 수행된다. 다음으로, 피크 폭이 모든 샘플에 대해 얻어진다.
샘플 특성화를 단순화하기 위해, 피크 폭을 그의 피크 위치로 나눈 것 (그래서 그 값은 무차원임) 으로서 "psi" 파라미터를 정의할 수 있다. 그런 다음, 각 피크에 대한 "psi" 의 평균을 계산하고 최종 평균 값에 도달할 수 있다.
각 샘플에 대한 "psi" 는 여전히, 기기 확장과 시편 확장 양자 모두로부터의 기여를 나타냄에 유의한다. 기기로부터의 "psi" 에 대한 기여는 나머지 샘플과 동일한 기기에서 기준 NAC 결정 (NAC crystal) 들의 분석으로부터 얻어진다.
다음으로 ,총 "psi" 팩터와 "psi"-스타 (시편만으로 인한 회절 피크의 확장을 나타냄) 를 비교한다. 0.002 의 임계 값은 성능이 좋은 샘플과 성능이 나쁜 샘플을 구분한다.
본 발명에서 사용하기 위한 금속 입자들의 적어도 일부는 결정화도가 적어도 50 % 이다. 높은 결정성이 높은 전기 전도성을 제공하기 때문에 바람직하다.
일부 실시형태에서, 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 60% 이며, 바람직하게는 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 70% 이며, 보다 바람직하게는 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 80% 이며, 보다 바람직하게는 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 90% 이며, 보다 바람직하게는 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 95% 이며, 더욱 더 바람직하게는 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 98% 이며, 그리고 더욱 더 바람직하게는 적합한 금속 입자는 결정화도가 적어도 99% 이다. 매우 바람직한 실시형태에서, 적합한 금속 입자는 결정화도가 실질적으로 100% 이다.
결정성의 정량화는, 연구될 샘플이 알려진 관계에서 100% 결정질 화합물과 혼합되는 시편의 X-선 회절 데이터의 리트벨트 (Rietveld) 정제 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 본 발명의 목적을 위해, 정의된 양의 은 샘플을 완전 결정질 SiO2 와 혼합하였다 (양자 모두에 대한 중량 관계는 1 : 1 에 가깝다). 이어서, X-선 회절 패턴을 측정하였고 리트벨트 분석을 당업자에게 공지된 방법에 따라 수행하였다. 알려진 양의 은 및 SiO2, 그리고 얻어진 은 중량 분율로부터, 결정질 은의 양 (및 분율) 을 얻었다. 리트벨트 (Rietveld) 정제 방법의 다른 변형 그리고 결정질 분율을 결정하는 상이한 방법들이 또한 본 발명의 목적에 사용되는 결정화도를 얻는데 사용될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이, 결정 이방성은 결정 격자의 주축 (또는 결정질 평면) 과 관련된 방향에서의 결정질 재료의 물리적 또는 화학적 특성의 변동을 지칭한다. 예를 들어, 광학, 자기, 전기 또는 X-선 회절 법을 포함하는 많은 방법이 결정들의 이방성을 결정하는데 이용 가능하다. 특히 은의 결정 이방성의 차별화에 대한 후자의 방법 중 하나는 Yugang Sun & Younan Xia, Science, Vol. 298, 2002, pp. 2176-79 에 의해 참조된다:
(200) 및 (111) 회절 피크의 강도 사이의 비는 기존 값보다 높았고 (0.67 대 0.4), 이는 우리의 나노큐브가 {100} 면에 풍부했음을 나타내며, 따라서 그들의 {100} 평면은 지지 기판 (26) 의 표면에 평행하게 우선적으로 배향 (또는 텍스쳐화) 되는 경향이 있었다는 것은 주목할 만하다. (220) 과 (111) 피크의 강도 사이의 비는 또한 우리의 은 나노큐브의 표면 상에 {110} 면이 상대적으로 풍부하기 때문에 기존 값보다 약간 높았다 (0.33 대 0.25):
본 발명에 사용하기 적합한 금속 입자들의 적어도 일부는 결정학적 방향에 대해 이방성이며, 바람직하게는 본 발명에서 사용하기에 적합한 상기 금속 입자들의 적어도 일부는 높은 이방성을 갖는다. 높은 이방성은 보다 우수한 소결 능력 및 그래서 더 양호한 전기 전도성을 제공할 것이기 때문에 바람직하다. 바람직하게는, 회절 피크 200 의 피크 강도와 회절 피크 111 의 피크 강도의 비는 0.5 를 넘는다. 회절 피크는 금속 입자의 회절 피크를 의미한다.
