KR20180001688A - Bake apparatus and method - Google Patents

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Abstract

The bake unit of the present invention comprises a chamber; a heating plate installed in the chamber and having a plurality of pin holes; and a lift pin assembly for loading/unloading the substrate to/from a heating plate. The lift pin assembly may include lift pins installed to move up and down in the pin hole; a cylinder unit for raising and lowering each of the lift pins to a top position for loading/unloading a substrate, a down position where the substrate is seated on the heating plate, and a middle position between the top position and the down position; and a cylinder control part for controlling the ascent and descent of the cylinder unit. It is possible to minimize the thermal stress of the substrate.

Description

베이크 유닛 및 방법{BAKE APPARATUS AND METHOD}BAKE APPARATUS AND METHOD [0001]

본 발명은 기판을 가열하는 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and a method for heating a substrate.

반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 노광설비가 연결되어 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 현상 공정(develop process)을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. A photo-lithography process in a semiconductor manufacturing process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photolithography process is carried out in a spinner local facility in which an exposure facility is connected to continuously process an application process, an exposure process, and a development process. The spinner apparatus sequentially or selectively performs a coating process, a bake process, and a developing process.

여기서, 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도를 기설정된 공정 온도로 조절하기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다. Here, the baking step is a step of heating and cooling the wafer to strengthen the photosensitive liquid film formed on the wafer, or adjust the temperature of the wafer to a predetermined processing temperature.

상술한 베이크 공정을 처리하는 장치는 웨이퍼를 안착시켜 가열시키는 가열플레이트를 가진다. 가열 프레이트의 상부에는 웨이퍼가 안착되는 안착면이 제공된다. 가열 플레이트의 내부에는 상기 안착면에 안착된 웨이퍼를 공정 온도로 가열하는 적어도 하나의 가열기(Heater)가 제공된다. The apparatus for processing the above-described baking process has a heating plate for heating and heating the wafer. A top surface of the heating plate is provided with a seating surface on which the wafer is seated. Inside the heating plate is provided at least one heater for heating the wafer placed on the seating surface to the process temperature.

그러나, 일반적인 베이크 공정장치는 웨이퍼 가열시 열적 스트레스로 인해 웨이퍼가 손상되거나 웨이퍼 표면에 형성된 막질이 파손되는 현상이 발생된다. 즉, 사진 공정이 수행될 때에는 웨이퍼 표면에는 다양한 종류의 막질이 형성되게 되며, 이러한 막질은 베이크 공정에서 웨이퍼의 가열시, 급격한 온도 변화에 의해 그리고 웨이퍼 표면과 막질의 상이한 열팽창율로 인해 웨이퍼 또는 막질의 손상이 발생된다. However, in a general baking process apparatus, when the wafer is heated, the wafer is damaged due to thermal stress or the film formed on the wafer surface is broken. That is, when the photolithography process is performed, various types of film quality are formed on the surface of the wafer. Such film quality is affected by a sudden temperature change during heating of the wafer in the baking process, and by a thermal expansion rate different from that of the wafer surface and film quality. The damage is generated.

특히, 종래에는 대략 130℃ 내지 200℃로 웨이퍼를 가열하였으나, 최근의 베이크 공정에서는 웨이퍼를 400℃이상으로 가열시키는 과정이 요구되고 있어 상술한 문제점이 더욱 커지고 있다. 따라서, 웨이퍼 및 웨이퍼 표면에 형성된 막질의 손상 없이 웨이퍼를 가열할 수 있는 베이크 공정장치가 요구된다.In particular, conventionally, the wafer is heated to about 130 ° C to 200 ° C. However, in the recent baking process, a process of heating the wafer to 400 ° C or more is required, and the above-described problems are further increased. Therefore, there is a demand for a baking process apparatus capable of heating the wafer without damaging the film formed on the wafer and the wafer surface.

본 발명의 목적은 베이크 공정시 기판의 열적 스트레스를 최소화할 수 있는 기판 베이크 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate baking apparatus and method capable of minimizing thermal stress of a substrate during a baking process.

