KR20170122029A - 3족원소 도핑된 CdSe 양자점 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20170122029A
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Abstract

반치폭에 영향을 주지 않는 3족 원소 도핑된 CdSe 양자점 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 3족 원소 도핑된 CdSe 양자점은 CdSe 쉘; 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘; 및 상기 CdS 쉘을 감싸는 Zn 함유 쉘;을 포함하고, 상기 CdSe 코어 및 CdS 코어 중 하나 이상에는 3족 원소가 도핑되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

3족원소 도핑된 CdSe 양자점 및 그 제조 방법 {III-GROUP ELEMENT-DOPED CADMIUM SELENIDE QUANTUM DOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 CdSe 양자점에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반치폭에 영향을 미치지 않는, 갈륨(Ga)과 같은 3족원소 도핑된 CdSe 양자점 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
양자점에 대한 가장 흥미로운 기대는 양자점은 그 크기에 따라서 밴드 갭이 조절 가능한 물질이고 그로 인해 양자점의 크기를 달리함으로서 형광 특징을 다양하게 조절할 수 있다는 사실이다.
특히, 양자점은 형광 특성에 있어서 유기 색소와 비교했을 때, 스펙트럼이 좁고 조절가능하며, 대칭적인 방출 스펙트럼을 가지고 있을 뿐만 아니라 외부에서의 광화학적 안정성을 갖는 등 몇 가지 광학적 특성의 장점을 가지고 있다.
이러한 이유 때문에, 양자점은 예를 들어 발광소자(LED), 광 발전 기기 및 생체표시 등의 기술분야에서 다양하게 응용될 수 있다.
일반적으로 잘 알려진 양자점은 카드뮴셀레나이드(CdSe) 양자점이다. 그리고, 최근에는 CdSe 양자점의 전기적, 광학적 특성을 개선하기 위하여, 망간(Mn), 구리(Cu) 등의 금속이 도핑된 CdSe 양자점이 제안되어 있다.
그러나, 망간, 구리 등이 도핑된 CdSe 양자점의 경우, 반치폭(Full Width at Half Maximum; FWHM)의 증가 혹은 양자 효율 감소 등의 문제점이 있다.
본 발명에 관련된 배경기술로는 대한민국 공개특허공보 제10-2008-0070101(2008.07.30. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조 방법이 개시되어 있다.
본 발명의 하나의 목적은 전기적, 광학적 특성이 우수하며, 반치폭에 영향을 주지 않는 CdSe 양자점을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기의 반치폭에 영향을 주지 않는 CdSe 양자점을 제조하는데 적합한 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 3족원소 도핑된 CdSe 양자점은 CdSe 코어; 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘; 및 상기 CdS 쉘을 감싸는 Zn 함유 쉘;을 포함하고, 상기 CdSe 코어 및 CdS 쉘 중 하나 이상에는 3족 원소가 도핑되어 있는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 3족 원소는 상기 CdSe 코어의 중앙부에 도핑되어 있을 수 있다.
또한, 상기 3족 원소는 상기 CdSe 쉘의 가장자리부에 도핑되어 있을 수 있다.
또한, 상기 3족 원소는 상기 CdS 쉘에 도핑되어 있을 수 있다.
한편, 상기 3족 원소는 갈륨(Ga)일 수 있다.
또한, 상기 Zn 함유 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnSeS 중 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 3족원소 도핑된 CdSe 양자점 제조 방법은 (a) 유기 용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 Se 함유 화합물을 반응시켜 CdSe 코어를 형성하는 단계; (b) 상기 CdSe 코어가 포함된 유기 용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 S 함유 화합물을 반응시켜, 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘이 포함된 유기 용매 내에서 Zn 함유 화합물 및 S 함유 화합물을 반응시켜, 상기 CdS 코어를 감싸는 Zn 함유 쉘을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 CdSe 코어 및 CdS 코어 중 하나 이상에 3족 원소를 도핑하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 CdSe 양자점 제조 방법은, 상기 (a) 단계에서, 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시켜, 중앙부에 3족 원소가 도핑된 CdSe 코어를 형성할 수 있다.
또한, 상기 CdSe 양자점 제조 방법은, 상기 (a) 단계 이후, 상기 CdSe 코어를 포함하는 유기 용매 내에서 3족 원소 함유 화합물을 반응시켜, 가장자리부에 3족 원소가 도핑된 CdSe 코어를 형성할 수 있다.
또한, 상기 CdSe 양자점 제조 방법은, 상기 (b) 단계에서, 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시켜, 3족 원소가 도핑된 CdS 쉘을 형성할 수 있다.
또한, 상기 3족 원소는 갈륨(Ga)일 수 있다.
또한, 상기 Zn 함유 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnSeS 중 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 CdSe 양자점의 경우, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdSe 코어 또는 CdS 쉘 중 하나 이상에 Ga와 같은 3족 원소가 도핑되어 있다.
그 결과, 반치폭(FWHM)이 늘어나지 않고, 26~28nm인 그린 또는 레드의 양자점이 구현될 수 있었다. 따라서, 반치폭이 늘어나거나 양자 효율 감소가 문제시되는 종래의 Mn이나 Cu가 도핑된 CdSe 양자점에 비해 전기적 및 광학적 특성이 우수한 CdSe 양자점을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양자점의 구조를 나타낸 것으로, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdSe 중앙부에 3족 원소가 도핑된 구조를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점의 구조를 나타낸 것으로, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdSe 가장자리부에 3족 원소가 도핑된 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자점의 구조를 나타낸 것으로, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdS 코어에 3족 원소가 도핑된 구조를 나타낸 것이다.
본 발명을 더 쉽게 이해하기 위해 편의상 특정 용어를 본원에 정의한다. 본원에서 달리 정의하지 않는 한, 본 발명에 사용된 과학 용어 및 기술 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 가질 것이다. 또한, 문맥상 특별히 지정하지 않는 한, 단수 형태의 용어는 그것의 복수 형태도 포함하는 것이며, 복수 형태의 용어는 그것의 단수 형태도 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 3족 원소 도핑된 CdSe 양자점 및 그 제조 방법에 대하여, 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 실시예에 따른 3족원소 도핑된 CdSe 양자점은 CdSe 코어, 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘 및 상기 CdS 쉘을 감싸는 Zn 함유 쉘을 포함한다. 이때, 본 발명의 경우, 상기 CdSe 코어 및 CdS 코어 중 하나 이상에 3족 원소가 도핑되어 있다. CdSe 코어 또는 CdS 코어에 도핑되는 3족 원소는 인듐(In), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등이 될 수 있으며, 보다 바람직하게는 갈륨이다.
한편, 본 발명의 CdSe 코어 및 이를 둘러싸는 CdS 코어는 CdSe와 CdS가 계면을 형성하여 접합된 구조를 취할 수 있다. 마찬가지로, 본 발명의 CdS 코어 및 이를 둘러싸는 Zn 함유 쉘은 CdS와 ZnS가 계면을 형성하여 접합된 구조를 취할 수 있다.
또한, Zn 함유 쉘은 상대적으로 큰 밴드 갭을 갖는 물질로서, 코어와의 밴드 갭 차이에 의해, CdSe / CdS 코어만 존재하는 경우에 비하여 더 큰 양자 효율을 구현하는데 기여한다. 이러한 Zn 함유 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnSeS 중 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양자점의 구조를 나타낸 것으로, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdSe 중앙부에 3족 원소가 도핑된 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 3족 원소는 CdSe 코어의 중앙부에 도핑되어 있다.
이러한 도 1의 구조에서, CdSe 코어, CdS 쉘 및 Zn 함유 쉘 각각은 유기용매 하에서 합성될 수 있다. 그리고, CdSe 코어 제조시에 Cd 함유 화합물, Se 함유 화합물과 함께 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시킴으로써 3족 원소가 중앙부에 도핑된 CdSe 코어를 제조할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점의 구조를 나타낸 것으로, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdSe 가장자리부에 3족 원소가 도핑된 구조를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 3족 원소는 CdSe 코어의 가장 자리부에 도핑되어 있다.
유기용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 Se 함유 화합물을 반응시켜 CdSe 코어 제조한 후에, 유기용매 내에서 3족 원소 함유 화합물을 반응시킴으로써 3족 원소가 가장자리에 도핑된 CdSe 코어를 제조할 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자점의 구조를 나타낸 것으로, CdSe 코어 / CdS 쉘 / Zn 함유 쉘 구조를 가지며, CdS 코어에 3족 원소가 도핑된 구조를 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 3족 원소는 상기 CdS 쉘에 도핑되어 있을 수 있다.
유기용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 Se 함유 화합물을 반응시켜 CdSe 코어 제조한 후에, 유기용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 S 함유 화합물과 함께 3족 원소 함유 화합물을 반응시킴으로써 3족 원소가 도핑된 CdS 쉘을 제조할 수 있다.
도 1 내지 도 3에 도시된 3족원소 도핑된 CdSe 양자점은 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있다.
우선, 유기 용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 Se 함유 화합물을 반응시켜 CdSe 코어를 형성한다.
Cd 함유 화합물은 산화카드뮴(CdO), 카드뮴 아세테이트(Cd(OAc)2) 등이 이용될 수 있다.
다음으로, CdSe 코어가 포함된 유기 용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 S 함유 화합물을 반응시켜, CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘을 형성한다.
다음으로, CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘이 포함된 유기 용매 내에서 Zn 함유 화합물 및 S 함유 화합물을 반응시켜, CdS 코어를 감싸는 Zn 함유 쉘을 형성한다.
Zn 함유 화합물로는 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zn(OAc)3), 아연 아세틸아세토네이트(Zinc acetylacetonate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate) 또는 아연 설페이트(Zinc sulfate) 등이 사용될 수 있다.
각 단계에서, 유기 용매로는 헥사데실아민, 트리옥틸아민, 옥타데센, 옥타데칸, 트리옥틸포스핀, 올레일아민 등이 이용될 수 있으며, 이들이 단독으로 혹은 2종 이상 혼합되어 이용될 수 있다.
또한, 분산성 향상을 위하여, 유기 용매에, 올레인산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스포닉산(hexyl phosphonic acid), n-옥틸 포스포닉산(n-octyl phosphonic acid), 테트라데실 포스포닉산(tetradecyl phosphonic acid), 옥타데실 포스포닉산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민(n-octyl amine), 미리스틱산(myristic acid) 또는 헥사데실 아민(hexadecyl amine) 등과 같은 분산제가 첨가될 수 있다.
이때, CdSe 코어 및 CdS 쉘 중 하나 이상에 3족 원소를 도핑한다. 3족 원소는 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 알루미늄(Al) 중 1종 이상일 수 있으며, 보다 바람직하게는 갈륨(Ga)을 포함할 수 있다. 갈륨 함유 화합물의 예로는 갈륨 아세테이트(Ga(OAc)3)를 제시할 수 있다.
3족 원소를 도핑하는 예는 다음과 같다.
우선, 도 1에 도시된 예의 경우, CdSe 코어 형성 과정에서, Cd 함유 화합물과 Se 함유 화합물과 더불어 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시켜, 중앙부에 3족 원소가 도핑된 CdSe 코어를 형성할 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 예의 경우, CdSe 코어를 형성한 후에, CdSe 코어를 포함하는 유기 용매 내에서 3족 원소 함유 화합물을 반응시켜, 가장자리부에 3족 원소가 도핑된 CdSe 코어를 형성할 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 예의 경우, CdS 쉘을 형성하는 과정에서, Cd 함유 화합물과 S 함유 화합물과 함께 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시켜, 3족 원소가 도핑된 CdS 쉘을 형성할 수 있다.
한편, 본 발명에서, 3족 원소 도핑된 코어를 제조하는 단계와 그렇지 않은 단계는 서로 구분되어 수행되는 것이 바람직하다. 이들 단계들을 동시에 수행하는 경우, 반응성이 높은 갈륨과 같은 3족 원소가 산화 반응과 같은 부반응을 통해 전기적 또는 광학적 특성을 상실하거나, 양자점의 결함을 초래할 가능성이 높기 때문이다. 아울러, 갈륨과 같은 3족 원소의 높은 반응성으로 인해 코어 상에 별개의 갈륨 결정이 성장될 수도 있다.
