KR20070098025A - Apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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KR20070098025A
KR20070098025A KR1020060029146A KR20060029146A KR20070098025A KR 20070098025 A KR20070098025 A KR 20070098025A KR 1020060029146 A KR1020060029146 A KR 1020060029146A KR 20060029146 A KR20060029146 A KR 20060029146A KR 20070098025 A KR20070098025 A KR 20070098025A
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lift plate
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semiconductor device
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이창민
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삼성전자주식회사
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Abstract

A semiconductor device manufacturing apparatus is provided to reduce an overlapped area between a bottom surface of a susceptor and a lift plate by using the lift plate having a shape of ring including protrusions formed at a periphery thereof. A susceptor is installed in the inside of a process chamber. A heater is installed in the inside of the susceptor. A semiconductor substrate is loaded into the susceptor. A lift assembly includes a plurality of lift pins penetrating the susceptor to support the semiconductor substrate, a lift plate(320) having a shape of ring having protrusions(324) formed at a periphery thereof, and a driver for driving the lift plate. The lift plate is installed at a lower part of the susceptor in order to move vertically the lift pins. The lift pins come vertically in contact with the protrusions formed on the lift plate. The driver is installed on a lower part of each of the protrusions formed on the lift plate.

Description

반도체 소자 제조용 장비{Apparatus for fabricating semiconductor device}Apparatus for fabricating semiconductor device

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 리프트 어셈블리의 분해 사시도이다.2 is an exploded perspective view of the lift assembly included in the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시에에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 리프트 플레이트의 사시도이다.3 is a perspective view of a lift plate included in a device for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 동작을 나타내는 도면이다. 4 and 5 are views showing the operation of the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명> <Explanation of symbols on main parts of the drawings>

100: 공정 챔버 150: 샤워 헤드100: process chamber 150: shower head

200: 서셉터 210: 관통홀200: susceptor 210: through hole

300: 리프트 어셈블리 310: 리프트 핀300: lift assembly 310: lift pin

320: 리프트 플레이트 322: 베이스 링320: lift plate 322: base ring

324: 돌기 330: 구동부 324: protrusion 330: drive unit

400: 펌프400: pump

본 발명은 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 보다 효과적으로 챔버 내부를 세정할 수 있는 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것이다. The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a device for manufacturing a semiconductor device that can more effectively clean the inside of the chamber.

일반적으로 반도체 메모리 소자는 사진, 확산, 식각 및 증착 등의 공정들을 반복적으로 수행하여 제조된다. 즉, 반도체 기판 상에 박막을 형성하고, 박막을 패터닝함으로써 반도체 소자가 제조된다. 이러한 공정들 중, 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 제조 공정에 요구되는 다수의 반응 가스를 공급받아 반도체 기판 상에 박막을 형성한다. In general, semiconductor memory devices are manufactured by repeatedly performing processes such as photography, diffusion, etching, and deposition. That is, a semiconductor device is manufactured by forming a thin film on a semiconductor substrate and patterning the thin film. Among these processes, a process of forming a thin film on a semiconductor substrate receives a plurality of reaction gases required for a manufacturing process to form a thin film on the semiconductor substrate.

이러한 박막 형성 공정은 물리적 방식을 이용하는 물리 기상 증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 공정과 화학적 방식을 이용한 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정 및 나노 스케일(nano scale)의 박막을 형성하는 원자층 증착(ALD; Atomic Layer Deposition) 공정 등으로 구분할 수 있다. The thin film forming process includes a physical vapor deposition (PVD) process using a physical method, a chemical vapor deposition (CVD) process using a chemical method, and an atomic layer for forming a nano scale thin film. It may be classified into an Atomic Layer Deposition (ALD) process.

그리고, 이와 같은 박막 증착 공정이 수행되는 챔버 내에는 공정 수행시 반도체 기판이 안착되는 서셉터(susceptor)가 설치되어 있다. 그리고 서셉터 하부에는 서셉터 상에서 반도체 기판을 상승 또는 하강시키는 리프트 어셈블리가 설치되어 있다.In the chamber in which the thin film deposition process is performed, a susceptor for mounting a semiconductor substrate is installed. A lift assembly is provided below the susceptor to raise or lower the semiconductor substrate on the susceptor.

