KR20170129919A

KR20170129919A - 삼극관형 전리 진공계

Info

Publication number: KR20170129919A
Application number: KR1020177030432A
Authority: KR
Inventors: 타케시 미야시타; 토요아키 나카지마; 마사히로 후쿠하라
Original assignee: 가부시키가이샤 알박
Priority date: 2015-03-23
Filing date: 2016-02-10
Publication date: 2017-11-27
Also published as: JPWO2016151997A1; WO2016151997A1; TWI626435B; KR101982606B1; CN107407612A; CN107407612B; TW201643397A; JP6227836B2

Abstract

이온 콜렉터 표면에서 방출되는 입자의 영향을 적게 하여 측정 오차 없이 측정 대상물의 압력을 측정할 수 있는 삼극관형 전리 진공계를 제공한다.
삼극관형 전리 진공계(IG)는, 필라멘트(2), 필라멘트 주위에 배치되는 원통형의 윤곽을 갖는 그리드(3), 그리드의 주위에 동심에 배치되는 원통형 이온 콜렉터(4)를 포함한다. 필라멘트 점등용 전원(E1)과 그리드에 대해 필라멘트보다 높은 전위를 이 그리드에 부여하는 그리드용 전원(E2)과 필라멘트의 전위를 이온 콜렉터의 전위보다 높게 하는 전원(E3)을 더욱 포함한다. 필라멘트에 공급하는 전력을 4W 이하로 설정하고, 필라멘트와 그리드 사이의 방출 전류를 2mA ~ 10mA의 범위가 되도록 제어한다.

Description

삼극관형 전리 진공계

본 발명은 진공 용기 등의 측정 대상물에 장착되어 내부의 압력을 검출하는 삼극관형 전리 진공계(triode type ionization vacuum gauge)에 관한 것이다.

스퍼터링이나 증착에 의한 성막과 같이 진공 처리 장치 내에서 실시되는 진공 공정에서는, 측정 대상물로서의 진공 챔버 내의 압력이 예를 들어 제품 수율에 큰 영향을 미치는 경우가 있다. 진공 공정 중에, 진공 챔버 내의 압력이 1Pa ~ 10^-6Pa이 되는 넓은 범위의 압력을 정밀하게 측정하는 기구로는 삼극관형 전리 진공계가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 비특허문헌 1을 참조).

이런 종류의 삼극관형 전리 진공계는, 측정 대상물에 장착되는 유리 진공 격벽(하우징) 내에, 필라멘트와 필라멘트 주위에 배치되는 원통형의 윤곽을 갖는 그리드 및 그리드 주위에 배치되는 원통형 이온 콜렉터를 포함한다. 그리고 필라멘트 점등용 전원을 통해 필라멘트에 직류 전류를 통전하여 필라멘트를 적열시켜 열전자를 방출시키고, 그리드용 전원을 통해 필라멘트보다 높은 전위를 그리드에 부여하며, 이와 동시에 다른 전원을 통해 필라멘트의 전위를 이온 콜렉터의 전위보다 높게 하여, 이 그리드 주변에 열전자와 충돌하여 생긴 기체 원자, 분자의 양이온을 이온 콜렉터에서 포집하는데, 이 때의 이온 전류로부터 시험체 내의 압력을 측정할 수 있다.

이온 콜렉터로는 일반적으로 양이온을 될 수 있는 대로 포집하기 위해 그 모선 방향의 길이가 그리드의 모선 방향의 길이와 같거나 그 이상인 것을 이용하며, 그리드와 이온 콜렉터는 동심에 배치된다. 여기서, 상기 비특허문헌 1에 개시된 삼극관형 전리 진공계에서 2mA 정도의 방출 전류를 얻기 위해서는 필라멘트에 공급하는 전력을 9W 정도로 설정할 필요가 있었다(이 때, 이온 콜렉터의 표면 온도는 400℃를 넘을 것으로 생각되었다).

그런데 근래 들어 사용상의 편의성 향상 등의 목적으로 이러한 종류의 전리 진공계에도 소형화가 요구되어, 이에 따라 진공 격벽 자체의 크기가 작아졌으며, 이와 동시에 그 내부에 장착되는 필라멘트, 그리드 및 이온 콜렉터도 그 크기가 작아졌다. 이러한 경우 상술한 것처럼 필라멘트에 9W가 넘는 전력을 공급하면 유리 진공 격벽이 70℃를 넘는 온도까지 가열되어 버리므로, 삼극관형 전리 진공계의 취급상 바람직하지 않다. 따라서 진공 격벽이 소정의 온도(예를 들어, 50℃) 이상으로 가열되지 않도록 필라멘트에 공급되는 전력을 상기 종래 예의 절반 이하(예를 들어, 4W)로 설정하는 것을 생각해 볼 수 있는데, 여기에는 상기 특허문헌 1에 명시된 바와 같이, 예를 들어, 필라멘트의 재질을 적절히 선택하면 낮은 온도에서도 규정된 방출 전류를 얻을 수 있으며(즉, 고감도로 압력을 측정할 수 있으며), 진공 격벽이 필요 이상으로 가열되는 것을 방지할 수 있다.

그러나 진공 격벽에 진공 펌프를 연결하여, 대기압에서부터 고진공 영역(10^-5Pa 정도의 압력)까지 일정한 배기 속도로 진공 처리하면서, 예를 들어 방출 전류가 1mA로 제어되도록 4W 이하의 전력으로 필라멘트에 전력을 공급하고, 상기 소형화된 삼극관형 전리 진공계에서 압력을 측정하면, 압력 지시 값이 그 측정 한계(하한) 값 부근의 압력인 10^-5Pa 정도까지 연속하여 하강한 후, 10^-4Pa 정도까지 다시 상승하여 평형이 되는 것이 밝혀졌다. 이러한 삼극관형 전리 진공계를 측정 대상물에 장착하여 압력을 측정하면, 측정 오차가 발생하는(즉, 실제 측정 대상물의 압력보다 높은 압력을 지시하는) 문제를 초래한다.

따라서 본 발명의 발명자들은 예의 연구를 거듭하여, 필라멘트의 공급 전력이 비교적 높고(예를 들어, 9W), 이온 콜렉터의 표면 온도가 400℃를 초과하는 등의 경우에는 상기 문제가 발생하지 않았으나, 필라멘트의 공급 전력을 낮춤으로써 이온 콜렉터의 모선 방향의 양 단부가, 양이온의 충돌 확률이 상대적으로 낮아 입자(기체 분자)를 모아둘 수 있는 영역이 되고, 나아가 양이온의 충돌에서 방출되는 입자의 방출원이 된다는 것에 기인하는 것을 깨달았다. 다시 말하면, 진공 배기 초기에 그리드나 이온 콜렉터에 부착되어 있는 수분과 같은 기체의 원자나 분자(대기 중의 성분)도 서서히 방출되어 배기되므로(즉, 이른바 흡착 등온선을 따라 흡착량이 감소), 압력 지시 값이 측정 한계 값(예를 들어, 10^-5Pa)까지 하강한다. 이 시점에서는 이온 콜렉터(주로 내표면)에 부착되어 있는 원자나 분자의 조성은, 대기와 연동되는 조성 비율로 이루어져 있다고 생각된다.

방출된 기체나 양이온이 된 기체 분자 등은 이온 콜렉터에 다시 충돌하여, 이온 콜렉터의 표면(주로 내표면)에 산화물 등으로 화학 흡착 또는 물리 흡착된다. 이 경우, 양이온의 충돌 확률이 높은 영역에서는, 이탈 가능한 에너지를 가진 양이온이 지속적으로 충돌함으로써, 중성 분자, 중성 파편 분자, 중성 원자 또는 그들의 이온 등의 입자로서 가급적 방출되나(즉, 분자층으로서 퇴적되기 어려운), 양이온의 충돌 확률이 낮은 영역에서는 양이온이 지속적으로 충돌하지 않기 때문에, 예를 들어 약 결합 분자층(산화층 등)으로서, 양이온의 충돌 확률이 높은 영역과 비교하여 퇴적되기 쉬우며, 분자층의 두께를 유지하기 쉬운 상태가 된다.

또한 시간이 경과하면 진공 격벽의 기체는 배기 능력에 따른 조성으로 변화한다. 이 조성 변화에 따라 이온 콜렉터 표면(주로 내표면)에 부착되어 있는 원자나 분자층의 조성도 변화한다. 예를 들면, 배기되기 어려운 물 분자 등이 증가한 조성으로 변화한다. 이러한 성분 변화 등에 기인하여, 양이온의 충돌 확률이 낮은 영역에서는 이탈보다 흡착이 우세해져, 예를 들면 약 결합 분자층(산화층 등)으로서 퇴적이 진행된다. 그리고 측정 한계 값 부근의 압력까지 하강한 후, 퇴적된 분자층(또는 흡착된 물 분자 등도 포함)에 양이온이 충돌하여 방출되는 입자의 양이 점차 많아짐에 따라 압력 지시 값이 상승하고, 그 후 입자의 방출 및 방출된 입자의 재흡착 및 배기와의 균형이 유지되면, 소정의 압력(예를 들어, 10^-4Pa)에서 평형을 이룰 것으로 생각된다. 이 분자층에 화학 흡착 또는 물리 흡착되는 양과 이 분자층에서 방출되는 입자의 양은, 양이온 등의 충돌 확률에 의존하므로, 이온의 충돌 확률이 상대적으로 낮은 이온 콜렉터의 모선 방향의 양 단부가 입자의 방출원이 되어, 압력 지시 값의 상승을 초래한다고 할 수 있다.

특허문헌 1: 일본특허공개 2013-72694호 공보

비특허문헌 1: 진공 제 40권 제 11호(1997) <부표준 전리 진공계의 후계구(VS-1A)의 개발>

본 발명은 이상의 연구 결과에 근거하여 이루어진 것으로, 이온 콜렉터의 표면에서 방출되는 입자의 영향을 적게 하여 측정 오차 없이 측정 대상물의 압력을 측정할 수 있는 삼극관형 전리 진공계를 제공하는 것을 그 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 측정 대상물에 장착되어 그 내부의 압력을 검출하는 본 발명에 따른 삼극관형 전리 진공계는, 필라멘트와 필라멘트 주위에 배치되는 원통형의 윤곽을 갖는 그리드와, 그리드 주위에 동심에 배치되는 원통형 이온 콜렉터와, 필라멘트에 직류 전류를 통전하여 필라멘트를 적열시키는 필라멘트 점등용 전원과, 그리드에 대해 필라멘트보다 높은 전위를 이 그리드에 부여하는 그리드용 전원과, 필라멘트의 전위를 이온 콜렉터의 전위보다 높게 하는 전원을 구비하고, 필라멘트에 공급하는 전력을 4W 이하로 설정하여, 필라멘트와 그리드 사이의 방출 전류를 2mA ~ 10mA의 범위로 제어하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 진공 격벽의 가열을 방지하기 위해 필라멘트에 공급하는 전력을 4W 이하로 설정한 상태에서 방출 전류를 2mA 이상으로 함으로써, 양이온의 생성량이 증가하여, 상대적으로 낮은 방출 전류에서는 양이온의 충돌 확률이 낮은 이온 콜렉터의 양 단부에서도 양이온이 지속적으로 충돌하게 되어, 약 결합 분자층(산화층 등)으로서 퇴적되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 측정 대상물에 설치하여 압력을 측정할 때 고진공 영역에서의 이온 콜렉터의 표면에서 방출되는 입자의 영향이 가급적 억제되어, 정확하게 측정 대상물의 압력을 측정할 수 있다. 덧붙여 방출 전류를 10mA가 넘는 값으로 설정하면 필라멘트에 공급하는 전력이 4W를 초과하게 되어, 진공 격벽의 온도도 50℃를 넘어 버리게 된다.

또한 본 발명에서는 상기 필라멘트와 상기 그리드 및 상기 이온 콜렉터를 금속 진공 격벽 내에 수납하는 것이 바람직하다. 이로 인해 열전자가 진공 격벽에 대전되는 현상을 방지할 수 있어, 진공 격벽으로 둘러싸인 공간 내의 전위 분포를 항상 일정하게 유지할 수 있다. 그 결과, 장시간에 걸쳐 일정한 감도로 압력을 측정하는 것이 가능하다.

[도 1] 본 발명의 실시 형태에 따른 삼극관형 전리 진공계의 구성을 설명하는 모식도.
[도 2] 센서부의 모식 단면도.
[도 3] 삼극관형 전리 진공계를 진공 배기했을 때의 시간 경과에 따른 압력 변화를 나타내는 그래프.
[도 4] 방출 전류를 변화시켰을 때의 시간 경과에 따른 시험체 내의 압력을 나타내는 그래프.
[도 5] 방출 전류를 변화시켰을 때의 이온 콜렉터의 표면 온도를 나타내는 그래프.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 삼극관형 전리 진공계의 실시 형태를 설명한다. 다음에서는 도시 생략한, 측정 대상물에 대한 후술할 센서부의 장착 방향을 위쪽으로 하여 설명한다.

도 1 및 도 2를 참조하여, 삼극관형 전리 진공계(IG)는, 센서부(S)와 제어부(C)로 구성된다. 센서부(S)는 진공 격벽으로 바닥이 원통형인 금속 하우징(1)을 구비하고, 그 상부에 설치된 플랜지(11)(및 진공 봉인)를 통해 도면 밖의 진공 챔버와 같은 측정 대상물에 착탈 가능하도록 장착된다. 하우징(1)으로는 스테인리스, 니켈, 니켈과 철의 합금, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 티타늄, 티타늄 합금, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈 또는 이들 가운데 선택된 적어도 두 종류의 합금으로 구성된다. 이 경우 금속 하우징(1)은 어스(earth) 접지되어 있는 것이 바람직하다.

하우징(1)은, 그 내부에 필라멘트(2)와, 필라멘트(2)의 주위를 둘러싸도록 같은 중심을 가지게 배치되는 원통형의 윤곽을 갖는 그리드(3)와, 그리드(3)의 주위를 둘러싸도록 같은 중심을 가지게 배치되는 원통형 이온 콜렉터(4)를 포함한다. 필라멘트(2)로는, 산화이트륨으로 코팅한 이리듐이나 텅스텐 등의 금속 물질이 사용되며, φ0.1 ~ 0.2mm의 선재를 헤어핀 모양으로 성형한 것을 사용한다. 그리고 필라멘트(2)의 양쪽 자유단이 하우징(1)의 바닥부를 도시 생략한 절연체를 통해 관통시켜 하우징(1) 내에 돌출된 지지핀(21a, 21b)에 의해 하우징(1) 내의 소정 위치에 위치 결정되어 지지된다. 이 경우 지지핀(21a, 21b)은 접속 단자(전극)의 역할도 수행한다. 필라멘트(2)는 그리드(3)의 한쪽 단(도 1의 하단)에, 필라멘트(2)의 삽입 방향 앞쪽의 헤어핀 모양으로 접힌 정상부(22a) 측에서 삽입된다. 이 경우 정상부(22a)는 예를 들어, 그리드(3)의 모선 방향의 길이의 중간 점(Mp)의 근방에 위치하도록 배치된다.

그리드(3)로는, 텅스텐, 몰리브덴, 표면을 백금으로 코팅한 몰리브덴, 탄탈, 백금, 이리듐, 백금과 이리듐의 합금, 니켈, 니켈과 철의 합금, 스테인리스 또는 이들 가운데 선택된 적어도 두 종류의 합금인 것을 사용한다. 그리고 φ0.1 ~ 0.5mm의 선재를 원통형 윤곽을 가지도록 코일에 감아 구성한다. 이 경우, 그리드(3)의 구멍 축(Ha)(孔軸)에 필라멘트(2)의 정상부(22a)가 위치하도록 되어있다. 덧붙여, 그리드(3)의 형태는 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 선재를 격자 모양으로 조립하여 원통형으로 성형한 것이나 펀칭 메탈 또는 포토 에칭 시트를 원통형으로 성형한 것이어도 무방하다. 그리드(3)도 또한 하우징(1)의 바닥부를 도시 생략한 절연체를 통해 관통시켜 하우징(1) 내에 돌출된 지지핀(31a, 31b)에 의해 하우징(1) 내의 소정 위치에 위치 결정되어 지지된다. 이 경우 지지핀(31a, 31b)은 연결 단자의 역할도 수행한다.

이온 콜렉터(4)로는, 스테인리스, 몰리브덴, 표면을 백금으로 코팅한 몰리브덴, 탄탈, 백금, 이리듐, 백금과 이리듐의 합금, 니켈, 니켈과 철의 합금 또는 이들 가운데 선택된 적어도 두 종류의 합금인 것을 사용한다. 그리고 두께 50 ~ 300μm의 직사각형 판재를 원통형으로 성형하여 구성한다. 이 경우, 양이온을 될 수 있는 대로 포집하기 위해 이온 콜렉터(4)의 모선 방향의 길이는 그리드(3)의 모선 방향의 길이와 동등하게 되어있다. 이온 콜렉터(4)도 또한 하우징(1)의 바닥부를 도시 생략한 절연체를 통해 관통시켜 하우징(1) 내에 돌출된 지지핀(41a, 41b)에 의해 하우징(1) 내의 소정 위치에 위치 결정되어 지지된다. 이 경우, 지지핀(41a, 41b)은 연결 단자의 역할도 수행한다. 덧붙여, 이온 콜렉터(4)의 형태는 이에 한정되는 것이 아니며, 띠 모양의 선재를 격자 모양으로 조립하여 원통형으로 성형한 것이나 펀칭 메탈 또는 포토 에칭 시트를 원통형으로 성형한 것이어도 무방하다.

한편, 제어부(C)는 본체(F)(도 1에 일점쇄선으로 표시한 것)를 구비하며, 본체(F) 내에는 컴퓨터 메모리나 시퀀서 등을 포함한 제어 유닛(Cu)이 내장되어 있다. 제어 유닛(Cu)은 후술할 각 전원의 작동이나 후술할 전류계(A₁)에서 측정된 이온 전류 값을 처리하는, 예를 들어 도시 생략한 디스플레이에 압력을 표시하는 등의 각종 제어를 총괄 실시한다. 또한 본체(F)에는, 필라멘트(2)에 직류 전류를 통전하여 필라멘트(2)를 적열(점등)시키는 필라멘트 점등용 전원(E1)과, 그리드(3)에 대해 필라멘트(2)보다 높은 전위를 이 그리드(3)에 부여하는 그리드용 전원(E2)과, 필라멘트(2)의 전위를 이온 콜렉터(4)의 전위보다 높게 하는 전원(E3)과, 이온 콜렉터(4)를 흐르는 이온 전류를 측정하는 전류계(A₁)가 내장되어 있다. 덧붙여, 본 실시 형태에서 특히 도시하여 설명하지는 않았으나, 본체(F)에는 상기 각 전원(E1 ~ E3)으로 통하는 출력 단자가 설치되고, 센서부(S)와 제어부(C)는 커넥터가 부착된 케이블로 연결된다. 또한 센서부(S)와 제어부(C)를 동일한 본체에 넣어 구성할 수도 있다.

여기서, 필라멘트(2)의 공급 전력이 4W 이하여도 규정된 방출 전류를 얻을 수 있도록 삼극관형 전리 진공계(IG)를 구성하기 위해, 필라멘트(2)로는 φ0.127mm, 20mm 길이의 이리듐 선을 헤어핀 모양으로 성형하고 산화이트륨으로 코팅한 것을 사용, 그리드(3)로는 φ0.25mm의 백금 클래드 몰리브덴 선을 직경 φ10mm, 모선 방향의 길이(L1)를 20mm로 성형한 것을 사용, 이온 콜렉터(4)로는 두께 0. 1mm의 SUS304제 판재를 직경 φ17mm, 높이 20mm의 원통형으로 성형한 것을 사용하여, 이들 필라멘트(2), 그리드(3) 및 이온 콜렉터(4)를 상기 실시 형태에 따라 내경이 φ25mm인 원통형 금속 하우징(1)에 조립하여 시험체를 마련하였다.

다음으로, 하우징(1) 내를 진공 펌프를 통해 일정한 배기 속도로 진공 처리하면서, 방출 전류를 1mA로 설정하고 작동시켜 시험체 내의 압력을 측정하였다. 이 경우, 그리드 전압은 150V, 필라멘트 전압은 25V, 이온 콜렉터 전압은 0V이며, 압력을 측정하는 동안 방출 전류가 1mA로 유지되도록 필라멘트(2)에 공급하는 전압이 4W를 넘지 않는 범위에서 전원(E1)로부터의 필라멘트 전류 및 전압이 적절하게 제어된다. 도 3은 시간의 경과에 따른 시험체 내의 압력 변화를 나타내는 그래프이다. 이에 따르면, 도 3에 점선으로 나타낸 것처럼, 하우징(1)의 압력 지시 값이 10^-5Pa 정도까지 연속적으로 하강한 후 10^-4Pa 정도까지 다시 상승하여 평형이 되는 것을 확인하였다. 이 상태에서 그리드 전압만을 150V에서 800V로 변경하자, 조금 낮은 압력을 지시하였으나 곧바로 원래의 압력까지 상승하였다. 이를 통해 압력 상승의 원인은 그리드(3)가 아니라고 생각된다.

다음으로, 전원(E1)으로부터의 필라멘트 전류 및 전압을 적절히 제어하여 소정의 시간마다 방출 전류를 0.01mA, 1mA, 2mA, 3mA 및 0.5mA로 각각 변화시켜 시간의 경과에 따른 시험체 내의 압력을 각각 측정하여 그 결과를 도 4에 나타내었다. 이에 따르면, 방출 전류가 커질수록 지시하는 압력이 저하되는 것을 알 수 있었다. 또한 방출 전류를 2mA로 설정하였을 때, 시간의 경과에 따른 시험체 내의 압력 변화를 측정해 보니, 도 3에 실선으로 나타낸 것처럼, 하우징(1)의 압력 지시 값이 10^-5Pa 근방까지 연속적으로 하강하여, 그대로 평형 상태인 것을 확인할 수 있었다.

다음으로, 전원(E1)으로부터의 필라멘트 전류 및 전압을 적절히 제어하여 방출 전류를 변화시켰을 때의 이온 콜렉터(4)의 표면 온도를 측정하여 그 결과를 도 5에 나타내었다. 이에 따르면, 방출 전류를 10mA로 설정하더라도 이온 콜렉터(4)의 온도는 250℃ 이하였으며, 그 때의 하우징(1)의 온도는 40℃ 정도였다. 덧붙여, 방출 전류를 10mA로 설정하였을 때의 필라멘트의 공급 전력은 3.2W였다.

이상을 통해, 방출 전류의 증가에 따라 필라멘트(2)가 더욱 가열되므로, 그리드(3)와 이온 콜렉터(4)가 가열되어 온도가 상승하고 그 표면에서 방출되는 입자의 영향이 줄어들 가능성이 있다고 생각할 수 있으나, 이 때 상승하는 이온 콜렉터(4)의 온도는 고작 플러스 100℃ 정도이고, 하우징(1)의 온도는 고작 플러스 20℃ 정도이며, 또한 방출 전류를 변화시킨 직후의 압력 변동도 보이지 않았다. 그 결과, 방출 전류를 2mA 이상으로 설정하면 양이온의 생성량이 증가하여, 상대적으로 낮은 방출 전류에서는 양이온의 충돌 확률이 낮은 이온 콜렉터(4)의 양 단부에 있어서도 양이온이 지속적으로 충돌되게 되므로, 약 결합의 분자층(산화층 등)으로서 퇴적되는 것을 억제할 수 있다고 생각된다.

따라서, 본 실시 형태에서는 이상의 지식을 토대로 필라멘트(2)의 공급 전력이 4W 이하여도 규정된 방출 전류를 얻을 수 있도록 삼극관형 전리 진공계(IG)(즉, 필라멘트(2)나 그리드(3))를 구성하고, 전원(E2)의 마이너스 출력측에 필라멘트(2)와 그리드(3) 사이를 흐르는 방출 전류를 측정하는 다른 전류계(A₂)를 마련하여, 압력을 측정하는 동안 제어 유닛(Cu)을 통해 필라멘트(2)의 공급 전력이 4W 이하이고 또한 전류계(A₂)에서 측정되는 방출 전류가 2mA ~ 10mA의 범위가 되도록 전원(E1)을 제어하도록 구성하였다.

이상의 실시 형태에 따르면, 양이온의 생성량이 증가하여, 상대적으로 낮은 방출 전류에서는 양이온의 충돌 확률이 낮은 이온 콜렉터(4)의 양 단부에 있어서도 양이온이 지속적으로 충돌하게 되어 약 결합의 분자층(산화층 등)으로서 퇴적되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 측정 대상물에 설치하여 압력을 측정할 때 고진공 영역에서의 이온 콜렉터(4) 표면에서 방출되는 입자의 영향을 될 수 있는 대로 억제하여, 정확하게 측정 대상물의 압력을 측정하는 것이 가능하다. 덧붙여, 방출 전류를 10mA보다 큰 값으로 설정하면 필라멘트에 공급하는 전력이 4W을 초과하게 되므로, 진공 격벽의 온도도 50℃를 넘게 된다. 또한 필라멘트(2), 그리드(3), 이온 콜렉터(4)를 금속 하우징(1) 내에 수납하였기 때문에, 열전자의 하우징(1)으로의 대전 현상을 방지할 수 있어, 하우징(1)으로 둘러싸인 공간 내의 전위 분포를 항상 일정하게 유지할 수 있다. 그 결과, 장시간에 걸쳐 일정한 감도로 압력을 측정하는 것이 가능하다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했으나 본 발명은 상기의 것으로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태에서는, 필라멘트(2)의 정상부(22a) 및 이온 콜렉터(4)의 모선 방향의 길이의 중간 점이 그리드(3)의 모선 방향의 길이의 중간 점(Mp)의 근방에 위치하는 것을 예로 들어 배치하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 필라멘트(2)에 통전하여 열전자를 방출시킬 때의 전자 방출 효율이 소정 값을 초과하여 하락하지 않는 범위에서 그리드(3)에 대한 필라멘트(2)의 위치를 위쪽 또는 아래쪽으로 적절히 조절할 수 있다. 또한 필라멘트(2)로는 예를 들어, 직선 모양의 것이나 코일 모양에 감은 것을 사용할 수 있으며, 이 경우 전자 방출 효율이 높은 영역이 그리드(3)의 모선 방향의 길이의 중간 점(Mp) 근방에 위치하도록 배치된다.

　IG ... 삼극관형 전리 진공계
　S ... 센서부
　C ... 제어부
　1 ... 금속 하우징(진공 격벽)
　2 ... 필라멘트
　3 ... 그리드
　4 ... 이온 콜렉터
　A₁, A₂ ... 전류계

Claims

측정 대상물에 장착되어 그 내부의 압력을 검출하는 삼극관형 전리 진공계(triode type ionization vacuum gauge)에 있어서,
필라멘트와 필라멘트 주위에 배치되는 원통형의 윤곽을 갖는 그리드(grid), 그리드 주위에 동심(concentric)에 배치되는 원통형의 이온 콜렉터(ion collector), 필라멘트에 직류 전류를 통전하여 필라멘트를 적열(red heat)시키는 필라멘트 점등용 전원, 그리드에 대해 필라멘트보다 높은 전위를 이 그리드에 부여하는 그리드용 전원, 필라멘트의 전위를 이온 콜렉터의 전위보다 높게 하는 전원을 구비하고, 필라멘트에 공급하는 전력을 4W 이하로 설정한 것에 있어서,
　필라멘트와 그리드 사이의 방출 전류를 2mA ~ 10mA의 범위로 제어하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 삼극관형 전리 진공계.
　청구항 1항에 있어서,
　상기 필라멘트, 상기 그리드, 상기 이온 콜렉터를 금속의 진공 격벽 내에 수납하는 것을 특징으로 하는 삼극관형 전리 진공계.