본 발명에 의해 부여된 이점을 실현하기 위해, 본 명세서에서 사용되는 금속 입자들의 일부가 본 명세서에 제시된 복수의 기준을 만족하기만 하면 된다. 따라서, 일부 실시형태에서, 상기 금속 입자들의 적어도 5% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 보다 구체적으로, 상기 금속 입자들의 적어도 5%가 X 선 회절에 의해 정의되는 Ψ 값이 < 0.0020 이며, 결정화도가 적어도 50 % 이고, 결정학적 방향에 대해 이방성인 것을 특징으로 한다.
일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 10% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 20% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 30% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 40% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 50% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 60% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 70% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 80% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 90% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 95% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 적어도 98% 가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 실질적으로 전부가 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이다.
기술적인 관점에서, 사용된 금속 입자들의 가능한 한 높은 백분율이 본 명세서에 제시된 각각의 기준을 충족시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용하기에 적합한 금속 입자는 일반적으로 300 nm 내지 12 미크론, 바람직하게는 500 nm 내지 7 미크론 범위의 평균 입경을 갖는다.
입경은 입경 분석기에 의해 측정되고 입자 형상은 주사 전자 현미경에 의해 분석된다. 간단히 말해서 입자로부터 산란된 레이저 광은 검출기들의 어레이로 검출된다. 산란된 광 강도의 측정된 분포를 피팅하기 위해 이론상의 계산이 수행된다. 피팅 과정 동안, 입경 분포가 추론되고 그에 따라 D10, D50, D90 등 값이 계산된다.
이 입경 범위는 매우 좁은 라인들을 인쇄할 수 있기 때문에 바람직하다.
일부 실시형태에서, 적합한 금속 입자는 여기에 제시된 각각의 기준을 충족시키는 금속 입자 ("제 1 금속 입자") 및 아래에 제시되는 상이한 기준을 갖는 "제 2 금속 입자" 의 혼합물이다.
적합한 제 2 금속 입자는 바람직하게는 소결 가능한 금속 입자이다. 본 발명에 사용하기에 적합한 제 2 금속 입자는 Ag, Cu, Au, Pd, Ni, In, Sn, Zn, Li, Mg, Al, Mo 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 제 2 금속 입자는 은 입자이며, 보다 바람직하게는 소결가능 은 입자이다.
바람직하게는, 본 발명에서 사용하기에 적합한 제 2 금속 입자의 평균 입경은 2 ㎛ 내지 40 ㎛, 그리고 보다 바람직하게는 2 ㎛ 내지 20 ㎛, 그리고 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 내지 10 ㎛ 이다.
제 2 금속 입자는 1.5 g/cm3 내지 6.0 g/cm3, 바람직하게는 3.5 g/cm3 내지 5.5 g/cm3 의 탭 밀도 (tap density) 를 갖는 것이 또한 바람직하다.
제 2 금속 입자는 0.4 내지 2.1 m2/g 사이의 표면적을 갖는 것이 또한 바람직하다.
또한, 제 2 금속 입자는 538 ℃에서의 중량 손실이 0.1 내지 3 %의 범위, 바람직하게는 0.2 내지 0.8 %의 범위인 것이 바람직하다. 여기서 중량 손실은 열 중량 분석 (TGA )을 수행하고, TGA Q 500 TA 기구 장비들을 사용하고, 섭씨 0도에서 700도로, 분당 10도의 램프 (ramp) 를 실행하는 것에 의해 측정되고, 섭씨 538도에서, 백분율 (%) 단위의 중량 손실의 양이 보고된다.
그리고 또한, 제 2 금속 입자는 0.9-2.1 미크론 사이의 D50 을 갖는 것이 바람직하다. 입경은 위에서 설명한 방법에 따라 측정된다.
탭 밀도는 일반적으로 ISO 3953에 따라 25cm3 의 눈금 유리 실린더를 사용하여 결정된다. 특정된 방법의 원리는 분말 체적의 감소가 더 이상 일어나지 않을 때까지 탭핑 장치에 의해 용기 내의 특정 양의 분말을 탭핑하는 것이다. 시험 후 분말의 질량을 그 부피로 나누면 그의 탭 밀도가 얻어진다.