이러한 리프트 어셈블리는 서셉터를 관통하는 다수의 리프트 핀들과 리프트 핀들을 상승 또는 하강시키는 리프트 플레이트와 리프트 플레이트 하부에 설치되어 리프트 플레이트를 승강시키는 구동부를 포함한다. The lift assembly includes a plurality of lift pins passing through the susceptor, a lift plate for raising or lowering the lift pins, and a driver installed below the lift plate to lift the lift plate.

이 중, 서셉터 하부에 위치하게 되는 리프트 플레이트는 챔버 내부에 차지하는 부피가 커 챔버 내부를 진공 상태로 유지시키기 위한 진공 펌프의 펌핑 능력을 저하시킨다. 그리고, 리프트 플레이트가 서셉터 저면을 가리고 있어 공정 종료 후 챔버 세정시 서셉터 저면을 세정하는 것이 불가능하다. Among these, the lift plate located under the susceptor has a large volume occupying the inside of the chamber, thereby degrading the pumping capacity of the vacuum pump for maintaining the inside of the chamber in a vacuum state. In addition, since the lift plate covers the susceptor bottom, it is impossible to clean the susceptor bottom during the chamber cleaning after the end of the process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 보다 효과적으로 챔버 내부를 세정할 수 있는 반도체 소자 제조용 장비를 제공하는데 있다. The present invention is to provide a device for manufacturing a semiconductor device that can more effectively clean the inside of the chamber.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비는 공정 챔버, 공정 챔버 내에 설치되고, 내부에 히터를 구비하며 상면에 반도체 기판이 안착되는 서셉터 및 서셉터를 관통하여 반도체 기판을 지지하는 다수의 리프트 핀과, 둘레에 돌기들이 형성된 링 형상을 가지며 서셉터 하부에 설치되어 다수의 리프트 핀들을 수직 이동시키는 리프트 플레이트 및 리프트 플레이트를 상하 구동시키는 구동부를 포함한다.The semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem is installed in the process chamber, the process chamber, having a heater therein and through the susceptor and susceptor, the semiconductor substrate is mounted on the upper surface It includes a plurality of lift pins for supporting the semiconductor substrate, and a lift plate having a ring shape formed with protrusions around the lift plate and a driving unit for vertically moving the lift plate and the lift plate installed under the susceptor.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비는 공정 챔버(100), 서셉터(200) 및 리프트 어셈블리(300)를 포함한다.As shown in FIG. 1, an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100, a susceptor 200, and a lift assembly 300.

상세히 설명하면, 공정 챔버(100)는 반도체 제조 공정 중 박막 형성 공정이 진행되는 공간으로서, 가스 공급 라인(110)을 통해 반응 가스가 내부로 공급되며, 공급된 반응 가스는 공정 챔버(100) 내의 샤워 헤드(150)를 통해 반도체 기판(W) 표면으로 균일하게 공급된다. 그리고 공정 챔버(100)는 진공 펌프(400)와 연결되어 있어, 반도체 소자 제조 공정 진행시 진공 펌프(400)의 펌핑에 의해 공정 챔버(100) 내부가 진공 상태로 유지된다. In detail, the process chamber 100 is a space where a thin film forming process is performed during a semiconductor manufacturing process, and reactant gas is supplied into the process chamber through the gas supply line 110, and the supplied reactant gas is provided in the process chamber 100. The shower head 150 is uniformly supplied to the semiconductor substrate W surface. In addition, the process chamber 100 is connected to the vacuum pump 400 so that the inside of the process chamber 100 is maintained in a vacuum state by the pumping of the vacuum pump 400 during the semiconductor device manufacturing process.

또한, 공정 챔버(100) 내에는 반도체 소자 제조 공정 진행시 반도체 기판(W)이 안착되는 서셉터(200)가 설치되어 있다. 서셉터(200) 내부에는 히터가 설치되어 있어 반도체 기판(W)을 고온으로 가열시킨다. 그리고 서셉터(200) 하부에는 서셉터(200) 상의 반도체 기판(W)을 상하 이동시키는 리프트 어셈블리(300)가 설치되어 있다. 또한 서셉터(200)에는 리프트 핀(310)들이 서셉터(200)를 관통하여 반도체 기판(W)을 지지할 수 있도록 관통홀(210)들이 형성되어 있다 이 때, 관통홀(210)은 리프트 핀(310)과 동일한 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라 리프트 핀(310)이 하강할 때 서셉터(200)에서 이탈되는 것을 방지할 수 있다.In the process chamber 100, a susceptor 200 on which the semiconductor substrate W is mounted during the semiconductor device manufacturing process is installed. A heater is installed inside the susceptor 200 to heat the semiconductor substrate W to a high temperature. In addition, a lift assembly 300 is disposed below the susceptor 200 to vertically move the semiconductor substrate W on the susceptor 200. In addition, through-holes 210 are formed in the susceptor 200 so that the lift pins 310 may pass through the susceptor 200 to support the semiconductor substrate W. In this case, the through-holes 210 are lifted. It may be formed in the same shape as the pin 310. Accordingly, when the lift pin 310 is lowered, it may be prevented from being separated from the susceptor 200.

