KR20170139436A - 토양 안정화제 및 방수 필름을 위한 낮은 치환도 나트륨 카르복시메틸셀룰로오스 - Google Patents

Abstract

낮은 치환도를 갖는 카르복시메틸셀룰로오스를 포함하는 수성 조성물을 기판의 상부 표면에 적용하는 단계를 포함하는 골재 기판의 안정화 방법. 카르복시메틸셀룰로오스를 포함하는 수성 조성물은 분진 생성을 저해하고, 물을 밀어내며, 누수를 억제하고 침식을 지연시킬 것이다.

Description

토양 안정화제 및 방수 필름을 위한 낮은 치환도 나트륨 카르복시메틸셀룰로오스{LOW DEGREE OF SUBSTITUTION SODIUM CARBOXYMETHYLCELLULOSE FOR SOIL STABILIZED AND WATER RETARDANT FILM}

본 출원은 2014년 3월 31일에 출원된, 발명의 명칭이 "토양 안정화제 및 방수 필름을 위한 낮은 치환도 나트륨 카르복시메틸셀룰로오스"인, 동시-계류 중인 미국 가출원 제61/972,744호의 이익 및 이에 우선권을 주장하며, 이의 개시내용은 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.

본 발명은 기판 표면으로부터 분진의 전개를 예방 및(또는) 제어하고, 골재 재료를 일반적으로 안정화하기 위한 기판, 예를 들어 골재 기판(aggregate substrate)에의 낮은 치환도 ("낮은-DS") 카르복시메틸 셀룰로오스 ("CMC")의 적용에 관한 것이다. 전형적으로, 물에서 낮은-DS CMC는 기판의 표면에 적용되고 표면 상에서 건조한다. 낮은-DS CMC가 일단 표면의 상부 상에서 건조하면, 이는 표면 및 기판으로부터 분진의 생성을 저해할 수 있을 뿐만 아니라, 물을 밀어내고, 표면으로부터 기판으로의 물의 누출을 억제하고 기판의 침식을 지연시킬 수 있는 내구성 층을 형성한다.

골재 기판은 느슨하게 압축된(loosely compacted) 입자를 일반적으로 포함하고 따라서 기판 상의 바람 및 비의 작용과 같이, 자연적이거나, 자갈 또는 바위 길과 같은, 골재 기판의 표면을 가로지르는 차량의 동작과 같이, 인위적인 외력에 노출될 때 침식 및 분진의 생성에 놓인다. 침식 및 분진 생성의 제어 및 예방이 바람직하다. 예를 들어, 알킬 셀룰로오스 화합물 및 할로겐 함유 염의 수성 혼합물은 기판의 표면으로부터 분진 형성을 제어하기 위해 골재 기판의 표면에 적용될 수 있다. 라텍스 중합체 유형 필름은 분진 및 침식을 감소시키기 위해 토양 위에 사용되었다. 골재 표면 상에 필름 장벽을 생성하기 위한 날재와 조합된 셀룰로오스 중합체는 분진 및 침식 제어를 위해 적용된 또 다른 기술이다. 특정 점도 범위를 갖는 소정의 히드록시알킬메틸셀룰로오스 중합체, 생분해성 탄수화물 및 셀룰로오스 섬유는 토양 및 다른 골재 표면을 안정화하기 위한 잠재적인 필름 장벽으로 또한 제시되었다.

골재 기판은 많은 형태로 온다. 예시는 도로, 기차 도상, 들판, 토양 더미, 비축 미네랄 등을 포함한다. 추가의 예시는 트럭 베드(truck bed) 및 오픈 트레인 차(open train car)에 축적된 골재 물질을 포함한다. 다양한 측면의 상업적 채굴 작업은 작업으로부터 분진을 생성하고 골재 물질은 환경에 노출된 골재와 컨베이어에 의한 방식의 작업을 통해 일상적으로 처리됨으로써 분진 생성 및 침식을 예방 및(또는) 제어하는 수단을 필요로 한다. 채굴 작업은 미네랄 광석의 가공으로부터 폐기 부산물을 생성한다. 이러한 부산물은 일반적으로 미네랄 광석의 가공이 완료되고 땅이 개간을 위한 준비가 될 수 있을 때까지 더 많은 광미가 운반되는 동안, 상당한 기간 동안 광미 못(tailings ponds)으로 수송되고 광미 더미로 처분된 매우 농축된 금속 함유 골재의 형태이다. 이러한 광미 더미의 침식 및 분진의 생성을 예방하는 것 뿐만 아니라 광미 더미의 구조적 일체성을 유지하는 것이 바람직하다.

본원에서 나타낸 모든 부 및 퍼센트는 달리 명시되지 않는 한 중량에 의한다.

