KR102092150B1 - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

기판처리장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102092150B1
KR102092150B1 KR1020130104067A KR20130104067A KR102092150B1 KR 102092150 B1 KR102092150 B1 KR 102092150B1 KR 1020130104067 A KR1020130104067 A KR 1020130104067A KR 20130104067 A KR20130104067 A KR 20130104067A KR 102092150 B1 KR102092150 B1 KR 102092150B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
sensing
intermediate position
lift pin
state
Prior art date
Application number
KR1020130104067A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150025903A (ko
Inventor
임성민
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020130104067A priority Critical patent/KR102092150B1/ko
Publication of KR20150025903A publication Critical patent/KR20150025903A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102092150B1 publication Critical patent/KR102092150B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 처리공간에서 상기 기판의 안착 상태를 관찰하는 센싱유닛을 포함하되, 상기 센싱유닛은 상기 챔버의 일측벽에 형성된 센싱홀을 차단하는 윈도우 및 상기 윈도우의 외측에 위치되며, 상기 윈도우를 통해 상기 기판을 센싱하는 센서를 포함한다. 센서는 기판 처리 공정이 진행되기 전에 챔버의 외부에서 기판의 안착상태를 센싱하므로, 플라즈마 및 기판지지유닛에 독립된 상태로 기판의 안착상태를 센싱할 수 있다.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
도1은 일반적으로 플라즈마 장치를 보여주는 일 예로서, 기판(W)의 플라즈마 처리 공정은 감압 분위기에서 진행된다. 챔버 내에 위치된 기판지지유닛(2)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 정전 흡착한다. 센서(4)는 기판지지유닛(2)과 전기적으로 연결되어 기판지지유닛(2)이 기판(W)을 고정 시 기판(W)의 안착 상태를 센싱한다.
그러나 이 같이 기판의 안착 상태를 센싱하는 방식은 기판지지유닛으로부터 정전기력이 발생되지 않을 시 기판의 안착상태를 센싱할 수 없다. 이로 인해 센서는 플라즈마 공정이 진행된 후에 기판의 안착 상태를 센싱할 수 있으며, 공정이 진행되기 전에는 기판의 안착 상태를 센싱할 수 없다. 이 결과, 기판이 비정상 위치에 안착된 상태에서 공정은 진행되고, 이를 센싱할지라도, 기판이 손상되는 것을 방지할 수 없다.
또한 기판지지유닛은 플라즈마에 의해 손상될 수 있다. 이 경우, 센서는 기판의 안착 상태를 정확하게 센싱할 수 없다. 이로 인해 기판이 비정상 위치에 안착된 상태에서 공정이 진행될 수 있다.
본 발명은 기판처리공정이 진행되기 전에 기판의 안착 상태를 정확하게 센싱할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판지지유닛과 독립된 상태에서 기판의 안착 상태를 센싱할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 플라즈마에 영향을 받지 상태에서 기판의 안착 상태를 센싱할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 처리공간에서 상기 기판의 안착 상태를 관찰하는 센싱유닛을 포함하되, 상기 센싱유닛은 상기 챔버의 일측벽에 형성된 센싱홀을 차단하는 윈도우 및 상기 윈도우의 외측에 위치되며, 상기 윈도우를 통해 상기 기판을 센싱하는 센서를 포함한다.
상기 기판지지유닛은 상기 기판을 지지하고, 상면에 핀홀이 형성되는 유전판, 상기 핀홀에 제공되는 리프트핀, 그리고 상기 리프트핀이 상기 핀홀로부터 돌출되도록 상하방향으로 이동시키는 핀 구동부재를 포함하되, 상기 센싱홀은 상기 핀홀로부터 돌출된 상기 리프트핀의 상단과 대향되는 위치에 제공될 수 있다. 상기 핀 구동부재는 상기 리프트핀을 그 상단이 핀홀로부터 돌출된 승강위치 및 중간위치로 이동시키되, 상기 중간위치는 상기 승강위치보다 아래에 위치되며, 상기 센싱홀은 상기 중간위치와 대향되는 위치로 제공될 수 있다. 상기 핀 이동부재는 상기 리프트핀을 그 상단이 핀홀로부터 돌출된 승강위치 로 이동시키고, 상기 센싱홀은 상기 승강위치와 대향되는 위치로 제공될 수 있다. 기판이 상기 처리공간에 반입 또는 반출되도록 기판을 반송하는 반송로봇을 더 포함하고, 상기 센싱유닛은 상기 센서로부터 센싱된 정보를 수신받아 기판의 안착 상태를 판단하는 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는 기판의 안착 상태가 비정상 상태라고 판단되면, 상기 반송로봇의 동작을 중지시킬 수 있다.
상기 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법은 공정이 진행되지 않는 대기 상태의 상기 챔버 내에서 상기 리프트핀은 승강위치에서 기판을 반송로봇으로부터 인수받아 상기 승강위치보다 아래인 중간위치로 이동되고, 상기 센서는 상기 중간위치에 위치된 상기 리프트에 놓인 기판을 센싱하여 기판의 안착상태를 센싱한다.
제어부는 상기 센서로부터 센싱된 정보를 제공받아 정상상태 및 비정상상태를 판단하되, 상기 제어부는 기판의 안착 상태가 상기 정상상태라고 판단되면, 상기 리프트핀이 하강되도록 동작시키고, 상기 제어부는 기판의 안착 상태가 상기 비정상상태라고 판단되면, 상기 리프트핀의 동작을 중지시키고 알람을 발생시킬 수 있다. 상기 리프트핀은 상기 핀홀에서 상기 중간위치로 이동되고, 상기 중간위치에서 상기 승강위치로 이동되되, 상기 중간위치에서 기판이 센싱되면, 제어부는 상기 반송로봇의 동작을 중단시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 센서는 기판 처리 공정이 진행되기 전에 챔버의 외부에서 기판의 안착상태를 센싱하므로, 플라즈마 및 기판지지유닛에 독립된 상태로 기판의 안착상태를 센싱할 수 있다.
도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 유전판을 보여주는 평면도이다.
도4 내지 도6은 도2의 기판처리장치를 이용하여 기판을 센싱하는 과정을 보여주는 단면도들이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에서는 공정가스를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.
이하, 도2 내지 도6을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를을 참조하면, 기판처리장치(10)는 챔버(100), 기판지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 플라즈마소스(400), 배플(500), 그리고 센싱유닛(700)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)의 일측벽의 내측면에는 센싱홀(110)이 형성된다. 센싱홀(110)은 수평방향을 향하도록 제공된다. 챔버(100)의 외측면에는 센싱홀(110)과 통하는 장착홈(120)이 형성된다. 장착홈(120)은 센싱홀(110)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 장착홈(120)은 센싱홀(110)과 동일한 중심축을 가지도록 제공된다. 챔버(100)의 타측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 개구(130)는 센싱홀(110)에 비해 높게 위치될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기라인을 통해 감압부재(160)에 연결된다. 감압부재(160)는 배기라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다.
기판지지유닛(200)은 처리공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판지지유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판지지유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(260), 베이스(230), 그리고 승강부재(280)를 포함한다. 도3은 도2의 유전판을 보여주는 평면도이다. 도3을 참조하면, 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 센싱홀(110)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 선택적으로, 유전판(210)의 상단은 센싱홀(110)과 동일한 높이를 가질 수 있다. 유전판의 상면에는 핀홀들(216)이 형성된다. 핀홀(216)은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀홀들(216)은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
다시 도2를 참조하면, 포커스링(260)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 외측링(254)의 상단은 센싱홀(110)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
승강부재(280)는 리프트핀(282) 및 핀 구동부재(284)를 포함한다. 리프트핀(282)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 리프트핀(282)은 복수 개로 제공되며, 각각은 핀홀(216)에 제공된다. 리프트 핀(282)은 핀홀(216)로부터 돌출되도록 승강 이동할 수 있다. 핀 구동부재(284)는 복수 개의 리프트 핀(282)을 상하방향으로 이동시킨다. 핀 구동부재(284)는 복수 개의 리프트핀들(282)이 동일 높이를 유지시킨 상태에서 상하로 이동시킨다. 핀 구동부재(284)는 리프트 핀(282)을 승강위치(H2), 중간위치(H1), 그리고 하강위치로 이동시킨다. 여기서 승강위치(Hl) 및 중간위치(H1)는 리프트 핀(282)의 상단이 핀홀(216)로부터 돌출된 위치이고, 하강위치는 리프트 핀(282)의 상단이 핀홀(216) 내에 제공된 위치로 정의한다. 중간위치(H1)는 승강위치(H2)에 비해 낮은 높이를 가진다. 일 예에 의하면, 중간위치(H1)는 리프트 핀(282)의 상단이 센싱홀(110)과 대응되는 높이를 가지는 위치일 수 있다.
가스공급유닛(300)은 기판지지유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정가스를 공급한다. 가스공급유닛(300)은 가스저장부(350), 가스공급라인(330), 그리고 가스유입포트(310)를 포함한다. 가스공급라인(330)은 가스저장부(350)와 가스유입포트(310)를 연결한다. 가스저장부(350)에 저장된 공정가스는 가스공급라인(330)을 통해 가스유입포트(310)으로 공급한다. 가스공급라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리공간에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배플(500)은 챔버(100)의 외부로 배기되는 플라즈마의 유량을 제어한다. 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 지지유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향으로 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 제공된다. 이와 동시에 관통홀들(502)은 배플(500)의 반경방향을 따라 제공된다.
센싱유닛(700)은 처리공간에 위치된 기판의 안착 상태를 관찰한다.
센싱유닛(700)은 센서(710) 및 제어부(730)를 포함한다. 센서는 승강부재(280)에 의해 이동된 기판을 촬상한다. 챔버(100)의 외측벽에 형성된 센싱홀(110)에는 윈도우(미도시)가 고정설치된다. 윈도우는 챔버(100)의 외부에서 처리공간이 센싱 가능하도록 투명 재질로 제공된다. 윈도우는 센싱홀(110)과 대응되는 크기를 가지도록 제공된다. 예컨대 윈도우는 쿼츠(Quartz) 재질로 제공될 수 있다.
센서(710)는 장착홈(120) 내에서 처리공간에 위치된 기판(W)의 안착 상태를 센싱한다. 일 예에 의하면, 센서(710)는 리프트 핀(282)에 놓여진 기판(W)의 안착 상태를 센싱할 수 있다. 센서(710)는 장착홈(120)에서 윈도우와 인접하게 위치된다. 센서(710)는 센싱홀(110)과 대향되도록 위치된다. 센서(710)는 광소자를 발광하여 발광부 및 광소자를 수광하는 수광부를 가질 수 있다. 발광부 및 수광부는 장착홈(120)에서 서로 간에 인접하게 위치될 수 있다. 선택적으로, 센서(710)는 카메라로 제공되어 기판(W)의 안착 상태를 촬영할 수 있다.
제어부(730)는 센서(710) 및 승강부재(280)를 제어한다. 제어부(730)는 중간위치(H2)에 위치된 리프트 핀(282)에 기판(W)이 놓이면, 이 기판(W)을 센싱하도록 센서(710)를 제어한다. 제어부(730)는 센서(710)로부터 센싱된 센싱정보를 수신받아 기판(W)의 안착 상태를 판단한다. 제어부(730)는 발광부로부터 발광된 광소자가 수광부에 정상적으로 수광되면, 기판(W)의 안착상태를 정상상태로 판단한다. 이와 달리 제어부(730)는 발광된 광소자가 수광부에 수광되지 않을 시, 기판(W)의 안착상태를 비정상 상태로 판단한다. 기판(W)의 안착상태가 비정상 상태라고 판단되면, 제어부(730)는 알람(미도시)을 발생시킬 수 있다.
다음은 상술한 센싱유닛(700)을 이용하여 기판(W)을 센싱하는 방법에 대해 설명한다. 도4 내지 도6은 도2의 기판처리장치를 이용하여 기판을 센싱하는 과정을 보여주는 단면도들이다. 도4 내지 도6을 참조하면, 반송로봇(800)이 기판(W)을 처리공간으로 반입하면, 리프트 핀(282)은 승강위치(H2)로 이동되고, 반송로봇(800)으로부터 기판(W)을 인수받는다. 리프트 핀(282)은 중간위치(H1)로 이동되면, 센서(710)는 기판(W)을 센싱한다. 기판(W)의 안착상태가 정상상태로 판단되면, 리프트 핀(282)은 하강위치로 이동되어 기판(W)을 유전판(210)으로 내려놓는다. 기판(W)의 플라즈마 처리 공정이 완료되면, 리프트 핀(282)은 하강위치에서 중간위치(H1)로 이동된다. 유전판(210)에 놓인 기판(W)은 리프트 핀(282)에 의해 중간위치(H1)로 이동된다. 센서(710)는 중간위치(H1)에 위치된 기판(W)을 센싱한다. 기판(W)의 안착상태가 정상상태로 판단되면, 리프트 핀(282)은 승강위치(H1)로 이동되어 기판(W)을 반송로봇(800)으로 인계한다.
