KR20050112731A - Lift pin assemable of semiconductor production device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 공정 시 웨이퍼를 업다운하는 리프트 핀에 리프트 핀 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a lift pin assembly to lift pins that up and down a wafer in a semiconductor manufacturing process.
반도체 제조설비에서 척에 형성된 이송홀을 통해 개스가 유입되지 않도록 하고, 척에 형성된 히터의 열에 의해 변형되지 않도록 하며, 리프트 핀 승하강 시 리프트홀더의 변형에 의해 리프트 핀에 의해 이송홀의 긁힘이나 진동을 발생하지 않도록 하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 리프트핀 어셈블리는, 두부가 접시형태로 형성되고 웨이퍼와 맞닿게 되는 다수의 리프트핀과, 상기 다수의 리프트 핀을 승하강 시키기 위한 리프트홀더와, 상기 웨이퍼를 고정하기 위한 척과, 상기 척에 상기 다수의 리프트핀을 관통시키기 위해 형성된 다수의 이송홀과, 상기 리프트홀더 상에 일정간격으로 돌출 설치되어 상기 다수의 리프트핀과 분리되어 있으며, 상기 다수의 리프트핀을 지지하는 리프트핀 가이드를 포함한다.In the semiconductor manufacturing equipment, the gas is not introduced through the transfer hole formed in the chuck and is not deformed by the heat of the heater formed in the chuck. When the lift pin descends, the transfer pin is scratched or vibrated due to the deformation of the lift holder. The lift pin assembly of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention for preventing the occurrence of a plurality of lift pins, the head portion is formed in the form of a plate and abuts the wafer, a lift holder for lifting the plurality of lift pins; Chuck for fixing the wafer, a plurality of transfer holes formed to penetrate the plurality of lift pins to the chuck, protruded at a predetermined interval on the lift holder and separated from the plurality of lift pins, It includes a lift pin guide for supporting the lift pin.
Description
본 발명은 반도체 제조설비의 리프트 핀 어셈블리에 관한 것으로, 특히 반도체 제조 공정 시 웨이퍼를 업다운하는 리프트 핀에 리프트 핀 어셈블리에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lift pin assembly in a semiconductor manufacturing facility, and more particularly to a lift pin assembly in a lift pin that ups and downs a wafer in a semiconductor manufacturing process.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하는 과정에서 반도체 기판인 웨이퍼는 물질층의 증착공정과 증착된 물질층을 에칭하는 공정, 세정공정, 건조공정 등 여러 단계의 공정을 거치게 된다. 이러한 공정 중에 물리적 화학적공정(CVD)를 사용하는 대부분의 공정이 반도체 소자 형성을 위한 물질층 형성공정과 형성된 물질층을 원하는 형태로 패터닝하는 공정으로 이루어진다. In general, in manufacturing a semiconductor device, a wafer, which is a semiconductor substrate, is subjected to various steps such as a deposition process of a material layer, a process of etching a deposited material layer, a cleaning process, and a drying process. Most of these processes using physical chemical process (CVD) consist of forming a material layer for forming a semiconductor device and patterning the formed material layer in a desired form.
반도체 소자의 제조공정에서 물질층을 형성시키기 위한 장치의 하나로서 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 "CVD"라 함) 장치를 들 수 있으며, CVD 장치는 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막을 형성하는 장치이다.One device for forming a material layer in a semiconductor device manufacturing process is a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as a "CVD") device, the CVD device is a chemical reaction after decomposing a gaseous compound Is a device for forming a thin film on a semiconductor substrate.
