KR20150106974A - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

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함용현
우형제
김현중
박완재
한규영
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리공간을 제공하는 챔버 및 상기 챔버의 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하는 검출 유닛을 포함하되, 상기 검출 유닛은 상기 챔버의 내벽에 제공된 윈도우 부재 및 상기 윈도우부재를 통해 광을 발광 및 수광하는 광원 부재를 포함한다. 챔버의 내벽에는 윈도우부재가 설치되고, 윈도우부재를 통해 광을 발광 및 수광하여 그 챔버의 내부 상태를 측정한다. 이로 인해 챔버의 내벽 상태를 보다 정밀하게 측정할 수 있다.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로, 플라즈마 처리 공정은 챔버 내에 공정가스를 공급하고, 그 공정가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 기판을 처리하는 과정에서 플라즈마의 일부는 챔버의 내벽에 부착되어 파티클로 작용한다. 이로 인해 플라즈마 공정이 진행되기 전후 각각에는 챔버의 내부 상태를 일정하게 유지시키기 위한 세정공정이 진행된다.
세정공정이 진행되면 챔버 내에 세정가스를 공급하고, 챔버 내에 발생된 플라즈마의 상태를 측정한다. 도1 및 도2는 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도1 및 도2를 참조하면, 챔버의 일측벽에는 투명창(2)이 제공되고, 센서(3)는 투명창(2)을 통해 챔버의 내부의 플라즈마의 상태를 검출하여 세정 상태를 확인한다. 또한 챔버 내에 발생된 공정부산물이 배기되는 과정에서 센서(4)는 그 공정부산물의 성분을 확인하고 이로부터 챔버 내의 세정 상태를 확인한다.
그러나 이 같은 세정 확인법은 챔버의 내벽의 실질적 세정의 상태를 확인하는 것이 어렵다.
한국 공개 특허 번호 제2003-0096412호
본 발명은 챔버의 내벽 상태를 보다 정확하게 검출할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 챔버의 내벽 상태를 기설정 조건으로 유지하도록 세정 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 공정가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리공간을 제공하는 챔버 및 상기 챔버의 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하는 검출 유닛을 포함하되, 상기 검출 유닛은 상기 챔버의 내벽에 제공된 윈도우 부재 및 상기 윈도우부재를 통해 광을 발광 및 수광하는 광원 부재를 포함한다.
상기 윈도우부재의 내측면은 상기 하우징의 내벽과 동일한 재질을 가지는 코팅막이 코팅될 수 있다. 상기 코팅막의 내측면과 상기 하우징의 내벽은 동일 평면 상에 제공될 수 있다. 상기 윈도우부재는 상기 챔버의 측벽에 제공되는 제1투명창을 가지는 제1뷰 포트 및 상기 제1뷰 포트와 대향되도록 상기 챔버의 측벽에 제공되며, 제2투명창을 가지는 제2뷰포트를 포함하고, 상기 광원부재는 상기 제1투명창의 외측에서 광을 발광하는 발광기 및 상기 제2투명창의 외측에서 상기 발광기로부터 발광된 광을 수광하는 수광기를 포함할 수 있다.
또한 상기 윈도우부재는 상기 챔버의 일측벽에 제공되는 투명창을 포함하고, 상기 광원부재는 상기 투명창의 외측에서 광을 발광하는 발광기 및 상기 투명창의 외측에서 상기 투명창으로부터 반사된 광을 수광하는 수광기를 포함할 수 있다.
상기 처리공간에 세정가스를 공급하는 가스공급라인 및 상기 가스공급라인을 개폐하는 밸브를 가지는 가스공급유닛 및 상기 처리공간에 제공된 세정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 검출유닛은 상기 광원부재 및 상기 가스공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 기판 처리 공정 전후에 상기 처리공간을 세정 처리 시 상기 수광기로부터 제공되는 검출정보가 기설정 조건과 일치할 때까지 세정 공정을 수행할 수 있다. 상기 기설정 조건은 상기 챔버의 내벽 상태를 포함할 수 있다.
기판을 처리하는 방법으로는 내부에 플라즈마 처리 공정이 수행되는 챔버의 내벽에 제공되는 윈도우 부재를 통해 광을 발광 및 수광하여 상기 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출한다.