낮은-DS CMC는 골재 기판의 표면으로부터 분진의 형성을 억제 및(또는) 예방하고 골재 기판으로부터 재료의 침식을 예방하도록 골재 기판을 안정화하기 위한 골재 기판의 표면을 안정화하는 데 효과적이다. 낮은-DS CMC는 물 및 바람을 밀어내는 장벽/코팅을 형성함에 의해 바람 및 물로부터 골재 기판의 표면을 보호하기 위해 골재 기판의 표면에 수성 조성물로 적용된다. 수성 조성물은 낮은-DS CMC에 추가로 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물을 더 포함할 수 있다. 나아가, 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물은 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 다른 조성물과 함께 적용될 수 있다.

도 1은 세 번의 물로의 100 mL 세척 후 물 침식 때문에 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물로 처리된 시험 컵 내 표본으로부터 금 광석의 손실, 실시예 1-3의 시험의 결과를 보여주는 그래프이다.
도 2는 세 번의 물로의 100 mL 세척에 놓인 혼합 및 이중 적용으로 처리된 시험 컵 내 금 광석 표본에 대한 CMC-45 및 ASH-100 탄수화물의 비 시험(rain test) 성능, 실시예 4-9의 시험의 결과를 보여주는 그래프이다.

적어도 상부 표면을 갖는 골재 기판의 안정화 방법은 골재 기판의 상부 표면에 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물을 적용하는 단계를 포함한다. 수성 조성물은 용액 또는 분산액일 수 있다. 낮은-DS CMC의 치환도는 전형적으로 약 1.0 이하, 예를 들어 약 0.6 이하이다. 예를 들어, 치환도는 약 0.40 내지 약 0.60을 포함하여 약 0.40 내지 약 0.80과 같이, 약 0.33 내지 약 0.94일 수 있다. 수성 조성물은 약 10 % 이하 CMC, 약 1 % 내지 약 5 % 낮은-DS CMC와 같이, 예를 들어 약 1 % 내지 약 7 %의 낮은-DS CMC를 포함할 수 있다. 이 개시내용을 읽은 후, 당업계의 통상의 기술자는 수성 조성물에서의 CMC의 양 및 치환도에 대한 모든 범위와 값이 본 발명의 범위 내라는 것을 이해할 것이다. 수성 조성물은 물을 추가로 포함하고 낮은-DS CMC 및 물로 필수적으로 구성되거나 이로 구성될 수 있다. 수성 조성물이 낮은-DS CMC, 살생물제 및 물을 포함하거나, 이로 필수적으로 구성되거나 이로 구성될 수 있도록 수성 조성물에 살생물제가 포함될 수 있다. 나아가, 낮은 DS-CMC는 약 30 % 이하의 양으로 존재할 수 있는 나트륨 모노글리콜레이트 및 나트륨 디글리콜레이트와 같은, 생성물에 내재하는 불순물을 포함할 수 있다.

골재 기판은 무기 미립자 재료, 유기 미립자 재료 또는 그의 조합을 포함한다. 미립자 재료는 미네랄, 광석, 분진, 토양, 멀치(mulch), 석재, 폐기물, 쓰레기 및 그의 조합으로 구성되는 군에서 선택된다. 미네랄 광석은 비(卑)금속, 귀금속 또는 이의 조합을 전형적으로 포함한다. 미네랄 광석을 포함할 수 있는 귀금속 또는 비금속의 일부 예시는 금, 알루미늄, 은, 백금, 구리, 니켈, 아연, 납, 몰리브데넘, 철 등 및 그의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 금속을 포함한다. 미네랄 광석을 포함할 수 있는 다른 재료는 포스페이트, 석탄 등 및 그의 조합을 포함한다.

골재 기판의 상부 표면에의 적용 후 수성 조성물은 상부 표면으로부터 미립자 재료의 제거를 저해하는 건조 잔류물을 형성한다. 나아가, 수성 조성물의 건조 잔류물은 골재 기판으로부터 미립자 재료의 침식을 예방하고 상부 표면을 통해 골재로 물이 침투하는 것을 밀어낸다.

보충적인 토양 안정화 화합물 및 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 조성물은 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물과 골재 기판의 상부 표면에 적용될 수 있다. 또한, 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물은 보충적인 토양 안정화 화합물을 더 포함할 수 있고, 또한 낮은-DS CMC, 토양 안정화 화합물 및 물, 임의적으로, 살생물제로 필수적으로 구성되거나 이로 구성될 수 있다. 보충적인 토양 안정화 화합물은 탄수화물, 가수분해된 전분, 가수분해된 탄수화물, 조 톨유(crude tall oil), 지방산, 지방산의 에스테르, 로진, 로진산, 로진산의 에스테르, 리그노설포네이트, 마그네슘 할라이드, 칼슘 할라이드, 암모늄 설페이트, 합성 중합체, 예를 들어 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알콜, 폴리에틸렌 옥시드 등을 포함한다. 나아가, 보충적인 토양 안정화 화합물은 라텍스 기재 생성물 또는 라텍스 폐기물의 임의의 유형일 수 있다. 보충적인 토양 안정화 화합물의 조합이 사용될 수 있다. 미국, 켄터키주, 커빙턴에 소재한 애쉬랜드, 인크.(Ashland, Inc.)로부터 입수 가능한 ASH-100 탄수화물이 사용될 수 있다.