이러한 공정을 진행하는 반도체 장치는 미국 특허 5,262,029 및 5,838,529에 개시되어 있으며, 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼는 진공챔버내에서 CVD공정을 진행하는 동안에 정전척(ESC)에 의해 기판홀더에 위치한다. 공정가스는 가스노즐, 가스링, 가스분산판 등과 같은 여러 가지 기구물등을 통해 챔버 내부로 공급된다. 반도체 기판을 처리하는 다른 설비는 이송메카니즘, 가스공급 시스템, 라이너(Liner), 리프트 메카니즘, 로봇암, 패스테너(Fastener), 로드락, 도어 메카니즘 등과 같은 것을 포함한다. The semiconductor devices undergoing this process are disclosed in US Pat. Nos. 5,262,029 and 5,838,529, wherein a silicon wafer, which is a semiconductor substrate, is placed in a substrate holder by an electrostatic chuck (ESC) during a CVD process in a vacuum chamber. Process gas is supplied into the chamber through various instruments such as gas nozzles, gas rings, and gas distribution plates. Other facilities for processing semiconductor substrates include transfer mechanisms, gas supply systems, liners, lift mechanisms, robotic arms, pastners, load locks, door mechanisms, and the like.
각종 반도체 제조설비에서 웨이퍼(WAFER)의 가공은 최적의 공정조건을 유지하는 공정챔버(PROCESS CHAMBER)에서 이루어지게 되며, 이러한 공정챔버(PROCESS CHAMBER)에 웨이퍼가 로딩되기전 공정챔버(PROCESS CHAMBER)와 동일한 조건으로 웨이퍼(WAFER)의 환경을 조성해주는 로드락챔버(ROAD LOCK CHAMBER)가 구비된다. The processing of wafers in various semiconductor manufacturing facilities is carried out in process chambers that maintain optimal process conditions. ROAD LOCK CHAMBER is provided to create the environment of the wafer (WAFER) under the same conditions.
이와같은 로드락챔버(ROAD LOCK CHAMBER)의 종류는 공정순서에 따라 공정챔버에 웨이퍼를 투입하는 로딩로드락챔버(ROADING ROAD LOCK CHAMBER)와, 공정챔버(PROCESS CHAMBER)에서 공정이 모두 끝난 웨이퍼를 다시 대기상태나 후속공정챔버로 이송하기 위해 배출하는 언로딩로드락챔버(UNROADING ROAD LOCK CHAMBER)로 분류된다.Such a kind of ROAD LOCK CHAMBER is a loading rod chamber that inserts wafers into the process chamber according to the process sequence and a wafer which has been processed in the process chamber again. It is classified as UNROADING ROAD LOCK CHAMBER which is discharged for transfer to the standby state or to the subsequent process chamber.
상기 로딩로드락챔버(ROADING ROAD LOCK CHAMBER)와 언로딩로드락챔버(UNROADING ROAD LOCK CHAMBER)에는 각각 웨이퍼(WAFER)를 이송시키기 위한 로봇암 등 여러 가지의 형태의 웨이퍼 이송장치가 구비되고, 공정챔버(PROCESS CHAMBER)에 구비되어 웨이퍼를 고정하는 척(CHUCK)은 그 내부에 승,하강 작동되는 리프트 핀 어셈블리(LIFT PIN ASS'Y)가 구비된다. The ROADING ROAD LOCK CHAMBER and the UNROADING ROAD LOCK CHAMBER are each provided with various types of wafer transfer devices such as a robot arm for transferring wafers, and process chambers. The chuck CHUCK, which is provided in the process chamber, is provided with a lift pin assembly that is lifted and lowered.
이러한, 리프트 핀 어셈블리(LIFT PIN ASS'Y)는 웨이퍼를 언로딩로드락챔버(UNROADING ROAD LOCK CHAMBER)로 반송하는 중간매개체 역할과, 웨이퍼(WAFER)에 축적된 전하를 방전하는 역할을 수행한다.The lift pin assembly (LIFT PIN ASS'Y) serves as an intermediate medium for conveying the wafer to the unloading load lock chamber, and discharges the charge accumulated in the wafer WAFER.
이러한 종래의 리프트핀 어셈블리가 도 1에 도시되어 있다. This conventional lift pin assembly is shown in FIG.
