KR20180040667A

KR20180040667A - 접속 방법

Info

Publication number: KR20180040667A
Application number: KR1020187007248A
Authority: KR
Inventors: 게이스케 이나세
Original assignee: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date: 2015-12-14
Filing date: 2016-11-30
Publication date: 2018-04-20
Also published as: JP2017112148A; CN108292611A; HK1255356A1; WO2017104417A1; TW201724925A

Abstract

제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법으로서, 상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 열경화형 이방성 도전 필름을 배치하고, 상기 제 1 회로 부재 측으로부터 상기 제 1 회로 부재 너머로 광을 조사하여, 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 적어도 상기 제 1 회로 부재 측의 표면을 연화시켜, 임시 첩합을 실시하는 임시 첩합 공정과, 상기 열경화형 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 열경화형 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 제 2 회로 부재를 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 가열 가압 공정을 포함하는 접속 방법이다.

Description

접속 방법

본 발명은, 접속 방법에 관한 것이다.

종래부터, 전자 부품을 기판과 접속시키는 수단으로서, 도전성 입자가 분산된 열경화성 수지를 박리 필름에 도포한 테이프상의 접속 재료 (예를 들어, 이방성 도전 필름 (ACF ; Anisotropic Conductive Film)) 이 사용되고 있다.

이 이방성 도전 필름은, 예를 들어, 플렉시블 프린트 기판 (FPC) 이나 IC (Integrated Circuit) 칩의 단자와, LCD (Liquid Crystal Display) 패널의 유리 기판 상에 형성된 전극을 접속시키는 경우를 비롯하여, 다양한 단자끼리를 접착시킴과 함께 전기적으로 접속시키는 경우에 사용되고 있다.

최근, 이방성 도전 필름을 사용한 접속에서는, LCD 패널 등의 기판에 대한 열 영향 저감 및 생산성 향상의 관점에서, 저온 또한 단시간에서의 접속이 요구되고 있다.

그래서, 저온 또한 단시간에서의 접속에 대응하는 이방성 도전 필름이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).

이방성 도전 필름을 사용한 접속에서는, 통상적으로 기판 상에 이방성 도전 필름 및 IC 칩을 배치한 후, 이방성 도전 필름의 위치 어긋남이 발생하지 않도록, 소정의 온도에서 임시 첩합을 실시한다. 이 온도는, 본 압착의 온도보다 낮은 온도에서 실시되는데, 최근, 저온 또한 단시간에서의 접속에 대응하는 이방성 도전 필름을 사용하였을 때에는, 임시 첩합시에 가열 툴을 사용하여 열을 가하면, 이방성 도전 필름에 다소의 경화가 발생하여, 본 압착에서의 접속에 악영향을 준다는 문제가 있다.

일본 공개특허공보 2011-168786호

본 발명은, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하고, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 본 압착 후의 접속에 악영향을 주지 않고 임시 첩합을 실시할 수 있는 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로는, 이하와 같다. 즉,

＜1＞ 제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법으로서,

상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 열경화형 이방성 도전 필름을 배치하고, 상기 제 1 회로 부재 측으로부터 상기 제 1 회로 부재 너머로 광을 조사하여, 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 적어도 상기 제 1 회로 부재 측의 표면을 연화시켜, 임시 첩합을 실시하는 임시 첩합 공정과,

상기 열경화형 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 열경화형 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 배치 공정과,

상기 제 2 회로 부재를 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 가열 가압 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법이다.

＜2＞ 상기 열경화형 이방성 도전 필름이, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열 변환 재료를 함유하는 상기 ＜1＞ 에 기재된 접속 방법이다.

＜3＞ 상기 광이, 자외선이고,

상기 광열 변환 재료가, 자외선 흡수제인 상기 ＜2＞ 에 기재된 접속 방법이다.

본 발명에 의하면, 종래에 있어서의 상기 여러 문제를 해결하고, 상기 목적을 달성할 수 있으며, 본 압착 후의 접속에 악영향을 주지 않고 임시 첩합을 실시할 수 있는 접속 방법을 제공할 수 있다.

도 1a 는 본 발명의 접속 방법의 일례를 설명하기 위한 개략도이다 (그 1).
도 1b 는 본 발명의 접속 방법의 일례를 설명하기 위한 개략도이다 (그 2).
도 1c 는 본 발명의 접속 방법의 일례를 설명하기 위한 개략도이다 (그 3).
도 1d 는 본 발명의 접속 방법의 일례를 설명하기 위한 개략도이다 (그 4).
도 1e 는 본 발명의 접속 방법의 일례를 설명하기 위한 개략도이다 (그 5).

(접속 방법)

본 발명의 접속 방법은, 임시 첩합 공정과, 배치 공정과, 가열 가압 공정을 적어도 포함하고, 추가로 필요에 따라, 그 밖의 공정을 포함한다.

