KR20180031635A - 은나노 입자 분산체의 제조 방법 및 은나노 입자 잉크의 제조 방법 - Google Patents

은나노 입자 분산체의 제조 방법 및 은나노 입자 잉크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 은나노 입자 분산체의 제조 방법은, 아민 화합물, 수지 및 은염을 혼합하여 착화합물을 생성시키는 공정과, 착화합물을 가열하여 분해시켜 은나노 입자를 형성하는 공정을 포함한다. 이 방법에 따라 얻어진 은나노 입자 분산체에 유기 용매를 첨가함으로써 은나노 입자 잉크를 얻을 수 있다. 수지는, 예를 들면, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서 점성을 나타내는 고분자, 또는, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서 점성을 나타내는 고분자량 화합물을 포함한다.

Description

은나노 입자 분산체의 제조 방법 및 은나노 입자 잉크의 제조 방법
본 발명은, 은나노 입자 분산체의 제조 방법 및 은나노 입자 잉크의 제조 방법에 관한 것이다.
근년, 나노미터 사이즈의 재료의 개발이 활발히 행해지고 있으며, 그 사이즈 효과에 따른 활성화된 재료 특성에 대한 기대가 높아지고 있다. 그 중에서도, 나노미터 사이즈의 금속 입자(이하, 「금속 나노 입자」라고 칭함)는, 입자 사이즈가 작아지면 작아질수록 융점이 낮아져, 100℃~200℃와 같은 낮은 온도에서 소결될 수 있다. 그 때문에, 금속 나노 입자는, 전자 디바이스 제작 분야에 있어서 다양한 면에서 실용화되고 있다. 은나노 입자는, 그 제작의 용이함과, 대기중 150℃의 가열로 환원되는 은의 성질에 따라, 가장 사용하기 쉬운 나노 재료 중 하나라고 생각된다.
예를 들면, 은나노 입자 잉크(은나노 입자를 포함하는 잉크)는, 인쇄에 의해 전자 디바이스를 제작하는 프린티드 일렉트로닉스 분야에 있어서, 높은 도전성을 발현하는 도전 잉크로서 주목되고 있다. 은나노 입자 잉크는, 은나노 입자를 용매에 분산시킴으로써 얻어진다.
한편, 전자 디바이스의 제작에 이용되는 인쇄 장치로는, 스크린 인쇄 장치, 그래비어 오프셋 인쇄 장치, 플렉소 인쇄 장치, 볼록판 반전 인쇄 장치, 잉크젯 인쇄 장치 등을 들 수 있다. 은나노 입자 잉크를 이러한 인쇄 장치에 이용하려면, 각 인쇄 장치에 적합한 잉크 특성(점도, 표면 에너지 등)을 갖는 은나노 입자 잉크가 필요하다.
일본국 특허 공개 2010-209366호 공보 일본국 특허 제5574761호 공보 일본국 특허 제4641384호 공보
특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 은나노 입자는, 은염을 환원함으로써 얻어진다. 이 방법은, 액상 환원법이라 불리며, 현재 널리 이용되고 있다. 그러나, 액상 환원법에 있어서는, 독성이 강한 환원제를 포함하는 대량의 분산 용매가 사용된다. 그 때문에, 액상 환원법은, 환경에 대한 영향, 비용 등의 문제를 안고 있다.
한편, 특허문헌 2에는, 은착체의 열분해를 거쳐, 저온에서 소결할 수 있는 은나노 입자를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법은, 착체 분해법이라 불리고 있다. 착체 분해법은, 환원제를 사용하지 않고, 고품질의 은나노 입자를 효율적으로 제조할 수 있다는 점에서 매우 우수하다.
상기 각 방법으로 제조된 은나노 입자를 적절한 용매에 분산시키면, 각종 인쇄 장치에 사용할 수 있는 은나노 입자 잉크가 얻어진다. 그러나, 종래의 방법으로 제작된 은나노 입자를 용매에 분산시킨 것만으로는, 점성이 매우 낮은 은나노 입자 잉크밖에 얻어지지 않는다. 이러한 은나노 입자 잉크는, 높은 점도를 필요로 하는 스크린 인쇄 장치 및 그래비어 오프셋 인쇄 장치에 이용하는 것이 어렵다.
이 문제를 해결하기 위해서, 특허문헌 3에는, 은나노 입자 잉크에 수지(고분자 재료)를 첨가하여 점도를 높이는 것이 기재되어 있다.
그러나, 점도가 높은 수지와 은나노 입자를 균일하게 용매에 분산시키는 것은 어렵다. 또, 혼련시에 은나노 입자끼리의 융착이 일어나, 잉크의 특성이 변질되기 쉽다는 문제도 있다. 또한, 은나노 입자와 수지가 균일하게 혼합되어 있지 않은 잉크를 이용하여 미세 배선을 형성하면, 도전성이 낮은 수지 성분이 상 분리를 일으켜, 단선을 일으키는 요인이 되기도 한다.