이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 리프트 어셈블리에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the lift assembly included in the semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 리프트 어셈블리의 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시에에 따른 반도체 소자 제조용 장비에 포함된 리프트 플레이트의 사시도이다. 2 is an exploded perspective view of the lift assembly included in the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention. 3 is a perspective view of a lift plate included in a device for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 리프트 어셈블리(300)는 다수의 리프트 핀(310), 리프트 플레이트(320) 및 구동부(330)를 포함한다.As shown in FIGS. 2 and 3, the lift assembly 300 includes a plurality of lift pins 310, a lift plate 320, and a driver 330.

상세히 설명하면, 다수의 리프트 핀(310)들은 서셉터(200)를 관통하여 반도체 기판(W)을 지지하는 부재로서, 서셉터(200)에 형성되어 있는 다수의 관통홀(210)을 따라 상하 이동될 수 있다. 리프트 핀(310)은 반도체 기판(W)을 지지할 때 균형을 유지하도록 적어도 세 개가 소정 간격 이격되어 설치될 수 있다. 이러한 리프트 핀(310)은 서셉터(200)에서 돌출되어 반도체 기판(W)을 상승시키며, 리프트 핀(310)이 관통홀(210) 내로 하강하면 반도체 기판(W)이 서셉터(210) 상에 안착된다.In detail, the plurality of lift pins 310 are members that penetrate the susceptor 200 to support the semiconductor substrate W, and move up and down along the plurality of through holes 210 formed in the susceptor 200. Can be moved. At least three lift pins 310 may be installed at predetermined intervals so as to maintain a balance when supporting the semiconductor substrate W. FIG. The lift pin 310 protrudes from the susceptor 200 to raise the semiconductor substrate W. When the lift pin 310 descends into the through hole 210, the semiconductor substrate W is placed on the susceptor 210. Is seated on.

그리고, 리프트 핀(310)은 반도체 기판(W)과 접하는 면이 좀 더 크게 형성되어 있어 반도체 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있다. 그리고 리프트 핀(310)이 관통홀(210)을 따라 하강하면, 관통홀(210)이 리프트 핀(310)과 동일한 형태로 형성되어 있으므로 관통홀(210) 상부에 걸리게 된다. In addition, the lift pin 310 has a larger surface in contact with the semiconductor substrate W, so that the lift pin 310 can stably support the semiconductor substrate W. When the lift pin 310 descends along the through hole 210, since the through hole 210 is formed in the same shape as the lift pin 310, the lift pin 310 is caught in the upper portion of the through hole 210.

이와 같은 다수의 리프트 핀(310)들이 관통하는 서셉터(200) 하부에는 구동부(330)에 의해 상승 또는 하강하여 리프트 핀(310)들을 수직 이동시키는 리프트 플레이트(320)가 설치된다. A lift plate 320 is installed below the susceptor 200 through which the plurality of lift pins 310 penetrates to vertically move the lift pins 310 by being raised or lowered by the driving unit 330.

이 때, 리프트 플레이트(320)는 환형의 베이스 링(322)과 베이스 링(232)의 둘레에서 돌출된 다수의 돌기(324)들로 이루어져 있다. 베이스 링(322)에서 돌출된 돌기(324)는 적어도 세 개가 형성되며, 각 돌기(324)들 간에 등각도를 갖도록 형성되어 상하 이동시 균형을 이루도록 한다. 이와 같은 돌기(324)는 리프트 핀(310)들을 상승시킬 때 리프트 핀(310)과 접촉된다. At this time, the lift plate 320 is composed of an annular base ring 322 and a plurality of protrusions 324 protruding around the base ring 232. At least three protrusions 324 protruding from the base ring 322 are formed to have an equiangular angle between the protrusions 324 to balance the vertical movement. This protrusion 324 is in contact with the lift pin 310 when raising the lift pins 310.

이와 같은 형태의 리프트 플레이트(320)는 서셉터(200)의 저면과 중첩되는 면적이 작게 된다. 따라서 서셉터(200) 하부의 공간이 증가되므로 공정 종료 후 공정 챔버(100) 내부를 세정할 때 서셉터(200)의 저면을 세정할 수 있게 된다. 그리고 공정 챔버(100) 내에서 리프트 플레이트(320)가 차지하는 부피가 줄어들게 되어 공정 챔버(100) 내부를 진공 상태로 유지시키는 펌프(400)의 펌핑 능력이 향상될 수 있다.The lift plate 320 of this type has a small area overlapping the bottom of the susceptor 200. Therefore, since the space under the susceptor 200 is increased, the bottom surface of the susceptor 200 may be cleaned when cleaning the inside of the process chamber 100 after the end of the process. In addition, the volume occupied by the lift plate 320 in the process chamber 100 is reduced, so that the pumping capability of the pump 400 for maintaining the inside of the process chamber 100 in a vacuum state can be improved.

그리고, 리프트 플레이트(320)의 하부에는 리프트 플레이트(320)를 상하 이동시키는 구동부(330)가 설치되어 있어 리프트 플레이트(320)를 상하 이동시킨다. 이 때, 구동부(330)는 벨로우즈(bellows) 또는 에어 실린더(air cylinder)일 수 있으며, 리프트 플레이트(320)에 형성된 돌기(324)들 하부에 각각 설치된다. In addition, the lower part of the lift plate 320 is provided with a driving unit 330 for moving the lift plate 320 up and down to move the lift plate 320 up and down. In this case, the driving unit 330 may be bellows or an air cylinder, and are installed below the protrusions 324 formed on the lift plate 320.

이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 동작에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 동작을 나타내는 도면이다. 4 and 5 are views showing the operation of the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

먼저, 공정 챔버(100) 내의 리프트 어셈블리(300)를 상승시켜 서셉터(200) 위로 리프트 핀(310)들을 상승시킨다. 이와 같이 리프트 핀(310)들이 상승된 상태에서 반도체 기판(W)을 공정 챔버(100) 내로 이송하여 리프트 핀(310)들 상에 로딩(loading)한다. 그리고 나서, 리프트 어셈블리(300)를 하강시켜 반도체 기판(W)을 서셉터(200) 상에 안착시킨다.First, the lift pins 300 are raised above the susceptor 200 by raising the lift assembly 300 in the process chamber 100. As described above, the semiconductor substrate W is transferred into the process chamber 100 while the lift pins 310 are raised to be loaded on the lift pins 310. The lift assembly 300 is then lowered to seat the semiconductor substrate W on the susceptor 200.

리프트 어셈블리(300)의 하강 동작에 대해 상세히 설명하면, 리프트 플레이트(320) 하부에 위치하는 구동부(330)를 통해 리프트 플레이트(320)를 하강시킨다. 이 때, 구동부(300)가 벨로우즈일 경우 벨로우즈를 수축시켜 리프트 플레이트(320)를 하강시킨다. When the lowering operation of the lift assembly 300 will be described in detail, the lift plate 320 is lowered through the driving unit 330 positioned below the lift plate 320. At this time, when the driving unit 300 is a bellows, the bellows are contracted to lower the lift plate 320.

그리고 리프트 플레이트(320)가 하강함에 따라 리프트 핀(310)에 의해 지지되던 리프트 핀(310)이 하강된다. 리프트 핀(310)이 하강되어 서셉터(200)의 관통홀(210) 내에 완전히 삽입되면 리프트 핀(310)이 리프트 플레이트(320)와 떨어지게 된다. As the lift plate 320 descends, the lift pin 310 supported by the lift pin 310 is lowered. When the lift pin 310 is lowered and completely inserted into the through hole 210 of the susceptor 200, the lift pin 310 is separated from the lift plate 320.

이와 같이 반도체 기판(W)을 서셉터(200)에 안착시킨 다음에는 반응 가스를 공정 챔버(100) 내로 공급하여 반도체 기판(W) 표면에 박막을 형성한다. After mounting the semiconductor substrate W on the susceptor 200 as described above, the reaction gas is supplied into the process chamber 100 to form a thin film on the surface of the semiconductor substrate W.