상기 접속 방법은, 제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 방법이다.

＜임시 첩합 공정＞

상기 임시 첩합 공정으로는, 상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 열경화형 이방성 도전 필름을 배치하고, 상기 제 1 회로 부재 측으로부터 상기 제 1 회로 부재 너머로 광을 조사하여, 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 적어도 상기 제 1 회로 부재 측의 표면을 연화시켜, 임시 첩합을 실시하는 공정이면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 열경화형 이방성 도전 필름의 상기 제 1 회로 부재 측의 표면을 연화시킴으로써, 상기 제 1 회로 부재에 대한 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 접착성을 향상시킬 수 있어, 임시 첩합 후의 열경화형 이방성 도전 필름의 위치 어긋남을 방지할 수 있다.

나아가서는, 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 상기 제 1 회로 부재 측의 표면의 연화를 광의 조사에 의해 실시함으로써, 가열에 의한 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 경화를 억제하여, 본 압착 후의 접속에 악영향을 주지 않고 임시 첩합을 실시할 수 있다.

상기 광으로는, 자외선이 바람직하다. 상기 자외선이란, 가시광선보다 짧고 연 X 선보다 긴 전자파이며, 예를 들어, 10 ㎚ ∼ 400 ㎚ 의 파장이다.

상기 광을 조사하는 시간으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 0.5 초간 ∼ 5 초간 등을 들 수 있다.

＜＜제 1 회로 부재＞＞

상기 제 1 회로 부재로는, 광투과성 기재 상에 단자를 갖는 한, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 배선 기판, 전자 부품, 플렉시블 배선 기판 (FPC) 등을 들 수 있다. 상기 배선 기판으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, LCD 기판, PDP 기판, 유기 EL 기판 등을 들 수 있다.

-광투과성 기재-

상기 광투과성 기재로는, 예를 들어, 유리 기재, 플라스틱 기재 등을 들 수 있다. 상기 광투과성 기재에 있어서의 광투과성은, 상기 열경화형 이방성 도전 필름에 조사되는 광을 투과 가능하면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 또한, 조사되는 광에 대한 상기 광투과성 기재의 광 투과율은 100 ％ 일 필요는 없다.

상기 광투과성 기재에 있어서의 파장 200 ㎚ ∼ 750 ㎚ 의 광의 투과율로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 50 ％ ∼ 100 ％ 가 바람직하고, 70 ％ ∼ 100 ％ 가 보다 바람직하다.

-단자-

상기 제 1 회로 부재에 있어서, 상기 단자는, 상기 광투과성 기재 상에 배치되어 있다.

상기 광투과성 기재 상에 배치되는 상기 단자의 배치로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 단자는, 광투과성을 갖고 있어도 되고, 광투과성을 갖고 있지 않아도 된다. 즉, 상기 단자는, ITO (인듐주석 산화물) 와 같은 광투과성의 도전체여도 되고, 구리, 은, 금과 같은 비광투과성의 도전체여도 된다.

상기 단자는, 상기 광투과성 기재 상에 간격을 두고 배치되어 있기 때문에, 설령 상기 단자가 비투과성의 단자라도, 상기 제 1 회로 부재 너머로 상기 열경화형 이방성 도전 필름에 조사되는 광은, 상기 단자 사이의 간극으로부터 상기 열경화형 이방성 도전 필름에 도달한다.

상기 제 1 회로 부재의 형상, 크기로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

＜＜열경화형 이방성 도전 필름＞＞

상기 열경화형 이방성 도전 필름으로는, 가열됨으로써 경화되는 이방성 도전 필름이면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

상기 열경화형 이방성 도전 필름은, 1 층 타입과 2 층 타입으로 나눌 수 있다.

1 층 타입의 상기 열경화형 이방성 도전 필름은, 예를 들어, 막 형성 수지와, 열경화성 수지와, 열경화제와, 도전성 입자와, 광열 변환 재료를 적어도 함유하고, 추가로 필요에 따라, 그 밖의 성분을 함유한다.

2 층 타입의 상기 열경화형 이방성 도전 필름은, 예를 들어, 도전성 입자 함유층과 절연성 수지층을 갖는다.

상기 도전성 입자 함유층은, 예를 들어, 막 형성 수지와, 열경화성 수지와, 열경화제와, 도전성 입자와, 광열 변환 재료를 적어도 함유하고, 추가로 필요에 따라, 그 밖의 성분을 함유한다.

상기 절연성 수지층은, 예를 들어, 막 형성 수지와, 열경화성 수지와, 열경화제를 적어도 함유하고, 추가로 필요에 따라, 그 밖의 성분을 함유한다.