본 발명의 목적은 베이크 공정시 기판의 예열 시간을 단축시킬 수 있는 기판 베이크 처리 장치 및 방법을 제공하는데 있다. It is an object of the present invention to provide a substrate baking apparatus and method capable of shortening a preheating time of a substrate during a baking process.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버 내에 설치되고, 복수개의 핀 홀을 갖는 가열 플레이트; 상기 가열 플레이트로/로부터 기판을 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 핀 어셈블리를 포함하되; 상기 리프트 핀 어셈블리는 상기 핀 홀에 승하강 가능하도록 설치되는 리프트핀들; 기판의 반입/반출을 위한 탑 포지션, 기판이 상기 가열 플레이트에 안착되는 다운 포지션 그리고 상기 탑 포지션과 상기 다운 포지션 사이의 미들 포지션으로 각각 상기 리프트핀들을 승하강시키는 실린더 유닛; 및 상기 실린더 유닛의 승하강을 제어하는 실린더 제어부를 포함하는 베이크 유닛이 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a chamber comprising: a chamber; A heating plate installed in the chamber and having a plurality of pin holes; A lift pin assembly for loading / unloading the substrate to / from the heating plate; The lift pin assembly includes lift pins installed to move up and down the pin hole. A cylinder unit for raising and lowering the lift pins in a middle position between a top position for loading / unloading the substrate, a down position where the substrate is seated on the heating plate, and a middle position between the top position and the down position; And a cylinder control unit for controlling the rising and falling of the cylinder unit.

또한, 상기 실린더 유닛은 상기 탑 포지션으로 상기 리프트핀들을 승강시키는 제1실린더; 및 상기 미들 포지션으로 상기 리프트핀들을 승강시키는 제2실린더를 포함하고, 상기 실린더 제어부는 상기 리프트핀들이 상기 탑 포지션과 상기 미들 포지션 그리고 상기 다운 포지션으로 순차적으로 승강되도록 상기 제1실린더와 상기 제2실린더를 제어할 수 있다.The cylinder unit may further include: a first cylinder for lifting the lift pins to the top position; And a second cylinder that lifts the lift pins to the middle position, wherein the cylinder control unit controls the first and second cylinders so that the lift pins are sequentially lifted up to the top position, the middle position, and the down position, The cylinder can be controlled.

또한, 상기 리프트핀들은 핀 지지부재에 의해 지지되고, 상기 핀 지지부재는 LM가이드에 의해 상하 이동이 안내되며, 상기 지지부재는 상기 제1실린더의 전진 동작 및 상기 제2실린더의 전진 동작에 의해 상승 이동되고, 상기 제1실린더의 후진 동작 및 상기 제2실린더의 후진 동작 후 자중에 의해 하강 이동될 수 있다.Further, the lift pins are supported by a pin support member, and the pin support member is guided by the LM guide to move up and down, and the support member is supported by a forward movement of the first cylinder and a forward movement of the second cylinder And can be moved downward by its own weight after the backward movement of the first cylinder and the backward movement of the second cylinder.

또한, 상기 제어부는 상기 제1실린더와 상기 제2실린더 모두 전진 동작을 통해 상기 리프트핀들을 상기 탑 포지션으로 이동시키고, 이 상태에서 상기 제1실린더의 후진 동작을 통해 상기 리프트핀들이 상기 미들 포지션으로 하강 이동되며, 상기 제2실린더의 후진 동작을 통해 상기 리프트핀들이 상기 다운 포지션으로 하강 이동될 수 있다.In addition, the control unit moves the lift pins to the top position through a forward operation of both the first cylinder and the second cylinder, and in this state, the lift pins move to the middle position And the lift pins can be moved downward to the down position through the backward movement of the second cylinder.

본 발명의 일측면에 따르면, 가열 플레이트를 기준으로 기판을 탑 포지션, 미듈 포지션 그리고 다운 포지션으로 이루어지는 3단 동작을 통해 기판을 단계적으로 가열하되; 상기 기판의 3단 동작은 리프트핀 어셈블리의 제1실린더와 제2실린더 제어를 통해 제공되는 기판 베이크 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a substrate is heated step by step through a three-step operation including a top position, a medium position, and a down position with respect to a heating plate, The three-step operation of the substrate may be provided by a first cylinder of the lift pin assembly and a second substrate control method provided through the second cylinder control.

또한, 상기 기판의 탑 포지션 이동은 상기 제1실린더와 상기 제2실린더 모두 전진 동작을 통해 제공되고, 상기 기판의 미들 포지션 이동은 상기 제2실린더가 전진 동작 상태에서 상기 제1실린더의 후진 동작을 통해 제공되며, 상기 기판의 다운 포지션 이동은 상기 제1실린더의 후진 동작 상태에서 상기 제2실린더의 후진 동작을 통해 제공될 수 있다.In addition, the top position movement of the substrate is provided through a forward movement in both the first cylinder and the second cylinder, and the middle position movement of the substrate causes the backward movement of the first cylinder in the forward operation state And the downward movement of the substrate may be provided through the backward movement of the second cylinder in the backward operating state of the first cylinder.