적합한 제 2 금속 입자는 위에 제시된 하나 이상의 기준을 충족시키는 1 종류의 금속 입자일 수도 있거나, 또는 대안적으로, 제 2 금속 입자는, 모두 상기 하나 이상의 기준을 충족시키는 2 이상의 상이한 금속 입자의 혼합물일 수도 있다. 바람직하게는, 제 2 금속 입자는 위에 제시된 모든 기준을 충족시킨다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수 가능한 제 2 금속 입자는 예를 들어, Metalor 로부터의 P698-1 및 P554-16이다.
따라서, 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 5 %는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 95 %는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 보다 구체적으로, 상기 금속 입자들의 약 5 %는 제 1 금속 입자이고 X 선 회절에 의해 정의되는 Ψ 값이 < 0.0020 이며, 결정화도가 적어도 50% 이고, 결정 방향에 대해 이방성인 것을 특징으로 하고, 그 금속 입자들의 약 95 %는 제 2 금속 입자이고 평균 입경이 2㎛ 내지 40㎛ 및/또는 탭 밀도가 1.5 g/cm3 내지 6.0 g/cm3 및/또는 표면적이 0.4-2.1 m2/g 사이이고, 538 ℃에서의 중량 손실이 0.1 내지 3 % 범위인 것을 특징으로 한다.
일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 10% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 90%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 20% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 80%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 30% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 70%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 40% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 60%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 50% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 50%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 60% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 40%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 70% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 30%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 80% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 20%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 90% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 10%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 95% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 5%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다. 일부 실시형태에서, 사용된 금속 입자들의 약 98% 는 제 1 금속 입자이고 본원에 제시된 각각의 기준을 충족시킬 것이며, 사용된 금속 입자들의 약 2%는 상기한 바와 같은 제 2 금속 입자이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 금속 입자 (제 1 및 제 2 금속 입자를 포함) 는 다양한 형상으로, 예를 들어 실질적으로 구형 입자, 불규칙한 형상의 입자, 길쭉한 입자, 플레이크 (예를 들어, 박형의, 편평한, 단결정 플레이크) 등으로서 존재할 수 있다. 제 1 및 제 2 금속 입자의 형상은, 양자 모두 존재할 경우, 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 20 내지 98 중량%, 바람직하게는 50 내지 95 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 75 내지 92 중량% 의 금속 입자를 포함한다.
상기 양 범위는 제 1 금속 입자 및 제 2 금속 입자 (존재한다면) 를 포함한다.
이 금속 입자 양은 이상적인 전도성을 제공한다. 따라서, 조성물이 20 % 미만의 금속 입자를 포함하는 경우, 조성물은 더 이상 전도성이 아니다 그러나, 조성물은 98 % 초과의 금속 입자를 포함할 수 없는데, 더 많은 양의 금속 입자는 미세 라인 인쇄될 수 없다. 인쇄 공정에는 특정 레올로지가 필요하므로, 순수한 금속 입자는 그대로는 인쇄될 수 없다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 담체 (carrier) 를 포함한다. 본 발명에서 사용하기에 적합한 담체는 용매 및 수지를 포함한다.
본 발명에 사용하기에 적합한 용매는 알코올, 방향족 탄화수소, 포화 탄화수소, 염화 탄화수소, 에테르, 폴리올, 에스테르, 이염기성 에스테르, 케로센, 고비점 알코올 및 이의 에스테르, 글리콜 에테르, 케톤, 아미드, 헤테로방향족 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 용매는 이염기성 에스테르, 아세테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
보다 바람직하게는, 상기 용매는 디프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 1-메톡시-2- 프로판올, 디아세톤 알코올, tert-부틸 알코올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 트리데칸올, 1,2-옥탄디올, 부틸디글리콜, 알파-테르피네올 또는 베타-테르피네올, 2-(2-부톡시에톡시)에틸 아세테이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디이소부티레이트, 1,2-프로필렌 카보네이트, 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨, 에틸 카르비톨 아세테이트, 2-페녹시 에탄올, 헥실렌 글리콜, 디부틸프탈레이트, 이염기성 에스테르, 이염기성 에스테르 9, 이염기성 에스테르 7, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 상기 용매는 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨 아세테이트 및 이염기성 에스테르, 이염기성 에스테르 9, 이염기성 에스테르 7 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
위에 나열된 바람직한 용매는, 고비점 용매이고 본 발명에 요구되는 인쇄 성능을 보장할 수 있기 때문에, 바람직하다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 30 중량%, 바람직하게는 1.5 내지 20 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 2 내지 10 중량% 의 용매를 포함한다.