본 발명은, 다양한 인쇄 장치에 적용할 수 있는 폭넓은 점도 특성을 갖고, 은나노 입자와 수지가 균일하게 용매에 분산된 은나노 입자 잉크를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은, 그러한 은나노 입자 잉크의 제조에 적절한 은나노 입자 분산체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은,
아민 화합물, 수지 및 은염을 혼합하여 착화합물을 생성시키는 공정과,
상기 착화합물을 가열하여 분해시켜 은나노 입자를 형성하는 공정을 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법을 제공한다.
상기 방법에 따라 얻어진 은나노 입자 분산체를 사용하면, 은나노 입자와 수지가 균일하게 용매에 분산된 은나노 입자 잉크를 용이하게 제조할 수 있다. 용매의 종류, 은나노 입자의 농도 등을 적절히 조정함으로써, 다양한 인쇄 장치에 적용할 수 있는 폭넓은 점도 특성을 갖는 은나노 입자 잉크를 얻을 수 있다.
도 1은 실시예 1의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 2는 실시예 3의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 3은 실시예 4의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 4는 실시예 5의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 5는 실시예 6의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 6은 실시예 7의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 7은 실시예 10의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 8은 실시예 11의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 9는 실시예 12의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 10은 실시예 14의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 11은 실시예 15의 은나노 입자의 TEM상이다.
도 12는 실시예 1의 은나노 입자 잉크를 이용하여 그래비어 오프셋 인쇄에 의해서 형성된 배선의 레이저 현미경상이다.
도 13은 실시예 1의 은나노 입자 잉크를 희석함으로써 얻어진 은나노 입자 잉크를 이용하여 잉크젯 인쇄에 의해서 형성된 배선의 레이저 현미경상이다.
도 14는 도 13의 배선의 단면 프로파일이다.
도 15는 박막 트랜지스터의 개략 단면도이다.
본 실시형태의 은나노 입자는, 아민 화합물, 수지 및 은염을 혼합하여 착화합물을 생성시킨 후, 착화합물을 가열하여 분해시킴으로써 형성될 수 있다. 은나노 입자를 합성 후, 알코올, 탄화수소계 유기 용매, 방향족계 유기 용매, 케톤계 유기 용매, 그러한 혼합 용매 등의 용매에 은나노 입자를 추가해, 용매에 은나노 입자를 분산시킨다. 이에 의해, 적절히 제어된 점도를 갖는 은나노 입자 잉크를 얻을 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 수지를 포함하는 계에 있어서, 착화합물(은착체)을 가열하여 분해시켜 은나노 입자를 형성한다. 바꿔 말하면, 착화합물을 형성하기 위한 원료 혼합물에 미리 수지가 포함되어 있다. 생성물은, 은나노 입자와 수지를 포함하는 은나노 입자 분산체이다. 은나노 입자 분산체에 있어서, 은나노 입자와 수지가 균일하게 혼합되어 있다. 각 은나노 입자는, 아민(아민 화합물)으로 보호되어 있다. 은나노 입자의 입경은, 예를 들면 10~200nm이다. 본 실시형태의 은나노 입자 분산체를 사용하면, 은나노 입자와 수지가 나노 스케일로 용매에 균일하게 분산되어 있는 은나노 입자 잉크를 용이하게 제조할 수 있다. 이에 대해, 은나노 입자를 합성한 후, 은나노 입자, 수지 및 용매를 혼련하여 고점도의 은나노 입자 잉크를 얻는 방법에 있어서, 본 실시형태와 동일한 효과를 얻는 것은 어렵다. 또한, 「입경」은, 평균 입경을 의미한다. 은나노 입자의 평균 입경은, 예를 들면, 이하의 방법에 따라 산출될 수 있다. 은나노 입자의 투과 현미경상에 있어서, 임의의 수(예를 들면 50개)의 은나노 입자의 직경을 각각 산출하고, 그 평균치를 평균 입경으로 간주할 수 있다. 은나노 입자의 직경은, 투과 현미경상에 있어서의 은나노 입자의 면적과 동일한 면적을 갖는 원의 직경과 동일한 것으로 간주할 수 있다.
(열처리)
아민 화합물, 수지 및 은염을 포함하는 혼합물(원료 혼합물)을 조제하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 아민 화합물, 수지 및 은염을 용기에 넣고, 이들의 혼합물을 교반한다. 필요에 따라서, 혼합물을 20~50℃의 온도로 가열하면서 교반한다. 이에 의해, 착화합물이 생성된다. 혼합물(혼합액)의 색의 변화 및 점성의 변화에 따라서, 착화합물의 생성을 확인할 수 있다.
보다 상세하게는, 아민 화합물과 수지를 혼합하고(제1 단계), 그 후, 제1 단계를 거친 아민 화합물과 수지를 포함하는 혼합물에 은염을 추가해, 착화합물을 생성시킬 수도 있다(제2 단계). 이와 같이 하면, 아민 화합물과 수지를 미리 균일하게 혼합할 수 있다. 필요에 따라서, 각 단계에 있어서, 혼합물을 20~50℃의 온도로 가열해도 된다. 예를 들면, 제1 단계에 있어서, 아민 화합물과 수지를 포함하는 혼합물을 20~50℃의 온도로 가열하면서, 10분~1시간 교반한다. 예를 들면, 제2 단계에 있어서, 아민 화합물, 수지 및 은염을 포함하는 혼합물을 20~50℃의 온도로 가열하면서, 5분~1시간 교반한다. 이에 의해, 착화합물이 생성된다.