적어도 상부 표면을 갖는 골재 기판의 안정화 방법은 혼합 적용이라 지칭될 수 있는, 골재 기판의 상부 표면에 낮은-DS CMC 및 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 수성 조성물을 적용하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 이중 적용에서, 방법은 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물의 적용 이전, 동안 또는 후에 골재 기판의 상부 표면에 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물, 예를 들어 상기 언급한 것과 같은, 탄수화물을 포함하는 조성물을 적용하는 단계를 더 포함할 수 있다.

보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 조성물은 약 6 % 이하의 토양 안정화 화합물, 예를 들어 약 1 % 내지 약 5 %, 또는 약 1 % 내지 약 3 %, 토양 안정화 화합물을 포함할 수 있다. 실시양태에서, 보충적인 토양 안정화 화합물은 낮은-DS CMC와 골재 기판에 적용될 수 있는 탄수화물 조성물을 형성하는 탄수화물이다. 이 탄수화물 조성물은 약 6 % 이하 탄수화물, 예를 들어 약 1 % 내지 약 5 %, 또는 약 1 % 내지 약 3 % 탄수화물을 포함할 수 있다. 당업자는 명시된 범위 내의 토양 안정화 화합물 또는 탄수화물 조성물에 대한 모든 부 및 퍼센트는 본 발명의 범위 내라는 것을 이해할 것이다.

골재 기판의 상부 표면 상에 수성 조성물을 분무하여 수성 조성물을 적용하는 수단은 전술한 방법에서 제공될 수 있다. 이러한 수단은 사람과 엔진이 달린 장치처럼, 분무 유닛과 분무 유닛을 운송하는 수단을 포함할 수 있다. 엔진이 달린 장치는 카트, 전지형 차량, 차, 트럭 및 자체-추진의 분무 유닛을 포함할 수 있다.

낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물은 통상적인 분진 저해제보다 더 나은 토양 안정화 성능을 갖는 골재 기판의 표면 상에 표면 장벽을 제공한다. 수성 조성물이 미네랄 광석과 같이, 골재 기판의 표면에 적용됨에 따라, 분산성 셀룰로오스 섬유는 광석에 결합하고 광석의 표면을 코팅하는 물 장벽 필름을 형성한다. 따라서, CMC가 골재 표면 상부 상에서 및 전체에서 빠르고 균일하게 확산될 수 있는 것이 중요하다. 수용액 또는 수성 분산액의 형태로 적용된 낮은-DS CMC는 이러한 확산이 일어나도록 허용한다. 이 균일한 방식으로 적용된 CMC는 필름 코팅이 또한 균일하게 형성되도록 허용하고, 이에 따라 성능을 극대화시킬 것이다.

실시예

실시예에서, 몇몇 공급원으로부터 시판되는 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물을 금 광석을 포함하는 골재 기판의 표면에 적용하였다. 낮은-DS CMC의 치환도 (DS)는 표 1에서 나타난 바와 같이 0.33 내지 0.94에 이른다. 낮은-DS CMC의 물리적인 성질은 표 1에 기재되어 있다.

실시예에서 사용된 낮은 DS-CMC는 공업용이었고 셀룰로오스를 관능화하는 데 사용되는 모노클로로아세트산의 부산물인, 일정 정도의 모노 및 디글리콜레이트 불순물의 나트륨 염을 함유하였다.

공급자로부터 얻은 분말의 낮은-DS CMC의 고체/수분 함량을 측정한 후, 낮은-DS CMC와 물을 혼합시켜 10 % 활성 수성 스톡 조성물 (즉, 10 %의 각각의 낮은-DS CMC를 포함하는 조성물)을 제조하였다. 각각에 대해 한 시간 동안, 상온 (~22 ℃/72 ℉)에서 샘플 당 500 mL의 물로 분말의 낮은-DS CMC를 천천히 첨가하였고 물로 완전히 용해 또는 분산될 때까지 코울레스 블레이드(cowles blade)로 750 RPM에서 혼합하였다. CMC-94 및 CMC-61을 포함하는 샘플은 추가적인 혼합 시간 (각 한 시간 및 한 시간 반)을 필요로 하였다. 살생물제를 각각의 조성물에 혼합 동안 첨가하여 시험 동안 점도 (분해를 통해) 또는 성능 상에 부작용을 가졌을 수 있는 오염을 예방하였다.

