KR20170133693A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20170133693A
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Abstract

본 발명은 상면에 오목부를 가지는 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판에서 상기 오목부 내 파티클을 제거하는 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 상기 오목부 내로 침투시키는 침투 단계와; 상기 침투 단계 이후에 상기 기판을 가열하는 가열 단계를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 웨이퍼, 포토마스크 및 LCD 등과 같은 반도체 소자의 표면 구조가 고집적화됨에 따라, 이에 사용되는 패턴은 더욱 미세화되고 있다. 이러한 패턴을 형성하기 위해서는 필수적으로 식각 공정이 요구되며, 그에 따른 잔류 오염물의 제거를 위한 세정 공정 또한 필수적이다.
도 1은 높은 종횡비(HAR: High Aspect Ratio)를 가지는 패턴이 형성된 기판에 일반적인 유기 약액이 공급된 모습을 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 세정 대상물이 높은 종횡비의 오목부(1)를 가지는 패턴이 형성된 기판(2)으로 제공된 경우, 일반적으로 유기 약액(3)을 이용하여 세정을 수행한다. 이 때, 세정액으로 일반적인 유기 약액(3)이 사용되는 경우, 유기 약액(3)의 표면장력 및 오목부(1)에 머무는 기체의 압력에 의해 유기 약액(3)이 오목부(1) 내로 완전히 침투하지 못하여 오목부(1) 내의 이물질이 제거되지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 상면에 높은 종횡비의 패턴이 형성된 기판의 오목부의 이물질을 세정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 상면에 오목부를 가지는 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판에서 상기 오목부 내 파티클을 제거하는 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 상기 오목부 내로 침투시키는 침투 단계와; 상기 침투 단계 이후에 상기 기판을 가열하는 가열 단계를 포함한다.
상기 침투 단계는 고압 챔버에서 수행되고, 상기 가열 단계는 진공 베이크 챔버에서 수행될 수 있다.
상기 패턴은 상기 오목부를 가지는 티타늄나이트라이드(TiN) 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 유기 약액은 이소프로필 알코올(IPA)일 수 있다.
상기 가열 단계에서는 200℃ 이상으로 기판을 가열한다.
또한, 본 발명은 상면에 오목부를 가지는 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판에서 상기 오목부 내 파티클을 제거하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 상기 오목부 내로 침투시키는 공정이 수행되는 고압 챔버와; 상기 기판을 가열하는 공정이 수행되는 진공 베이크 챔버와; 상기 고압 챔버 및 상기 진공 베이크 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 유닛;을 포함한다.
상기 장치는 상기 고압 챔버, 상기 진공 베이크 챔버 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 고압 챔버에서의 공정이 완료된 상기 기판을 상기 고압 챔버로부터 상기 진공 베이크 챔버로 이송하도록 상기 반송 유닛을 제어한다.
상기 패턴은 상기 오목부를 가지는 티타늄나이트라이드(TiN) 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 유기 약액은 이소프로필 알코올(IPA)일 수 있다.
상기 진공 베이크 챔버는 200℃ 이상으로 기판을 가열한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 높은 종횡비의 패턴이 형성된 기판의 오목부의 이물질을 세정할 수 있다.
도 1은 높은 종횡비(HAR: High Aspect Ratio)를 가지는 패턴이 형성된 기판에 일반적인 유기 약액이 공급된 모습을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타낸 평면도이다.
도 3은 고 종횡비 패턴이 형성된 기판의 일 예를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 고압 챔버를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2의 진공 베이크 챔버를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법이 수행되기 전 기판의 상태를 나타낸 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 각 단계별 기판의 상태를 나타낸 도면들이다.
도 11은 고 종횡비 패턴이 형성된 기판의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 간략하게 나타낸 평면도이다. 도 3은 고 종횡비 패턴이 형성된 기판(100)의 일 예를 나타낸 사시도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 처리액을 공급하여 기판(100)을 세정한다. 기판(100)은 고 종횡비 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판(100)으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 기판(100)에 형성된 패턴은 오목부(110)를 가지는 티타늄나이트라이드(TiN) 커패시터(120)를 포함할 수 있다. 티타늄나이트라이드(TiN) 커패시터(120)는 기판(100)의 상면으로부터 위 방향으로 연장되고, 길이 방향이 상하 방향인 원통형 형상을 가진다. 티타늄나이트라이드 커패시터(120)는 기판(100) 상에 복수개로 제공된다.
기판 처리 장치(10)의 세정 대상물로서 상면에 오목부(110)를 가지는 고 종횡비 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판(100)이 제공된 경우, 기판 처리 장치(10)는 세정 공정을 수행함으로써, 오목부(110) 내 파티클(200)을 제거한다. 일 실시 예에 따르면, 기판 처리 장치(10)는 고압 챔버(400), 반송 유닛(600), 진공 베이크 챔버(800) 및 제어기(900)를 포함한다. 도 2에는 고압 챔버(400), 반송 유닛(600) 및 진공 베이크 챔버(800)는 각각 하나씩 제공된 것으로 도시되어 있으나, 선택적으로 필요에 따라, 고압 챔버(400), 반송 유닛(600), 진공 베이크 챔버(800)는 복수개로 제공될 수 있다.
도 4는 도 2의 고압 챔버(400)를 나타낸 단면도이다. 도 4를 참조하면, 고압 챔버(400)에서는 초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 오목부(110) 내로 침투시키는 공정이 수행된다. 고압 챔버(400)에는 고압 상태에서 초임계 상태의 유기 약액을 이용하여 기판(100)을 세정 처리하는 구성이 제공된다. 고압 챔버(400)는 하우징(410), 기판 지지 유닛(440), 승강 부재(450), 가열 부재(460), 유체 공급 유닛(470) 그리고 차단 부재(480)를 포함한다.
하우징(410)은 내부에 기판(100)을 처리하는 처리 공간(412)이 제공된다. 하우징(410)은 기판(100)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 하우징(410)은 하부 하우징(420) 및 상부 하우징(430)를 포함한다. 하부 하우징(420)은 상부가 개방된 원형의 컵 형상을 가진다. 하부 하우징(420)의 내측 저면에는 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 배기 포트(426)는 하부 하우징(420)의 중심축을 벗어난 위치에 형성될 수 있다. 배기 포트(426)에는 감압 부재가 연결되어 처리 공간(412)에 발생된 파티클을 배기할 수 있다. 또한 처리 공간(412)은 배기 포트(426)를 통해 그 내부 압력을 조절할 수 있다.
상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)과 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)의 위에 위치된다. 상부 하우징(430)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)과 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 저면이 하부 하우징(420)의 상단과 마주보는 크기의 직경을 가질 수 있다. 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)의 사이에는 처리 공간(412)을 밀폐시키는 실링 부재(492)가 제공될 수 있다. 따라서, 배기 포트(426)를 통해 기체를 공급 또는 배기함으로써, 내부 압력을 고압 상태 또는 진공에 가까운 상태로 조절할 수 있다.
기판 지지 유닛(440)은 처리 공간(412)에서 기판(100)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 기판(100)의 처리면이 위를 향하도록 기판(100)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 지지대(442) 및 기판 유지대(444)를 포함한다. 지지대(442)는 상부 하우징(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 기판(100)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 기판 유지대(444)는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(100)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 라운드진 플레이트 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 지지대(442)의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다.