아민 화합물, 수지 및 은염을 혼합하면 착화합물이 생성된다. 바꿔 말하면, 은염의 일부가 은아민 착체를 형성한다. 은염이 옥살산은이면, 옥살산은아민 착체가 형성된다. 그리고, 은아민 착체를 포함하는 혼합물을 90~120℃의 온도로 가열하면서, 3분~20분간 교반하면, 은나노 입자 분산체가 얻어진다. 수지의 분해 온도보다 낮은 온도로 혼합물을 가열하므로, 수지의 분해도 방지할 수 있다.
원료 혼합물은, 아민 화합물, 수지 및 은염만을 포함하고 있어도 된다. 또, 원료 혼합물은, 아민 화합물, 수지, 은염 및 후술하는 지방산만을 포함하고 있어도 된다. 본 실시형태의 방법은, 소위 착체 분해법이며, 은을 환원하기 위한 환원제는 불필요하다.
특허문헌 1에 기재된 액상 환원법에 있어서는, 환원제를 포함하는 수용액에 은염을 소량씩 첨가하면서 은나노 입자를 형성한다. 그 때문에, 은나노 입자의 제조에 시간이 걸릴 뿐만 아니라, 독성이 높은 환원제를 포함하는 대량의 수용액이 폐액으로서 남는다. 이에 대해, 착체 분해법에 의하면, 입자 직경이 균일한 은나노 입자를 단시간에 제조할 수 있다. 또, 환원제를 사용하지 않으므로, 폐액의 문제도 발생하기 어렵다. 또한, 액상 환원법에서는 은나노 입자를 수용액으로부터 합성하기 때문에, 은나노 입자를 분산시키는 용매가 수계 용매가 된다. 이에 대해, 착체 분해법에 의하면, 물을 용매로서 사용하지 않으므로, 물을 포함하지 않고 각종 유기 용매에 가용인 은나노 입자를 제조할 수 있다. 물을 사용하지 않으므로, 착체 분해법으로 제조된 은나노 입자는, 전자 부품의 배선 재료에 적합하다.
(은염)
은염(은화합물)은, 은나노 입자의 원료이다. 은염은, 가열에 의해서 용이하게 분해되어 금속의 은을 발생시키는 재료일 수 있다. 은염은, 은의 유기염이어도 되고, 은의 무기염이어도 되며, 이들을 병용해도 된다. 구체적으로는, 지방산은, 아세트산은, 안식향산은, 구연산은, 탄산은, 산화은, 옥살산은, 황산은, 질산은 및 불화은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 불순물이 생기기 어려운 옥살산은을 사용하는 것이 바람직하다.
(아민 화합물)
아민 화합물은, 은나노 입자를 피복하는 보호제의 역할을 담당한다. 즉, 아민 화합물은, 은나노 입자의 표면을 덮어 은나노 입자끼리의 융착을 방지한다. 아민 화합물은, 제1급 아민이어도 되고, 제2급 아민이어도 되며, 이들을 병용해도 된다. 또, 아민 화합물은, 지방족 아민이어도 된다. 구체적으로는, 아민 화합물로서, 제1급의 지방족 아민을 들 수 있다. 특히, 알킬아민을 사용하는 것이 바람직하다. 소결성의 관점에서, 250℃ 이하의 비점을 갖는 아민 화합물이 본 실시형태에 적합하다. 그러한 아민 화합물은, 가열에 의해서 은나노 입자로부터 이탈한 후에 휘발되기 쉽다. 은나노 입자의 합성 반응을 균일하게 행하는 관점에서, 아민 화합물의 융점이 20℃ 이하인 것이 바람직하다. 아민 화합물은, 전형적으로는, 실온(25℃)에서 액체이다.
지방족 아민으로서 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 프로판올아민 등을 들 수 있다. 제1급 아민으로서 부틸아민, 디프로필아민, 디부틸아민, 헥실아민, 시클로헥실아민, 헵틸아민, 3-부톡시프로필아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 올레일아민, 옥타데실아민 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 입수가 용이한 헥실아민 또는 프로판올아민을 사용하는 것이 바람직하다.
아민 화합물은, 복수의 아미노기를 갖는 디아민이어도 된다. 디아민은, 은나노 입자의 합성 반응을 균일하게 행하는 관점에서, 융점이 20℃ 이하인 것이 바람직하다. 은화합물을 충분히 착체화시킨다는 반응 균일성의 관점에서, 디아민은, 탄소수 4~12인 것이 바람직하다. 디아민으로서 N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, N,N-디부틸에틸렌디아민, N,N-디메틸-1,3-프로판디아민, N,N-디에틸-1,3-프로판디아민, 3-(디부틸아미노)프로필아민, 2-디이소프로필아미노에틸아민, 디메틸아미노에톡시프로필아민 등을 들 수 있다.
상기 아민 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 복수의 종류를 병용해도 된다. 아민 화합물, 수지 및 은염을 포함하는 혼합물에 있어서의 아민 화합물의 비율은 특별히 한정되지 않는다. 일례에 있어서, 아민 화합물은, 은염 1mol에 대해 0.5mol~10mol, 특히 0.8mol~3mol의 비율로 혼합물에 포함된다.