리프트홀더(110)의 상부에 웨이퍼와 맞닿게 되는 다수의 핀(120)이 돌출형성되고, 리프트홀더(110)의 하부에는 구동수단인 실린더(도시하지 않음)가 연결되는 구성을 갖는다. 상기 다수의 핀(120)은 리프트홀더(110)와 일체형으로 형성되어 있다. 실린더의 구동에 의해 리프트홀더(110)를 승강작동시켜 다수의 핀(120)이 척(140)에 형성된 이송홀(130)을 통해 승강되게 하므로서 척(140)에 고정된 웨이퍼를 챔버로 이송할 수 있도록 들어올려 척(140)으로부터 분리한다.A plurality of pins 120 which come into contact with the wafer are formed on the upper part of the lift holder 110, and a cylinder (not shown), which is a driving means, is connected to the lower part of the lift holder 110. The plurality of pins 120 are integrally formed with the lift holder 110. Lifting operation of the lift holder 110 by driving a cylinder allows the plurality of pins 120 to be lifted and lowered through the transfer hole 130 formed in the chuck 140, thereby transferring the wafer fixed to the chuck 140 to the chamber. Lift up to separate it from the chuck 140.
이때, 리프트홀더(110)에 수직구조로서 결합되는 다수의 핀(120)은 상부 끝단이 상호 수평상태를 유지하고 있어, 리프트홀더(110)의 승강작동시 각 핀(120)의 상부 끝단이 동시에 웨이퍼의 하부면에 맞닿으며 웨이퍼를 들어올리게 된다.At this time, the plurality of pins 120 coupled to the lift holder 110 as a vertical structure, the upper ends are maintained in a horizontal state with each other, the upper end of each pin 120 during the lifting operation of the lift holder 110 at the same time The wafer abuts against the bottom surface of the wafer.
상기와 같은 종래의 리프트핀은 다음과 같은 문제가 발생한다.Conventional lift pins as described above have the following problems.
첫 번째로 리프트홀더(110)와 일체형으로 형성되어 두 파트중 하나의 파트가 변형될 경우 척(140)에 형성된 이송홀(130)을 긁음으로 인해 파티클이 발생되고 또한 진동에 의해 웨이퍼의 포지션이 변경되어 웨이퍼 이송 시 브로큰이 발생되는 문제가 있다.First, when one part of the two parts is formed integrally with the lift holder 110, particles are generated by scratching the transfer hole 130 formed in the chuck 140, and the position of the wafer is caused by vibration. There is a problem that the crack is generated when the wafer is transferred.
두 번째로 리프트핀은 메탈재질로 형성되어 있고 리프트핀의 위치가 항상 척(140)에 형성된 이송홀(130) 내부에 있으므로 척(140) 내부에 형성된 히터의 열에 의해 변형될 우려가 있다.Secondly, since the lift pin is formed of a metal material and the position of the lift pin is always inside the transfer hole 130 formed in the chuck 140, the lift pin may be deformed by the heat of the heater formed in the chuck 140.
세 번째로 척(140)에 형성된 이송홀(130)을 통해 개스가 유입되어 Al2O3 막이 증착되어 리프트핀의 업/다운 시 진동이 발생되어 웨이퍼 이송 시 브로큰이 발생되는 문제가 있다.Third, a gas is introduced through the transfer hole 130 formed in the chuck 140, and an Al 2 O 3 film is deposited to cause vibration when the lift pin is up / down, thereby causing a broken wafer during transfer.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 반도체 제조설비에서 척에 형성된 이송홀을 통해 개스가 유입되지 않도록 하고, 척에 형성된 히터의 열에 의해 변형되지 않도록 하는 반도체 제조설비의 리프트핀 어셈블리를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to lift the gas assembly through the transfer hole formed in the chuck in the semiconductor manufacturing equipment to solve the above problems, the lift pin assembly of the semiconductor manufacturing equipment so as not to be deformed by the heat of the heater formed in the chuck. In providing.