-막 형성 수지-

상기 막 형성 수지로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 페녹시 수지, 불포화 폴리에스테르수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 상기 막 형성 수지는, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 제막성, 가공성, 접속 신뢰성의 면에서 페녹시 수지가 바람직하다.

상기 페녹시 수지로는, 예를 들어, 비스페놀 A 와 에피클로로히드린으로부터 합성되는 수지 등을 들 수 있다.

상기 페녹시 수지는, 적절히 합성한 것을 사용해도 되고, 시판품을 사용해도 된다.

상기 막 형성 수지의 함유량으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 5 질량％ ∼ 40 질량％ 가 바람직하고, 10 질량％ ∼ 30 질량％ 가 보다 바람직하고, 15 질량％ ∼ 25 질량％ 가 특히 바람직하다.

본 명세서에 있어서, 함유량이란, 1 층에 있어서의 함유량을 의미한다.

즉, 상기 열경화형 이방성 도전 필름이 1 층 타입인 경우, 함유량이란, 상기 열경화형 이방성 도전 필름에 있어서의 함유량이다.

즉, 상기 열경화형 이방성 도전 필름이 2 층 타입인 경우, 함유량이란, 상기 도전성 입자 함유층 및 상기 절연성 수지층의 각각의 층에 있어서의 함유량이다.

-열경화형 수지-

상기 열경화성 수지 (열경화 성분) 로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 에폭시 수지, 라디칼 중합성 화합물 등을 들 수 있다.

--에폭시 수지--

상기 에폭시 수지로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 그것들의 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이것들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

--라디칼 중합성 화합물--

상기 라디칼 중합성 화합물로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-하이드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이것들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

또, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있으며, 이것들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

상기 열경화성 수지의 함유량으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 각각 20 질량％ ∼ 70 질량％ 가 바람직하고, 30 질량％ ∼ 60 질량％ 가 보다 바람직하다.

-열경화제-

상기 열경화제로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 이미다졸류, 유기 과산화물, 아니온계 경화제, 카티온계 경화제 등을 들 수 있다.

상기 이미다졸류로는, 예를 들어, 2-에틸 4-메틸이미다졸 등을 들 수 있다.

상기 유기 과산화물로는, 예를 들어, 라우로일퍼옥사이드, 부틸퍼옥사이드, 디라우로일퍼옥사이드, 디부틸퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트, 벤조일퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

상기 아니온계 경화제로는, 예를 들어, 유기 아민류 등을 들 수 있다.

상기 카티온계 경화제로는, 예를 들어, 술포늄염, 오늄염, 알루미늄 킬레이트제 등을 들 수 있다.

상기 열경화제의 함유량으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1 질량％ ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 3 질량％ ∼ 8 질량％ 가 보다 바람직하다.

이것들 중에서의, 저온 또한 단시간 경화에 적합한 점에서, 열경화성 수지가 에폭시 수지이고, 열경화제가 카티온계 경화제인 조합이 바람직하다.

-도전성 입자-

상기 도전성 입자로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 금속 입자, 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다.

상기 금속 입자로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐, 땜납 등을 들 수 있다. 이것들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

이것들 중에서도, 니켈, 은, 구리가 바람직하다. 이들 금속 입자는, 표면 산화를 방지할 목적으로, 그 표면에 금, 팔라듐을 입히고 있어도 된다. 또한, 표면에 금속 돌기나 유기물로 절연 피막을 형성한 것을 사용해도 된다.

상기 금속 피복 수지 입자로는, 수지 입자의 표면을 금속으로 피복한 입자이면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 수지 입자의 표면을 니켈, 은, 땜납, 구리, 금, 및 팔라듐 중 적어도 어느 금속으로 피복한 입자 등을 들 수 있다. 또한, 표면에 금속 돌기나 유기물로 절연 피막을 형성한 것을 사용해도 된다. 저저항을 고려한 접속의 경우, 수지 입자의 표면을 은으로 피복한 입자가 바람직하다.

상기 수지 입자로의 금속의 피복 방법으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 무전해 도금법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다.

상기 수지 입자의 재질로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 벤조구아나민 수지, 가교 폴리스티렌 수지, 아크릴 수지, 스티렌-실리카 복합 수지 등을 들 수 있다.

상기 도전성 입자는, 이방성 도전 접속시에 도전성을 갖고 있으면 된다. 예를 들어, 금속 입자의 표면에 절연 피막을 형성한 입자여도, 이방성 도전 접속시에 상기 입자가 변형되어, 상기 금속 입자가 노출되는 것이면, 상기 도전성 입자이다.

상기 도전성 입자의 평균 입자경으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1 ㎛ ∼ 50 ㎛ 가 바람직하고, 2 ㎛ ∼ 30 ㎛ 가 보다 바람직하고, 3 ㎛ ∼ 15 ㎛ 가 특히 바람직하다.