(수지)
수지는, 은나노 입자 잉크에 점도 및/또는 점탄성을 부여하는 역할을 담당한다. 바꿔 말하면, 수지는, 은나노 입자 잉크의 점성을 제어하기 위해서, 은나노 입자의 원료 혼합물에 첨가된다. 아민 화합물(특히, 지방족 아민)과 균일하게 혼합되는 수지 또는 아민 화합물(특히, 지방족 아민)에 용해되는 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들면, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서, 아민 화합물과 수지가 균일하게 혼합되거나, 아민 화합물에 수지가 용해된다. 구체적으로는, 실온에 있어서 점성을 갖는 액체 상태의 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또 다른 측면에 있어서, 수지는, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서 점성을 나타내는 고분자, 또는, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서 점성을 나타내는 고분자량 화합물(high molecular weight compound)일 수 있다. 이러한 수지가 원료 혼합물에 포함되어 있으면, 은나노 입자 잉크에 점도 및 점탄성을 부여하기 쉽다. 원료 혼합물에는, 1종류의 수지만 포함되어 있어도 되고, 복수의 종류의 수지가 포함되어 있어도 된다. 「고분자량 화합물」의 어구는, 분자량이 500 이상인 유기 화합물을 의미한다.
구체적으로는, 수지로서, 에폭시, 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등을 들 수 있다. 특히, 하이드로카본 폴리머로 분류되는 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 이들 수지는, 증점제, 계면활성제 등의 첨가제로서 다종 다양한 것이 판매되고 있어, 용이하게 입수할 수 있다. 아민 화합물, 수지 및 은염을 포함하는 혼합물에 있어서의 수지의 비율은 특별히 한정되지 않는다. 일례에 있어서, 수지는, 100중량부의 은염(예를 들면 옥살산은)에 대해, 10~100중량부의 비율로 혼합물에 포함된다. 고분자의 중합도는 명확하지 않은 경우가 많기 때문에, 본 실시형태에 있어서, 수지의 사용량은 은염의 중량에 대한 비율로 나타낸다. 또, 수지의 분자량을 적절히 조정하여 이용함으로써, 원하는 점도를 얻을 수 있다.
착화합물을 형성하기 위한 원료 혼합물에는, 지방산이 포함되어 있어도 된다. 또한, 착화합물을 형성하기 위한 원료 혼합물에는, 티올이 포함되어 있어도 된다. 지방산 및 티올은, 은과 이온성의 결합을 형성하기 때문에, 은나노 입자의 분산 안정성을 향상시킨다. 이들 추가 재료는, 착화합물을 생성시키기 위한 원료 혼합물에 혼합할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 2단계의 공정을 실시하는 경우에는, 앞서 설명한 제1 단계에서 아민 화합물 및 수지에 이들 추가 재료를 혼합할 수 있다.
(지방산)
지방산의 예는, 불포화 결합을 갖는 불포화 지방산이다. 지방산은, 카르복실기를 갖는 카르복실산이어도 된다. 구체적으로는, 지방산으로서, 구연산, 말론산, 콜산, 디옥시콜산, 디하이드로콜산, 글리코콜산, 콜란산, 리토콜산, 아비에트산, 글리시리진산, 크로톤산, 사피엔산(sapienic acid), 올레산, 에이코센산, 리놀렌산 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 구연산 및 올레인산으로부터 선택되는 적어도 1개를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 지방산은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 복수의 종류를 병용해도 된다. 원료 혼합물에 있어서의 지방산의 비율은 특별히 한정되지 않는다. 일례에 있어서, 지방산은, 은염 1mol에 대해, 0.01mol~1mol, 특히 0.03mol~0.1mol의 비율로 원료 혼합물에 포함된다.
(티올)
티올로서, 옥타데칸티올, 헥사데칸티올, 테트라데칸티올 등을 들 수 있다.
(세정)
열처리에 의해서 얻어진 은나노 입자 분산체는, 환원 반응에 의해서 생성된 불순물, 및, 반응에 기여하지 않았던 원료를 포함하고 있다. 따라서, 그들을 제거하기 위해서, 은나노 입자 분산체를 알코올로 세정한다. 예를 들면, 은나노 입자 분산체에 1~5배의 체적의 알코올을 첨가하고, 교반하여 원심분리기에 넣고, 상등액을 버린다. 이 조작을 2회 이상 반복한다. 침전물을 정제된 은나노 입자 분산체로서 취출할 수 있다. 세정 용매인 알코올을 제거하기 위해서, 상등액을 제거한 후의 침전물을 건조시켜도 된다.
(은나노 입자 잉크의 제작)
은나노 입자(은나노 입자 분산체)와 유기 용매를 혼합하면, 각종 인쇄에 적합한 점도를 갖는 은나노 입자 잉크를 얻을 수 있다. 유기 용매로서, 톨루엔, 크실렌, 시클로헥산, 옥탄, 부탄, 도데칸, 테트라데칸 등의 탄화수소계 용매를 사용할 수 있다. 사용한 수지의 종류에 따라서는, 케톤계 유기 용매를 사용할 수 있는 경우도 있다. 케톤계 유기 용매로서, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 메틸이소부틸케톤(MIBK), 디이소부틸케톤(DIBK), 이소포론, 시클로헥사논 등을 들 수 있다.
은나노 입자 잉크의 유기 용매로서, 200℃ 이상의 비점을 갖는 유기 용매를 사용할 수 있다. 높은 비점을 갖는 유기 용매를 사용하면, 건조에 의한 잉크의 막힘 등의 문제를 방지할 수 있다. 유기 용매의 비점의 상한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 250℃이다.
구체적으로, 본 실시형태의 은나노 입자 잉크를 인쇄 장치에 적용하는 경우, 상온 상압에서 휘발되기 어려운 유기 용매가 적합하게 사용된다. 상온 상압에서 휘발되기 어려운 유기 용매의 예로서, 도데칸, 테트라데칸, 이소포론 등을 들 수 있다. 또, 휘발성 용매와 불휘발성 용매를 혼합하여 난휘발성 용매를 조제해, 그 난휘발성 용매를 잉크의 제작에 사용할 수도 있다. 예를 들면, DBS(알킬벤젠설폰산나트륨)와 파라핀유(유동 파라핀)를 혼합하면, 난휘발성 용매를 얻을 수 있다. DBS는 휘발성 용매이다. 파라핀유는 불휘발성 용매이며, 예를 들면 300℃ 이상의 비점을 갖는다. 파라핀유의 비점의 상한치는, 예를 들면 350℃이다. 또, 인쇄 장치에 따라서는, 150℃ 이하의 낮은 비점을 갖는 용매(저비점 용매)가 적합한 경우도 있다. 그 경우, 저비점 용매를 이용하여 은나노 입자 잉크를 제작할 수 있다. 혹은, 저비점 용매와 다른 용매의 혼합 용매를 이용하여 은나노 입자 잉크를 제작해도 된다. 저비점 용매로서, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 톨루엔, 크실렌, 테트라히드로푸란, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 또한, 저비점 용매의 비점의 하한치는, 예를 들면 60℃이다.
또, 유기 용매는, 실온(25℃)에서 20mN/m~50mN/m의 표면 자유에너지를 갖는 유기 용매(예를 들면 방향족 화합물)를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 비교적 큰 표면 자유에너지를 갖는 유기 용매를 사용함으로써, 미세한 배선을 형성하는 것이 가능해짐과 더불어, 커피 얼룩 현상이 효과적으로 억제될 수 있다. 「커피 얼룩 현상」이란, 도포막의 외주부에 있어서의 용질(예를 들면 은나노 입자)의 농도가 도포막의 중심부에 비해 상대적으로 높아져, 도포막을 소성함으로써 얻어지는 배선의 외주부가 중심부에 비해 두꺼워지는 현상을 의미한다. 또한, 액체의 표면 자유에너지는, 액체에 침지된 플레이트를 끌어올릴 때의 힘을 계측하는 Wilhelmy법에 의해 산출할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 은나노 입자 분산체에 수지 성분이 포함되어 있다. 이 수지 성분에 의해, 비극성 용매, 극성 용매를 불문하고, 다양한 유기 용매에 은나노 입자를 균일하고, 또한 용이하게 분산시키는 것이 가능해진다. 따라서, 각종 인쇄 장치에 최적의 표면 에너지를 갖는 은나노 입자 잉크를 제공할 수 있다.
본 실시형태의 은나노 입자 잉크는, 스핀 코팅법, 바 코팅법, 스프레이 코팅법, 잉크젯 인쇄법, 스크린 인쇄법, 그래비어 오프셋 인쇄법, 볼록판 반전 인쇄법 등의 기존의 방법에 사용될 수 있다.
본 실시형태의 방법에 따라 제조된 은나노 입자 잉크는, 스크린 인쇄, 그래비어 오프셋 인쇄 등의 인쇄에 적절한 1Pa·s 이상의 높은 점도를 갖는다. 또, 고점도의 은나노 입자 잉크를 원하는 유기 용매로 희석함으로써, 잉크젯 인쇄, 볼록판 반전 인쇄 등의 인쇄에 적절한 10mPa·s 이하의 낮은 점도를 갖는 은나노 입자 잉크를 얻을 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 의하면, 은나노 입자 잉크의 점도를 폭넓게 제어하는 것이 가능하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「점도」의 어구는, 실온(25℃)에서의 점도를 의미한다.
또, 스크린 인쇄 또는 그래비어 오프셋 인쇄와 같이, 1Pa·s 이상의 고점도이고, 또한 비(非)뉴턴 액체의 점탄성을 나타내는 은나노 입자 잉크가 필요한 경우에는, 상기의 세정 공정을 거쳐 얻어진 은나노 입자 잉크에, 추가로 수지를 첨가해도 된다. 고점도 잉크를 제작하기 위해서 사용되는 수지의 대표예로서, 아크릴 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 은나노 입자 잉크에 수지를 그대로 혼합해도 되고, 상기한 유기 용매에 수지를 녹여, 그 수지 용액을 은나노 입자 잉크에 혼합해도 된다.