본 발명의 다른 목적은 리프트홀더가 변형되더라도 리프트 핀 업 다운 시 척에 형성된 이송홀이 긁히지 않도록 하는 반도체 제조설비의 리프트핀 어셈블리를 제공함에 있다. It is another object of the present invention to provide a lift pin assembly of a semiconductor manufacturing facility that does not scratch the transfer hole formed in the lift pin up-down chuck even if the lift holder is deformed.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 리프트핀 어셈블리는, 웨이퍼와 맞닿게 되는 다수의 리프트핀과, 상기 다수의 리프트 핀을 승하강 시키기 위한 리프트홀더와, 상기 웨이퍼를 고정하기 위한 척과, 상기 척에 상기 다수의 리프트핀을 관통시키기 위해 형성된 다수의 이송홀과,상기 리프트홀더 상에 일정간격으로 돌출 설치되어 상기 다수의 리프트핀과 분리되어 있으며, 상기 다수의 리프트핀을 지지하는 리프트핀 가이드를 포함함을 특징으로 한다.The lift pin assembly of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention for achieving the above object, a plurality of lift pins to be in contact with the wafer, a lift holder for raising and lowering the plurality of lift pins, a chuck for fixing the wafer and And a plurality of transfer holes formed to penetrate the plurality of lift pins through the chuck, protrudingly installed on the lift holder at a predetermined interval, separated from the plurality of lift pins, and supporting the plurality of lift pins. And a pin guide.
상기 리프트 핀은 두부가 접시형태로 형성하는 것이 바람직하다.The lift pin is preferably formed in the shape of a plate tofu.
상기 리프트 핀은 세라믹으로 형성하는 것이 바람직하다.The lift pin is preferably formed of a ceramic.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 리프트 핀이 삽입되지 않은 상태의 어셈블리의 구조도이고, 2 is a structural diagram of an assembly without a lift pin inserted according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 리프트 핀이 삽입된 상태의 어셈블리의 구조도이다. 3 is a structural diagram of an assembly in a state in which the lift pin is inserted according to an embodiment of the present invention.
웨이퍼와 맞닿게 되는 다수의 리프트핀(220)과, 구동수단인 실린더에 연결되어 상기 다수의 리프트 핀(220)을 승하강 시키기 위한 리프트홀더(210)와, 웨이퍼를 고정하기 위한 척(240)과, 상기 척(240)에 상기 다수의 리프트핀(220)을 관통시키기 위해 형성된 다수의 이송홀(230)과, 상기 리프트홀더(210) 상에 일정간격으로 돌출 설치되어 상기 다수의 리프트핀(220)과 분리되어 있으며, 상기 다수의 리프트핀(220)을 지지하는 리프트핀 가이드(250)로 구성되어 있다. A plurality of lift pins 220 which are in contact with the wafer, a lift holder 210 connected to a cylinder, which is a driving means, for raising and lowering the plurality of lift pins 220, and a chuck 240 for fixing the wafer. And a plurality of transfer holes 230 formed to penetrate the plurality of lift pins 220 through the chuck 240, and protrude at predetermined intervals on the lift holder 210. It is separated from the 220, and is composed of a lift pin guide 250 for supporting the plurality of lift pins 220.
상술한 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.2 and 3 will be described in detail the operation of the preferred embodiment of the present invention.
척(240)은 다수의 리프트 핀(220)을 삽입하기 위한 다수의 이송홀(230)을 형성하고 있다. 상기 다수의 이송홀(230)은 상부가 접시형태로 넓게 형성되어 있다. 그리고 다수의 리프트 핀(220)은 두부(頭部)가 접시형태로 넓게 형성되어 있다. 상기 다수의 리프트 핀(220)은 상기 척(240)에 형성된 다수의 이송홀(230)에 삽입되어 있다. 그리고 리프트홀더(210)는 구동부인 실린더(도시하지 않음)의 구동에 결합되고 상부에는 일정 간격으로 다수의 리프트핀 가이드(250)가 형성되어 있다. 상기 다수의 리프핀 가이드(250)는 상기 리프트홀더(210) 상에 일정간격으로 돌출 설치되어 상기 다수의 리프트핀(220)과 분리되어 있으며, 상기 다수의 리프트핀(220)을 지지한다. The chuck 240 forms a plurality of transfer holes 230 for inserting a plurality of lift pins 220. The plurality of transfer holes 230 has a wide upper portion in the form of a plate. In addition, the plurality of lift pins 220 have a wide head in the form of a plate. The plurality of lift pins 220 are inserted into the plurality of transfer holes 230 formed in the chuck 240. In addition, the lift holder 210 is coupled to the driving of a cylinder (not shown), which is a driving unit, and a plurality of lift pin guides 250 are formed at a predetermined interval thereon. The plurality of leaf pin guides 250 are protruded at a predetermined interval on the lift holder 210 to be separated from the plurality of lift pins 220 and support the plurality of lift pins 220.