스톡 조성물을 혼합한 후, 미국 43240 오하이오주, 콜롬버스, 폴라리스 파크웨이 1900에 소재한 메틀러-토레도 LLC(Mettler-Toledo LLC)로부터 입수 가능한, 메틀러-토레도 MJ33 수분측정기(Mettler-Toledo MJ33 Moisture Balance)를 사용하여 각각의 유효 성분의 비율을 정성화하였다. 마찬가지로, 각각의 시험에 대한 각 조성물에서 활성 비율의 정확성을 보장하기 위해 동일한 방식으로 10 % 스톡 조성물로부터 얻어진 모든 더 낮은 활성 비율 조성물을 정성화하였다.

하기에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 시험 컵에서 제조된 캐나다 레이크쇼어 마인스(Lakeshore Mines)로부터의 체질된 금 분진을 포함하는 표본에 각각의 실시예에서 제조된 수성 조성물을 적용하였다. 각각의 시험 컵을 65 그램의 -100 메쉬 체질된 금 분진으로 채웠다. 하기 실시예에서 제조된 각각의 수성 조성물에 대해, 시험을 위한 표본으로 세 개의 시험 컵을 제조하였다. 각 시리즈 및 실시예에서의 각 조성물에 대한 세 표본의 한 샘플 세트를 제조하였고 이를 시험하였다. 각각의 표본 컵을 65 g의 금 분진으로 채운 후, 테플론 퍽을 사용하여 재료를 편평하게 하였고 이어서 퍽의 외부 가장자리를 사용하여 적용된 수성 조성물의 넘침을 막고 샘플 수성 조성물의 균일한 분포를 촉진하도록 버밍된(bermed) 가장자리를 생성하였다.

이어서 일회용 피펫을 사용하여 시험 컵 내 표본에 수성 조성물을 적용하였다. 적용 방법은 각각의 실시예에서 더 상세히 논의된다. 적용의 균일성을 보장하기 위해 피펫을 사용하여 원 운동을 하며 시험 컵 내 표본의 표면 상에 수성 조성물을 떨어뜨렸다. 적용 후, 35 ℃ (95 ℉)에서 16 시간 동안 대류 오븐에서 표본을 건조시켰다. 표본이 있는 시험 컵을 수분 제어 환경에 보관하여 시험 동안 표본 간 수분 레벨 균일성을 보장하였다.

실시예에서, "비 시험"을 표본에 적용하였다. "비 시험"을 위해 개발된 방법하에서 전자 타이머 및 스키너 밸브 시스템즈(Skinner Valve Systems) (미국, 코네티컷주, 뉴 브리튼에 소재) 솔레노이드 (밸브 #71215, 24 VDC, 256046 오리피스, 코드 11438-21D)에 의해 제어된, 일-갤런 압력 냄비로부터 5 psi (제곱인치 당 파운드)로 운반된 수돗물로 스프레잉 시스템즈 코.(Spraying Systems Co.) (미국, 일리노이주, 휘턴에 소재)로부터 설정된 주문 설계된 분무기를 사용하여 모든 표본을 시험하였다. 스프레잉 시스템즈 코.로부터의 거친, 완전한 분사 팁 (GGA-SS3001.4)을 사용하여 수집을 위한 표본으로부터 분진/광석 폐기 및 물의 유출을 촉진하기 위하여 시험 컵이 20 도 각을 이룬, 테플론® 기재 내에 위치한, 각 표본 (시험 컵 내 분진/광석)의 전체 표면적을 덮도록 위치된 물 분무의 넓은 원뿔 모양의 패턴을 얻었다. 비 시뮬레이션으로서 각각의 표본에 100 mL의 물을 운반하도록 시스템 시간을 측정/눈금을 매겼다. 이어서 분진/광석이 있는 연속적으로 흐르는 물은 각을 이룬 (안팎으로) 기재를 세척하여 시험 컵의 외부 지름 둘레로부터 이어서 알루미늄 팬으로 수집되었다. 각각의 샘플에 대해 이러한 비 방법을 세 번 반복하였고 실시예에 기재된 수성 조성물의 발수를 위한 가능성을 평가하기 위해 결과를 기록하였다. 전술한 건조 방법은 각 세척 사이에 적용되었다.

세립분이 시험 컵 내 표본 및 각을 이룬 테플론 기재에서 알루미늄 팬으로 헹궈진 후, 세립분은 필터 플라스크 및 진공 펌프 (미국, 코네티컷주, 에식스에 소재한 바큐브랜드(Vaccubrand)로부터 입수 가능한, MD1C 1.5 m³/hr, 120 V, 60 Hz)에 부착된 세라믹 깔때기 내에 필터를 위치시켜 팬으로부터 미국, 펜실베니아주, 피츠버그에 소재한 GE 왓트맨(Whatman)으로부터 입수 가능한 오븐-건조된, 미리 칭량된 왓트맨® 글래스 마이크로화이버 필터(Glass Microfibre Filter) (934-AH, 100 mm 지름, 카탈로그 1827 110)에 수집되었다. 필터를 통해 물/세립분 혼합물을 도입하기 전에 필터를 물 밀봉으로 프라이밍하였다. 여과되어 나온 물을 500 mL 필터 플라스크에 수집하였고 필터 상에 남은 세립분을 12 시간 동안 100 ℃에서 오븐 건조시켰다. 일단 건조되면, 각각의 필터를 칭량하여 표본 당 손실을 측정하였다 (수집된 세립분의 중량으로부터 필터의 중량을 뺌).

10 % 스톡 조성물로부터 제조된, 1.5 %, 3.0 % 및 5.0 % 낮은-DS CMC 활성 비율을 포함하는 수성 조성물 (각각의 낮은-DS CMC 유형에 대해 3벌의 각 활성 비율의 한 세트)을 하기와 같이 실시예 1-3으로 제조하였다. 정치 시에 시간이 지남에 따라 침강된 물 분산성 셀룰로오스 섬유 및 각각의 1.5 %, 3.0 % 및 5.0 % 조성물 내 물과 혼합될 때 CMC-61, CMC-53, CMC-45 및 CMC-33은 셀룰로오스 섬유의 물 분산성 현탁액을 형성하였다. CMC-94는 각각의 1.5 %, 3.0 % 및 5.0 % 조성물에서 완전히 수용성이었다.

실시예 1

이 실시예에서, 표 1에 기재된 CMC-94, CMC-61, CMC-53, CMC-45 및 CMC-33으로부터 1.5 % 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물을 제조하여, 전술한 바와 같이 시험 컵 내 표본에 적용하였다. 이어서 표본에 전술한 비 시험을 하였다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-94를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 85 g의 수돗물로 희석하여 1.5 % CMC-94를 포함하는 최종적인 수성 1.5 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 1.5 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

1.5 % CMC-61을 포함하는 최종적인 수성 1.5 % 조성물에 대해서는 십오 그램 (15 g)의 CMC-61을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 85 g의 수돗물로 희석하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 1.5 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

1.5 % CMC-53을 포함하는 최종적인 수성 1.5 % 조성물에 대해서는 십오 그램 (15 g)의 CMC-53을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 85 g의 수돗물로 희석하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 1.5 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

1.5 % CMC-45를 포함하는 최종적인 수성 1.5 % 조성물에 대해서는 십오 그램 (15 g)의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 85 g의 수돗물로 희석하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 1.5 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

1.5 % CMC-33을 포함하는 최종적인 수성 1.5 % 조성물에 대해서는 십오 그램 (15 g)의 CMC-33을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 85 g의 수돗물로 희석하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 1.5 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 2

이 실시예에서, 표 1에 기재된 CMC-94, CMC-61, CMC-53, CMC-45 및 CMC-33으로부터 3.0 % 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물을 제조하여, 전술한 바와 같이 시험 컵 내 표본에 적용하였다. 이어서 표본에 전술한 비 시험을 하였다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-94를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-94를 포함하는 최종적인 수성 3.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 3.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-61을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-61을 포함하는 최종적인 수성 3.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 3.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-53을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-53을 포함하는 최종적인 수성 3.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 3.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-45를 포함하는 최종적인 수성 3.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 3.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-33을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-33을 포함하는 최종적인 수성 3.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 3.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 3

이 실시예에서, 표 1에 기재된 CMC-94, CMC-61, CMC-53, CMC-45 및 CMC-33으로부터 5.0 % 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물을 제조하여, 전술한 바와 같이 시험 컵 내 표본에 적용하였다. 이어서 표본에 전술한 비 시험을 하였다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-94를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 50 g의 수돗물로 희석하여 5.0 % CMC-94를 포함하는 최종적인 수성 5.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 5.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-61을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 50 g의 수돗물로 희석하여 5.0 % CMC-61을 포함하는 최종적인 수성 5.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 5.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-53을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 50 g의 수돗물로 희석하여 5.0 % CMC-53을 포함하는 최종적인 수성 5.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 5.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 50 g의 수돗물로 희석하여 5.0 % CMC-45를 포함하는 최종적인 수성 5.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 5.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 3 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

십오 그램 (15 g)의 CMC-33을 포함하는 10 % 스톡 조성물을 50 g의 수돗물로 희석하여 5.0 % CMC-33을 포함하는 최종적인 수성 5.0 % 조성물을 제조하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이 5.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

도 1은 전술한 비 시험에서 100 mL 물로 세 번의 연속적인 세척에 놓인 후 표 1에 나타낸 바와 같은 1.5 %, 3.0 % 및 5.0 % 낮은-DS CMC를 갖는 실시예 1-3의 수성 조성물로 처리된 표본의 표면의 누적 중량 손실을 나타낸다. 도 1에서 그래프는 1.5 % 낮은-DS CMC를 갖는 수성 조성물이 표본에 적용될 때, CMC-33을 포함하는 수성 조성물이 가장 큰 중량 손실 (2.95 Kg/m²)을 야기하였다는 것을 나타낸다. 2 L/m²에서 3.0 % CMC-33을 포함하는 수성 조성물을 적용시켜 중량 손실을 1.56 Kg/m²로 약 50 % 감소시켰다. 2 L/m²에서 5.0 % CMC-33을 포함하는 수성 조성물을 적용하는 것은 1.35 Kg/m²로 중량 손실을 감소시켰다. 표본이 1.5 % CMC-94를 포함하는 수성 조성물로 처리되고 비 시험에 놓일 때 결과는 도 1의 그래프에서 나타낸 바와 같이 세 번의 연속적인 세척 후 2.22 Kg/m² 중량 손실이었다. CMC-94를 포함하는 수성 조성물의 활성 고체 농도가 3.0 % 및 5.0 %로 증가함에 따라, 처리된 표본의 중량 손실은 상당히 감소하였다. 2 L/m²에서 3.0 % 및 5.0 % CMC-94를 포함하는 수성 조성물을 적용시킬 때 결과는 1.10 kg/m² 및 0.18 Kg/m² 금 광석 중량 손실이었다. 5 % CMC-94를 갖는 수성 조성물은 큰 점도 때문에 적용하기 어려웠고 샘플은 다른 수성 조성물보다 표본으로 확산하는 데 오래걸렸다. 그러나, 1.5 %, 3.0 % 및 5.0 % CMC-61, CMC-53 및 CMC-45를 포함하는 수성 조성물은 도 1의 그래프에서 나타난 바와 같이 가장 좋은 결과를 보여준다. 비 시험에서 100 mL 물로 세 번의 연속적인 세척 후 1.5 % 및 3.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물로 처리된 표본에 대한 금 광석 중량 손실은 각각 0.035 Kg/m² 및 0.19 Kg/m²이었다. 5.0 % CMC-45를 갖는 수성 조성물을 금 광석을 갖는 표본에 적용하는 것은 약 0.019 Kg/m²로 광석 중량 손실을 감소시켰다. 1.5 %, 3.0 % 및 5.0 % CMC-61 및 CMC-53을 갖는 금 광석 처리된 수성 조성물을 갖는 표본에 대한 비 시험 후 중량 손실은 매우 낮았다.

실시예 1-3에서 CMC-61, CMC-53 및 CMC-45를 포함하는 수성 조성물은 금 광석 중량 손실을 상당히 감소시킴에 의해 좋은 성능을 보였지만, 가장 높은 및 가장 낮은 치환도, 각각 CMC-94 및 CMC-33의 낮은-DS를 갖는 이러한 조성물은 그렇게 잘 수행하지 않았다. 이는 DS 값 약 0.94 내지 약 0.33 내인 임계 DS 범위가 존재한다는 것을 시사한다. 셀룰로오스 섬유를 포함하는 수성 조성물을 갖는 것이 광석 침식을 감소시키는 데 필요한 방수 성질을 얻기 위해 중요하다는 것을 언급하는 것은 또한 가치있다. 낮은-DS CMC가 광석에 적용됨에 따라, 셀룰로오스 섬유는 광석에 결합하고 광석의 표면을 코팅하는 물 장벽 필름을 형성한다.

실시예 4 내지 9에서, 골재 기판의 표면을 처리하기 위한 탄수화물 및 낮은-DS CMC의 용도를 평가하였다. 이중 적용(1 L/m²의 속도로 표본에 적용된 탄수화물 후에 1 L/m²의 속도로 적용된 CMC) 및 혼합 적용(2 L/m²의 속도로 표본에 적용되고 3 % 및 6 % 활성 함량을 갖는 단일 수성 조성물로 혼합된 CMC 및 탄수화물)으로 표 1에 기재한 바와 같은 탄수화물 (ASH-100) 및 CMC-45를 이들 간의 잠재적인 상승 작용을 평가하기 위해 시험하였다.

하기와 같이, 실시예 4-9로, CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물 및 ASH-100을 포함하는 50 % 스톡 조성물로부터, 표 1에 기재한 바와 같은 CMC-45를 포함하는 수성 조성물 및 ASH-100 탄수화물을 제조하였다. 이러한 스톡 조성물을 제조함에 있어서, 각각에 대해 한 시간 동안, 상온 (~22 ℃/72 ℉)에서 별도로 샘플 당 500 mL의 물로 분말의 낮은-DS CMC 45 및 ASH-100을 천천히 첨가하였고 물로 완전히 용해 또는 분산되어 스톡 조성물을 만들 때까지 코울레스 블레이드로 750 RPM에서 혼합하였다. 살생물제를 또한 첨가하였다. 스톡 조성물을 혼합한 후, 전술한 바와 같은 메틀러-토레도 MJ33 수분측정기를 사용하여 각 유효 성분의 비율을 정성화하였다. 마찬가지로, 각 시험에 대한 각각의 조성물에서의 활성 비율의 정확도를 보장하기 위해 동일한 방식으로 10 % 스톡 조성물 및 50 % 스톡 조성물로부터 얻어진 모든 더 낮은 활성 비율 조성물을 정성화하였다.

실시예 4

3.0 % 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물에 대해서는 육 그램 (6 g)의 탄수화물 (ASH-100)을 포함하는 50 % 스톡 조성물을 94 g의 수돗물로 희석하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 3.0 % 탄수화물 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 5

3.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물에 대해서는 삼십 그램 (30 g)의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하였다. 이어서 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 3.0 % 조성물을 2 L/m² (표본 당 8.48 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 6

이 실시예는 조성물을 골재 기판의 표면에 별도로 적용하는 탄수화물 조성물 및 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물의 이중 적용을 제공한다. 3.0 % 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물에 대해서는 6 g의 탄수화물 (ASH-100)을 포함하는 50 % 스톡 조성물을 94 g의 수돗물로 희석하였다. 30 g의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물을 제조하였다. 우선, 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 3.0 % ASH-100 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물을 1 L/m² (표본 당 4.24 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 그 후에, 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이러한 표본 각각에 3.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물을 1 L/m² CMC (표본 당 4.24 g 조성물)의 필름 적용의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 7

이 실시예는 골재 기판의 표면에의 탄수화물 조성물 및 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물의 혼합물의 적용을 제공한다. 3.0 % 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물에 대해서는 6 g의 탄수화물 (ASH-100)을 포함하는 50 % 스톡 조성물을 94 g의 수돗물로 희석하였다. 30 g의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 70 g의 수돗물로 희석하여 3.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물을 제조하였다. 이어서 이러한 탄수화물 및 수성 조성물을 1:1 비로 함께 혼합하고 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 2 L/m² (표본 당 총 8.48 g 조성물)의 필름 적용의 속도로 혼합물을 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 8

이 실시예는 조성물을 골재 기판의 표면에 별도로 적용하는 탄수화물 조성물 및 낮은-DS CMC를 포함하는 수성 조성물의 이중 적용을 제공한다. 6.0 % 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물에 대해서는 12 g의 탄수화물 (ASH-100)을 포함하는 50 % 스톡 조성물을 88 g의 수돗물로 희석하였다. 60 g의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 40 g의 수돗물로 희석하여 6.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물을 제조하였다. 우선, 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 필름 적용으로 6.0 % ASH-100 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물을 1 L/m² (표본 당 4.24 g 조성물)의 속도로 적용하였다. 그 후에, 세 개의 표본에의 필름 적용으로 이러한 표본 각각에 6.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물을 1 L/m² CMC (표본 당 4.24 g 조성물)의 필름 적용의 속도로 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 9

이 실시예는 골재 기판의 표면에의 탄수화물 조성물 및 낮은-DS CM을 포함하는 수성 조성물의 혼합물의 적용을 제공한다. 6.0 % 탄수화물을 포함하는 탄수화물 조성물에 대해서는 12 g의 탄수화물 (ASH-100)을 포함하는 50 % 스톡 조성물을 88 g의 수돗물로 희석하였다. 60 g의 CMC-45를 포함하는 10 % 스톡 조성물을 40 g의 수돗물로 희석하여 6.0 % CMC-45를 포함하는 수성 조성물을 제조하였다. 이어서 이러한 탄수화물 및 수성 조성물을 1:1 비로 함께 혼합하고 체질된, 65 g "-100 메쉬" 금 광석을 함유하는 시험 컵 내 세 개의 표본에의 2 L/m² (표본 당 총 8.48 g 조성물)의 필름 적용의 속도로 혼합물을 적용하였다. 각 세 개의 표본에 대한 분무 고정구를 통한 100 mL 수돗물의 각각 세 번의 비 시험 이전에 표본을 건조시켰다.

실시예 4-9에서, 낮은-DS CMC는 성능을 개선하기 위한 다른 토양 안정화제 (즉 탄수화물)와의 조합에서 유용한 것으로 나타난다. 낮은-DS CMC는 혼합 조성물로 다른 토양 안정화제와 조합될 수 있고 골재 기판의 표면에의 하나의 적용으로 적용될 수 있거나 또는 낮은-DS CMC는 다른 토양 안정화제의 적용과 별도로 효과적으로 적용될 수 있다.