또한, 상기 기판은 상기 미들 포지션에서 일정시간 예열하는 시간을 가질 수 있다.In addition, the substrate may have a certain time preheating time at the middle position.

또한, 상기 기판의 미들 포지션 이동 및 상기 기판의 다운 포지션 이동은 자중에 의해 이루어질 수 있다. In addition, the middle position movement of the substrate and the down position movement of the substrate may be performed by self weight.

본 발명에 의하면, 기판이 탑 포지션, 미들 포지션 그리고 다운 포지션으로 단계적 하강을 통해 가열됨으로써 열적 스트레스에 의한 기판 및 기판 표면에 형성된 막질의 손상 없이 기판을 가열할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the present invention, since the substrate is heated through the stepwise descent to the top position, the middle position, and the down position, it is possible to heat the substrate without damaging the substrate and the film formed on the substrate surface by thermal stress.

본 발명에 의하면, 기판이 미들 포지션에서 예열됨으로써 기판 예열 시간을 단축시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the present invention, since the substrate is preheated at the middle position, it has a remarkable effect of shortening the preheating time of the substrate.

도 1은 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 베이크 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 베이크 공정방법을 보여주는 순서도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 베이크 공정시 기판을 가열하는 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 베이크 공정시 기판의 온도 변화를 보여주는 그래프이다.1 is a top view of the substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a view of the device of Fig. 1 viewed from the direction AA.
Fig. 3 is a view of the substrate processing apparatus of Fig. 1 viewed from the BB direction.
4 is a view for explaining the constitution of the bake unit.
5 is a flow chart showing a bake process according to the present invention.
6 to 8 are views for explaining a process of heating a substrate in the baking process according to the present invention.
9 is a graph showing the temperature change of the substrate during the baking step.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면으로, 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a top view of a substrate processing apparatus 1, and FIG. 2 is a cross- FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 viewed from the BB direction.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a coating and developing module 400, and a purge module 800 do. The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in one direction in one direction. The purge module 800 may be provided in the interface module 700. The fuzzy module 800 may be provided at various positions such as a position where the exposure device at the rear end of the interface module 700 is connected or a side of the interface module 700. [

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16, Quot;

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The wafer W is moved in a state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700) 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, the interface module 700, and the fuzzy module 800 will be described in detail.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 accommodating wafers W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 120 are arranged in a line along the second direction 14. In Fig. 2, an example in which four placement tables 120 are provided is shown.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the wafer W between the cassette 20 and the buffer module 300 placed on the table 120 of the load port 100. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is provided so that the hand 221 which directly handles the wafer W is movable and rotatable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16. The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of wafers W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One wafer W is placed on each support 332. The housing 331 includes a housing 331 and an index robot 220. The housing 331 supports the index robot 220 and the first buffer robot 360 in a direction in which the index robot 220 is provided, 1 buffer robot 360 has an opening (not shown) in the direction in which it is provided. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction. The first buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is driven only in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 cool the wafers W, respectively. The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the wafer W is placed and a cooling means 353 for cooling the wafer W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly for positioning the wafer W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with the index robot 220 and the developing unit 402. The housing 351 is provided with the index robot 220, The robot has an opening in the direction provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors for opening and closing the above-described opening.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 유닛(410), 열처리 유닛(500), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 유닛(430)를 가진다. 도포 유닛(410), 열처리 유닛(500), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 유닛(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 도포 유닛(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a step of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the wafer W and a heat treatment step such as heating and cooling for the wafer W before and after the resist application step. The application module 401 has a coating unit 410, a heat treatment unit 500, a bake unit 420, and a transfer unit 430. The application unit 410, the heat treatment unit 500, the bake unit 420, and the transfer unit 430 are sequentially disposed along the second direction 14. A plurality of application units 410 are provided, and a plurality of application units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 유닛(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 유닛(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 유닛(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 도포 유닛들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer unit 430 is disposed in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. The application unit robot 432 and the guide rail 433 are positioned within the transfer unit 430. The transfer unit 430 has a substantially rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the wafer W between the bake units 420, the application units 410 and the first buffer 320 of the first buffer module 300. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 유닛(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도포 유닛(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 도포 유닛(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 도포 유닛(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The application units 410 all have the same structure. However, the kinds of the photoresist used in the respective application units 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The application unit 410 applies a photoresist on the wafer W. [ The application unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the wafer W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the application unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W coated with the photoresist.

계속해서, 본 발명에 따른 베이크 공정을 위한 베이크 유닛을 구체적으로 설명한다. 도 4는 베이크 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면이다.Next, the bake unit for the bake process according to the present invention will be described in detail. 4 is a view for explaining the constitution of the bake unit.

도 4를 참조하면, 베이크 유닛(1000)은 하우징(housing)(1110), 가열부재(heating member)(1120), 그리고 리프트핀 어셈블리(1130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the bake unit 1000 may include a housing 1110, a heating member 1120, and a lift pin assembly 1130.

하우징(1110)은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(1110)의 일측에는 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구(1112)가 제공될 수 있다. 도시하지 않았지만, 기판 출입구(1112)는 개폐부재(door)(미도시됨)에 의해 개폐가 이루어질 수 있다. 하우징(1110)의 내부는 소정의 공정 압력을 만족하며, 이를 위해 하우징(1110)에는 하우징(1110) 내 공기를 외부로 배출시키는 감압 라인(미도시됨)이 제공될 수 있다.The housing 1110 provides a space for performing a bake process therein. At one side of the housing 1110, a substrate entry / exit port 1112 through which the substrate W enters and leaves can be provided. Although not shown, the substrate entrance 1112 can be opened and closed by a door (not shown). The inside of the housing 1110 satisfies a predetermined process pressure. To this end, the housing 1110 may be provided with a pressure reducing line (not shown) for discharging the air in the housing 1110 to the outside.

가열부재(1120)는 공정시 기판(W)을 기설정된 공정 온도로 가열하기 위한 것이다. 가열부재(1120)는 하우징(1110) 내부 하측에 설치될 수 있다. 가열부재(1120)는 가열 플레이트(1122) 및 발열체(1124)를 포함할 수 있다.The heating member 1120 is for heating the substrate W to a predetermined processing temperature during processing. The heating member 1120 may be installed inside the housing 1110. The heating member 1120 may include a heating plate 1122 and a heating element 1124.

가열 플레이트(1122)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 가열 플레이트(1112)는 대체로 플레이트 형상을 가진다. 가열 플레이트(1112)의 상부에는 공정시 기판(W)이 안착되는 지지면(1122a)이 제공될 수 있. 발열체(1124)은 가열 플레이트(1112) 내에 구비되며, 공정시 기판(W)을 가열한다. 발열체(1124)은 적어도 하나가 구비되며, 각각의 발열체(1124)은 기설정된 공정 온도를 유지한다. The heating plate 1122 supports the substrate W during processing. The heating plate 1112 has a generally plate shape. Above the heating plate 1112 may be provided a support surface 1122a on which the substrate W is seated during processing. The heating element 1124 is provided in the heating plate 1112 and heats the substrate W in the process. At least one heating element 1124 is provided, and each heating element 1124 maintains a predetermined processing temperature.

리프트핀 어셈블리(1130)는 공정시 기판(W)을 가열 플레이트(1122)의 상부에서 탐 포지션(T), 미들 포지션(M) 그리고 다운 포지션(D)으로 각각 승강 및 하강시킨다. 리프트핀 어셈블리(1130)는 가열 플레이트(1122)에 형성된 핀 홀(1123)에 승하강 가능하도록 위치되는 리프트 핀들(lift pin;1312)을 갖는 리프트핀부(1310), 리프트핀부(1310)를 승강시는 실린더 유닛, 실린더 유닛의 제1실린더(1440)와 제2실린더(1450) 각각으로 작동유체를 공급하여 리프트핀부(1310)가 승강하도록 구동력을 제공하는 유압공급부(1370), 그리고 제1실린더(1312)와 제2실린더(1314)로 공급되는 작동유체를 제어하는 제어부(1360)를 포함할 수 있다.The lift pin assembly 1130 lifts and lowers the substrate W from the upper portion of the heating plate 1122 to the tom position T, the middle position M and the down position D, respectively. The lift pin assembly 1130 includes a lift pin portion 1310 having lift pins 1312 positioned to be raised and lowered in a pin hole 1123 formed in a heating plate 1122, A hydraulic pressure supply unit 1370 for supplying a working fluid to the first cylinder 1440 and the second cylinder 1450 of the cylinder unit to provide a driving force for lifting and lowering the lift pin unit 1310, And a control unit 1360 for controlling the working fluid supplied to the first cylinder 1312 and the second cylinder 1314.