본 발명에 따른 조성물이 너무 많은 용매를 포함하면, 인쇄 높이를 얻을 수 없고, 따라서 도포에 필요한 라인 저항이 충족될 수 없다. 반면에, 조성물이 1중량% 미만의 용매를 포함하면, (열가소성의 경우) 수지를 용해시키는 것 그리고 (열가소성 및 열경화성 또는 혼합형의 경우) 높은 고형분 함량을 갖는 것이 쉽지 않다.
본 발명에 사용하기에 적합한 수지는 셀룰로오스계 수지, 폴리에스테르 수지, 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 할로겐화 수지로서, 염화 비닐리덴의 동종 중합체 및 염화 비닐리덴과 아크릴니트릴의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 할로겐화 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지 열경화성 수지로서, 에폭시 수지, 아크릴레이트 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 실리콘 수지 및 옥세탄 관능화 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된, 상기 열경화성 수지 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 수지는 셀룰로오스계 수지이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 상업적으로 입수 가능한 셀룰로오스계 수지는 예를 들어 다우 케미칼 (Dow Chemical) 사에 의해 공급되는 Ethocel 10, 100 및 300, 또는 Eastman 에 의해 공급되는 CAB 381-2, 381-20, 398-3, 551-01, 또는 Ashland에 의해 공급되는 ECN 4, 10, 22 이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 폴리에스테르 수지는 예를 들어, Bostik에 의해 모두 공급되는 Vitel 2200B, 2700B, 3300B이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 페녹시 수지는 예를 들어, Inchem에 의해 공급되는 PKHJ, PKHC, PKHB 및 PKHH 이다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수 가능한 페놀 수지는 예를 들어 Momentive 에 의해 모두 공급되는 PF9132KP, PF9640LG, PF6535LB 및 PF6806LB 그리고 Meiwa Chemical 에 의해 모두 공급되는 HF, 1m, HF-3M, HF-4M 이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 상업적으로 입수 가능한 폴리우레탄 수지는 예를 들어 Lubrizol에 의해 공급되는 Estane 5703, 5707, 5708, 5712, 5713, 5715, 5719, 및 5778 이다.
적합한 상업적으로 입수 가능한 할로겐화 수지는 예를 들어 Asahi Kasei Chemicals 에 의해 공급되는 PVDC 수지 F3100이다.
본 발명에 사용하기에 적합한 열경화성 수지는 에폭시 수지, 아크릴레이트 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 실리콘 수지 및 옥세탄 관능화 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게 열경화성 수지는 에폭시 수지이다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 8 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 1 내지 6 중량% 의 수지를 포함한다.
본 발명에 따른 조성물이 0.1 % 미만의 수지를 포함하는 경우, 접착이 얻어지지 않고, 반면에 조성물이 10 % 초과의 수지를 포함하는 경우 조성물의 전도성이 악영향을 받는다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 경화제를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 사용하기에 적합한 경화제는 예를 들어, 아크릴 열경화성 시스템을 위한 퍼옥사이드 또는 아조 화합물, 잠재성 경화제 : 이미다졸, 에폭시 이미다졸 부가물 (adduct), 에폭시 아민 부가물일 수도 있고, Rhodorsil 2074 과 같은 우레아 또는 양이온성 개시제가 에폭시 열경화성 시스템에 사용될 수도 있다.
본 발명에 따른 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물은 유동학적 첨가제, 습윤제 및 분산제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 전도성 페이스트 조성물은 핑거 전극 재료 및/또는 버스바 재료로서 태양 광기전 전지에 사용될 수 있다.
보다 구체적으로는, 본 발명에 따른 조성물은 이종접합 전지에 사용될 수 있다. 이종접합 전지의 개략적 구조가 도 2에 나타나있다 (스케일대로 도시되지 않음). 4는 본 발명에 따른 조성물로부터 제조된 미세 라인 핑거를 나타낸다. 5는 투명 전도성 산화물 (TCO) 층을 나타낸다. 6은 (p+) a-Si:H 층을 나타낸다. 7은 n 형 c-Si 층을 나타낸다. 8은 a-Si/H 층을 나타낸다. 9는 (n+) a-Si:H 층을 나타낸다. 10은 TCO 층을 나타낸다. 그리고 11은 본 발명에 따른 조성물 또는 다른 전도성 페이스트로부터 제조될 수 있는 후면 전극을 나타낸다.
