KR102284470B1 - 기판 처리 장치, 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법 및 정전기력 인가 여부 판단 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법 및 정전기력 인가 여부 판단 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버, 지지 유닛, 가스 공급 유닛, 플라스마 소스 및 검출 유닛 등을 포함한다. 검출 유닛은 조사 부재, 수광 부재 및 판단 부재를 포함한다. 조사 부재는 광을 기판 또는 기판에 인접한 방향을 향해 조사하고, 수광 부재는 리프트 핀 또는 기판의 상태에 따라 광을 수광할 수 있는 위치에 배치되며, 판단 부재는 수광 부재가 광을 수광하는지 여부에 따라 리프트 핀 또는 기판의 상태를 판단한다.

Description

기판 처리 장치, 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법 및 정전기력 인가 여부 판단 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE, METHOD FOR DETECTING LIFT PIN ALIGNMENT AND METHOD FOR DETECTING WHETHER ELECTROSTATIC FORCE IS APPLIED}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
도 1 및 도 2는 일반적인 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛을 나타낸 단면도들이다.
도 1을 참고하면, 기판(1)은 복수개의 리프트 핀(2)에 의해 챔버 내에 위치한 기판 지지 유닛(3)으로 안착되거나 기판 지지 유닛(3)으로부터 들어올려진다. 기판(1)이 챔버 내외부로 반송을 위해 리프트 핀(2)에 의해 들어올려진 상태에서 각각의 리프트 핀(2)이 정위치에 위치되지 않는 경우, 기판 반송 시 기판이 손상될 수 있다.
또한, 도 2를 참고하면, 기판 지지 유닛(3)은 기판에 정전기력을 인가하는 정전 전극(4)을 포함할 수 있다. 기판 지지 유닛(3)은 기판 안착 시 정전기력을 이용해 기판(1)을 정전 흡착한다. 기판(1)에 대한 정전기력이 인가 또는 잔류되고 있는 상태에서 리프트 핀(2) 등을 이용해 기판(1)을 들어올리는 경우, 기판(1)이 휘어지거나 깨짐 현상이 발생될 수 있다.
그러나, 리프트 핀(2)의 정렬 상태를 판단하고, 기판(1)에 대한 정전기력 인가 여부를 판단하는 것은 용이하지 않다.
본 발명은 리프트 핀의 정렬 상태를 판단할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판에 대한 정전기력의 인가 또는 잔류 여부를 판단할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판 반송 시 기판의 손상을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 휨 또는 깨짐을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판 및 상기 지지판으로 기판을 안착하거나 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 제공된 복수개의 리프트 핀을 가지는 지지 유닛과; 상기 리프트 핀의 상태 또는 상기 지지유닛에 제공된 기판의 상태를 검출하는 검출 유닛을 포함하되, 상기 검출 유닛은, 상기 지지 유닛의 상면을 향해 광을 조사하도록 제공된 조사 부재와; 상기 리프트 핀의 상태 또는 상기 기판의 상태에 따라 상기 광을 수광하도록 배치된 수광 부재와; 상기 수광 부재가 상기 광을 수광하는지 여부에 따라 상기 리프트 핀의 상태 또는 상기 기판의 상태를 판단하는 판단 부재;를 포함한다.
상기 광은 레이저 광일 수 있다.
상기 리프트 핀의 상태는 상기 리프트 핀의 수직 정렬 상태를 포함하며, 상기 조사 부재는 상기 리프트 핀에 기판이 놓인 상태에서 기판의 상면 영역을 향해 상기 광을 조사한다.
상기 수광 부재는 상기 리프트 핀이 기판을 상기 지지판으로부터 들어올린 상태에서, 상기 기판이 상기 지지판의 상면에 대해 평행하고 설정 높이에 위치된 경우 상기 광을 수광하고, 상기 기판이 상기 지지판의 상면에 대해 경사지거나 설정 높이가 아닌 위치에 위치된 경우 상기 광을 수광하지 않도록 배치된다.