본 실시형태의 은나노 입자 잉크를 이용하여 도포막을 형성한 후, 은나노 입자를 소결시키기 위해서, 도포막을 소성한다. 소성 온도는, 예를 들면, 250℃ 이하, 200℃ 이하 또는 150℃ 이하이다. 은나노 입자는 저온 소결성이 뛰어나다. 은나노 입자 잉크는, 저온에서의 소성에 의해서 뛰어난 도전성을 발현한다. 본 실시형태의 은나노 입자 잉크를 이용하여 형성된 도포막은, 크세논 플래시 램프 등을 이용한 광소성법에 의해 소성할 수도 있다.
본 실시형태의 은나노 입자 잉크를 사용하면, 충분히 낮은 저항률(실온(25℃)에서 예를 들면 50×10- 6Ω·cm 이하, 바람직하게는 3×10-6~10×10- 6Ω·cm)을 갖는, 배선, 전극 등의 도전 구조를 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 은나노 입자 잉크는, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 포함하는 집적회로, 터치 패널, RFID, 플렉시블 디스플레이, 유기 EL, 회로 기판, 센서 디바이스 등의 다양한 전자 부품의 제조에 사용될 수 있다.
(박막 트랜지스터)
본 실시형태의 은나노 입자 잉크를 이용하여 도 15에 나타낸 구조를 갖는 박막 트랜지스터를 제작할 수 있다. 박막 트랜지스터(20)는, 기판(11), 하지층(12), 게이트 전극(13), 게이트 절연막(15), 소스 전극(16), 드레인 전극(17) 및 유기 반도체층(18)을 구비하고 있다. 하지층(12)은, 예를 들면, 절연성 수지로 형성되어 있다. 하지층(12) 위에 게이트 전극(13)이 형성되어 있다. 게이트 전극(13)은, 은나노 입자 잉크를 하지층(12)에 도포 및 소성함으로써 형성될 수 있다. 게이트 절연막(15)은, 게이트 전극(13)을 피복하고 있다. 게이트 절연막(15) 위에는, 소스 전극(16) 및 드레인 전극(17)이 형성되어 있다. 소스 전극(16) 및 드레인 전극(17)은, 은나노 입자 잉크를 게이트 절연막(15)에 도포 및 소성함으로써 형성될 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해서 본 발명을 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않는다. 실시예에 있어서의 물성의 측정은, 다음의 장치를 이용하여 행했다.
(1) 은의 함유율
은의 함유율은, 열중량 측정 장치(T·A·Instruments·Japan사 제조 SDTQ600)를 이용하여, 열중량/시차열분석(TG/DTA)을 행함으로써 구했다.
(2) 점도
점도는, 회전 점도계(Brookfield사 제조 DV2T)를 이용하여 측정했다.
(3) 인쇄 적성
그래비어 오프셋 장치(MT TECH사 제조)를 이용하여 선폭 50μm인 배선을 인쇄해, 블랭킷 상의 전사 잔여물과, 인쇄된 배선의 형상을 관찰했다.
(4) 형상 관찰
인쇄된 배선의 형상은, 레이저 현미경(Olympus사 제조 LEXT OLS4500)을 이용하여 관찰했다.
(실시예 1)
n-헥실아민 5.78g, N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판 3.89g, 올레인산 0.251g, 및 수지로서의 Lubrizol사의 SOLSPERSE8000(「SOLSPERSE」는 등록상표) 1.9g을 용기에 넣고, 용액을 40℃에서 15분간 교반했다. 수지는, 아민 화합물과 지방산의 혼합액에 용해했다. 다음에, 용기에 옥살산은 7.6g을 첨가하고 교반을 계속했다. 옥살산은을 첨가하고 15분 후에 용액이 겔상으로 변화되었으므로, 가열 온도를 110℃로 올리고, 추가로 가열 및 교반을 행했다. 그러자 용액이 갈색으로 변하고 기포를 발생시키고, 그 후, 광택이 있는 청자색으로 변했다. 기포의 발생이 멈춘 것을 확인한 후, 가열 및 교반을 정지하고, 상온까지 용액을 냉각했다. 다음에, 용액에 50ml의 메탄올을 첨가해 교반한 후, 2000rpm으로 5분간, 용액을 원심분리하여 상등액을 버리는 조작을 3회 반복했다. 마지막 상등액을 버린 후, 침전물을 취출했다. 이 침전물을 온도 23℃, 습도 30%의 대기중에서 24시간 이상 건조시켰다. 그 결과, 점도가 높은 페이스트상의 은나노 입자 분산체(은페이스트)를 얻었다. 은나노 입자 분산체에 있어서의 은의 함유율은 92.2중량%였다. 실시예 1의 은나노 입자의 TEM상을 도 1에 나타냈다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은의 중량 농도가 82%가 되도록, 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 2)
SOLSPERSE8000 대신에, 수지로서, Lubrizol사의 SOLSPERSE16000을 1.9g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 은나노 입자 분산체에 있어서의 은의 함유율은 90.3중량%였다. 은의 중량 농도가 82%가 되도록, 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 3)
SOLSPERSE8000 대신에, 수지로서, 도쿄카세이공업사의 폴리비닐피롤리돈(K-30)을 1.9g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 3의 은나노 입자의 TEM상을 도 2에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
또한, 은나노 입자 잉크에 있어서, 침전물을 확인할 수 없는 정도로 은나노 입자가 용매에 녹아 있는 것, 및, 은나노 입자의 2차 응집이 일어나지 않은 것을 육안으로 확인할 수 있었던 경우에, 은나노 입자가 용매에 균일하게 분산되어 있는 것으로 판단했다.