상기 평균 입자경은, 임의로 10 개의 도전성 입자에 대해 측정한 입자경의 평균값이다.

상기 입자경은, 예를 들어, 주사형 전자 현미경 관찰에 의해 측정할 수 있다.

상기 도전성 입자의 함유량으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 10 질량％ ∼ 40 질량％ 가 바람직하고, 20 질량％ ∼ 35 질량％ 가 보다 바람직하다.

상기 도전성 입자의 함유량이 많으면, 상기 도전성 입자를 함유하는 층 (1 층 타입인 경우에는 이방성 도전 필름 자체이고, 2 층 타입인 경우에는 도전성 입자 함유층) 의 상온에서의 점착성이 없어진다. 본 발명의 접속 방법은, 그와 같이, 상온에서 점착성이 없는 이방성 도전 필름을 사용한 경우의 접속에 특히 적합하다.

-광열 변환 재료-

상기 광열 변환 재료로는, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 유기 화합물이면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 자외선 흡수제, 광 안정제 등을 들 수 있다.

상기 자외선 흡수제는, 자외선이 보유하는 에너지를 분자 내에서 진동 에너지로 변환시키고, 그 진동 에너지를 열 에너지로서 방출하는 기능을 갖는다.

상기 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 트리아진계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.

상기 벤조트리아졸계 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 2-〔2'-하이드록시-5'-(하이드록시메틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-5'-(2-하이드록시에틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-5'-(3-하이드록시프로필)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-메틸-5'-(하이드록시메틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-메틸-5'-(2-하이드록시에틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-메틸-5'-(3-하이드록시프로필)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-부틸-5'-(하이드록시메틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-부틸-5'-(2-하이드록시에틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-부틸-5'-(2-하이드록시에틸)페닐〕-5-클로로-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-부틸-5'-(3-하이드록시프로필)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-옥틸-5'-(하이드록시메틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-옥틸-5'-(2-하이드록시에틸)페닐〕-2H-벤조트리아졸, 2-〔2'-하이드록시-3'-t-옥틸-5'-(3-하이드록시프로필)페닐〕-2H-벤조트리아졸 등을 들 수 있다.

상기 트리아진계 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 2-(2-하이드록시-4-하이드록시메틸페닐)-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-(2-하이드록시-4-하이드록시메틸페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(2-하이드록시에틸)페닐〕-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(2-하이드록시에틸)페닐〕-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(2-하이드록시에톡시)페닐〕-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(2-하이드록시에톡시)페닐〕-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(3-하이드록시프로필)페닐〕-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(3-하이드록시프로필)페닐〕-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(3-하이드록시프로폭시)페닐〕-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(3-하이드록시프로폭시)페닐〕-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(4-하이드록시부틸)페닐〕-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(4-하이드록시부틸)페닐〕-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(4-하이드록시부톡시)페닐〕-4,6-디페닐-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(4-하이드록시부톡시)페닐〕-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진, 2-(2-하이드록시-4-하이드록시메틸페닐)-4,6-비스(2-하이드록시-4-메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(2-하이드록시에틸)페닐〕-4,6-비스(2-하이드록시-4-메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(2-하이드록시에톡시)페닐〕-4,6-비스(2-하이드록시-4-메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(3-하이드록시프로필)페닐〕-4,6-비스(2-하이드록시-4-메틸페닐)-s-트리아진, 2-〔2-하이드록시-4-(3-하이드록시프로폭시)페닐〕-4,6-비스(2-하이드록시-4-메틸페닐)-s-트리아진, 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-(옥틸옥시)페놀, 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀 등을 들 수 있다.

상기 벤조페논계 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디(하이드록시메틸)벤조페논, 2,2'-디하이드록시-4,4'-디(2-하이드록시에틸)벤조페논, 2,2'-디하이드록시-3,3'-디메톡시-5,5'-디(하이드록시메틸)벤조페논, 2,2'-디하이드록시-3,3'-디메톡시-5,5'-디(2-하이드록시에틸)벤조페논, 2,2'-디하이드록시-3,3'-디(하이드록시메틸)-5,5'-디메톡시벤조페논, 2,2'-디하이드록시-3,3'-디(2-하이드록시에틸)-5,5'-디메톡시벤조페논, 2,2-디하이드록시-4,4-디메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.

상기 자외선 흡수제는, 시판품을 사용해도 된다. 상기 시판품으로는, 예를 들어, LA-31 (ADEKA 사 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제), TINUVIN234 (BASF 사 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제), TINUVIN928 (BASF 사 제조, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제), TINUVIN1577FF (BASF 사 제조, 트리아진계 자외선 흡수제), TINUVIN477 (BASF 사 제조, 트리아진계 자외선 흡수제), TINUVIN479 (BASF 사 제조, 트리아진계 자외선 흡수제), CYASORB UV-1164 (사이텍 인더스트리즈사 제조, 트리아진계 자외선 흡수제) 등을 들 수 있다.