상기 지지 유닛은 상기 지지판에 놓인 기판에 정전기력을 인가하는 정전 전극을 포함하고, 상기 기판의 상태는 상기 기판에 정전기력이 인가 되었는지 여부를 포함한다.
상기 지지판의 상면은 상기 기판이 상기 지지판에 정위치에 놓인 경우, 상기 기판에 대향되는 영역의 중심을 지나는 일직선을 기준으로 한쪽에 위치된 영역인 제 1 영역; 및 다른 한쪽에 위치된 영역인 제 2 영역;을 포함하고, 상기 리프트 핀은, 상기 제 1 영역에 위치되는 제 1 핀; 및 상기 제 2 영역에 위치되는 제 2 핀;을 포함하며, 상기 제 1 핀 및 상기 제 2 핀은 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동된다.
상기 지지판 상부에 기판이 놓이고, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서, 상기 조사 부재는, 상기 기판이 제 1 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면의 외부에 조사되고, 상기 기판이 제 2 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면에 조사되도록 배치되고, 상기 수광 부재는, 상기 기판의 상면으로부터 반사된 상기 광을 수광하도록 배치되며, 상기 제 1 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않는 경우의 상기 기판의 위치이고, 상기 제 2 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가된 경우의 상기 기판의 위치이다.
상기 지지판 상부에 기판이 놓이고, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서, 상기 조사 부재는, 상기 기판이 제 1 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면의 외부에 조사되고, 상기 기판이 제 2 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면에 조사되도록 배치되고, 상기 수광 부재는, 상기 기판의 상면의 외부에 조사된 상기 광을 수광하도록 배치되며, 상기 제 1 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않는 경우의 상기 기판의 위치이고, 상기 제 2 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가된 경우의 상기 기판의 위치이다.
상기 조사 부재 및 상기 수광 부재는 각각 복수개로 제공된다.
상기 수광 부재는 기판에 대한 공정 완료 시점을 검출하는 종점 검출 장치를 포함한다.
또한, 본 발명은 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 상기 리프트 핀의 수직 정렬 상태를 판단하고, 상기 리프트 핀은 상기 지지판에 놓인 기판을 상기 지지판으로부터 들어올리는 기판 상승 단계; 이 후, 상기 조사 부재는 상기 기판에 광을 조사하는 광 조사 단계; 및 이 후, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광하는지 여부에 따라 상기 리프트 핀의 수직 정렬 상태를 판단하는 판단 단계;를 포함한다.
상기 수광 부재는 상기 리프트 핀이 기판을 상기 지지판으로부터 들어올린 상태에서, 상기 기판이 상기 지지판의 상면에 대해 평행하게 위치된 경우 상기 광을 수광하고, 상기 기판이 상기 지지판의 상면에 대해 경사지도록 위치된 경우 상기 광을 수광하지 않도록 배치되며, 상기 판단 단계에서는 상기 수광 부재가 광을 수광하는 경우 각각의 상기 리프트 핀들이 모두 정위치에 정렬된 것으로 판단하고, 상기 수광 부재가 광을 수광하지 않는 경우 각각의 상기 리프트 핀들 중 일부 또는 전부가 정위치에 정렬되지 않은 것으로 판단한다.
또한, 본 발명은 정전기력 인가 여부 판단 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전기력 인가 여부 판단 방법은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 상기 지지판에 놓인 기판에 정전기력이 인가되었는지 여부를 판단하고, 기판이 상기 지지판에 놓인 상태에서, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치되도록 각각의 상기 리프트 핀이 이동하는 리프트 핀 이동 단계; 이 후, 상기 조사 부재는 광을 조사하는 광 조사 단계; 및 이 후, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광 하는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가된 것으로 판단하고, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광하지 않는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않은 것으로 판단하는 판단 단계;를 포함한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전기력 인가 여부 판단 방법은 상기 수광 부재가 상기 광을 수광 하는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않은 것으로 판단하고, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광하지 않는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가된 것으로 판단하는 판단 단계;를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 리프트 핀의 정렬 상태를 판단할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판에 대한 정전기력의 인가 또는 잔류 여부를 판단할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판 반송 시 기판의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 기판의 휨 또는 깨짐을 방지할 수 있다.
도 1 및 도 2는 일반적인 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛을 나타낸 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 3의 검출 유닛을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 도 3의 지지판을 나타낸 평면도이다.
도 8은 기판이 제 1 위치에 위치된 모습을 나타낸 단면도이다.
도 9는 기판이 제 2 위치에 위치된 모습을 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전기력 인가 여부 판단 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 유도 결합형 플라스마(ICP: Inductive Coupled Plasma) 소스를 가지는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 용량 결합형 플라스마(CCP: Capacitive Coupled Plasma) 소스를 가지는 기판 처리 장치 등 리프트 핀(Lift Pin)이 제공되고, 기판에 대한 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시 예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 정전 척이 필수적으로 요구되지 않는 경우 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400), 배기 유닛(500) 및 검출 유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 제공된다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 챔버 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전기력을 이용하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 지지판(220), 정전 전극(223), 히터(225), 유로 형성판(230), 포커스 링(240), 절연 플레이트(250), 하부 커버(270) 및 리프트 핀(280)을 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.
지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 지지판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 지지판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 지지판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 지지판(220) 내에는 정전 전극(223)과 히터(225)가 매설된다.
정전 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 정전 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 정전 전극(223)은 지지판(220)에 놓인 기판(W)에 정전기력을 인가한다. 예를 들면, 정전 전극(223)에 인가된 전류에 의해 정전 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 지지판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 지지판(220)의 하부에는 유로 형성판(230)이 위치한다. 지지판(220)의 저면과 유로 형성판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.
유로 형성판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 유로 형성판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 지지판(220) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 유로 형성판(230)을 냉각한다. 유로 형성판(230)은 냉각되면서 지지판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
포커스 링(240)은 지지 유닛(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 지지판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 유로 형성판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 유로 형성판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 리프트 핀(280)을 상하 방향으로 구동시키는 구동부재(미도시) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
리프트 핀(280)은 챔버(100)의 처리 공간 내로 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 이송 받아 지지판(220)으로 이동시킨다. 리프트 핀(280)은 지지판(220)으로 기판(W)을 안착하거나 지지판(220)으로부터 기판을 들어올리도록 제공된다. 리프트 핀(280)은 복수개가 제공된다. 리프트 핀(280)은 바(Bar) 형상으로 제공된다. 리프트 핀(280)은 길이 방향이 상하 방향을 따라 제공된다. 각각의 리프트 핀(280)은 지지 유닛(200)에 형성된 각각의 핀홀(미도시)을 관통하여 상하 방향으로 이동 가능하도록 제공된다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라스마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기된다.
배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
검출 유닛(600)은 리프트 핀(280)의 상태 또는 지지 유닛(200)에 제공된 기판(W)의 상태를 검출한다. 검출 유닛(600)은 조사 부재(610), 수광 부재(620) 및 판단 부재(630)를 포함한다.
조사 부재(610)는 지지 유닛(200)의 상면을 향해 광을 조사한다. 광은 레이저 광으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 조사 부재(610)는 레이저 포인터를 포함할 수 있다. 광이 레이저 광으로 제공되는 경우, 광이 좁은 면적에 집중되어 조사되므로 기판의 위치에 대해 보다 정밀한 측정이 가능하다.
수광 부재(620)는 조사 부재(610)에 의해 조사되어 기판(W)에 반사된 광을 수광 할 수 있다. 본 발명의 실시 예들에 따르면, 수광 부재(620)는 리프트 핀(280)의 상태 또는 기판(W)의 상태에 따라 광을 수광 하도록 배치된다.
판단 부재(630)는 수광 부재(620)가 기판(W)에 반사된 광을 수광 하는지 여부에 따라 리프트 핀(280)의 상태 또는 기판(W)의 상태를 판단한다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 검출 유닛(600)과 관련하여 보다 상세히 설명한다.
도 4 및 도 5는 도 3의 검출 유닛(600)을 설명하기 위한 도면들이다. 도 3 내지 도 5를 참고하면, 일 실시 예에 따르면, 검출 유닛(600)은 리프트 핀(280)의 상태를 검출한다. 검출 유닛(600)이 검출하는 리프트 핀(280)의 상태는 리프트 핀(280)의 수직 정렬 상태이다.
조사 부재(610)는 리프트 핀(280)에 기판(W)이 놓인 상태에서 기판(W)의 상면을 향해 광을 조사한다. 조사 부재(610)는 기판(W)의 위치와 무관하게 고정된 위치 및 각도로 광을 조사한다. 따라서, 입사하는 광에 대한 기판(W) 상면의 상대적 각도가 변경되면 기판(W)의 상면에 대한 광의 입사각이 변경된다. 광의 입사각과 반사각은 동일하다. 그러므로, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(W)을 지지하고 있는 리프트 핀(280) 중 일부가 정위치에 정렬되지 않거나, 기판(W)이 설정 높이보다 낮거나 높게 들어올려졌을 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W)에 반사된 광은 기판(W)을 지지하고 있는 복수개의 리프트 핀(280)이 모두 정위치에 정렬된 경우와 상이한 위치를 향한다. 조사 부재(610)는 챔버(100)의 내측 벽면에 지지 유닛(200)의 상단보다 높은 위치에 제공된다. 조사 부재(610)는 복수개가 지지 유닛(200)을 둘러싸도록 제공될 수 있다.
수광 부재(620)는 리프트 핀(280)이 기판(W)을 지지판(220)으로부터 들어올린 상태에서, 기판(W)이 지지판(220)의 상면에 대해 평행하게 위치된 경우 기판(W)에 반사된 광을 수광하고, 기판(W)이 지지판(220)의 상면에 대해 경사지도록 위치된 경우, 기판(W)에 반사된 광을 수광 하지 않도록 배치된다. 수광 부재(620)는 챔버(100)의 내측 벽면에 지지 유닛(200)의 상단보다 높은 위치에 제공된다. 수광 부재(620)는 복수개가 제공될 수 있다. 수광 부재(620)는 조사 부재(610)와 동일한 수로 제공되고, 각각의 수광 부재(620)는 각각의 조사 부재(610)에 의해 조사되어 기판(W)에 반사된 광이 설정된 위치에 도달할 경우 수광 할 수 있도록 각각의 조사 부재(610)에 대응되게 지지 유닛(200)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 수광 부재(620)는 기판(W)에 대한 공정 완료 시점을 검출하는 종점 검출 장치를 포함할 수 있다. 예를 들면, 수광 부재(620)는 종점 검출 장치를 통해 기판(W)으로부터 반사된 광을 수광한다.
이하, 도 4 및 도 5의 검출 유닛(600)을 이용하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 리프트 핀의 수직 정렬 상태를 판단하는 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 4 내지 도 6을 참고하면, 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법은 기판 상승 단계(S11), 광 조사 단계(S12) 및 판단 단계(S13)를 포함한다.
기판 상승 단계(S11)에서는 리프트 핀(280)은 지지판(220)에 놓인 기판(W)을 지지판(220)으로부터 들어올린다.
광 조사 단계(S12)에서는 조사 부재(610)는 리프트 핀(280)에 의해 들어 올려진 기판(W)에 광을 조사한다. 광은 기판(W)에 반사되어 기판(W)의 배치 각도 또는 높이에 따라 일정한 위치로 도달된다.
판단 단계(S13)에서는 수광 부재(620)가 기판(W)에 반사된 광을 수광 하는지 여부에 따라 리프트 핀(280)의 수직 정렬 상태를 판단한다. 예를 들면, 리프트 핀(280)들이 모두 정위치에 정렬된 경우, 리프트 핀(280)들 각각의 상단의 높이는 동일하다. 이 경우, 기판(W)은 지지판(220)의 상면에 대해 평행하게 위치되므로 수광 부재(620)가 광을 수광 하고, 판단 부재(630)는 각각의 리프트 핀(280)들이 모두 정위치에 정렬된 것으로 판단한다. 또한, 리프트 핀(280)들 중 일부 또는 전부가 정위치에 정렬되지 않은 경우, 기판(W)은 지지판(220)의 상면에 대해 경사지게 되거나, 정위치보다 낮거나 높은 위치에 위치되므로 수광 부재(620)가 광을 수광 하지 못하고, 판단 부재(630)는 각각의 리프트 핀(280)들 중 일부 또는 전부가 정위치에 정렬되지 않은 것으로 판단한다.
기판 상승 단계(S11) 및 광 조사 단계(S12)는 도 6과 같이 순차적으로 수행될 수 있다. 이와 달리, 기판 상승 단계(S11) 및 광 조사 단계(S12)는 동시에 또는 광 조사 단계(S12)가 먼저 수행될 수 있다. 예를 들면, 광이 조사되고 있는 상태에서 기판(W)을 상승시킴으로써, 수광 여부를 검출할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 지지판(220)으로부터 기판(W) 반송 전 리프트 핀(280)의 정렬 상태를 판단할 수 있으므로, 반송 시 반송 부재가 기판(W)을 제대로 파지하지 못해 발생할 수 있는 기판(W)의 손상을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 검출 유닛(600)과 관련하여 보다 상세히 설명한다.
도 7은 도 3의 지지판을 나타낸 평면도이다. 도 8은 기판(W)이 제 1 위치에 위치된 모습을 나타낸 단면도이다. 도 9는 기판(W)이 제 2 위치에 위치된 모습을 나타낸 단면도이다. 도 3의 다른 실시 예에 따른 검출 유닛을 설명하기 위한 도면들이다. 도 7 내지 도 9를 참고하면, 검출 유닛(600)은 기판(W)의 상태를 검출한다. 검출 유닛(600)이 검출하는 기판(W)의 상태는 정전 전극(223)에 의해 발생된 정전기력이 기판(W)에 인가되었는지 여부이다.
지지판(220)의 상면은 제 1 영역(220a) 및 제 2 영역(220b)을 포함한다.
제 1 영역(220a)은 기판(W)이 지지판(220)에 정위치에 놓인 경우, 지지판(220)의 상면 중 기판(W)에 대향되는 영역의 중심을 지나는 일직선을 기준으로 한쪽에 위치된 영역이고, 제 2 영역(220b)은 다른 한쪽에 위치된 영역이다.
리프트 핀(280)은 제 1 핀(281) 및 제 2 핀(282)을 포함한다. 제 1 핀(281)은 지지판(220)의 제 1 영역(220a)에 위치되고, 제 2 핀(282)은 지지판(220)의 제 2 영역(220b)에 위치된다. 일반적으로 리프트 핀(280)은 기판(W)을 안정적으로 지지하기 위해 3개 이상으로 제공된다. 따라서, 제 1 핀(281) 및 제 2 핀(282)은 하나 또는 두개 이상으로 제공될 수 있다. 제 1 핀(281) 및 제 2 핀(282)은 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동되도록 제공된다.
일 실시 예에 의하면, 도 4 및 도 5의 경우와 달리, 지지판(220) 상부에 기판(W)이 놓이고, 제 1 핀(281)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 제 2 핀(282)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서, 조사 부재(610)는 기판(W)이 제 1 위치에 위치되는 경우, 광이 기판(W)의 상면의 외부에 조사되고, 기판(W)이 제 2 위치에 위치되는 경우, 광이 기판(W)의 상면에 조사되도록 배치되고, 수광 부재는 기판(W)의 상면으로부터 반사된 광을 수광하도록 배치된다. 이 경우, 제 1 핀(281)이 상승하는 높이는 기판(W)이 지지판(220)에 정전기력에 의해 흡착된 경우, 제 1 핀(281)을 상승시켰을 때 기판(W)이 휘거나 깨지지 않는 높이이다. 이는 복수 회의 시험을 통해 결정된다.
예를 들면, 도 8을 참고하면, 제 1 위치는 기판(W)에 정전기력이 인가되지 않는 경우의 기판(W)의 위치이다. 기판(W)에 정전 전극(223)에 의해 발생된 정전기력이 인가되어 있지 않은 경우, 기판(W)이 지지판(220)의 상면에 흡착되는 힘이 제공되지 않으므로, 기판(W)과 지지판(220)의 상면 간의 마찰력이 작아진다. 따라서, 제 1 핀(281)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 제 2 핀(282)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치되는 경우, 기판(W)은 중력에 의해 일정거리만큼 제 2 핀(282)을 향한 방향으로 미끄러져 이동하게 된다.
도 9를 참고하면, 제 2 위치는 기판(W)에 정전기력이 인가된 경우의 기판(W)의 위치이다. 기판(W)에 정전 전극(223)에 의해 발생된 정전기력이 인가되는 경우, 기판(W)이 지지판(220)의 상면에 흡착되는 힘이 제공되므로, 기판(W)과 지지판(220)의 상면 간의 마찰력이 증가한다. 따라서, 제 1 핀(281)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 제 2 핀(282)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치되는 경우, 기판(W)은 기판(W)에 정전기력이 인가되지 않은 경우에 비해 적은 거리만큼 제 2 핀(282)을 향한 방향으로 미끄러져 이동하게 된다.
따라서, 조사 부재(610)는 광을 경사진 기판(W)의 상단 끝단부를 향해 조사하도록 고정 배치됨으로써, 조사 부재(610)는 기판(W)이 제 1 위치에 위치되는 경우, 광이 기판(W)의 상면의 외부에 조사되고, 기판(W)이 제 2 위치에 위치되는 경우, 광이 기판(W)의 상면에 조사되도록 배치될 수 있다.
도 8 및 도 9와 달리, 지지판(220) 상부에 기판(W)이 놓이고, 제 1 핀(281)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 제 2 핀(282)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서, 수광 부재(620)는, 기판(W)의 상면의 외부에 조사된 광을 수광하도록 배치될 수 있다.
이하, 도 8 및 도 9의 검출 유닛(600)을 이용하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지판(220)에 놓인 기판(W)에 정전 전극(223)에 의해 정전기력이 인가되었는지 여부를 판단하는 정전기력 인가 여부 판단 방법에 대해 설명한다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 정전기력 인가 여부 판단 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 8 내지 도 10을 참고하면, 정전기력 인가 여부 판단 방법은 리프트 핀 이동 단계(S21), 광 조사 단계(S22) 및 판단 단계(S33)를 포함한다.
리프트 핀 이동 단계(S21)에서는 기판(W)이 지지판(220)에 놓인 상태에서 제 1 핀(281)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 제 2 핀(282)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 낮은 위치에 위치되도록 각각의 리프트 핀(280)이 이동한다. 이 경우, 상술한 바와 같이, 기판(W)은 지지판(220)의 상면에 경사지도록 위치되고, 정전 전극(223)으로부터 정전기력이 인가되는지 여부에 따라 제 2 핀(282)을 향한 방향으로 미끄러지는 거리가 상이하다. 따라서, 기판(W)은 상술한 제 1 위치 또는 제 2 위치에 위치하게 된다.
광 조사 단계(S22)에서는 조사 부재(610)는 광을 조사한다. 상술한 바와 같이, 조사 부재(610)는 기판(W)이 제 1 위치에 위치되는 경우, 광이 기판(W)의 상면의 외부에 조사되고, 기판(W)이 제 2 위치에 위치되는 경우, 광이 기판(W)의 상면에 조사될 수 있는 방향을 향해 광을 조사한다.
판단 단계(S23)에서는 수광 부재(620)가 광을 수광 하는 경우 기판(W)이 제 1 위치에 위치된 것이므로 기판(W)에 정전기력이 인가된 것으로 판단하고, 수광 부재(620)가 광을 수광 하지 않는 경우 기판(W)이 제 2 위치에 위치된 것이므로 기판(W)에 정전기력이 인가되지 않은 것으로 판단한다.
이와 달리, 지지판(220) 상부에 기판(W)이 놓이고, 제 1 핀(281)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 제 2 핀(282)은 상단이 지지판(220)의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서, 수광 부재(620)가 기판(W)의 상면의 외부에 조사된 광을 수광하도록 배치되는 경우, 판단 단계(S23)에서는 수광 부재(620)가 광을 수광 하는 경우 기판(W)이 제 2 위치에 위치된 것이므로 기판(W)에 정전기력이 인가되지 않은 것으로 판단하고, 수광 부재(620)가 광을 수광 하지 않는 경우 기판(W)이 제 1 위치에 위치된 것이므로 기판(W)에 정전기력이 인가된 것으로 판단한다.
리프트 핀 이동 단계(S21) 및 광 조사 단계(S22)는 도 10과 같이 순차적으로 수행될 수 있다. 이와 달리, 리프트 핀 이동 단계(S21) 및 광 조사 단계(S22)는 동시에 또는 광 조사 단계(S22)가 먼저 수행될 수 있다. 예를 들면, 광이 조사되고 있는 상태에서 제 1 핀(281)을 일정 거리 상승시킴으로써, 수광 여부를 검출할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 기판(W)을 반송하기 위해 지지판(220)으로부터 기판(W)을 들어올리기 전 기판(W)이 정전기력에 의해 흡착되어 있는지 여부를 판단할 수 있으므로, 리프트 핀(280)이 기판(W)을 들어올리는 힘 및 이와 반대 방향으로 작용하는 정전기력에 의해 기판(W)이 흡착된 힘에 의해 기판(W)이 휘거나 깨지는 것을 방지할 수 있다.
10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
220: 지지판 223: 정전 전극
280: 리프트 핀 300: 가스 공급 유닛
400: 플라스마 소스 500: 배기 유닛
600: 검출 유닛 610: 조사 부재
620: 수광 부재 630: 판단 부재

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 제공하는 챔버와;
    상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지판 및 상기 지지판으로 기판을 안착하거나 상기 지지판으로부터 기판을 들어올리도록 제공된 복수개의 리프트 핀을 가지는 지지 유닛과;
    상기 리프트 핀의 상태 또는 상기 지지유닛에 제공된 기판의 상태를 검출하는 검출 유닛을 포함하되,
    상기 검출 유닛은,
    상기 지지 유닛의 상면을 향해 광을 조사하도록 제공된 조사 부재와;
    상기 리프트 핀의 상태 또는 상기 기판의 상태에 따라 상기 광을 수광하도록 배치된 수광 부재와;
    상기 수광 부재가 상기 광을 수광하는지 여부에 따라 상기 리프트 핀의 상태 또는 상기 기판의 상태를 판단하는 판단 부재;를 포함하되;
    상기 지지 유닛은 상기 지지판에 놓인 기판에 정전기력을 인가하는 정전 전극을 포함하고,
    상기 기판의 상태는 상기 기판에 정전기력이 인가 되었는지 여부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 레이저 광인 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리프트 핀의 상태는 상기 리프트 핀의 수직 정렬 상태를 포함하며,
    상기 조사 부재는 상기 리프트 핀에 기판이 놓인 상태에서 기판의 상면 영역을 향해 상기 광을 조사하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수광 부재는 상기 리프트 핀이 기판을 상기 지지판으로부터 들어올린 상태에서, 상기 기판이 상기 지지판의 상면에 대해 평행하고 설정 높이에 위치된 경우 상기 광을 수광하고, 상기 기판이 상기 지지판의 상면에 대해 경사지거나 설정 높이가 아닌 위치에 위치된 경우 상기 광을 수광하지 않도록 배치되는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지판의 상면은 상기 기판이 상기 지지판에 정위치에 놓인 경우, 상기 기판에 대향되는 영역의 중심을 지나는 일직선을 기준으로 한쪽에 위치된 영역인 제 1 영역; 및 다른 한쪽에 위치된 영역인 제 2 영역;을 포함하고,
    상기 리프트 핀은,
    상기 제 1 영역에 위치되는 제 1 핀; 및
    상기 제 2 영역에 위치되는 제 2 핀;을 포함하며,
    상기 제 1 핀 및 상기 제 2 핀은 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지판 상부에 기판이 놓이고, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서,
    상기 조사 부재는, 상기 기판이 제 1 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면의 외부에 조사되고, 상기 기판이 제 2 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면에 조사되도록 배치되고,
    상기 수광 부재는, 상기 기판의 상면으로부터 반사된 상기 광을 수광하도록 배치되며,
    상기 제 1 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않는 경우의 상기 기판의 위치이고,
    상기 제 2 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가된 경우의 상기 기판의 위치인 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지판 상부에 기판이 놓이고, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치에 위치된 상태에서,
    상기 조사 부재는, 상기 기판이 제 1 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면의 외부에 조사되고, 상기 기판이 제 2 위치에 위치되는 경우, 상기 광이 상기 기판의 상면에 조사되도록 배치되고,
    상기 수광 부재는, 상기 기판의 상면의 외부에 조사된 상기 광을 수광하도록 배치되며,
    상기 제 1 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않는 경우의 상기 기판의 위치이고,
    상기 제 2 위치는 상기 기판에 정전기력이 인가된 경우의 상기 기판의 위치인 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제4항, 제6항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 조사 부재 및 상기 수광 부재는 각각 복수개로 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제4항, 제6항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 수광 부재는 기판에 대한 공정 완료 시점을 검출하는 종점 검출 장치를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 7 항의 기판 처리 장치를 이용하여 상기 지지판에 놓인 기판에 정전기력이 인가되었는지 여부를 판단하는 방법에 있어서,
    기판이 상기 지지판에 놓인 상태에서, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치되도록 각각의 상기 리프트 핀이 이동하는 리프트 핀 이동 단계;
    이 후, 상기 조사 부재는 광을 조사하는 광 조사 단계; 및
    이 후, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광 하는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가된 것으로 판단하고, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광하지 않는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않은 것으로 판단하는 판단 단계;를 포함하는 정전기력 인가 여부 판단 방법.
  14. 제 8 항의 기판 처리 장치를 이용하여 상기 지지판에 놓인 기판에 정전기력이 인가되었는지 여부를 판단하는 방법에 있어서,
    기판이 상기 지지판에 놓인 상태에서, 상기 제 1 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 높은 위치에 위치되고, 상기 제 2 핀은 상단이 상기 지지판의 상면보다 낮은 위치에 위치되도록 각각의 상기 리프트 핀이 이동하는 리프트 핀 이동 단계;
    이 후, 상기 조사 부재는 광을 조사하는 광 조사 단계; 및
    이 후, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광 하는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가되지 않은 것으로 판단하고, 상기 수광 부재가 상기 광을 수광하지 않는 경우 상기 기판에 정전기력이 인가된 것으로 판단하는 판단 단계;를 포함하는 정전기력 인가 여부 판단 방법.
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