도시하지 않은 실린더는 리프트홀더(210)를 승강작동시켜 다수의 핀(230)이 척(240)에 형성된 이송홀(230)을 통해 승강되게 하므로서 척(240)에 고정된 웨이퍼를 챔버로 이송할 수 있도록 들어올려 척(240)으로부터 분리한다.The cylinder (not shown) lifts and lifts the lift holder 210 such that the plurality of pins 230 are lifted and lifted through the transfer hole 230 formed in the chuck 240, thereby transferring the wafer fixed to the chuck 240 to the chamber. Lift it up to separate it from the chuck 240.
이때, 리프트홀더(210)에 수직구조로서 결합되는 다수의 핀(220)은 상부 끝단이 상호 수평상태를 유지하고 있어, 리프트홀더(210)의 승강작동시 리프트 핀(220)의 상부 끝단이 동시에 웨이퍼의 하부면에 맞닿으며 웨이퍼를 들어올리게 된다.At this time, the plurality of pins 220 coupled to the lift holder 210 as a vertical structure, the upper ends are maintained in a horizontal state with each other, the upper end of the lift pins 220 during the lifting operation of the lift holder 210 at the same time The wafer abuts against the bottom surface of the wafer.
상기 다수의 리프트 핀(220)이 승강될 때에는 리프트 홀더(210)가 상승되어 리프트 핀 가이드(250)에 지지된다. 그러나 상기 다수의 리프트 핀(220)이 하강될 때에는에 리프트 홀더(210)가 하강되어 리프트 핀(220)과 리프트 핀 가이드(250)가 분리된다. 리프트 핀(220)과 리프트 핀 가이드(250)가 분리되어 있으므로 리프트 홀더(210)가 변형되어 휘어지더라도 리프트 핀(220)이 승하강할 때 이송홀(230)이 리프트 핀(220)에 의해 긁히지 않게 되어 파티클 및 진동이 발생되지 않는다. When the plurality of lift pins 220 are lifted, the lift holder 210 is lifted to be supported by the lift pin guide 250. However, when the plurality of lift pins 220 are lowered, the lift holder 210 is lowered to separate the lift pins 220 and the lift pin guide 250. Since the lift pin 220 and the lift pin guide 250 are separated, the transfer hole 230 is not scratched by the lift pin 220 when the lift pin 220 is lowered even when the lift holder 210 is deformed and bent. To prevent particles and vibrations from occurring.
그리고 리프트 핀(220)이 종래에는 재질이 메탈로 형성되어 있어 척(240) 내에 장착된 히터의 열에 의해 변형될 우려가 있었으나, 본 발명에서는 리프트 핀(220)을 세라믹 재질로 변경하여 열에 의해 변형되지 않도록 하였다. In addition, the lift pin 220 may be deformed by heat of a heater mounted in the chuck 240 because the material is made of metal in the related art. In the present invention, the lift pin 220 is deformed by heat by changing to a ceramic material. It was not.
또한 리프트 핀(220)은 두부(頭部)가 접시형태로 형성되어 공정진행 중에 개스가 이송홀(230)로 유입되지 않는다. 이로 인해 이송홀(230)에는 Al2O3 막이 증착되지 않게 되어 리프트 핀(220)의 하강 시 진동이 발생되지 않는다.In addition, the head of the lift pin 220 is formed in a plate shape so that the gas does not flow into the transfer hole 230 during the process. As a result, the Al 2 O 3 film is not deposited in the transfer hole 230, and thus vibration does not occur when the lift pin 220 descends.