상기 광 안정제로는, 예를 들어, 힌더드 아민계 광 안정제 등을 들 수 있다.

상기 힌더드 아민계 광 안정제로는, 예를 들어, 데칸이산비스(2,2,6,6-테트라메틸-1(옥틸옥시)-4-피페리디닐)에스테르, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)[[3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트, 테트라키스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)-1,2,3,4-부탄테트라카르복실레이트, 테트라키스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)-1,2,3,4-부탄테트라카르복실레이트 등을 들 수 있다.

상기 힌더드 아민계 광 안정제는, 시판품을 사용해도 된다. 상기 시판품으로는, 예를 들어, LA-52, LA-57, LA-62, LA-63, LA-63p, LA-67, LA-68 (모두 ADEKA 사 제조), Tinuvin744, Tinuvin770, Tinuvin765, Tinuvin123, Tinuvin144, Tinuvin622LD, CHIMASSORB944LD (모두 BASF 사 제조), UV-3034 (B.F. 굿 리치사 제조) 등을 들 수 있다.

상기 광열 변환 재료의 함유량으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.8 질량％ ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 3 질량％ ∼ 8 질량％ 가 보다 바람직하다.

-그 밖의 성분-

상기 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 엘라스토머 등을 들 수 있다.

--엘라스토머--

상기 엘라스토머로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 폴리우레탄 수지 (폴리우레탄계 엘라스토머), 아크릴 고무, 실리콘 고무, 부타디엔 고무 등을 들 수 있다.

상기 엘라스토머의 함유량으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 1 질량％ ∼ 15 질량％ 가 바람직하고, 3 질량％ ∼ 10 질량％ 가 보다 바람직하다.

상기 열경화형 이방성 도전 필름의 평균 두께로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 2 ㎛ ∼ 60 ㎛ 가 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 45 ㎛ 가 보다 바람직하고, 10 ㎛ ∼ 30 ㎛ 가 특히 바람직하다.

상기 열경화형 이방성 도전 필름이 2 층 타입인 경우, 각 층의 평균 두께는, 1 ㎛ ∼ 30 ㎛ 가 바람직하고, 2.5 ㎛ ∼ 22.5 ㎛ 가 보다 바람직하고, 5 ㎛ ∼ 15 ㎛ 가 특히 바람직하다.

상기 임시 첩합 공정에 있어서는, 광의 조사와 함께, 가압을 실시해도 된다. 상기 가압은, 예를 들어, 상기 제 2 회로 부재를 가압함으로써 실시해도 된다. 상기 가압의 압력으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 0.1 ㎫ ∼ 8 ㎫ 가 바람직하다.

상기 가압은, 가압 부재를 사용하여 실시할 수 있다. 상기 가압시에는, 상기 가압 부재를 가열하지 않고 상온에서 가압을 실시한다.

＜배치 공정＞

상기 배치 공정으로는, 상기 열경화형 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 열경화형 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 공정이면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

＜＜제 2 회로 부재＞＞

상기 제 2 회로 부재로는, 단자를 갖는 한, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 배선 기판, 전자 부품, 플렉시블 배선 기판 (FPC) 등을 들 수 있다.

상기 배선 기판으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, LCD 기판, PDP 기판, 유기 EL 기판 등을 들 수 있다.

상기 전자 부품으로는, 예를 들어, IC 칩, IC 칩을 탑재한 TAB 테이프 등을 들 수 있다.

상기 제 2 회로 부재의 크기, 형상으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.

＜가열 가압 공정＞

상기 가열 가압 공정으로는, 상기 제 2 회로 부재를 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 공정이면, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압할 수 있다.

상기 가열 가압 부재로는, 예를 들어, 가열 기구를 갖는 가압 부재 등을 들 수 있다. 상기 가열 기구를 갖는 가압 부재로는, 예를 들어, 히트 툴 등을 들 수 있다.

상기 가열의 온도로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 130 ℃ ∼ 180 ℃ 가 바람직하다.

상기 가압의 압력으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 10 ㎫ ∼ 100 ㎫ 가 바람직하다.

상기 가열 및 가압의 시간으로는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어, 1 초간 ∼ 120 초간 등을 들 수 있다.

여기서, 본 발명의 접속 방법의 일례를, 도면을 사용하여 설명한다.

먼저, 도 1a 에 나타내는 바와 같이, 제 1 회로 부재 (1) 를 준비한다. 제 1 회로 부재 (1) 는, 광투과성을 갖는 기판 (1A) 과, 기판 (1A) 상에 단자 (1B) 를 갖는다.

다음으로, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 회로 부재 (1) 의 단자 (1B) 상에 열경화형 이방성 도전 필름 (2) 을 얹는다. 열경화형 이방성 도전 필름 (2) 은 1 층 타입이며, 층 전체에 도전성 입자를 함유하고 있는데, 도 1b 중에서는 그 도시를 생략하고 있다.

다음으로, 도 1c 에 나타내는 바와 같이, 제 1 회로 부재 (1) 측으로부터, 화살표로 나타내는 바와 같이, 열경화형 이방성 도전 필름 (2) 에 광을 조사한다. 이 때, 열경화형 이방성 도전 필름 (2) 을 히트 툴 (10) 에 의해 가압한다. 또한 히트 툴 (10) 은 가열되고 있지 않으며, 상온이다.

다음으로, 도 1d 에 나타내는 바와 같이, 열경화형 이방성 도전 필름 (2) 상에 제 2 회로 부재 (3) 를, 제 2 회로 부재 (3) 의 단자 (3A) 가 열경화형 이방성 도전 필름 (2) 과 접하도록 배치한다. 제 2 회로 부재 (3) 는, 단자 (3A) 를 갖고 있다. 제 2 회로 부재 (3) 는, 단자 (3A) 가 제 1 회로 부재 (1) 의 단자 (1B) 와 대향하도록 배치된다.

다음으로, 도 1e 에 나타내는 바와 같이, 제 2 회로 부재 (3) 를 히트 툴 (11) 에 의해 가열 가압한다. 그렇게 함으로써, 제 1 회로 부재 (1) 의 단자 (1B) 와 제 2 회로 부재 (3) 의 단자 (3A) 가, 도전성 입자를 통하여 이방성 도전 접속된다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예를 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.

(비교예 1)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

페녹시 수지 (상품명 : YP70, 신닛테츠 스미킨 화학사 제조) 20 질량부

액상 에폭시 수지 (상품명 : EP828, 미츠비시 화학사 제조) 30 질량부

고형 에폭시 수지 (상품명 : YD014, 신닛테츠 스미킨 화학사 제조) 20 질량부

도전성 입자 (상품명 : AUL704, 세키스이 화학 공업사 제조, 평균 입자경 4 ㎛) 30 질량부

열 카티온계 경화제 (상품명 : SI-80L, 산신 화학사 제조) 5 질량부

얻어진 혼합물을 실리콘 처리한 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 상에 건조 후의 평균 두께가 20 ㎛ 가 되도록 바 코터로 도포하고, 70 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 이방성 도전 필름 (ACF) 을 제조하였다.

(실시예 1-1)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

자외선 흡수제 (상품명 : LA-31, ADEKA 사 제조) 5 질량부

(실시예 1-2)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

자외선 흡수제 (상품명 : LA-36, ADEKA 사 제조) 5 질량부

(실시예 1-3)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

자외선 흡수제 (상품명 : LA-31, ADEKA 사 제조) 1 질량부

(실시예 1-4)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

자외선 흡수제 (상품명 : LA-31, ADEKA 사 제조) 10 질량부

(실시예 2)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

＜＜도전성 입자 함유층 (ACF 층) 의 제조＞＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

자외선 흡수제 (상품명 : LA-31, ADEKA 사 제조) 5 질량부

얻어진 혼합물을 실리콘 처리한 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 상에 건조 후의 평균 두께가 10 ㎛ 가 되도록 바 코터로 도포하고, 70 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 도전성 입자 함유층 (ACF 층) 을 제조하였다.

＜＜절연성 접착층 (NCF 층) 의 제조＞＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

얻어진 혼합물을 실리콘 처리한 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 상에 건조 후의 평균 두께가 10 ㎛ 가 되도록 바 코터로 도포하고, 70 ℃ 에서 5 분간 건조시켜 절연성 접착층 (NCF 층) 을 제조하였다.

도전성 입자 함유층 (ACF 층) 과 절연성 접착층 (NCF 층) 을, 압착 롤러를 사용하여 첩합함으로써, 평균 두께 20 ㎛ 의 이방성 도전 필름을 얻었다.

(비교예 2)

＜이방성 도전 필름의 제조＞

＜＜도전성 입자 함유층 (ACF 층) 의 제조＞＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

＜＜절연성 접착층 (NCF 층) 의 제조＞＞

이하의 배합을 균일하게 혼합하여, 혼합물을 제조하였다.

-배합-

자외선 흡수제 (상품명 : LA-30, ADEKA 사 제조) 5 질량부

〔임시 첩합 시험〕

폭 4.0 ㎜ × 길이 40.0 ㎜ 의 크기의 이방성 도전 필름을 준비하였다. 이방성 도전 필름은, 베이스 필름과 커버 필름 사이에 끼워져 있다.

두께 0.5 ㎜ 의 유리 기판 상에 커버 필름을 박리한 이방성 도전 필름을 두었다. 그리고, 이방성 도전 필름을, 완충재〔테플론 (등록 상표), 두께 0.050 ㎜〕를 개재하여, 가열 가압 툴 (폭 10.0 ㎜ × 길이 40.0 ㎜) 에 의해, 실온, 1 ㎫, 1 초간 동안 가압하면서, 유리 기판측으로부터, UV 조사기를 사용하여, 1 초간, UV 광을 이방성 도전 필름에 조사하여, 임시 첩합을 실시하였다.

임시 첩합 후, 이방성 도전 필름으로부터 베이스 필름을 박리하였다. 그 때, 베이스 필름과 함께 이방성 도전 필름이 유리 기판으로부터 박리된 것을「NG」로 하였다. 이 임시 첩합 시험을 10 회 실시하여,「NG」의 횟수를 카운트하였다. 결과를 표 1 및 표 2 에 나타냈다.

또한, 각종 조건은 이하와 같다.

유리 기판 : ITO 코팅 유리, 유리 두께 0.7 ㎜

베이스 필름 : 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름

커버 필름 : 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름

완충재 : 테플론 (등록 상표), 두께 0.050 ㎜

가열 가압 툴 : 폭 10.0 ㎜ × 길이 40.0 ㎜

UV 조사 조건 :

· UV 조사기 : SP-9, 우시오 전기사 제조

· UV 강도 : 365 ㎚ 에서 300 ㎽/㎠

· UV 조사 범위 : 폭 약 4.0 ㎜ × 길이 약 44.0 ㎜

또, 실시예 2 및 비교예 2 의 이방성 도전 필름을 임시 첩합할 때에는, 도전성 입자 함유층이 유리 기판과 접하도록 하였다.

다음으로, 실시예 1-1 의 이방성 도전 필름을 사용하여, 임시 첩합 조건을 변경하여, 임시 첩합 시험, 및 도통 저항 측정을 실시하였다. 결과를 표 3 에 나타냈다.

〔임시 첩합 시험〕

임시 첩합 시험은, 상기 서술한 임시 첩합 시험 방법에 있어서, 임시 첩합 조건을 이하와 같이 변경한 것 이외에는, 상기 서술한 임시 첩합 시험 방법과 동일하게 하여 시험을 실시하였다.

비교예 3 : 75 ℃, 1 ㎫, 1 초간, UV 조사 없음

비교예 4 : 60 ℃, 1 ㎫, 1 초간, UV 조사 없음

실시예 3 : 실온, 1 ㎫, 1 초간, UV 조사 있음 (상기 서술한 임시 첩합 시험과 동일한 조건)

〔도통 저항 측정〕

도통 저항 측정은 이하와 같이 하여 실시하였다.

두께 0.5 ㎜ 의 평가용 유리 기판 상에 커버 필름을 박리한 이방성 도전 필름을 두었다. 다음으로, 베이스 필름을 박리하고, 완충재를 개재하여, 가열 가압 툴을 사용하여, 상기 임시 첩합 조건으로 임시 첩합을 실시하였다.

다음으로, 평가용 IC 칩을 상기 이방성 도전 필름 상에 두었다.

다음으로, 완충재를 개재하여, 가열 가압 툴에 의해, 150 ℃, 70 ㎫, 5 초간 동안 본 압착을 실시하여, 접합체를 얻었다.

평가용 유리 기판 : ITO 코팅 유리 (데쿠세리아루즈 주식회사의 평가용 기재, 전체 표면 ITO 코트)

베이스 필름 : 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름

커버 필름 : 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름

완충재 : 테플론 (등록 상표), 두께 0.050 ㎜

가열 가압 툴 : 폭 10.0 ㎜ × 길이 40.0 ㎜

UV 조사 조건 :

· UV 조사기 : SP-9, 우시오 전기사 제조

· UV 강도 : 365 ㎚ 에서 300 ㎽/㎠

· UV 조사 범위 : 폭 약 4.0 ㎜ × 길이 약 44.0 ㎜

완충재 : 테플론 (등록 상표), 두께 0.050 ㎜

가열 가압 툴 : 폭 10.0 ㎜ × 길이 40.0 ㎜

평가용 IC 칩 :

· 외경 : 1.8 ㎜ × 20 ㎜

· 두께 : 0.2 ㎜

· Bump 사양 : 금 도금, 높이 9 ㎛, 사이즈 30 ㎛ × 85 ㎛

＜＜도통 저항＞＞

접합체에 대해, 초기, 및 고온 고습 보존 (85 ℃, 85 ％RH, 500 시간) 후의 도통 저항값 (Ω) 을 이하의 방법으로 측정하였다.

구체적으로는, 디지털 멀티미터 (품번 : 디지털 멀티미터 7555, 요코가와 전기 주식회사 제조) 를 사용하여 4 단자법으로 전류 1 ㎃ 를 흐르게 하였을 때의 저항값을 측정하였다. 30 채널에 대해 저항값을 측정하고, 최대의 저항값을 측정값으로 하였다.

실시예 1-1 ∼ 1-4, 실시예 2 및 실시예 3 에서는, 확실히 임시 첩합할 수 있었다. 즉, 이방성 도전 필름에 배합된 광열 변환 재료가, 임시 첩합시에 조사된 UV 에 반응하여, 열을 발생시켜, 유리 기판과의 계면의 이방성 도전 필름의 표면을 일시적으로 연화시킴으로써, 유리 기판과의 밀착성이 향상되어, 임시 첩합성이 양호하였다.

비교예 1 에서는, 이방성 도전 필름에 광열 변환 재료가 배합되어 있지 않기 때문에, 임시 첩합시의 UV 조사에 있어서, 이방성 도전 필름의 연화가 발생하지 않았다. 그 때문에, 유리 기판과 이방성 도전 필름의 밀착성이 향상되지 않아, 임시 첩합성이 불충분하였다.

비교예 2 에서는, 도전성 입자 함유층과 절연성 접착층을 갖는 이방성 도전 필름에 광열 변환 재료를 함유시켰다. 그러나, 광열 변환 재료를 함유시키고 있는 절연성 접착층이 유리 기판과 접하지 않았다. 그 때문에, 광열 변환 재료에 의해 절연성 접착층이 연화되어도, 유리 기판과 접하고 있는 도전성 입자 함유층은 연화되지 않았기 때문에, 유리 기판과 도전성 입자 함유층의 밀착성 향상에는 기여하지 않는 결과, 임시 첩합성은 불충분하였다.

실시예 3 및 비교예 3 은, 임시 첩합성이 양호하였다.

비교예 4 는, 60 ℃ 에서 임시 첩합하였지만, 임시 첩합성은 불충분하였다.

또한, 실시예 3 의 임시 첩합에 있어서는, 유리 기판과 이방성 도전 필름의 계면에 있어서, 이방성 도전 필름의 온도가 60 ℃ 정도로 상승하였다.

가열 가압 툴에 의해 가열한 경우에는, 유리 기판과 이방성 도전 필름의 계면의 온도는, 가열 가압 툴의 설정 온도보다 조금 낮은 온도가 된다. 그 때문에, 유리 기판측으로부터의 UV 조사와, 이방성 도전 필름에 함유되는 광열 변환 재료를 이용하여 이방성 도전 필름을 가열하는 편이, 유리 기판측의 이방성 도전 필름의 표면을 효율적으로 가열할 수 있음과 함께, 이방성 도전 필름 전체에 가해지는 열을 억제할 수 있다.

비교예 3 에서는, 임시 첩합성은 양호하였지만, 도통 저항값이 상승하였다. 이것은, 임시 첩합시의 열에 의해, 경화가 발생하였기 때문이다.

실시예 3 에서는, 비교예 3 및 4 와 비교하여, 임시 첩합성과 낮은 도통 저항을 양립시킬 수 있었다.

또한, 실시예 1-2 ∼ 1-4, 실시예 2 의 이방성 도전 필름을 사용한 경우에도, 실시예 3 과 동일한 결과가 얻어져, 임시 첩합성과 낮은 도통 저항을 양립시킬 수 있었다.

1 : 제 1 회로 부재
1A : 기판
1B : 단자
2 : 열경화형 이방성 도전 필름
3 : 제 2 회로 부재
3A : 단자
10 : 히트 툴
11 : 히트 툴

Claims

제 1 회로 부재의 단자와 제 2 회로 부재의 단자를 이방성 도전 접속시키는 접속 방법으로서,
상기 제 1 회로 부재의 단자 상에 열경화형 이방성 도전 필름을 배치하고, 상기 제 1 회로 부재 측으로부터 상기 제 1 회로 부재 너머로 광을 조사하여, 상기 열경화형 이방성 도전 필름의 적어도 상기 제 1 회로 부재 측의 표면을 연화시켜, 임시 첩합을 실시하는 임시 첩합 공정과,
상기 열경화형 이방성 도전 필름 상에 상기 제 2 회로 부재를, 상기 제 2 회로 부재의 단자가 상기 열경화형 이방성 도전 필름과 접하도록 배치하는 배치 공정과,
상기 제 2 회로 부재를 가열 가압 부재에 의해 가열 및 가압하는 가열 가압 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 열경화형 이방성 도전 필름이, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열 변환 재료를 함유하는, 접속 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 광이 자외선이고,
상기 광열 변환 재료가 자외선 흡수제인, 접속 방법.