승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 중 하나를 이동시킨다. 본 실시 예에는 상부 하우징(430)의 위치가 고정되고, 하부 하우징(420)을 이동시켜 상부 하우징(430)과 하부 하우징(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 고정된 하부 하우징(420)에 기판 지지 유닛(440)이 설치되고, 상부 하우징(430)이 이동될 수 있다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 상대 위치가 개방 위치 및 폐쇄 위치로 이동되도록 하부 하우징(420)을 이동시킨다. 여기서 개방 위치는 처리 공간(412)이 외부와 서로 통하도록 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 서로 이격되는 위치이고, 폐쇄 위치는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 서로 접촉되어 이들에 의해 처리 공간(412)을 외부로부터 폐쇄하는 위치로 정의한다. 승강 부재(450)는 하부 하우징(420)을 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 폐쇄시킨다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)을 서로 연결하는 복수 개의 승강 축들(452)을 포함한다. 승강 축들(452)은 하부 하우징(420)의 상단과 상부 하우징(430) 사이에 위치된다. 승강 축들(452)은 하부 하우징(420)의 상단의 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강 축(452)은 상부 하우징(430)를 관통하여 하부 하우징(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강 축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 하우징(420)의 높이가 변경되고, 상부 하우징(430)와 하부 하우징(420) 간에 거리를 조절할 수 있다.
가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 상태의 유기 약액을 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 상태의 유기 약액 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다.
유체 공급 유닛(470)은 처리 공간(412)에 처리액을 공급한다. 처리액은 초임계 상태의 유기 약액으로 제공된다. 예를 들면, 처리액은 이소프로필 알코올(IPA)로 제공될 수 있다. 유체 공급 유닛(470)은 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)를 포함한다. 상부 공급 포트(472)는 상부 하우징(430)에 형성되고, 하부 공급 포트(474)는 하부 하우징(420)에 형성된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)는 상하 방향으로 서로 대향되게 위치된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)는 처리 공간(412)의 중심축에 일치하도록 위치된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474) 각각에는 동일한 종류의 초임계 상태의 유기 약액이 공급된다. 일 예에 의하면, 기판(100)의 비 처리면과 대향되는 공급 포트로부터 초임계 상태의 유기 약액이 공급되고, 이후에 기판(100)의 처리면과 대향되는 공급 포트로부터 초임계 상태의 유기 약액이 공급될 수 있다. 따라서 하부 공급 포트(474)로부터 초임계 상태의 유기 약액이 공급되고, 이후에 상부 공급 포트(472)로부터 초임계 상태의 유기 약액이 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(100)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다.
차단 부재(480)는 하부 공급 포트(474)로부터 공급되는 유체가 기판(100)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 차단 부재(480)는 차단 플레이트(482) 및 지지대(484)를 포함한다. 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474)와 기판 지지 유닛(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(482)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(482)는 하부 하우징(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트(482)는 기판(100)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대(484)는 차단 플레이트(482)를 지지한다. 지지대(484)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(482)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 지지대(484)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다.
다시 도 2를 참고하면, 반송 유닛(600)은 고압 챔버(400), 진공 베이크 챔버(800) 간에 기판(100)을 반송한다. 반송 유닛(600)은 고압 챔버(400)와 진공 베이크 챔버(800)의 사이에 위치된다. 반송 유닛(600)의 핸드는 기판(100)을 지지할 수 있는 다양한 구성 및 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 반송 유닛(600)의 핸드는 진공 흡착 방식의 핸드로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 반송 유닛(600)의 핸드는 구동 부재에 의해 상하 방향 및 수평 방향으로 직선 운동이 가능하고, 연직 방향을 축으로 회전 운동이 가능하게 제공된다.
도 5는 도 2의 진공 베이크 챔버(800)를 나타낸 단면도이다. 도 5를 참조하면, 진공 베이크 챔버(800)에서는 기판(100)을 가열하는 공정이 수행된다. 진공 베이크 챔버(800)에서는 고압 챔버(400)에서 오목부(110) 내로 초임계 상태의 유기 약액이 침투되는 공정이 완료된 기판(100)이 가열되는 공정이 수행된다. 진공 베이크 챔버(800)에는 진공 상태에서 기판(100)을 가열할 수 있는 구성이 제공된다. 진공 베이크 챔버(800)는 하우징(810), 가열 플레이트(820), 열 처리 부재(830) 그리고 커버(842)를 포함한다.
하우징(810)은 내부에 기판(W)의 가열 처리하는 처리 공간(812)을 제공한다. 하우징(810)은 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다. 가열 플레이트(820)는 하우징(810)의 처리 공간(812)에 위치된다. 가열 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(820)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다. 가열 플레이트(820)의 상면에는 복수 개의 핀 홀들이 형성된다. 핀 홀들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀에는 리프트핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀(미도시)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 예컨대, 핀 홀은 3 개로 제공될 수 있다.
열 처리 부재(830)는 가열 플레이트(820)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 열 처리 부재(830)는 복수 개의 히터(830)를 포함한다. 각각의 히터(830)는 가열 플레이트(820)의 내부에 위치된다. 각각의 히터(830)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(830)는 가열 플레이트(820)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 각 히터(830)에 대응되는 가열 플레이트(820)의 영역들은 히팅존들로 제공된다. 예컨대 히팅존들은 15개 일 수 있다. 예컨대, 히터(830)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.
커버(842)는 하우징(810)의 처리 공간(812)을 개폐한다. 커버(842)는 하우징(810)에 장착되어 처리 공간(812)을 외부로부터 차단할 수 있다. 커버(842)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 커버(842)에는 배기홀(843)이 형성된다. 배기홀(843)은 바디(842)의 중심축과 대응되게 형성된다. 처리 공간(812)의 분위기 및 처리 공간(812)에서 발생된 파티클은 배기홀(843)을 통해 외부로 배기된다. 배기홀(843)에는 압력 조절부가 연결되어 처리 공간(812)의 기체를 흡기함으로써, 처리 공간(812) 내를 진공에 가까운 압력 상태로 만들 수 있다. 커버(842)는 구동 부재에 의해 승강 이동된다. 구동 부재는 커버를 상하 이동 시킬 수 있는 다양한 구성 및 형상으로 제공될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 제어기(900)는 고압 챔버(400), 진공 베이크 챔버(800) 및 반송 유닛(600)을 제어한다. 제어기(900)는 고압 챔버(400)에서의 공정이 완료된 기판(100)을 고압 챔버(400)로부터 진공 베이크 챔버(800)로 이송하도록 반송 유닛(600)을 제어한다.
다음은 상술한 기판 처리 장치(10)를 이용하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법이 수행되기 전 기판(100)의 상태를 나타낸 단면도이다. 도 6 및 7을 참고하면, 기판 처리 방법은 기판을 세정하는 방법이다. 기판 처리 방법은 상면에 오목부(110)를 가지는 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판(100)에서 오목부(110) 내 파티클(200)을 제거한다. 기판 처리 방법은 침투 단계(S10) 및 가열 단계(S20)를 포함한다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 각 단계별 기판의 상태를 나타낸 도면들이다.
도 8을 참고하면, 침투 단계(S10)에서는 초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 오목부(110) 내로 침투시킨다. 유기 약액이 표면 장력이 0인 초임계 상태로 공급됨으로써, 유기 약액이 막을 형성하지 않으므로 오목부(110) 내에 이미 존재하고 있던 기체의 압력의 저항을 받지 않고 오목부(110) 내로 침투할 수 있다. 따라서, 오목부(110) 내의 파티클은 유기 약액과 반응하여 반응물(300)을 형성하게 된다. 침투 단계(S10)는 고압 챔버(400)에서 수행된다. 예를 들면, 침투 단계(S10)에서는 기판(100)이 기판 지지 유닛(440)에 놓이고, 승강 부재(450)에 의해 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 폐쇄 위치로 이동하여 처리 공간(412)이 밀폐된다. 배기 포트(426)를 통해 가압 가스가 공급되어 유기 약액이 초임계 상태로 유지될 수 있는 압력을 유지하고, 가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 유기 약액이 초임계 상태로 유지될 수 있는 온도로 가열한다. 처리 공간(412) 내의 압력 및 온도가 일정 상태가 된 경우, 유체 공급 유닛(470)은 초임계 상태의 유기 약액을 처리 공간(412)으로 공급한다.