이와 같이 본 발명의 특정한 실시 예가 설명되었지만 리프트 핀의 두부를 접시형태로 하고, 리프트홀더와 리프트 핀을 일체형으로 하지않고 분리되도록 하고 있으나, 이는 다른 형태로 변경하는 등의 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. 이렇게 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 이와 같은 변형된 실시 예들은 첨부된 청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다. As described above, although a specific embodiment of the present invention has been described, the head of the lift pin is formed as a plate, and the lift holder and the lift pin are separated without being integrated. However, the present invention may be variously modified by those skilled in the art. It is obvious that there is a possibility of being modified and implemented. Such modified embodiments should not be individually understood from the technical spirit of the present invention, and such modified embodiments should fall within the appended claims.
상술한 바와 같이 본 발명은 리프트 핀을 세라믹 재질로 제작하여 히터의 열에 의해 변경되지 않도록 하고, 리프트 홀더와 리프트핀을 일체형으로 하지 않고 분리하여 리프트 홀더의 변형으로 인해 리프트 핀 승,하강 시 이송홀을 긁지 않도록 하고, 또한 리프트 핀의 두부를 접시형태로 형성하여 공정진행 중에 개스가 유입되지 않도록 하여 산화알루미늄 막의 증착을 방지하므로, 리프트 핀 승하강 시 진동이 발생되지 않도록 하여 웨이퍼 로딩 또는 언로딩 시 웨이퍼 브로큰을 방지할 수 있는 이점이 있다. As described above, in the present invention, the lift pin is made of a ceramic material so as not to be changed by the heat of the heater, and the lift holder and the lift pin are separated without being integrated, so that the lift pin can be lifted or lowered due to the deformation of the lift holder. And the head of the lift pin in the form of a plate to prevent gas from flowing during the process to prevent deposition of the aluminum oxide film, so that vibration does not occur when the lift pin is raised or lowered so that the wafer is loaded or unloaded. There is an advantage to prevent wafer broken.
또한 공정을 진행할 시 리프트핀이 알루미늄에 의해 증착되지 않도록 하여 프로세스 관리(PM:Process Management) 주기를 연장할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the lift pin is not deposited by aluminum during the process, thereby extending the process management (PM) cycle, thereby improving productivity.
도 1은 종래의 리프트핀 어셈블리의 구조도1 is a structural diagram of a conventional lift pin assembly
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 리프트 핀이 삽입되지 않은 상태의 어셈블리의 구조도 2 is a structural diagram of an assembly without a lift pin is inserted according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 리프트 핀이 삽입된 상태의 어셈블리의 구조도3 is a structural diagram of an assembly in a state in which the lift pin is inserted according to an embodiment of the present invention
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on main parts of drawing
210: 리프트홀더 220: 리프트 핀210: lift holder 220: lift pin
230: 이송홀 240: 척230: transfer hole 240: chuck
250: 리프트 핀 가이드 250: lift pin guide
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040038126A KR20050112731A (en) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | Lift pin assemable of semiconductor production device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040038126A KR20050112731A (en) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | Lift pin assemable of semiconductor production device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050112731A true KR20050112731A (en) | 2005-12-01 |
Family
ID=37287570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040038126A KR20050112731A (en) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | Lift pin assemable of semiconductor production device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050112731A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180001688A (en) * | 2016-06-27 | 2018-01-05 | 세메스 주식회사 | Bake apparatus and method |
| KR20200134774A (en) * | 2019-05-23 | 2020-12-02 | 세메스 주식회사 | Unit for supporting substrate and Apparatus for treating substrate with the unit |
-
2004
- 2004-05-28 KR KR1020040038126A patent/KR20050112731A/en not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR20180001688A (en) * | 2016-06-27 | 2018-01-05 | 세메스 주식회사 | Bake apparatus and method |
| KR20200134774A (en) * | 2019-05-23 | 2020-12-02 | 세메스 주식회사 | Unit for supporting substrate and Apparatus for treating substrate with the unit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |