KR20170129554A - 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 웨이퍼레벨 이미지 센서 본딩 글라스 아세이 제조 방법은, 웨이퍼 상에 컬러 필터와 양단의 입출력 단자를 형성하는 단계, 상기 웨이퍼 상에 감광성 필름을 도포하는 단계, 상기 컬러 필터가 노출되도록 감광성 필름 일부를 제거하여 감광성 패턴(DAM)을 형성하는 단계, 및 상기 감광성 패턴 상에 글라스를 접합하여, 글라스 공극(DAM cavity)을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면 초박형 이미지 센서 경통 일체형 카메라 모듈을 구현할 수 있다.
Description
본 발명은, 화상 통화용 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 한편에서는 이미지 센서-경통 분리형 카메라 모듈에서 접착제를 이용하여 기판과 이미지 센서 칩을 부착하고, 와이어 본딩을 통해 커넥터를 형성하기 때문에 본딩 와이어를 위한 공간으로 초박형 패키지가 실현될 수 없었으나, 웨이퍼레벨에서 패키지 사이즈와 칩 사이즈를 동일하게 제조하고, 관통 전극과 고속 충전 기술을 이용하여 범프와 커넥터를 형성함으로써 생산성 및 수율이 크게 개선되고, 다른 한편에서는 입출력 단자와 대응되는 부분에 댐(DAM)을 설치하여 본딩 영역을 설정하고, 댐 사이에는 MEMS 구조물을 보호하는 글라스 공극(DAM cavity)을 형성하되, 미세 선폭에도 불구하고 고접착력을 제공하며 특히 패턴닝이 자유로운 감광성 필름을 이용하여 글라스 공극이 30㎛ 이상 확보되는 초슬림 카메라 모듈에 관한 것이다.
일반적으로 CMOS 이미지 센서는 전자 패키지 기술로 인해 CMOS 이미지 센서 칩에서 이미지 센서 카메라 모듈로 제조되어 다양한 응용 제품에 장착되고 있는데, 이때 CMOS 이미지 센서 모듈이 요구하는 패키지 사양도 결국 최종 응용 제품의 특성에 따라 좌우된다. 특히 CMOS 이미지 센서 모듈의 최근 동향인 초박형 극소형 패키지 부품화라 할 수 있다.
폰 카메라와 같이 초박형 특성이 중요한 시장에서는 칩-온-보드(COB), 칩-온-필름(COF), 칩 사이즈 패키지(CSP) 등이 많이 사용되고 있다. 그 중 이미지 센서와 경통이 분리되는 카메라 모듈이 있다.
도 1을 참조하면, 경통 분리형 이미지 센서(10)는, 빛을 전기적 신호로 변환하는 이미지 센서 보드(20), 및 이미지 센서 보드(20) 상에 결합되는 경통(30)을 포함한다. 경통(30)에는 상부에 렌즈(32)가 설치되고, 하부에 노이즈를 제거하는 IR 컷 오프 필터(cut-off filter)(34)가 설치될 수 있다.
이와 같은 구성에 의하면, 이미지 센서 보드(20)와 경통(30)이 체결수단에 의하여 조립될 수 있다. 이미지 센서 보드(20)는 칩-온-보드(COB) 패키지가 이용될 수 있다.
전술한 이미지 센서 보드(20)는, 기판 단자를 포함하는 인쇄회로기판(22), 인쇄회로기판(22) 상에 접착제(24)로 고정되고, 입출력(I/O) 단자를 포함하는 이미지 센서 칩(26), 및 인쇄회로기판(22)의 기판 단자와 이미지 센서 칩(26)의 입출력 단자를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(28)를 포함한다.
따라서 하부에 인쇄회로기판(22)이 반드시 설치되고, 여기에 와이어 본딩에 의하여 커넥터(connector)가 연결되어야 하기 때문에 공정 수율이 저하되는 문제점이 있다.
특히, 이미지 센서 보드와 경통 분리형 카메라 모듈 방식은, 인쇄회로기판(22)과 이미지 센서 칩(26)의 뒷면을 다이 접착제로 접착시킨 후 본딩 와이어(28)로 이미지 센서 칩(26)의 입출력 단자와 인쇄회로기판(22)의 기판 전극을 연결해야 하기 때문에, 와이어 본딩을 위한 공간이 필요하다.
그러므로 그 공간만큼 카메라 모듈의 사이즈가 커질 수밖에 없다. 가령, 아무리 사이즈를 작게 설계하더라도 7mm X 7mm X 4.5mm 넘게 되어 초박형 카메라 모듈 실현에 결정적 장애가 된다.
따라서 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 이미지 센서 보드와 경통이 상호 분리되지 않고 일체로 제조되는 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 접착제를 이용하여 인쇄회로기판 상에 이미지 센서 칩을 결합하는 COB 패키지 기술을 이용하지 않고, 웨이퍼레벨 공정이 가능한 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 와이어 본딩을 위한 공간을 생략하기 위하여 와이어 본딩을 이용하지 않는 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈은, 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지, 제1감광성 패턴을 이용하여 상기 웨이퍼레벨 패키지 상에 본딩되는 글라스, 및 제2감광성 패턴을 이용하여 상기 글라스 상에 본딩되고, 적어도 하나 이상의 렌즈가 설치되는 경통을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 웨이퍼레벨 이미지 센서 본딩 글라스 아세이 제조 방법은, 웨이퍼 상에 컬러 필터와 양단의 입출력 단자를 형성하는 단계, 상기 웨이퍼 상에 감광성 필름을 도포하는 단계, 상기 컬러 필터가 노출되도록 감광성 필름 일부를 제거하여 감광성 패턴(DAM)을 형성하는 단계, 및 상기 감광성 패턴 상에 글라스를 접합하여, 글라스 공극(DAM cavity)을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 웨이퍼레벨 이미지 센서 본딩 글라스 아세이는, 웨이퍼 상에 컬러 필터와 양단의 입출력 단자가 형성되는 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지, 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지 상에 도포되는 감광성 패턴, 및 감광성 패턴에 본딩되는 글라스를 포함한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 패키지 사이즈(package size)와 칩 사이즈(chip size)를 동일하게 제조함으로써, 패키지 넓이를 줄일 수 있다.
둘째, 와이어 본딩(wire bonding)을 사용하지 않고 범프(bump)를 사용함으로써, 패키지 두께를 크게 줄일 수 있다.
셋째, 웨이퍼레벨 패키지를 통해 칩레벨 패키지와 비교하여 생산성 및 수율을 크게 개선할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 이미지 센서-경통 분리형 카메라 모듈의 구성을 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼레벨 이미지 센서 본딩 글라스 아세이의 구성을 나타내는 단면도.
도 4a 내지 도 4i는 도 3은 제조 공정을 나타내는 단면도들.
도 5는 도 4a 내지 도 4i의 공정 순서도.
도 2는 본 발명에 의한 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼레벨 이미지 센서 본딩 글라스 아세이의 구성을 나타내는 단면도.
도 4a 내지 도 4i는 도 3은 제조 공정을 나타내는 단면도들.
도 5는 도 4a 내지 도 4i의 공정 순서도.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 이미지 센서 경통 일체형 카메라 모듈의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2를 참조하면, 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈(100)은, 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지(110), 제1감광성 패턴(120a)을 이용하여 웨이퍼레벨 패키지(110) 상에 본딩되는 글라스(130), 및 제2감광성 패턴(120b)을 이용하여 글라스(130) 상에 본딩되고, 적어도 하나 이상의 렌즈(140)가 설치되는 경통(150)을 포함할 수 있다.
이때, 이웃하는 한 쌍의 제1감광성 패턴(120a)은 각각 댐(DAM)을 형성하여 상기 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지(110)와 글라스(130) 사이에 글라스 공극(DAM cavity)을 제공한다. 가령, 댐(DAM)은 본딩 영역(bonding area)을 형성하고, 글라스 공극은 센싱 영역(sensing area)을 형성하며, 본딩 영역과 경통(150)이 상호 정렬(align) 되고, 센싱 영역과 렌즈(140)가 상호 정렬(align) 됨으로써, 전체적으로 카메라 모듈의 사이즈가 작아질 수 있다. 이는 패키지 사이즈와 칩 사이즈가 일치하는 웨이퍼레벨 패키지 방식에다가 감광성 고접착 필름을 댐(DAM)으로 사용한 결과이다.
경통(150)은 속이 비어 있는 실린더 형상으로 감광성 패턴(120a, 120b)을 이용하여 웨이퍼레벨 패키지(110)의 본딩 영역(bonding area)과 대응되고 정렬되어 경통(150)과 웨이퍼레벨 패키지(110)가 일체형으로 조립된다.
댐(DAM)으로 사용되는 감광성 고접착 필름은 에폭시 함유 아크릴 공중합체, 페놀 수지, 필러, 경화촉진제, 수산기 또는 카르복실기 화합물, 방사선 중합성 화합물 및 광개시제를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 이미지 센서 본딩 글라스 아세이(Assy)는, 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지(110), 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지(110) 상에 도포되는 감광성 패턴(120), 감광성 패턴(120)에 본딩되는 글라스(130)를 포함할 수 있다.
본 발명에서 감광성 패턴(120)은 댐(DAM)을 형성하여, MEMS 구조물인 웨이퍼레벨 패키지를 안정적으로 보호한다. 이에 감광성 패턴(120)은 웨이퍼 상에 미세 패턴을 용이하게 구현하는 장점이 있다. 가령, 감광성 필름의 최소 패턴 선폭이 800㎛ 이하로 구현될 수 있다. 미세 선폭에도 불구하고, 그 접착 강도는 2000gF/㎝2 이상 구현하여 본딩 수율을 개선할 수 있다.
본 발명은 감광성 패턴(120)을 댐(DAM)으로 이용함으로써, 30㎛ 이상의 글라스 공극(DAM cavity)(132)을 형성할 수 있다. 가령, 웨이퍼레벨 패키지와 글라스를 본딩함에 있어서는 이미지 센서의 컬러 필터(112)를 보호하기 위하여 일정 두께 이상의 글라스 공극(DAM cavity)(132)이 필요하다.
만약, 글라스 공극(DAM cavity)(132) 면적 대비 댐(DAM) 면적이 적게 되면, 본딩 강도가 취약하고, 웨이퍼 박막(thinning) 공정에서 실리콘 멤브레인의 파괴가 빈번한 단점이 있다. 반대로 크게 되면 전술한 글라스 공극(DAM cavity)(132)이 줄어들어 이미지 센싱 기능이 저하된다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지(110)는, 이미지 센서의 컬러 필터(112)와 양단의 입출력 단자(I/O)를 포함하는 웨이퍼(W), 입출력 단자(I/O)를 수직으로 연결하는 관통 전극(114), 관통 전극(114)으로부터 연장되는 재배선 단자(RDL), 및 재배선 단자에 솔더 마스크(solder mask)(도면부호 없음)을 이용하여 볼 마운트 되는 범프(Bump)(116)를 포함한다.
이러한 이미지센서 웨이퍼레벨 패키지(110)의 두께는 750㎛ 넘지 않는다. 이로써, 5mm X 5mm X 3.5mm 사이즈의 초경박 카메라 모듈의 구현이 가능하다.
이하, 본 발명에 의한 이미지 센서 본딩 글라스 아세이(Assy)의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
웨이퍼레벨 패키지 공정(
S110
)
도 4a 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼(W) 상에 컬러 필터(112)와 양측의 입출력 단자(I/O)가 형성된다. 이에 웨이퍼(W)에 컬러 필터(112)와 그 양측으로 입출력 단자(I/0)가 포함되는 웨이퍼레벨 패키지(110)가 완성된다.
감광성 필름 도포 공정(
S120
)
도 4b 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼(W) 상에 감광성 필름(F)을 도포한다. 감광성 필름(F)은, 에폭시 함유 아크릴 공중합체, 페놀 수지, 필러, 경화촉진제, 수산기 또는 카르복실기를 가지는 화합물, 방사선 중합성 화합물 및 광 개시제를 포함할 수 있다.
감광성 필름 패턴 공정(
S130
)
도 4c 및 도 5를 참조하면, 적어도 컬러 필터(112)가 오픈되도록 감광성 필름(F) 일부를 제거한다. 따라서 컬러 필터(112)가 노출되는 감광성 패턴(120)이 형성된다.
글라스
본딩
공정(
S140
)
도 4d 및 도 5를 참조하면, 감광성 패턴(120) 상에 글라스(130)를 접합한다. 이때 글라스 공극(DAM cavity)(132)이 형성된다.
웨이퍼
씨닝
공정(
S150
)
도 4e 및 도 5를 참조하면, 건식 연마기(dry polisher)를 이용하여 웨이퍼(W) 백면(back side)을 그라인딩(grinding)하여 박막(thinning) 한다. 따라서 웨이퍼(W)는 100㎛ 이하의 두께로 박막화 할 수 있다.
박막 두께는 웨이퍼에 크랙(crack)이 발생하지 않는 정도로 한다. 이아 같은 박막 공정은 후속 공정인 TSV, RDL 공정에서 웨이퍼를 원하는 목표치로 형성하되, 그 스트레스를 최소화하기 위한 것이다.
비아
홀 형성 공정(
S160
)
도 4f 및 도 5를 참조하면, 감광성 패턴과 대응되는 웨이퍼를 제거하여 비아 홀(via hole)(H)을 형성한다. 이로써 입출력 단자(I/O)가 노출된다.
웨이퍼레벨 패키지를 위한 비아 홀(via hole)(H)을 형성하기 위해 건식 식각(dry etching) 공정을 실시한다. 가령, 관통 전극(114)의 누설 전류 및 단선 불량을 최소화하기 위하여 보슈(Bosch) 공정으로 불리는 실리콘(Si) Deep RIE(reactive ion etching)를 이용할 수 있다. 비아 홀(H)의 직경은 50㎛ 이상, 깊이는 100㎛ 이상으로 할 수 있다.
비아 홀 형성 공정 시 스캘럽(scallop)이 발생할 수 있어 표면에 절연막(SiO2)(도면부호 없음)을 5,000 Å 이상의 두께로 증착하며, 이미지 센서의 열 손상을 방지하기 위해 200 ℃ 이하의 저온에서 증착한다.
비아 홀(H)에 절연막(SiO2)(도면부호 없음)을 형성하고, 금속 시드층을 단차 피복하여 후술하는 관통 전극(114)을 형성한다.
관통 전극
충진
공정(
S170
)
도 4g 및 도 5를 참조하면, 비아 홀(H)에 관통 전극(TSV)(114) 및 배선을 형성한다. 이미지 센서를 전기적으로 연결하기 위하여 구리(Cu)를 도금하여 관통 전극(114)을 형성한다.
한편, 본 발명에서는 입출력 단자(I/O) 후방에 감광성 패턴(120)이 접합되어 있기 때문에 비아 홀(H) 형성 시 입출력 단자(I/O)를 지지할 수 있고, 또한 비아 홀(H)에 관통 전극(114)을 충진할 때 감광성 패턴(120)이 버퍼 기능을 수행할 수 있다.
재배선 공정(
S180
)
도 4h 및 도 5를 참조하면, 배선을 식각한다. 이로써 재배선 단자(RDL)가 형성된다. 솔더 마스크(solder mask)를 형성한다.
범프
볼
마운팅
공정(
S190
)
도 4i 및 도 5를 참조하면, 재배선 단자(RDL) 상에 범프(116)를 볼 마운팅한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼레벨 패키지와 글라스를 결합하되 글라스 공극을 형성함에 있어서 감광성 필름 접착 본딩 방법을 이용하여 댐의 패턴을 용이하게 하고 미세 선폭을 구현하며, 고접착력을 실현하며, 그러한 감광성 필름은 에폭시 함유 아크릴 공중합체, 페놀 수지, 필러, 경화촉진제, 수산기 또는 카르복실기 화합물, 방사선 중합성 화합물 및 광 개시제를 포함하는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
100: 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈
110: 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지
112: 컬러 필터 114: 관통 전극
116: 범프 120: 감광성 패턴
130: 글라스 132: 글라스 공극
140: 렌즈
110: 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지
112: 컬러 필터 114: 관통 전극
116: 범프 120: 감광성 패턴
130: 글라스 132: 글라스 공극
140: 렌즈
Claims (7)
- 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지,
제1감광성 패턴을 이용하여 상기 웨이퍼레벨 패키지 상에 본딩되는 글라스, 및
제2감광성 패턴을 이용하여 상기 글라스 상에 본딩되고, 적어도 하나 이상의 렌즈가 설치되는 경통을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2감광성 패턴은 에폭시 함유 아크릴 공중합체, 페놀 수지, 필러, 경화촉진제, 수산기 또는 카르복실기 화합물, 방사선 중합성 화합물 및 광 개시제를 포함함으로써, 선폭이 800㎛ 이하로 미세 패턴이 가능한 것을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2감광성 패턴은 댐(DAM)을 형성하여 상기 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지와 상기 글라스 사이에 글라스 공극(DAM cavity)을 제공하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 댐(DAM)은 본딩 영역을 형성하고, 상기 글라스 공극은 센싱 영역을 형성하며, 상기 본딩 영역과 상기 경통이 상호 정렬(align) 되고, 상기 센싱 영역과 상기 렌즈가 상호 정렬(align) 되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 이미지 센서 웨이퍼레벨 패키지는,
웨이퍼;
상기 웨이퍼 상의 이미지 센서의 컬러 필터와 양측의 입출력 단자;
상기 입출력 단자를 수직으로 연결하는 관통 전극; 및
상기 관통 전극으로부터 연장되는 재배선 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈. - 제 5 항에 있어서,
상기 재배선 단자에 솔더 마스크를 이용하여 볼 마운트 되는 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈. - 제 6 항에 있어서,
상기 관통 전극, 상기 입출력 단자, 상기 제1 및 제2감광성 패턴, 경통이 일렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160060399A KR20170129554A (ko) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160060399A KR20170129554A (ko) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170129554A true KR20170129554A (ko) | 2017-11-27 |
Family
ID=60810731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160060399A KR20170129554A (ko) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 초박형 이미지 센서-경통 일체형 카메라 모듈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20170129554A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108649041A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-10-12 | 复旦大学 | 一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法 |
-
2016
- 2016-05-17 KR KR1020160060399A patent/KR20170129554A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108649041A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-10-12 | 复旦大学 | 一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法 |
| CN108649041B (zh) * | 2018-04-16 | 2021-01-26 | 复旦大学 | 一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法 |
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