KR20170133395A - 박리층 형성용 조성물 및 박리층 - Google Patents

Abstract

그 중합체 쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에 앵커기를 도입하여 이루어지는 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 박리층 형성용 조성물을 제공한다.

Description

박리층 형성용 조성물 및 박리층

본 발명은 박리층 형성용 조성물 및 박리층에 관한 것이다.

최근, 전자 디바이스에는 구부리는 기능 부여나 박형화 및 경량화와 같은 성능이 요구되고 있다. 이 점에서 종래의 무겁고 취약하여 구부릴 수 없는 유리 기판을 대신하여 경량의 플렉서블 플라스틱 기판을 사용하는 것이 요구된다. 또 신세대 디스플레이에서는 경량의 플렉서블 플라스틱 기판을 사용하는 액티브 풀 컬러(active full-color) TFT 디스플레이 패널의 개발이 요구되고 있다.

그래서 수지 필름을 기판으로 한 전자 디바이스의 제조 방법이 다양하게 검토되기 시작하여, 신세대 디스플레이에서는 기존의 TFT 설비를 전용 가능한 프로세스로 제조 검토가 진행되고 있다. 특허문헌 1, 2 및 3은 유리 기판 상에 아몰퍼스 실리콘 박막층을 형성하고, 그 박막층 상에 플라스틱 기판을 형성한 후에, 유리면측으로부터 레이저를 조사하여, 아몰퍼스 실리콘의 결정화에 따라 발생하는 수소 가스에 의해 플라스틱 기판을 유리 기판으로부터 박리하는 방법을 개시한다.

또 특허문헌 4는 특허문헌 1~3에 개시된 기술을 사용하여 피박리층(특허문헌 4에 있어서 「피전사층」이라고 기재됨)을 플라스틱 필름에 첩부하여 액정 표시 장치를 완성시키는 방법을 개시한다.

그러나, 특허문헌 1~4에 개시된 방법 특히 특허문헌 4에 개시된 방법은 투광성이 높은 기판을 사용하는 것이 필수적이며, 기판을 통과시키고, 또한 비정질 실리콘에 포함되는 수소를 방출시키기에 충분한 에너지를 부여하기 위해서, 비교적 큰 에너지의 레이저광의 조사가 필요하게 되어, 피박리층에 손상을 주어버린다는 문제가 있다. 또 레이저 처리에 장시간을 필요로 하고, 대면적을 가지는 피박리층을 박리하는 것은 곤란하기 때문에, 디바이스 제작의 생산성을 높이는 것은 어렵다는 문제도 있다.

일본 특개 평10-125929호 공보 일본 특개 평10-125931호 공보 국제공개 제2005/050754호 일본 특개 평10-125930호 공보

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판에 손상을 주지 않고 박리할 수 있는 박리층을 형성하기 위한 박리층 형성용 조성물 및 당해 박리층을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 그 중합체 쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에 앵커기를 도입하여 이루어지는 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 조성물로부터, 기체와의 우수한 밀착성 및 플렉서블 전자 디바이스에 사용되는 수지 기판과의 적당한 밀착성과 적당한 박리성을 가지는 박리층을 형성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은

1. 그 중합체 쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에 앵커기를 도입하여 이루어지는 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 박리층 형성용 조성물,

2. 상기 앵커기가 실릴기 또는 카복실산기인 1의 박리층 형성용 조성물,

3. 상기 폴리아믹산이 방향족 다이아민을 포함하는 다이아민 성분과 방향족 테트라카복실 이무수물을 포함하는 산이무수물 성분을 반응시켜 얻어진 폴리아믹산인 것을 특징으로 하는 1 또는 2의 박리층 형성용 조성물,

4. 상기 방향족 다이아민이 벤젠 핵을 1~5개 포함하는 방향족 다이아민인 것을 특징으로 하는 3의 박리층 형성용 조성물,

5. 상기 방향족 테트라카복실산 이무수물이 벤젠 핵을 1~5개 포함하는 방향족 테트라카복실산 이무수물인 것을 특징으로 하는 3 또는 4의 박리층 형성용 조성물,

6. 1 내지 5 중 어느 한 항의 박리층 형성용 조성물을 사용하여 형성되는 박리층,

7. 6의 박리층을 사용하는 것을 특징으로 하는 수지 기판을 구비하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법,

8. 상기 수지 기판이 폴리이미드로 이루어지는 기판인 것을 특징으로 하는 7의 제조 방법

을 제공한다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물을 사용함으로써, 기체와의 우수한 밀착성 및 수지 기판과의 적당한 밀착성과 적당한 박리성을 가지는 박리층을 재현성 좋게 얻을 수 있다. 그 때문에 본 발명의 박리층 형성용 조성물을 사용함으로써, 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기체 상에 형성된 수지 기판이나, 추가로 그 위에 설치되는 회로 등에 손상을 주지 않고, 당해 회로 등과 함께 당해 수지 기판을 당해 기체로부터 분리하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명의 박리층 형성용 조성물은 수지 기판을 구비하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스의 간편화나 그 수율 향상 등에 기여할 수 있다.

이하, 본 발명에 대해서 보다 상세하게 설명한다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물은 그 중합체 쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에 앵커기를 도입하여 이루어지는 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함한다. 여기서 본 발명에 있어서의 박리층은 소정의 목적으로 유리 기체 바로 위에 설치되는 층으로서, 그 전형예로서는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기체와, 폴리이미드와 같은 수지로 이루어지는 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판과의 사이에 당해 수지 기판을 소정의 프로세스 중에 있어서 고정하기 위해서 설치되고, 또한 당해 수지 기판 상에 전자 회로 등을 형성한 후에 있어서 당해 수지 기판이 당해 기체로부터 용이하게 박리할 수 있도록 하기 위해서 설치되는 박리층을 들 수 있다.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 그 중합체 쇄 말단에 앵커기를 가지는 한 특별히 한정되는 것은 아닌데, 다이아민 성분과 테트라카복실산 이무수물 성분을 반응시킨 후, 얻어진 폴리아믹산과, 앵커기를 가지는 아민 또는 앵커기를 가지는 산무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있는 것이다. 즉, 여기서 얻어지는 폴리아믹산은 후술하는 앵커기 함유 화합물로 분자쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽이 밀봉되어 있는 것이다.

이와 같은 앵커기로서는 카복실산기, 실릴기(예를 들면 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 바이닐실릴기 및 알릴실릴기 등), 바이닐기, 말레이미드기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있는데, 그 중에서도 카복실산기, 실릴기(특히 알콕시기, 바이닐기 및 알릴기로부터 선택되는 기가 규소 원자에 1개 이상 결합한 실릴기)가 바람직하다. 이와 같은 앵커기를 사용함으로써, 상층에 사용하는 플렉서블 기판과 골격의 차이가 생기기 때문에, 얻어지는 막의 박리층으로서의 기능의 향상을 도모할 수 있다.

본 발명에 있어서는 폴리아믹산의 중합체 쇄 말단의 어느 한쪽에 앵커기가 존재하면 되는데, 중합체 쇄 말단의 양쪽에 앵커기가 존재하는 것이 바람직하다.

또 다이아민 성분 및 테트라카복실산 이무수물 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산과, 앵커기 사이에는 탄소수 1~10정도의 박리성이나 내열성을 현저하게 저하시키지 않는 탄소수의 알킬기, 아릴기 등의 스페이서기가 존재해도 되고, 이들 스페이서기 내에는 에터 결합, 티오에터 결합, 에스터 결합 등이 존재해도 된다.

앵커기를 가지는 아민의 구체예로서는 4-아미노페녹시트라이메틸실레인, 4-아미노페녹시다이메틸바이닐실레인, 4-아미노페녹시메틸다이바이닐실레인, 4-아미노페녹시트라이바이닐실레인, 4-아미노페녹시다이메틸알릴실레인, 4-아미노페녹시메틸다이알릴실레인, 4-아미노페녹시트라이알릴실레인, 4-아미노페녹시다이메틸페닐실레인, 4-아미노페녹시메틸다이페닐실레인, 4-아미노페녹시트라이페닐실레인, 4-아미노페녹시트라이메톡시실레인, 4-아미노페녹시다이메톡시바이닐실레인, 4-아미노페녹시메톡시다이바이닐실레인, 4-아미노페녹시트라이바이닐실레인, 4-아미노페녹시다이메톡시알릴실레인, 4-아미노페녹시메톡시다이알릴실레인, 4-아미노페녹시다이메톡시페닐실레인, 4-아미노페녹시메톡시다이페닐실레인, 4-아미노페녹시트라이에톡시실레인, 4-아미노페녹시다이에톡시바이닐실레인, 4-아미노페녹시에톡시다이바이닐실레인, 4-아미노페녹시트라이바이닐실레인, 4-아미노페녹시다이에톡시알릴실레인, 4-아미노페녹시에톡시다이알릴실레인, 4-아미노페녹시다이에톡시페닐실레인, 4-아미노페녹시에톡시다이페닐실레인, 3-아미노페녹시트라이메틸실레인, 3-아미노페녹시다이메틸바이닐실레인, 3-아미노페녹시메틸다이바이닐실레인, 2-아미노페녹시트라이바이닐실레인, 2-아미노페녹시트라이메틸실레인, 2-아미노페녹시다이메틸바이닐실레인, 2-아미노페녹시메틸다이바이닐실레인, 2-아미노페녹시트라이바이닐실레인, 3-아미노프로필트라이에틸실레인, 3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이에톡시실레인, 2-아미노프로필트라이메톡시실레인, 2-아미노프로필트라이에톡시실레인, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, N-에톡시카보닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, N-에톡시카보닐-3-아미노프로필트라이에톡시실레인, N-트라이에톡시실릴프로필트라이에틸렌트라이아민, N-트라이메톡시실릴프로필트라이에틸렌트라이아민, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.

앵커기를 가지는 산무수물의 구체예로서는 트리멜리트산 무수물, 바이닐말레산 무수물, 4-바이닐나프탈렌-1,2-다이카복실산 무수물, 무수 말레산, 2,3-다이메틸말레산 무수물, 4-하이드록시프탈산 무수물, 3-하이드록시프탈산 무수물 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다.

또 폴리아믹산을 제조할 때에 사용하는 다이아민 성분 및 산이무수물 성분으로서는 얻어지는 막의 박리층으로서의 기능을 향상시키는 관점에서, 방향족 다이아민을 포함하는 다이아민 성분과 방향족 테트라카복실산 이무수물을 포함하는 산이무수물 성분을 반응시켜 얻어지는 폴리아믹산이 바람직하다.

방향족 다이아민으로서는 분자 내에 2개의 아미노기를 가지고, 또한 방향환을 가지는 한 특별히 한정되는 것은 아닌데, 벤젠 핵을 1~5개 포함하는 방향족 다이아민이 바람직하다.

그 구체예로서는 1,4-다이아미노벤젠(p-페닐렌다이아민), 1,3-다이아미노벤젠(m-페닐렌다이아민), 1,2-다이아미노벤젠(o-페닐렌다이아민), 2,4-다이아미노톨루엔, 2,5-다이아미노톨루엔, 2,6-다이아미노톨루엔, 4,6-다이메틸-m-페닐렌다이아민, 2,5-다이메틸-p-페닐렌다이아민, 2,6-다이메틸-p-페닐렌다이아민, 2,4,6-트라이메틸-1,3-페닐렌다이아민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌다이아민, m-자일릴렌다이아민, p-자일릴렌다이아민, 5-트라이플루오로메틸벤젠-1,3-다이아민, 5-트라이플루오로메틸벤젠-1,2-다이아민, 3,5-비스(트라이플루오로메틸)벤젠-1,2-다이아민 등의 벤젠 핵이 1개인 다이아민; 1,2-나프탈렌다이아민, 1,3-나프탈렌다이아민, 1,4-나프탈렌다이아민, 1,5-나프탈렌다이아민, 1,6-나프탈렌다이아민, 1,7-나프탈렌다이아민, 1,8-나프탈렌다이아민, 2,3-나프탈렌다이아민, 2,6-나프탈렌다이아민, 4,4'-바이페닐다이아민, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이카복시-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노벤즈아닐라이드, 3,3'-다이클로로벤지딘, 3,3'-다이메틸벤지딘, 2,2'-다이메틸벤지딘, 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 3,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로페인, 3,3'-다이아미노다이페닐설폭사이드, 3,4'-다이아미노다이페닐설폭사이드, 4,4'-다이아미노다이페닐설폭사이드, 3,3'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐-4,4'-다이아민, 3,3',5,5'-테트라플루오로바이페닐-4,4'-다이아민, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤조옥사졸 등의 벤젠 핵이 2개인 다이아민; 1,5-다이아미노안트라센, 2,6-다이아미노안트라센, 9,10-다이아미노안트라센, 1,8-다이아미노페난트렌, 2,7-다이아미노페난트렌, 3,6-다이아미노페난트렌, 9,10-다이아미노페난트렌, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설파이드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐설폰)벤젠, 1,3-비스〔2-(4-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(3-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(4-아미노페닐)아이소프로필〕벤젠, 4,4''-다이아미노-p-터페닐, 4,4''-다이아미노-m-터페닐 등의 벤젠 핵이 3개인 다이아민 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. 이들은 단독으로도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한 본 발명에 있어서 상기 방향족 다이아민은 에터 결합 및 에스터 결합을 포함하지 않는 것을 사용하는 것이 바람직하다.

그 중에서도 얻어지는 막의 박리층으로서의 기능을 향상시키는 관점에서, 방향환 및 그것에 축합하는 복소환 상에 메틸기 등의 치환기를 가지지 않는 방향족환 및 복소방향족환만으로 구성되는 방향족 다이아민이 바람직하다. 구체적으로는 p-페닐렌다이아민, m-페닐렌다이아민, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤조옥사졸, 4,4''-다이아미노-p-터페닐 등이 바람직하다.

방향족 테트라카복실산 이무수물로서는 분자 내에 2개의 다이카복실산 무수물 부위를 가지고, 또한 방향환을 가지는 한 특별히 한정되는 것은 아닌데, 벤젠 핵을 1~5개 포함하는 방향족 테트라카복실산 이무수물이 바람직하다.

그 구체예로서는 피로멜리트산 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,5,6-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,6,7-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,7,8-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-2,3,6,7-테트라카복실산 이무수물, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 바이페닐-2,2',3,3'-테트라카복실산 이무수물, 바이페닐-2,3,3',4'-테트라카복실산 이무수물, 바이페닐-3,3',4,4'-테트라카복실산 이무수물, 안트라센-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 안트라센-1,2,5,6-테트라카복실산 이무수물, 안트라센-1,2,6,7-테트라카복실산 이무수물, 안트라센-1,2,7,8-테트라카복실산 이무수물, 안트라센-2,3,6,7-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,5,6-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,6,7-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,7,8-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,9,10-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,6,7-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,9,10-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-3,4,5,6-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-3,4,9,10-테트라카복실산 이무수물 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. 이들은 단독으로도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

그 중에서도 얻어지는 막의 박리층으로서의 기능을 향상시키는 관점에서, 벤젠 핵이 1개 또는 2개인 방향족 카복실산 이무수물이 바람직하다. 구체적으로는 식(C1)~(C12)의 어느 하나로 표시되는 방향족 테트라카복실산 이무수물이 바람직하고, 식(C1)~(C7) 및 (C9)~(C11)의 어느 하나로 표시되는 방향족 테트라카복실산 이무수물이 보다 바람직하다.

또 얻어지는 박리층의 유연성, 내열성 등을 향상시키는 관점에서, 본 발명에서 사용하는 다이아민 성분은 방향족 다이아민 이외의 다이아민을 포함해도 되고, 본 발명에서 사용하는 테트라카복실산 이무수물 성분은 방향족 테트라카복실산 이무수물 이외의 테트라카복실산 이무수물을 포함해도 된다.

본 발명에 있어서 다이아민 성분 중의 방향족 다이아민의 양은 바람직하게는 70몰% 이상, 보다 바람직하게는 80몰% 이상, 한층 더 바람직하게는 90몰% 이상, 더욱 바람직하게는 95몰% 이상, 가장 바람직하게는 100몰%이다. 또 테트라카복실산 성분 중의 방향족 테트라카복실산 이무수물의 양은 바람직하게는 70몰% 이상, 보다 바람직하게는 80몰% 이상, 한층 더 바람직하게는 90몰% 이상, 더욱 바람직하게는 95몰% 이상, 가장 바람직하게는 100몰%이다. 이와 같은 사용량을 채용함으로써, 기체와의 우수한 밀착성 및 수지 기판과의 적당한 밀착성과 적당한 박리성을 가지는 막을 재현성 좋게 얻을 수 있다.

이상 설명한 다이아민 성분과 테트라카복실산 이무수물 성분을 반응시킨 후, 얻어진 폴리아믹산과, 앵커기를 가지는 아민 또는 앵커기를 가지는 산무수물을 반응시킴으로써, 본 발명의 박리층 형성용 조성물에 포함되는 그 중합체 쇄 말단에 앵커기를 가지는 폴리아믹산을 얻을 수 있다.

이와 같은 반응에 사용하는 유기 용매는 반응에 악영향을 끼치지 않는 한 특별히 한정되는 것은 아닌데, 그 구체예로서는 m-크레졸, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-바이닐-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, 3-메톡시-N,N-다이메틸프로필아마이드, 3-에톡시-N,N-다이메틸프로필아마이드, 3-프로폭시-N,N-다이메틸프로필아마이드, 3-아이소프로폭시-N,N-다이메틸프로필아마이드, 3-뷰톡시-N,N-다이메틸프로필아마이드, 3-sec-뷰톡시-N,N-다이메틸프로필아마이드, 3-tert-뷰톡시-N,N-다이메틸프로필아마이드, γ-뷰티로락톤 등을 들 수 있다. 또한 유기 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

다이아민 성분과 테트라카복실산 이무수물 성분의 도입비는 목적으로 하는 분자량이나 분자량 분포, 다이아민의 종류나 테트라카복실산 이무수물의 종류 등을 고려하여 적당히 결정되기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 테트라카복실산 이무수물 성분 1에 대하여 다이아민 성분 0.7~1.3정도, 바람직하게는 0.8~1.2정도, 더욱 바람직하게는 0.9~1.1정도이다.

또 앵커기를 가지는 아민 및 앵커기를 가지는 산무수물의 양은 테트라카복실산 이무수물 성분에 대하여 앵커기를 가지는 아민 0.01~0.6정도, 바람직하게는 0.05~0.4정도, 더욱 바람직하게는 0.1~0.2정도, 또는 다이아민 성분에 대하여 앵커기를 가지는 산무수물 0.01~0.52정도, 바람직하게는 0.05~0.32정도, 더욱 바람직하게는 0.1~0.2정도이다.

반응 온도는 사용하는 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적당히 설정하면 되고, 통상 0~100℃정도인데, 얻어지는 폴리아믹산의 용액 중에서의 이미드화를 막아 폴리아믹산 단위의 고함유량을 유지하기 위해서는 바람직하게는 0~70℃정도이며, 보다 바람직하게는 0~60℃정도이며, 한층 더 바람직하게는 0~50℃정도이다.

반응 시간은 반응 온도나 원료 물질의 반응성에 의존하기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 통상 1~100시간정도이다.

이와 같이 하여 얻어지는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량은 통상 5,000~500,000정도인데, 얻어지는 막의 박리층으로서의 기능을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 10,000~200,000정도, 보다 바람직하게는 30,000~150,000정도이다. 또한 본 발명에 있어서 중량 평균 분자량은 젤퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값이다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물은 유기 용매를 포함하는 것이다. 이 유기 용매로서는 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 마찬가지의 것을 들 수 있다. 그 중에서도 폴리아믹산을 잘 용해하고, 균일성이 높은 조성물을 조제하기 쉬운 점에서, N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리다이논, N-에틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤이 바람직하고, N-메틸-2-피롤리돈이 보다 바람직하다.

또한 단독으로는 폴리아믹산을 용해시키지 않는 용매라도, 폴리아믹산이 석출하지 않는 범위이면, 조성물의 조제에 사용할 수 있다. 특히 에틸셀로솔브, 뷰틸셀로솔브, 에틸카비톨, 뷰틸카비톨, 에틸칼비톨아세테이트, 에틸렌글라이콜, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 1-뷰톡시-2-프로판올, 1-페녹시-2-프로판올, 프로필렌글라이콜모노아세테이트, 프로필렌글라이콜다이아세테이트, 프로필렌글라이콜-1-모노메틸에터-2-아세테이트, 프로필렌글라이콜-1-모노에틸에터-2-아세테이트, 다이프로필렌글라이콜, 2-(2-에톡시프로폭시)프로판올, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-프로필, 락트산n-뷰틸, 락트산아이소아밀 등의 저표면장력을 가지는 용매를 적당히 혼재시킬 수 있다. 이것에 의해 기판으로의 도포시에 도막 균일성이 향상되는 것이 알려져 있고, 본 발명에 있어서도 적합하게 사용할 수 있다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물의 조제 방법은 임의이다. 조제 방법의 바람직한 일례로서는 상기에서 설명한 방법에 의해 얻어진 목적으로 하는 폴리아믹산을 포함하는 반응 용액을 여과하는 방법을 들 수 있다. 이 때, 농도 조정 등을 목적으로 하여 필요가 있으면 여과액을 희석 또는 농축해도 된다. 이와 같은 방법을 채용함으로써, 얻어지는 조성물로부터 제조되는 박리층의 밀착성, 박리성 등의 악화의 원인이 될 수 있는 불순물의 혼입을 저감할 수 있을 뿐만아니라, 효율적으로 박리층 형성용 조성물을 얻을 수 있다. 희석에 사용하는 용매로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 마찬가지의 것을 들 수 있다. 희석에 사용하는 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물에 있어서의 폴리아믹산의 농도는 제작하는 박리층의 두께, 조성물의 점도 등을 감안하여 적당히 설정하는 것인데, 통상 1~30질량%정도, 바람직하게는 1~20질량%정도이다. 이와 같은 농도로 함으로써, 0.05~5μm정도의 두께의 박리층을 재현성 좋게 얻을 수 있다. 폴리아믹산의 농도는 폴리아믹산의 원료인 다이아민과 테트라카복실산 이무수물의 사용량을 조정하거나, 단리한 폴리아믹산을 용매에 용해시킬 때에 그 양을 조정하거나 하여 조정할 수 있다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물의 점도는 제작하는 박리층의 두께 등을 감안하여 적당히 설정하는 것인데, 특히 0.05~5μm정도의 두께의 막을 재현성 좋게 얻는 것을 목적으로 하는 경우, 통상 25℃에서 10~10,000mPa·s정도, 바람직하게는 20~5,000mPa·s정도이다.

여기서 점도는 시판되는 액체의 점도 측정용 점도계를 사용하고, 예를 들면 JIS K7117-2에 기재된 순서를 참조하여, 조성물의 온도 25℃의 조건에서 측정할 수 있다. 바람직하게는 점도계로서는 원추평판형(콘플레이트형) 회전 점도계를 사용하고, 바람직하게는 동형의 점도계로 표준 콘로터로서 1°34'×R24를 사용하여, 조성물의 온도 25℃의 조건에서 측정할 수 있다. 이와 같은 회전 점도계로서는 예를 들면 도키산교 가부시키가이샤제 TVE-25L을 들 수 있다.

또한 본 발명의 박리층 형성용 조성물은 폴리아믹산과 유기 용매 이외에, 예를 들면 막 강도를 향상시키기 위해서 가교제 등을 포함하고 있어도 된다.

이상 설명한 본 발명의 박리층 형성용 조성물을 기체에 도포하고, 얻어진 도막을 가열하여 폴리아믹산을 열 이미드화함으로써, 기체와의 우수한 밀착성 및 수지 기판과의 적당한 밀착성과 적당한 박리성을 가지는 폴리이미드막으로 이루어지는 박리층을 얻을 수 있다.

이와 같은 본 발명의 박리층을 기체 상에 형성하는 경우, 박리층은 기체의 일부 표면에 형성되어 있어도 되고, 전체면에 형성되어 있어도 된다. 기체의 일부 표면에 박리층을 형성하는 태양으로서는 기체 표면 중 소정의 범위에만 박리층을 형성하는 태양, 기체 표면 전체면에 도트 패턴, 라인 앤드 스페이스 패턴 등의 패턴 형상으로 박리층을 형성하는 태양 등이 있다. 또한 본 발명에 있어서 기체는 그 표면에 본 발명의 박리층 형성용 조성물이 칠해지는 것으로서, 플렉서블 전자 디바이스 등의 제조에 사용되는 것을 의미한다.

기체(기재)로서는 예를 들면 유리, 플라스틱(폴리카보네이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스타이렌, 폴리에스터, 폴리올레핀, 에폭시, 멜라민, 트라이아세틸셀룰로오스, ABS, AS, 노보넨계 수지 등), 금속(실리콘 웨이퍼 등), 목재, 종이, 슬레이트 등을 들 수 있는데, 특히 본 발명의 박리층이 그것에 대한 충분한 밀착성을 가지는 점에서 유리가 바람직하다. 또한 기체 표면은 단일의 재료로 구성되어 있어도 되고, 둘 이상의 재료로 구성되어 있어도 된다. 둘 이상의 재료로 기체 표면이 구성되는 태양으로서는 기체 표면 중 어느 범위는 어느 재료로 구성되고, 그 나머지 표면은 그 밖의 재료로 구성되어 있는 태양, 기체 표면 전체에 도트 패턴, 라인 앤드 스페이스 패턴 등의 패턴 형상으로 어느 재료가 그 밖의 재료 중에 존재하는 태양 등이 있다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물을 기체에 도포하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아닌데, 예를 들면 캐스트 코트법, 스핀 코트법, 블레이드 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 인쇄법(철판, 요판, 평판, 스크린 인쇄 등) 등을 들 수 있다.

이미드화하기 위한 가열 온도는 통상 50~550℃의 범위 내에서 적당히 결정되는 것인데, 바람직하게는 150℃ 초과~510℃이다. 가열 온도를 이와 같이 함으로써, 얻어지는 막의 취약화를 막으면서 이미드화 반응을 충분히 진행시키는 것이 가능하게 된다. 가열 시간은 가열 온도에 따라 상이하기 때문에 일률적으로 규정할 수 없지만, 통상 5분~5시간이다. 또 이미드화율은 50~100%의 범위이면 된다.

본 발명에 있어서의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 5분간~2시간 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 150℃ 초과~510℃에서 30분~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 5분간~2시간 가열한 후에 100℃ 초과~375℃에서 5분간~2시간, 마지막으로 375℃ 초과~450℃에서 30분~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~150℃에서 5분간~2시간 가열한 후에 150℃ 초과~350℃에서 5분간~2시간, 이어서 350℃ 초과~450℃에서 30분~4시간, 마지막으로 450℃ 초과~510℃에서 30분~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다.

가열에 사용하는 기구는 예를 들면 핫플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 분위기는 공기하여도 되고 불활성 가스하여도 되며, 또 상압하여도 되고 감압하여도 된다.

박리층의 두께는 통상 0.01~50μm정도, 생산성의 관점에서 바람직하게는 0.05~20μm정도이다. 또한 원하는 두께는 가열 전의 도막의 두께를 조정함으로써 실현한다.

이상 설명한 박리층은 기체, 특히 유리의 기체와의 우수한 밀착성 및 수지 기판과의 적당한 밀착성과 적당한 박리성을 가진다. 그 때문에 본 발명의 박리층은 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 당해 디바이스의 수지 기판에 손상을 주지 않고, 당해 수지 기판을 그 수지 기판 상에 형성된 회로 등과 함께 기체로부터 박리시키기 위해서 적합하게 사용할 수 있다.

이하, 본 발명의 박리층을 사용한 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물을 사용하여, 상기 서술한 방법에 의해 유리 기체 상에 박리층을 형성한다. 이 박리층 상에 수지 기판을 형성하기 위한 수지 용액을 도포하고, 이 도막을 가열함으로써, 본 발명의 박리층을 통하여 유리 기체에 고정된 수지 기판을 형성한다. 이 때, 박리층을 모두 덮도록 하여, 박리층의 면적과 비교하여 큰 면적으로 기판을 형성한다. 수지 기판으로서는 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판으로서 대표적인 폴리이미드로 이루어지는 수지 기판을 들 수 있고, 그것을 형성하기 위한 수지 용액으로서는 폴리이미드 용액이나 폴리아믹산 용액을 들 수 있다. 당해 수지 기판의 형성 방법은 상법에 따르면 된다.

이어서 본 발명의 박리층을 통하여 기체에 고정된 당해 수지 기판 상에 원하는 회로를 형성하고, 그 후 예를 들면 박리층을 따라 수지 기판을 커트하고, 이 회로와 함께 수지 기판을 박리층으로부터 박리하여 수지 기판과 기체를 분리한다. 이 때, 기체의 일부를 박리층과 함께 커트해도 된다.

또한 일본 특개 2013-147599호 공보에서는 지금까지 고휘도 LED나 삼차원 반도체 패키지 등의 제조에 있어서 사용되어온 레이저 리프트 오프법(LLO법)을 플렉서블 디스플레이의 제조에 적용하는 것이 보고되어 있다. 상기 LLO법은 회로 등이 형성된 면과는 반대의 면으로부터, 특정의 파장의 광선 예를 들면 파장 308nm의 광선을 유리 기체측으로부터 조사하는 것을 특징으로 하는 것이다. 조사된 광선은 유리 기체를 투과하고, 유리 기체 근방의 폴리머(폴리이미드)만이 이 광선을 흡수하여 증발(승화)한다. 그 결과, 디스플레이의 성능을 결정짓게 되는 수지 기판 상에 설치된 회로 등에 영향을 주지 않고, 유리 기체로부터 수지 기판을 선택적으로 박리하는 것이 가능하게 된다.

본 발명의 박리층 형성용 조성물은 상기 LLO법의 적용이 가능하게 되는 특정 파장(예를 들면 308nm)의 광선을 충분히 흡수한다는 특징을 가지기 때문에, LLO법의 희생층으로서 사용할 수 있다. 그 때문에 본 발명에 조성물을 사용하여 형성한 박리층을 통하여 유리 기체에 고정된 수지 기판 상에 원하는 회로를 형성하고, 그 후 LLO법을 실시하여 308nm의 광선을 조사하면, 이 박리층만이 이 광선을 흡수하여 증발(승화)한다. 이것에 의해 상기 박리층이 희생이 되어(희생층으로서 작용함), 유리 기체로부터 수지 기판을 선택적으로 박리하는 것이 가능하게 된다.

실시예

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

[1] 화합물의 약어

p-PDA : p-페닐렌다이아민

DATP : 4,4''-다이아미노-p-터페닐

TFMB : 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)벤지딘

6FAP : 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인

PMDA : 피로멜리트산 이무수물

BPDA : 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물

LS-3280 : 4-아미노페녹시다이메틸바이닐실레인

LS-3150 : 3-아미노프로필트라이에톡시실레인

TMA : 트리멜리트산 무수물

IHPA : 아이소프탈알데하이드

NMP : N-메틸-2-피롤리돈

[2] 중량 평균 분자량 및 분자량 분포의 측정

폴리머의 중량 평균 분자량(이하 Mw로 줄임) 및 분자량 분포의 측정은 니혼분코 가부시키가이샤제 GPC 장치(칼럼:Shodex제 OHpak SB803-HQ, 및 OHpak SB804-HQ; 용리액:다이메틸폼아마이드/LiBr·H₂O(29.6mM)/H₃PO₄(29.6mM)/THF(0.1wt%); 유량:1.0mL/분; 칼럼 온도:40℃; Mw:표준 폴리스타이렌 환산값)를 사용하여 행했다.

[3] 폴리머의 합성

<합성예 F1 폴리아믹산(F1)의 합성>

p-PDA 20.261g(187mmol)과 DATP 12.206g(47mmol)을 NMP 617.4g에 용해시켰다. 얻어진 용액을 15℃로 냉각하고, 그것에 PMDA 50.112g(230mmol)을 가하여, 질소 분위기하 50℃까지 승온하여 48시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 82,100, 분자량 분포는 2.7이었다.

<합성예 F2 폴리아믹산(F2)의 합성>

p-PDA 3.218g(30mmol)을 NMP 88.2g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 BPDA 8.581g(29mmol)을 가하여, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 107,300, 분자량 분포 4.6이었다.

<합성예 L1 폴리아믹산(L1)의 합성>

p-PDA 2.66g(24.6mmol)과 TFMB 0.18g(0.6mmol)을 NMP 90g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 PMDA 6.09g(27.9mmol)을 가하여, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시킨 후, LS-3280 1.08g(5.6mmol)을 가하여 추가로 24시간 반응시켜 폴리아믹산의 양단에 실릴기를 도입했다. 얻어진 폴리머의 Mw는 62,700, 분자량 분포 2.7이었다.

<합성예 L2 폴리아믹산(L2)의 합성>

p-PDA 2.96g(27.3mmol)과 TFMB 0.19g(0.6mmol)을 NMP 90g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 PMDA 6.34g(29.1mmol)을 가하여, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시킨 후, LS-3150 0.52g(2.3mmol)을 가하여 추가로 24시간 반응시켜 폴리아믹산의 양단에 실릴기를 도입했다. 얻어진 폴리머의 Mw는 51,100, 분자량 분포 2.8이었다.

<합성예 L3 폴리아믹산(L3)의 합성>

p-PDA 3.06(28.3mmol)을 NMP 90g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 PMDA 6.42g(29.4mmol)을 가하여, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시킨 후, LS-3150 0.52g(2.4mmol)을 가하여 추가로 24시간 반응시켜 폴리아믹산의 양단에 실릴기를 도입했다. 얻어진 폴리머의 Mw는 47,800, 분자량 분포 2.8이었다.

<합성예 L4 폴리아믹산(L4)의 합성>

p-PDA 0.78g(7.2mmol)을 NMP 17.6g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 PMDA 1.51g(6.9mmol)을 가하여, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시킨 후, TMA 0.11g(0.3mmol)을 가하여 추가로 24시간 반응시켜 폴리아믹산의 양단에 카복실산기를 도입했다. 얻어진 폴리머의 Mw는 48,000, 분자량 분포 3.1이었다.

<비교 합성예 1 폴리벤조옥사졸 전구체(B1)의 합성>

6FAP 3.18g(0.059몰)을 NMP 70g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 IHPA 7.92g(0.060몰)을 가하여, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 107,300, 분자량 분포 4.6이었다.

[4] 수지 기판 형성용 조성물의 조제

합성예 F1, F2에서 얻어진 반응액을 각각 그대로 수지 기판 형성용 조성물 W, X로서 사용했다.

[5] 박리층 형성용 조성물의 조제

[실시예 1-1]

합성예 L1에서 얻어진 반응액 10g에 NMP 6g과 뷰티로셀로솔브 4g 첨가하고, 실온에서 24시간 교반하여, 박리층 형성용 조성물을 얻었다.

[실시예 1-2~1-3]

합성예 L1에서 얻어진 반응액 대신에 각각 합성예 L2~L3에서 얻어진 반응액을 사용한 것 이외에는 실시예 1-1과 마찬가지의 방법으로 박리층 형성용 조성물을 얻었다.

[실시예 1-4]

합성예 L4에서 얻어진 반응액 10g에 NMP 9.4g과 뷰티로셀로솔브 4.6g 첨가하고, 실온에서 24시간 교반하여, 박리층 형성용 조성물을 얻었다.

[비교예 1-1]

비교 합성예 1에서 얻어진 반응액을 폴리머 농도가 5wt%가 되도록 NMP로 희석하여 조성물을 얻었다.

[6] 박리층의 형성 및 그 평가

[실시예 2-1]

스핀 코터(조건:회전수 3,000rpm으로 약30초)를 사용하여, 실시예 1-1에서 얻어진 박리층 형성용 조성물을 유리 기체로서의 100mm×100mm 유리 기판(이하 동일) 상에 도포했다.

그리고 얻어진 도막을 핫플레이트를 사용하여 80℃에서 10분간 가열하고, 그 후 오븐을 사용하여 300℃에서 30분간 가열하고, 가열 온도를 400℃까지 승온(10℃/분)하고, 추가로 400℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 두께 약0.1μm의 박리층을 형성했다. 또한 승온하는 동안 막 부착 기판을 오븐으로부터 취출하지는 않고 오븐 내에서 가열했다.

[실시예 2-2~2-4]

실시예 1-1에서 얻어진 박리층 형성용 조성물 대신에 각각 실시예 1-2~1-4에서 얻어진 박리층 형성용 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 박리층을 형성했다.

[비교예 2-1]

실시예 1-1에서 얻어진 박리층 형성용 조성물 대신에 비교예 1-1에서 얻어진 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 수지 박막을 형성했다.

[7] 박리성의 평가

[실시예 3-1~3-4, 비교예 3-1]

이하의 방법에 의해 표 1에 나타낸 박리층과 수지 기판의 조합이 되도록 기판을 제작하여 박리성의 평가를 했다.

실시예 2-1~2-4에서 얻어진 박리층과 유리 기판의 박리성 및 당해 박리층(수지 박막)과 수지 기판의 박리성을 확인했다. 또한 수지 기판으로서는 폴리이미드로 이루어지는 수지 기판을 사용했다.

우선 실시예 2-1~2-4에서 얻어진 박리층 부착 유리 기판 상의 박리층의 크로스커트(가로세로 1mm 간격, 이하 동일), 및 수지 기판·박리층 부착 유리 기판 상의 수지 기판·박리층의 크로스커트를 행함으로써 100 모눈 커트를 행했다. 즉, 이 크로스커트에 의해 1mm 사방의 모눈을 100개 형성했다.

그리고 이 100 모눈 커트 부분에 점착 테이프를 붙여, 그 테이프를 떼어내고, 이하의 기준(5B~0B, B, A, AA)에 기초하여 박리의 정도를 평가했다(실시예 3-1~3-4). 또 상기 수법에 준하여 비교예 2-1에서 얻어진 수지 박막 부착 유리 기판을 사용하여 마찬가지의 시험을 행했다(비교예 3-1). 결과를 표 1에 나타낸다.

5B : 0% 박리(박리 없음)

4B : 5% 미만의 박리

3B : 5~15% 미만의 박리

2B : 15~35% 미만의 박리

1B : 35~65% 미만의 박리

0B : 65%~80% 미만의 박리

B : 80%~95% 미만의 박리

A : 95%~100% 미만의 박리

AA : 100% 박리(모두 박리)

또한 실시예 3-1~3-4 및 비교예 3-1의 수지 기판은 하기 방법으로 형성했다.

바 코터(갭:250μm)를 사용하여, 유리 기판 상의 박리층(수지 박막) 상에 수지 기판 형성용 조성물 W 또는 X의 어느 하나를 도포했다. 그리고 얻어진 도막을 핫플레이트를 사용하여 80℃에서 10분간 가열하고, 그 후 오븐을 사용하여 140℃에서 30분간 가열하고, 가열 온도를 210℃까지 승온(10℃/분, 이하 동일)하고, 210℃에서 30분간, 가열 온도를 300℃까지 승온하고, 300℃에서 30분간, 가열 온도를 400℃까지 승온하고, 400℃에서 60분간 가열하여, 박리층 상에 두께 약20μm의 폴리이미드 기판을 형성했다. 승온하는 동안 막 부착 기판을 오븐으로부터 취출하지는 않고 오븐 내에서 가열했다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예의 박리층은 유리 기판과의 밀착성이 우수하고 또한 수지 기판과의 박리성이 우수한 것을 알 수 있다. 한편 비교예의 수지 박막은 유리 기판과 박리층의 밀착성이 낮거나 혹은 밀착성이 높은 경우는 수지층과도 밀착하여, 전혀 벗겨지지 않는 것이 판명되었다.

	박리층의 종류	수지 기판의 종류	박리층과 유리 기체의 박리성	박리층과 수지 기판의 박리성
실시예 3-1	실시예 2-1	W	5B	AA
실시예 3-2	실시예 2-2	X	5B	AA
실시예 3-3	실시예 2-3	W	5B	AA
실시예 3-4	실시예 2-4	W	5B	AA
비교예 3-1	비교예 2-1	X	5B	5B

Claims (8)

1. 그 중합체 쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에 앵커기를 도입하여 이루어지는 폴리아믹산과, 유기 용매를 포함하는 박리층 형성용 조성물.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 앵커기가 실릴기 또는 카복실산기인 것을 특징으로 하는 박리층 형성용 조성물.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 폴리아믹산이 방향족 다이아민을 포함하는 다이아민 성분과 방향족 테트라카복실산 이무수물을 포함하는 산이무수물 성분을 반응시켜 얻어진 폴리아믹산인 것을 특징으로 하는 박리층 형성용 조성물.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 방향족 다이아민이 벤젠 핵을 1~5개 포함하는 방향족 다이아민인 것을 특징으로 하는 박리층 형성용 조성물.
5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 방향족 테트라카복실산 이무수물이 벤젠 핵을 1~5개 포함하는 방향족 테트라카복실산 이무수물인 것을 특징으로 하는 박리층 형성용 조성물.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 박리층 형성용 조성물을 사용하여 형성되는 박리층.
7. 제 6 항에 기재된 박리층을 사용하는 것을 특징으로 하는 수지 기판을 구비하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 수지 기판이 폴리이미드로 이루어지는 기판인 것을 특징으로 하는 제조 방법.