(실시예 4)
SOLSPERSE8000 대신에, 수지로서, Aldrich사의 폴리비닐페놀을 1.9g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 4의 은나노 입자의 TEM상을 도 3에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
(실시예 5)
SOLSPERSE8000 대신에, 수지로서, Aldrich사의 폴리스티렌을 1.9g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 5의 은나노 입자의 TEM상을 도 4에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
(실시예 6)
SOLSPERSE8000 대신에, 수지로서 Aldrich사의 멜라민 수지를 1.9g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 6의 은나노 입자의 TEM상을 도 5에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
(실시예 7)
SOLSPERSE8000 대신에, 칸토화학사의 Span85(「Span」은 등록상표)를 1.9g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 은나노 입자 분산체에 있어서의 은의 함유율은 93.0중량%였다. 은의 중량 농도가 82%가 되도록, 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 8)
N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판 대신에, N,N-디부틸에틸렌디아민을 4.42g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 9)
N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 9의 은나노 입자의 TEM상을 도 6에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 10)
n-헥실아민을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 10의 은나노 입자의 TEM상을 도 7에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 11)
n-헥실아민을 사용하지 않고, N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판 대신에 N,N-디부틸에틸렌디아민을 4.42g 이용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 11의 은나노 입자의 TEM상을 도 8에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 12)
올레인산을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 12의 은나노 입자의 TEM상을 도 9에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~30nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 13)
올레인산을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 8과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 은나노 입자 분산체를 테트라데칸으로 희석해, 점도가 약 1Pa·s인 은나노 입자 잉크를 얻었다.
(실시예 14)
올레인산을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 9와 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 14의 은나노 입자의 TEM상을 도 10에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
(실시예 15)
올레인산을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 10과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 실시예 15의 은나노 입자의 TEM상을 도 11에 나타낸다. 은나노 입자는 10nm~20nm의 입자 직경을 갖고 있었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
(실시예 16)
올레인산을 사용하지 않았던 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방법으로 은나노 입자를 합성해, 은나노 입자 분산체를 얻었다. 은나노 입자 분산체를 톨루엔 또는 테트라데칸으로 희석했다. 톨루엔 및 테트라데칸 중 어느 것에나 은나노 입자를 균일하게 분산시킬 수 있었다.
실시예 1~16의 결과로부터, 아민 화합물과 은염의 혼합물을 착체화시키고, 가열 분해에 의해서 은나노 입자를 합성 가능함을 확인할 수 있었다. 또, 실시예 8~16의 결과로부터, (i) 아민 화합물, 은염 및 수지를 포함하는 혼합물, (ii) 아민 화합물, 은염, 수지 및 지방산을 포함하는 혼합물, (iii) 은염, 수지 및 지방산의 혼합물 중 어느 하나로부터 은착체를 형성할 수 있고, 은착체를 가열 분해함으로써 은나노 입자를 합성할 수 있음을 확인할 수 있었다.
(비교예 1)
수지를 사용하지 않고 은나노 입자 잉크를 제조했다. 구체적으로는, n-헥실아민 5.78g, n-도데실아민 4.77g, N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판 3.89g, 올레인산 0.251g을 용기에 넣고, 용액을 40℃에서 15분간 교반했다. 다음에, 용기에 옥살산은 7.6g을 첨가하고 40℃에서 교반을 계속했다. 옥살산은을 첨가하고 약 20분 후에 용액이 겔상으로 변화되었으므로, 가열 온도를 110℃로 올리고, 추가로 가열 및 교반을 행했다. 그러자 용액이 갈색으로 변색되고 기포가 발생하고, 그 후, 광택이 있는 청색으로 변화되었다. 기포의 발생이 멈춘 것을 확인한 후, 가열 및 교반을 정지하고, 상온까지 용액을 냉각했다. 다음에, 용액에 50ml의 메탄올을 첨가해 교반한 후, 2000rpm으로 5분간, 용액을 원심분리하여 상등액을 버리는 조작을 3회 반복했다. 마지막 상등액을 버린 후, 침전물을 벨 자(bell jar)에서 3분간 진공 건조시켰다. 얻어진 침전물은, 은나노 입자가 응집된 케이크형상의 덩어리(은페이스트)였다. 이 침전물에 있어서의 은의 함유율은 93.4중량%였다.
은의 중량 농도가 82%가 되도록, 은페이스트를 서서히 테트라데칸으로 희석한 바, 점도가 급격하게 하강해, 그래비어 오프셋 인쇄에 적합한 점도로 조정할 수 없었다.
(비교예 2)
용매(테트라데칸)에 수지(SOLSPERSE8000)를 포화될 때까지 용해시킴으로써 용매와 수지의 혼합액을 조제했다. 은의 중량 농도가 82%가 되도록, 이 혼합액을 비교예 1로 합성한 은페이스트에 첨가해 충분히 혼합했더니, 점도가 약 400mPa·s까지 강하되었다.
[전극 성능]
실시예 1의 은나노 입자 잉크를 이용하여 스핀 코팅법으로 유리 기판 상에 박막을 형성했다. 박막을 소정의 온도로 소성한 후, 박막의 체적 저항률을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 250℃ 이상의 소성 온도로 50μΩ·cm 미만의 저항률을 달성할 수 있었다.
Figure pct00001
[각종 용매에 대한 은나노 입자의 분산성]
실시예 1의 은나노 입자를 각종 용매에 분산시켜, 그 분산성을 확인했다. 구체적으로는, 이소포론, 테트라데칸, 메틸에틸케톤, 도데칸, n-옥탄, 메시틸렌, p-시멘, 크실렌, 테트라인, 1-데칸올, 1-옥탄올, 1-부탄올 및 유동 파라핀의 각각에 실시예 1의 은나노 입자를 분산시켰다. 이들 용매에 대한 실시예 1의 은나노 입자의 분산성은 양호했다. 이소포론, 테트라데칸, 테트라인, 1-데칸올, 유동 파라핀 등의 비교적 비점이 높은 용매를 이용한 은나노 입자 잉크는, 그래비어 오프셋 인쇄를 실시하는 것이 가능했다.
[그래비어 오프셋 인쇄]
실시예 1, 실시예 2 및 실시예 7의 은나노 입자 잉크를 그래비어 오프셋 인쇄에 이용하여 인쇄 테스트를 행했다. 어느 경우도, 판폭 50μm에 대해, 45~48μm의 선폭의 배선을 형성할 수 있었다. 실시예 1의 은나노 입자 잉크를 이용하여 형성한 배선을 레이저 현미경으로 관찰한 결과를 도 12에 나타낸다. 또, 실시예 2 및 실시예 7의 은나노 입자 잉크를 이용해도 그래비어 오프셋 인쇄를 실시하는 것이 가능했다.
[잉크젯 인쇄]
유리 기판 상에 테플론(Du Pont-Mitsui Fluorochemicals사 제조 AF1600)( 「테플론」은 등록상표)의 박막을 스핀 코팅법으로 형성했다. 박막의 표면을 산소 플라즈마 처리에 의해서 친액화했다. 한편, 은의 중량 농도가 30%가 되도록, 실시예 1의 은나노 입자 잉크를 테트라데칸으로 희석하고, 저점도의 은나노 입자 잉크를 얻었다. 이 은나노 입자 잉크를 이용하여, 잉크젯 장치(FUJIFILM·Dimatix사 제조, 머티리얼 프린터 DMP-2831)로, 잉크젯 인쇄에 의한 성막 시험을 행했다. 10피코리터용 잉크 카트리지에 은나노 입자 잉크를 충전했다. 친액화된 테플론 박막을 갖는 유리 기판 상에 잉크젯 장치로 배선을 묘화했다. 배선의 레이저 현미경 사진을 도 13에 나타낸다. 도 14는, 레이저 현미경으로 계측한 배선의 단면 프로파일을 나타내고 있다. 실시예 1의 은나노 입자 잉크를 이용하여, 잉크젯 인쇄에 의해서 폭 30μm의 배선을 묘화할 수 있었다.

Claims (13)

  1. 아민 화합물, 수지 및 은염을 혼합하여 착화합물을 생성시키는 공정과,
    상기 착화합물을 가열하여 분해시켜 은나노 입자를 형성하는 공정을 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 아민 화합물이 지방족 아민을 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 아민 화합물이 제1급 아민을 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지는, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서 점성을 나타내는 고분자, 또는, 20℃~50℃의 온도 범위에 포함되는 어느 한 온도에 있어서 점성을 나타내는 고분자량 화합물을 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 은염이 옥살산은 및 탄산은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 아민 화합물, 상기 수지 및 상기 은염을 포함하는 혼합물이 지방산을 더 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 아민 화합물, 상기 수지 및 상기 은염을 포함하는 혼합물이 티올을 더 포함하는, 은나노 입자 분산체의 제조 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 은나노 입자 분산체를 제조하는 공정과,
    상기 은나노 입자 분산체와 유기 용매를 혼합하는 공정을 포함하는, 은나노 입자 잉크의 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기 용매가 비점 200℃ 이상의 유기 용매를 포함하는, 은나노 입자 잉크의 제조 방법.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 유기 용매는, 20mN/m~50mN/m의 표면 자유 에너지를 갖는 방향족 화합물을 포함하는, 은나노 입자 잉크의 제조 방법.
  11. 청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 제조된 은나노 입자 잉크를 이용하여 도포막을 형성하는 공정과,
    상기 도포막을 소성하는 공정을 포함하는, 전극의 제조 방법.
  12. 청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 제조된 은나노 입자 잉크를 이용하여 도포막을 형성하는 공정과,
    상기 도포막을 소성하여 전극을 형성하는 공정을 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  13. 유기 용매와,
    상기 유기 용매에 분산된 수지와,
    상기 유기 용매에 분산되어 있으며, 아민으로 보호된 은나노 입자를 구비한, 은나노 입자 잉크.
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