전형적으로, 집전체 전극은 핑거 전극 및 버스바 전극으로 이루어진다. 일 실시형태에서, 핑거 전극 재료 및 버스바 재료는 동일한 재료로부터 생산된다. 전면과 후면의 설계는 달라질 수도 있는데, 예를 들어, 양면 전지의 경우 더 많은 핑거 또는 더 폭넓은 핑거들이 후면에 사용될 수 있거나 또는 단면 전지의 경우 핑거가 사용되지 않을 수도 있다. 버스 바 전극은, 일반적으로 한 전지의 상단을 다른 전지의 후면에 연결하는 금속 리본을 사용하여, 인접한 전지들간에 상호 접속을 이루는 역할을 한다. 이 상호접속은, 예를 들어, 솔더링 공정에 의해 또는 전도성 접착제를 사용하거나 또는 전도성 필름을 사용하여 수행될 수 있다. 그러한 설계가 사용되는 경우, 핑거 및 버스바에 사용되는 재료는 동일한 재료일 수도 있고, 단일 인쇄 또는 이중 인쇄 공정에 의해 도포될 수 있다. 이중 인쇄 공정은 일반적으로 인쇄의 높이를 증가시켜 라인 저항을 줄이기 위해 수행된다.
또 다른 실시형태에서, 핑거 전극 재료와 버스바 재료는 상이한 재료이고, 이 경우 이중 인쇄 공정이 사용될 필요가 있다. 두 재료 모두는 이중 인쇄 공정에서 이상적인 전체 성능 및 비용 이점을 갖도록 최적화될 수 있다. 핑거 전극은 섀도우잉 현상을 가능하게 적게 하기 위해 좁은 인쇄 폭으로 이상적인 미세 라인 인쇄 성능을 가지도록 최적화될 수 있다. 또한 밑에 있는 기판에 대해 이상적인 전도성 및 접촉 저항을 갖도록 최적화된다. 이 실시형태에서, 핑거 재료는 본 발명에 따른 접착제 페이스트이며, 버스바 전극은 태양 모듈로의 상이한 전지들의 상호 접속을 위한 접착을 위해 최적화될 수있다. 이 실시형태에서, 버스바는 상업적으로 입수 가능한 표준 전도성 페이스트로부터 형성될 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 인쇄된 미세 라인의 높이는 약 20㎛이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 인쇄된 라인의 폭은 약 70㎛, 바람직하게는 약 50㎛, 그리고 보다 바람직하게는 약 30㎛이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 인쇄된 미세 라인의 종횡비는 0.3 보다 크다. 0.3 보다 큰 종횡비는 최종 제품내의 재료 또는 전기 성능을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
그러나, 본 발명은 버스바 설계를 갖는 태양 전지에 국한되는 것이 아니라, 전지 상에 인쇄된 핑거 (3) 만을 갖는, 버스바가 없는 태양 전지 (1) 에도 관련된다. 이것은 도 3에 나타나 있다. 이러한 전지들은 버스바 역할을 하는 전도성 접착제/필름과 상호접속될 수 있거나, 또는 예를 들어 버스바 대신 와이어가 사용되는 다중 와이어 어레이를 사용하는 모듈에 사용될 수 있다.
본 발명은 전면 콘택트 태양 전지용 전극에 국한되는 것이 아니라 낮은 콘택트 저항률 (CR), 이로부터의 높은 전도성 저온 혜택에 대한 동일한 필요성을 갖는 후면 콘택트 태양 전지용 전극에도 관련된다. 따라서, 본 발명에 따른 전도성 페이스트 조성물은 표면 핑거 전극 재료 및/또는 후면 핑거 전극 재료로서 사용될 수 있다.
본 발명은 또한 태양 광기전 전지 상에서 전도성 네트워크를 제조하는 방법을 커버하며, 상기 방법은:
a) 본 발명에 따른 전도성 페이스트 조성물을 실리콘 기판 및/또는 투명 전도성 산화물 (TCO) 에 도포하는 단계, 및
b) 건조 및 경화시키는 단계를 포함한다.