이 후, 공정이 종료되면 리프트 어셈블리(300)를 상승시킴으로써 리프트 핀(310)들에 의해 반도체 기판(W)이 서셉터(200)로부터 상승된다. 반도체 기판(W)을 상승시킬 때는 구동부(330)에 의해 리프트 플레이트(320)가 상승되며, 이에 따라 리프트 플레이트(320)가 리프트 핀(310)들을 밀어 올려 반도체 기판(W)을 상승시키게 된다. 그리고 나서 리프트 핀(310)에 의해 지지되는 반도체 기판(W)을 공정 챔버(100) 밖으로 언로딩(unloading)한다Thereafter, when the process is completed, the semiconductor substrate W is lifted from the susceptor 200 by the lift pins 310 by raising the lift assembly 300. When the semiconductor substrate W is raised, the lift plate 320 is lifted by the driving unit 330. Accordingly, the lift plate 320 pushes the lift pins 310 up to raise the semiconductor substrate W. Then, the semiconductor substrate W supported by the lift pin 310 is unloaded out of the process chamber 100.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention belongs may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자 제조용 장비에 따르면 둘레에 돌기들이 형성된 링 형상의 리프트 플레이트를 이용함으로써 서셉터 저면과 리프트 플레이트가 중첩되는 면적을 줄일 수 있다. 이에 따라 챔버 세정시 서셉터 하부를 효과적으로 세정할 수 있다. As described above, according to the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, an area in which the susceptor bottom and the lift plate overlap with each other may be reduced by using a ring-shaped lift plate having protrusions formed thereon. Accordingly, the lower part of the susceptor can be effectively cleaned during the chamber cleaning.

그리고, 리프트 플레이트의 부피가 감소되므로 공정 챔버 내부를 진공 상태로 유지시키는 진공 펌프의 펌핑 능력을 향상시킬 수 있다. In addition, since the volume of the lift plate is reduced, the pumping capability of the vacuum pump for maintaining the inside of the process chamber in a vacuum state can be improved.

Claims (4)

공정 챔버;Process chambers; 상기 공정 챔버 내에 설치되고, 내부에 히터를 구비하며 상면에 반도체 기판이 안착되는 서셉터; 및A susceptor installed in the process chamber and having a heater therein and having a semiconductor substrate seated thereon; And 상기 서셉터를 관통하여 상기 반도체 기판을 지지하는 다수의 리프트 핀과, 둘레에 돌기들이 형성된 링 형상을 가지며 상기 서셉터 하부에 설치되어 상기 다수의 리프트 핀들을 수직 이동시키는 리프트 플레이트 및 상기 리프트 플레이트를 상하 구동시키는 구동부를 포함하는 리프트 어셈블리를 포함하는 반도체 소자 제조용 장비. A plurality of lift pins penetrating the susceptor to support the semiconductor substrate, a ring shape having protrusions formed around the susceptor, and a lift plate installed below the susceptor to vertically move the plurality of lift pins. Equipment for manufacturing a semiconductor device comprising a lift assembly comprising a drive unit for driving up and down. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 다수의 리프트 핀은 상기 리프트 플레이트에 형성된 상기 각 돌기와 수직으로 접촉되어 상승하는 반도체 소자 제조용 장비.And the plurality of lift pins rise in contact with each of the protrusions formed on the lift plate. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 구동부는 상기 리프트 플레이트에 형성된 상기 각 돌기의 하부에 설치된 반도체 소자 제조용 장비.The driving unit is a semiconductor device manufacturing equipment installed on the lower portion of each projection formed on the lift plate. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 구동부는 벨로우즈 또는 에어 실린더인 반도체 소자 제조용 장비. The driving device is a bellows or air cylinder.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010062476A1 (en) * 2008-10-31 2010-06-03 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
CN113161279A (en) * 2021-03-12 2021-07-23 拓荆科技股份有限公司 Device and method for preventing wafer from cracking
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010062476A1 (en) * 2008-10-31 2010-06-03 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US8801857B2 (en) 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US11387137B2 (en) 2008-10-31 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Self-centering susceptor ring assembly
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD958764S1 (en) 2019-01-17 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system
CN113161279A (en) * 2021-03-12 2021-07-23 拓荆科技股份有限公司 Device and method for preventing wafer from cracking

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