상기 윈도우부재의 내측면에는 상기 내벽과 동일한 재질의 코팅막이 코팅 처리될 수 있다. 상기 코팅막의 내측면과 상기 하우징의 내벽은 동일 평면 상에 제공될 수 있다. 상기 반응부산물의 양에 대한 검출정보를 기설정조건과 비교하되, 상기 검출정보가 상기 기설정조건에 불일치하면, 상기 챔버의 내부에 세정가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정처리하고, 상기 검출정보가 상기 기설정조건에 일치하면, 상기 세정가스의 공급을 중지할 수 있다.
또한 기판을 처리하는 방법으로는 처리 공정이 수행되는 챔버의 내부를 세정 처리하는 세정 처리 단계 및 상기 챔버의 내부에 공정가스를 공급하여 기판의 처리하는 기판 처리 단계를 포함하되, 상기 세정 처리 단계에는 상기 챔버의 내부에 세정가스를 공급하는 세정가스 공급단계 및 챔버의 내벽에 제공되는 윈도우 부재를 통해 광을 발광 및 수광하여 상기 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하는 검출단계를 포함한다
상기 세정 처리 단계에는 상기 반응부산물의 양에 대한 검출정보를 기설정조건과 비교하되, 상기 검출정보가 상기 기설정조건에 불일치하면, 상기 챔버의 내부에 세정가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정처리하고, 상기 검출정보가 상기 기설정조건에 일치하면, 상기 세정가스의 공급을 중지할 수 있다. 상기 세정 처리 단계와 상기 기판 처리 단계는 교차로 진행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버의 내벽에는 윈도우부재가 설치되고, 윈도우부재를 통해 광을 발광 및 수광하여 그 챔버의 내부 상태를 측정한다. 이로 인해 챔버의 내벽 상태를 보다 정밀하게 측정할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 윈도우 부재의 내측면에는 챔버의 내벽과 동일한 재질의 코팅막이 코팅된다. 이로 인해 윈도우 부재의 내측면 상태는 챔버의 내벽 상태와 동일하게 유지되며, 이로부터 챔버의 내벽 상태를 정밀하게 측정할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 윈도우 부재를 통해 발광 및 수광된 정보를 통해 챔버의 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하고, 이를 기설정 조건과 일치하도록 세정공정을 진행한다. 이로 인해 세정공정이 복수 회 진행될지라도, 챔버의 내벽 상태를 동일하게 유지될 수 있다.
도1 및 도2는 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 배플을 보여주는 평면도이다.
도5는 도3의 검출유닛을 보여주는 단면도이다.
도6은 도3의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 블럭도이다.
도7은 도3의 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에서는 공정가스를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.
이하, 도3 내지 도7을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을을 참조하면, 기판처리장치(10)는 챔버(100), 기판지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 플라즈마소스(400), 배플(500), 그리고 검출유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기라인을 통해 감압부재(160)에 연결된다. 감압부재(160)는 배기라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다.
기판지지유닛(200)은 처리공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판지지유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판지지유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 일 예에 의하면, 하부전극은 모노폴라 전극으로 제공될 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
가스공급유닛(300)은 기판지지유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정가스 및 세정가스를 공급한다. 가스공급유닛(300)은 공정가스 저장부(350), 가스공급라인(330), 그리고 가스유입포트(310)를 포함한다. 공정가스 저장부(350)는 제1가스 저장부(351) 및 제2가스 저장부(352)를 포함한다. 제1가스 저장부(351)에는 제1가스가 제공되고, 제2가스 저장부(352)에는 제2가스가 제공된다. 제1가스 및 제2가스 각각은 서로 상이한 종류의 가스로 제공된다. 가스공급라인(330)은 제1가스 저장부(351) 및 제2가스 저장부(352) 각각을 가스유입포트(310)에 연결한다. 제1가스 저장부(351)에 제공된 제1가스 및 제2가스 저장부(352) 각각은 가스공급라인(330)을 통해 가스유입포트(310)로 공급된다. 가스공급라인(330)에는 제1밸브(351a) 및 제2밸브(352a)가 설치된다. 제1밸브(351a)는 제1가스의 공급통로를 개폐하고, 제2밸브(352a)는 제2가스의 공급통로를 개폐한다. 일 예에 의하면, 제1가스는 기판 처리 가스로 제공될 수 있다. 제1가스는 식각 가스로 제공될 수 있다. 제2가스는 세정 가스로 제공될 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리공간에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배플(500)은 처리공간에서 플라즈마가 영역 별로 균일하게 배기되게 한다. 도4는 도3의 배플을 보여주는 평면도이다. 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 지지유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향으로 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 제공된다. 관통홀(502)은 슬릿 형상을 가지도록 제공된다. 관통홀(502)은 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이방향을 가지도록 제공된다.