이하에서는 제조예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 다만, 이 제조예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는다 할 것이다.
제조예 1
- 중앙부에 Ga 도핑된 CdSe 코어를 포함한 CdSe 양자점 제조
CdO 0.2mmol, Oleic acid 0.15mmol 및 Stearic acid 0.1mmol를 1-octadecene 15ml 및 Trioctylamine 25ml 혼합 용매에 용해하였다. 이후 용액을 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이어서, Cd(OA)2 complex Clear 용액을 용액 내에 투입하고, 300℃에서 1시간동안 반응시켰다. 이후, 300℃에서 Ga(OA)2 stock 1-octadecene solution 5ml를 용액에 주입하여 반응시켰다. 이후, 300℃에서 Se-TOP 1.5ml를 주입하고, 반응시켰다. 이때, Se-TOP을 20초동안 반응시킬 경우 그린 파장을 나타내며, 5분동안 반응시킬 경우 레드 파장을 나타내었다. 이후, 냉각 및 클로로포름/아세톤으로 세척하여, 중앙부에 Ga 도핑된 CdSe 코어를 제조하였다.
1-octadecene 30ml에 CdO 1.2mmol 및 Oleic acid 2.4mmol을 용해하였다. 이후 용액을 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이어서, 300℃로 승온 후, Cd(OA)2 complex Clear 용액을 용액 내에 투입하고, 1시간동안 반응시켰다. 냉각 후, 중앙부에 Ga 도핑된 CdSe 코어 10mg이 함유된 톨루엔을 주입하고, 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이후, 280℃에서 S-TOP을 주입 후, 20분간 반응시켜, CdS 쉘부를 제조하였다.
이후, 300℃에서 1시간동안 Zn(OA)3를 드롭하여 ZnS 쉘을 제조하였다. 이후, 냉각 후 클로로포름/아세톤으로 세척하였다.
제조예 2
- 가장자리에 Ga 도핑된 CdSe 코어를 포함한 CdSe 양자점 제조
CdO 0.2mmol, Oleic acid 0.15mmol 및 Stearic acid 0.1mmol를 1-octadecene 15ml 및 Trioctylamine 25ml 혼합 용매에 용해하였다. 이후 용액을 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이어서, Cd(OA)2 complex Clear 용액을 용액 내에 투입하고, 300℃에서 1시간동안 반응시켰다. 이후, Se-TOP 1.5ml를 주입하고, 300℃에서 반응시켰다. 이때, Se-TOP을 20초동안 반응시킬 경우 그린 파장을 나타내며, 5분동안 반응시킬 경우 레드 파장을 나타내었다. 냉각 후, 상온에서 Ga(OA)3 stock 1-octadecen solution 20ml를 용액에 주입한 후, 200℃로 승온하여 1시간동안 반응시켰다. 이후, 냉각 및 클로로포름/아세톤으로 세척하여, 가장자리부에 Ga 도핑된 CdSe 코어를 제조하였다.
1-octadecene 30ml에 CdO 1.2mmol 및 Oleic acid 2.4mmol을 용해하였다. 이후 용액을 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이어서, Cd(OA)2 complex Clear 용액을 용액 내에 투입하고, 300℃에서 1시간동안 반응시켰다. 냉각 후, 가장자리부에 Ga 도핑된 CdSe 코어 10mg이 함유된 톨루엔을 주입하고, 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이후, S-TOP을 280℃에서 5ml 주입 후, 20분간 반응시켜, CdS 쉘부를 제조하였다.
이후, 300℃에서 1시간동안 Zn(OA)3를 드롭하여 ZnS 쉘을 제조하였다. 이후, 냉각 후 클로로포름/아세톤으로 세척하였다.