도 2에 나타난 바와 같은 결과는 2 L/m² 투여량으로 ASH-100 탄수화물의 3.0 % 활성 조성물로 처리된 금 광석은 광석이 100 mL 물로 세 번의 연속적인 세척에 놓일 때 중량 손실이 발생한 반면에, 금 광석이 2 L/m² 투여량으로 3.0 % 활성 CMC-45로 처리될 때, 탄수화물 조성물로의 처리와 비교하여 금 광석의 중량 손실이 상당히 감소되었다는 것을 나타낸다. 금 광석 표면이 3.0 % 탄수화물 조성물 후에 3.0 % CMC-45 조성물 (실시예 6)로 이중 적용으로 처리될 때, 금 광석 중량 손실은 ASH-100 단독의 적용보다 상당히 적었으나 3.0 % 활성 CMC-45의 적용보다 컸다. 이는 3.0 % 이중 적용에서 CMC-45의 투여량이 반으로 적어진 사실 (1 L/m²의 3 % 활성 CMC-45가 3.0 % 이중 적용으로 적용되었다)에 의해 설명될 수 있다. 6.0 % 탄수화물 조성물 후에 6.0 % CMC-45 조성물 (실시예 8)로 금 광석을 처리할 때 CMC-45의 투여량은 3.0 % 활성 CMC-45에 사용되었던 동일한 투여량 레벨로 증가하였다. 실시예 8에서 6.0 % 이중 적용의 성능은 실시예 6의 이중 적용과 비교하여 개선되었다. 수성 조성물에서 CMC-45의 양이 증가함에 따라 금 광석의 중량 손실이 감소한 것과 같은 동일한 경향은 실시예 7 및 9의 3.0 % 및 6.0 % 혼합 적용에서 또한 보인다.

Claims (22)

1. 상부 표면에 낮은 치환도를 갖는 카르복시메틸셀룰로오스를 포함하는 수성 조성물을 적용하는 단계를 포함하는 상부 표면을 적어도 갖는 골재 기판의 안정화 방법.
2. 제1항에 있어서, 치환도가 약 0.33 내지 약 0.94인 안정화 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 치환도가 약 0.40 내지 약 0.80인 안정화 방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물이 약 10 % 이하의 카르복시메틸셀룰로오스를 포함하는 것인 안정화 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물이 약 1 % 내지 약 7 %의 카르복시메틸셀룰로오스를 포함하는 것인 안정화 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물이 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물을 더 포함하는 것인 안정화 방법.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물이 약 6 % 이하의 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 것인 안정화 방법.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물이 약 1 % 내지 약 5 %의 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 것인 안정화 방법.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 보충적인 토양 안정화 화합물이 탄수화물, 가수분해된 전분, 가수분해된 탄수화물, 조 톨유(crude tall oil), 지방산, 지방산의 에스테르, 로진, 로진산, 로진산의 에스테르, 리그노설포네이트, 마그네슘 할라이드, 칼슘 할라이드, 암모늄 설페이트, 합성 중합체, 라텍스 기재 생성물, 라텍스 폐기물 및 그의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것인 안정화 방법.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 합성 중합체가 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알콜 및 폴리에틸렌 옥시드로 구성되는 군에서 선택되는 것인 안정화 방법.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상부 표면에 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물 및 물을 포함하는 조성물을 적용하는 추가적인 단계를 포함하는 안정화 방법.
12. 제11항에 있어서, 보충적인 토양 안정화 화합물이 탄수화물, 가수분해된 전분, 가수분해된 탄수화물, 조 톨유, 지방산, 지방산의 에스테르, 로진, 로진산, 로진산의 에스테르, 리그노설포네이트, 마그네슘 할라이드, 칼슘 할라이드, 암모늄 설페이트, 합성 중합체, 라텍스 기재 생성물, 라텍스 폐기물 및 그의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것인 안정화 방법.
13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 합성 중합체가 폴리아크릴아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 알콜 및 폴리에틸렌 옥시드로 구성되는 군에서 선택되는 것인 안정화 방법.
14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 조성물이 약 6 % 이하의 보충적인 토양 안정화 화합물을 갖는 것인 안정화 방법.
15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 보충적인 토양 안정화 화합물을 포함하는 조성물이 약 1 % 내지 약 5 %의 보충적인 토양 안정화 화합물을 갖는 것인 안정화 방법.
16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물이 살생물제를 더 포함하는 것인 안정화 방법.
17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 골재 기판이 무기 미립자 재료, 유기 미립자 재료 또는 그의 조합을 포함하는 것인 안정화 방법.
18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 미립자 재료가 미네랄, 광석, 분진, 토양, 멀치(mulch), 석재, 폐기물, 쓰레기 및 그의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것인 안정화 방법.
19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 수성 조성물의 건조 잔류물이 상부 표면으로부터 미립자 재료의 제거를 저해하는 것인 안정화 방법.
20. 제19항에 있어서, 수성 조성물의 건조 잔류물이 골재 기판으로부터 미립자 재료의 침식을 예방하는 것인 안정화 방법.
21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 수성 조성물의 건조 잔류물이 상부 표면을 통해 물이 침투하는 것을 밀어내는 것인 안정화 방법.
22. 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상부 표면 상에 수성 조성물을 분무하여 수성 조성물을 적용하는 수단을 제공하는 추가적인 단계를 포함하는 안정화 방법.

Images