침투 단계(S10)가 완료된 후, 반송 유닛(600)은 기판(100)을 고압 챔버(400)로부터 진공 베이크 챔버(800)로 반송한다.
도 9를 참고하면, 가열 단계(S20)에서는 침투 단계(S10) 이후에 기판(100)을 가열한다. 가열 단계(S20)는 진공 베이크 챔버(800)에서 수행된다. 일 실시 예에 따르면, 가열 단계(S20)에서는 200℃ 이상으로 기판(100)을 가열할 수 있다. 침투 단계(S10)가 완료된 기판(100)이 가열됨으로써, 파티클 및 유기 약액의 반응물(300)은 승화된다. 따라서, 도 10에 도시된 바와 같이, 오목부(110) 내의 파티클이 용이하게 세정된다. 예를 들면, 가열 단계(S20)에서는 커버(842)가 개방된 상태에서 기판(100)이 가열 플레이트(820) 상에 놓이고, 커버(842)가 닫힌다. 이 후, 배기홀(843)을 통해 처리 공간(812)이 배기됨으로써, 처리 공간(812) 내부는 진공 상태로 유지되고, 히터(830)에 의해 기판(100)이 가열된다.
도 11은 고 종횡비 패턴이 형성된 기판(100)의 다른 예를 나타낸 단면도이다. 도 11을 참조하면, 도 3의 경우와 달리, STI형 패턴이 형성된 기판(100)으로 제공될 수 있다. 그 외, 고 종횡비 패턴이 형성된 기판은 기판의 종류에 따라 다양한 형상 및 구조로 제공될 수 있다.
10: 기판 처리 장치 100: 기판
110: 오목부 120: 커패시터
200: 파티클 300: 반응물
400: 고압 챔버 600: 반송 유닛
800: 진공 베이크 챔버 900: 제어기

Claims (11)

  1. 상면에 오목부를 가지는 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판에서 상기 오목부 내 파티클을 제거하는 방법에 있어서,
    초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 상기 오목부 내로 침투시키는 침투 단계와;
    상기 침투 단계 이후에 상기 기판을 가열하는 가열 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 침투 단계는 고압 챔버에서 수행되는 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 단계는 진공 베이크 챔버에서 수행되는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 패턴은 상기 오목부를 가지는 티타늄나이트라이드(TiN) 커패시터를 포함하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 유기 약액은 이소프로필 알코올(IPA)인 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 가열 단계에서는 200℃ 이상으로 기판을 가열하는 기판 처리 방법.
  7. 상면에 오목부를 가지는 패턴이 형성된 박막을 가지는 기판에서 상기 오목부 내 파티클을 제거하는 장치에 있어서,
    초임계 상태의 유기 약액을 포함하는 처리액을 상기 오목부 내로 침투시키는 공정이 수행되는 고압 챔버와;
    상기 기판을 가열하는 공정이 수행되는 진공 베이크 챔버와;
    상기 고압 챔버 및 상기 진공 베이크 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 고압 챔버, 상기 진공 베이크 챔버 및 상기 반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 고압 챔버에서의 공정이 완료된 상기 기판을 상기 고압 챔버로부터 상기 진공 베이크 챔버로 이송하도록 상기 반송 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 패턴은 상기 오목부를 가지는 티타늄나이트라이드(TiN) 커패시터를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 유기 약액은 이소프로필 알코올(IPA)인 기판 처리 장치.
  11. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 진공 베이크 챔버는 200℃ 이상으로 기판을 가열하는 기판 처리 장치.
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