제조예 3
- Ga 도핑된 CdS 쉘부를 포함한 CdSe 양자점 제조
CdO 0.2mmol, Oleic acid 0.15mmol 및 Stearic acid 0.1mmol를 1-octadecene 15ml 및 Trioctylamine 25ml 혼합 용매에 용해하였다. 이후 용액을 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이어서, Cd(OA)2 complex Clear 용액을 용액 내에 투입하고, 300℃에서 1시간동안 반응시켰다. 이후, SeS-TOP 1.5ml를 주입하고, 300℃에서 반응시켰다. 이때, Se-TOP을 20초동안 반응시킬 경우 그린 파장을 나타내며, 5분동안 반응시킬 경우 레드 파장을 나타내었다. 이후, 냉각 및 클로로포름/아세톤으로 세척하여, CdSe 코어를 제조하였다.
이후, 1-octadecene 30ml에 CdO 1.2mmol 및 Oleic acid 2.4mmol을 용해하였다. 이후 용액을 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다. 이어서, Cd(OA)2 complex Clear 용액을 용액 내에 투입하고, 300℃에서 1시간동안 반응시켰다. 냉각 후, CdSe 코어 10mg이 함유된 톨루엔을 주입하고, 120℃로 승온한 후, 진공 탈가스를 실시하였다.
냉각 후, 상온에서 Ga(OA)3 1-octadecen solution 20ml를 용액에 주입한 후, 200℃로 승온하여 1시간동안 반응시켰다. 이후, S-TOP을 200℃에서 5ml 주입 후, 20분간 반응시킨 후 300℃로 승온하였다.
이후, 300℃에서 1시간동안 Zn(OA)3를 드롭하여 ZnS 쉘을 제조하였다. 이후, 냉각 후 클로로포름/아세톤으로 세척하였다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.

Claims (12)

  1. CdSe 코어;
    상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘; 및
    상기 CdS 쉘부를 감싸는 Zn 함유 쉘;을 포함하고,
    상기 CdSe 코어 및 CdS 쉘 중 하나 이상에는 3족 원소가 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 3족 원소는 상기 CdSe 코어의 중앙부에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 3족 원소는 상기 CdSe 코어의 가장자리부에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 3족 원소는 상기 CdS 쉘부에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점.
  5. 제1항 내지 제4항 중 한 항에 있어서,
    상기 3족 원소는 갈륨(Ga)인 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점.
  6. 제1항 내지 제4항 중 한 항에 있어서,
    상기 Zn 함유 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnSeS 중 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점.
  7. (a) 유기 용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 Se 함유 화합물을 반응시켜 CdSe 코어를 형성하는 단계;
    (b) 상기 CdSe 코어가 포함된 유기 용매 내에서 Cd 함유 화합물 및 S 함유 화합물을 반응시켜, 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 CdSe 코어를 감싸는 CdS 쉘이 포함된 유기 용매 내에서 Zn 함유 화합물 및 S 함유 화합물을 반응시켜, 상기 CdS 쉘을 감싸는 Zn 함유 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 CdSe 코어 및 CdS 쉘 중 하나 이상에 3족 원소를 도핑하는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 CdSe 양자점 제조 방법은, 상기 (a) 단계에서, 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시켜, 중앙부에 3족 원소가 도핑된 CdSe 코어를 형성하는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 CdSe 양자점 제조 방법은, 상기 (a) 단계 이후, 상기 CdSe 코어를 포함하는 유기 용매 내에서 3족 원소 함유 화합물을 반응시켜, 가장자리부에 3족 원소가 도핑된 CdSe 코어를 형성하는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 CdSe 양자점 제조 방법은, 상기 (b) 단계에서, 3족 원소 함유 화합물을 함께 반응시켜, 3족 원소가 도핑된 CdS 쉘을 형성하는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점 제조 방법.
  11. 제7항 내지 제10항 중 한 항에 있어서,
    상기 3족 원소는 갈륨(Ga)인 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점 제조 방법.
  12. 제7항 내지 제10항 중 한 항에 있어서,
    상기 Zn 함유 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnSeS 중 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 CdSe 양자점 제조 방법.
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