리프트핀부(1310)는 리프트 핀(1312)들과, 이들을 지지하는 핀 지지부재(1314)를 포함할 수 있다. 리프트 핀(1312)들은 기판의 크기와 형상에 따라 복수개가 구비될 수 있다. 리프트 핀(1312)들의 배치 간격과 배치 형태는 가변 될 수 있다. 리프트 핀들(1312)은 상하로 수직하게 설치된다. 각각의 리프트 핀들(1312)은 가열 플레이트(1122) 내부에서 상하로 이동가능하도록 설치된다. 리프트 핀들(1312)의 상부 끝단은 기판(W)의 저면과 접촉되고, 하부 끝단은 핀 지지부재(1314)와 결합된다. 핀 지지부재(1314)는 각각의 리프트 핀들(1312)을 지지한다. 핀 지지부재(1314)는 각각의 리프트 핀들(1312)이 일정한 높이로 이동되도록 지지한다. 한편, 핀 지지부재는 LM가이드(1330)에 의해 상하 이동이 안내된다. The lift pin portion 1310 may include lift pins 1312 and a pin support member 1314 for supporting them. A plurality of lift pins 1312 may be provided depending on the size and shape of the substrate. The spacing and arrangement of the lift pins 1312 may vary. The lift pins 1312 are installed vertically up and down. Each of the lift pins 1312 is installed so as to be movable up and down within the heating plate 1122. The upper ends of the lift pins 1312 are in contact with the bottom surface of the substrate W, and the lower ends thereof are engaged with the pin support member 1314. The pin support member 1314 supports the respective lift pins 1312. The pin support member 1314 supports each of the lift pins 1312 to be moved at a constant height. On the other hand, the pin support member is guided by the LM guide 1330 in the vertical direction.

실린더 유닛은 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350)를 포함할 수 있다. 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350)는 나란히 위치될 수 있다. 즉, 리프트 핀부(1310)는 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350)에 의해 단계적으로 하강 이동될 수 있다. 일 예로, 리프트 핀부(1310)는 기판의 반입/반출을 위한 탑 포지션(T), 기판을 가열 플레이트에 안착시켜 기판을 공정온도를 가열시키는 다운 포지션(D) 그리고 탑 포지션(T)과 다운 포지션(D) 사이로 기판을 예열시키는 미들 포지션(M)으로 각각 승하강될 수 있다. The cylinder unit may include a first cylinder 1340 and a second cylinder 1350. The first cylinder 1340 and the second cylinder 1350 may be positioned side by side. That is, the lift pin portion 1310 can be moved downward by the first cylinder 1340 and the second cylinder 1350 in a stepwise manner. For example, the lift pin portion 1310 may include a top position T for loading / unloading a substrate, a down position D for heating the substrate to a process temperature by placing the substrate on a heating plate, a top position T, And the middle position M for preheating the substrate between the first and second substrates D, respectively.

제1실린더(1340)는 작동 유체에 의해 승강하는 제1푸시로드(1342)를 포함할 수 있다. 제1실린더(1340)는 작동유체 공급으로 제1푸시로드(1342)가 전진 동작시 리프트핀부(1310)를 밀어 올려 리프트핀부(1310)를 탑 포지션(T)으로 이동시킨다, The first cylinder 1340 may include a first push rod 1342 that is lifted by the working fluid. The first cylinder 1340 moves the lift pin portion 1310 to the top position T by pushing up the lift pin portion 1310 in the forward operation by the first push rod 1342 with the working fluid supply,

제2실린더(1350)는 작동 유체에 의해 승강하는 제2푸시로드(1352)를 포함할 수 있다. 제2실린더(1350)는 작동유체 공급으로 제2푸시로드(1352)가 전진 동작시 리프트핀부(1310)을 기판의 예열을 위한 미들 포지션(M)으로 이동시킬 수 있다. The second cylinder 1350 may include a second push rod 1352 that is lifted by the working fluid. The second cylinder 1350 can move the lift pin portion 1310 to the middle position M for preheating the substrate during the forward movement of the second push rod 1352 with the working fluid supply.