검출유닛(600)은 챔버(100)의 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출한다. 검출유닛(600)은 광을 통해 챔버(100)의 내벽 상태를 측정한다. 도5는 도3의 검출유닛(600)을 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 검출유닛(600)은 윈도우 부재(610), 광원부재(630), 그리고 제어기(650)를 포함한다. 윈도우 부재(610)는 제1뷰 포트(610a) 및 제2뷰 포트(610b)를 포함한다. 제1뷰 포트(610a) 및 제2뷰 포트(610b)는 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 제1뷰 포트(610a)는 챔버(100)의 측벽에 제공된다. 제1뷰 포트(610a)는 챔버(100)의 일측벽에 형성된 제1검출홀에 탈착 가능하도록 제공된다. 제1뷰 포트(610a)는 정전척보다 상부에 위치되도록 제공된다. 제1뷰 포트(610a)는 제1프레임(612) 및 제1투명창(614)을 포함한다. 제1프레임(612)은 제1투명창(614)의 둘레를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 제1프레임(612)과 제1투명창(614)은 서로 고정 결합된다. 제1프레임(612) 및 제1투명창(614)의 내측면에는 코팅막(616)이 코팅된다. 일 예에 의하면, 코팅막(616)은 챔버(100)의 내벽과 동일 재질로 제공될 수 있다. 코팅막(616)은 그 내측면과 챔버(100)의 내벽이 서로 동일 평면상에 제공되도록 상기 제1투명창(614)에 코팅될 수 있다. 코팅막(616)을 코팅하는 방법으로는 원자층 증착기(ALD), 스퍼터(Sputter), 스프레이, 그리고 증발기(evaporator)를 이용하여 다양한 방법으로 코팅할 수 있다.
제2뷰 포트(610b)는 제1뷰 포트(610a)와 대향되도록 챔버(100)의 측벽에 제공된다. 제2뷰 포트(610b)는 제2프레임 및 제2투명창을 포함한다. 제2프레임 및 제2투명창은 제1프레임(612) 및 제1투명창(614)과 동일 구성으로 제공되므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
광원부재(630)는 윈도우 부재(610)를 통해 광을 발광 및 수광한다. 광원부재(630)는 발광기(632) 및 수광기(634)를 포함한다. 발광기(632) 및 수광기(634)는 제1뷰 포트(610a) 및 제2뷰 포트(610b) 각각의 외측에 위치된다. 발광기(632)는 제1뷰 포트(610a)에 인접하게 위치되고, 수광기(634)는 제2뷰 포트(610b)에 인접하게 위치된다. 발광기(632) 및 수광기(634)는 서로 대향되게 위치된다. 발광기(632)로부터 광이 발광되면, 제1뷰 포트(610a) 및 제2뷰 포트(610b)를 순차적으로 통과하여 수광기(634)로 수광된다.
제어기(650)는 수광기(634) 및 제2밸브(352a)를 제어한다. 제어기(650)는 수광기(634)로부터 수신된 검출정보를 통해 제2밸브(352a)를 제어한다. 제어기(650)는 검출정보가 기설정 조건에 일치하도록 제2밸브(352a)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(650)는 검출정보가 기설정 조건에 불일치하면 제2밸브(352a)를 개방하고, 검출정보가 기설정 조건에 일치하면 제2밸브(352a)를 닫는다.
다음은 상술한 기판처리장치를 이용하여 챔버(100)의 처리공간을 세정 처리하는 과정을 설명한다. 도6은 도3의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 블럭도이다. 도6을 참조하면, 발광기(632)는 제1뷰 포트(610a)로 광을 발광하고, 수광기(634)는 제2뷰 포트(610b)를 통해 광을 수광한다. 제2밸브(352a)는 개방되고, 처리공간에는 세정가스가 공급된다. 세정가스는 챔버(100)의 내부를 세정 처리한다. 세정가스에 의해 챔버(100)의 내벽이 세정 처리됨에 따라 수광기(634)에 수광되는 광량이 상이해진다. 제어기(650)는 수광기(634)로부터 검출정보를 수신받아 검출정보가 기설정 조건에 일치하는지에 대한 여부를 판단한다. 검출정보가 기설정 조건과 일치하면, 제어기(650)는 제2밸브(352a)를 닫고 세정 공정을 종료한다.
상술한 실시예에는 뷰 포트(610)가 복수 개로 제공되는 것을 설명하였다. 그러나 도7과 같이, 뷰 포트(610)는 1 개로 제공될 수 있다. 뷰 포트는 챔버(100)의 측벽에 제공되고, 그 뷰 포트(610)에는 발광기(632) 및 수광기(634)가 인접하게 위치될 수 있다. 발광기(632)는 뷰 포트(610)를 통해 광을 발광하고, 발광된 광의 일부는 투명창에 증착된 반응부산물에 의해 반사된다. 수광기(634)는 그 반사된 광을 수광하고, 제어기(650)는 수광기(634)로부터 검출정보를 제공받아 기설정 조건과 비교할 수 있다.
100: 챔버 600: 검출 유닛
610: 윈도우 부재 630: 광원 부재
632: 발광기 634: 수광기

Claims (14)

  1. 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 처리공간을 제공하는 챔버와;
    상기 챔버의 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하는 검출 유닛을 포함하되;
    상기 검출 유닛은,
    상기 챔버의 내벽에 제공된 윈도우 부재와;
    상기 윈도우부재를 통해 광을 발광 및 수광하는 광원 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 윈도우부재의 내측면은 상기 하우징의 내벽과 동일한 재질을 가지는 코팅막이 코팅된 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 코팅막의 내측면과 상기 하우징의 내벽은 동일 평면 상에 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 윈도우부재는,
    상기 챔버의 측벽에 제공되는 제1투명창을 가지는 제1뷰 포트와;
    상기 제1뷰 포트와 대향되도록 상기 챔버의 측벽에 제공되며, 제2투명창을 가지는 제2뷰포트를 포함하고,
    상기 광원부재는,
    상기 제1투명창의 외측에서 광을 발광하는 발광기와;
    상기 제2투명창의 외측에서 상기 발광기로부터 발광된 광을 수광하는 수광기를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 윈도우부재는,
    상기 챔버의 일측벽에 제공되는 투명창을 포함하고,
    상기 광원부재는,
    상기 투명창의 외측에서 광을 발광하는 발광기와;
    상기 투명창의 외측에서 상기 투명창으로부터 반사된 광을 수광하는 수광기를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리공간에 세정가스를 공급하는 가스공급라인 및 상기 가스공급라인을 개폐하는 밸브를 가지는 가스공급유닛과;
    상기 처리공간에 제공된 세정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 검출유닛은
    상기 광원부재 및 상기 가스공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는 기판 처리 공정 전후에 상기 처리공간을 세정 처리 시 상기 수광기로부터 제공되는 검출정보가 기설정 조건과 일치할 때까지 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기설정 조건은 상기 챔버의 내벽 상태를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 내부에 플라즈마 처리 공정이 수행되는 챔버의 내벽에 제공되는 윈도우 부재를 통해 광을 발광 및 수광하여 상기 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 윈도우부재의 내측면에는 상기 내벽과 동일한 재질의 코팅막이 코팅 처리되는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 코팅막의 내측면과 상기 하우징의 내벽은 동일 평면 상에 제공되는 기판 처리 방법.
  11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반응부산물의 양에 대한 검출정보를 기설정조건과 비교하되,
    상기 검출정보가 상기 기설정조건에 불일치하면, 상기 챔버의 내부에 세정가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정처리하고,
    상기 검출정보가 상기 기설정조건에 일치하면, 상기 세정가스의 공급을 중지하는 기판 처리 방법.
  12. 처리 공정이 수행되는 챔버의 내부를 세정 처리하는 세정 처리 단계와;
    상기 챔버의 내부에 공정가스를 공급하여 기판의 처리하는 기판 처리 단계를 포함하되,
    상기 세정 처리 단계에는,
    상기 챔버의 내부에 세정가스를 공급하는 세정가스 공급단계와;
    챔버의 내벽에 제공되는 윈도우 부재를 통해 광을 발광 및 수광하여 상기 내벽에 부착된 반응부산물의 양을 검출하는 검출단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 세정 처리 단계에는
    상기 반응부산물의 양에 대한 검출정보를 기설정조건과 비교하되, 상기 검출정보가 상기 기설정조건에 불일치하면, 상기 챔버의 내부에 세정가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 세정처리하고, 상기 검출정보가 상기 기설정조건에 일치하면, 상기 세정가스의 공급을 중지하는 기판 처리 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 세정 처리 단계와 상기 기판 처리 단계는 교차로 진행되는 기판 처리 방법.



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