상술한 실시예에는 기판(W)이 중간위치(H1)에 위치 시 그 기판(W)의 안착 상태를 센싱한다. 중간위치(H1)는 기판(W)을 반송로봇(800)에 인수 또는 인계하는 승강위치(H2)보다 아래에 제공되는 위치로써, 기판(W)이 승강위치(H2)에서 하강위치로 이동되는 중에 기판(W)이 낙하되어 손상을 방지할 수 있다. 또한 중간위치(H1)는 유전판(210)의 상면보다 위에 제공되는 위치로써, 기판(W)이 유전판(210)에 놓이기 전에 기판(W)의 안착상태를 미리 방지할 수 있다.
상술한 실시예와 달리 핀 구동부재(284)는 리프트 핀(282)을 승강위치(H2) 및 하강위치로 이동시킬 수 있다. 이 경우 센싱홀(110)은 승강위치(H2)에 위치된 리프트 핀(282)의 상단과 동일한 높이에 형성될 수 있다. 센서(710)는 승강위치(H2)의 리프트 핀(282)에 지지된 기판(W)을 센싱할 수 있다.
또한 센싱홀(110)은 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 센싱홀(110)은 제1센싱홀과 제2센싱홀로 제공될 수 있다. 제1센싱홀은 챔버(100)의 일측벽에 형성될 수 있다. 제2센싱홀은 제1센싱홀과 대향되는 챔버(100)의 타측벽에 형성될 수 있다. 발광부는 제1센싱홀과 통하는 제1장착홈에 제공되고, 수광부는 제2센싱홀과 통하는 제2장착홈에 제공될 수 있다.
또한 본 실시예에는 센싱홀(110)이 중간위치(H1)에 대향되는 위치로 설명하였다. 그러나 센싱홀(110)은 유전판(210)의 상면과 대향되는 위치에 제공될 수 있다. 유전판(210)에 놓인 기판(W)은 외측링(254)에 의해 센싱되지 않을 수 있다. 이 경우, 외측링(254)이 기판(W)과 센서(710) 간에 장애물로 제공되지 않도록 외측링(254)을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 외측링(254)은 하강되거나 경사지도록 이동시킬 수 있다.
또한 센서(710)는 공정이 진행되지 않는 대기 시 기판(W)의 유무를 센싱할 수 있다. 제어부(730)는 기판(W)이 반입되어야할 대기 챔버(100)의 처리공간에 기판(W)의 유무를 센싱할 수 있다. 제어부(730)는 대기 챔버(100) 내에 기판(W)이 있다고 판단되면, 기판(W)을 반송하는 반송로봇(800)의 동작을 정지시켜 챔버(100) 내에 2 개의 기판(W)이 반입되는 것을 방지할 수 있다. 일 예에 의하면, 제어부(730)는 반송로봇(800)이 기판(W)을 반송해야할 대기 챔버(100)에 기판(W)이 있다고 판단되면, 반송로봇(800)의 동작을 정지시키고, 알람을 발생시킬 수 있다.
또한 플라즈마 소스(400)는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 용량결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 챔버의 내부에서 상부와 하부에 각각 배치되고, 각각의 전극은 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
100: 챔버 200: 기판지지유닛
300: 가스공급유닛 400: 플라즈마 소스
700; 센싱유닛 710: 센서

Claims (8)

  1. 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 챔버와;
    상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과;
    공정가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 플라즈마 소스와;
    상기 처리공간에서 상기 기판의 안착 상태를 관찰하는 센싱유닛과;
    기판이 상기 처리공간에 반입 또는 반출되도록 기판을 반송하는 반송로봇을 포함하되,
    상기 센싱유닛은,
    상기 챔버의 일측벽에 형성된 센싱홀을 차단하는 윈도우와;
    상기 윈도우의 외측에 위치되며, 상기 윈도우를 통해 상기 기판을 센싱하는 센서를 포함하고,
    상기 기판지지유닛은,
    상기 기판을 지지하고, 상면에 핀홀이 형성되는 유전판과;
    상기 핀홀에 제공되는 리프트핀과;
    상기 리프트핀이 상기 핀홀로부터 돌출되도록 상하방향으로 이동시키는 핀 구동부재를 포함하되,
    상기 핀 구동부재는 상기 리프트핀을 그 상단이 핀홀로부터 돌출된 승강위치 및 중간위치로 이동시키되, 상기 중간위치는 상기 승강위치보다 아래에 위치되며,
    상기 센싱홀은 상기 중간위치와 대향되는 위치로 제공되고,
    상기 반송 로봇은 상기 승강 위치에 위치된 상기 리프트핀과 기판을 인수인계하고,
    상기 센서는 상기 중간 위치에 위치된 상기 리프트핀에 놓여진 기판을 센싱하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 센싱유닛은,
    상기 센서로부터 센싱된 정보를 수신받아 기판의 안착 상태를 판단하는 제어부를 더 포함하되,
    상기 제어부는 기판의 안착 상태가 비정상 상태라고 판단되면, 상기 반송로봇의 동작을 중지시키는 기판처리장치.