여기서, 제2실린더(1350)의 제2푸시로드(1352)의 전진 높이는 제1실린더(1340)의 제1푸시로드(1342)의 전진 높이보다 낮다. Here, the advance height of the second push rod 1352 of the second cylinder 1350 is lower than the advance height of the first push rod 1342 of the first cylinder 1340.

제어부(1360)는 실린더 유닛의 승하강을 제어한다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 제어부(1360)는 공정 진행시 기판이 탑 포지션, 미들 포지션 그리고 다운 포지션에 위치되도록 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350)로 작동 유체의 공급을 제어한다. The control unit 1360 controls the rise and fall of the cylinder unit. More specifically, the control unit 1360 controls the supply of working fluid to the first cylinder 1340 and the second cylinder 1350 so that the substrate is positioned at the top position, the middle position, and the down position during the process.

일 예로, 제어부(1360)는 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350) 모두 전진 동작을 통해 리프트핀부(1310)를 탑 포지션으로 이동시키고, 이 상태에서 제1실린더(1340)의 후진 동작을 통해 리프트핀부(1310)이 미들 포지션으로 하강 이동되며, 제2실린더(1350)의 후진 동작을 통해 리프트핀부(1310)이 다운 포지션으로 하강 이동된다. For example, the control unit 1360 moves the lift pin 1310 to the top position through the forward movement of both the first cylinder 1340 and the second cylinder 1350, and in this state, the reverse operation of the first cylinder 1340 The lift pin portion 1310 is moved downward to the middle position and the lift pin portion 1310 is moved to the down position through the backward movement of the second cylinder 1350.

이하, 상술한 구성을 가지는 베이크 유닛의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성과 동일한 구성에 대한 참조 번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다. Hereinafter, the process of the bake unit having the above-described structure will be described in detail. Here, the same reference numerals are given to the same components as the above-described components, and a detailed description of the components is omitted.

도 5는 본 발명에 따른 베이크 공정방법을 보여주는 순서도이고, 도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 베이크 공정시 기판을 가열하는 과정을 설명하기 위한 도면들이다. FIG. 5 is a flow chart showing a baking process according to the present invention, and FIGS. 6 to 8 are views for explaining a process of heating a substrate in the baking process according to the present invention.

도 5를 참조하면, 베이크 공정은 기판(W)이 리프트핀부(1310)의 탑 포지션(T)에서 리프트핀(1312)에 안착되는 단계(S110), 리프트핀부(1310)가 미들 포지션(M)으로 이동하여 기판을 예열하는 단계(S120), 기판 예열이 끝나면 리프트핀부(1310)가 다운 포지션(D)으로 이동하여 기판을 가열 플레이트(1122)에 안착시킨 후 공정온도로 기판을 가열하는 단계(S130), 리프트핀부(1310)를 탑 포지션(T)으로 상승 이동시킨 후 기판을 반출하는 단계(S140)를 포함할 수 있다. 5, the bake process includes a step S110 in which the substrate W is mounted on the lift pin 1312 at the top position T of the lift pin portion 1310, the lift pin portion 1310 is moved to the middle position M, (S120), heating the substrate to the process temperature after the lift pin portion 1310 moves to the down position (D) after the preheating of the substrate is completed, placing the substrate on the heating plate 1122 S130), and lifting the lift pin portion 1310 to the top position (T) and removing the substrate (S140).

일 실시예로서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 리프트핀부(1310)는 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350) 모두 전진 동작을 통해 탑 포지션(T)으로 이동된 상태에서 기판 이송 장치(미도시됨)에 의해 이송된 기판(W)이 리프트 핀(1312)들 상에 놓여진다. 5 and 6, the lift pins 1310 are moved in the top position T by advancing movement of both the first cylinder 1340 and the second cylinder 1350, The substrate W transferred by a device (not shown) is placed on the lift pins 1312.

기판(W)이 탑 포지션(T) 상의 리프트핀(1312)상에 위치되면, 제어부(1360)에 의해 제1실린더(1340)는 후진 동작되고 이에 따라 리프트핀부(1310)는 미들 포지션(M)으로 하강이동된다(도 7 참조). 즉, 제1실린더(1340)가 후진 동작하면 리프트핀부(1310)는 자중에 의해 하강하면서 제2실린더(1350)의 제2푸시로드(1352)와 맞닿게 되면서 미들 포지션(M)에서 정지된다. 기판(W)이 미들 포지션(M)에 위치되면, 발열체(1124)로부터 발생되는 열에 의해 일차적으로 예열된다. 일 실시예로서, 미들 포지션(M)은 기판(W)이 발열체(124)에 의해 기설정된 타겟 온도(일 예로 110℃ 내지 150℃)로 가열되는 높이이다. 기판은 미들 포지션에서 소정 시간동안 예열된다. When the substrate W is positioned on the lift pin 1312 on the top position T, the first cylinder 1340 is operated backward by the control unit 1360 so that the lift pin 1310 is moved to the middle position M, (See Fig. 7). That is, when the first cylinder 1340 moves backward, the lift pin portion 1310 is lowered by its own weight and stopped at the middle position M while being in contact with the second push rod 1352 of the second cylinder 1350. When the substrate W is located at the middle position M, it is firstly preheated by the heat generated from the heating element 1124. In one embodiment, the middle position M is a height at which the substrate W is heated to a target temperature (for example, 110 占 폚 to 150 占 폚, for example) set by the heating element 124. The substrate is preheated in the middle position for a predetermined time.

도 8을 참조하면, 제어부(1360)에 의해 제2실린더(1350)는 후진 동작되면 리프트핀부는 다운 포지션으로 하강이동되고, 이에 기판은 가열 플레이트에 안착되며, 발열체에 의해 공정 온도로 가열된다. 이때, 상기 기설정된 공정 온도는 400℃이상의 온도일 수 있다. Referring to FIG. 8, when the second cylinder 1350 is operated backward by the control unit 1360, the lift pin unit is moved down to the down position, and the substrate is mounted on the heating plate and heated to the process temperature by the heating element. At this time, the predetermined process temperature may be 400 ° C or more.

기판(W)의 가열이 완료되면, 리프트핀부(1310)는 제1실린더(1340)와 제2실린더(1350) 모두 전진 동작을 통해 탑 포지션(T)으로 이동되고, 그 상태에서 기판은 베이크 유닛으로부터 반출되어 후속 공정을 수행하게 된다. When the heating of the substrate W is completed, both the first cylinder 1340 and the second cylinder 1350 are moved to the top position T through the advancing operation, and in this state, And the subsequent process is performed.

상술한 바와 같이, 베이크 유닛 및 그 처리 방법은 기판을 단계적으로 하강시켜 기판을 가열 플레이트와 보다 가까운 위치에서 예열시킴으로써 기판 예열에 필요한 시간을 단축시킬 수 있다. 도 9를 살펴보면, 기판이 탑 포지션에서 기설정된 예열온도 까지 도달하기에는 30초가 소요되지만, 본 발명에서와 같이 기판이 미들 포지션으로 이동된 상태에는 기설정된 예열온도까지 도달하는데 8초만 소요됨으로 앞선 방식에 비해 22초를 단축시킬 수 있다.As described above, the bake unit and its processing method can shorten the time required for substrate preheating by stepwise lowering the substrate to preheat the substrate closer to the heating plate. 9, it takes 30 seconds for the substrate to reach the preset preheat temperature in the top position. However, in the state where the substrate is moved to the middle position as in the present invention, it takes 8 seconds to reach the predetermined preheat temperature. Can be shortened by 22 seconds.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

1000 : 베이크 유닛 1110 : 하우징
1120 : 가열부재 1130 : 리프트핀 어셈블리 1000: Baking unit 1110: Housing
1120: Heating element 1130: Lift pin assembly

Claims (8)

챔버;
상기 챔버 내에 설치되고, 복수개의 핀 홀을 갖는 가열 플레이트;
상기 가열 플레이트로/로부터 기판을 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 핀 어셈블리를 포함하되;
상기 리프트 핀 어셈블리는
상기 핀 홀에 승하강 가능하도록 설치되는 리프트핀들;
기판의 반입/반출을 위한 탑 포지션, 기판이 상기 가열 플레이트에 안착되는 다운 포지션 그리고 상기 탑 포지션과 상기 다운 포지션 사이의 미들 포지션으로 각각 상기 리프트핀들을 승하강시키는 실린더 유닛; 및
상기 실린더 유닛의 승하강을 제어하는 실린더 제어부를 포함하는 베이크 유닛.chamber;
A heating plate installed in the chamber and having a plurality of pin holes;
A lift pin assembly for loading / unloading the substrate to / from the heating plate;
The lift pin assembly
Lift pins mounted on the pin holes so as to be able to move up and down;
A cylinder unit for raising and lowering the lift pins in a middle position between a top position for loading / unloading the substrate, a down position where the substrate is seated on the heating plate, and a middle position between the top position and the down position; And
And a cylinder control unit for controlling the rising and falling of the cylinder unit. 제 1 항에 있어서,
상기 실린더 유닛은
상기 탑 포지션으로 상기 리프트핀들을 승강시키는 제1실린더; 및
상기 미들 포지션으로 상기 리프트핀들을 승강시키는 제2실린더를 포함하고,
상기 실린더 제어부는 상기 리프트핀들이 상기 탑 포지션과 상기 미들 포지션 그리고 상기 다운 포지션으로 순차적으로 승강되도록 상기 제1실린더와 상기 제2실린더를 제어하는 베이크 유닛.The method according to claim 1,
The cylinder unit
A first cylinder for lifting the lift pins to the top position; And
And a second cylinder for lifting the lift pins to the middle position,
Wherein the cylinder control unit controls the first cylinder and the second cylinder such that the lift pins are sequentially lifted up to the top position, the middle position, and the down position. 제 2 항에 있어서,
상기 리프트핀들은 핀 지지부재에 의해 지지되고,
상기 핀 지지부재는 LM가이드에 의해 상하 이동이 안내되며,
상기 지지부재는 상기 제1실린더의 전진 동작 및 상기 제2실린더의 전진 동작에 의해 상승 이동되고, 상기 제1실린더의 후진 동작 및 상기 제2실린더의 후진 동작 후 자중에 의해 하강 이동되는 베이크 유닛.3. The method of claim 2,
The lift pins are supported by a pin support member,
The pin support member is guided by the LM guide to move up and down,
Wherein the support member is moved upward by a forward movement of the first cylinder and a forward movement of the second cylinder and is moved downward by a self weight after the backward movement of the first cylinder and the backward movement of the second cylinder. 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는
상기 제1실린더와 상기 제2실린더 모두 전진 동작을 통해 상기 리프트핀들을 상기 탑 포지션으로 이동시키고, 이 상태에서 상기 제1실린더의 후진 동작을 통해 상기 리프트핀들이 상기 미들 포지션으로 하강 이동되며, 상기 제2실린더의 후진 동작을 통해 상기 리프트핀들이 상기 다운 포지션으로 하강 이동되는 베이크 유닛.3. The method of claim 2,
The control unit
Moving the lift pins to the top position through a forward movement of both the first cylinder and the second cylinder and moving the lift pins to the middle position through a backward movement of the first cylinder in this state, And the lift pins are moved downward to the down position through a backward movement of the second cylinder. 가열 플레이트를 기준으로 기판을 탑 포지션, 미듈 포지션 그리고 다운 포지션으로 이루어지는 3단 동작을 통해 기판을 단계적으로 가열하되;
상기 기판의 3단 동작은 리프트핀 어셈블리의 제1실린더와 제2실린더 제어를 통해 제공되는 기판 베이크 방법.The substrate is heated step by step through a three-step operation including a top position, a medium position, and a down position with respect to the heating plate;
Wherein the three-step operation of the substrate is provided through a first cylinder and a second cylinder control of the lift pin assembly. 제 5 항에 있어서,
상기 기판의 탑 포지션 이동은
상기 제1실린더와 상기 제2실린더 모두 전진 동작을 통해 제공되고,
상기 기판의 미들 포지션 이동은
상기 제2실린더가 전진 동작 상태에서 상기 제1실린더의 후진 동작을 통해 제공되며,
상기 기판의 다운 포지션 이동은 상기 제1실린더의 후진 동작 상태에서 상기 제2실린더의 후진 동작을 통해 제공되는 기판 베이크 방법.6. The method of claim 5,
The top position movement of the substrate
Wherein both the first cylinder and the second cylinder are provided through a forward movement,
The middle position movement of the substrate
Wherein the second cylinder is provided through a backward movement of the first cylinder in a forward operation state,
Wherein the downward movement of the substrate is provided through a backward movement of the second cylinder in a backward movement state of the first cylinder. 제 6 항에 있어서,
상기 기판은 상기 미들 포지션에서 일정시간 예열하는 시간을 갖는 기판 베이크 방법.The method according to claim 6,
Wherein said substrate has a preheating time at said middle position for a period of time. 제 6 항에 있어서,
상기 기판의 미들 포지션 이동 및 상기 기판의 다운 포지션 이동은 자중에 의해 이루어지는 기판 베이크 방법.The method according to claim 6,
Wherein the middle position movement of the substrate and the down position movement of the substrate are performed by their own weights.
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