일 실시형태에서, 태양 광기전 전지 상에서 전도성 네트워크를 제조하는 공정은 c) 버스바를 도포하는 단계를 더 포함한다.
일 실시형태에서, 태양 광기전 전지상에서 전도성 네트워크를 제조하는 공정은 c) 버스바를 도포하는 단계를 더 포함하고, 여기서 상기 버스바는 본 발명에 따른 전도성 페이스트로부터 형성된다.
또 다른 실시형태에서, 태양 광기전 전지상에서 전도성 네트워크를 제조하는 공정은 c) 버스바를 도포하는 단계를 더 포함하고, 여기서 상기 버스바는 비용 측면에서 또는 접착 측면에서 최적화된 성능을 갖는 임의의 다른 전도성 잉크 제제로부터 형성된다. 이는 버스바 재료로부터 높은 전도성 또는 미세 라인 인쇄성이 요구되지 않는 응용들에서 가능하다.
일 실시형태에서, 상기 전도성 페이스트 조성물은 스크린 인쇄, 스텐실 인쇄, 그라비어 인쇄, 오프셋 인쇄 및 잉크젯 인쇄로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해, 바람직하게는 스크린 인쇄에 의해 도포된다.
스크린 인쇄가 바람직한데, 미세 라인 인쇄에서 목표를 달성하기 위한 기술적으로 가장 좋은 방법이기 때문이다. 또한, 비용 때문에 바람직하다 (스텐실 인쇄는 동일한 전지 수에 대해 더 비싸다).
실시예
프로펠러 믹서를 사용하여 수지를 용매에 용해시켜 셀룰로오스 수지를 포함하는 조성물을 제조한 후, 수지/용매 마스터배치에 은 입자를 첨가하고 혼합물이 균일해질 때까지 혼합했다 (혼합은 스피드믹서 또는 프로펠러 믹서를 사용하여 수행되었다).
스피드믹서 또는 프로펠러 믹서를 사용하여 수지 및 잠재성 경화제를 혼합하여 열경화성 수지를 포함하는 조성물을 제조한 후, 혼합물에 은 입자를 첨가하고 혼합물이 균일해질 때까지 혼합했다 (혼합은 스피드믹서 또는 프로펠러 믹서를 사용하여 수행되었다).
이중 인쇄 접근법 양면 전지를 위한 인쇄 공정:
핑거들이 전지의 뒷면에 먼저 인쇄되었고, 건조되었다. 그 후, 버스바가 뒷면에 인쇄되었고 건조되었다. 전지가 뒤집어졌다. 핑거들이 전지의 전면 상에 인쇄되었고, 건조되었다. 후속하여, 버스바가 전지의 전면 상에 인쇄되었고, 건조되었다. 마지막으로, 전지는 완전히 경화 및/또는 건조되었다.
단일 인쇄 접근법 양면 전지를 위한 인쇄 공정:
핑거 및 버스바가 전지의 뒷면에 먼저 인쇄되었고, 건조되었다. 전지가 뒤집어졌다. 후속하여, 핑거 및 버스바가 전지의 전면 상에 인쇄되었다. 마지막으로, 전지는 완전히 경화 및/또는 건조되었다.
표 1은 실시예 조성물들에 사용된 모든 성분들을 열거한다. 값은 중량% 이다.
점도는 2cm 판, 200 미크론 갭 및 위에 나타낸 전단 속도 (10s-1 또는 100s-1) 를 사용하여 Rheometer 측정법에 따라 측정되었다.
체적 저항률 (VR) 은 다음과 같이 측정되었다:
샘플을 상기 실시예에 따른 조성물에 대해 유리판 상에 준비하였고 경화 및 건조시켰다 (사용된 수지에 대한 요건에 따름). 유리판을 측정하기 전에 실온으로 냉각시켰다.
체적 저항률 (VR) 은 Keithley 4점 프로브와 멀티미터 및 4점 프로브 저항 측정을 사용하여 측정되었다.
체적 저항률은 방정식 VR = (샘플의 폭 (cm) × 샘플의 두께 (cm) × 저항 (Ohm)) / 샘플의 길이 (cm) 로부터 계산되었다.
Claims (16)
- 태양 광기전 전지용 전도성 페이스트 조성물로서,
금속 입자들을 포함하며, 상기 금속 입자들은 상기 금속 입자들에 적합한 담체에 분산되고,
상기 담체는 용매 및 수지를 포함하고,
상기 금속 입자들의 적어도 일부는
- X 선 회절에 의해 정의되는, Ψ 값이 < 0.0020 이고,
- 결정화도가 적어도 50 % 이고,
- 결정학적 방향에 대해 이방성인 것
을 특징으로 하는 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 입자들은 Ag, Cu, Au, Pd, Ni, In, Sn, Zn, Li, Mg, Al 또는 Mo 로부터 선택되며, 바람직하게는 상기 금속 입자들은 은 입자이고, 보다 바람직하게는 상기 금속 입자들은 소결가능 은 입자인, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 금속 입자들의 적어도 5% 는
- X 선 회절에 의해 정의되는, Ψ 값이 < 0.0020 이고,
- 결정화도가 적어도 50 % 이고,
- 결정학적 방향에 대해 이방성인 것
을 특징으로 하는 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용매는 알코올, 방향족 탄화수소, 포화 탄화수소, 염화 탄화수소, 에테르, 폴리올, 에스테르, 이염기성 에스테르, 케로센, 고비점 알코올 및 이의 에스테르, 글리콜 에테르, 케톤, 아미드, 헤테로방향족 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 용매는 이염기성 에스테르, 아세테이트, 락톤 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 4 항에 있어서,
상기 용매는 디프로필렌 글리콜, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 헥실렌 글리콜, 1-메톡시-2- 프로판올, 디아세톤 알코올, tert-부틸 알코올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 트리데칸올, 1,2-옥탄디올, 부틸디글리콜, 알파-테르피네올 또는 베타-테르피네올, 2-(2-부톡시에톡시)에틸 아세테이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디이소부티레이트, 1,2-프로필렌 카보네이트, 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨, 2-페녹시 에탄올, 에틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜, 또는 디부틸프탈레이트, 감마-부티로락톤, 이염기성 에스테르, 이염기성 에스테르 9, 이염기성 에스테르 7, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 상기 용매는 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨 아세테이트 및 이염기성 에스테르, 이염기성 에스테르 9, 이염기성 에스테르 7 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지는 셀룰로오스계 수지, 폴리에스테르 수지, 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 할로겐화 수지로서, 염화 비닐리덴의 동종 중합체 및 염화 비닐리덴과 아크릴니트릴의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 할로겐화 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 열경화성 수지로서, 에폭시 수지, 아크릴레이트 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 실리콘 수지 및 옥세탄 관능화 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된, 상기 열경화성 수지 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 입자들은 상기 조성물의 총 중량 기준으로 20 내지 98 중량%, 바람직하게는 50 내지 95 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 75 내지 92 중량% 로 상기 조성물에 존재하는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지는 상기 조성물의 총 중량 기준으로 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 8 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 1 내지 6 중량% 로 상기 조성물에 존재하는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용매는 상기 조성물의 총 중량 기준으로 1 내지 30 중량%, 바람직하게는 1.5 내지 20 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 2 내지 10 중량% 로 상기 조성물에 존재하는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 조성물은 경화제를 더 포함하는, 전도성 페이스트 조성물. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 전도성 페이스트 조성물의 용도로서, 태양 광기전 전지에서 핑거 전극 재료 및/또는 버스바 재료로서의, 용도.
- 제 11 항에 있어서,
표면 핑거 전극 재료 및/또는 후면 핑거 전극 재료로서의, 용도. - 태양 광기전 전지 상에서 전도성 네트워크를 제조하는 방법으로서,
a) 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 전도성 페이스트 조성물을 실리콘 기판 및/또는 투명 전도성 산화물 (TCO) 에 도포하는 단계, 및
b) 건조 및 경화시키는 단계
를 포함하는, 전도성 네트워크를 제조하는 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 전도성 페이스트 조성물은 스크린 인쇄, 스텐실 인쇄, 그라비어 인쇄, 오프셋 인쇄 및 잉크젯 인쇄로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해, 바람직하게는 스크린 인쇄에 의해 도포되는, 전도성 네트워크를 제조하는 방법. - 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 방법은 c) 버스바를 도포하는 단계를 더 포함하는, 전도성 네트워크를 제조하는 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 버스 바는 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 전도성 페이스트 또는 표준 전도성 페이스트로부터 형성되는, 전도성 네트워크를 제조하는 방법.
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