  6. 제1항의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    공정이 진행되지 않는 대기 상태의 상기 챔버 내에서 상기 리프트핀은 상기 승강위치에서 기판을 반송로봇으로부터 인수받아 상기 승강위치보다 아래인 상기 중간위치로 이동되고, 상기 센서는 상기 중간위치에 위치된 상기 리프트에 놓인 기판을 센싱하여 기판의 안착상태를 센싱하는 기판처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    제어부는 상기 센서로부터 센싱된 정보를 제공받아 정상상태 및 비정상상태를 판단하되,
    상기 제어부는 기판의 안착 상태가 상기 정상상태라고 판단되면, 상기 리프트핀이 하강되도록 동작시키고,
    상기 제어부는 기판의 안착 상태가 상기 비정상상태라고 판단되면, 상기 리프트핀의 동작을 중지시키고 알람을 발생시키는 기판처리방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 리프트핀은 상기 핀홀에서 상기 중간위치로 이동되고, 상기 중간위치에서 상기 승강위치로 이동되되, 상기 중간위치에서 기판이 센싱되면, 제어부는 상기 반송로봇의 동작을 중단시키는 기판처리방법.
KR1020130104067A 2013-08-30 2013-08-30 기판처리장치 및 방법 KR102092150B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104067A KR102092150B1 (ko) 2013-08-30 2013-08-30 기판처리장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104067A KR102092150B1 (ko) 2013-08-30 2013-08-30 기판처리장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150025903A KR20150025903A (ko) 2015-03-11
KR102092150B1 true KR102092150B1 (ko) 2020-03-23

Family

ID=53022035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130104067A KR102092150B1 (ko) 2013-08-30 2013-08-30 기판처리장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102092150B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11302558B2 (en) 2020-08-14 2022-04-12 Psk Inc. Substrate processing apparatus and substrate transfer method

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102618813B1 (ko) 2016-01-27 2023-12-27 삼성전자주식회사 공정 챔버 모니터링 장치
JP6650841B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置
KR101951373B1 (ko) * 2016-09-01 2019-05-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 배기 방법
TWI713799B (zh) * 2016-11-15 2020-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於移動基板之完整電漿覆蓋的動態相控陣列電漿源
WO2018123980A1 (ja) 2016-12-26 2018-07-05 京セラ株式会社 切削インサート
KR20190056552A (ko) 2017-11-17 2019-05-27 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP7279406B2 (ja) * 2019-02-26 2023-05-23 東京エレクトロン株式会社 ロードロックモジュール、基板処理装置及び基板の搬送方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008041896A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 基板検知機構およびそれを用いた基板処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080048674A (ko) * 2006-11-29 2008-06-03 주식회사 에이디피엔지니어링 리프트 핀을 이용한 기판 유무 판별장치 및 이를 이용한기판 반입방법과 검사방법
KR101350145B1 (ko) * 2006-11-29 2014-01-09 엘아이지에이디피 주식회사 리프트 핀을 이용한 기판 유무 판별장치 및 이를 이용한기판 반입방법과 검사방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008041896A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 基板検知機構およびそれを用いた基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11302558B2 (en) 2020-08-14 2022-04-12 Psk Inc. Substrate processing apparatus and substrate transfer method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150025903A (ko) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102092150B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
US10825664B2 (en) Wafer processing method and wafer processing apparatus
KR101174816B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 포커스 링 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
KR101909478B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150106974A (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20170024215A (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR101974422B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102189151B1 (ko) 기판처리장치
KR20130137962A (ko) 기판처리장치
KR102240922B1 (ko) 기판 처리 장치 및 로봇 티칭 방법
KR102284470B1 (ko) 기판 처리 장치, 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법 및 정전기력 인가 여부 판단 방법
JP7492551B2 (ja) 容器及び基板処理システム
KR102222460B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102477910B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102277547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 안착 상태 판단 방법
KR102026831B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기판처리장치
KR102232666B1 (ko) 기판 처리 장치 및 부품 상태 검출 방법
KR101991799B1 (ko) 지지유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
KR102278083B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102593139B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230411196A1 (en) Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same
KR20230101644A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102117354B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102239116B1 (ko) 기판처리장치
KR102134422B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant